第七章晶体的发生与成长
第七章实际晶体的形态
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线缺陷:位错、层错等
位错
晶体中原子排列的局部错乱现象,表现为一条线状的缺陷。位错会破坏晶体的周期性结构,导致晶体强度降低、 塑性增加,同时也会影响晶体的电学和热学性能。
层错
晶体中原子层之间的相对滑移现象。层错会改变晶体表面的形貌和粗糙度,影响晶体的力学性能和摩擦学性能。
面缺陷:晶界、孪晶界等
晶界
立方体晶体具有高度的对称性和稳定 性,是自然界中常见的晶体形态之一 。
正八面体形态
正八面体晶体由八个等边三角形 组成,每个面都是等边三角形。
正八面体晶体具有高度的对称性 和稳定性,也是自然界中常见的
晶体形态之一。
典型的正八面体晶体有钻石和萤 石等。
十二面体形态
十二面体晶体由12个 正五边形组成,每个 面都是正五边形。
电子显微镜观察法
透射电子显微镜(TEM)
利用高能电子束穿透样品,通过电磁透镜成像来观察晶体形貌和 结构。
扫描电子显微镜(SEM)
利用电子束扫描样品表面,通过收集样品发射的次级电子或反射电 子来形成图像,观察晶体表面形貌和微结构。
分析型电子显微镜
结合能谱仪等分析附件,可对晶体成分、晶体缺陷等进行定性和定 量分析。
应用领域
可用于观察晶体表面形貌、测量表面粗糙度、研究晶体生长机制等。
06
实际晶体形态应用领域及 前景展望
材料科学与工程领域应用举例
晶体形态对材料性能的影响
晶体形态的不同会导致材料在力学、热学、电学等方面的 性能差异,因此可以通过控制晶体形态来优化材料性能。
晶体生长与材料制备
在材料制备过程中,晶体生长是一个重要环节。通过控制 晶体生长条件,可以获得具有特定形态和性能的材料。
生长界面结构与性质
第七章晶体结构
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M
旋转轴 n
旋转
L( )
反轴 n
旋转反演 L( )I
2、微观对称元素:由于晶体的周期性结构,是无限的几何图
形,具有微观对称性——微观对称元素。
点阵
平移
螺旋轴 nm
螺旋旋转 ( t )L( )
滑移面
如 二重螺旋轴 21
a
反映平移 M( t )
1/ 2a
同形性:宏观中,平移被掩盖,其它操作宏观微观一一对应。 二、晶体对称元素的基本原理:对称性要与晶体内部点阵结构
4、空间点阵:三维点阵 特点:①空间点阵可以分解成 一组组平面点阵; ②取不在同一平面的三个向量
c
b
a
组成平行六面体单位。ac ,bc ,ab
素单位:占点为1,其中顶点1/8,棱点1/4,面点1/2。体心为1。 ③按平行六面体排列形成空间格子。
平移群: mnp ma nb pc , m,n, p 0,1,2, 平行六面体单位+结构基元 = 晶胞
n
A到A’,B到B’,A’、B’ 也必为点阵点
B a
2 / n
B'
连接A’B’,得向量 A' B' ,那么 A' B' // AB
n
Oa A
2 / n
A'
A' B' ma ,m 为整数
在△A’OB’中,依余弦定理 A' B' 2
A'O COS
2
n
ma 2a cos 2 ,
n
cos 2 m
n2
i , m, 1, 2, 3, 4, 6, 4
三、晶体的宏观对称类型:
八类对称元素按合理组合,但不能产生5或高于6的轴次。
晶体结构——精选推荐
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第七章晶体结构第一节晶体的点阵结构一、晶体及其特性晶体是原子(离子、分子)或基团(分子片段)在空间按一定规律周期性重复地排列构成的固体物质。
晶体中原子或基团的排列具有三维空间的周期性,这是晶体结构的最基本的特征,它使晶体具有下列共同的性质:(1)自发的形成多面体外形晶体在生长过程中自发的形成晶面,晶面相交成为晶棱,晶棱会聚成顶点,从而出现具有几何多面体外形的特点。
晶体在理想环境中应长成凸多面体。
