电子封装结构与工艺(1)
电力电子器件封装工艺流程
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在进行电力电子器件封装之前，需要做好充分的准备。
各种电子封装工艺技术
电子封装由于结构和工艺复杂，并直接影响到的使用性能和寿命，一直是近年来的研究热点，特别是白光电子封装更是研究热点中的热点。
电子封装的功能主要包括：1.机械保护，以提高可靠性；2.加强散热，以降低芯片结温，提高性能；3.光学控制，提高出光效率，优化光束分布；4.供电管理，包括交流/直流转变，以及电源控制等。
电子封装方法、材料、结构和工艺的选择主要由芯片结构、光电/机械特性、具体应用和成本等因素决定。
经过40多年的发展，LED电子封装先后经历了支架式(Lamp LED)、贴片式(SMD LED)、功率型LED(Power LED)等发展阶段。
随着芯片功率的增大，特别是固态照明技术发展的需求，对电子封装的光学、热学、电学和机械结构等提出了新的、更高的要求。
为了有效地降低电子封装热阻，提高出光效率，必须采用全新的技术思路来进行电子封装设计。
二、电子封装关键技术电子封装主要涉及光、热、电、结构与工艺等方面，如图1所示。
这些因素彼此既相互独立，又相互影响。
其中，光是LED 电子封装的目的，热是关键，电、结构与工艺是手段，而性能是电子封装水平的具体体现。
从工艺兼容性及降低生产成本而言，电子封装设计应与芯片设计同时进行，即芯片设计时就应该考虑到电子封装结构和工艺。
否则，等芯片制造完成后，可能由于电子封装的需要对芯片结构进行调整，从而延长了电子产品研发周期和工艺成本，有时甚至不可能。
具体而言，电子封装的关键技术包括：（一）低热阻电子封装工艺对于现有的光效水平而言，由于输入电能的80％左右转变成为热量，且芯片面积小，因此，芯片散热是电子封装必须解决的关键问题。
主要包括芯片布置、电子封装材料选择（基板材料、热界面材料）与工艺、热沉设计等。
电子封装热阻主要包括材料（散热基板和热沉结构）内部热阻和界面热阻。
散热基板的作用就是吸收芯片产生的热量，并传导到热沉上，实现与外界的热交换。
常用的散热基板材料包括硅、金属（如铝，铜）、陶瓷（如，AlN，SiC）和复合材料等。
封装工艺流程(1)
焊区与微电子封装的I/O引线或基板上的金属
布线焊区（Pad）用金属细丝连接起来的工
艺技术。
WB技术作用机理
❖
提供能量破坏被焊表面的氧化层和污染物，
使焊区金属产生塑性变形，使得引线与被焊
面紧密接触，达到原子间引力范围并导致界
面间原子扩散而形成焊合点。引线键合键合
❖ 铜：近年来，大量用于集成电路互连。铜比
铝有较高的导电率；铜丝相对于金丝具有成
本低、强度和刚度高、适合于细间距键合的
优点。
❖
引线键合的关键工艺
❖
❖
关键工艺：温度控制、精确定位控制、工作
参数设定。
应用对象：低密度连线封装（＜300个接点）
引线键合的技术缺陷
1.
2.
3.
