5 激光等离子体
激光诱导等离子体光谱法
图1
2.实验
• 将无水NaCl化学纯、无水KCl化学纯、
无水MgSO4化学纯和无水FeCl3化学纯 与蒸馏水相混和,混合液中FeCl3的浓 度保持1%,改变NaCl、KCl、MgSO4的 浓度,分别倒入滴定管中进行测量。滴 定管固定在夹具上,水流表面位于透镜 焦点前,以防止空气被击穿,影响测量的 谱线强度.
图2
随时间变化,含有MgSO4, NaCl, KCl和FeCl3水溶液样 品的LIPS光谱
为了在同一窗口下获得高信噪比及空 间上可分辨的测量元素与参考元素的谱 线,所取的用于测量Mg、K和Na的谱线窗 口分别如图3、4、5所示。
• 图3为当混合液中含有2%的Mg、
0.5%Na、0.5%K和1%Fe时得到的 377.7~386.7nm范围的谱线,这里以Fe 的382.043nm谱线作为内标线,将Mg的 383.826nm谱线强度与之比较。
图6、7、8
• 分别为测得的Mg的浓度(CMg,浓度范围
0.05%~2%)与Fe的浓度(CFe)之比与它们 的谱线强度之比(I383.826/I382.043),K的 浓度(CK,浓度范围0.5%~2%)与Fe的浓度 (CFe)之比与它们的谱线强度之比 (I404.414/I406.399),Na的浓度(CNa,浓度 范围0.1%~1.5%)与Fe的浓度(CFe)之比与 它们的谱线强度之比 (I330.232+330.299/I329.813),每个数据是 10发平均结果。
FeCl3,并以Fe元素谱线作为定标线, 且水溶液中Mg、K、Na的浓度范围 分别为0.05%~2%、0.5%~2%、 0.1%~1.5%时,测得的Mg、K、Na 浓度与Fe的浓度之比与它们的谱线 强度之比呈很好的线性关系,线性 相关系数分别为0.99783、 0.99402、0.99267。
激光与等离子体相互作用的研究
激光与等离子体相互作用的研究激光技术近年来在众多领域中得到广泛应用,其中之一就是与等离子体相互作用。
等离子体是一种由电离的气体分子和自由电子组成的高度激发态物质,具有独特的物理性质。
激光与等离子体的相互作用不仅对于基础物理研究具有重要意义,还在激光制造、等离子体医学和聚变能源等方面有着广泛应用。
激光与等离子体相互作用的过程非常复杂。
首先,当激光束照射到等离子体上时,激光的能量被等离子体吸收,导致等离子体的电离程度增加。
这个过程被称为光电离。
激光的能量可以通过一个或多个电子吸收,从而使电子跃迁到更高的能级。
这些高能级的电子会激发等离子体中的其他粒子,形成一系列复杂的等离子体激发态。
其次,激光与等离子体相互作用还会产生等离子体动力学效应。
激光束照射到等离子体表面时,激光的能量可以引起等离子体的电子和离子流动,产生电场和磁场效应。
这些效应可以用来控制等离子体的运动和形态,从而实现等离子体加热、激发和控制。
另外,激光与等离子体相互作用还可以产生等离子体中的非线性效应。
非线性效应在强激光作用下显现出来,包括激光增益降低、激光穿透深度减小、激光波长变化等现象。
这些非线性效应对于激光与等离子体的相互作用机制有着重要影响。
激光与等离子体相互作用的研究不仅有理论意义,还有实际应用价值。
在激光制造领域,激光与等离子体相互作用可以用来进行材料加工和表面改性。
通过调节激光参数和等离子体性质,可以实现对材料的微观结构和性能的精确控制。
这种技术已经被广泛应用于电子元器件、光学器件和航空航天制造等领域。
此外,激光与等离子体相互作用还在等离子体医学中发挥重要作用。
激光可以用来治疗肿瘤、促进创伤愈合和改善皮肤状况。
激光照射到患者身体上的等离子体激发了一系列生物化学反应,从而达到治疗和修复的效果。
最后,在聚变能源领域,激光与等离子体的相互作用对于实现可控核聚变具有重要意义。
激光束可以用来加热和挤压等离子体,从而实现聚变反应的发生。
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展
激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展宗楠, 胡蔚敏, 王志敏, 王小军, 张申金, 薄勇, 彭钦军, 许祖彦引用本文:宗楠, 胡蔚敏, 王志敏, 王小军, 张申金, 薄勇, 彭钦军, 许祖彦. 激光等离子体13.5 nm极紫外光刻光源进展[J]. 中国光学, 2020, 13(1): 28-42. doi: 10.3788/CO.20201301.0028ZONG Nan, HU Wei-min, WANG Zhi-min, WANG Xiao-jun, ZHANG Shen-jin, BO Yong, PENG Qin-Jun, XU Zu-yan. Research progress on laser-produced plasma light source for 13.5 nm extreme ultraviolet lithography[J]. Chinese Optics, 2020, 13(1): 28-42. doi: 10.3788/CO.20201301.0028在线阅读 View online: https:///10.3788/CO.20201301.0028您可能感兴趣的其他文章Articles you may be interested in深紫外光刻光学薄膜Optical coatings for DUV Lithography中国光学. 2015(2): 169 https:///10.3788/CO.20150802.0169高功率皮秒紫外激光器新进展New progress in high-power picosecond ultraviolet laser中国光学. 2015(2): 182 https:///10.3788/CO.20150802.018210kW级直接输出半导体激光熔覆光源的研制与热效应分析10 kW CW diode laser cladding source and thermal effect中国光学. 2019, 12(4): 820 https:///10.3788/CO.20191204.0820大功率半导体激光合束进展Advance on high power diode laser coupling中国光学. 2015(4): 517 https:///10.3788/CO.20150804.0517陶瓷表面放电光泵浦源放电特性研究Discharge characteristics of optical pumping source by ceramic surface discharge中国光学. 2019, 12(6): 1321 https:///10.3788/CO.20191206.1321第13卷㊀第1期2020年2月㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀中国光学㊀㊀㊀㊀㊀㊀㊀ChineseOptics㊀㊀㊀㊀Vol.13㊀No.1㊀Feb.2020㊀㊀收稿日期:2019 ̄04 ̄11ꎻ修订日期:2019 ̄05 ̄14㊀㊀基金项目:国家重点研发项目(No.2016YFB0402103)ꎻ中科院关键技术团队项目(No.GJJSTD20180004)ꎻ国家重大科研装备研制项目(No.ZDYZ2012 ̄2)ꎻ国家重大科学仪器设备开发专项(No.2012YQ120048)ꎻ国家自然科学重点基金项目(No.61535013)ꎻ中科院理化所所长基金(No.Y8A9021H11)SupportedbyNationalKeyResearchandDevelopmentProjectofChina(No.2016YFB0402103)ꎻKeyTechnolo ̄gyTeamProjectofChineseAcademyofSciences(No.GJJSTD20180004)ꎻNationalMajorResearchandDevel ̄opmentProjectofChina(No.ZDYZ2012 ̄2)ꎻNationalMajorScientificInstrumentsandEquipmentDevelopmentProjectofChina(No.2012YQ120048)ꎻNationalNaturalScienceFoundationofChina(No.61535013)ꎻFundofTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciences(No.Y8A9021H11)文章编号㊀2095 ̄1531(2020)01 ̄0028 ̄15激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展宗㊀楠1ꎬ2∗ꎬ†ꎬ胡蔚敏1ꎬ3ꎬ†ꎬ王志敏1ꎬ王小军1ꎬ张申金2ꎬ薄㊀勇1ꎬ彭钦军1ꎬ2∗ꎬ许祖彦1ꎬ2(1.中国科学院固体激光重点实验室ꎬ中国科学院理化技术研究所ꎬ北京100190ꎻ2.中国科学院功能晶体与激光技术重点实验室ꎬ中国科学院理化技术研究所ꎬ北京100190ꎻ3.