第二章 逻辑门电路
第二章逻辑门电路
B
+V’CC RL
A B
&
线与
F A BC D
C
D
& CD
+V’CC RL & &
RL
构成总线输出
:多个逻辑门分时段
&
1
总线负载
共用同一条输出线
20
2.5.6
三态门
VT3
三态门符号 +VCC
VT4 VT2
A B EN
&
EN
VT1
A B EN
D
A B EN
F
VT5
vi vi vo
tpd tpd
vo
应大于tpd ,输出信号vo才能 完成响应。 如输入脉宽小于tpd ,则输出vo 不能产生完整响应,vo会保持 在原电平上基本不变。
(对称方波)
fmax=1/(2tpd)
fmax :
3
传输延迟的仿真
由仿真知, 门延迟 tpd 150nS. 见
vi
25KHz
20uS
IIS IIS 。 1.4mA。
VCC VB1 R1
IIS
vI /V
1.4V
-0.5
IIS
-1.0 -1.5 -2.0
1V
I IS
3K IIS
R1
VCC
vB1
VT2 R3
VO=VOH
VT5
&
IIS
11
或非门(或门) 输入端有多个并接时:
并接接地时, 每个输入端流出电流IIS
IIS
A A•B=A+B VCC
-2~ -1.5V : VIL
第02章 逻辑门电路
OC门的几种主要应用
实现线与逻辑
电路如右图所示,逻辑关系为
L L1 L2 AB CD
实现电平转换
如下图所示,可使输出高电平变为+12V
+12V
R
A& 3.4V 0.3V
12V F
0.3V
用作驱动电路
右图是用来驱动发光二极管的电路。
2.3.5 三态门
R1 4K
R2 1.6K
A
T1
T2 B
输出低电平时:NOL = IOLmax / IiLmax 输出高电平时:NOH = IOHmax / IiHmax
考虑最坏的情况,扇出系数:N = min(NL , NH)
TTL与非门的灌电流与拉电流负载
2.3.2 TTL与非门的特性及参数
平均传输延迟时间
tpd = 0.5(tpdL + tpdH ) 输出信号略滞后于输入信号. 典型值:纳秒级
Vo(V) VOH A 2.7
电压传输特性及相关参数 (1) 输出高电平 VOH
R1 4K
R2 1.6K
R4
VCC
130
A
B
B
T1
T3
T2
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
D3
F
D1
D2
R3
T4
1K
典型值VOH ≥ 3.4V
VOHmin是满足输出电流指标时, 输出高电平允许的最低值,一 般要求 VOHmin ≥ 2.7V
C
(2) 输出低电平 VOL
(5) 关门电平 VOFF
保证T4截止 输出高电平 时, 输入低电平的最大值.
VOFF ≥ 0.8V
2.3.2 TTL与非门的特性及参数
第二章 逻辑门电路
• (2)放大状态:当VI为正值且大于死区电压时,三极 管导通。有 V V V
IB
I BE
Rb
I
Rb
• 此时,若调节Rb↓,则IB↑,IC↑,VCE↓,工作点沿着负 载线由A点→B点→C点→D点向上移动。在此期间,三极管 工作在放大区, 其特点为: IC=βIB。 • 三极管工作在放大状态的条件为: 发射结正偏,集电结反偏
VIL VOL
VNL
0
4、扇入与扇出数: 1)扇入数: 取决于它的输入端的个数。 2)扇出数: MIN (NOH, NOL)
拉电流工作情况: 输出为高电平时,与 非门带拉电流负载
N OH
I OH (驱动门) I IH (负载门)
0 1
4
IIH II
L
输出为低电平时,与 灌电流工作情况: 非门带灌电流负载
0
T3 通
该与非门输 出低电平, 门 2 T3导通
集电极开路TTL“与非”门(OC门)
OC门的结构
当输入端全为高电 VCC 逻辑符号: 平时,T2、T3导通, A A A R 输出为低电平; L B B B 输入端有一个为 低 电 平 时 , T2 、 输出逻辑电平: T3 截 止 , 输 出 高 低电平0.3V 电 平 接 近 电 源 电 (5-30V) TTL与非门 高电平为VC 压VC。 OC门完成 集电极开路与非门(OC门) “与非”逻辑功 能
