电子电路基础习题册01

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

《电子电路基础习题册》参考答案(第三版)

全国中等职业技术(电子类)专业通用教材、第一章一、二节习题答案

第一章常用半导体器件

§1-1 晶体二极管

一、填空题

1、物质按导电能力的强弱可分为导体、绝缘体和半导体三大类,最常用的半导体材料是硅和锗。

2、根据在纯净的半导体中掺入的杂质元素不同,可形成N 型半导体和P

型半导体。

3、纯净半导体又称本征半导体,其内部空穴和自由电子数相等。N型半导体又称电子型半导体,其内部少数载流子是空穴;P型半导体又称空穴型半导体,其内部少数载流子是电子。

4、晶体二极管具有单向导电性,即加正向电压时,二极管导通,加反向电压时,二极管截止。一般硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V;二极管导通后,一般硅二极管的正向压降约为0.7 V,锗二极管的正向压降约为

0.3 V。

5.锗二极管开启电压小,通常用于检波电路,硅二极管反向电流小,在整流电路

及电工设备中常使用硅二极管。

6.稳压二极管工作于反向击穿区,稳压二极管的动态电阻越小,其稳压性能好。7在稳压电路中,必须串接限流电阻,防止反向击穿电流超过极限值而发生热击穿损坏稳压管。

8二极管按制造工艺不同,分为点接触型、面接触型和平面型。

9、二极管按用途不同可分为普通二极管、整流二极管、稳压二极管、开关、热敏、发光和光电二极管等二极管。

10、二极管的主要参数有最大整流电流、最高反向工作电压、反向饱和电流和最高工作频率。

11、稳压二极管的主要参数有稳定电压、稳定电流和动态电阻。

12、图1-1-1所示电路中,二极管V1、V2均为硅管,当开关S与M相接时,A点的电位为无法确定V,当开关S与N相接时,A点的电位为0 V.

13图1-1-2所示电路中,二极管均为理想二极管,当开关S打开时,A点的电位为10V 、流过电阻的电流是4mA ;当开关S闭合时,A点的电位为0 V,流过电阻的电流为2mA 。

14、图1-1-3所示电路中,二极管是理想器件,则流过二极管V1的电流为0.25mA ,流过V2的电流为0.25mA ,输出电压U0为+5V。

15、光电二极管的功能是将光脉冲信号转换为电信号,发光二极管的功能是将电信号转换为光信号。

16、用数字式万用表测量二极管,应将功能开关置于二极管挡,将黑表笔插入com 插孔,接二极管的负极;红表笔插入V,Ω插孔,接二极管的正极,其显示的读数为二极管的正向压降。

一、判断题

1、在外电场作用下,半导体中同时出现电子电流和空穴电流。(√)

2、P型半导体中,多数载流子是电子,少数载流子是空穴。(×)

3、晶体二极管有一个PN结,所以有单向导电性。(√)

4、晶体二极管的正向特性也有稳压作用。(√)

5、硅稳压管的动态电阻小,则稳压管的稳压性能愈好。(√)

6、将P型半导体和N型半导体用一定的工艺制作在一起,其交界处形成PN结。(√)

7、稳压二极管按材料分有硅管和锗管。(×)

8、用万用表欧姆挡的不同量程去测二极管的正向电阻,其数值是相同的。(×)

9、二极管两端的反向电压一旦超过最高反向电压,PN结就会击穿。()

10、二极管的反向电阻越大,其单向导电性能越好。(×)

11、用500型万用表测试发光二极管,应选R×10K挡。(√)

三、选择题

1、当环境温度升高时,晶体二极管的反向电流将(A )。

A.增大 B .减小 C. 不变

2、测量小功率晶体二极管性能好坏时,应把万用表欧姆档拨到(A )。

A .R×100或R×1K B. R ×1 C. R×10K

3、半导体中的空穴和自由电子数目相等,这样的半导体称为(B )。

A. P型半导体

B. 本征半导体C、N型半导体

4、稳压管的稳压性能是利用(B )实现的。

A.PN结的单向导电性 B .PN结的反向击穿特性

C.PN结的正向导通特性

5、电路如图1-1-4所示,已知两个稳压管的UZ1=7V,UZ2=5V它们的正向压降均为0.7V,则输出电压U0为(C )

A. 12V

B. 5.7V

C. 7.7V

D.7V

6、在图1-1-5所示的电路中,流过二极管的电流I1、I2分别是(D )。

A.I1=8mA , I2=0

B. I1=2mA

C. I1=0, I2=6mA

D. I1=0, I2=8mA

7、二极管的正向电阻(B )反向电阻。

A.大于

B. 小于

C.等于

D.不确定

8、电路如图1-1-6所示,V为理想二极管,则二极管的状态为(A )。

A.导通

B.截止

C.击穿

9、上题中,A、B两端的电压为(C )。

A.3V

B. -3V

C.6V

D.-6V

10、某二极管反向击穿电压为140V,则它的最高反向工作电压为(C )。

A. 280V

B. 140V

C. 70V

D. 40V

11、二极管电路如图1-1-7所示,(1)处于导通状态的二极管是(A )。

A.只有V1导通B.只有V2导通C.V1、V2均导通D.V1、V2均不导通

(2)考虑二极管正向压降为0.7V时,输出电压U0为(B )。

A.-14.3V B.-0.7V C.-12V D.-15V

12、P型半导体中多数载流子是(D ),N型半导体中多数载流子是(C )。

A.正离子B.负离子C.自由电子 D.空穴

13、用万用表R×10和R×1K挡分别测量二极管的正向电阻,测量结果是(C )。A.相同B.R×10挡的测试值较小C.R×1K挡的测试值较小

14、用万用表不同欧姆档测量二极管的正向电阻值时,测得的阻值不相同,其原因是(c )。A.二极管的质量差B.万用表不同欧姆档有不同的内阻C.二极管有非线性的伏安特性

二、简答题

1、什么是本征半导体?N型半导体?PN结?

答:本征半导体即纯净的单晶半导体,其内部存在数量相等的两种载流子,一种是负电的自由电子,另一种是带正电空穴。

N型半导体又称电子型半导体其内部自由电子数多于空穴数量,P型半导体又称空穴型半导体其内部空穴多数载流子自由电子少数载流子。

PN结是采用掺杂工艺便硅和锗晶体的一边形成P型区,一边形成N型半导体。

五.分析、计算、作图题

1、判断图1-1-8中,理想二极管导通还是截止,若导通,则流过二极管的电流是多少?

相关文档
最新文档