集成电路设计导论
《微电子与集成电路设计导论》第五章 集成电路基础
图5.2.10 与非门电路
图5.2.11-5.2.14 电路图
图5.2.15 与非门输出响应
当A、B取不同组合的 逻辑电平时,与非门 电路的输出响应如图 5.2.15所示。
2. 或非门电路
A=0,B=0
A=0,B=1
A=1,B=0
A=1,B=1
图5.2.16 或非门电路
图5.2.17-5.2.20 A=0,B=0时的电路图
性能指标:除增益和速度外,功耗、电源电压、线性度、噪声和最大 电压摆幅等也是放大器的重要指标。此外,放大器的输入输出阻抗将 决定其应如何与前级和后级电路进行相互配合。在实际中,这些参数 几乎都会相互牵制,一般称为“八边形法则”,茹右下图所示。
➢ 增益:输出量Xout与输入量Xin的比值
➢ 带宽:指放大器的小信号带宽。
特性参数相同,当电压翻转上升时,漏极电流
ID
Kn
W L
Vin
VTN
2
0
I
Imax
即一周期的平均电流
Imean
1 6
Kn
W L
1 VDD
VDD VTN
3
Tclk
综上,短路功耗最终为
Psc VDDImean
CMOS逻辑门电路
1.与非门电路
A=0,B=0
A=0,B=1
A=1,B=0
A=1,B=1
许的临界电平和理想逻辑电平之间的范围为 CMOS电路的直流噪声容限,定义为
VNH VOH VIH
VNL VIL VOL
图5.2.6 极限输出电平定义的噪声容限
(2)极限输出电平定义的噪声容限 根据实际工作确定所允许的最低的输出
高电平VOHmin,它所对应的输入电平定义为 关门电平VOFF;给定允许的最高的输出低电 平VOLmax,它所对应的输入电平定义为开门 电平VON。开门电平和关门电平与CMOS电 路的理想输入逻辑电平之间的范围就是 CMOS电路的噪声容限。如左图所示是反相 器的噪声容限 输入高电平噪声容限:
第1章 集成电路设计导论
1.3 集成电路设计步骤
❖ “自底向上”(Bottom-up)
“自底向上”的设计路线,即自工艺开始,先进行单元设 计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统 设计直至最终完成整个系统设计。在模拟IC和较简单的数 字IC设计中,大多仍采用“自底向上”的设计方法 。
❖ “自顶向下”(Top-down)
集成电路的历程:
1947-1948年: 世界上第一只晶体三极管面世。 1950年: 成功研制出结型晶体管 1952年: 英国皇家雷达研究所 第一次提出“集成电路”的设想
贝尔实验室的第一支晶体管
8
1.1 集成电路的发展
集成电路的历程:
1958年: 在美国德州仪器公司工作的Jacky Killby制造 出世界上第一块 集成电路—双极 型晶体管集成电路。
“或”矩阵 输出电路
可编程
固定
可编程
固定
固定
固定
固定 可由用户组态
四种简单PLD器件的比较
32
几种集成电路设计方法的比较
33
1.5 电子设计自动化技术概论
随着IC集成度的不断提高,IC规模越来越大、复杂度越来 越高,采用CAD辅助设计是必然趋势 。 ➢第一代IC设计CAD工具出现于20世纪60年代末70年代初, 但只能用于芯片的版图设计及版图设计规则的检查。 ➢第二代CAD系统随着工作站(Workstation)的推出出现于 80年代。其不仅具有图形处理能力,而且还具有原理图输入 和模拟能力 。 ➢如今CAD工具已进入了第三代,称之为EDA系统。其主要 标志是系统级设计工具的推出和逻辑设计工具的广泛应用。34
设计方法
20
1.4.1 全定制设计(Full-Custom Design)
第1章集成电路设计导论
1、微电子(集成电路)技术概述 2、集成电路设计步骤及方法
1
集成电路设计步骤
➢ “自底向上”(Bottom-up)
“自底向上”的设计路线,即自工艺开始,先进行单元设 计,在精心设计好各单元后逐步向上进行功能块、子系统 设计直至最终完成整个系统设计。在模拟IC和较简单的数 字IC设计中,大多仍采用“自底向上”的设计方法 。
5
半定制方法
半定制的设计方法分为: 门阵列(GA:Gate Array)法; 门海(GS:Sea of Gates)法; 标准单元(SC: Standard Cell)法; 积木块(BB:Building Block Layout); 可编程逻辑器件(PLD:Programmable Logic Device)设计法。
标准单元法也存在不足:பைடு நூலகம்
(1) 原始投资大:单元库的开发需要投入大量的人力物力;当工艺变化时, 单元的修改工作需要付出相当大的代价,因而如何建立一个在比较长的时 间内能适应技术发展的单元库是一个突出问题。 (2) 成本较高:由于掩膜版需要全部定制,芯片的加工也要经过全过程,因 而成本较高。只有芯片产量达到某一定额(几万至十几万),其成本才可接受。
不满足 后仿真
满足
VLS流I数片、字封I装C、的测设试 计流图
功能要求
系统建模 (Matlab等)
不满足 电路仿真
满足 手工设计
版图 不满足
后仿真 满足
模流拟片、IC封的装、设测计试 流图
3
集成电路设计方法
➢ 全定制方法(Full-Custom Design Approach) ➢ 半定制方法(Semi-Custom Design Approach)
《微电子与集成电路设计导论》第四章 半导体集成电路制造工艺
4.4.2 离子注入
图4.4.6 离子注入系统的原理示意图
图4.4.7 离子注入的高斯分布示意图
4.5 制技术 4.5.1 氧化
1. 二氧化硅的结构、性质和用途
图4.5.1 二氧化硅原子结构示意图
氧化物的主要作用: ➢ 器件介质层 ➢ 电学隔离层 ➢ 器件和栅氧的保护层 ➢ 表面钝化层 ➢ 掺杂阻挡层
F D C x
C为单位体积掺杂浓度,
C x
为x方向上的浓度梯度。
比例常数D为扩散系数,它是描述杂质在半导体中运动快慢的物理量, 它与扩散温度、杂质类型、衬底材料等有关;x为深度。
左下图所示如果硅片表面的杂质浓 度CS在整个扩散过程中始终不变, 这种方式称为恒定表面源扩散。
图4.4.1 扩散的方式
自然界中硅的含量 极为丰富,但不能 直接拿来用。因为 硅在自然界中都是 以化合物的形式存 在的。
图4.1.2 拉晶仪结构示意图
左图为在一个可抽真空的腔室内 置放一个由熔融石英制成的坩埚 ,调节好坩埚的位置,腔室回充 保护性气氛,将坩埚加热至 1500°C左右。化学方法蚀刻的籽 晶置于熔硅上方,然后降下来与 多晶熔料相接触。籽晶必须是严 格定向生长形成硅锭。
