带隙基准电路
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78.72-2.183 441-383
参考文献：
1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明 2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维
1
2
3
VREF
2VT ln n R43 VBEQ 32 R45
启动电路
图2.1 核心电路（含启动电路）
2.运放电路
三级运放 通过运放，使整个核心电路 的偏置电压独立于电源电压， 从而提高电源抑制比。
图2.2 运放电路
3.启动电路
图 2.3 启 动 电 路 保证运放正常工作，并提供偏置
V 当VBE 750mV , T 300K时， BE
I VBE VT ln C ,VT KT q IS
T
-1.5mV / K
( R2 R3 )
图1.2 基本的带隙基准源
R3 VREF
VBE 2 VT ln n
第二章 BandGap电路设计
1.核心电路（含启动电路）
基于0.35微米CMOS工艺的 带隙基准源设计
Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design
第一章 概述
1.BCD工艺简介 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件， 通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。
2.带隙基准源简介及其应用 模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准 电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很 小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的 基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。
温度系数
功耗
蒙特卡罗分析结果
SS
TT
FF
输出电压（V） 电源抑制比（dB）
温度系数（ppm/℃） 功耗（uA）
1.356-1.041 98.54-51.226
105.78-1.337 218-182
1.342-1.023 106.58-51.55
89.205-0.566 321-274
1.332-1.013 95.71-48.64
启动电路
三级运放 此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容 图2.4 整体电路
核心电路
第三章 仿真结果
1.输出电压
图 3.1 输 出 电 压 仿 真 图
SS 输出电压 1.25V
TT 1.23V
FF 1.22V
2.电源抑制比（PSRR）
图 电 源 抑 制 比 仿 真 图
3.2
SS PSRR 73dB
TT 72dB
FF 93dB
3.温度系数（TC）
图 3.3 温 度 系 数 仿 真 图
SS 温度系数 5.79ppm/℃
TT 1.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ3ppm/℃
FF 0.74ppm/℃
4.功耗
图 功 耗 仿 真 图
3.4
SS 功耗
TT
FF
0.99mW 1.35mW 2.05mW
5.蒙特卡罗分析
输出电压
电源抑制比
参考文献：
1.高电源抑制比的CMOS带隙基准电压源_吴志明 2.模拟CMOS集成电路设计_毕查德拉扎维
1
2
3
VREF
2VT ln n R43 VBEQ 32 R45
启动电路
图2.1 核心电路（含启动电路）
2.运放电路
三级运放 通过运放，使整个核心电路 的偏置电压独立于电源电压， 从而提高电源抑制比。
图2.2 运放电路
3.启动电路
图 2.3 启 动 电 路 保证运放正常工作，并提供偏置
V 当VBE 750mV , T 300K时， BE
I VBE VT ln C ,VT KT q IS
T
-1.5mV / K
( R2 R3 )
图1.2 基本的带隙基准源
R3 VREF
VBE 2 VT ln n
第二章 BandGap电路设计
1.核心电路（含启动电路）
基于0.35微米CMOS工艺的 带隙基准源设计
Based on 0.35um BCD Process BandGap reference design
第一章 概述
1.BCD工艺简介 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）功率集成电路器件， 通过MOS管的最高电压可达40V，最低为5V。
2.带隙基准源简介及其应用 模拟集成电路广泛地包含带隙基准电压源，由于带隙基准 电压源的输出电压与电源电压、工艺参数和温度的关系很 小，所以带隙基准电压源一直是集成电路中的一个重要的 基本模块，例如可应用于LDO或者电荷泵等。
温度系数
功耗
蒙特卡罗分析结果
SS
TT
FF
输出电压（V） 电源抑制比（dB）
温度系数（ppm/℃） 功耗（uA）
1.356-1.041 98.54-51.226
105.78-1.337 218-182
1.342-1.023 106.58-51.55
89.205-0.566 321-274
1.332-1.013 95.71-48.64
启动电路
三级运放 此电路共计49个MOS管，5个三极管，8个电阻和1个电容 图2.4 整体电路
核心电路
第三章 仿真结果
1.输出电压
图 3.1 输 出 电 压 仿 真 图
SS 输出电压 1.25V
TT 1.23V
FF 1.22V
2.电源抑制比（PSRR）
图 电 源 抑 制 比 仿 真 图
3.2
SS PSRR 73dB
TT 72dB
FF 93dB
3.温度系数（TC）
图 3.3 温 度 系 数 仿 真 图
SS 温度系数 5.79ppm/℃
TT 1.ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ3ppm/℃
FF 0.74ppm/℃
4.功耗
图 功 耗 仿 真 图
3.4
SS 功耗
TT
FF
0.99mW 1.35mW 2.05mW
5.蒙特卡罗分析
输出电压
电源抑制比