中国科学院大学ꎬ北京100049)†共同贡献作者摘要:半导体产业是高科技㊁信息化时代的支柱ꎮ光刻技术ꎬ作为半导体产业的核心技术之一ꎬ已成为世界各国科研人员的重点研究对象ꎮ本文综述了激光等离子体13.5nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况ꎬ重点介绍了其激光源㊁辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分ꎮ同时ꎬ指出了在提高激光等离子体13.5nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题ꎬ包括提高转换效率和减少光源碎屑ꎮ特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置ꎮ最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望ꎮ关㊀键㊀词:13.5nm极紫外光刻技术ꎻ激光等离子体ꎻ极紫外光源ꎻ转换效率ꎻ光源碎屑ꎻ预脉冲激光中图分类号:O432.1㊀㊀文献标识码:A㊀㊀doi:10.3788/CO.20201301.0028Researchprogressonlaser ̄producedplasmalightsourcefor13.5nmextremeultravioletlithographyZONGNan1ꎬ2∗ꎬ†ꎬHUWei ̄min1ꎬ3ꎬ†ꎬWANGZhi ̄min1ꎬWANGXiao ̄jun1ꎬZHANGShen ̄jin2ꎬBOYong1ꎬPENGQin ̄Jun1ꎬ2∗ꎬXUZu ̄yan1ꎬ2(1.KeyLabofSolidStateLasersꎬTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100190ꎬChinaꎻ2.KeyLabofFunctionalCrystalsandLaserTechnologyꎬTechnicalInstituteofPhysicsandChemistryꎬChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100190ꎬChinaꎻ3.UniversityofChineseAcademyofSciencesꎬBeijing100049ꎬChina)†Theseauthorscontributedequally∗CorrespondingauthorꎬE ̄mail:zongnan@mail.ipc.ac.cnꎬpengqinjun@163.comAbstract:Thesemiconductorindustryisthebackboneofthehigh ̄techandinformationage.Lithographytech ̄nologyꎬoneofthecoretechnologyofthesemiconductorindustryꎬhasbecomeakeyresearchsubjectalla ̄roundtheworld.Thisarticlemainlydiscussesthelightsourceof13.5nmExtremeUltravioletLithography(EUVL)byusingLaser ̄ProducedPlasma(LPP).Itmakesabriefintroductiontotheprinciplesbehindthistechnologyandthedevelopmenthistoryofthisfieldathomeandabroad.Theintroductionsincludethemateri ̄alsusedinthemultilayermirrorꎬandrationalefortheselectionofmaterialsꎬtheshapeanddesignofthetargetandthetypeoflaser.AtthesametimeꎬthisarticlepointsoutthatthemainproblemsfortheEUVLarelightdebrisreductionandtheconversionefficiencyimprovementofEUVlight.Thispaperalsogivesspecialanalysisofthelightsourceoutputdevicesof13.5nmEUVLmachinesproducedbyinternationalfamouscompa ̄nies GigaphotonofJapanandASMLoftheNetherlandsꎬwhichcangeneratemorethan100WlevelEUVpower.Finallyꎬthisarticlesummarizesandforecastsfutureresearchrelatedtothistechnology.Keywords:13.5nmExtremeUltravioletLithography(13.5nm ̄EUVL)ꎻLaser ̄ProducedPlasma(LPP)ꎻextremeultravioletsourceꎻConversionEfficiency(CE)ꎻlightdebrisꎻpre ̄pulselaser1㊀引㊀言㊀㊀自20世纪50年代末起ꎬ半导体行业因集成电路(IntegratedCircuitsꎬICs)等相关技术的兴起开始突飞猛进地发展[1]ꎮ到目前为止ꎬ该行业俨然已成为当今世界各行各业都不可或缺的 支柱 ꎮ1965年ꎬ高登 摩尔(GoldonMoore)曾提出ꎬ在半导体行业的发展史上将会出现一条不变的规律 摩尔定律(Mooreᶄslaw)[2]ꎮ该定律的内容为:每隔约1年半至两年左右ꎬ在价格不变的前提下ꎬ单个芯片上晶体管的数目和性能均会增长1倍[3]ꎮ在过去的几十年中ꎬ半导体行业一直遵循着这条规律高速发展ꎬICs中每个硅晶片上的晶体管数目有近乎千万倍的增长ꎮ光刻技术ꎬ作为半导体产业的核心技术之一ꎬ是一种用于ICs制造的图案形成技术ꎮ通常ꎬ光刻技术所用到的部件有光刻光源ꎬ掩模版ꎬ光刻胶等ꎮ而其工艺流程一般包括涂胶(光刻胶)ꎬ前烘ꎬ曝光ꎬ显影ꎬ坚膜ꎬ刻蚀和去胶等ꎮ光刻技术的原理是通过改变ICs中每个晶圆上节点的最小特征尺寸(最小分辨率)ꎬ来决定每个芯片内晶体管的数目ꎮ电路节点的最小特征尺寸可通过瑞利公式得出[4]ꎮ通过瑞利公式可知ꎬ减小工艺因子常数kꎬ增大光学系统的数值孔径NA以及减小曝光光源的波长λ均可以使最小线宽(节点)d变小ꎮ然而ꎬ前两种方案的技术难度越来越大ꎬ人们几乎已经将其做到了极限ꎮ所以ꎬ通过缩短曝光波长λ来减小线宽已成为目前光刻技术的主要研究方向ꎮ在光刻技术的发展历程中ꎬ科研人员们不断地在探索更短曝光波长的可能性ꎮ上世纪80年代至90年代初期ꎬ光刻主要采用高压放电汞灯产生的波长436nm(G线)和365nm(I线)作为光源ꎮ汞灯普遍应用于步进曝光机ꎬ从而实现0.35μm的特征尺寸[5]ꎮ自上世纪90年代中期后ꎬ深紫外光刻技术(DeepUltravioletlithographyꎬDUVL)开始逐渐占据光刻技术的主导地位ꎮ工业上开始使用深紫外波段(DUVUltravioletꎬDUV)248nm的KrF和193nm的ArF准分子激光器作为曝光光源[6]ꎮ随后ꎬ当光源发展为157nm的F2准分子激光器时ꎬ由于光刻胶和掩模材料的局限ꎬ使得157nm光刻技术受到了很大的限制ꎮ研究人员们发现充入浸没液后ꎬ193nm光源等效波长小于157nmꎮ另外193nm光刻机技术相对成熟ꎬ开发者只需重点解决浸没技术相关的问题ꎬ因而采用浸没技术的193nm光源逐渐取代157nm光源继续成为主流技术[5]ꎮ目前ꎬ荷兰AdvancedSemiconductorMaterialLithography(ASML)公司于2018年生产的NXT:2000i(采用193nm光源)产品为现有最高水平的DUV光刻机ꎬ其分辨率为38nmꎮNXT:2000i结合多次曝光套刻技术可将线宽缩小至7~5nmꎮ此外ꎬNXT:2000i是ASML旗下套刻精度(Overlay)最高的DUV光刻机产品ꎬ其数值可达1.9nm(5nm节点要求Overlay至少为2.4nmꎬ7nm节点要求Overlay至少为92第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展3.5nm)[7]ꎮ但是由于多次曝光套刻技术过于复杂ꎬ使得生产成本大幅增加ꎬ而器件的产量却大幅降低[8]ꎮ可以看出ꎬDUVL技术已经达到极限ꎬ研究人员们很难再将其所得到的线宽缩至更小的范围ꎮEUVL采用极紫外波段(ExtremeUltravioletꎬEUV)光源进行光刻ꎬ是最有潜力实现大规模工业化和商业化生产的光刻技术[9]ꎮEUVL通过将曝光波长大幅减小(一个量级以上)来实现更小节点光刻ꎬ其一次曝光线宽的数值可达10nm以内[10]ꎮ在EUV波段中ꎬ13.5nm的EUV(13.5nm ̄EUV)光源的可行性已被理论和实验研究所验证ꎬ并已成功运用到现有的商业光刻机中ꎮ2㊀EUVL技术的历史与现状㊀㊀EUVL技术于上世纪80年代末由美国和日本的相关研究人员提出ꎬ他们指出用波长为10~30nm的EUV光作为光刻机的光源可以大幅缩小ICs的最小特征尺寸ꎮ随后ꎬ一些国家的公司和研究机构对EUVL的发光原理ꎬ实现过程以及工业化生产等方面进行了大量研究ꎮ如:国际著名公司(如:IntelꎬGigaphotonꎬASML等)ꎬ著名研究机构(如:美国SandiaNationalLaboratory(SNL)ꎬLawrenceLivermoreNationalLaboratory(LLNL)ꎬLawrenceBerkleyNationalLaboratory(LBNL)ꎻ日本产业技术综合研究所等)以及许多知名大学(如:美国普渡大学ꎬ加利福尼亚大学ꎻ日本九州大学ꎻ瑞士苏黎世联邦理工学院等)ꎮ经过近30多年的研究ꎬEUVL技术获得巨大进展ꎬASML㊁Intel及Nikon等公司均有EUVL演示样机的报道[3ꎬ11ꎬ12]ꎬ但目前仅ASML有在售产品ꎮ国内对EUVL技术的研究起步较晚ꎬ主要是由中国科学院和部分高校的一些团队在进行相关研究工作ꎮ中国科学院长春光学精密机械与物理研究所(简称长春光机所)对EUVL的研究较早ꎬ自上世纪90年代末就对EUV光和X射线成像技术进行了相关研究ꎮ国内第一套EUV光刻原理装置是于2002年由长春光机所研制出来的ꎬ该款装置的出现标志着我国实现了对EUVL原理性的贯通ꎮ2008年ꎬ国家科技重大专项(02专项)将EUVL技术列为 32~22nm装备技术前瞻性研究 重要攻关任务ꎬ长春光机所为 极紫外光刻关键技术研究 项目的牵头单位ꎮ该项目研究团队经过8年的研究ꎬ最终研制出线宽为32nm的EUV光刻投影曝光装置ꎮ2017年ꎬ 极紫外光刻关键技术研究 项目通过验收[13]ꎮ此外ꎬ中国科学院上海光学精密机械研究所的蔡懿等人[14]ꎬ长春理工大学林景全课题组[9]ꎬ哈尔滨工业大学李小强等人[1]以及华中科技大学㊁同济大学等相关课题组[15 ̄16]均对EUVL的靶材选取㊁驱动光源设计㊁碎屑处理系统等装置进行了理论和实验研究ꎮEUVL技术是每年国际光学工程学会会议(SocietyofPhoto ̄OpticalInstrumentationEngineers(SPIE)Conference)所讨论的主要议题之一ꎮEUVL光刻机主要由3部分组成:EUV光源系统㊁EUV光反射收集系统以及照明曝光刻蚀系统组成ꎮ由于EUV光波长较短ꎬ能量较高ꎬ其在介质中存在较为强烈的吸收ꎮ研究人员通过不断地优化和改进EUV光的收集装置ꎬ最终采用多个多层膜反射镜组合成EUV光学反射收集系统ꎮ照明曝光刻蚀系统是将收集到的EUV光通过多层膜反射镜系统传送到光刻掩模版(掩模版上含有所需要的电路信息)上ꎮEUV光再同样通过多层膜反射镜系统最终聚焦到硅晶片上进行曝光刻蚀ꎮEUV光源的产生方案有很多ꎬ是下文所要介绍的重点内容ꎮ3㊀极紫外光刻的核心 光源技术㊀㊀为满足极紫外光刻需求ꎬ其光源应具有如下性能:(1)输出功率达百瓦量级ꎬ且功率波动小ꎻ(2)较窄的激光线宽ꎻ(3)较高的系统效率ꎻ(4)可接受的体积和重量ꎻ(5)可长时间㊁高可靠性运转ꎻ(6)维修㊁维护成本低ꎻ(7)低污染ꎮ目前ꎬ主要有4种方案可以获得EUV光源ꎬ分别是:同步辐射源㊁激光等离子体(LaserPro ̄ducedPlasmaꎬLPP)㊁放电等离子体(DischargedProducedPlasmaꎬDPP)和激光辅助放电等离子体(Laser ̄assistedDischargePlasmaꎬLDP)ꎮ选取哪一种方案ꎬ并如何运用该方案以大幅提高EUVL03光刻机光源的功率来满足大规模工业生产(HighVolumeManufacturingꎬHVM)的需要成为世界各国所必须攻克的主要难题之一ꎮ3.1㊀同步辐射源㊁LPP㊁DPP㊁LDP原理和比较同步辐射源的优点是可以产生高功率的EUV光ꎬ而且它对光学原件无碎屑污染ꎬ故可以长时间稳定地输出EUV光ꎮ但是ꎬ过于复杂和庞大的装置构造以及极其高昂的造价等都表明同步辐射源并不适用于HVM生产[9]ꎮLPP㊁DPP和LDP都是通过高能量束使靶材产生较高的温升ꎬ从而产生高温㊁高密度的等离子体并发射EUV光ꎮ虽然它们的形成方法有所差异ꎬ但却可以使用相同靶材ꎮLPP是以高强度的脉冲激光为驱动能源照射靶材ꎬ使靶材产生高温等离子体并辐射EUV光ꎮ图1是激光等离子体产生EUV光的示意图[17]ꎮ其中ꎬ采用数十千瓦功率的激光从一圆孔进入打在液滴Sn靶上ꎬ产生的极紫外光通过多层介质膜反射镜反射汇聚在中心焦点(IntermediateFocusꎬIF)处ꎮ图1㊀LPP ̄EUV光源示意图Fig.1㊀Schematicoflaser ̄producedplasmaforEUVlightsourceDPP是将靶材涂覆在阳极和阴极之间ꎬ两个电极在高压下产生强烈的放电使靶材产生等离子体ꎮ由于Z箍缩效应ꎬ当洛伦兹力收缩等离子体时ꎬ等离子体被加热ꎬ产生EUV光ꎮ图2是放电等离子体产生EUV光的示意图[17]ꎮ其中ꎬ靶材也为Sn靶ꎮSn靶后面为一组叶片ꎬ即所谓的 箔片陷阱 ꎬ可防止Sn碎屑到达叶片后面的收集器(即反射镜)而使其被污染ꎮ最后ꎬEUV光汇聚于IF点ꎮLDP是将LPP与DPP结合起来ꎬ先用脉冲激光照射靶材ꎬ使靶材细化ꎬ再运用DPP技术放电使靶材产生EUV光ꎮ对比上述4种方案ꎬ由于同步辐射源的缺点极难被克服ꎬ目前可以实现工业化EUV光刻机生产的方案为后3种ꎮDPP和LDP具有很多相似之处ꎬ它们均可以通过增大放电电流的功率来提高EUV光的输出功率ꎮ但是ꎬ在靶材产生等离子体的过程中ꎬ一定会对电极产生热负荷和腐蚀ꎬ造成关键元件的损坏ꎬ所以需要经常清理和更换电极ꎮ此外ꎬDPP的产生过程中伴随着大量的光学碎屑ꎬ严重地损坏了光学收集系统ꎮ上述问题尚未找到较好的解决办法ꎬ因而ꎬDPP和LDP方案都很难维持长时间的稳定工作状态ꎻ而LPP是以高功率激光辐射靶材ꎬ这相较于DPP和LDP方案ꎬ因没有损伤电极的困扰而较大地消减了装置的热负荷ꎬ产生的光源也较为稳定ꎮ而且ꎬLPP所产生的碎屑量低于DPPꎮ从长远的发展趋势上看ꎬ鉴于LPP的诸多优点ꎬ现用于HVM的方案多以LPP为主ꎮ荷兰的ASML公司和日本的Giga ̄photon公司都已经做出了性能良好的基于LPP的EUV光源ꎮ下文将主要介绍如何提高LPP光源的转换效率(ConversionEfficiencyꎬCE)以及如何减少LPP光源碎屑等关键技术ꎮ图2㊀DPP ̄EUV光源示意图Fig.2㊀Schematicofdischarge ̄producedplasmaforEUVlightsource3.2㊀多层膜反射镜由于光子能量极高的EUV光几乎可被所有介质所吸收ꎬEUV多层膜反射镜作为光学系统的重要元件成为了EUV光源的一项关键技术ꎬ需实现EUV波段的高反射率[18]ꎮ近年来ꎬ科研人员们通过研究发现ꎬ采用Mo/Si多层膜制备出的反射镜对中心波长为13.5nm㊁光谱带宽(Band ̄13第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展widthꎬBW)在2%以内EUV光的反射率可达70%[19]ꎮ通过将Mo原子和Si原子交替排列ꎬ可使13.5nm的EUV光在其中发生干涉ꎬ从而得到较高的反射效率[20]ꎮ3.3㊀EUV光源CE(EUV ̄CE)的提高对于商业化大规模生产的EUV光刻机ꎬ如何在降低成本的情况下提高晶圆的生产率是一个极为重要的问题ꎮ到目前为止ꎬ根据ASML公司2017年所生产的最新EUV光刻机设备NXE:3400B的参数可得ꎬ在实际光刻生产中ꎬ该款设备每小时操作的晶圆数目可以达到125片以上ꎮ这就要求EUV光源在进入光刻系统以前ꎬIF点的输出功率必须在205W以上ꎮ目前为止ꎬASML公司和Gigaphoton公司的EUV光源设备均可输出250W较为稳定的EUV光ꎬ最大值甚至可以达到375W[21 ̄22]ꎮ然而ꎬ相较于EUV光刻机高昂的成本而言ꎬ这样的生产效率和输出功率仍然有较大的提升空间ꎮ因而ꎬ找到如何能够有效提高EUV光源CE的方案已成为了EUVL的一个重点研究方向ꎮ光源的CE值是指EUV输出能量除以输入激光能量并换算成百分数后所得到的数值ꎮ目前ꎬ提高CE的途径主要有以下几种:(1)优选靶材组份及形态ꎻ(2)优选激光源ꎻ(3)采取双脉冲的方案ꎮ3.3.1㊀靶材的选取选择中心波长为13.5nm㊁2%带宽内的EUV光作为光刻光源是由Mo/Si多层膜反射镜的特性所决定的ꎬ而能在此波段发出EUV光的靶材有很多种ꎮ研究人员通过相关的理论和实验研究发现ꎬ氙(Xe)㊁锂(Li)㊁锡(Sn)等为该波段范围内的主要靶材ꎮ通过仿真计算的方法可以得到11镜系统在不同靶材(SnꎬLiꎬXe)中近垂直入射方向的反射率[23 ̄24]ꎮ其中Sn在13.5nm波长处的反射率占比最大ꎮ最初ꎬ人们比较关注Li靶[25]ꎮ锂的类氢离子Li2+的Lyα跃迁恰好与波长为13.5nm的EUV光谱相对应ꎮ可是当稳态Li等离子体处在高温的环境下时ꎬ会有极少量的Li2+离子处于电离平衡态[26]ꎬ也就是说ꎬ等离子体仅由剩余的原子核和自由电子组成ꎬ并且无任何谱线发出ꎮT.Hi ̄gashiguchi和A.Nagano等人的研究表明ꎬ基于LPP的Li靶产生的13.5nm ̄EUV光的CE只有1%~2%左右ꎮ较低的CE表明ꎬLi靶并不能作为EUVL光源中的最佳靶材[27 ̄28]ꎮ随后ꎬ人们又对Xe靶做了相关研究ꎮ因为Xe靶是清洁能源ꎬ所以它具有不产生碎屑ꎬ对光学系统损伤小ꎬ可以长期工作而无需更换光学元件等优点[29]ꎮ然而通过实验可以发现ꎬ基于LPP的Xe靶产生13.5nm ̄EUV光的CE仅有1%左右ꎬ主要由Xe元素的一种离子Xe10+在4d8ң4d75p的跃迁产生ꎬ除了较为低下的CE外ꎬXe的光谱纯度也较差[30]ꎮ最后ꎬ基于LPP的Sn靶在13.5nmꎬ2%带宽内的EUV来源极为广泛ꎬ主要由Sn等离子体中的高价态离子Sn8+ ̄Sn12+跃迁形成[31]ꎬ相关文献给出了Sn8+㊁Sn9+㊁Sn10+㊁Sn11+离子的EUV谱线跃迁图[32]ꎮ目前ꎬSn的EUV ̄CE值可达5%~6%[21]ꎮ研究人员发现固体Sn靶几何形状的差异对EUV辐射也有很大影响ꎮ因此ꎬ人们对包括平板形靶㊁限腔形靶㊁球形靶㊁空腔形靶㊁纳米结构靶㊁液滴形靶在内的固体Sn靶进行了相关研究[26]ꎮ早期ꎬ人们以平面Sn作为靶材ꎮ然而ꎬ用激光照射平板Sn靶ꎬ会造成被激光光束聚焦中心照射部分靶材的温度远高于周围其他部分ꎮ而由于存在较大的温度梯度ꎬ中心部分的等离子体膨胀速度快ꎬ周围部分的等离子体膨胀速度慢ꎮ速度较慢的等离子体会对速度较快的等离子体所在的区域ꎬ也就是EUV发射主导区域(EmissionDomi ̄nantRegionꎬEDR)所发出的EUV光存在较为强烈的吸收ꎬ进而影响EUV ̄CE[9]ꎮ针对平面靶材的这一缺点ꎬ2003年ꎬT.Tomie等人通过使用双脉冲照射Sn的限腔形靶并在入射激光相反的方向收集EUV光ꎮ该方案证明了限腔形Sn靶相较于平板Sn靶具有更高的EUV ̄CE[33]ꎻ2005年ꎬY.Tao等人也为克服平板靶材的缺点ꎬ在Sn条靶材的底部放置了具有一定厚度和宽度的碳氢薄膜ꎮ然后ꎬ用激光光束照射Sn条靶材和碳氢薄膜ꎬ使Sn条为被脉冲激光束聚焦中心照射的部分ꎬ而碳氢薄膜则为激光光斑边缘的照射部分ꎮ因为碳氢等离子体质量小ꎬ其膨胀速度较快ꎬ该方案成功地消减了由于温度分布不均匀性对EDR区所产生的影响ꎬ使得EUV ̄CE提高了1.423倍[34]ꎻ同年ꎬY Shimada等人尝试将Sn靶材的形状由平板换为了球形ꎮ他们将直径为几微米的球形塑料靶材表面涂满厚度为微米量级的Snꎬ最终得到了最大值为3%的CE[35]ꎻ2008年ꎬS.Yuspeh等人同样研究了球形Sn靶对EUV ̄CE的影响ꎮ结果与Y Shimada等人的结论一致ꎬ球形Sn靶具有较高的CEꎬ而且CE会随着Sn靶直径与焦斑大小比值的减小而逐渐增加[36]ꎻ2010年ꎬS.S.Harilal等人研究了凹槽形靶对EUV ̄CE的影响ꎮ他们发现当脉冲激光打在平板Sn靶上的同一点的脉冲数量逐渐增多时ꎬ等离子体EUV ̄CE从2.7%增加到了5%ꎬ而辐射EUV的等离子体区域也较之前拉长了近一倍[37]ꎻ2014年ꎬT.Cum ̄mins等人对楔形结构的Sn靶做了相关研究ꎬ并最终发现楔形Sn靶的EUV ̄CE约为3.6%[38]ꎻ后来ꎬ为降低离子碎屑㊁提高EUV ̄CEꎬ人们开始逐渐减小Sn靶的尺寸ꎬ并最终将液滴Sn靶作为主要研究对象ꎮ这是因为液滴Sn靶好操控且碎屑较少ꎬ故其CE较高ꎮ一些光源供应公司对液滴Sn靶进行了相关研究ꎬ最终确定将其作为EUV光刻机光源的辐射靶材[39 ̄40]ꎮ世界知名高校九州大学(日本)㊁大阪大学(日本)ꎬ苏黎世联邦理工学院(瑞士)等大学也较早开展了对液滴Sn靶的研究[41]ꎮ目前ꎬ用于HVM的EUV光刻机光源均是采用液滴Sn靶ꎮ虽然液滴Sn靶能达到较为理想的EUV ̄CEꎬ但其时间和空间的不稳定性为光刻机光源的设计和制造增加了难度[26]ꎮ3.3.2㊀驱动光源的选择选择LPP作为EUV驱动光源时ꎬ激光波长㊁激光脉宽以及入射激光光束聚焦情况的改变均可以影响EUV ̄CE[42 ̄45]ꎮCO2激光器与Nd:YAG激光器是较为合适的EUVL激光器ꎮ因为这两种激光器的输出功率较大ꎬ能量转换效率高ꎬ可以实现高功率的EUV光输出ꎮ2007年ꎬJ.White等人分别通过将上述两种类型的激光器照射Sn靶ꎬ分析了不同激光波长对EUV ̄CE的影响ꎮ当能量等条件相同时ꎬ用波长分别为10.6μm㊁1064nm㊁355nm的激光照射Sn靶产生EUV光ꎮ他们发现相较于使用Nd:YAG激光脉冲ꎬ使用CO2激光脉冲能获得较高的CE(两者比值为2.2)ꎬ而且辐射出的EUV光功率也较高[42]ꎮ图3为CO2激光与Nd:YAG激光诱发激光等离子体EUV辐射区域与激光能量沉积区域的比较[45]ꎮ由图3可以看出ꎬCO2激光之所以具有更高的CE是因为脉冲激光能量沉积区与EUV辐射区相距不远ꎬ这样便于激光能量快速转移到等离子体中辐射EUV光ꎮ同年ꎬ日本EUVL系统发展协会的AkiraEndo等人进行了类似的实验ꎮ他们发现用CO2激光作为驱动光源产生碎屑数量少ꎬ光谱纯度高[46 ̄47]ꎮ图3㊀Nd:YAG激光(a)与CO2激光(b)等离子体激光能量吸收区域和极紫外辐射区域Fig.3㊀Laserenergyabsorptionregionsandextremeultravioletradiationregionsfromdifferentlaser ̄producedplasma.(a)Nd:YAGlaserand(b)CO2laser㊀㊀2009年ꎬS.S.Harilal等人研究入射激光光束聚焦情况对EUV ̄CE的影响时发现ꎬ当激光正33第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展好聚焦到Sn靶上时并不能获得最理想的CE值ꎮ为此ꎬ他们通过相关实验找出了获得最佳CE时激光在靶材上的光斑尺寸ꎬ并发现最佳聚焦条件时的CE值比聚焦到靶材上时的CE值高了近25%[44]ꎻ同年ꎬ基于上述现象ꎬKasperczuk等人解释了激光聚焦条件影响EUV ̄CE的原因ꎮ实际上ꎬ聚焦会使靶材初始等离子状态受到极大影响ꎬ因而后续的激光脉冲会与受影响的初始等离子体相互作用而影响实验结果ꎮ3.3.3㊀双脉冲作用效果有学者研究发现ꎬ可以先用预脉冲照射液滴Sn靶ꎬ产生初始等离子体碎片ꎮ设计好延迟时间后ꎬ再用高功率密度的主脉冲照射初始等离子体碎片ꎬ产生高温㊁高密度的等离子体并辐射EUV光ꎮ这种方案的优势在于预脉冲使液滴体积变大ꎬ易于后面的主脉冲与其发生作用ꎬ提高了主脉冲激光的利用率以及最终的CE值ꎮ在双脉冲照射实验中ꎬ常使用Nd:YAG激光作为预脉冲激光源ꎬ可有效地提高EUV ̄CEꎮ这是因为Nd:YAG激光具有更深的穿透深度㊁更高的等离子体临界密度ꎬ可气化更多的靶材等优点[26]ꎮ2008年ꎬShinsukeFujioka等人采用Nd:YAG激光(预脉冲)和CO2激光(主脉冲)照射液滴Sn靶[48]ꎮ他们的实验结果表明双脉冲激光辐射液滴Sn靶产生的EUV ̄CE基本都高于单脉冲激光所产生的EUV ̄CEꎻ2012年ꎬFreeman等人将预脉冲激光波长分别设置为266nm(4倍频的Nd:YAG激光)和1064nmꎬ研究了不同预脉冲波长对CO2激光辐射Sn靶产生EUV光的影响[49]ꎮ他们发现ꎬ1064nm预脉冲激光相较于266nm预脉冲激光所产生的离子碎屑少ꎬ这间接证明了用1064nm的Nd:YAG激光器作为预脉冲激光时ꎬ碎屑粒子具有更低的动能ꎮ3.4㊀碎屑问题LPP通过激光辐射靶材产生高温㊁高密度的等离子体并辐射EUV光ꎮ在此过程中ꎬ必然会产生一定数量的碎屑ꎮ这些碎屑主要由熔融液滴㊁微粒团簇㊁中性碎屑原子和高能离子组成[33]ꎮ其中ꎬ速度最慢的微粒团簇ꎬ直径大约在微米量级以上ꎬ运动速度约为103cm/s左右ꎻ高能离子因具有较高能量而运动最快ꎬ速度可达106~107cm/s[50]ꎻ中性粒子碎屑的速度介于上述两者之间ꎮ碎屑问题作为EUV光刻机大规模工业化生产过程中不可忽视的问题之一ꎬ其影响具体表现在:(1)碎屑会损伤光源的收集系统ꎬ碎屑中的高能离子会撞击多层膜反射镜ꎬ造成多层膜反射镜结构被破坏ꎮ同时ꎬ能量较低㊁速度较慢的中性碎屑粒子有一定的概率会附着在多层膜反射镜上ꎬ吸收生成的EUV光并加热多层膜反射镜ꎬ进一步破坏其结构ꎮ无论是高能粒子还是中性原子ꎬ都会使多层膜反射镜的反射率降低ꎬ导致EUV光刻机设备中的一些反射镜需要时常更换ꎬ从而影响光源长时间的稳定工作ꎻ(2)中性粒子等碎屑会吸收EUV辐射ꎬ而且亚微米级的微粒团簇和熔融液滴因不能完全被运用到产生EUV辐射的过程中而被浪费ꎬ这些均可能限制EUV ̄CEꎮ综上所述ꎬ减少LPP ̄EUV过程中所产生的碎屑是极为重要的ꎮ对于微米量级以上的碎屑ꎬ可以通过上一小节中所提到的双脉冲激光辐射方案除去[51]ꎮ对于其他种类的碎屑问题ꎬ科研人员们也分别做了大量实验研究ꎮ2003年ꎬG.Niimi等人通过在光源的收集装置中添加磁场研究了LPP离子碎屑的特性ꎮ结果发现ꎬ在磁场的作用下ꎬ离子信号有明显的下降ꎬ而且距离磁场越近ꎬ下降比例越明显[52]ꎻ2007年ꎬS.S.Harilal等人又在有磁场的光源收集系统中加入了缓冲气体ꎬ实验发现缓冲气体不仅可以减缓高能碎屑离子ꎬ同时也能抑制中性碎屑粒子[53]ꎻ2012年ꎬ孙英博等人在光源系统中充入氩气㊁氦气等缓冲气体ꎬ研究了不同种类的缓冲气体对Sn离子碎屑缓解效果的影响[54]ꎮ目前市售EUV光刻机产品均采用将充入惰性气体或氢气和外加磁场相结合的方案除去碎屑[21ꎬ55]ꎮ充入惰性气体的好处在于:(1)充入气体的分子与碎屑离子相撞ꎬ降低了其运动速度ꎬ流动的气体还可将碎屑离子吹到远离多层膜反射镜的区域ꎬ减少其对光学收集系统的损害ꎻ(2)当充入的气体是氢气时ꎬ靠近器壁的氢气通过放电的方式形成电容耦合的氢气等离子体ꎬ其中的H自由基可以与Sn粒子发生化学反应ꎬ反应的化学方程式为Sn(s)+4H(g) SnH4(g)ꎬ产生了热蒸汽SnH4ꎬ通过真空抽吸的容器可以去除热气体和43Sn蒸气ꎮ加入磁场的优点在于:(1)因为EUV光为主要由Sn离子和电子组成的Sn等离子体发射ꎬ所以几乎所有的Sn离子都可以通过拉莫尔运动而被强磁场捕获ꎻ(2)一些中性原子可以通过与离子碰撞的方式ꎬ发生电荷交换成为离子而被磁场捕获ꎮ最终这些碎屑粒子均可被碎屑收集装置所收集ꎮ4㊀目前13.5nm ̄EUV光刻机光源产品㊀㊀目前ꎬ已经收购Cymer公司(世界领先的激光源供应商)的荷兰光刻机巨头ASML公司和日本Gigphoton公司几乎垄断了全球激光光刻机光源产业ꎬ他们都可以独立地制造出基于LPP的EUV光刻机光源ꎮASML公司于1984年成立ꎬ公司的总部现位于荷兰费尔德霍芬ꎬ是一家半导体设备制造和销售公司ꎮ目前ꎬ英特尔ꎬ三星ꎬ中芯国际等国际知名公司都从ASML公司采购光刻机ꎬ其市场份额已达到70%ꎮ售价1亿美元一台的EUV光刻机ꎬ全世界仅ASML公司可以生产ꎮ2017年ꎬ全世界出货的光刻机中有198台由ASML所制造ꎬ其中EUV光刻机为11台[13]ꎻ2018年全世界出货的光刻机中有224台为ASML公司制造ꎬ较2017增长13.13%ꎬ其中13.5nm ̄EUV光刻机销售量为18台ꎬ较2017年增加了63.64%[56]ꎮ2019年ꎬASML公司EUV光刻机的年销量将达到30台ꎮ图4将ASML公司近年来所生产的几款EUV光刻机设备参数进行了对比(NXE:3400C为即将发售的产品)[21]ꎮ由图4可以看出ꎬNXE系列产品每小时操作的晶圆数目从最初的60片(光源IF点聚焦功率为100W)增长到125片(光源IF点聚焦功率为245W)ꎮ2018年年末至2019年年初ꎬASML公司改良后的NXE:3400B(光源IF点聚焦功率为250W)产品ꎬ每小时的晶圆操作数可达145个ꎬ分辨率可达13nm以下ꎬOverlay为1.7nm(满足5nm节点的工艺需求)ꎮASML公司在2019年下半年推出的新款产品NXE:3400C每小时操作的晶圆数为155~170片ꎬ其overlay预计可达1.5nm[57]ꎮ到2020年后ꎬASML公司还预计将新版本产品光源IF点聚焦功率提升到350W以上[2]ꎮ图4㊀ASML ̄EUVL ̄NXE系列产品Fig.4㊀ASML ̄EUVL ̄NXEseriesofproducts㊀㊀Gigaphoton公司于2000年在日本栃木县小山市成立ꎮ不同于ASML等光刻机公司ꎬGigapho ̄ton是一家激光器光源供应商ꎮ它自成立以来一直为全球包括ASMLꎬNikonꎬCanon等半导体行业巨头提供激光光源ꎬ其光源技术一直处于世界领先水平ꎮGigaphoton于2002展开了对EUV光源的研究ꎮ到目前为止ꎬGigaphoton公司共设计了3款13.5nm ̄EUV光源产品ꎬ它们分别是Proto#1ꎬProto#2和Pilot#1ꎮProto#1的设计重点是碎片减缓技术ꎻProto#2作为优化CE的设备ꎻPilot#1的设53第1期㊀㊀㊀㊀㊀宗㊀楠ꎬ等:激光等离子体13.5nm极紫外光刻光源进展。
激光诱导等离子体光谱技术
激光诱导等离子体光谱技术
激光诱导等离子体光谱技术(Laser-Induced Breakdown Spectroscopy, LIBS)是一种分析技术,它利用激光将样品转
化为等离子体,并通过测量等离子体辐射的光谱来识别和定量样品中的元素。
激光诱导等离子体光谱技术的工作原理是,通过将高能、短脉冲的激光照射到样品表面,激光与样品相互作用产生高温、高压的等离子体区域。
在等离子体形成的瞬间,电子会被激发到高能级,随后退回基态时会释放出特定波长的光。
这些光谱信号可以被通过光谱仪器进行检测和分析。
激光诱导等离子体光谱技术具有许多优点,包括快速分析速度、非接触性、无需样品前处理、不受样品形状和状态限制等。
它可以广泛应用于材料分析、环境监测、金属矿产勘探、农产品质量检测等领域。
然而,激光诱导等离子体光谱技术也存在一些限制,比如需要高功率激光及相关设备,对样品表面的清洁程度要求较高,以及在测量过程中可能产生的光谱重叠等问题。
总的来说,激光诱导等离子体光谱技术是一种快速、高灵敏度的分析技术,具有广泛的应用前景,在不同领域的科学研究和应用中发挥着重要作用。
激光诱导等离子体的过程
激光诱导等离子体的过程
激光诱导等离子体(Laser-Induced Plasma, LIP)是一种利用激光脉冲产生高温等离子体的过程。
其主要过程如下:
1.激光吸收:当高功率激光束照射到物质表面时,
由于光的能量被物质吸收,物质表面的温度会快速升高。
2.离子化:当物质表面的温度升高到足够高的程度
时,原子和分子开始失去电子,形成等离子体。
这个过程通常被称为离子化或电离。
3.等离子体形成:一旦开始产生离子,它们会和其
他的自由电子、离子、原子等一起形成一个高温、高压的等离子体云团。
4.等离子体膨胀:由于等离子体的温度非常高,它
们会开始向周围膨胀,释放出大量的能量。
这个过程会伴随着强烈的光辐射、声波、冲击波等现象。
激光诱导等离子体的产生是一个极其快速和瞬态的过程,其形成的等离子体通常只存在几纳秒或几十纳秒的时间。
尽管如此,这种过程在工业、医学、科学研究等领域都有着广泛的应用,例如用于激光打印、激光切割、激光检测、生物医学治疗等等。
等离子的原理及形成
等离子的原理及形成等离子是一种高能量状态的物质,它是由正离子和自由电子组成的。
在自然界中,等离子体广泛存在于恒星、闪电、太阳风等高温高能环境中。
在地球上,等离子体也可以在实验室中通过高温等方式产生。
等离子体的研究对于理解宇宙中的许多现象以及应用于核聚变、等离子体物理、激光技术等方面具有重要意义。
等离子的形成主要是由于高能量的电磁辐射或者高温等条件下,原子或分子失去或获得电子而形成的。
在高温条件下,原子或分子的电子会被激发到高能级,甚至被完全剥离而形成自由电子和正离子。
这些自由的电子和正离子互相碰撞,产生电磁辐射,这就是等离子体的形成过程。
等离子体的原理是基于电磁力和库仑力的相互作用。
在等离子体中,自由电子和正离子之间会发生库仑相互作用,它们之间的碰撞和相互作用会产生电磁波、热量和光等现象。
这种相互作用是等离子体具有高能量状态的重要原因。
在太阳中,等离子体的形成是由于太阳内部高温高压条件下,氢原子核融合产生了高能量的光子和带电粒子,这些带电粒子形成了太阳风,将太阳内部的等离子体释放到太空中。
这些等离子体在太阳风的作用下,不断向地球等其他行星传播,产生了太空天气和极光等现象。
在实验室中,等离子体可以通过激光、高温等方式产生。
激光等离子体产生是通过高能量激光束照射物质,使其电离形成等离子体。
这种等离子体在激光技术、核聚变等方面具有重要应用。
总之,等离子体的形成和原理是一个复杂而又有趣的物理现象。
通过研究等离子体,我们可以更好地理解宇宙中的许多现象,同时也可以应用于激光技术、核聚变等领域,具有重要的科学意义和应用价值。
希望本文对等离子体的原理及形成有所帮助。
等离子与激光的原理区别
等离子与激光的原理区别
等离子体和激光是两种不同的物理现象,它们的原理和性质有所不同。
等离子体是一种物态,由气体或其他物质在高能量输入下,电离形成的带电粒子和中性粒子的混合物。
当物质受到能量输入时,其中的原子或分子中的电子被激发或离开原子核,形成自由电子和离子。
等离子体具有高度的电导性和热传导性,在电磁场作用下会发生波动和振荡。
等离子体在自然界中广泛存在,如太阳和闪电就是常见的等离子体。
激光是一种由激光器产生的高度聚焦的光束。
激光通过光的受激辐射过程产生,其原理是将能量输入到激光介质中,使其吸收能量并在光的泵浦下转化为受激辐射。
激光具有相干性、单色性和高度定向性,可以实现高强度和高能量密度的光束。
激光在许多领域中有广泛的应用,如医学、通信、材料加工等。
总结来说,等离子体是带电粒子和中性粒子组成的混合物,其形成和行为受到电离和电磁场的影响;而激光是由受激辐射过程产生的高度聚焦的光束,具有相干性和高度定向性。
这是两种不同的物理现象,其原理和性质各有不同。
激光诱导钛合金等离子体电子温度和电子密度的时间分辨测量
第23 卷第 1 期2024 年 3 月宁夏工程技术Vol.23 No.1 Ningxia Engineering Technology Mar. 2024激光诱导钛合金等离子体电子温度和电子密度的时间分辨测量胡桢麟1,高阳2,林楠1*,郭连波3(1.中国科学院上海光学精密机械研究所,上海201800; 2.华东理工大学机械与动力工程学院,上海200237;3.华中科技大学武汉光电国家研究中心,湖北武汉430074)摘要:以波长为532 nm的纳秒脉冲激光器为激发源,使用中阶梯光栅光谱仪和增强电荷耦合器件(ICCD)获得了激光诱导钛合金等离子体的时间分辨发射光谱;基于发射光谱,利用玻尔兹曼图法和萨哈-玻尔兹曼图法计算了等离子体电子温度;采用斯塔克展宽法计算了电子密度。
研究结果表明,相较于玻尔兹曼图法,萨哈-玻尔兹曼图法可提供更为准确的电子温度计算结果。
此外,光谱采集门宽的增大会导致等离子体电子温度和电子密度计算值的减小。
以上研究结果为钛合金的激光诱导击穿光谱(LIBS)分析提供了实验指导。
关键词:钛合金;激光诱导等离子体;电子温度;电子密度;时间分辨测量;激光诱导击穿光谱中图分类号:O433.4 文献标志码:A激光诱导击穿光谱(LIBS)技术是一种热门的元素成分分析技术,其原理是采用高能量的脉冲激光聚焦烧蚀待测样品表面,诱导产生等离子体,然后通过等离子体的发射光谱对样品中的元素种类及含量进行分析[1-3]。