涂胶工艺的目的就是在晶圆表面建立薄的、均匀的、并且没有缺陷的光刻胶膜。
图4.2.4 动态旋转喷洒光刻胶示意图
3. 前烘
前烘是将光刻胶中的一部分溶剂蒸发掉。使光刻胶中溶剂缓慢、充分地挥发掉, 保持光刻胶干燥。
4. 对准和曝光
对准和曝光是把掩膜版上的图形转移到光刻胶上的关键步骤。
图4.2.5 光刻技术的示意图
图4.2.7 制版工艺流程
4.3 刻蚀
(1)湿法腐蚀
(2)干法腐蚀 ➢ 等离子体腐蚀 ➢ 溅射刻蚀 ➢ 反应离子刻蚀
《超大规模集成电路设计导论》第5章:版图设计技术
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1、宽度及间距:
类型
最小宽度
Diff
3
Poly
2
Al
3
diff-poly
最小间距
3 2
• 关于间距:
diff:两个扩散区之间的间距不仅取决于工艺 上几何图形的分辨率,还取决于所形成器件 的物理参数。如果两个扩散区靠得太近,在 工作时可能会连通,产生不希望出现的电流。
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Poly:取决于工艺上几何图形的分辨率。 Al:铝生长在最不平坦的二氧化硅上,因此, 铝的宽度和间距都要大些,以免短路或断铝。
diff-poly:无关多晶硅与扩散区不能相互重 叠,否则将产生寄生电容或寄生晶体管。
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2、接触孔: • 孔的大小:22 • diff、poly的包孔:1 • 孔间距:1
7
五、压缩
压缩是布线完成后的优化处理过程,它试图进 一步减小芯片的面积。目前常用的有一维和 二维压缩,较为成熟的是一维压缩技术。在 压缩过程中必须保证单元相对位置不变、线 网连接性不变、版图几何图形间不违反设计 规则。
布图过程往往是一个反复迭代求解过程。必 须注意布图中各个步骤算法间目标函数的一 致性,前阶段要尽可能考虑到对后续阶段的 影响。
在整个设计过程中,设计者可以通过显示,观察任 意层次版图的局部和全貌;可以通过键盘、数字化 仪或光笔进行设计操作;可以通过绘图机得到所要 绘制的版图图形。利用计算机辅助设计,可以降低 设计费用和缩短设计周期。
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3、自动化设计
在版图自动设计系统的单元数据库中,存有标准单 元的电路图、电路性能参数及版图。在版图设计时, 只要将所设计的电路图(Netlist)输入到自动设计 系统中,再选择版图的设计规则和工艺参数库,自 动设计工具可以进行自动布局设计、自动布线设计 并根据设计要求进行设计优化,最终输出版图。
学习集成电路设计导论总结报告,心得体会
学习集成电路设计导论总结报告,心得体会篇一:我的专业导论学习体会我的专业导论学习体会学业是大学生立身之本,是大学生应当集中精力努力掌握的知识、能力、素质体系。
具备和拥有好的学业,才会有好的就业、好的职业。
而专业导论这门课程正是引导我们学好应用电子技术这个专业的课程。
信息科学导论是一门介绍信息科学与技术的基本内容的入门和导引性质的课程.该课程面向电子信息科学与技术专业以及其他相近专业的低年级学生,从整体的角度介绍当代信息科学与技术的主要内容和发展前沿的概貌.其目的是使学生在信息科学与技术方面能增加兴趣,扩展视野,立足前沿,展望未来,提高信息素养,为进入本专业的进一步学习奠定必要的基础。
通过学习专业导论,我们能够初步了解我们信息工程(应用电子技术方向)主要学习的内容以及应该具备的道德修养、能力、素质、精神,让我们对我们这个专业有更深层的了解,使我们能有一个初步的大学学习规划,同时也令我们初入大学不再迷茫。
专业导论课程讲述的科学技术有很多,包括微电子技术、光信息科学与技术、通信科学与技术、计算机科学与技术等有关信息的获取、传输、储存、检索、变换和处理的科学技术。
作为我们应用电子技术专业的学生,我们应该要掌握电路基础、低频电子线路、高频电子线路、数字电子线路、微机原理及应用、单片机原理及应用、自动化控制技术、通信技术基础、电子设计自动化、仪器原理与电测技术这几门科学技术,为以后就业打好科学技术的基础。
其中,微电子技术主要包括超精细加工技术、薄膜生长和控制技术、高密度组装技术、过程检测和过程控制技术等内容。
微电子技术当前发展的一个鲜明特点就是:系统级芯片(Systemonchip,简称Soc)概念的出现。
在集成电路(ic)发展初期,电路都从器件的物理版图设计入手,后来出现了ic单元库,使用ic设计从器件级进入到逻辑级,这样的设计思路使大批电路和逻辑设计师可以直接参与ic设计,极大的推动了ic产业的发展。
由于ic设计与工艺技术水平不断提高,集成电路规模越来越大,复杂程度越来越高,已经可以将整个系统集成为一个芯片。
《微电子与集成电路设计导论》第二章 半导体物理基础
导带
Eg
价带
2.5 半导体的掺杂
载流子:低温时,电子分别被束缚在四面体晶格中,因此无法作电的传导。但在 高温时,热振动可以打断共价键。当一些键被打断时,所产生的自由电子可以参 与电的传导。而一个自由电子产生时,会在原处产生一个空缺。此空缺可由邻近 的一个电子填满,从而产生空缺位置的移动,并可被看作与电子运动方向相反的 正电荷,称为空穴(hole)。半导体中可移动的电子与空穴统称为载流子。
F(E)
500K 0.5
300K
费米能级(Fermi level):是电
100K
子占有率为1/2时的能量。
≈
-0.5 -0.4 -0.3 -0.2 -0.1 0 0.1 0.2
Ga 0.065 0.011
Si
1.12
Sb 0.039
0.045 B
P
As
0.045 0.054
0.067 0.072 Al Ga
Ti
C
0.21
0.25
0.34 0.35 D
0.16
In Pd
Pt 0.25
0.36 0.3 D
Au O
0.16 0.38 A 0.54 0.51 A 0.41
0.29 D
+4
0, 1 , 0 2
+4
+4
+4
+4
半导体的共价键结合
砷化镓为四面体闪锌矿结构,其主要结合也是共价键,但在砷化镓中存在微 量离子键成分,即Ga+离子与其四个邻近As-离子或As-离子与其四个邻近Ga+ 离子间的静电吸引力。以电子观来看,这表示每对共价键电子存在于As原子的时 间比在Ga原子中稍长。
杂质半导体
非本征(杂质)半导体:当半导体被掺入杂质时,半导体变 成非本征的(extrinsic),而且引入杂质能级。