其晶面数(F)、晶棱数(E)、顶点数(V)相互之间的关系符合公式:F+V=E+2 八面体有8个面,12条棱,6个顶点,并且在晶体形成过程中,各晶面生长的速度是不同的,这对晶体的多面体外形有很大影响:生长速度快的晶面在晶体生长的时候,相对变小,甚至消失,生长速度小的晶面在晶体生长过程中相对增大。
这就是布拉维法则。
(2)均匀性:晶体中原子周期性的排布,由于周期极小,故一块晶体各部分的宏观性质完全相同。
如密度、化学组成等。
(3)各向异性:由于晶体内部三维的结构基元在不同方向上原子、分子的排列与取向不同,故晶体在不同方向的性质各不相同。
如石墨晶体在与它的层状结构中各层相平行方向上的电导率约为与各层相垂直方向上电导率的410倍。
(4)晶体有明显确定的熔点二、晶体的同素异构由于形成环境不同,同一种原子或基团形成的晶体,可能存在不同的晶体结构,这种现象称为晶体的同素异构。
如:金刚石、石墨和C60是碳的同素异形体。
三、晶体的点阵结构理论1、基本概念(1)点阵:伸展的聚乙烯分子具有一维周期性,重复单位为2个C原子,4个H 原子。
如果我们不管其重复单位的内容,将它抽象成几何学上的点,那么这些点在空间的排布就能表示晶体结构中原子的排布规律。
这些没有大小、没有质量、不可分辨的点在空间排布形成的图形称为点阵。
构成点阵的点称为点阵点。
点阵点所代表的重复单位的具体内容称为结构基元。
用点阵来研究晶体的几何结构的理论称为点阵理论。
(2)直线点阵:根据晶体结构的周期性,将沿着晶棱方向周期的重复排列的结构单元,抽象出一组分布在同一直线上等距离的点列,称直线点阵。
《结晶学》第7章晶体的规则连生
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缝合线的两侧因为是属于两个个体,所 以晶面性质有差异
(4)双晶条纹(聚片双晶纹)
聚片双晶中,一系列相 互平行接合面在晶面, 解理面上的迹线
斜长石的聚片双晶纹
(5)蚀像
双晶缝合线两侧结晶方位不同, 所形成蚀坑方位完全不同
α-石英柱面上的蚀像示意图
§6.3浮生与交生
1、浮生(overgrowth)
成之后才产生的双晶。机械双晶一般属于典型的次
生双晶。
7、双晶的分布
(1)矿物晶体中,有1/5的矿物种数有双晶存在。 (2)矿物中双晶出现频率不同。如斜长石几乎总是以双 晶出现;而磷灰石等双晶非常罕见。 (3)存在双晶的矿物中,双晶律的多寡也不平衡。1/3的 矿物只有一种双晶律,而长石和α -石英中,双晶律的种 数达20多种。 (4)不同双晶律在一种矿物中出现的频率差别悬殊。 如钠长石律双晶在斜长石中几乎比比皆是,有的双晶律 只在矿物标本中被找到。 (5)双晶律按晶系划分时也不均衡。
石英嵌生于钾长石晶体中
3、浮生或交生成因
主要取决于相互浮生或交生的晶体间具有相似的面网 成因类型:原生、离溶、次生
(1)原生:两种晶体同时结晶,相互结合而成的浮生或交生; 或一种晶体先形成,而后另一种晶体按一定规律浮生其上 (2)离溶:由高温形成的固溶体,当温度降低发生离溶时形成 (3)次生:一种物质的晶体被另一种物质交代时形成的
交,双晶总体呈环状,环不一定封闭,可以是开口的。
锡石的环状双晶
④ 复合双晶(compound twin)
由两个以上的单体彼此间按不同的双晶律所组成的双晶。
斜长石卡-钠复合双晶
(2) 贯穿双晶
(penetrate twin,interpenetrate twin,亦称穿插双晶):
知识总结—— 晶体结构
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第七章 晶体结构第一节 晶体的基本概念一、晶体概述固态物质按其组成粒子(分子、原子或离子等)在空间排列是否长程有序分成晶体(Crystal )和非晶体(又称为无定形体、玻璃体等)两类。
所谓长程有序,是指组成固态物质的粒子在三维空间按一定方式周期性的重复排列,从而使晶体成为长程有序结构。
长程有序体现了平移对称性等晶体的性质。
与晶体相反,非晶体(Non-crystal )内部的粒子(分子、原子或离子等)在空间排列不是长程有序的,而是杂乱无章的排列。
