第5章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)
模拟电子技术基础(第四版)习题解答 标准答案

第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k Ω时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)第6章

第6章集成运算放大器在信号处理方面的应用6.1正弦波基波和高次谐波6.2高通带阻6.31/26.4c6.5b6.6ac6.7(√)6.8(√)6.9(×)6.10(×)Rf 6.11(1)通带电压放大倍数Aup=–R1 150682.2(2)通带截止频率f 11n62RC20.03310Hz32Hz6.12因通带截止频率fn=RC故C=Rfn1250F0.318F 取标称值0.33F,通带电压放大倍数A up=1+ RfR111001011。
6.13(1)干扰信号频率为1kHz,已知一阶低通滤波电路当f>>f n时,幅频特性下降斜率为–20dB/十倍频,为使干扰信号幅度衰减20dB,因此要求截止频率fn =113f10Hz100Hz,使f=1kHz干扰信号衰减20dB。
1010(2)因fn=12RC100Hz ,故C=112Rf2100fF =0.016F,取标称值C=0.018F或0.015F。
6.14(1)通带电压放大倍数Aup=R10f112。
R101(2)通带截止频率f n=112RC2100.01106 1.59kHz 。
(3) Q113A u32p1 。
·25·(4)当f 为f n 的10倍频时,电压放大倍数衰减–40dB(即衰减100倍),因此A |= u10fnAup 1120.02100100 。
6.15由Q13A up式可知:A u p =3–11 31.75Q0.8,因f n2 1 RC100,故11R=62fC20.1102.3k,取标称值R=16k 。
因A up =1+ R f R 1R f =1.75,则R 1 =0.75,Rf=0.75R1,又电阻平衡要求R 1//Rf=R+R=2R=32k ,与上 式可立式:R0.75R 11 R0.75R 11=32k,可解得R1=74.67k ≈75k,则R f=0.75R1=0.75×75≈56k 。
清华大学《模拟电子技术基础》习题解答与答案

第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE=20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。
图略。
六、1、V2V mA6.2 A μ26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。
2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。
习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。
1.5 u o 的波形如图所示。
1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。
1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。
(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。
1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。
大学模拟电子技术基础练习题第五章 放大电子技术基础的频率响应

第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
(1)测试放大电路输出电压幅值与相位的变化,可以得到它的频率响应,条件是 。
A.输入电压幅值不变,改变频率B.输入电压频率不变,改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化(2)放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ,而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适(3)当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时,放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB(4)对于单管共射放大电路,当f = f L 时,o U 与iU 相位关系是 。
A.+45˚B.-90˚C.-135˚当f = f H 时,o U 与iU 的相位关系是 。
A.-45˚ B.-135˚ C.-225˚ 解:(1)A (2)B ,A (3)B A (4)C C二、电路如图T5.2所示。
已知:V C C =12V ;晶体管的C μ=4pF ,f T = 50MHz ,'bb r =100Ω, 0=80。
试求解:(1)中频电压放大倍数smu A ; (2)'C ;(3)f H 和f L ;(4)画出波特图。
图T5.2解:(1)静态及动态的分析估算:∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQR g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u(2)估算'C :pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0TC R g C C C f r C C C r f(3)求解上限、下限截止频率:Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥(4)在中频段的增益为dB 45lg 20smu A 频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