超大规模集成电路设计导论课程设计
超大规模集成电路设计导论课程设计介绍超大规模集成电路(Very Large-Scale Integration,简称VLSI)是指将许多电子器件、电子元件和电路系统高度集成在一起,形成一个功能强大的芯片。
VLSI 技术是电子信息科学与技术的重要分支之一,应用范围广泛,从计算机芯片到计算机网络、通信系统、控制系统等领域都有广泛的应用。
本文将介绍超大规模集成电路设计导论课程设计的相关内容。
课程设计任务超大规模集成电路设计导论课程设计的任务是设计一个最小的超大规模集成电路芯片,实现指定的功能。
学生需完成以下任务:1.设计一个基于MOSFET电路的逻辑电路。
学生需要掌握MOS场效应管的基本工作原理,了解CMOS电路的基本操作和管路的结构。
2.进行电路级仿真。
学生需要使用常用的电路设计软件进行电路仿真,如HSpice、Cadence等。
3.进行物理级设计。
学生需要熟悉并掌握芯片物理设计的相关知识,包括版图设计、布线、电源分配等。
4.进行芯片测试。
学生需要设计并实现相应的测试电路,并进行芯片测试,以验证芯片的正确性和稳定性。
设计流程超大规模集成电路设计导论课程设计的设计流程可以分为以下几个步骤:步骤一:确定电路功能在超大规模集成电路设计导论课程设计中,首先需要确定电路的功能。
学生需要根据课程要求,确定芯片的功能模块,例如逻辑门、存储器等。
步骤二:电路设计在确定电路功能之后,学生需要进行电路设计。
主要的工作包括选择电路拓扑结构,确定器件大小和参数等。
步骤三:电路仿真完成电路设计后,学生需要进行电路仿真。
通过仿真可以预测电路的性能和工作过程,根据仿真结果进行电路调整和参数优化。
步骤四:物理级设计完成电路仿真之后,需要进行物理级设计。
主要的工作包括版图设计、布线和电源分配等。
学生需要熟练运用芯片设计软件,如Cadence等。
步骤五:芯片制造完成物理级设计后,学生需要将设计好的芯片提交到芯片制造厂家进行生产加工。
学生需要了解芯片制造的相关知识和技术,如光刻工艺、腐蚀工艺等。
_集成电路设计导论
積體電路設計導論Introduction to Integrated Circuits Design清華大學電機系柏振球2005/9/1312006/9/112Circuit Courses in EE•積體電路設計導論電子學二類比電路分析與設計From discrete device view From integrated device view電子學一電子學一數位電路分析與設計(電子學三電子學三))Books•Text book–[1]. D.A. Hodges, H. G. Jackson, R. A. Saleh, "Analysis and Design of Digital Integrated Circuits," 3rd Ed., McGraw Hill, 2004•Reference–[2]. Neil H. E. Weste and David Harris, CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective, 3nd Ed., Addison Wesley, 2005–...2005/9/133Contents•Introduction•MOS Transistors•CMOS IC Process•CMOS Static Logic•High-Speed CMOS Logic•BJT and ECL•Memory2005/9/134Course Grading•Homework 20%•Midterm 30%•Final exam. 30%•Final Project 20%2005/9/135Other Information•Contact method–Tel: 03-5162205–E-mail: jcbor@.tw–Office: 資電館 (EECS Building) R704B•Lecture web site–.tw/~jcbor/–Lecture will be available one day before the course.2005/9/136Introduction•IC brief history•What is IC (Integrated Circuit) ?•Circuit Analysis Concepts•Logic Families2005/9/137IC Brief History•IC annual salesSource: [2] 2005/9/1382005/9/139IC Brief History•Moore's law (1965)–Transistor counts have doubled every 18 monthsDouble /per 26 monthsIntel microprocessorsSSIMSI LSI VLSI Source: [2]IC Brief History•Operation frequencyIntel microprocessorsSource: [2] 2005/9/13102005/9/1311IC Brief History•Wireless communication applications arise2004006008001996199719981999200020012002yearS u b s c r i b e r s [m i l l i o n ]What is IC (Integrated Circuit) ?•Definition–An IC, sometimes called a chip, is a piece of a semiconductor wafer (called a die)with package, on which many tiny resistors,capacitors, and transistors are fabricated.•Number of process steps isindependent of circuit complexity.–Suitable for mass productionPhoto courtesy of Intel12 inch wafer and Pentium 4TM2005/9/1312What is IC (Integrated Circuit) ?