多根引线并联产生邻近效应，导致电流分布
对芯片的影响，同时还可以屏蔽电磁干扰。
③各向异性导电聚合物:电流只能在一个方向流动。
❖ 导电胶功能：（形成化学结合、具有导电功能）
❖
2.3.4 玻璃胶粘贴法
与导电胶类似，玻璃胶也属于厚膜导体材料（后面
我们将介绍）。不过起粘接作用的是低温玻璃粉。它
是起导电作用的金属粉（Ag、Ag-Pd、Au、Cu等）
出现废品。
Chipping Die
崩边
2.3 芯片粘贴
芯片贴装：也称芯片粘贴，是将芯片固定
于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工
艺过程。
贴装方式4种：
❖ 共晶粘贴法（Au-Si合金）
❖ 焊接粘贴法（Pb-Sn合金焊接）
❖ 环氧树脂粘结（重点）
❖ 玻璃胶粘贴法
引线框架
装
架
引线
第二章-电子封装的基本工艺-PDF全
点面积大，无方向性，可自动化焊接。
三种引线键合的焊接拉力比较
热压焊：<0.05N/点 超声焊：>0.1N/点（Al丝, 40µm） 热超声焊：0.07-0.09N/点（Au丝, 25µm）
引线键合可能产生的失效
脱焊(lift-off)：原因是焊盘上存在有机沾污或是 表面氧化层太厚 疲劳断裂(fatigue break)：原因是生成金属间化 合物，使接触电阻增大。金属间化合物形成的同 时，在焊接点产生空洞，在热冲击、温度循环过 程中，空洞越来越大，导致焊点断裂。 （金属间化合物的生成是二种金属键合的关键， 金属间化合物的剪切强度比纯金和纯铝高。）
TAB的应用
主要应用在低成本，大规模生产的电子产品。
TAB的引线在九十年代： 200—300根，内引线间距50—80um，外引线
间距<0.3mm 2000年：达到800—1000根引线
2.2.3 倒装焊
倒装焊（FCB）是芯片面朝下，芯片焊区直接与基板 焊区直接互连的一种方法。
优点： • 互连线短，互连电容、电阻、电感小，适合高频高速器件； • 占基板的面积小，安装密度高； • 芯片焊区可面分布，适合高I/O器件； • 芯片安装和互连可以同时进行，工艺简单、快速，适合
1.热压焊：
利用加热和加压力使金属丝与Al或Au金属焊区压焊在一 起。 原理:使焊区金属塑性形变，破坏压焊界面氧化层，使金属 丝和焊区金属接触面产生原子间吸引力，达到键合的目的。 此外，界面上、下金属在加热加压下相互镶嵌。 焊接压力：0.5-1.5N/点 焊头温度：150℃ 芯片温度：>200℃ 缺点：高温：氧化，生成金属间化合物；
第二章 电子封装的基本工艺
晶圆级封装(WLP)方案(一)
晶圆级封装（WLP）方案一、实施背景随着微电子产业的快速发展，封装技术正面临着严峻的挑战。
传统的封装技术由于尺寸大、电性能和热性能较差等问题，已经难以满足高性能集成电路的封装需求。
而晶圆级封装（WLP）技术的出现，为产业结构的改革提供了新的解决方案。
二、工作原理晶圆级封装（WLP）是一种将集成电路直接封装在晶圆片上的技术。
它通过在晶圆片上制造出多个集成电路，然后通过切割和封装，将这些集成电路分别封装在独立的封装体中。
具体来说，WLP技术首先在晶圆片上制造出多个集成电路，这些集成电路可以是数字电路、模拟电路、混合信号电路等。
然后，使用切割机将晶圆片切割成单个集成电路，再将这些集成电路分别封装在独立的封装体中。
三、实施计划步骤1.设备采购：需要采购制造集成电路所需的设备，如光刻机、刻蚀机、薄膜沉积设备等。
2.工艺研发：需要研发适合WLP技术的制造工艺，包括光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜沉积工艺等。
3.样品制作：在研发阶段，需要制作样品以验证工艺的可行性。
4.测试与验证：对制作的样品进行测试和验证，确保其性能符合要求。
5.批量生产：当样品测试通过后，可以开始批量生产。
四、适用范围WLP技术适用于各种高性能集成电路的封装，如CPU、GPU、FPGA等。