例如橡胶、玻璃等都是非晶体。
晶体内部各部分的宏观性质相同,称为晶体性质的均匀性。
非晶体也有均匀性,尽管起因与晶体不同。
晶体特有的性质是异向性、自范性、对称性、确定的熔点、X 光衍射效应、晶体的缺陷等。
对于长程有序的晶体结构来说,若了解了其周期性重复单位的结构及排列方式,就了解了整个晶体的结构。
可见,周期性重复单位对认识晶体结构非常重要。
在长程有序的晶体结构中,周期性重复的单位(一般是平行六面体)有多种不同的选取方法。
按照对称性高、体积尽量小的原则选择的周期性重复单位(平面上的重复单位是平行四边形,空间中的重复单位是平行六面体),就是正当晶胞,一般称为晶胞(Crystal cell )。
二、晶胞及以晶胞为基础的计算1. 晶胞的两个要素晶胞是代表晶体结构的最小单元,它有两个要素:一是晶胞的大小、型式,晶胞的大小可由晶胞参数确定,晶胞的型式是指素晶胞或复晶胞。
二是晶胞的内容,是指晶胞中原子的种类和位置,表示原子位置要用分数坐标。
晶体可由三个不相平行的矢量a , b , c 划分成晶胞,适量a , b , c 的长度a , b , c 及其相互之间的夹角α, β, γ称为晶胞参数,其中α是矢量b 和c 之间的交角,β是矢量a 和c 之间的交角,γ是矢量a 和b 之间的交角。
素晶胞是指只包含一个重复单位的晶胞,复晶胞是指只包含一个以上重复单位的晶胞。
分数坐标是指原子在晶胞中的坐标参数(x , y , z ),坐标参数(x , y , z )是由晶胞原点指向原子的矢量r 用单位矢量a , b , c 表达,即r = x a + y b + z c如图所示晶体,小球和大球的分数坐标分别为 小球:)21,21,21( ),21,0,0( ),0,21,0( ),0,0,21( 大球:)21,21,0( ),21,0,21( ),0,21,21( ),0,0,0( 2. 以晶胞为基础的计算(1)根据晶体的化学式计算密度:D =ZM/N A V ,M 是晶体化学式的相对式量,Z 是一个晶胞中包含化学式的个数,V 是晶胞的体积,N A 是阿佛加德罗常数。
07-第七章单晶材料的制备
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07-第七章单晶材料的制备7-1第七章单晶材料的制备§7.1 固相-固相平衡的晶体生长§7.1.1 结晶理论§7.1.2 应变退火生长单晶§7.1.3 烧结体生长晶体§7.2 液相-固相平衡的晶体生长§7.2.1 液相晶体生长理论§7.2.2 定向凝固法§7.2.3 提拉法§7.2.4 区域熔化技术7-2随着电子技术、激光技术和一些新型陶瓷材料的迅速发展,在很多场合下需要单晶材料(材料整体只有一个晶粒)。
如单晶硅、锗、砷化镓、红宝石、钇铁石榴石、石英单晶等。
单晶体以其在电、磁、光、声、热等方面的优异性能被广泛地应用于现代高科技产业,如熟悉的单晶硅材料在半导体工业上的应用。
单晶材料的制备关键是避免多余晶核的形成,保证唯一晶核的长大,因此,要求材料纯度高,以避免非均匀形核,过冷度低以防止形成其它晶核。
单晶体的生产方法有许多种,它们的理论基础是有关的相图及相变,以及形核长大理论,目前单晶制备已发展成为一种重要的专门技术。
按照单晶材料原子的来源,可以分为液相法、气相法和固相法,其中液相法应用较多,如单晶硅的制备。
7-3对天然矿物晶体生长的研究有助于了解矿物、岩石、地质体的形成及发展历史,并为矿物资源的开发和利用提供一些有益的启发性资料。
人工合成晶体则不仅可以模拟和解释天然矿物的形成条件,更重要的是能够提供现代科学技术所急需的晶体材料。
近年来人工合成晶体实验技术迅速发展,成功地合成了大量重要的晶体材料,如激光材料、半导体材料、磁性材料、人造宝石以及其它多种现代科技所要求的具有特种功能的晶体材料。
当前人工合成晶体已成为工业主要文柱的材料科学的一个重要组成部分。
人工合成晶体的主要途径是从溶液中培养和在高温高压下通过同质多相的转变来制备(如用石墨制备金刚石)等。