§2.3
CC
基本逻辑门电路
真值表
一、二极管“与门”及“或门”电路 A V (5V) 1、与门电路: 0 0 R 3k 0 A 1 L 1 B 1 C 1
A,B,C 任一为0V,其中一个 二极管导通,VL被钳制在0.7V
第二章 逻辑门电路
电子技术基础教案 信息工程系 李开行逻辑门电路2.1基本要求1.正确理解以下基本概念:推拉式输出、线与、高阻态。
2.熟练掌握各种门电路的逻辑功能。
3. 熟悉各种门电路的结构、工作原理、主要参数及应用中注意的问题。
2.2 解答示例及解题技巧2.1 电路如图题2.1所示,写出输出L 的表达式。
设电路中各元件参数满足使三极管处于饱和及截止的条件。
BL D D (a)CC(c)1233(d)图题2.1解:(a)此电路由两级逻辑门构成,第一级是与门,输出为AB ;第二级是或门,输出为: C AB L +=1(b)此电路是只有一个输入端的逻辑电路。
当输入端A 为低电平时,T 1发射结导通,V B1<2.1V ,D 、T 2截止,L 2输出高电平;当输入端A 为高电平时,T 1发射结不通,+V CC 足以使D 、T 2导通, L 2输出低电平。
由以上分析可见: A L =2(c)此电路有两个输入端,可以分四种情况讨论其工作过程:当输入A 、B 均为低电平时,T 1、 T 2都截止,L 3以下部分的支路不通,输出高电平; 当输入A 、B 一高一低时,T 1、 T 2中有一个截止,L 3以下部分的支路仍不通,输出高电平;当输入A 、B 均为高电平时,T 1、 T 2都饱和导通,L 3以下部分的支路导通,输出低电平。
根据以上分析可以列出真值表如表2.1(a )。
由真值表可得表达式:AB B A B A B A L =++=3(d) 此电路有两个输入端,可以分四种情况讨论其工作过程:当输入A 、B 均为低电平时,T 1、 T 2都截止,L 4以下部分的支路不通,输出高电平; 当输入A 、B 一高一低时,T 1、 T 2中有一个饱和导通,L 3以下部分的支路导通,输出低电平;当输入A 、B 均为高电平时,T 1、 T 2都饱和导通,L 3以下部分的支路导通,输出低电平。
根据以上分析可以列出真值表如表2.1(b )。
第2章 逻辑门电路
20102010-9-14
2.1.1 非门
定义:输入与输出信号状态满足“ 定义:输入与输出信号状态满足“非”逻辑关系。 逻辑关系。 逻辑符号: 逻辑符号: 非门电路: 非门波形图: 非门电路: 非门波形图:
非门工作特点: 非门工作特点: ● 当输入端A 为高电平1(+5V)时,晶体管 当输入端A 为高电平1 +5V) 导通, 端输出0.2~0.3V的电压 的电压, 导通,L 端输出0.2~0.3V的电压,属于低电平 范围; 范围; ● 当输入端为低电平0(0V)时,晶体管截止,晶体管集电 当输入端为低电平0 0V) 晶体管截止, 发射极间呈高阻状态,输出端L的电压近似等于电源电压; 极—发射极间呈高阻状态,输出端L的电压近似等于电源电压; ● 任何能够实现 L = A “非”逻辑关系的电路均称为“非门”, 逻辑关系的电路均称为“非门” 也称为反相器。式中的符号“ 表示取反, 也称为反相器。式中的符号“-”表示取反,在其逻辑符号的输出 端用一个小圆圈来表示。 端用一个小圆圈来表示。
同或门电路: 同或门电路:
逻辑符号: 逻辑符号:
提
示
双输入端同或门波形图: 双输入端同或门波形图:
当输入端A 当输入端A、B 的电平 状态互为相反时,输出端L 状态互为相反时,输出端L 一定为低电平; 一定为低电平;而当输入端 A、B 的电平状态相同时, 的电平状态相同时, 一定为高电平。 输出端 L 一定为高电平。
20102010-9-14
第二章(1) 第二章(
3
2.1.2 与门
定义:输入与输出信号状态满足“ 定义:输入与输出信号状态满足“与”逻辑关系。 逻辑关系。 与门电路: 逻辑符号: 与门波形图: 与门电路: 逻辑符号: 与门波形图:
第2章逻辑门电路-PPT精选
逻辑门:完成一些基本逻辑功能的电子电路。现使用的 主要为集成逻辑门。
