[工学]模电课件 第5章

合集下载

模电-电子线路线性部分第五版-主编-冯军-谢嘉奎第五章课件

模电-电子线路线性部分第五版-主编-冯军-谢嘉奎第五章课件

第 5 章 放大器中的负反馈
判断反馈极性 — 采用瞬时极性法
用正负号表示电路中各点电压的瞬时极性,或用箭头表示
各节点电流瞬时流向的方法称瞬时极性法。
xi
xi A
xo
xf
kf
▪设 vi 瞬时极性为
经 A 判断 vo
? ?

kf
判断
xf
? ?
▪比较 xf 与 xi 的极性 ( xi = xi - xf )
5.2.3 改变输入、输出电阻
输入电阻
ii
▪ 串联反馈 基放输入电阻 Ri vi / ii 环路增益 T vf / vi Akf
++
Rs
v-i Ri A
vs+ -
vi
+
-
vf -
kf
xo
反馈电路输入电阻:
Rif
vi ii
vi vf ii
vi viAkf ii
vi ii
(1
Akf
)
Ri F
由图
i (v Ast xs ) / Ro xs xf kf v
xf
放 - Ast xs

Rof
v i
Ro 1 Astkf
Ro Fst
反馈 网络
RL v+- o
i + v -
结论 引入电压反馈,反馈越深,输出电阻越小,vo 越稳定。
第 5 章 放大器中的负反馈
▪ 电流反馈
Ro :考虑反馈网络负 载效应后,基放输出电阻。
5.2.2 减小增益灵敏度(或提高增益稳定性)
定义
SA Af
Af / Af A/ A
A Af
Af A

模电第5章课件PPT学习教案

模电第5章课件PPT学习教案

VT1
VT2
R2 uI2
第12页/共53页
动态分析:
(1)信号输入方式
共模输入电压 uIc 差模输入电压 uId
第13页/共53页
第14页/共53页
第15页/共53页
共模电压放大倍数:
Ac
Δ uo Δ uIc
Ac 愈小愈好, 而Ad 愈大愈好 +
uIc ~
+VCC
Rb
Rc
+ uo
Rc Rb
R
+VCC Rb2
ICQ1
ICQ2
1 2
ICQ3
R
U U V I R CQ1
CQ2
CC
CQ1
(对地)
C
IBQ1
IBQ2
ICQ1
1
(对地)
UBQ1 UBQ2 IBQ1R
VT1

VT3
Re
R
VT2
Rb1
VEE
恒流源式差分放大电路
第24页/共53页
3. 动态分析 由于恒流三极管相当于一个阻值很大的长尾电阻 ,它的作用也是引入一个共模负反馈,对差模电压放 大倍数没有影响,所以与长尾式交流通路相同。
IB1 +
UBE1
IC2
IB2 U+BE2 VT2
IC2
I C1
I REF
2IB
I REF
2
IC2

所以
1
IC2
I R EF 1
2
当满足 >> 2 时,则
IC2
I R EF
VCC
UB E1 R
第5页/共53页
二、比例电流源

电子技术基础——电路与模拟电子(第5章)PPT课件

电子技术基础——电路与模拟电子(第5章)PPT课件

型半导体和N型半导体结合在一起时,因为空穴在P区中是多子,
在N区中是少子;同样,电子在N区中是多子,在P区中是少子,
所以在P、N两区交界处,由于载流子浓度的差异,要发生电子和
空穴的扩散运动,多子都要向对方区域移动。当电子和空穴相遇
时会复合消失。假设扩散运动的方向由正指向负(P区指向N区),
则空穴将顺扩散运动方向移动,电子将逆扩散运动方向移动,如
图5.8所示。
第6页/共59页

扩散的结果在两区交界处的P区一侧,出现了一层带负电荷的粒子
区(即不能移动的负离子);在N区一侧,出现了一层带正电荷的粒子区(即
不能移动的正离子),形成了一个很薄的空间电荷区,这就是PN结,如图
5.9所示。
第7页/共59页

2. PN结的单向导电特性

1) 外加正向电压Uf促使PN结转化为导通状态
第3页/共59页
• 2. 杂质半导体
掺杂的半导体称为杂质半 导体。掺杂的方法是将少量 的杂质元素加入到加热了的 Si晶体中。如果在Si晶体中 掺入少量的五价杂质元素, 例如磷(P)元素,则P原子将 全部扩散到加热了的Si晶体 中。因为P原子比Si原子数 目少得多,所以当冷却后形 成固态晶体时,整个晶体结 构不变,只是某些位置上的 Si原子被P原子代替了。
IR
50V 30V 2k
10mV
IL
30V 30k
1mA
IZ IR IL 10 1 9mA
见图5.20(b)中的C点。
第29页/共59页