–EX: A device area = 10 µm × 10 µm8-inch wafer area ≈ 0.1 m × 0.1 m ×πProcess cost = NT$ 50000Device cost≈ NT$ 0.00016Cost of on-chip devices << Cost of off-chip devices2005/9/1313What is IC (Integrated Circuit) ?•For the same circuit–On-chip devices ↑ and off-chip devices ↓–Cost ↓High integration trend•One rule for IC Design–Use fewest off-chip devices as you can2005/9/1314What is IC (Integrated Circuit) ?•IC cycle time is very long–EX:•Design - 2 months•Layout - 1 month•Process - 0.5 ~ 2 months•Measurement - 1 monthTotal - 4.4 ~ 6 monthsThe design iteration should be minimized.One iteration for digital ICs, 1 ~ 2 iteration for analog ICs2005/9/13152005/9/1316What is IC (Integrated Circuit) ?•How to minimize design iteration–Foundry•Offer accurate device models.–Active devices: corner models –Passive devices: variation ranges–Designer•Simulate circuits with most conditions–Worst-case simulation•Add design margin to overcome process variations–Digital circuits have highest design margin.V TNVTN ,min TN ,maxV TP ,V TP ,V 1V thV 02005/9/1317•AC (Small-signal) analysis–Linearize any nonlinear behavior•Ex:•Transient (Large-signal) analysis–Count all effectsCircuit Analysis Concepts•DC analysis–Ignore all capacitor/inductor effects•Ex: i C (t ) = 0v in (t )v out (t )))(1())(()(2t v V t v LWk t i DS T GS D λ+⋅−⋅=dtt dv C t i C C )()(⋅=dD D dsDS DS gs GS GS i I i v V v v V v +=+=+=000and dsgs d v LWk v L W k i ⋅⋅⋅+⋅⋅≈λ2Logic Families •Voltage-mode logicCMOS static logicD QQDQTSPC dynamic logic2005/9/13182005/9/1319Logic Families•Current-mode logicV V v in -v in +V VV v in +v in -SCLECLV V。
集成电路设计导论
集成电路设计导论1.集成电路的定义?所谓集成电路,是指采用半导体工艺,把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件连同它们之间的电气连线在一块或几块很小的半导体晶片或介质基片上一同制作出来,形成完整电路,然后封装在一个管壳内,成为具有特定电路功能的微型结构。
2.集成电路的生产线即集成电路制造的整体环境,由净化厂房、工艺流水线和保证系统(供电,纯水,气体纯化和试剂)组成。
3.标准生产线的几大要素:净化间、超纯水、高纯气体、超净高纯试剂、高纯度的单晶材料、人才。
4.集成电路制造的基本流程:硅片制备,芯片加工,芯片的测试与拣选,装配与封装,终测确保集成电路通过电学和环境测试。
5.硅片制备基本流程:晶体生长,整形,切片,磨片倒角,刻蚀,抛光,清洗,检查,包装。
6.氧化层在集成电路制造工艺中的应用:保护硅片上集成的器件和电路免受划伤和玷污;限制带电载流子场区隔离(表面钝化);栅氧或储存器单元结构中的介质材料;掺杂中的注入掩蔽;金属导电层间的介质层。
7.根据氧化剂的不同,热氧化法可分解为:干氧氧化、水汽氧化、湿氧氧化。
8.光刻的概念:光刻类似照相复制方法,即将掩膜板上的图形精确地复制到涂在硅片表面的光刻胶或其他掩蔽膜上面,然后在光刻胶或其他掩蔽膜的保护下对硅片进行离子注入,刻蚀,金属蒸渡等。
S制造的主要步骤:N阱的形成,定义有源区,沟道调节离子注入,局部硅氧化,生长栅氧化层,制备多晶硅栅极,制备PMOS,制备NMOS,接触孔的形成,互连布线的形成。
10.短沟道效应:伴随着MOSFET的沟道长度的减小,许多原来可以忽略的效应就变得显著起来,甚至会成为主导因素,结果导致器件的特性与沟道模型发生偏离,这种偏离即短沟道效应。
11.短沟道效应的现象:迁移率退化效应,降低短沟道效应:按比例缩小。
12.MOS器件SPICE模型,LEVEL_1模型的沟道长度:>=5um,LEVEL_2模型大于1um小于5um,LEVEL_3模型小于1um。
《集成电路设计》课件
通过随机抽样和概率统计的方法,模 拟系统或产品的失效过程,评估其可 靠性。
可靠性分析流程
确定分析目标
明确可靠性分析的目 的和要求,确定分析 的对象和范围。
进行需求分析
分析系统或产品的使 用环境和条件,确定 影响可靠性的因素和 条件。
进行失效分析
分析系统或产品中可 能出现的失效模式和 原因,确定失效对系 统性能和功能的影响 。
DRC/LVS验证
DRC/LVS验证概述
DRC/LVS验证是物理验证中的两个重要步骤,用于检查设计的物 理实现是否符合设计规则和电路图的要求。
DRC验证
DRC验证是对设计的物理实现进行规则检查的过程,以确保设计的 几何尺寸、线条宽度、间距等参数符合设计规则的要求。
LVS验证
LVS验证是检查设计的物理实现与电路图一致性的过程,以确保设 计的逻辑功能在物理实现中得到正确实现。
