如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格

合集下载
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。

如何通过颗粒编号,识别当今现代(HYNIX)内存条规格
消费者通过查看颗粒编号的含义,以识别自己购买内存是否为正品的文章,已经很早就有人开始写了。

但随着现代新品颗粒的推出,以及对颗粒编号的调整,早期那些文章已经不能再担任帮助消费者识别真伪的重任。

而当今市场,不论是原厂还是兼容,使用现代HY内存颗粒的产品仍然十分常见,再加上消费者因新编号定义不明,而受骗上当的例子仍然存在,因此,我们将对现代颗粒的最新编号定义,对深圳市龙俊电子有限公司总代的现代SDRAM/DDR SDRAM/DDR2 SDRAM三种主流内存颗粒的编号一一进行说明。

一、DDR SDRAM:
现在正值DDR SDRAM内存销售的鼎盛时期,颗粒制造厂稍有个风吹草动,都会影响到整个零售市场的内存价格。

现代的DDR SDRAM内存颗粒作为当今零售市场内存产品的主流选件,更是决定着整个内存市场走势的关键。

虽然,它并不是利润最高的产品,但由于是主流规格的原因,仍然是内存经销商“走量”的首选产品。

我们以新近上市的现代DDR 500内存的颗粒编号为例。

这种最新上市的DDR 500原厂现代内存,采用了编号为HY5DU56822CT-D5的内存颗粒。

从这组编号,我们可以了解到如下一些信息:这是一款DDR SDRAM内存,容量256MB,使用了8颗粒结构,并占用2个bank数,封装方式则采用了TSOP II结构。

究竟这些含义是如何被分辨出来的呢?下面我们就对现代DDR SDRAM内存的颗粒编号进行一些说明。

HYNIX DDR SDRAM颗粒编号:
整个DDR SDRAM颗粒的编号,一共是由14组数字或字母组成,他们分别代表内存的一个重要参数,了解了他们,就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下:
1. HY是HYNIX的简称,代表着该颗粒是现代制造的产品。

2.内存芯片类型:(5D=DDR SDRAM)
3.处理工艺及供电:(V:VDD=3.3V & VDDQ=2.5V;U:VDD=2.5V & VDDQ=2.5V;W:VDD=2.5V & VDDQ=1.8V;S:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4.芯片容量密度和刷新速度:(64:64M 4K刷新;66:64M 2K刷新;28:128M 4K刷新;56:256M 8K刷新;57:256M 4K刷新;12:512M 8K刷新;1G:1G 8K刷新)
5.内存条芯片结构:(4=4颗芯片;8=8颗芯片;16=16颗芯片;32=32颗芯片)
6.内存bank(储蓄位):(1=2 bank;2=4 bank;3=8 bank)
7.接口类型:(1=SSTL_3;2=SSTL_2;3=SSTL_18)
8.内核代号:(空白=第1代;A=第2代;B=第3代;C=第4代)
9.能源消耗:(空白=普通;L=低功耗型)
10.封装类型:(T=TSOP;Q=LOFP;F=FBGA;FC=FBGA(UTC:8x13mm))
11.封装堆栈:(空白=普通;S=Hynix;K=M&T;J=其它;M=MCP(Hynix);MU=MCP(UTC))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13.速度:(D43=DDR400 3-3-3;D4=DDR400 3-4-4;J=DDR333;M =DDR333 2-2-2;K=DDR266A;H=DDR266B;L=DDR200)
14.工作温度:(I=工业常温(-40 - 85度);E=扩展温度(-25 - 85度))
由上面14条注解,我们不难发现,其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义,就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。

尤其是第13位数字,它将明确的告诉消费者,这款内存实际的最高工作状态是多少。

假如,消费者买到一款这里显示为L的产品(也就是说,它只支持DDR 200的工作频率),那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好,它也只是一款低档产品。

一、DDR2 SDRAM:
DDR2 SDRAM作为一种已经在显卡领域得到尝试性应用,并将很快成为主机内存设备的产品,现在在市场中还并不多见,但对于下半年,以至于未来几年内存市场的主打型号,消费者还是有必要对其进行一定了解的。