② 当RL=4kΩ时:

VD仍工作在击穿区,仍可将其近似为30V的电压源。
IL
30V 4k
7.5mA

《模拟电子技术1》课件第5章

《模拟电子技术1》课件第5章

闭合放大倍数
被取样的X o 参与比较的X i
Io Ui
Ag 1 Fr Ag
Agf
称作闭环互导放大倍数, 其量纲是电导。
图 5 – 8 串联电流负反馈放大器
3. 并联电压负反馈 图 5 – 9 并联电压负反馈放大器
开环放大倍数
被取样的X o 比较产生的X
' i
Io Ui'
Ar
称作开环互阻放大倍数, 其量纲是电阻。
jf
/
fh
Am /(1 FAm )
Amf
1 j[ f /(1 FAm ) fh ] 1 j[ f /(1 FAm ) fh ]
fhf (1 FAm ) fh
(5-4)
同理可以求得:
f1 f
1 1 FAm
f1
按照通频带的定义:
开环放大器的通频带为: fbw=fh-fl 闭环放大器的通频带为:fbwf=fhf-flf
Ie2↓
Ib2↓
结果使得Ie2的增量减小, 稳定性提高;因为Ic2≈Ie2, 所以Ie2稳定,Ic2也稳定。值得说明的是, 该反馈电路所稳 定的电流是流过RL′的电流, 不是流过RL的电流。
5.2.3 使放大倍数的稳定性提高
Af Af 2 Af 1
把Af2=A2/(1+FA2)和Af1=A1/(1+FA1)代入上式得:
图 5 – 2 电压反馈示意图
(2)电流反馈:对交变信号而言,若基本放大器、反馈网 络、负载三者在取样端是串联连接,则称为串联取样,如图53所示。由于在这种取样方式下,Xf正比于输出电流,Xf反映的 是输出电流的变化,所以又称之为电流反馈。
图 5 – 3 电流反馈示意图
(3) 电压反馈和电流反馈的判定:

模拟电子技术5

模拟电子技术5
2021/3/5 *
电路与电子技术
(中册·模拟电子技术)(第2版)
5.1 运算放大器在信号运算方面的应用
2. 利用差动式电路以实现减法运算
图5.3中的放大器是反相输入 和同相输入相结合的放大器。 利用理想集成运算放大器的 两条结论,即式(4-7)和 式(4-8),可得
图5.3 差分式运放实现减法电路
其波形如图5.5(b)所示。输出最 终要受到运算放大器电源电压的限 制,不会无限制地增大。
软* 件 学 院
第5章 运算放大器的应用
2021/3/5 *
图5.5 积分运算 电路的阶跃响应
电路与电子技术
(中册·模拟电子技术)(第2版)
5.1 运算放大器在信号运算方面的应用
【例5.2】利用运算放大器进行电路模拟计算, 求解微分方程,试画出解微分方程 +0.8x+ 0.2sinωt=0的电路模拟结构图。
图5.11 改进型的微分电路
软* 件 学 院
第5章 运算放大器的应用
2021/3/5 *
电路与电子技术
(中册·模拟电子技术)(第2版)
5.1 运算放大器在信号运算方面的应用
【例5.5】试求图5.12所示电路的uo与ui关系式。
解:由图5.12可列出
软* 件 学 院
图5.12 比例—微分调节器电路
解:由式(5-1)可知,
R11=RF/4=100/4=25kΩ R12=RF/5=100/5=20kΩ R13=RF/0.8=100/0.8=125kΩ RP=R11∥R12∥R13∥RF≈9.27kΩ
软* 件 学 院
第5章 运算放大器的应用
2021/3/5 *
电路与电子技术
(中册·模拟电子技术)(第2版)