它具有以下优点：1.体积小：由于WLP技术将集成电路直接封装在晶圆片上，因此可以大大减小封装体积。
2.电性能和热性能优异：WLP技术可以提供更好的电性能和热性能，从而提高集成电路的性能和可靠性。
3.制造成本低：由于WLP技术可以在晶圆片上制造多个集成电路，因此可以分摊制造成本，降低单个集成电路的制造成本。
4.可扩展性强：WLP技术可以轻松扩展到更大的晶圆尺寸和更高的产量。
五、创新要点1.制造工艺的创新：WLP技术需要研发适合其特点的制造工艺，包括光刻工艺、刻蚀工艺、薄膜沉积工艺等。
2.封装技术的创新：WLP技术需要开发新的封装技术，以实现集成电路的高性能、小型化和可靠性。
微电子封装技术作业(一)
第一次作业1 写出下列缩写的英文全称和中文名称DIP: Double In-line Package, 双列直插式组装BGA: ball grid array, 球状矩阵排列QFP: Quad flat Pack, 四方扁平排列WLP: Wafer Level Package, 晶圆级封装CSP: Chip Scale Package, 芯片级封装LGA: Land grid array, 焊盘网格阵列PLCC: Plastic Leaded Chip Carrier, 塑料芯片载体SOP: Standard Operation Procedure, 标准操作程序PGA: pin grid array, 引脚阵列封装MCM: multiple chip module, 多片模块SIP: System in a Package, 系统封装COB: Chip on Board, 板上芯片DCA: Direct Chip Attach, 芯片直接贴装，同COBMEMS: Micro-electromechanical Systems, 微电子机械系统2 简述芯片封装实现的四种主要功能，除此之外LED封装功能。
芯片功能（1）信号分配;(2)电源分配；（3）热耗散：使结温处于控制范围之内；（4）防护：对器件的芯片和互连进行机械、电磁、化学等方面的防护LED器件（2）LED器件：光转化、取光和一次配光。
3 微电子封装技术的划分层次和各层次得到的相应封装产品类别。
微电子封装技术的技术层次第一层次：零级封装-芯片互连级（CLP）第二层次：一级封装SCM 与MCM（Single/Multi Chip Module）第三层次：二级封装组装成SubsystemCOB（Chip on Board）和元器件安装在基板上第三层次：三级微电子封装，电子整机系统构建相对应的产品如图（1）所示：图1 各个封装层次对应的产品4 从芯片和系统角度简述微电子技术发展对封装的要求（1）对于单一的芯片，片上集成的功能比较少时，对封装技术要求不太高，但是在芯片上集成系统时（SOC），随着尺寸的减小，将模拟、射频和数字功能整合到一起的难度随之增大，这样在封装工艺上难度会加大，比如，SOC芯片上包含有MEMS或者其他新型的器件，即使解决了在芯片上制作的工艺兼容问题，还将面临封装的难题。
1第一讲 电子封装
从半导体 芯片到50 微米的工 程领域为 实装工程 将封装体 连接于基 板之上 四个层次构 成了电子封 装工程
电子封装工程的定义
电子封装工程的各个方面： 随半导体大规模集成电路技 术的进展及电子机器设备向 轻量、小型、多功能等方向 的发展，对电子封装工程提 出越来越高的要求。例如， 超高性能化、薄型小型化、 多端子引线、高频、大功耗 以及高可靠性等等。这意味 着电子封装工程所涉卫的科 学技术颂域越来越多，范围 越来越广，问题的难度也越 来越大。
电子封装工程的定义－狭义的封装
狭义的封装 在后工程中完成 利用膜技术及微细连接技术，将半导体元器件 及其它构成要素在框架或基板上布置、固定及 连接，引出接线端子，并通过可塑性绝缘介质 灌封固定，构成整体立体结构的工艺。 前图所示的封装工程是指将封装体与基板连接 固定，装配成完整的系统或电子机器设备，以 确保整个系统综合性能的工程。