具体方法很多,下面简要介绍几种最常用的方法。
7-4§7.1 固相-固相平衡的晶体生长是在固态条件下,使异常晶粒不断长大吞并其它小晶粒而得到单晶的方法。
晶体生长第七章晶体生长动力学
![晶体生长第七章晶体生长动力学](https://img.taocdn.com/s3/m/6b3409e4eff9aef8941e06e0.png)
第七章晶体生长动力学生长驱动力与生长速率的关系(动力学规律或界面动力学规律),先解决生长机制问题。
§ 1邻位面生长——台阶动力学邻位面生长一一奇异面上的台阶运动问题1. 界面分子的势能邻位面上不同位置的吸附分子[3]界面上不同位置的势能曲线1—2 : 2 ① i+8 ① 2;1 —3 : 4 ① i+12① 2;1—4 : 6①1+12①2 分子最稳定位置(相变潜热)单分子相变潜热:I sf=W s+W k①流体分子⑴体扩散吸附分子⑵面扩散台阶分子⑶ 线扩散扭折⑷② 流体分子 ⑴ 体扩散 吸附分子⑵面扩散扭折⑷ ③ 流体分子 ⑴体扩散扭折⑷2.面扩散W s =2①严8 ①2 吸附分子 —流体需克服的势垒U 〃 吸附分子在界面振动频率吸附分子在晶 面发生漂移的机率为:exp^ s/kT),面 扩散系数为:D ssD s =[ u // exp(- /kT)]丄吸附分子平均寿命:T s,.脱附频率s1/ s 」_exp( W s/kT)s 二丄 e>p(W s/kT)V丄Xs:吸附分子在界面停留的平均寿命T s 内,由于无规则漂移而在给定方向的迁移(分子无规则漂移的方均根偏差)X —s D s(爱因斯坦公式)1 s s X s exp[W s- s]/2kT2s s由于对一般的晶面:W - 0.45l sf -0i sf20面扩散激活能u // = u 丄s考虑脱附分子数:2X sX s 1exp[0.22l sf /kT]Xs 决定了晶体生长的途径。
3.台阶动力学一一面扩散控制台阶的运动受面扩散控制界面N o ,格点Ns 有吸附分子::“ exp (-W k/kT )(对单原子或简单原子,可忽略取向效应)Xs >> X o 则吸附分子均能到达台阶设台阶长度为a 则单位时间到达台阶的分子数为:2X ss 丄aTs界面某格点出现吸附分子的机率:N o若:Xs >> X 。
《结构化学》第七章
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注:分数坐标与选取晶胞的原点有关
Nankai University
Cl-: 0,0,0; 1/2,1/2,0; 0,1/2,1/2; 1/2,0,1/2 Na+: 1/2,0,0; 0,1/2,0; 0,0,1/2; 1/2,1/2,1/2
Nankai University
S= : 0,0,0; 2/3,1/3,1/2; Zn++: 0,0,5/8; 2/3,1/3,1/8
宏观晶体的晶面指标 对于宏观晶体的外形晶面进行标记时,习惯
上把原点设在晶体的中心,根据晶体的所属晶系 确定晶轴的方向,两个平行的晶面一个为(hkl), 另一个为 (h kl )
Nankai University
晶面间距:任三个晶轴上截数为整数的一族晶 面中,相邻晶面间的垂直距离
立方晶系: 正交晶系:
X
OP= xa+yb+zc
x, y, z为P原子的分数坐标。x, y, z
为三个晶轴方向单位矢量的个数
Y
(是分数)(晶轴不一定互相垂直)。 x, y, z一定为分数
• 凡不到一个周期的原子的坐标都必须标记,分数坐标, 即坐标都为分数,这样的晶胞并置形成晶体;
• 这里的分量不一定是垂直投影。 • 一个晶胞内原子分数坐标的个数,等于该晶胞内所包括
数学抽象
晶体
点阵
点阵结构
点阵点
结构基元
直线点阵
晶棱
平面点阵
晶面
空间点阵
晶体
正当单位
正当晶胞
7种形状 14种布拉威格子
7个晶系 14种布拉威晶格
Nankai University
7.1.4 晶胞 晶胞:点阵结构中划分出的平行六面体叫晶胞, 它代表晶体结构的基本重复单位。