一、填空题
2.1 BJT用来放大时,应使发射结处于偏置,集电结处于偏置;而工作在饱和区时,发射结处于偏置,集电结处于偏置。
2.2 温度升高时,BJT的电流放大系数 ,反向饱和电流 ,发射结电压 。
2.3用两个放大电路A和B分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时, ;都接人负载 电阻时,测得 ,由此说明,电路A的输出电阻比电路B的输出电阻。
图题所示电路在正常放大时ib5v200501maieic50mamaubuema指针微动uev指针微动ucv结论电源未接入不能正常工作处于正常放大工作状态三极管内部集电结断路不能正常工作re短路电路能正常放大rb断路电路不能正常工作三极管内部发射结断路或re断路不能正常工作三极管内部集电结短路或外极之间短路不能正常工作三极管内部发射结短路或外极之间短路不能正常工作225用直流电压表测得几个bjt的ube和uce如表题225所示试问它们各处于何种工作状态它们是npn管还是pnp管解答
(1)静态工作点;
(2)电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(3)电容Ce脱焊时的电压放大倍数、输入电阻和输出电阻;
(4)若换上一只 =100的管子,放大电路能否工作在正常状态
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)换上一只 的管子,其IC和UCE不变,放大电路能正常工作。
2.31已知图题2.31所示电路中BJT为硅管, =50,试求:
解答:
(1)
(2)
(3)
(4)
2.29 已知固定偏流放大电路中BJT为硅管,输出特性及交、直流负载线如图题2.29所示,试求:
(1)电源电压Vcc;
(2)静态工作点;
(3)电阻Rb、RC的值;
(4)要使该电路能不失真地放大,基极电流交流分量的最大幅值Ibm为多少
模拟电子技能技术总结基础(第四版)习题解答

精心整理第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
(√) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
(×) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
(√)(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。
(√) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。
(×)二、选择正确答案填入空内。
(l)PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4)U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。
图T1.3解:U O1=1.3V ,U O2=0V ,U O3=-1.3V ,U O4=2V ,U O5=1.3V ,U O6=-2V 。
四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a)(b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,?=100,U BE =0.7V 。
试问:(1)R b =50k ?时,U o=?(2)若T 临界饱和,则R b =?解:(1)26BB BEB bV U I A R μ-==,2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
模拟电子技术基础第四版第5章

20lg Au 20lg 2 3 dB, 45
20 lg Au
20 lg
f fL
20dB/十倍频
多级放大:
Au Au1 • Au2 • Au3
Au Au1 1 • Au2 2 • Au3 3
Au Au1 • Au2 • Au3
1 2 3 各级放大电路相频图的叠加
Ic c
gmUbe
RC
RE
Ce
•
RL Uo
RC高通或低通电路?
b rbb b rbe e
•
Ib
•
Ui
RB
oIb
c
e 1
RE
Ce
RC
RL
Reqe RE //[(rbb rbe ) /(1 0 )]
Ui
rbb
rbe
Ui (1
0 )RE
• (1
0 )RE
Reqe
U i
e Ce
RC低通电路
Req2 RC RL
f
90 45
0
45 90
m 180
0.1 fL2 fL2 10 fL2
0.1 fH fH 10ffH
Au
低频段
Aum
中频段
高频段
0.707 0.6
AAuumm
0
f1 fL2
0
fL2
–90º
–100º
– 180º
通频带
f2
fbw fH fL
-3dB带宽
fH
f
fL fL2
fH f
– 270º
Au
Uo Ui
R R 1
1 1 1
jC
j RC
模拟电子技术基础(第四版)习题解答40p()

第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。
( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其输入电阻会明显变小。
GS( × )二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
第1章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

《模拟电子技术基础》第4版习题解答第1章半导体二极管及其基本应用电路一、填空题1.1 在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于,而少数载流子的浓度则与有很大关系。
1.2 在N型半导体中,多子是,少子是;在P型半导体中,多子是,少子是。
1.3二极管具有性;当时,二极管呈状态;当时,二极管呈状态。
1.4 2APl2型二极管是由半导体材料制成的;2CZ52A型二极管是由半导体材料制成的。
1.5在桥式整流电路中接入电容C(与负载并联)滤波后,输出电压较未加C时,二极管的导通角,输出电压随输出电流的增大而。
二、选择正确答案填空(只需选填英文字母)1.6二极管正向电压从0.7 V增大15%时,流过的电流增大(a.15%;b.大于15%;c.小于15%)。
1.7当温度升高后,二极管的正向压降将,反向电流将(a.增大;b.减小;c.不变)。
1.8利用二极管的组成整流电路(a1.正向特性;b1.单向导电性;c1.反向击穿特性)。
稳压二极管工作在状态下,能够稳定电压(a2.正向导通;b2.反向截止;c2.反向击穿)。
三、判断下列说法是否正确(用√或×号表示)1.9在N型半导体中,掺入高浓度的三价杂质,可以改型为P型半导体。
( )1.10 PN结的伏安特性方程可以描述PN结的正向特性和反向特性,也可以描述其反向击穿特性。
( )1.11 在桥式整流电路中,如用交流电压表测出变压器二次侧的交流电压为40 V,则在纯电阻负载两端用直流电压表测出的电压值约为36 V。
( ) 1.12光电二极管是受光器件,能将光信号转换为电信号。
( ) 解答:1.1 杂质浓度温度1.2 电子空穴空穴电子1.3 单向导电性 正向偏置 导通 反向偏置 截止1.4 N 型锗材料 N 型硅材料1.5 增大 减小 减小1.6 (b )1.7 (b ) (a )1.8 (b 1) (c 2)1.9 (√)1.10 (×)1.11 (√)1.12 (√)1.13某硅二极管在室温下的反向饱和电流为910-A ,求外加正向电压为0.2 V 、0.4 V 时二极管的直流电阻R D 。
童诗白《模拟电子技术基础》(第4版)章节题库(放大电路的频率响应)