由于LIBS技术具有无需或简单制样,可实现原位、实时、远程和全元素检测等优点,目前已被应用于冶金[4]、燃煤[5]、核工业[6]、环保[7]、勘探[8]和火星探测[9]等领域。
在冶金领域中,LIBS技术常用于合金样品的元素成分分析,高能量脉冲激光与固体的相互作用会经历加热、熔化、气化和电离等复杂过程,最终诱导产生等离子体。
产生的等离子体在冷却过程中其电子温度与电子密度等特性在微秒尺度上快速变化,进而会影响LIBS光谱的成分、强度与稳定性等特性。
激光大气等离子体的空间分布特性
板 , 别用 于有效 收集激 光 等离 子体光 谱 和调节 收集来 自激光 等 离 子体 不 同部 位 的光谱 。收光 透镜 是 一 块 直 分
径 为 3 0mm 的石英 凸透镜 , 于测量 激光 大气等离 子 体光 谱 的 空 间分 布 , 置在 成 倒 立放 大 实像 的位 置 。光 用 放 路 偏折 板是一 块直 径为 8 Omm、 度为 1 厚 0mm 的圆形石 英 板 , 置在 收光 透 镜 和单色 仪 之 间 。偏折 板 的下 端 放 和一个 转盘相 连 , 盘上 有角 度标 志 , 转 可以控 制偏折 板旋 转角 度 , 并可通 过其 数值 精确地 计算 出光斑 移动 距离 。
等 离子体 复合过 程方 面 的信 息 , 就此 我们 曾经 做过一 系 列 的研 究【6。但 对 于 另一 些激 光 新 技术 应 用 , 要 了 4] . 需
解更 多 的激光大气 等 离子体 空 间构 成的 细节 , 以及 由此 引发 的空 气 动力 学 方 面的应 用 。我 们 针对 激 光 大 气 等 离 子体 开展 了空间分 辨光谱 的探测 , 由此获 得 了激 光大 气 等离 子 体 中处 于不 同激 发 状态 的各种 粒子 在 空 间 并
关键词 : 激光大气等离子体 ; 光谱测量 ; 电子密度 ; 电子温度
中 圈分 类 号 : O5 3 文献标识码 : A
激 光击 穿气体 的现象 早 在 1 6 9 3年就被 Ma e 报 道[ , 发 现用 1 kr 1 他 ] OMW 的红 宝石 激光 器产 生的 电离 火花
率 为 3 ) 焦 形成 长 约 8c 直 径 5c 的激 光 大 气 等 离 子 体 柱 , 别 沿 激 光 束 方 向 和 垂直 于 激 光束 方 向 探 OHz 聚 m、 m 分 测 了 该 等 离子 体 柱 的空 间分 辨 光 谱 。 由此 反 演 得 出 电子 密 度 和 电 子 温 度 空 间 分 布 特 性 。实 验 结 果 表 明 : 光 并 激 大 气 等 离 子体 中各 种离 子 和 电 子 呈 泪 滴 型 分 布 , 即沿 激 光 束 方 向 不 对 称 . 垂 直 激 光 束 方 向对 称 分 布 , 大 电 而 最 子 密度 1”/m。最 高 电子 温 度 30 0 c , 0 0K。
低温等离子体的产生方法
低温等离子体的产生方法低温等离子体是指温度低于室温、高于绝对零度的气体中的正离子和自由电子共存并局部电中性的状态。
低温等离子体在物理、化学和工程学等领域具有广泛的应用,如等离子体显示器、等离子体刻蚀、等离子体辅助化学反应等。
在以下的回答中,我将介绍几种产生低温等离子体的方法:1.放电法产生低温等离子体:这是最常见的一种方法。
通过在气体中传递电流产生放电,使气体中的分子碰撞、电离、激发从而形成等离子体。
例如,高压电晕放电等离子体是利用电极间的放电空间产生的。
2.激光等离子体产生法:激光可以提供高强度、短脉冲的能量,通过作用于气体或固体材料,产生高温和高电子密度的等离子体。
这种方法常用于激光等离子体刻蚀、激光等离子体化学反应等领域。
3.等离子体电化学法:在液体中使用电流产生等离子体现象。
例如,在含有电解质的溶液中通电,产生电解质的阳离子和自由电子,形成等离子体。
这种方法常用于等离子体修复和合成化学反应等领域。
4.电子束法:通过电子束轰击气体或固体材料,使其电离、激发从而形成等离子体。
这种方法常用于电子束等离子体刻蚀技术、电子束等离子体源等领域。
5.射频等离子体法:通过高频电场(射频场)在气体中激发电离和激发过程,形成等离子体。
在射频等离子体法中,通常使用带有射频电源的电极(如平行板电极、螺旋电极),将气体放置在电极之间形成射频等离子体。
这种方法常用于等离子体刻蚀、等离子体辅助化学反应等领域。
需要注意的是,这些方法产生的低温等离子体都有一定的特性和优缺点。
例如,放电等离子体和射频等离子体相对易于产生,但温度较高,常用于需要高温等离子体的应用;而激光等离子体和电子束等离子体产生的温度较低,但设备复杂、成本较高。
因此,在具体应用时需要根据实际需求选择合适的方法来产生低温等离子体。
等离子体产生原理
等离子体产生原理
等离子体产生原理是指将气体或液体中的一部分或整个电离后的带电物质,这些电离后的带电粒子通常包括正离子、负离子和电子等,形成一个带正负离子和电子的高度活跃的带电状态。
等离子体的产生主要有以下几种方法:
1. 火花放电:利用高电压的电击或电弧将气体电离,产生等离子体。
火花放电主要应用于气体放电源和电火花设备。
2. 辐射电离:利用光、热、射线等辐射能量将气体或液体电离。
例如,X射线或高能粒子的束流通过气体或液体介质时,会产生辐射电离,从而形成等离子体。
3. 电子冲击:利用高速电子束流冲击气体或液体,将其电离。
电子冲击是一种常见的等离子体产生方法,常用于离子源等设备中。
4. 激光照射:利用激光的高强度照射气体或液体,产生电离现象,从而形成等离子体。
激光照射是一种精密控制等离子体产生的方法,广泛应用于科研与工业领域。
5. 等离子体炉:通过加热气体或液体以及添加适当的气体或液体原料,在高温高压下,形成等离子体。
等离子体炉主要用于材料的熔化、气体分解、化学反应等工艺过程。
以上是等离子体产生的主要原理,不同的方法适用于不同的应用领域,如能量供给、材料处理、医学疗法等。
高强度激光与等离子体相互作用的研究
高强度激光与等离子体相互作用的研究近年来,随着科技的快速发展,高强度激光与等离子体相互作用的研究引起了广泛的关注。
高强度激光是一种以激光为媒介进行能量传递的技术,而等离子体则是由气体或固体被高能激光辐射后形成的电离态。
高强度激光与等离子体相互作用的研究有着重要的科学意义和应用价值。
通过对于这种相互作用的深入研究,我们可以揭示激光与等离子体的相互作用机理,探究光与物质的基本规律,进而推动激光技术的发展与创新。
同时,高强度激光与等离子体相互作用还具有广泛的应用前景,如聚变能源、高密度等离子体物理研究、激光等离子体加速器等。
关于高强度激光与等离子体相互作用的研究,目前主要存在以下几个方面的问题和挑战。
首先,激光与等离子体的相互作用机制尚不完全清楚。
高强度激光在与等离子体相互作用时会产生复杂的电磁场和粒子动力学过程,然而,这些过程和机制尚未被完全揭示。
要解决这个问题,需要通过理论研究、模拟实验以及实际观测等多种手段,深入探究激光与等离子体相互作用的微观机制。
其次,高强度激光与等离子体相互作用的过程非常复杂。
在激光与等离子体相互作用的过程中,会涉及多种物理现象,如电离、等离子体加热、激光与等离子体的相互作用等。
这些现象之间相互关联,相互影响。
因此,针对复杂的激光与等离子体相互作用过程,需要综合运用多种实验手段和理论方法,进行全面而深入的研究。
最后,高强度激光与等离子体相互作用的研究需要大量的资源和设备支持。
由于激光与等离子体相互作用的研究需要高能量、高功率的激光系统和复杂的等离子体产生设备,这些设备的建设和运行成本较高。
此外,在实验过程中还需要对激光和等离子体等进行精确控制和测量,这也对设备和技术要求较高。
因此,为了深入研究高强度激光与等离子体相互作用,需要投入大量的资源和设备。
综上所述,高强度激光与等离子体相互作用的研究具有重要的科学意义和应用价值,但也存在一些问题和挑战。
为了更好地开展这方面的研究,需要在各个方面加强合作与创新,提高研究的深度和广度。
等离子体中激光场的吸收机制
等离子体对激光的吸收机制:超强激光在等离子体中传播时,在临界密度以下区域,激光能够直接进入,在临界密度附近,激光被等离子体反射。
激光在和等离子体的作用过程中,一部分电子被加速而引起电荷分离并产生静电场形成静电势阱,高速电子可以逃逸出此势阱进而增强电荷分离,电子可在此静电势阱中振荡并被加速,最后静电势阱被破坏把能量交给等离子体。
正常吸收:逆韧致吸收:等离子体中的电子受激光场加速时,在等离子体的离子库仑场附近散射引起的经典吸收过程。
它对电子密度很敏感,它是短波长激光的主要吸收机制,而且主要发生在临界面附近的地方。
非线性逆韧致吸收:当激光足够强时,电子的振荡速度会超过电子热速度,此时电子速度分布就会和电场有关,变成非线性逆韧致吸收。
此时,激光电场可以和原子核的电场相比,还会发生多光子过程。
非线性吸收系数大大偏离线性吸收系数。
但在激光核聚变的范围内不会有重要偏离。
该系数与53E 有关。
反常吸收:通过波-波相互作用和波-粒子相互作用使电子获得能量的过程通过静电波加速和加热电子 通过朗道阻尼和波的破裂把波的能量交给电子 这主要发生在小于和等于临界密度区-----晕区物理 共振吸收;受激散射;成丝现象;参量不稳定性吸收共振吸收(RA):随着激光强度的增加,共振吸收变得重要。