第七章 晶体的发生与成长
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4)变晶 矿物在定向压力方向上溶解,而在垂 ) 直压力方向上再结晶,因而形成一向延长或二 向延展的变质矿物,如角闪石、云母等,这样 的变质矿物称为“变晶” 5)由固态非晶质体结晶 ) 由非晶质体向晶体的转化是自发的,是释放能 量的过程。这种由玻璃质转化为结晶质的作用 为晶化作用 脱玻化作用 晶化作用或脱玻化作用 晶化作用 脱玻化作用。与上一作用相反, 一些含放射性元素的晶体,由于受到放射性元 素发生蜕变时释放出来的能量的影响,使原晶 体的格子遭到破坏变为非晶质体,这一作用称 为变生非晶质化 玻璃化作用)。 变生非晶质化或玻璃化作用 变生非晶质化 玻璃化作用
二、成核作用
晶体的生成一般是先生成晶核,然后再逐渐长大。 晶核:从母相中初始析出并达到某个临界大小,从而 得以继续成长的结晶相微粒。 均匀成核作用 初次成核作用 成核作用 非均匀成核作用 二次成核作用 晶核可由已达过饱和或过冷却的流体相本身自发 地产生,这种成核作用叫均匀成核作用;晶核也可借 助于非结晶相外来物的诱导而产生,叫非均匀成核作 用;晶体还可由体系中业已存在的晶体的诱导而产生, 这种成核作用叫二次成核作用。
因此: 面网密度小的面,其面网间距也小, 从而相邻面网间的引力就大,因此将优先 生长。反之,面网密度大的面,成长就慢。 各晶面间的相对生长速度与其本身面网密 度的大小成反比。生长速度快的晶面,在 晶体的生长过程中,将会缩小而最终消失, 实际上保留下来的晶面将是面网密度大的 晶面。面网密度越大,被保留下来的几率 就越大,晶面本身的面积相应也越大。
• 非均匀成核和二次成核作用也需要 一定的成核能( ⊿ G’)。
• 若⊿ G’= ⊿ G,晶核与固相外来物之间 完全没有亲和力,不发生均匀成核和二 次成核; • 若⊿ G’=0,说明固相外来物与所结晶物 质是同种晶体,优先二次成核。晶种 • 若⊿ G> ⊿ G’>0,固相外来物与所结晶 物质两者的内部结构越接近, ⊿ G’就越 小,越容易发生非均匀成核或二次成核 作用。
第七章 单晶生长方法的理论分析
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直 拉 硅 单 晶 炉
(2) 坩 蜗 移 动 法 该 方 法 常 称 布 里 支 曼 (Bridgman)法,简称B—S法。该方法的特点是让 熔体在坩埚中冷却而凝固。凝固过程虽然是由坩 埚的一端开始而逐渐扩展到接个熔体,但方式却 有所不同,坩埚可以垂直放置如图6—2(a)所示。 熔体自下向上凝固、或自上而下凝固。 (将一籽 晶插入熔体上部,这样在生长初期晶体不与坩埚 壁接触,以减少缺陷)。
1.正常凝固法 正常凝固法又包括以下几种方法 (1)晶体提拉法 晶体提拉法又称“直拉法”。该方法的创始人是切克劳斯基(1.Czochrolski),他 的论文发表于1918年。这是熔体中最常用的一种方法。虽然后来对该法有许多改进,但基本方法和原 理仍与早期方法类同,许多重要的实用晶体大都是用这种方法制备的。近年来,这种方法又得到了几 项重大改进。能够顺利地生长某些易挥发的化合物(如GaP等)和特定形状的晶体(如管状宝石和带状硅 单晶)。
1.从溶液中生长晶体法 该方法的历史最久,应用也很广泛。这种方法的基本原理是将原材料溶解在溶剂 中,采取适当的措施造成溶液的过饱和,使晶体在其中生长。例如,食盐结晶,利 用蒸发使NaCl晶体生长,从而使食盐结晶。 2.助溶剂法生长晶体(熔盐法) 助溶剂法(又称熔盐法):该方法类似于溶液生长法。因为这种方法的生长温度较 高,故一般地又称“高温溶液生长法”。它是将晶体的原成分在高温下溶解于低熔 点的助溶剂溶液中,形成均匀的饱和溶液,然后通过慢降温,形成过饱和溶液,使 晶体析出。
坩埚也可以水平放置(使用“舟”形 坩埚),如图6—2(b)所示,凝固过程 是通过移动固—液界面来完成,移动 界面的方式有:移动坩埚,或移动加 热炉,或降低温度均可。