版图设计流程
确定设计规格
明确设计目标、性能指标和制造工艺要求 。
导出掩模版
将最终的版图导出为掩模版,用于集成电 路制造。
电路设计和模拟
进行电路设计和仿真,以验证电路功能和 性能。
物理验证和修改
进行DRC、LVS等物理验证,根据结果进 行版图修改和完善。
版图绘制
将电路设计转换为版图,使用专业软件进 行绘制。
集成电路设计工具
电路仿真工具
用于电路设计和仿真的软件, 如Cadence、Synopsys等。
版图编辑工具
用于绘制版图的软件,如Laker 、Virtuoso等。
物理验证工具
用于验证版图设计的正确性和 可靠性的软件,如DRC、LVS等 。
可靠性分析工具
用于进行可靠性分析和测试的 软件,如EERecalculator、 Calibre等。
集成电路设计导论 工程硕士 教学大纲2013版
附件5:《集成电路设计导论》课程教学大纲课程编号:430328 责任学院:微电子与固体电子学院学时数: 40 学分:2学分开课学期:春季/秋季一、教学目的本课程是微电子学与集成电路等专业学生的一门入门课程。
通过本课程的学习,使学生了解集成电路的基本概念、应用和主要制造工艺;掌握MOS晶体管的结构与特性、基本数字集成电路和典型模拟集成电路的结构与特点;了解VLSI设计流程、EDA设计和集成电路版图设计的软件工具和基本方法。
最终使学生掌握集成电路设计的主要流程、方法和思路。
二、课程教学内容要求与学时分配本课程共有8章内容,课程教学内容要求与学时分配如下:第一章绪论(3学时)1 本章教学内容:(1) 集成电路的基本概念(1学时),(2) 集成电路的设计与制造流程(1学时),(3)集成电路的发展趋势(1学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生理解集成电路的基本概念和重要性,掌握集成电路的设计与制造流程。
3 本章教学重点:(1)集成电路的基本概念,(2)集成电路的发展趋势。
4 本章教学难点:集成电路的设计与制造流程。
第二章集成电路制造(4学时)1 本章教学内容:(1) 集成电路制造的基本要素(0.5学时),(2) 主要制造工艺(2学时),(3)CMOS工艺流程(1学时),(4) 工艺评估(0.5学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生了解集成电路的基本要素、主要制造工艺和工艺评估方法,掌握CMOS工艺流程。
3 本章教学重点:(1)集成电路的主要制造工艺,(2)CMOS工艺流程。
4 本章教学难点:CMOS工艺流程。
第三章 MOSFET晶体管(5学时)1 本章教学内容:(1) MOSFET的结构与特性(2学时),(2) 短沟道效应(1学时),(3)按比例缩小理论(1学时),(4) MOSFET电容(0.5学时),(5) MOS器件的SPICE模型(0.5学时)。
2 本章教学要求:通过本章课程的学习,要求学生掌握MOSFET的结构与特性、短沟道效应、按比例缩小理论,了解MOSFET电容及MOS器件的SPICE模型。
《集成电路设计导论》课件
IC设计的测试和验证
探讨IC设计的测试和验证技术, 以确保设计的正确性和可靠性。
总结与展望
集成电路设计的现状与未来趋势
总结集成电路设计的现状并展望未来的发展趋 势,如人工智能芯片和物联网应用。
集成电路设计中的挑战与机遇
探讨集成电路设计中面临的挑战和机遇,如功 耗优化和设计验证等。
《集成电路设计导论》 PPT课件
这是一套《集成电路设计导论》的PPT课件,针对集成电路的概念、分类和历 史发展等主题进行介绍,通过丰富的内容和精美的图片,让学习更加生动有 趣。
第一章:集成电路概述
集成电路的定义
介绍集成电路的基本概念和定义,以及其在电子领域中的重要作用。
集成电路的分类
分析不同类型的集成电路,包括数字集成电路、模拟集成电路和混合集成电路。
探讨集成电路设计中常用的仿真 技术,如时序仿真、噪声仿真和 功耗仿真等。
CMOS工艺的基本原理和特点,以及其在集成电路设计中的应用。
2
CMOS电路设计基础
讨论CMOS电路设计的基本原则和技巧,包括逻辑门设计和布局。
3
CMOS电路的布局与布线
解释CMOS电路布局与布线的重要性,以及如何进行最佳布局和布线。
第五章:模拟电路设计
模拟电路设计基础
介绍模拟电路设计的基本原理和 技术,包括信号放大、滤波和稳 压等。
模拟电路的建模与仿真
讨论模拟电路的建模方法和仿真 技术,以验证电路设计的准确性 和性能。
模拟电路的测试和调试
探讨模拟电路的测试和调试方法, 以保证电路的可靠性和稳定性。
第六章:数字电路设计
1
数字电路的逻辑设计
第四章:数模转换电路设计
数模转换电路的种类
超大规模集成电路设计导论考试题及答案
1、MOS集成电路的加工包括哪些基本工艺?各有哪些方法和工序?答:(1)热氧化工艺:包括干氧化法和湿氧化法;(2)扩散工艺:包括扩散法和离子注入法;(3)淀积工艺:化学淀积方法:1 外延生长法;2 热CVD法;3 等离子CVD 法;物理淀积方法:1 溅射法;2 真空蒸发法(4)光刻工艺:工序包括:1 涂光刻胶;2 预烘干;3 掩膜对准;4 曝光;5 显影;6 后烘干;7 腐蚀;8 去胶。
2、简述光刻工艺过程及作用。
答:(1)涂光刻胶:为了增加光刻胶和硅片之间的粘附性,防止显影时光刻胶的脱落,以及防止湿法腐蚀产生侧向腐蚀;(2)预烘干:以便除去光刻胶中的溶剂;(3)掩膜对准:以保证掩模板上的图形与硅片上已加工的各层图形套准;(4)曝光:使光刻胶获得与掩模图形相同的感光图片;(5)显影:将曝光后的硅片浸泡在显影液中,使正光刻胶的曝光部分和负光刻胶的未曝光部分被溶解掉;(6)后烘干:使残留在光刻胶中的有机溶剂完全挥发掉,提高光刻胶和硅片的粘接性及光刻胶的耐腐蚀性;(7)腐蚀:以复制在光刻胶上图形作为掩膜,对下层材料进行腐蚀,将图形复制到下层材料中;(8)去胶:除去光刻胶。
3、说明MOS晶体管的工作原理答:MOS晶体管有四种工作状态:(1)截止状态:即源漏之间不加电压时,沟道各电场强度相等,沟道厚度均匀,S、D之间没有电流I ds=0;(2)线性工作状态:漏源之间加电压Vds时,漏端接正,源端接负,沟道厚度不再均匀,在D端电位升为V d,栅漏极电位差为Vgs-Vtn,电场强度变弱,反型层变薄,并在沟道上产生由D到S的电场E ds,使得多数载流子由S端流向D端形成电流I ds,它与V ds变化呈线性关系:I ds=βn[(V gs-V tn)-V ds/2]V ds(3)饱和工作状态:Vs继续增大到V gs-V tn时,D端栅极与衬底不足以形成反型层,出现沟道夹断,电子运动到夹断点V gs-V ds=V tn时,便进入耗尽区,在漂移作用下,电子被漏极高电位吸引过去,便形成饱和电流,沟道夹断后,(V gs-V tn)不变,I ds 也不变,即MOS工作进入饱和状态,I ds=V gs-V tn/R c(4)击穿状态:当Vds增加到一定极限时,由于电压过高,晶体管D端得PN结发生雪崩击穿,电流急剧增加,晶体管不能正常工作。