当平面极化激光斜入射时发生共振吸收,由于在临界面处共振激发电子等离子体振荡,故称共振吸收。
斜入射的P 极化(电场平行于入射面)激光束激发等离子体波,在临界面附近可以发生共振吸收。
沿着电子密度梯度方向的激光电场将导致等离子体电荷分离,引起等离子体振荡。
在临界点处的等离子体频率等于激光频率,因而发生共振,使电场强度(这应该是等离子体中的电场强度)的振幅变得很大,导致激光共振吸收。
它是波的模式的一种转换,横向的电磁波变成了纵向的静电波。
此静电波沿电子密度梯度方向向低密度等离子体中传播(共振处的电场强度最大,逆着激光传播方向,电场强度依次降低,使得静电波逆着激光传播方向进行传播),群速度逐渐增加,电场强度的振幅逐渐减少。
样品添加剂对激光诱导等离子体辐射的增强效应
关键词 激光诱 导等离子体 ; 品添加剂 ;光谱 强度 ;电子温度 ;电子 密度 样
中 图 分 类 号 : 3 . 04 32 文献标识码 : A D I 1 . 9 4ji n 10 —5 32 1 ) 51 7—4 O : 0 36 /。s . 0 00 9 (0 0 0— 150 s 装置框图如图 1 示 。 所
样 品添 加剂 对 激 光诱 导等 离子 体辐 射 的增 强 效应
张琳 晶,陈金 忠 , 杨少鹏 ,魏艳 红 ,郭庆林
河北大学物理科学与技术学院 , 河北 保定 子体的辐射特性 ,利用 由高能量 钕玻璃脉 冲激光 器 、 合式 多功能光栅 光 组
谱仪和 C D数据采集处理系统构成的光谱测量装 置,以国家土壤标 样为靶 , C 研究 了 Na 1 品添加剂对 激 C样 光等离子体辐射强度的影响 , 由光谱线 的强度 和 Sak 宽分别计算 了等离子 体的 电子温度 和 电子密度 。 并 tr 展
镜照 明系统 ( 一7 9mm) ,1:1 成像 ; 据采集处理 系统等 。 数
收稿 日期 : 0 90 —2 2 0 —60 。修订 日期 : 0 90 —6 2 0 —90
于一个 三维可调的平台上 , 保证样 品表面位 于激光束最佳 聚
基金项 目: 国家 自然科学基金项 目( 0 7 0 6 和河北省 自 6680) 然科学基金项 目( 2 0 O O 5 ) A O 6 0 9 1 资助 作者简介 : 张琳 晶, , 9 3 女 18 年生 , 河北大学 物理科学与技术学院硕士研究生
激光焊接产生等离子的原理
激光焊接产生等离子的原理激光焊接产生等离子的原理是基于激光与金属材料相互作用的物理过程。
当高能密度激光束照射到金属材料表面时,光能被吸收并转化为热能,导致材料表面温度迅速升高。
此时,激光与材料的相互作用会引发一系列复杂的光学、热学和电离过程,从而产生等离子。
首先,当激光束照射到金属材料表面时,激光能量被吸收并转化为热量。
金属材料的吸收率取决于其波长和特性,激光通常选择能够被研究材料吸收的波长。
吸收激光能量的热量会迅速传导到金属内部,导致焊接区域温度升高。
随着温度升高,金属材料开始融化。
金属的融点取决于其类型和化学成分,不同材料的融点会有所不同。
当金属温度超过其融点时,金属开始在激光束的作用下熔化。
这种过程称为光熔化。
在金属熔化的过程中,激光穿过熔池并与金属相互作用。
激光束不仅能够在材料表面激发原子和分子的电子,还可以将带有能量的光子传递给金属原子,使其离开晶体结构。
这些被激发的、能量较高的电子和离子通过复杂的电磁相互作用逐渐形成等离子。
等离子是由高能电子和离子组成的电离气体。
在激光焊接过程中,金属熔池的温度非常高,高能电子因受到热激发而逃逸,形成等离子体。
离子也会在金属液体中游离,并与周围的电子相互作用。
形成等离子体后,激光束继续通过等离子体。
等离子体具有非常好的导电性和导热性能,可以吸收、反射或折射激光束。
在焊接过程中,通过控制激光束的能量、聚焦和引导,可以使激光束集中在焊接区域上,实现焊接材料的精确加热和熔化。
同时,等离子体还可以稳定焊接区域的气氛,防止氧化或污染物进入焊接区域。
总之,激光焊接产生等离子的原理是通过高能密度激光束的照射,将能量转化为热能,使金属材料表面温度升高,并在高温下熔化形成焊接池。
同时,激光与金属相互作用,使金属原子和分子电离形成等离子,进一步加热、熔化和焊接金属材料。
等离子体的形成使激光束能够在焊接过程中准确加热焊接区域,实现高质量的焊接连接。
超强激光与等离子体相互作用中的强场效应
超强激光与等离子体相互作用中的强场效应超强激光与等离子体相互作用中的强场效应激光技术的发展,使得激光在科学、医疗、军事等领域得到了广泛应用。
随着激光技术的不断进步,激光与物质相互作用中的强场效应越来越受到研究者们的重视。
其中,超强激光与等离子体相互作用中的强场效应尤为突出。
超强激光导致等离子体产生强场效应,是由于激光的高强度、短脉冲等特性所致。
当超强激光束入射到等离子体上时,激光的光子能量将被转换为等离子体中的电子能量,导致电子的强加速和高速运动。
在激光与等离子体相互作用中,强场效应主要表现在以下三个方面。
首先,强场效应导致等离子体中的电子发生强加速和高速旋转。
当激光束入射等离子体时,它与等离子体中的电子进行相互作用,导致电子在激光场中发生强加速和高速旋转。
这种强加速和高速旋转的电子会发生辐射过程,产生X射线和高能粒子等现象。
其次,强场效应导致等离子体中的离子发生电离和混沌效应。
电离是指激光束入射到等离子体中,导致部分原子或分子失去电子而形成离子。
在强场效应下,电离率急剧增加,导致等离子体内的离子数量迅速增加。
在此基础上,等离子体中的离子和电子相互作用,产生复杂的混沌效应。
最后,强场效应导致等离子体中的光子反应过程加速。
等离子体中的光子反应是指当激光束入射到等离子体时,部分电子在激光场中受到强烈作用而发生辐射,产生硬X射线和γ射线等高能量光子。
在强场效应的影响下,光子反应过程的速度加快,这种现象被称为“光子加速器”。
总之,超强激光与等离子体相互作用中的强场效应是当前研究的热点领域之一。
随着激光技术的不断发展,对强场效应的研究将对科学技术发展产生重要影响。
等离子体 测试方法
等离子体是一种由自由电子和离子组成的高能量、高活性的物质状态,常见的等离子体测试方法包括但不限于以下几种:
1. 发射光谱法:通过测量等离子体发射的光谱线的强度和波长,可以确定等离子体中的元素组成和浓度。
2. 激光诱导荧光法:利用激光激发等离子体中的原子或分子,使其产生荧光,通过测量荧光的强度和波长,可以确定等离子体中的元素组成和浓度。
3. 质谱法:通过将等离子体中的离子引入质谱仪中进行分析,可以确定等离子体中的元素组成和浓度。
4. 光学发射光谱法:通过测量等离子体发射的光谱线的强度和波长,可以确定等离子体的温度和电子密度。
5. 激光干涉法:利用激光干涉仪测量等离子体中的密度波动,可以确定等离子体的电子密度和温度。
以上是一些常见的等离子体测试方法,不同的测试方法适用于不同的等离子体参数和应用场景。
在选择测试方法时,需要根据具体的需求和实验条件进行选择。
抑制激光焊接等离子体负面效应的方法
东莞市力华机械设备有限公司
抑制激光焊接等离子体负面效应的方法
激光焊接的时候我们怎么样才能将等离子体负面效应抑制呢,下面给大家带来一些抑制激光焊接等离子体负面效应的方法。
1)侧向下吹气法:在熔池小孔上方,沿侧下方吹送保护气体,其作用是,一方面吹散电离气体,另一方面还有对熔化金属的保护作用。
2)同轴吹送保护气体法:与侧向下吹气相比,该方法可将部分等离子体压入熔池小孔内,增强对焊缝的加热。
3)双层内外圆管吹送异种气体法:喷嘴由两个同轴圆管组成,外管通He气,内管通氩气,此方法适用于中等功率的CO2激光焊接。
4)光束纵向摆动法:此方法利用光束的移动来避开等离子体。
5)低气压法:该方法的原理是,光束周围压力低时,气体的密度小,等离子体云中的电子密度小,因而减小了等离子体的不良影响。
此方法需要真空室。
6)侧吸法:吸管置于激光束与工件的作用点附近,达成一定的角度,吸管接上抽气机,从而在工件表面形成局部低压,减小了等离子体的体积和电荷数量。
7)外加电场法:在熔池上方的等离子体区域两侧,加一直流电场,使等离子体内正、负电荷向两侧运动,减小对激光的散射和吸收。
8)外加磁场法:适当的磁场可降低激光束通道上的电子密度,进而减小了对激光的散射和吸收。
以上就是抑制激光焊接等离子体的负面效应方法。
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激光等离子体冲击波的形成 若入射激光强度I 1足够大, 材料表面在极短瞬间吸 收极高能量, 则所产生的等离子体物质冲击波速度大于 声音冲击波速度, 并导致相当多的金属蒸气物质冲击, 此 种类型等离子体冲击波归结为激光维持的爆轰波; 当激光强度I 3相对较低时, 则材料冲击波速度低于 声音冲击波速度, 即以亚音速度传播, 并具有较小的金属 蒸气物质冲击, 其冲击波能量来自于等离子体吸收激光 后产生的等离子体辐射, 这叫做激光维持燃烧波; 当激光强度I 2处于I 3< I 2< I 1时, 所产生的等离子体 物质冲击波, 与声音冲击波具有相近的传播速度, 称之为 激光维持弱爆轰波. 同样条件下, 等离子体冲击波的大小主要与入射激光 强度有关. 激光维持的燃烧波有利于焊接过程的进行, 而 爆发波使焊接过程无法进行, 必须加以控制.