2.逐区熔化法
(1)水平区熔法 区熔法的创始入是W.pfann, 他的论文发表于1952年。该方法主要用于材 料的物理提纯,也可用于生长晶体,该法的 特点是熔区被限制在一段段狭窄范围内,而 绝大部分材料处于固态。 随着熔区沿着料锭由一端向另一端缓慢移动, 晶体的生长过程也就逐渐完成。这种方法比 正常凝固法的优点是减少了坩埚对熔体的污 染,并降低了加热功率。另外,这种区熔过 程可以反复进行,从而提高了晶体的纯度或 使掺质均匀。生长装置如图6-4所示。
晶体生长的过程
![晶体生长的过程](https://img.taocdn.com/s3/m/8aef001482c4bb4cf7ec4afe04a1b0717fd5b338.png)
晶体生长的过程晶体的形成过程?晶体是由原子规则排列形成的物质。
晶体的形成需要严格的条件。
在自然状态下,如地球上形成的天然晶体,在相对稳定的温度和压力下形成。
人工晶体是在晶体炉中缓慢生长形成的。
一般来说,小晶体的形成条件比大晶体的形成条件宽松,因此小晶体很容易获得,大晶体也很难获得,无论是自然条件还是人工条件。
结晶是如何形成的?晶体是在物相转变的情况下形成的。
气相、液相、固相有三种物相。
真正的固体只有晶体。
晶体是在气相、液相转变为固相时形成的,在固相之间产生转变。
晶体生成的一般过程是先生成晶核,然后逐渐生长。
一般认为晶体从液相或气相生长有三个阶段:①介质过饱和、过冷;②成核阶段;②生长阶段。
过饱和、过冷过饱和、过冷状态的出现,并不意味着整个系统同时结晶。
瞬时微晶粒子首先出现在系统的各个部位。
此时,由于温度或浓度的局部变化、外部冲击或某些杂质颗粒的影响,系统中会出现局部过饱和度和高冷却度的区域,使晶体颗粒的大小达到临界值以上。
这种结晶粒子的作用称为成核。
介质体系中的质点同时进入不稳定状态,形成新相,称为均匀成核。
系统中的一些地方社区首先形成了新相核,称为不均匀成核。
均匀成核是指在一个系统中,到处都有几个成核宰相,这需要克服相当大的表面能位基础,即需要相当大的过冷度才能成核。
不均匀的核心形成过程是由于系统中存在一些不均匀性,如悬浮杂质颗粒和容器壁上的不均匀性。
它们都能有效地降低表面能形成核心的位置,并优先在这些不均匀的地方形成晶核。
因为在过冷程度很小的时候也可以局部成核。
在单位时间内,在单位体积中形成的核数称为核速度。
这取决于物质的过饱和度或过冷度。
过饱和度和过冷度越高,成核速度越快。
核速度也与介质的粘度有关。
车轮会议阻碍了物质的扩散,降低了核速度晶核形成后,将进一步生长。
结构化学第七章-晶体结构与晶体点阵
![结构化学第七章-晶体结构与晶体点阵](https://img.taocdn.com/s3/m/b14fd6a703d276a20029bd64783e0912a2167cf3.png)
Long-range-order 长程有序性
6
7.1.1 晶体概述
晶体的特征
(1)晶体的均匀性
பைடு நூலகம்
非晶物质
如玻璃、松香、明胶等
在它们内部原子或分子的排列没有周期性 的结构规律
宏观上仍是集合意义上的“均匀”
晶体 (a)和 玻璃 (b)的内部结构
均匀性 是针对同一方向不同部位的测量结果而言
7
7.1.1 晶体概述
净含点阵点多于一个的空间点阵单位,取法也有 无限多种。
正当空间单位的标准:(次序不能颠倒) 1. 与空间点阵对称性一致的平行六面体 2. 直角数目尽可能多 3. 包含点阵点数目尽可能少(即体积尽 可能小)
25
7.1.2 点阵
空间点阵
正当空间单位有7种形状,14种型式,称 布拉菲格子 (Barvais Lattice)
一般平行四边形
ab
ab90° 23
7.1.2 点阵
空间点阵 定义:在三维方向上等周期排布点阵叫平面点阵。
平移群表示:
几何形式
(m, n, p = 0, 1, 2, …)
24
7.1.2 点阵
空间点阵
三维阵点连接起来构成三维格子。
素单位
净含一个点阵点的空间点阵单位,取法有无限多 种,体积都相等;