更何况,由于此种产品的编号是从DDR SDRAM编号演变而来,所以,只要您对我们刚才提到的DDR SDRAM编号有所了解,那么辨认DDR2 SDRAM也并不是什么难事。

HYNIX DDR2 SDRAM颗粒编号:
细心的读者可以从上表发现区别,现代DDR2 SDRAM的颗粒编号,实际上要比DDR SDRAM少一位。

其中原本第11位代表的『封装堆栈』被省略,而其他位编号的定义基本保持不变,只是针对新的DDR2 SDRAM颗粒的属性,增加了一些新的含义。

颗粒编号解释如下:(这里只对存在区别的部分加以说明)
2.内存芯片类型:(5P=DDR2 SDRAM)
3.处理工艺及供电:(仅有S一种,对应参数为:VDD=1.8V & VDDQ=1.8V)
4.芯片容量密度和刷新速度:(保留28、56、 12、1G四种编号;新增2G:2G 8K刷新)
7.接口类型:(保留2=SSTL_2;而SSTL_18则变为1表示)
10.封装类型:(F=FBGA;S=FBGA Stack封装;M=FBGA DDP(Dual Die Package))
12.封装原料:(空白=普通;P=铅;H=卤素;R=铅+卤素)
13.速度:(S7=DDR2-800 7-7-7;S6=DDR2-800 6-6-6;Y6=DDR2-667 6-6-6;Y5=DDR2-667 5-5-5;C5=DDR2-533 5-5-5;C4=DDR2-533 4-4-4;C3=DDR2-533 3-3-3;E4=DDR2-400 4-4-4;E3=DDR2-400 3-3-3)
算下来,有变化的部分,大概有7位,基本上都是因为技术更新,而简略了旧的规格代码,加入了新的代码定义。

其中,最值得大家注意的,还是第13位的数字。

现代公司对DDR2 SDRAM内存的这一位编号,进行了全新的改革。

将会以S、Y、C、E这四个英文字母,分别代表DDR2的四种工作频率,依次是:800MHz、667MHz、533MHz、400MHz。

而7、6、5、4、3这五个数字,显然是代表该对应内存的细节设定分别是7-7-7、6-6-6、5-5-5、4-4-4、3-3-3。

一、SDRAM:
由于现在使用SDRAM内存的用户还很多,其中还想升级现有SDRAM内存容量的用户比例更是不少,因此SDRAM内存还不会现在就退出市场。

在此文的最后,我们就再返回来说说现代内存在SDRAM 方面的编号设定。

其实,现代SDRAM内存的编号和DDR SDRAM同属现代DRAM类产品,因此编号都基本相同。

用户只需记住编号中“-”后面的一位或两位数字,就能轻松识别现代SDRAM内存性能。

现在现代SDRAM 内存最这一位代码的设定,分如下几种:
8 125MHz
P PC100,CL=2
S PC100,CL=3
10 100MHz
一般在市场中,我们最长见到编号尾数为“H”的产品,即PC133且CL=3的产品,如果当用户购买的内存结尾为其他数字或字母时,最好能先依照上面列表中的数字进行比对,以免买到性能低下的内存产品。

结论:
正如上面三部分的介绍,现在市场中销售的使用现代颗粒的内存,基本都符合这些编号定义。

不同的规格型号,区别可能仅仅在于编号中的某一位数字不同,因此,要想避免上当受骗,消费者就一定要牢记这些编号的含义。

尤其是第13位的参数更是十分重要,它将决定这款内存所用颗粒的最高工作速度。

同时大家也可以登陆其产品代理深圳市龙俊电子有限公司的网址www.crlmemory.com来更好的了解产品。

再次提醒大家只有将这些编号在购买产品前,悉数背清,才能真正辨别所购产品的真假。

由此,来判断商家是否存在欺诈行为。

(注:素材和资料部分来自网络,供参考。

请预览后才下载,期待你的好评与关注!)。

相关文档
最新文档