首先介绍晶体管的开关特性 着重讨论的TTL和CMOS门电路的
逻辑功能和电气特性
简要介绍其他类型的双极型和MOS门电路
2.1 晶体管的开关特性 在数字电路中,常将半导体二极管,三极管和场效应管
作 为开关元件使用。 理想开关: 接通时阻抗为零;断开时阻抗为无穷大;
1
VO
1
VI
VO 1输出 VOHmin
VNH VIHmin
0输出
VILman VNL
VOLman
VI
1输入 1输入
2.3.3 TTL与非门的静态输入与输出特性
1. 输入特性
1)输入伏安特性( II=f(Vi) ) 定义:电流流入T1的发射极
方向为正方向。
II(mA)
高电平输入
0.5 1.0 1.5 2.1 0
1.0
-15 -10 -5 0 5 10 15 I0(mA)
负载门的管脚的个数,即
IH=NIIH (IIH为负载门高电平输入电流,约为40μA左
右)
从曲线上看,当IO大于5mA时,VO才开始出现下降趋势, 但决定IOHmax值的并不是VOHmax,而是器件的功耗。在上 面讨论的电路中, IOHmax约为400mA。
在门输入端和地之间接电阻Ri,当电阻从0Ω逐步增加
时,由于电阻内部有电流流过,会使电阻两端电压Vi逐步
增加。
VCC
当T1管饱和导通时: Vi R1R iRi(VCC VB1E)
R1
4kΩ
T1
Roff≈0.9kΩ, Ron≈3kΩ。
Vi
Ri
当Ri小于R0ff时,输入为低 电平;当Ri高于Ron时,输入 为高电平。
数字电子技术基础第二章逻辑门电路基础
(二)二极管的动态开关特性
给二极管电路加入一个方波信号,电流的波形怎样呢?
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
ts为存储时间 tt称为渡越时间 tre = ts 十 tt 称 为 反 向 恢 复时间
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l 1. 反向恢复过程
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
(1)延迟时间td—— 从输入信号vi正跳变的 瞬 间开始,到集电极电流iC上升到0.1ICS所需的 时间
(2)上升时间tr——集电极电流从0.1ICS上升到 0.9ICS所需的时间。
(3)存储时间ts——从输入信号vi下跳变的瞬间 开始,到集电极电流iC下降到0.9ICS所需的时 间。
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l 八、功率损耗(功耗)PD l 九、功耗-延时积DP
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
十、TTL门电路芯片的封装
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
十一、其它逻辑功能的TTL门电路
l (一)TTL正与非门
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
l (二)TTL正或非门
u (1)输入高电平噪声容限电压(最大允许负向干扰电压) u (2)输入低电平噪声容限电压(最大允许正向干扰电压)
数字电子技术基础第二章逻辑门电路 基础
输入高电平噪声容限 VNH=V OH(min)-VON =V OH(min)- V IH(min) =2.4V-2.0V=0.4V。
输入低电平噪声容限 VNL=V OFF-V OL(max) =V IL(max) -V OL(max) =0.8V-0.4V=0.4V。
第2章-逻辑门电路
高速,可代替74HC
高速,可代替74HCT
2.4.1.MOS反相器
2. MOS反相器
(1)电阻负载MOS电路:
如图2-37(a)所示,在这种反相器 中,输入器件是增强型MOS管,负载是线性 电阻。这种反相器在集成电路中很少采用。
(2)E/E MOS(Enhancement/Enhancement MOS) 反相器:
2.三态输出门电路(TSL门) 图227 三态门
三态输出门电路简称三态门,用 TSL(Three Sate Logic)表示,TSL电路的 主要特点是输出共有3种状态,即逻辑高电 平、逻辑低电平和高阻态。
图2-27所示为三态门电路及逻辑符号。 图中EN为三态使能端,A、B为输入逻辑变 量,Y为电路输出。
74F
速度比标准系列快近5倍, 功耗低于标准系列
2.2.1.TTL与非门的典型电路 及工作原理
1. 电路结构
电路由输入级、中间级和输出级三部 分组成。
2. 基本工作原理
(1)TTL工作在关态(截止态)
当输入信号A、B、C中少一个为低电 位(0.3V)时:
VO = VOH = VCC – VR2 – VBE3 – VD4 =5V-0.7V-0.7V =3.6V
实现了输出高电平,此时TTL工作在关 态,也称截止态。
(2)TTL工作在开态(饱和态)
输出电压Vo为
VO = VOL = VCES4 = 0.3V 实现了输出低电平,此时TTL工作在开 态,也称饱和态。
通过以上分析可知,当输入信号中至 少一个为低电位,即VI=ABC= VIL时,输出 高电平,即VO = VOH ;当输入信号全部为 高电位时,即VI=ABC= VIH时,输出低电平, 即VO = VOL。说明电路实现了与非门的逻辑 关系,即
第2章 逻辑门电路
A
1
≥1
B1
VDD R
A&
TP
Y B
Y
TN Y
TN
VOH=VDD'- iLR
2.1.6 CMOS漏极开路门
4.OD门和OC门的应用 应用一:可以线与,简化硬件电路。
+5V
A
&
B
C
&
D
R L
L AB CD
2.1.6 CMOS漏极开路门
线与的实际应用实例——光电报警系统
光电传 1
+5V
R3kCΩ VT5
VT6
A
&
F
B
OC 门
A
&
L
B
2.2.2 LSTTL与非门
集成与非门—74LS00
74LS00是在一个封装内有四个相同的与非门。其外形 如图所示。
绝大多数 左上角Vcc
引线排列从左下角 开始,逆时针计算
14
8
正视图
VCC
&
&
缺口标记
&
&
GND
绝大多数
右下角GND
1
7
2.2.3 LSTTL门电路的电气特性
CMOS门电路几种常见系列: (1)CD4000系列:基本系列,速度较慢 (2)74HC系列:速度比CD4000系列提高近10倍 (3)74HCT系列:与LSTTL门电路兼容 (4)LVC系列:低电压系列
TTL集电极开路门 OC 门Open-Collector
A B
VD5
R1 20kΩ VD1
VD2 VD6
2.2.2 LSTTL与非门
第二章逻辑门电路_数字逻辑与系统
第二章逻辑门电路逻辑门是组成数字电路的基本单元,集成逻辑门主要有双极型集成逻辑门和MOS集成逻辑门。
常用的双极型逻辑门电路有以下几类:①晶体管 -晶体管逻辑电路(Transistor - Transistor Logic),简称TTL电路。
②射极耦合逻辑电路(Emitter Coupled Logic),简称ECL电路。
③集成注入逻辑电路(Integrated Injection Logic),简称I2L电路。
④高阈值逻辑电路(High Threshold Logic),简称HTL电路。
常用的MOS逻辑门电路有:NMOS门电路、PMOS门电路和CMOS门电路。
数字集成电路按集成度可分为四类:①SSI (Small Scale Integration)(100个以下等效门)。
②MSI (Medium Scale Integration)(100~1000个等效门)。
③LSI (Large Scale Integration)(<104个等效门)。
④VLSI (Very Large Scale Integration)(>104个以上等效门)。
逻辑门是组成数字电路的基本单元,集成逻辑门主要有双极型集成逻辑门和MOS集成逻辑门。
常用的双极型逻辑门电路有以下几类:①晶体管 -晶体管逻辑电路(Transistor - Transistor Logic),简称TTL电路。
②射极耦合逻辑电路(Emitter Coupled Logic),简称ECL电路。