(1)计算电路的上限频率 fH,写出高频区电压放大倍数表达式;
(2)若将集电极电阻 RC 减小至 200Ω,试问参数的变化对高频特性的影响?
(3)丌改变电路连接,也丌更换晶体管,试问通过电路参数调整能增加带宽吗?
解:(1)画出高频混合 π 型等效电路如图 5-5(a)所示。
图 5-5(a) 用密勒定律将跨接在基极和集电极的结电容 C,折合到输入回路和输出回路,分别用 和 表示,可得单向化等效电路如图 5-5(b)所示,利用戴维南定理对输入回路进 行等效变换得图 5-5(c)。
高频特性的影响减弱,使上限频率提高。
以上结果表明,当集电极负载电阻减小时,虽然中频电压放大倍数减小,但却使上限频 率提高,放大器的频带加宽,高频特性得到改善。在大多数情况下,带宽的增加都是以放大 倍数的减小作为代价。
(3)根据以上分析可知,影响 fH 的主要因素是 Cπ 和 ,而
(b) 由图 5-5(a)可得:
图 5-5
其中
4 / 16
(c)
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一般情况下, Cu 的容抗远大于集电极总负载,可忽略丌计。 图 5-5(a)等效时是从电容 C 向里看的电压、电阻: 其中, Rbe Rbb Rbe 。
2 / 16
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率 fH 为多少?
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图 5-3 对数幅频特性 解:当 f=5kHz、10kHz、20kHz、30kHz、40kHz 时,AU=100。在波特图中,坐 标都是以对数为坐标,即 AU=100 时,20lgAU=40。
图 5-2
故 C1、C2、C3 所确定的低频截止频率由其各自所在的回路中得到,其中的等效电容是由 电容向里看所得到的等效电容,则
模拟电子技术基础(第四版)习题解答_Part5

(h) 图 P6.4
64
解:图(a)所示电路中引入了直流负反馈。 图(b)所示电路中引入了交、直流正反馈。 图(c)所示电路中引入了直流负反馈。 图(d)、(e)、(f)、(g)、(h)所示各电路中均引入了交、直流负反馈。 6.5 电路如图 P6.5 所示,要求同题 6.4。
(a)
(b)
(c)
(d)
1 500 F
dAf Af
1 dA 1 20% 0.1% 5 1 AF A 1 10 2 10 3
6.12 已知一个电压串联负反馈放大电路的电压放大倍数 Auf 20 ,其基本放大 电路的电压放大倍数 Au 的相对变化率为 10%, Auf 的相对变化率小于 0.1%,试问 F 和 Au 各为多少? 解:由
(e) 图 P6.5
(f)
解:图(a)引入了交、直流负反馈 图(b) 引入了交、直流负反馈。 图(c) 所示电路中通过 RS 引入直流负反馈;通过 RS、C2 和 Rl、R2 并联入交流正反馈。 图(d) 引入了交、直流负反馈。 图(e) 引入了交、直流负反馈。 图(f) 所示电路中通过 R3 和 R7 引入直流负反馈,通过 R4 引入交、直流负反馈。 6.6 分别判断图 6.4 (d)~(h)所示各电路中引入了哪种组态的交流负反馈, 并计算它 们的反馈系数。 解:各电路中引入交流负反馈的组态及反馈系数分别如下: (d)电流并联负反馈: Fii iF / iO 1 (e)电压串联负反馈: Fuu u F / uO
6.9 分别估算图 6.5 (a)、 (b) 、(e) 、(f)所示各电路在深度负反馈条件下的电压放 大倍数。 解:各电路在深度负反馈条件下的电压放大倍数如下:
(a)电压并联负反馈: A usf (b)电压串联负反馈: A uf (e)电流并联负反馈: A usf
模拟电子技术基础(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。
( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。
( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。
右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。
五、电路如图T1.5所示,V CC=15V,β=100,U BE=0.7V。
模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)第9章