第一章 电子封装技术概述
1、电子封装工程的定义及范围 1.1 定义 1.2 范围 1.3 功能 1.4 分类 2、技术课题 2.1 信号的高速传输 2.2 高效率冷却 2.3 高密度化 2.4 防止电磁波干扰技术
第一章 电子封装技术概述
3、从电子封装技术到电子封装工程 3.1 电子封装技术的体系和范围 3.2 电子封装工程的主要课题 3.3 电子封装材料 3.4 电子封装发展的国内外现状
MCM技术是电子封装的发展趋势
电子封装工程的范围－层次划分
3层次 指构成板或卡的装配工序，将多数个完成层次 2的单芯片封装和MCM，实装在PCB板等多层 基板上，基板周边设有插接端子，用于与母板 及其它板或卡的电气连接。 4层次 称为单元组装。将多个完成层次3的板或卡， 通过其上的插接端子，措载在称为母板的大型 PCB板上，构成单元组件。
微电子封装工艺流程
微电子封装工艺流程微电子封装工艺是指将微电子器件封装起来，以保护器件内部结构并方便与外部电路连接交互的工艺流程。
下面是一个简要的微电子封装工艺流程。
首先，需要准备好封装基板。
封装基板通常由高热传导性材料制成，例如陶瓷或金属，以确保器件在工作时能够迅速散热。
基板需要经过清洗和表面处理，以便后续工艺步骤的顺利进行。
接下来是芯片粘接。
将芯片粘接到基板上是封装过程中的重要一步。
通常采用粘合剂将芯片固定在基板上。
粘接剂需要具有良好的粘附力和导热性能，以确保芯片与基板之间能够有效传递热量。
接着是线缆连接。
线缆连接是将芯片内部的电连接到外部电路的关键步骤。
常用的线缆连接方式有焊接和微焊接。
焊接是通过加热导线和焊盘使其相互熔接，形成可靠的电连接。
微焊接则是采用微小尺寸的焊盘和导线进行连接，以满足封装器件的小尺寸要求。
紧接着是封装密封。
为了保护器件内部结构免受外部环境的侵蚀和损坏，需要对器件进行密封。
常用的密封方式有环氧树脂封装和金属封装。
环氧树脂封装将芯片包裹在保护层中，形成一个紧密的密封结构，以防止封装器件受到潮湿、灰尘等外部因素的影响。
金属封装则是利用金属外壳将芯片封装起来，提供更高的机械保护和散热性能。
最后是封装测试。
在封装完成后，需要对封装器件进行功能性测试和可靠性测试，以确保器件的性能和质量。
功能性测试包括电性能测试和信号测试，可靠性测试则是针对器件在不同环境和工作条件下的长期稳定性进行测试。
综上所述，微电子封装工艺流程包括准备封装基板、芯片粘接、线缆连接、封装密封和封装测试等步骤。
这些步骤都需要严格的操作和控制，以确保封装器件的质量和可靠性。
随着技术的不断进步，微电子封装工艺也在不断演进，逐渐实现更小尺寸、更高性能和更可靠的封装方案。
第二章 微电子封装概论(1)
第二步：将晶圆分布 图数字化，并将失效 芯片用红色标注，如 左图所示。
缺陷图样分析第二步
电子科学与技术系
Department of Electronic Science and technology
第三步：使用不同颜 色标注不同缺陷团簇， 如左图所示。 最后再通过与数据 库比对，完成缺陷图 样的分类。
2.2.1 零级封装技术（芯片互连级）
1.零级封装
零级封装是指半导体基片上的集成电路元件、器 件、线路；更确切地应该叫未加封装的裸芯片。 如果硬要说它是封装，是指圆片的切割到没有外 壳封装的集成电路的芯片，是由半导体厂商来完成 的，这种芯片可分为系列标准芯片和特殊用途的专 用芯片两种。 系统用户可从半导体厂家以这种裸芯片形式进货， 进行封装，经测试确保芯片质量合格后销售。
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2.1.2 微电子封装的功能
微电子封装有5个功能如下：