③集成注入逻辑电路(Integrated Injection Logic),简称I2L电路。
④高阈值逻辑电路(High Threshold Logic),简称HTL电路。
常用的MOS逻辑门电路有:NMOS门电路、PMOS门电路和CMOS门电路。
数字集成电路按集成度可分为四类:①SSI (Small Scale Integration)(100个以下等效门)。
电子技术基础数字部分第二章逻辑门电路经典课件
V5
A
V1
V2
F 输出管
V3
R2
输入级
中间级 (推拉式)输出级
(中间放大且驱动互补输出)
(1)A=1时,V1管处于发射结与集电结倒置使用放大状态,V2、V3导通,V4截止,有F=0;
VCC
+2.5V
高电平箝位电路提高输出的正向抗干扰能 力;(低电平输入时正向波动导致V导通,
但只要仍有IQ的存在即VZ导通,仍可以保证 高电平输出)
加速电容
A
提高低电平输入的 正向抗干扰能力
IRC RC
VZ
IQ
Cb
F
Rb
V
R' VCC
饱和的深度提高高电平输入时的负向抗干扰能力; 但饱和深度又降低了开关速度,增加了电路损耗;
1、逻辑非:某件事物发生的条件与结果相反的逻辑关系。 2、非门:实现逻辑非运算,且单端输入单端输出的电路。
3、BJT非逻辑电路基本结构及工作原理
VCC
Rb
A
RC
V
F
电位表
VA VF V 0V 5V 止 5V 0.3V 通
4、非门符号
1
A
F
实现了非 逻辑功能
真值表
AF 01 10
5、BJT非逻辑电路改进
CMOS负载
V OH(min)/V TTL负载
CMOS负载
V OL(max)/V TTL负载
VDD/VCC/V tpd/ns PD/mW NO VNH/V VNL/V
CMOS
74HC 74HCT
0.001 -0.001 -0.02
-4
0.001 -0.001 -0.02
-4
0.02
第二章 逻辑门电路1
较大正偏 电压
0.2~0.3V
c、e间相当于一个受iB控制的开关
BJT的开关条件
工作状态
条件
截 止
iB≈0
放 大
0 < iB <
I CS
饱
和
iB > I CS
发射结和集 发射结正偏, 发射结和集 偏置情况 电结均为反偏 集电结反偏 电结均为正偏
V CC ICS iCi= ICS ≈ ≈ CC C= Rc V Rc
Rc2
截 T2 饱和 止
相当于一 R个小电阻 c4
3.6
T4
集电极电流加大, D T3迅速截止
vI
0.2 集电极电流
T1
1.4V
vO
负载 T饱和 3
Re2
基区电荷迅速消散
饱和到截止,需要基区电荷消散时间
2)在T2、T3由截止→饱和(输出1 →0),
输入级提供大的正向基流,B区电子快速积累,
T2、T3快速饱和。 VCC
2.4V
1
VOH(min) VNH VIH(min) VIL(max)
1
2V
定义: 高电平噪声容限 VNH=VOH-VIH 低电平噪声容限 VNL=VIL-VOL 体现一种容错能力 对于TTL 74系列: VNH=2.4V-2V=0.4V VNL=0.8V-0.4V=0.4V
0.4V
VNL
0
0.8V
1
&
V V
“1”: 悬空或接+5V
1
·
2.4V
VOH(min)
2.输出高电平VOH(输入至少一个为0)
典型值:3.6V; 标准高电平 VOH=2.4V 3.输出低电平VOL(输入全为1)
第2章 逻辑门电路
等式两边的真值表如表1.3所示: 等式两边的真值表如表1.3所示: 1.3所示
A
0 0 1 1
B
0 1 0 1
A⋅ B
1 1 1 0
A+ B
1 1 1 0
2. 常用公式
利用上面的公理、定律、规则可以得到一些常用的公式。 利用上面的公理、定律、规则可以得到一些常用的公式。
(1)吸收律
A+A·B = A
工作原理 请自行分析
◆ 多变量的函数表达式
● ● ● ● ●
与 或 与非 或非
F=A·B·C… F=A+B+C…
F = A⋅ B ⋅C
F = A+ B +C
等等 ◆ 运算的优先级别
与或非 F = AB + CD
括号→非运算→与运算→ 括号→非运算→与运算→或运算