·36· 第9章 直流稳压电源9.1 电源变压器 整流电路 滤波电路 稳压电路 9.2 基准电压 取样电路 比较放大电路 调整器件 9.3 电网交流电压 负载电流 9.4 a 9.5 b 9.6 d9.7 (√) 9.8 (√)9.9 (√)9.10 硅稳压管的稳压电路特点是属于并联型稳压电路,输出电压不能调节,能供给负载电流变化范围小,稳压精度不高,适用于固定的电压和轻负载的稳压电路。
串联型具有放大环节稳压电路特点,输出电压可调,负载电流变化范围较大,稳压精度较高,适用于电源稳压值可调,负载较大的稳压电路。
9.11 输入直流电压I 21.2 1.218V 21.6V U u ==⨯=,I max I 1.1 1.121.6V U U =⨯=⨯23.76V =;I min I 0.90.921.619.44V U U =⨯=⨯=。
由式I m in O I m ax O Z m in O m axZM O m inU U U U R I I I I -->>++19.44623.7665303810R -->>++ 得 384 Ω>R >370 Ω9.12 (1)三极管T 组成射极跟随器电路,故O Z BE (8.20.7)V 7.5V U U U =-=-=。
(2)I I (10%)0.112 1.2V U U ∆=±=±⨯=± ,这电压通过R 1和Z r 上分压,反映跟随器的输出为Z O I1Z151.2V 0.0235V 23.5m V75015r U U R r ∆=∆=±=±=±++;O O0.02350.31%7.5U U ∆±==±。
(3)若O Z OBE B C CE U U U U I I U ↑↑↓↓↓↑→-=→→→,而趋于稳定。
O U ↓9.13(1)电路如图题解9.13所示。
第5章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

第5章负反馈放大电路5.1 直流交流5.2 直流交流5.3 串联并联5.4 c5.5 c5.6(×)5.7(√)5.8(√)5.9(×)5.10 将放大电路的输出量(电压或电流)的一部分或全部,通过一定的电路(反馈网络),再送回到输入回路,这一过程称反馈。
反馈的结果使净输入信号减少,引起放大倍数和输出量减小的称为负反馈。
直流负反馈可以稳定电路的静态工作点,交流负反馈能够改善放大电路的性能;提高放大倍数的稳定性、减小非线性失真和抑制干扰、扩展频带以及改变输入电阻和输出电阻,故一般放大电路都要引入负反馈。
5.115.12表题5.12反馈类型判断续表5.13 (a) 属于电流串联负反馈,u id =0, u I =u fA u f =O O O L O I f 22Lu u u R u u R R R === (d) 属于电流串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O 2LuR R -A u f =O O O L O I f 22Lu u u R u u u R R R ===--(g) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i R 2=O 2uR -A u f =O OI I 1if ()u u u i R R =+, 因R if →0 故 A u f =O O O 2O I 1f 1112u u u Ri R i R R R R ===- (i) 属于电压串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O e1f1e1u R R R +A u f =O O f1i f e11u u R u u R ==+5.14(e) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i fO O O O 6f O i i 1f 1116u u u u u R A u u i R i R R R R =====--(h) 属于电流串联负反馈,u I =u f , u f =c3e3e1e1f 2e3I R RR R R ++A u f =O c3c3e1f2e3c3c3e3e1i e3e1e1f 2e3()u I R R R R R I R R u R R R R R -++==-++ 5.15(g) if1if R R R '=+, 因为是并联负反馈if 0R →,故放大电路的输入阻抗if 1R R '=。
第4章2模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)