1.电源分配： 微电子封装首先要通过电源使芯片电路能流通电流，但不 同部件所需的电源不同，要合理分配不同部件的电源，避免 器件被烧坏和不必要的电源损耗，这一点尤为重要。 2.信号分配： 为使电信号延迟尽可能减小，布线时应尽可能地使信号线 与芯片的互连路径，以及通过封装的 I/O引出路径达到最短。 对于高频信号，还应考虑信号的串扰，需进行合理的信号线 布线和地线布线。 3.机械支撑： 为芯片和其他部件提供牢固可靠的机械支撑，要能适应各 种工作环境和条件的变化。
缺陷图样分析第三步
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2.贴膜 （Tape Attaching）
led封装工艺以及各站工艺作用
烘烤固化
点胶入碗杯内
点胶站
万分位精密 电子称
MUSASHI 搅拌机
远方排测机
所需物料：AB胶水；荧光粉
远方积分球测试仪
点胶站
防潮柜
（1）点胶目的：做为被动发光的荧光粉和芯片一起作 用，生成白光；
（2）AB胶水烘烤后变成固体，有韧性，起保护芯片，金 线的作用，同时也防止外界气体进入对内部材料的老化
Single Bond 二 焊侧面
BBOS 二焊侧面
BSOB 二焊侧面
管制要点
焊线外观 金线拉力 金球推力 线弧高度
Lamp-LED封装
峰端 线颈/NecBk /Peak
金线/Wire C
金球 /BAall
焊垫/Bond Pad
晶片/Die
支架/ L/F
线颈/Neck D
魚尾 /StEitch
支架/ L/F
W=R+C=G+M=B+Y
LED封装目的
- 保护内部线路(晶片、金线)
- 连接外部线路 - 提供焊点 - 提供散热途径
ESD
__ _
IC Chip
Humidity
1.直插式
LED封装形式
□ Lamp-LED 2.贴片型(SMD)（协源）
□ Chip-LED
□ TOP-LED
□ Side-LED 3.功率型
项目
金线拉力 Wire pull
金球推力 Ball shear
线径
0.9mil 1.0mil 1.2mil 0.9mil 1.0mil 1.2mil
规格
≥5g ≥6g ≥8g ≥25g ≥30g ≥40g
可接受之 破坏模式 B、C、D
微电子封装工艺流程
微电子封装工艺流程
《微电子封装工艺流程》
微电子封装是指将芯片封装成能够在特定环境下正常工作的封装件，是整个微电子产业链中的重要环节。
微电子封装工艺流程涉及到多个环节，包括封装设计、封装材料选取、封装工艺流程和封装设备等。
首先，封装设计是微电子封装工艺流程的第一步，它涉及到封装形式的选择、封装结构的设计以及封装布线等。
设计的好坏直接影响到封装件的性能和可靠性。
其次，封装材料的选取也是封装工艺流程中关键的一环。
封装材料应具有良好的导热性、电绝缘性、化学稳定性和机械强度，以确保封装件在工作环境下的可靠性和稳定性。
封装工艺流程是微电子封装的核心环节，包括芯片粘合、导线连接、封装材料注射、固化和切割等多个步骤。
这些步骤需要严格控制工艺参数，以确保封装件的质量和性能。
最后，封装设备也是微电子封装工艺流程中至关重要的一部分。
现代化的封装设备能够提高生产效率和封装件的一致性，从而降低生产成本和提高产品质量。
总之，微电子封装工艺流程是一个复杂而严谨的工程，它的每一个环节都需要精密的设计和严格的控制，以确保封装件具有良好的性能和可靠性。
随着微电子技术的不断发展，封装工艺
流程也在不断演进和改进，为微电子产业的发展提供了坚实的保障。
mosfet封装工艺流程(一)
mosfet封装工艺流程(一)MOSFET封装工艺介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种重要的电子元件，广泛应用于各种电路中。
在生产中，封装工艺起到将MOSFET芯片封装成实际可用的器件的作用。
本文将介绍MOSFET封装工艺的各个流程。
1. 设计封装参数在MOSFET封装工艺中，首先需要进行封装参数的设计。
这包括选择适当的封装类型和尺寸，确定引脚排列和材料选择等。