2.3 逻辑变量与逻辑函数
F=A+B
当输入端A 当输入端A、B 的电平 状态互为相反时,输出端L 状态互为相反时,输出端L 一定为高电平;当输入端A 一定为高电平;当输入端A、 B的电平状态相同时输出L 的电平状态相同时输出L 一定为低电平。 一定为低电平。
4. 同或门
◆ 能够实现 同或” L = A ⋅ B + A ⋅ B = A⊙B “同或”逻辑关系的 电路均称为“同或门” 由非门、 电路均称为“同或门”。由非门、与门和或门组合而成的同或门 及逻辑符号如下图所示。 及逻辑符号如下图所示。
F = A ⋅ B ⋅C ⋅ D ⋅ E
1. 要保持原式中逻辑运算的优先顺序; 保持原式中逻辑运算的优先顺序; 原式中逻辑运算的优先顺序 2. 不是一个变量上的反号应保持不变,否则就要出错。 不是一个变量上的反号应保持不变,否则就要出错。 上的反号应保持不变
第2章 逻辑门电路
R2 T3
VCC R5 IR5 T4 IL
RL
VO (V )
3
2
1
0
5 10 15 20 IL (mA)
低电平输出电流
V CC
T2
RL
VO (V )
T5
IL
3
2
R3
1
0.2
5 10 15 20 IL (mA )
例2.5.1:门电路的输入特性曲线和输出特性曲线 分别由图2.5.4、图2.5.8、图2.5.9给出。对于 图2.5.10所示的电路,要求G1的输出高电平满 足VOH≥3.2V,输出低电平满足VOL≤0.2V。
C
VEE
VEE
(b)
F2 =A+B+B+C+D=A+B+BC D
F3 =B +C +D F4 = A+B+BC+BC= AB+BC+BC
F5=A+B+BC+BC=A+BC+BC
2.7 MOS管的开关特性 2.7.1 MOS管的开关特性
结构示意图,符号:N沟道MOS管
SG D
N+
N+
P
D G
S
漏极特性和转移特性
&
VIL
nm
m'
... ...
VIL
&
&
I IL
&
2.5.6 三态门
VCC
R1
R2
T3
R5
A
T4
T1
T2
F
B
EN
D
T5
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截止
导通
数字电路与逻辑设计
故ECL门电路的基本单元是单变量分相器。 当输入VI为高电平VIH=-0.8v时:
VE=VIH-VBE1=-1.5v;RE上 的电流IE=(VEVEE)/RE=3.5mA;VC1=IER1=-0.8v;此时VT1管集电 结的反偏电压VCB1=VC1VIH=0v;故VT1工作在放大 状态,而不是饱和状态。
数字电路与逻辑设计
故ECL门电路的基本单元是单变量分相器。 当输入VI为低电平VIL=-1.6v时:
VE=VREF-VBE2=-2v;RE上的 电流IE=(VE-VEE)/RE=3mA; VC2=-IER2=-0.8v;VC1=0v; 此时VT2管集电结的反偏电 压VCB2=VC2-VREF=0.5v;故 VT2工作在放大状态,而不 是饱和状态。
七、集电极开路的门电路(OC门) 推拉式输出电路结构具 有输出电阻很低的优点,但 有一定的局限性。首先不能 把它们的输出端并联使用。 其次,在采用推拉式输出级 的门电路中,电流一经确定, 输出的高电平就固定了,因 而无法满足对不同输出高低 电平的要求。此外,推拉式 电路结构也不能满足驱动较 大电流且高电压的负载的要 求。
门电路的种类:按是否集成分类有分立元件 逻辑门电路、集成逻辑门电路。而后者又分为 TTL门电路和MOS门电路等。
数字电路与逻辑设计
2.2 分立元件门电路
2.2.1 二极管与门 最简单的与门可以用二极管和电阻组成。设 VCC=5v,A、B端输入的高低电平分别为 VIH=3v,VIL=0v,二极管VD1、VD2的正向导通压 降VDF=0.7v。
数字电路与逻辑设计
根据以上分析,不难得到n个变量之(或)的 分相器。
其输出与输入变量的逻辑关系为: F A B C ... K 1 F2 A B C ... K
数字电路与逻辑设计
3.输出级形式
TTL集成门电路输出有四种输出形式,即(a) 集电极开路输出,(b)三态门输出,(c)图腾柱输 出,(d)复合管和图腾柱输出。