4.17(1)E3E12300 I I ==μA ,因I R 2=I C3,所以BE 2210100.7k 31 k 0.3R U R I --==Ω=Ω(2)因单端输出,差模电压放大倍数为 1d be 160=6022u R A r β⨯20==⨯10差模输入电阻: id be =220 k R r =Ω(3)静态时,U o =10–I C2·R 1=(10– 0.15×20) V=7 V ,输入信号U 后,U o =4 V ,则输出变化量ΔU o =(4–7)V= –3 V 故 o d 3V 50 m V 60u U U A ∆-===- 4.18 CC BE REF 1260.7mA 1.1 mA 4.70.051V U I R R --===++2C2REF 32C3REF 451 m m 50051 m m 200R I I R R I I R ≈=⨯1.1A =0.11A ≈=⨯1.1A =0.28 A4.19 如表题解4.19所示。
续表4.20 理想运放的主要特点:开环差模电压放大倍数o u A →∞;输入阻抗R id →∞;输出阻抗o 0R →;共模抑制比CMR K →∞;带宽BW →∞;转换速率R S →∞;失调电压、失调电流及温漂均为零。
由于实际运放的技术指标与理想运放的技术指标比较接近。
在分析运放组成的电路时,用理想运放代替实际运放使分析计算大大简化,而带来的误差并不大,在工程计算中是完全允许的。
但是若需要对运算结果专门进行误差分析时,则必须考虑实际运放的运放参数。
因运算精度直接与实际运放的技术指标有关。
4.21 理想运放工作在线性区的特点:u +=u –,i +=i –=0。
理想运放工作在非线性区时的特点:当+u u ->,u o = –U om ,当+u u -<时,U o = +U om ,且i +=i –=0。
其中U om 是运放正向或反向的最 大值。
模拟电子技术基础习题及答案

模拟电子技术基础习题答案电子技术课程组2016.9.15目录第1 章习题及答案 (1)第2 章习题及答案 (14)第3 章习题及答案 (36)第4 章习题及答案 (45)第5 章习题及答案 (55)第6 章习题及答案 (70)第7 章习题及答案 (86)第8 章习题及答案 (104)第9 章习题及答案 (117)第10 章习题及答案 (133)模拟电子技术试卷1 (146)模拟电子技术试卷2 (152)模拟电子技术试卷3 (158)第 1 章习题及答案1.1 选择合适答案填入空内。
(1)在本征半导体中加入元素可形成N 型半导体,加入元素可形成P 型半导体。
A. 五价B. 四价C. 三价(2)PN 结加正向电压时,空间电荷区将。
A. 变窄B. 基本不变C. 变宽(3)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将。
A. 增大B. 不变C. 减小(4)稳压管的稳压区是其工作在。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿解:(1)A、C (2)A (3)A (4)C写出图P1.2.1 所示各电路的输出电压值,设二极管是理想的。
(1)(2)(3)图P1.2.1解:(1)二极管导通U O1=2V (2)二极管截止U O2=2V (3)二极管导通U O3=2V 写出图P1.2.2 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
(1)(2)(3)图P1.2.2解:(1)二极管截止U O1=0V (2)二极管导通U O2=-1.3V (3)二极管截止U O3=-2V 电路如P1.3.1 图所示,设二极管采用恒压降模型且正向压降为0.7V,试判断下图中各二极管是否导通,并求出电路的输出电压U o。
图P1.3.1解:二极管D1截止,D2导通,U O=-2.3V电路如图P1.3.2 所示,已知u i=10sinωt(v),试画出u i与u O的波形。
设二极管正向导通电压可忽略不计。
图P1.3.2解:当u i>0V 时,D 导通,u o =u i;当u i≤0V 时,D 截止,u o=0V。
模拟电子技术基础(高等教育出版社 第四版) 5.1-5.3概述 晶体管场效应管高频等效电路