《微电子与集成电路设计导论》第六章 新型微电子技术
纳电子器件——Memristor忆阻器 ➢ 全称记忆电阻(Memristor),是表示磁通与电荷关系的电路器件。
特点
➢ 电阻取决于多少电荷经过了器件。 ➢ 若电荷以一个方向流过,电阻会增加;
如果让电荷以反向流动,电阻就会减小。 ➢ 具有记忆能力,断电后电阻值保持不变。
纳电子器件——石墨烯
➢ 它是已知材料中最薄的一种,且牢固坚硬; ➢ 优良的导电特性:它在室温下传递电子的速度比已知导体都快。
优势
➢ 碳纳米管FET沟道为一维结构,载流子 迁移率大大提高。
➢ 碳纳米管FET参与碳纳米管导电的是表 面。
➢ 碳纳米管FET通过选择源漏材料,可完 全消除源漏结势垒
图6.4.2 CNT-FET典型结构示意图
纳电子器件——有机分子场效应晶体管
该技术利用了分子之间可自由组合的化学特性,晶体管电极之间的距离仅为1纳米到2 个纳米,是目前世界最小的晶体管。同时具有制造简单,造价低廉的优点。
2006年3月, 佐治亚理工学院 (Georgia Institute of Technology) 的研究 员宣布,成功地制造了石墨烯平面场效应 晶体管并观测到了量子干涉效应。并基于 此研究出根据石墨烯为基础的电路。
6.4.2 纳电子材料
纳米材料一诞生,即以其异乎寻常的特性引起了材料界的广泛关注。这 是因为纳米材料具有与传统材料明显不同的一些特征。
人类社会是在不断征服自然和不断攀登科技顶 峰而前进的,纳米技术也是如此。
现在世纪纳米技术和纳米材料,正向新材料、 微电子、计算机、医学、航天、航空、环境、 能源、生物技术和农业等诸多领域渗透。
纳米打假
纳米技术并非高不可攀,但也决非人人都能“纳”一把, 因此,我们要提前做好纳米技术的打假工作,建立一套十分 严格的评审和考核制度,为纳米技术的发展创造良好的空间, 防止样样都要“纳”一把现象的发生,尽量避免恶意炒作 “伪纳米”,不能等到造成极其严重的恶果后,再去打与堵。
微电子与集成电路设计导论 第一章 概论
图1.5.4 国内集成电路的供求关系
图1.5.5 集成电路的进口量
➢ 我国的微电子技术的发展大致可以分为两个阶段:
第一个阶段:在2000年之前,1956年,北京大学、复旦大学、东北人民 大学、厦门大学、南京大学在北大联合创建半导体专业。1977年在北京 大学诞生了第一块大规模集成电路。而在1980年以后,初步形成了制造 业、设计业、封装业分离的状态。
➢ 膜集成电路:是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上,以膜的形式制作电阻、电 容等无源器件,并加以封装而成。
➢ 混合集成电路:在实际应用中,多半是在无源膜电路上外加半导体集成电 路或分立元件的二极管、三极管等有源器件,使之构成一个整体,这便是 混合集成电路。
图1.4.1 集成电路的分类
1.5 微电子产业的发展现状
ห้องสมุดไป่ตู้
3. 对信息社会的作用
图1.2.3 信息社会各应用产品市场领域的销售额
4. 对传统产业的带动作用
微电子对传统产业的渗透与带动作用。几乎所有的传统产业与微电子技术结 合,用集成电路芯片进行智能改造,都可以使传统产业重新焕发青春。
对风机、水泵采用变频调速等电子技术进行改造,每年即可节电500亿度以上. 和机械学科的结合,导致很多传统的机械产品逐步电子化。 和生物学结合,生物芯片的诞生得以实现对细胞、蛋白质、DNA以及其他生
图1.3.8 摩尔定律示意图
➢ 早期研制和生产的集成电路都是双极型的。 1930年,德国科学家Lilien-filed提出了关于MOS场效应晶体管的概念、工作原理 以及具体的实施方案。 1960年Kang和Atalla研制出第一个利用硅半导体材料制成的MOS晶体管。 1962年以后出现了由金属-氧化物-半导体(MOS)场效应晶体管组成的MOS集成 电路。
集成电路设计与集成系统专业导论
集成电路设计与集成系统专业导论
集成电路设计与集成系统专业导论是一门针对集成电路设计与集成系统专业学生的入门课程。
该课程旨在帮助学生了解集成电路的基本概念、设计流程、以及相关的技术和工具。
通过学习这门课程,学生可以建立起对集成电路设计与集成系统的整体认识,为后续的专业课程学习打下坚实的基础。
集成电路设计与集成系统专业导论的主要内容包括:
1.集成电路的基本概念:介绍集成电路的定义、分类、以及其在现代电子技术中的应用。
2.集成电路的设计流程:讲解集成电路设计的基本步骤,包括需求分析、电路设计、仿真验证、版图设计、制造和测试等。
3.集成电路的设计方法:介绍集成电路设计的方法和技术,如硬件描述语言(HDL)、原理图设计、高级综合等。
4.集成电路的仿真与验证:讲解集成电路仿真的基本原理、方法和工具,以及如何进行电路的功能验证和时序分析。
5.集成电路的版图设计:介绍集成电路版图设计的基本原则、方法和工具,以及如何进行版图的布局和布线。
6.集成电路的制造与测试:讲解集成电路的制造工艺、测试方法和质量评价。
7.集成电路的应用领域:介绍集成电路在不同领域的应用,如计算机、通信、消费电子、工业控制等。
8.集成电路的发展趋势:讲解集成电路技术的最新发展动态和未来趋势,如纳米工艺、三维集成电路、新型存储器件等。
通过学习这门课程,学生可以全面了解集成电路设计与集成系统的基本知识,建立起对集成电路技术的整体认识,为后续的专业课程学习和未来的职业生涯打下坚实的基础。
《微电子与集成电路设计导论》第三章 半导体器件物理基础
Introduction to microelectronics and integrated circuit design
第三章 半导体器件物理基础
本节内容_ p-n结
热平衡状态下的p-n结 耗尽区 耗尽层势垒电容 电流-电压特性 结击穿
图3.1.1 (a)PN结的简化结构图; (b)理想均匀掺杂PN结的掺杂剖面
右图显示室温下硅和砷化镓p-n结 107
测量的正向特性.在低电流区域,复
合电流占优势, 等于2;在较高的
电流区域,扩散电流占优势, 接 近1.