封装参数的设计决定了器件的外观、性能和可靠性。
2. 器件封装在器件封装过程中，首先将MOSFET芯片粘连到封装基底上。
然后，使用焊接技术将芯片与引脚连接起来，以实现电气连接和机械强度。
这一步骤通常使用焊线或球（Wire Bonding or Ball Bonding）技术完成。
3. 导电胶连接导电胶连接是封装工艺中的关键步骤之一。
通过将导电胶覆盖在芯片和引脚之间，实现芯片与引脚之间的电气连接。
导电胶连接要求精准的控制和高品质的材料，以确保良好的电气性能和可靠性。
4. 封装密封封装密封是为了保护MOSFET芯片和引脚不受环境中的尘埃、湿气等污染物的侵害，提高器件的可靠性。
封装密封的常用材料包括环氧树脂、硅胶等。
5. 引脚整形引脚整形是将封装好的MOSFET器件的引脚进行整形和修剪，以满足各种应用的需求。
引脚整形可通过机械方式（例如剪切），也可通过热力方式（例如焊接）完成。
6. 器件测试最后，进行器件测试以确保封装完好的MOSFET器件的性能符合设计要求。
器件测试包括电性能测试、可靠性测试等，以验证封装质量和器件性能，为产品交付客户前的出货前测试。
结论MOSFET封装工艺是将MOSFET芯片封装成实际可用器件的关键步骤。
通过设计封装参数、实施器件封装、导电胶连接、封装密封、引脚整形和器件测试等流程，可以确保封装好的MOSFET器件具有良好的性能和可靠性，满足各种应用的需求。
以上是MOSFET封装工艺的详细流程介绍，希望本文能对读者对MOSFET封装工艺有所了解和认识。
电子封装、微机电与微系统第四章 封装工艺
1
4.2 厚 膜 技 术
厚膜材料是有机介质掺入微细金属粉、玻璃粉或陶瓷 粉末的混合物，通过丝网印刷工艺，印制到绝缘基板上。 无机相金属粉可确定厚膜成分：
● 金属或金属合金组成无机相导体； ● 金属合金或钌(Ruthenium)系化合物组成厚膜电阻； ● 玻璃或玻璃陶瓷无机相组成多层介质、密封剂或高介 电常数的电容层。
第四章 封 装 工 艺
1
图4-12 寄生电容
第四章 封 装 工 艺
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4.8 倒装芯片技术
倒装芯片技术(Flip Chip Technology，FCT)是1960年首 先由IBM公司设计并开发研制出来的，但一直到近几年才 开 始应用于高速、单芯片微处理器或微电子集成芯片。倒装芯 片技术应用于少数功率器件，则是在最近的时间内。
第四章 封 装 工 艺
1
3. 孔内电连通 斜孔深度一般有几百微米，要在其侧壁上形成电通路， 通常可采用溅射、蒸发、电镀等方法。直孔电连通的常用 方法有低温化学淀积、熔融金属淀积、电镀等。
第四章 封 装 工 艺
1
4. 重布线 通孔内金属层制作完毕后，可以采用类似于集成电路
的再分布技术对键合好的圆片表面进行重新布线。
第四章 封 装 工 艺
1
2) 保温段 保温段是指温度从120℃～150℃升至焊膏熔点的区域， 其主要目的是使PCB上各元器件的温度趋于稳定，尽量减 少 温差。应保证足够的时间，使较大元器件的上升温度同 较 小元器件上升温度同步，保证焊膏中的助焊剂得到充分 挥 发。
第四章 封 装 工 艺
1
3) 回流段 在回流区域里，加热温度最高，元器件的温度快速上 升至峰值温度。在回流阶段，不同的焊膏，焊接峰值温度 不同，一般为焊膏的熔点温度加20℃～40℃。对于熔点为 183℃的Sn63Pb37焊膏和熔点为179℃的Sn62Pb36Ag2焊膏， 峰值温度一般为210℃～230℃。回流时间不要过长，以防 对PCB及元器件造成不良影响。理想的温度曲线是超过焊 锡熔点“尖端区”覆盖的面积最小。
电子产品制造工艺(3篇)
第1篇随着科技的飞速发展，电子产品已经成为我们生活中不可或缺的一部分。
从智能手机到智能穿戴设备，从家用电器到工业控制系统，电子产品在各个领域都发挥着重要作用。
而电子产品的制造工艺，则是保证其质量、性能和可靠性的关键。
