太阳能电池材料电子教案(带硅材料的制备)
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2、模具：八面体wenku.baidu.com石墨
3、带硅：八面体管状
4、带硅与模具关系：后者的润湿状态和几何形状决定前者的厚度、形状
5、优点：
（1）可以连续生产、制备长的带硅材料（自动化、且无机械加工）
（2）采用闭合管型代替平面带硅生长
A、边缘问题解决
B、生产效率较高
C、材料损耗小
6、缺点
（1）晶粒细小
（2）表面不平整、微有起伏
2、浇铸法的优点和不足？
3、直熔法的优点和不足？
4、电磁感应冷坩埚连续拉晶法的原理及优缺点？
5、铸造多晶硅晶锭的质量标准？
6、铸造多晶硅的原料、坩埚？
7、晶体生长的影响因素及解决办法？
8、晶体掺杂的原料、原理？
9、多晶硅和单晶硅的区别？
Ⅲ、讲授新课：70分钟
第九章带硅材料
概述
一、定义
利用不同技术，直接在硅熔体中生长出带状的多晶硅材料，又称为硅带材料和带状硅材料
教学难点
了解边缘限制薄膜带硅生长技术并掌握其相关内容
了解线牵引带硅生长技术并掌握相关内容
区分边缘限制薄膜带硅生长技术和线牵引带硅生长技术
教学准备
教案、教材
教学方法
比较法、探究式教学法
教
学
过
程
Ⅰ、课堂组织：2分钟
组织课堂纪律、点名
Ⅱ、复习旧课，导入新课：5分钟
问题：
1、什么是浇铸法、直熔法及二者的本质区别？
（1）设备简单
（2）成本低
（3）循环次数高
Ⅳ、归纳总结：3分钟
非晶硅太阳电池的优点、不足及材料的缺点
Ⅴ、布置作业：1分钟
总结单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳电池的生产工艺及优缺点
教学反思
教研组长签名：教务科长签名：
年月日
垂直提拉：（已经商业化）边缘限制带硅生长技术
线牵引带硅生长技术
枝网带硅生长技术
（实验阶段）衬底上的带硅生长技术
水平横向：（实验阶段）工艺粉末带硅生长技术
二、具体生长方法
（一）边缘限制带硅生长工艺
1、工艺
原材料----坩埚----加热----熔硅----石墨模具----引出带硅----依靠熔体毛细管效应----输送熔硅到固液界面
二、优点
1、减少硅片加工工艺（晶锭生长）（种晶）
2、节约硅原材料（无切片损伤）
3、省去了硅切片过程、降低成本（设备）、节约时间
三、缺点
1、晶体细小、缺陷态密度高
2、金属等杂质离子含量高----效率低----经济成本高（熔硅要与设备长时间接触）
9.1带硅材料的制备
一、分类
按照生长方式：垂直提拉和水平横向
授课日期
授课节次
授课班级
概述
9.1带硅材料的制备
9.1.1边缘限制薄膜带硅生长技术
9.1.2线牵引带硅生长技术
教学目的
1、了解什么是带硅材料及优缺点
2、掌握带硅材料的分类
3、了解边缘限制薄膜带硅生长技术并掌握其相关内容
4、了解线牵引带硅生长技术并掌握相关内容
教学重点
了解什么是带硅材料及优缺点
掌握带硅材料的分类
（3）位错密度高
（4）引入碳杂质
（5）石墨损耗----带硅宽度和厚度增加
（二）线牵引带硅生长技术
1、工艺
原料----石墨坩埚----熔化----平行热抗性牵引线穿过坩埚----穿过熔体----稳定带硅形成----随带硅拉出新的带硅
2、影响带硅厚度的因素
（1）线的直径
（2）熔体温度是否适合固液界面
3、优点
3、带硅：八面体管状
4、带硅与模具关系：后者的润湿状态和几何形状决定前者的厚度、形状
5、优点：
（1）可以连续生产、制备长的带硅材料（自动化、且无机械加工）
（2）采用闭合管型代替平面带硅生长
A、边缘问题解决
B、生产效率较高
C、材料损耗小
6、缺点
（1）晶粒细小
（2）表面不平整、微有起伏
2、浇铸法的优点和不足？
3、直熔法的优点和不足？
4、电磁感应冷坩埚连续拉晶法的原理及优缺点？
5、铸造多晶硅晶锭的质量标准？
6、铸造多晶硅的原料、坩埚？
7、晶体生长的影响因素及解决办法？
8、晶体掺杂的原料、原理？
9、多晶硅和单晶硅的区别？
Ⅲ、讲授新课：70分钟
第九章带硅材料
概述
一、定义
利用不同技术，直接在硅熔体中生长出带状的多晶硅材料，又称为硅带材料和带状硅材料
教学难点
了解边缘限制薄膜带硅生长技术并掌握其相关内容
了解线牵引带硅生长技术并掌握相关内容
区分边缘限制薄膜带硅生长技术和线牵引带硅生长技术
教学准备
教案、教材
教学方法
比较法、探究式教学法
教
学
过
程
Ⅰ、课堂组织：2分钟
组织课堂纪律、点名
Ⅱ、复习旧课，导入新课：5分钟
问题：
1、什么是浇铸法、直熔法及二者的本质区别？
（1）设备简单
（2）成本低
（3）循环次数高
Ⅳ、归纳总结：3分钟
非晶硅太阳电池的优点、不足及材料的缺点
Ⅴ、布置作业：1分钟
总结单晶硅、多晶硅、非晶硅太阳电池的生产工艺及优缺点
教学反思
教研组长签名：教务科长签名：
年月日
垂直提拉：（已经商业化）边缘限制带硅生长技术
线牵引带硅生长技术
枝网带硅生长技术
（实验阶段）衬底上的带硅生长技术
水平横向：（实验阶段）工艺粉末带硅生长技术
二、具体生长方法
（一）边缘限制带硅生长工艺
1、工艺
原材料----坩埚----加热----熔硅----石墨模具----引出带硅----依靠熔体毛细管效应----输送熔硅到固液界面
二、优点
1、减少硅片加工工艺（晶锭生长）（种晶）
2、节约硅原材料（无切片损伤）
3、省去了硅切片过程、降低成本（设备）、节约时间
三、缺点
1、晶体细小、缺陷态密度高
2、金属等杂质离子含量高----效率低----经济成本高（熔硅要与设备长时间接触）
9.1带硅材料的制备
一、分类
按照生长方式：垂直提拉和水平横向
授课日期
授课节次
授课班级
概述
9.1带硅材料的制备
9.1.1边缘限制薄膜带硅生长技术
9.1.2线牵引带硅生长技术
教学目的
1、了解什么是带硅材料及优缺点
2、掌握带硅材料的分类
3、了解边缘限制薄膜带硅生长技术并掌握其相关内容
4、了解线牵引带硅生长技术并掌握相关内容
教学重点
了解什么是带硅材料及优缺点
掌握带硅材料的分类
（3）位错密度高
（4）引入碳杂质
（5）石墨损耗----带硅宽度和厚度增加
（二）线牵引带硅生长技术
1、工艺
原料----石墨坩埚----熔化----平行热抗性牵引线穿过坩埚----穿过熔体----稳定带硅形成----随带硅拉出新的带硅
2、影响带硅厚度的因素
（1）线的直径
（2）熔体温度是否适合固液界面
3、优点