Vi
Vo
t P HL
t P LH
数字电路与逻辑设计
二、TTL与门电路
F=AB
输入级
中间级
输出级
数字电路与逻辑设计
三、与或非门和或非门电路
输入级 中间级 输出级
F AB CD
由两个独立的 与门电路组成
为A+B典 型分相器
由典型的复合管和 图腾柱输出构成
数字电路与逻辑设计
或非门电路构成: 在与或非门电路的基础上,去除输入 级发射极B和D,即输入级就是单发射极 三极管,或者在与或非门电路中,在B、 D加固定的高电平“1”,就构成了或非门 电路。 其输出与输入变量的逻辑关系为:
数字电路与逻辑设计
TTL门电路的输入特性 输入短路电流(IIS):当VI=0时的输入电流(-1.5mA) 输入漏电流(IIH):当VI>Vth时的输入电流(10uA) 输入负载特性: 当RI较小时,VI随RI增加而升高,此时VT5截止,忽略VT2基极电流的 影响,可近似认为:
VCC Vbe1 VI RI R1 RI
特点:要接 负载电阻RL 和驱动电压 VCC,实现 高压、大电 流驱动。
(a)
(b)
特点:具 有控制VT1、 VT2均截止 的电路,当 控制有效时, 输出端F呈 高阻态;当 控制无效时, 按逻辑门正 常功能输出 0,1两态。
数字电路与逻辑设计
3.输出级形式 TTL集成门电路输出有四种输出形式,即(a) 集电极开路输出,(b)三态门输出,(c)图腾柱输 出,(d)复合管和图腾柱输出。
必有一个二极 管导通
A、B当中 有一个是低 电平0v
使F为0.7v
数字电路与逻辑设计
2.2 分立元件门电路
2.2.1 二极管与门 最简单的与门可以用二极管和电阻组成。设 VCC=5v,A、B端输入的高低电平分别为 VIH=3v,VIL=0v,二极管VD1、VD2的正向导通压 降VDF=0.7v。
F为3.7v
数字电路与逻辑设计
1.输入级形式
C=A
C=AB C=AB C=A+B
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2.中间级形式 对于功能不同的门,这部分电路不一样。例如 TTL与非门中间级就是分相器;或非门中间级就 是线与电路。 ⑴ 单变量分相器
分相器的逻辑表达式 为:
F1 A F2 A
数字电路与逻辑设计
F=AB
1
1
0
1
0
1
数字电路与逻辑设计
2.2.2 二极管或门 最简单的或门电路也是由二极管和电阻组成。
A、B同时为 低电平0v
F为0v
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2.2.2 二极管或门 最简单的或门电路也是由二极管和电阻组成。
A、B当中有一 个是高电平 F为高电 平2.3v
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则输入、输出逻辑电平列表为:
F A C
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四、TTL异或门电路 首先将异或公式变换一下:
F A B A B AB AB Aห้องสมุดไป่ตู้ A B
输入级
中间级
输出级
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五、集成TTL同或门电路 首先将同或公式变换一下:
F=A B A B A B A B A AB B AB
由多发射极三极管 VT1和电阻R1组成
为典型的单变量C 输入的分相器
为典型的复合管和 图腾柱输出形式
数字电路与逻辑设计
附:TTL门的特性与参数
Vo (V)
4.0 3.5
A B
A(0V,3.6V) B(0.6V,3.6V)
&
3.0
Vo
VOH( min) 2.5
2.0
2.4V
C
C(1.3V,2.48V) D(1.4V,0.3V) E(3.6V,0.3V)
当RI很小时VI很小,相当于输入低电平,输出高电平。为了保持电路稳 定地输出高电平,必须使VI≤VOFF,即 :
RI
VCC
VOFF R1 Vbe1 VOFF