复单位
21
7.1.2 点阵
平面点阵
正当单位:
• 最高对称性 • 面积最小 • 形状规则 的平行四边形单位
尽量与平面点阵对称性一致
22
7.1.2 点阵
平面点阵
平面点阵的正当单位可有四种形状,五种型式
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成核能 体系总的能量变化: ⊿ G= -⊿ G1+ ⊿ G2 其中:-⊿ G1=f(r3) 为体系降低的自由能 ⊿ G2 = f(r2)
为晶核表面上的自由能
rc为可以使晶体得以继续成长的临界尺寸。
•
成核能(⊿ G)的大小随着晶核临界 尺寸(rc)的不同而变化,而rc又与溶液的 过饱和度密切相关。过饱和度越高,晶 核的rc以及⊿ G就越小,相应地成核几 率就越大,成核速率(单位时间内所形 成的晶核之总体积)就越高。反之,过 饱和度很低, rc以及⊿ G就越大, ⊿ G 可能超出体系的能量起伏的变化幅度, 此时尽管溶液已达饱和,但仍不能有晶 核自发地产生,低过饱和溶液可以无限 期地保持稳定。
三、层生长理论 (Kossel 1927)晶体在理想情况下生长时, 先长一条行列,然后长相邻的行列;在长满 一层面网后 ,再开始长第二层面网;晶面 (最外面的面网)是平行向外推移而生长的。
层生长的特点:
1.晶体常生长成面平、棱直的多面体形态。 2.在晶体生长过程中,环境会有变化,不同时刻生成的晶 体在物理性质和成分等方面可能有细微的变化,因而在 晶体的端面上常常可以看到带状构造,晶面是平行向外 推移生长的。 3.由于晶面是平行向外推移生长的,所以同种矿物不同晶 体上对应晶面间的夹角不变。 4.晶体由小长大,许多晶面向外平行移动的轨迹形成以晶 体中心为顶点的锥状体,称为生长锥。
二、成核作用
晶体的生成一般是先生成晶核,然后再逐渐长大。 晶核:从母相中初始析出并达到某个临界大小,从而 得以继续成长的结晶相微粒。 均匀成核作用 初次成核作用 成核作用 非均匀成核作用 二次成核作用 晶核可由已达过饱和或过冷却的流体相本身自发 地产生,这种成核作用叫均匀成核作用;晶核也可借 助于非结晶相外来物的诱导而产生,叫非均匀成核作 用;晶体还可由体系中业已存在的晶体的诱导而产生, 这种成核作用叫二次成核作用。
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思考题
1.形成晶体有哪些方式? 2.成核作用分为哪几种类型? 3.在溶液中,过饱和度为低、中、高的情况 下,晶体的生长分别以什么方式? 4.为什么晶核一定要达到一个临界尺寸才可以 继续生长? 5.阐述布拉维法则的内容,并加以定性论证。 6.影响晶体生长的外部因素有哪些? 7.阐述面角守恒定律的内容。
• 非均匀成核和二次成核作用也需要 一定的成核能( ⊿ G’)。
• 若⊿ G’= ⊿ G,晶核与固相外来物之间 完全没有亲和力,不发生均匀成核和二 次成核; • 若⊿ G’=0,说明固相外来物与所结晶物 质是同种晶体,优先二次成核。晶种 • 若⊿ G> ⊿ G’>0,固相外来物与所结晶 物质两者的内部结构越接近, ⊿ G’就越 小,越容易发生非均匀成核或二次成核 作用。
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o 1 2 0等科学家的研究表明,在达不到过 饱和或过冷却的条件下,晶体照样可以生长, 这种现象是层生长理论所不能解释的。根据实 际晶体结构中最常见的位错现象,提出了螺旋 生长理论。即在晶体生长界面上,螺旋位错露 头点所出现的凹角,及其延伸所形成的二面凹 角,可作为晶体生长的台阶源,促进光滑界面 上的生长。
2. 温度 温度的变化直接导致过饱和度或过冷却度 的变化,从而改变了晶面的比表面自由能及不 同晶面间的相对生长速度,所以会形成不同的 晶体形态。
3. 杂质
溶液中杂质的存在, 可以改变晶体不同面网 的表面能,所以其相对 生长速度也会随只变化 而影响晶体的形态。 4.粘度 粘度的加大,会防 碍涡流的产生,溶质的 供给只能一扩散的方式 来进行,造成物质供给 不足。产生骸晶。 5. 结晶速度