了原子与离子的能级,他们相互靠得很近以致发生能 级重叠。等离子体温度越高,电离程度越高。电子在 连续区域或连续与分立能级之间的跃迁构成了连续光 谱。由于产生连续跃迁的范围很大,连续光谱区很宽 从紫外到红外都有。但是影响连续背景的大小与诸多 因素有关,特别是与所加的缓冲气体的气压有关,缓 冲气体气压越高,背景辐射越强。 第二,在连续辐射背景上叠加的分立的原子、离子谱 线具有不同的演化速率。分立谱来自电子在原子和离 子束缚能级间的跃迁。随时间的推移,各原子和离子 光谱线的强度呈现不同的变化趋势。总体上表现为所 用谱线的强度随时间先增加后减弱。 总之,激光烧蚀的等离子体光谱存在连续辐射形成的 连续谱,以及电子在不同束缚能级间跃迁产生特征辐 射形成的分立谱。
第二步,烧蚀的初始产物与激光在靶面附近相互作 用,导致溅射出的物质进一步加热、电离等。这一 过程产生三个主要的效应:一是金属导带中的电子 在晶格场中由于吸收激光辐射而进一步电离有可能 引起雪崩式电离过程发生;二是具有一定能量的离子 与原子、分子碰撞也可引起电离发生;三是处于激 发态的原子和分子的光电离和处于基态的原子分子 的多光子电离同时存在。那么经过这两步以后,就 会在金属靶表面形成原子、分子、离子、团簇等共 存的激光等离子体。
5.1作物质 3—玻璃套管 4—部分反射镜 5—聚光镜 6—氙灯 7—电源
5.2 激光束特性
方向性强 激光束的方向性与激光器的工作物质种类和光 学谐振腔的形式等有关 单色性好 单色性好。普通光源的发光是大量能级间的辐 射跃迁,其谱线很宽,呈连续或准连续分布,是多 种波长的光。 激光的单色性好,一些气体激光器,如氦氖激 光,谱线宽度极窄,不到10-8 nm。这比普通光源中 单色性最好的氪(86Kr) 灯的谱线窄数万倍。
5 激光等离子体的形成及 应用
工作物质 能在特定的条件下,使高能级的粒子数多于低能级的 粒子数,即粒子数反转。 固体、液体、气体 谐振腔 使受激辐射产生的光在腔内不断地来回反射,在此期 间,每经过一次工作物质,光就得到一次放大,当光被 放大到超过腔内损耗(如衍射、吸收、散射等损失),就 产生了光振荡,并在部分反射镜一端输出激光。 激励源 为激光器提供能量的来源和方式,以在工作物质中形 成粒子数反转。 电激励和光激励
5.6 激光等离子体发射光谱
由上面激光烧蚀等离子体的形成过程可以看出,激光 等离子体是一个高温体系。在以前的实验中曾经测量 过激光烧蚀产生的等离子体电子的温度可达10 4 K 以 上,在这样的高温体系中,一切物质都可以熔化成为 分子或原子,而且分子、原子或离子可以被激发到不 同的能级上,因而存在高能级向低能级的跃迁,产生 很强的发射光谱。激光等离子体的发射光谱有以下两 个重要特征: 第一,激光等离子体发射光谱有很强的连续背景辐射。 连续辐射产生的原因是:在原子的离化极限以上是能 量的连续区,接近离化限处有一片准连续能级区这是 由于高密度电子与离子的电场与高温展宽
激光从表面入射到材料内部深度为处的光强 az 0
qz q e
一般将激光在材料内的穿透深度定义为光强降至 I0/e时的深度,因而穿透深度为1/a
为了得到加热阶段的温度分布,必须求解热传导 微分方程。对于各向同性的均匀材料,激光加热的 热传导偏微分方程的一般形式为 T T T T cl t t y z t z Qx, y, z, t t x x y 如果光功率的损耗全部变成热量,则有
Qx, y, z, t qx, y, z, t
从理论上讲,根据加工时的各工艺参数以及初始条 件,可以解出加工过程中激光照射区的温度场分布。 但实际加工时,各方面的因素使热传导方程的求解 十分困难
简化:如果半无限大(即物体厚度无限大)物体 表面受到均匀的激光垂直照射加热,被材料表面吸 收的光功率密度不随时间改变,而且光照时间足够 长,以至被吸收的能量、所产生的温度、导热和热 辐射之间达到动平衡,此时圆形激光光斑中心的温 度可以由下式确定
1 exp[ K s ( x)dx]
0
l
Ks与波长的平方成正比。
现设一功率密度为Ps0的入射激光穿透长度为l的蒸 气等离子体区域,透射激光功率密度为P,那么有
dPs K s Ps dx P dP Ps Ps 0 s d ln ln Ps 0 P Ps 0 Ps s
(4) 激光等离子体屏蔽现象
图2 等离子云变化的过程
5.5 固体靶表面激光等离子体形成与发展机理
激光等离子体的形成 在激光烧蚀固体靶的过程中,当激光功率密度 达到一定的阈值,便会产生等离子体,其产生的微 观机理可以分为两步: 第一步,当激光照射在金属表面,金属表面附近 的电子通过逆韧致复合而吸收光子,吸收了能量的 电子再通过电子-声子相互作用而将其吸收的能量 传递给金属晶格。电子在被加热的过程和晶格的能 量传递都是在几个皮秒的时间内完成,因而电子温 度与晶格的振动温度上升很快,最终导致晶格间键 的断裂发生金属的气化、爆炸等现象。
当激光由空气垂直入射到平板材料上时,根据菲 涅尔公式,反射率为
n1 1 n22 n 1 R 2 2 n 1 n1 1 n2
2 2
(2) 材料的加热 设入射激光束的光功率密度为qi,材料表面吸收 的光功率密度为q0 ,则有
q0 Aqi qi 1 R
7 激光等离子体参数测量方法
激光等离子体参数测量方法 光学阴影法、高速摄影法、激光干涉法、 Thomson散射法和激光光谱法等等。 其中;光学阴影法只能定性的给出激光等离子 体折射率的分布,不能进行定量的分析
准直光纤 α+Dα Q’
DyD
Dy
y x L
α Q
Z
阴影法探测原理
高速摄影法只能对激光等离子体的形态演变进 行研究,不能进行定量的研究。 光谱法可以测量激光等离子体的电子密度等参 数,然而,对于激光等离子体的初期,由于等离子 强烈的连续背景光辐射,很难通过光谱法获得激光 等离子体的电子密度。 当外来电磁波入射到自由电子上时,电子作 受迫振动,从而向外辐射电磁波,这个过程可视作 电子对入射电磁波的散射,特别当相对论和量子效 应可忽略的情况成为Thomson散射。 Thomson散射 法可以测量很高的密度,然而实验却非常的复杂。
激光作用于靶表面,引发蒸气,蒸气继续吸收激光能量, 使温度升高,最后在靶表面产生高温高密度的等离子体。 等离子体迅速向外膨胀,在此过程中继续吸收入射激光, 阻止激光到达靶面,切断了激光与靶的能量耦合。等离子 体继续吸收激光剩余能量,并继续向外迅速膨胀,形成等 离子体冲击波,直至最后等离子体熄灭。
(3)激发态原子与电子相互作用产生电离 Al*+e+2.86eV——Al++2e (4)激发态Al*的辐射湮灭 Al*——Al+hv (5)共振光子的再吸收引起光致再结合和光致电离 Al*+e——Al+hv (6)电子的碰撞迟豫过程 (7)通过原子和离子的碰撞引起的激发、电离和再 结合等 Al+Al+3.14eV——Al*+Al Al+Al+6.0eV——Al+Al+e Al+Al*+2.86eV——Al++Al+e Al++Al+3.14eV——Al++Al* Al++Al+6.0eV——Al++Al++e Al++Al*+2.86eV——Al++Al++e
5.4 激光与物质相互作用原理
对激光与材料的相互作用过程的物理描述可以分为 以下四个方面: (1) 材料对激光的吸收 激光热加工时首先发生的是材料对激光能量的吸 收。透入材料内部的光能主要对材料起加热作用。 不同材料对不同波长激光吸收率不同。假设材料 表面反射率为R,则吸收率为
A 1 R
相干度高 是指在空间任意两点光振动之间相互关联的 程度 。激光是受激辐射产生的,发射的光子具有 相同的频率、位相和方向,因而相干性很高。 能量密度大 激光的功率密度大是通过光能在空间的高度集 中实现的。如果将激光发射的时间尽量缩短可以 获得更高的峰值功率 。
医学 从1962 年第一例用激光治疗视网膜脱落开始, 激光医学逐渐发展,现已在医学领域开辟了一 个广阔的天地。目前激光应用最多和最成功的 是在眼科和皮肤科。通过光导纤维进行介入的 激光光动力治疗也很有前途。 军事 强激光技术 (激光武器、激光推进)、激光模 拟训练技术 ,激光测距技术、激光制导技术、激 光通信技术 。