10
9
0
Si 1 GaAs
1
2 2
0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 VF /V
图 3.19 300K硅和砷化镓二极管的正向电流-电压特性比较. 虚线表示不同理想系数的 斜率
s
qND
s
(x
xn )
(b)
-N A W
E 0
x
0 x xn 其中E 是存在x=0处的最大电场 m
-E m
面积=Vbi
图3.8 (a)在热平衡时,(空a间)热电平荷在衡耗时尽空区的间分电布荷.在(b)电耗场尽分区布.的阴分影布面积为内建电势
Em
qND xn
s
qN A x p
s
(b)电场分布。阴影面积为内建电势
(a) 正向偏压
104 106 108 1010
225C 175 125 75 25
1012 102
100
102
VR /V
(b) 反向偏压
ND-NA
ND-NA
线性缓变结(linearly graded junction)
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集成电路设计与硅设计链概述中关村益华软件技术学院陈春章艾霞李青青摘要:当代计算机、电子通讯和各种多媒体技术需求的迅速发展,使得集成电路的设计规模已从几个晶体管发展到今天千万门的逻辑电路的设计,设计的复杂性也与日剧增,设计分工也渐趋明确。
过去的五十年,集成电路产业经历了一次次的工艺技术革命和设计方法学的演变,逐渐形成了较为成熟的产业结构。
以ASIC与SoC数字集成电路为例,芯片的设计往往依赖于IP厂商,晶圆生产商,设计库提供商及 EDA厂商的相互合作配合才能实现,本文拟对这样的合作配合模式-- 集成电路硅设计链和它的发展特点作一介绍。
IC Design and Silicon Design ChainAbstract: The demand and their rapid development of computers, electronic communication, and variety consumer & multimedia products have led to the IC design sizes from a few tens of transistors to one hundred million gates. The IC design itself has become more complex, the classification of design methods is becoming clearer. Due to the advancement of process technology and design methodology in the past half centuries, the infrastructure of IC industry has become mature. For successful design of an ASIC/SoC chip, it may rely on the close collaboration between the foundry, the library vendor, the IP provider and the EDA support. This short article introduces such collaboration model, namely, the silicon design chain and its evolving features.1. IC设计概述集成电路(IC)的发展从小规模集成电路(晶体管级),中、大规模集成电路(LSI)设计,到含几十万门逻辑电路的超大规模集成电路(VLSI)设计,直至当代数百万至数千万门逻辑电路的ASIC或SoC设计。
集成电路设计也逐渐演变成集成系统设计。
IC规模的增大,速度的提高都是建立在工艺进步的基础之上,制造工艺从微米级快速发展到亚微米级(sub-micron,即< 1 um)、深亚微米级(deep sub-micron, DSM),而今已实现了65纳米(nm)制造工艺及产品的实现。
20世纪末先进的0.25um工艺到了21世纪将会逐渐被认为是过时的技术。
由于复杂的IC从设计到实现会滞后于工艺的发展,所以工程技术人员奋力于研究先进的设计工具、设计平台和设计方法,尤其注重于与晶圆生产商,设计库提供商,IP厂商及EDA厂商的合作配合。
集成电路设计按照其处理信号的特征可分为数字集成电路、模拟集成电路和数模混合集成电路设计。
数字集成电路首选代表为CPU芯片和当代的ASIC/SoC芯片等,数模电路则主要用于通讯和无线传输电路,模拟电路主要应用于传输接口部分以及射频电路。
本文系根据作者于2004年9月28日为北京工业大学电子信息与控制工程学院研究生演讲整理扩充而成。
集成电路的主流产品设计以计算机CPU芯片的设计为例,它们的典型技术特性有案可寻(图一)。
ASIC通常包含称作“用户自有加工”即COT(custom owned tooling)模块,典型设计有用于PC的各种图像显示芯片,例如CGA/EGA/VGA/SVGA芯片等。
ASIC的设计也被分为“经典”ASIC(80年代至90年代中期),“现代”ASIC及“结构式”(structured)ASIC。
所谓“经典”ASIC一般认为其所设计的产品通常仅为单个用户而设计,设计风格通常由设计工程师负责“前端”设计,即芯片的规范定义至网表的逻辑综合结束;再由半导体厂商负责“后端”设计,即布局布线。
所谓“现代”ASIC则不再以提交门级网表和时序数据作为IC“前端”与“后端”的分工,仅有功能设计而不涉及物理设计几乎是一种不可能实现的方案,因而“前端”与“后端”则分别扩展为系统至逻辑的设计验证和芯片的物理综合布局布线的实现。