本文将详细介绍电子产品制造工艺的各个环节。
一、设计阶段1. 原型设计在设计阶段，首先需要根据产品功能、性能、成本等因素，确定产品的基本结构。
设计师会运用CAD（计算机辅助设计）软件进行电路板布局、元件选择、电路设计等，制作出产品原型。
2. 仿真验证在原型设计完成后，通过仿真软件对电路进行模拟，验证电路的稳定性和性能。
仿真验证包括电路仿真、电磁场仿真、热仿真等，以确保产品在实际应用中能够满足设计要求。
3. 设计优化根据仿真结果，对电路进行优化，提高产品的性能和可靠性。
设计优化包括电路简化、元件选择、电路布局优化等。
二、生产阶段1. 元件采购根据设计要求，采购所需的电子元件，包括电阻、电容、二极管、晶体管、集成电路等。
在采购过程中，要确保元件的质量和性能符合标准。
2. 元件加工对采购的元件进行加工，包括切割、打孔、焊接等。
加工过程中，要保证元件的精度和一致性。
3. 贴片加工将加工好的元件贴附到电路板上，包括表面贴装（SMT）和手工焊接。
贴片加工是电子产品制造中的关键环节，直接影响到产品的质量和可靠性。
4. 焊接工艺焊接是连接电路板上的元件的关键工艺，包括手工焊接和机器焊接。
焊接过程中，要保证焊接点的可靠性、稳定性和美观性。
5. 组装与调试将贴片加工好的电路板组装成产品，并进行调试。
调试过程包括功能测试、性能测试、稳定性测试等，确保产品符合设计要求。
三、品质控制1. 进料检验在元件采购和加工过程中，对进料进行检验，确保元件的质量和性能符合标准。
2. 过程检验在生产过程中，对关键工艺环节进行检验，如焊接、组装等，确保产品质量。
3. 出厂检验产品组装完成后，进行全面的出厂检验，包括外观检查、功能测试、性能测试等，确保产品符合标准。
芯片封装详细图解
SMT SMT
芯片封装详细图解
Logo
IC Package （IC的封装形式）
• 按封装外型可分为： SOT 、QFN 、SOIC、TSSOP、QFP、BGA、CSP等；
封装形式和工艺逐步高级和复杂
• 决定封装形式的两个关键因素: ➢ 封装效率。芯片面积/封装面积，尽量接近1:1； ➢ 引脚数。引脚数越多，越高级，但是工艺难度也相应增加；
EOL
Annealing 电镀退火
Trim/Form 切筋/成型
Molding 注塑
Laser Mark 激光打字
De-flash/ Plating 去溢料/电镀
PMC 高温固化
4th Optical 第四道光检
Note： Just For TSSOP/SOIC/QFP package
芯片封装详细图解
Die Attach 芯片粘接
Back Grinding
磨片
Wafer Wash 晶圆清洗
Epoxy Cure 银浆固化
EOL
Wafer Mount 晶圆安装
Wafer Saw 晶圆切割
Wire Bond 引线焊接
3rd Optical 第三道光检
芯片封装详细图解
Logo
FOL– Back Grinding背面减薄
Die Attach 芯片粘接
Epoxy Cure 银浆固化
Epoxy Storage： 零下50度存放；
Epoxy Aging： 使用之前回温，除 去气泡；
Epoxy Writing： 点银浆于L/F的Pad 上，Pattern可选；
芯片封装详细图解
Logo
FOL– Die Attach 芯片粘接
电子元件封装大全及封装常识
电子元件封装大全及封装常识一、什么叫封装封装，就是指把硅片上的电路管脚,用导线接引到外部接头处,以便与其它器件连接.封装形式是指安装半导体集成电路芯片用的外壳。
它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。
因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。
另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。