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扇出系数:
I 0 L max NO I IS
TTL与非门传输延迟时间tpd
导通延迟时间、截止延迟时间,通常,TTL门的tpd在 3~40ns之间。
74AS系列 ——为先进肖特基系列,是74S系列的后继产品。
74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列,是74LS系列的后 继产品。
数字电路与逻辑设计
2.3.1 TTL集成门电路的结构
TTL集成门电路的结构一般分为三级,即输 入级、中间级和输出级。
完成信号输入 放大作用
完成信号处理 及耦合作用
完成驱动放 大作用
导通
截止
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2.ECL门的实际电路
VT6组成一个简单的电 压跟随器,为VT5提供 一个参考电压
VT7、VT8组成电压跟 随器,起电平移动作用 和隔离作用
输入输出的逻辑关系 为:
A B C
D
F A B C D F A B C D
≥1
F
F
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F AB CD AB CD
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(2)实现电平转换或驱动
+5V +10V 270 Ω
& VO
&
电平转换
驱动
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八、ECL门电路 ECL门是一种非饱和型高速数字集成电路, 它的平均传输延迟时间可在2ns以下,是目前双 极型电路中速度最高的。 1.ECL门电路的基本单元 ECL门电路的基本单元是 一个差动放大器。根据差动 放大器的原理,VC2与VI同 极性,VC1与VI反极性。即:
特点:任何 时候作为输 出的两个三 极管,总有 一个处于截 止状态,而 另一个处于 饱和导通状 态,该电路 具有较强的 驱动能力。 特点:具 有图腾柱输 出和复合管 输出的特点, 有极强驱动 能力。
(c)
(d)
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2.3.2 TTL门电路 一、TTL与非门电路
输入级 中间级 输出级
F AB
3.ECL门电路的工作特点 优点:
①由于三极管导通时工作在非饱和状态,且逻辑 电平摆幅小,传输时间 tpd可缩短至2ns以下,工作速 度最高; ②输出有互补性,使用方便,灵活;
③输出阻抗低,带负载能力强;
④电源电流基本不变,电路内部开关噪声低。
Vi
V
V
1.5 1.0 0.5 V OL( max)
0.4V
0.5 1.0
D
1.5 2.0 2.5 3.0 3.5
E
4.0
Vi (V)
VOFF VON
TTL门电路的电压传输特性
数字电路与逻辑设计
TTL门电路的主要参数
(1)输出高电平电压VOH——VOH的理论值为3.6V。大于2.4V的输出电压 就可称为输出高电压VOH。 (2)输出低电平电压VOL——VOL的理论值为0.3V。小于0.4V的输出电压就 可称为输出低电压VOL。 (3)关门电平电压VOFF——是指输出电压下降到VOH(min)时对应的输入 电压。图中VOFF为1.3V,一般产品要求大于0.8V。 (4)开门电平电压VON——是指输出电压下降到VOL(max)时对应的输入 电压。图中VON为1.4V,一般产品要求小于2.0V。 (5)阈值电压Vth——决定电路截止和导通的分界线,也是决定输出高、低 电压的分界线。从电压传输特性曲线上看,Vth的值界于VOFF与VON之间 ,而VOFF与VON的实际值又差别不大,所以,近似为Vth≈VOFF≈VON。 (6)噪声容限:TTL门电路的输出高低电平不是一个值,而是一个范围。 同样,它的输入高低电平也有一个范围,即它的输入信号允许一定的容 差。VON和VOFF越接近,噪声容限越大。