所谓“结构式”ASIC或称为ASIC平台是近两年根据SoC设计的需求提出的一种方案,这种设计发挥了标准库(standard cell)设计的优点,它是用FPGA查找表(LUT)的特点去实现的一种设计方法。
例如LSI Logic 和Synplicity的合作就属于这样的模式。
图一:经典CPU芯片技术指标图例对于SoC设计,人们把IP模块(也称作VC)在SoC中的复用(IP-reuse)设计作为专题进行研究。
其重点是IP模块能在不同的设计平台和工艺上予以实现。
集成电路设计和它名称的变更不仅仅体现工艺与技术的进展,更重要的是其设计流程和方法的革新,反映IC 设计的独立、合作与相互依靠的模式。
2. 超大规模集成电路设计流程超大规模集成电路的设计复杂,类型繁多,它们在当代IC设计中有着广泛的应用。
设计类型包括前面介绍的CPU芯片,通讯、网络芯片,家电、汽车和多媒体等芯片的设计。
超大规模集成电路设计的发展从理论和概念上奠定了IC设计的基础,从方法和手段上形成了不同的流程,尤其是各种EDA工具的开发与竞争,使得VLSI的设计工作成为一种相对成熟的产业。
和SoC设计相比,VLSI设计实现的系统一般功能单一,模块相对简单。
而复杂的系统设计在PCB板级上实现,它由多个芯片组合而成。
超大规模集成电路设计大致可以分为:1)逻辑设计与验证(logic design & verification);2)物理设计与验证(physical design and verification), 包括版图设计(layout)、设计规则检查(DRC)、版图原理图验证(LVS),以及器件建模(device modeling)、建库(library)等;3) 物理实现(physical implementation,即synthesis place & route, 综合布局布线)。
VLSI全部设计流程可以由下图表示。
图二:VLSI设计流程从流程图中可以看出数字设计和模拟设计是两种不同的流程。
左路数字设计方法表明,基本的单元库是由专门设计库的单位或者代工厂提供的标准的库,用户的设计都是基于使用标准库中的标准单元来实现设计,用户的主要任务是逻辑设计和布局布线。
一般数字电路都采用这样的设计方法,当然用户也可以向代工厂申请工艺制造规则和制造参数建立自己的库。
右路是主要应用于模拟电路设计中的全定制的设计方法,用户根据设计的网表,借助于版图设计工具直接画出所有的器件和连接线。
VLSI中的逻辑设计是先进行各个功能模块(module)的设计,再进行优化(optimization)和综合(synthesis)。
过去物理实现设计由于受硬件(工作站)和EDA工具的限制,对于大的设计,只能将每个模块单独处理,再拼砌而成。
因此人们把它们称作自下而上(bottom-up)的多层次(hierarchical)设计途径。
3. 当代ASIC/SoC设计特点和方法在当代纳米技术条件下,ASIC和SoC的设计从功能到实施有了很多相同之处,为简便起见,本文将它们一并讨论。
所谓 SoC(片上系统)的芯片设计,指单一硅片上集成了现在称为模块、过去称为芯片的部件:中央处理器(CPU)、存储单元(RAM/ROM)、专用数字信号处理模块(DSP)、存储控制单元(MCU)、应用逻辑电路和模拟电路(如ADC、DAC、PLL)以及相应的接口(如PCI,USB)等,构成了一个完整的嵌入式操作系统,完成专业领域内某个特殊的功能。
它的集成度一般在几百万门以上到几千万门或更大,其设计比传统的集成电路设计要复杂得多。
SoC设计也分为以数字(Digital)电路为主模拟(Analog)电路为辅的(“大D小A”) 数字SoC,或以模拟电路为主(“小D大A”)的数模SoC设计,见图三、图四。
它们间的差别之一是其侧重点:前者以数字电路为主,例如CPU和DSP;后者以模拟电路为主,例如RFIC。
数字SoC和模拟SoC设计的共同处是:由于设计越来越复杂,设计者并不必或并不可能设计每个模块,他们可以采取咨询的方案,或者直接购买一些模块通常称作IP核来实现。
图三:数字SoC设计芯片的可能含有的功能模块示意图图四:数模SoC设计芯片的可能含有的功能模块示意图SoC的逻辑设计从系统顶层实行多层次的(hierarchical)功能模块(module)的全局优化和物理综合设计,物理实现设计不再受硬件(工作站)和EDA工具的限制,对于千万逻辑门以上的设计,先进的EDA工具可以将全部数据一次读进来,并根据设计特点,进行“硅虚拟原型(SVP, silicon virtual proto-typing)”设计,也可以将设计重新切割(partition)。
因此人们把它们称作自顶而下(top-down)的多层次(hierarchical)设计途径,如图五所示。
软硬件的协同设计、IP核的设计核复用是SoC设计的两个重要特点,而纳米电路设计技术是SoC设计的难点。
图五:SoC芯片设计技术IP核的设计包含了VLSI设计的全部工作或更多。
IP核是指一个经过验证的IC设计,它有三种表现形式:软核、固核和硬核。
为了促进IP使用并简化外部IP与内部设计之间的接口,工业界成立了不同的组织(如VSIA协会、OpenMORE、RAPID和VCX组织等)以推动设计复用标准的发展口。
从而IP设计公司也和设计库(library)公司构成了IC设计链的重要环节。
伴随着EDA工具的开发,逻辑设计和物理设计阶段的仿真与验证技术发展极大地提高了芯片的产出率,降低了设计迭代,节约了设计成本。
仿真验证技术现在是集成电路设计的关键技术之一,所以EDA工具得到大家共同的认可和信赖。
EDA厂商和晶圆生产商,设计库提供商的合作发展为集成电路产业中不可缺少的环节。
4. 集成电路硅设计链纵观集成电路的发展,集成电路的设计链也在不断的完善和丰富。