由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
衡量一个芯片封装技术先进与否的重要指标是芯片面积与封装面积之比，这个比值越接近1越好。
封装时主要考虑的因素：1、芯片面积与封装面积之比为提高封装效率，尽量接近1：1；2、引脚要尽量短以减少延迟，引脚间的距离尽量远，以保证互不干扰，提高性能；3、基于散热的要求，封装越薄越好。
封装主要分为DIP双列直插和SMD贴片封装两种。
从结构方面，封装经历了最早期的晶体管TO（如TO-89、TO92）封装发展到了双列直插封装，随后由PHILIP公司开发出了SOP小外型封装，以后逐渐派生出SOJ（J型引脚小外形封装）、TSOP（薄小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SSOP（缩小型SOP）、TSSOP（薄的缩小型SOP）及SOT（小外形晶体管）、SOIC（小外形集成电路）等。
从材料介质方面，包括金属、陶瓷、塑料、塑料，目前很多高强度工作条件需求的电路如军工和宇航级别仍有大量的金属封装。
封装大致经过了如下发展进程：1.结构方面：TO－>DIP－>PLCC－>QFP－>BGA －>CSP；2.材料方面：金属、陶瓷－>陶瓷、塑料－>塑料；3.引脚形状：长引线直插－>短引线或无引线贴装－>球状凸点；4.装配方式：通孔插装－>表面组装－>直接安装二、具体的封装形式1、 SOP/SOIC封装SOP是英文Small Outline Package 的缩写，即小外形封装。
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电子封装结构与工艺
1.电子封装的定义：
电子封装就是安装集成电路内置芯片外用的管壳，起着安放固定密封，保护集成电路内置芯片，增强环境适应的能力，并且集成电路芯片上的铆点也就是接点，是焊接到封装管壳的引脚上的。
2.电子封装功能：（1）电功能：传递芯片的电信号；
（2）机械化学保护功能：保护芯片与引线；
（3）散热功能：散发芯片内产生的热量；
（4）防潮；
（5）抗辐射；
（6）防电磁干扰；
3.电子封装的分类，分级:
(1)电子封装的分类：根据封装材料的不同，电子封装可分为塑料封装、陶瓷封装和金属封装三种。
(2)电子封装的分级：
1）零级封装：芯片的连接，即芯片互连级。
2）一级封装：用封装外壳将芯片封装成单芯片组件和多芯片组件；3）二级封装：将一级封装和其他组件一同组装到印刷电路板（或其他基板）上；
4）三级封装：将二级封装插装到母板上。
4.电子封装发展的驱动力：
随着电子技术的飞速发展，封装的小型化和组装的高密度化以
及各种新型封装技术的不断涌现，对电子组装质量的要求也越来越高。
所以电子封装的新型产业也出现了，叫电子封装测试行业。
可对不可见焊点进行检测。
还可对检测结果进行定性分析，及早发现故障。
现今在电子封装测试行业中一般常用的有人工目检，在线测试，功能测试，自动光学检测等，其人工目检相对来说有局限性，因为是用肉眼检查的方法，但是也是最简单的
5.再布线技术的概念，流程（工艺），作用。
1）概念：再布线技术就是在器件表面重新布置I/O 焊盘。
2）流程（工艺）
3）作用：再分布技术就是在器件表面重新布置I/O 焊盘。
传统芯片的焊盘设计通常为四周分布，以便进行引线键合，焊盘分布很难满足凸点制备的工艺要求，因此为了满足倒装工艺，需要进行焊盘再分布。
芯片焊盘设计为阵列分布，如果分布不合理或者使用的凸点制备工艺不同仍然不能满足倒装焊工艺时，可以通过焊盘再分布技术实现倒装。
6.凸点制作的方法：焊点制作可采用蒸发法、化学镀法、电镀法、置球法和和焊膏模板印制法等。
目前仍以电镀法用得较多, 其次是蒸发法（高铅）,再者为焊膏模板印制法。
但因焊膏模板印制法制作焊料凸点比较简便, 自动化程度较高, 成本也较低, 故该法将会被较多地采用。