g mU b'e 1 U b'e [ j (C π Cμ )] rb'e
g m rb'e 0 1 jrb'e (C π Cμ ) 1 j f f
短路
1 f 2 π rb'e (C π Cμ )
电流放大倍数的频率特性曲线
0 f 1 ( )2 0 f f 1 j f f tg-1 f
U U b'e U ce I Cμ (1 k ) b'e X Cμ X Cμ
U ce ' k g m RL U b'e
等效变换后电流不变
X C 'μ
' μ
X Cμ U b'e ' I Cμ 1 g m RL
' C (1 k )Cμ (1 g m RL )Cμ
f f 时, 0 , 0;
o
f f 时, 0 0.707 0 , -45; 2 f f f 时, 0;f 时, 0 , -90 f
电流放大倍数的波特图: 采用对数坐标系
同理可得,C
'' μ
k 1
Cμ
k
晶体管简化的高频等效模型
' C C C C Cμ' , ' 且Cμ' 容抗 RL ' 忽略 Cμ'的作用
求模型中的参数:
0 I b g mU b'e g m I b rb'e gm
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第5章负反馈放大电路
解答:
5.1 直流交流
5.2 直流交流
5.3 串联并联
5.4 c
5.5 c
5.6(×)
5.7(√)
5.8(√)
5.9(×)
5.10解答:
将放大电路的输出量(电压或电流)的一部分或全部,通过一定的电路(反馈网络),再送回到输入回路,这一过程称反馈。
反馈的结果使净输入信号减少,引起放大倍数和输出量减小的称为负反馈。
直流负反馈可以稳定电路的静态工作点,交流负反馈能够改善放大电路的
性能;提高放大倍数的稳定性、减小非线性失真和抑制干扰、扩展频带以及改变输入电阻和输出电阻,故一般放大电路都要引入负反馈。
5.11解答:
5.12解答:
表题5.12反馈类型判断
续表
5.13解答:
(a) 属于电流串联负反馈,u id =0, u I =u f
A u f =
O O O L O I f 2
2
L
u u u R u u u R R R === (d) 属于电流串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O 2L
u
R R -
A u f =O O O L O I f 2
2
L
u u u R u u u R R R ===--
(g) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i R 2=O 2
u
R -
A u f =O O
I I 1if ()u u u i R R =+, 因R if →0
故 A u f =O O O 2O I 1f 11
1
2
u u u R
u i R i R R R R ===--
(i) 属于电压串联负反馈,u Id =0, u I =u f =O e1f1e1u R
R R +
A u f =O O f1i f e1
1u u R u u R ==+
5.14解答:
(e) 属于电压并联负反馈,i Id =0, i I =i f
O O O O 6f O i i 1f 11
1
6
u u u u u R A u u i R i R R R R =====--
(h) 属于电流串联负反馈,u I =u f , u f =c3e3e1e1f 2e3
I R R
R R R ++
A u f =O c3c3e1
f2e3c3
c3e3e1i e3e1e1f 2e3
()u I R R R R R I R R u R R R R R -++==-++
5.15解答:
(g) if
1if R R R '=+, 因为是并联负反馈if 0R →,故放大电路的输入阻抗if 1R R '=。
又因电压负反馈,电路的输出电阻of
0R '→。
(i) 电路属于电压串联负反馈,串联负反馈的if R →∞,但反馈环外有电阻R b //R f2与if
R '并联,故
if
b f2if b f2(//)////R R R R R R '== 而电路输出电阻of
0R '→。
5.16解答:
图5.1.5电路属于电压串联负反馈,反馈电压u f =O b2f b2+u R R R ,而反馈系数b2f O f b2
+R u
F u R R ==,
故
A u f =
f b2f b2b2
11R R R
F R R +==+
5.17解答: 已知A u f =80, f f d 1%u u A A ≤, d 20%u u
A A =, 根据f f d d 1
1u u u u u u A A A A F A =+ , 则1+A u F u =20, 又因A u f =
1u
u u
A A F +, 故得A u =1 600, F u = (20–1)/1 600=0.011 9。
5.18解答:
(1) 引入电压串联负反馈连接方式:ac, bd, jf, hi
(2) 引入电压并联负反馈连接方式:ad, bc, jf, hi
(3) 引入电流串联负反馈连接方式:ad, bc, je, gi
(4) 引入电流并联负反馈连接方式:
ac, bd, je, gi。