晶体生长速率R与溶液过饱和度S的关系
五、影响晶体生长的内因(布拉维法则) 实际晶体的晶面常常平行于面网结点密 度最大的面网。这就是布拉维法则。
面网密度:
AB>DC>BC
生长速度: AB<DC<BC
因此: 面网密度小的面,其面网间距也小,从 而相邻面网间的引力就大,因此将优先生 长。反之,面网密度大的面,成长就慢。 各晶面间的相对生长速度与其本身面网密 度的大小成反比。生长速度快的晶面,在 晶体的生长过程中,将会缩小而最终消失, 实际上保留下来的晶面将是面网密度大的 晶面。面网密度越大,被保留下来的几率 就越大,晶面本身的面积相应也越大。
一.形成晶体的方式
1. 由液相转变为晶体 熔体
晶体
溶液 1) 从熔体中结晶 当温度低于熔点时,晶体开始析出, 即过冷却条件下晶体才能发生。
2)从溶液中结晶 当溶液处于过饱和时,溶质从溶液中的结 晶出来。其方式有: A .温度降低 ,如岩浆期后的热液,远离岩 浆源越远温度将依次降低,各种矿物晶体陆续 析出。如含有各种金属物质的热水溶液中,可 沉淀出各种金属或非金属矿物,方铅矿、闪锌 矿、萤石、方解石等。 B .水分蒸发 ,如天然盐湖卤水蒸发,盐类 矿物结晶出来。 C.通过化学反应,生成难溶物质。
晶体的再生
面角恒等定律
对于一种晶体而言,往往只有几种比较固定的面网, 才能发育成为实际的晶面。晶体生长时,常受到外界因素 的影响,使晶面发育不完整,形成“歪晶”。研究发现: 成分和结构均相同的所有晶体,不论它们的形状和大小如 何,一个晶体上的晶面夹角与另一些晶体上的相对应的晶 面夹角恒等。称为面角恒等定律。面角是指晶面法线之间 的夹角。
结晶速度大,则结晶中心增多,晶体长的细小,且往往 长成针状、树枝状。反之,结晶速度小,晶体长得粗大。
七、 晶体的溶解与再生
1.晶体的溶解 晶体在不饱和的溶液中就会溶解,由于角 顶和棱与溶剂接触的机会多,所以这些地方溶 解得快些,因而晶体可溶成近似球状。
2.晶体的再生 破坏和溶解了的晶体在合适的环境, 又可恢复多面体形态,称为晶体的再生。
2.由气相转变为晶体
3.由固相直接转为固相
气体在 过饱和蒸气压 或 过冷却温度 下,直接由气 体转变为晶体。在火山口附近常由火山喷气直接生成 硫、碘或氯化钠晶体。萤石、绿柱石、电气石等等矿 物也可在岩浆作用期后由气体直接生成。雪花就是水 蒸气冷却直接结晶而成的晶体。
环境的变化可以引起矿物的成分在固态情况下产 生改组,使原矿物的 颗粒变大 或 生成新的矿物 。这种 再结晶可有以下几种情况: 1)同质多象转变 指某种晶体在热力学条件改变时, 转变为另一种在新条件下稳定的晶体,它们在转变前 后的成分相同,但晶体结构不同。 2) 原矿物晶粒逐渐变大 如由细粒方解石组成的石灰 石与岩浆接触时,受热结晶成为由粗粒方解石晶体组 成的大理岩。 3)固溶体分解 在一定温度下固熔体可以分解成为几种 独立的矿物。如由一定比例的闪锌矿和黄铜矿在高温 时组成为均一相的固熔体,而在低温时就分离为两种 独立的矿物。
六、 影响晶体生长的外部因素
1.涡流
晶体在生长时,周围溶液中的溶质粘附于晶体 上,溶质浓度降低,晶体生长时放出的热量,使溶 液比重减小。由于重力的作用,轻的上浮,周围重 的补充进来,从而形成涡流。晶体生长时涡流向上, 而溶解时则相反。涡流使溶液物质供给不均匀,有 方向性,因而使处于不同位置的晶体形态特征不同。
4)变晶 矿物在定向压力方向上溶解,而在垂 直压力方向上再结晶,因而形成一向延长或二 向延展的变质矿物,如角闪石、云母等,这样 的变质矿物称为“变晶” 5)由固态非晶质体结晶 由非晶质体向晶体的转化是自发的,是释放能 量的过程。这种由玻璃质转化为结晶质的作用 为晶化作用或脱玻化作用。与上一作用相反, 一些含放射性元素的晶体,由于受到放射性元 素发生蜕变时释放出来的能量的影响,使原晶 体的格子遭到破坏变为非晶质体,这一作用称 为变生非晶质化或玻璃化作用)。