模拟电子技术题库答案

模拟电子技术

试题汇编

成都理工大学工程技术学院

电子技术基础教研室

2010-9

第一章 半导体器件

一、填空题

1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是 电子 ，少数载流子应是 空穴 。

2、 在N 型半导体中，电子浓度 大于 空穴浓度，而在P 型半导体中，电子浓度 小于 空穴浓度。

3、PN 结反向偏置时，空间电荷区将变 宽 。

4、双极型三极管输出特性的三个区域分别是_____饱和_____区、______放大___区、__截止________区。

5、场效应管分为两大类：一类称为_结型场效应管___________，另一类称为__ 绝缘栅场效应管_______。

6、PN 结外加反向电压，即电源的正极接N 区，电源的负极接P 区,这种接法称为___反向接法_______或_反向偏置_________。

7、半导体二极管的基本特性是 单向导电性 ____，在电路中可以起___整流____和___检波____等作用。

8、双极型半导体三极管按结构可分为__NPN_____型和__PNP_____型两种，它们的符号分别为_______和________。

9、PN 结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的 扩散 运动和少数载流子的___漂移_____运动。

10、硅二极管的死区电压约为__0.5____V ，锗二极管的死区电压约为__0.1____V 。 11、晶体管穿透电流CEO I 是反向饱和电流CBO I 的___1+β_______倍，在选用晶体管的时候，一般希望CBO I 尽量___小_______。 12、场效应管实现放大作用的重要参数是___跨导_m

g ______。

13、PN 结具有__单向导电_______特性。

14、双极型三极管有两个PN 结，分别是___集电结____和_发射结______。

15、为了保证三极管工作在放大区，应使发射结_____正向________偏置，集电路______反向_______偏置。

16、场效应管是____电压______控制型元件，而双极型三极管是____电流_______控制型元件。

17、本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载流子应是电子。

18、P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是电子。

19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区,这种接法称为正向接法或_正向偏置______。

20、从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极______、___发射极____和__基极______。

21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加_正____________向电压；（2）集电结外加___反________向电压。

22、N型半导体可用___正________离子和等量的___负电子________来简化表示。

23、PN结正向偏置时，空间电荷区将变___窄________。

24、二极管的两个电极分别称为__阳____极和__阴____极，二极管的符号是

________。

25、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会__左___移，输出特性曲线会上________移，而且输出特性曲线之间的间隔将__增大_________。

26、影响双极型三极管参数变化的主要因素是___温度__________。

27、P型半导体可用_负______离子和等量的___空穴_____来简化表示。

28、主要半导体材料是_硅_____和__锗____；两种载流子是__空穴_______和__电子_______；两种杂质半导体是_P型________和___N型________。

29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。

I会增加30、当温度升高时，三极管的参数β会变大________，CBO

________，导通电压会变小_________ 。

31、双极型三极管有两种载流子导电，即____多数载流子_________和_少数载流子____________导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即__多数载流子___________导电。

32、N 型半导体的多数载流子是 电子 ，少数载流子是___空穴_____。 33、某晶体管的极限参数mW P CM 150=，mA I CM 100=，V U CEO BR 30)(=。若它的工作电压V U CE 10=，则工作电流不得超过__15_____mA ；若工作电压V U CE 1=，则工作电流不得超过____100___mA ；若工作电流mA I C 1=，则工作电压不得超过___30____V 。

34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为A V =－9V ， B V =－6.2V ，C V =－6V ，则该三极管是______PNP_______型三极管，A 为_______集电______极，B 为_____基________极，C 为______发射_______极。 35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是__β___。

36、场效应管输出特性的三个区域分别是_______恒流______区、____可变电阻_________区、___夹断__________区。

37、纯净的、不含其他杂质的半导体称为_____本征半导体_____。

38、场效应管与晶体管比较， 场效应 管的热稳定好，输入电阻高， 晶体 管的放大能力强。

39、双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是__发射区_______、___基区_______和___集电区_______。

二、选择题

1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏导通状态。

A ．0

B ．死区电压

C ．反向击穿电压

D ．正向压降 2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。

A ．少子

B ．多子

C ．杂质离子

D ．空穴