模电第五章课件

模电第五章课件
1. 上升时间与上限频率的关系 阶跃电压上升较快的部分,与频率响应中的高频区相对应,
为关简系化。分如析图,(a)我、们(b此)分处别以为RCR低C低通通电电路路为及例其来阶说跃明响应与。tfHr 的
由图经过分析可以得到,
tr
0.35 fH
因此,上升时间与上限频率fH成反比,fH
越高高频响应越好,则 tr越短,前沿失真越小。
由此可见,平顶降落与下限频率fL成正比例 关系,fL越低,平顶降落越小。
= n 20 lg Aui i 1
多级放大器的相频特性: n
1 2 n i i1
多级放大器的对数增益,等于各级对数增益 的代数和;总相位也是各级相位的代数和。
fL
fL21
f
2 L2
f
2 Ln
2.多级放大器的下限频率
fL
f
2 L1

f
2 L2
f
2 Ln
为了得到更准确的结果,在该式前面乘 以修正系数1.1,得:
者的比值在四倍以上,可取较大的值作为放
大电路的下限频率 。 fL
3. 共射基本放大器高频段源电压增益
在高频段,画出的高频段等效电路如图
高频段等效电路
用密勒定理等效 简化等效电路
经过一系列变化,可以得到
Aush
=
Ausm
1
1 j
f
fH
可知,上限频率主要由高频等效电路的 时间常数决定。
4.共射放大器完整的频率特性
根据上述讨论,可以画出幅频特性如图所示。图中,虚 线为实际幅频特性的波特图,实线为渐近幅频特性波特图, 它由两条渐近线在处转折。
相频特性由三个步骤绘出:
根据上述讨论,可以画出相频特性如图所示。图中有三

最新模电课件第五章

最新模电课件第五章

3. V-I 特性曲线及大信号特性方程
第5章 场效应管放大电路
(2) 转移特性(直接由作图法获得)
iD f(vGS) vDScon s t.
a. 讨论输入特性无意义 b. 当 VT vGS 时,iD和vGS的关系是:
iD IDO(vVGTS1)2
IDOKnVT2 是vGS=2VT时的iD
第5章 场效应管放大电路
VGS>0,排斥空穴, 吸引电子到半导体 表面
VGS到VGS>VGS(th), 半导体表面形成N导 电沟道,将源区和漏 区连起来。
VGS(th):开启电压
2. 工作原理
(2)vDS对沟道的控制作用
VDD s VGG g
iD 迅 速 增 d大
N+
N+
N型(感生)沟道
P
加上VDS VGS>VT
第5章 场效应管放大电路
Kn为电导常数,单位:mA/V2
rdso
dvDS diD
1 vGS常数 2Kn(vGSVT)
rdso是一个受vGS控制的可变电阻
③ 饱和区(恒流区又称放大区)
vGS >VT ,且vDS≥(vGS-VT)
iDKn(vG SV T)2ID O(v V G T S1)2
IDOKnVT2 是vGS=2VT时的iD
第5章 场效应管放大电路
实际上饱和区的曲线并不是平坦的
修正后 iD K n (v G S V T )2(1v D)S IDO (vVG TS1)2(1vDS)
0.1 V1 L
L的单位为m
当不考虑沟道调制效应时,=0,曲线是平坦的。
5.1.5 MOSFET的主要参数
第5章 场效应管放大电路

模电全套课件5

模电全套课件5
vE vB vEB 1 0.7 1.7 V
vRe VEE vE 10 1.7 8.3V
vRc vC VCC 0 10 10V
vRe Re

vRc Rc
Re 8.3 Rc 10
当取 Rc 5.1k 时,Re 4.3k 。
IB
iC hoe vCE
IB
3. H参数的小信号模型
vbe hie ib hre vce ic h fe ib hoe vce
hie he h fe
hre rbe hoe
r
3 10 1 10 2 rce

图解分析法特别适应于分析信号幅度较大而工作频率 不高时的电路工作状态。 图解分析法直观、形象地反映放大电路在交流和直流 信号共存工作情况,以及截止失真和饱和失真的现象, 有助于一些重要概念的建立、选择电路参数、合理设 置静态工作点的位置,确定输出电压的最大动态范围。 图解分析法不能分析信号幅度太小或工作频率较高时 的电路工作状态,也不能用来分析放大电路的输入电 阻、输出电阻等动态性能指标。
iC diC i B
iC VCE di B vCE
dvCE
2. H参数的物理意义
vBE hie iB
VCE
输出端交流短路时的输 入电阻欧姆
iC hfe iB
vBE hre vCE
VCE
输出端交流短路时的正 向电流传输比
输入端交流开路时的反 向电压传输比 输入端交流开路时的输 出电导西门子S
10 3 ~ 10 4 10 5 S
1. 输入电路
iB
iB
2. 输出电路
  1. 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
  2. 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
  3. 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术 5.1.1 集成电路中的元器件特点
(1)集成电路中的元器件是在相同的工艺条件下做出的, 邻近 的器件具有良好的对称性, 而且受环境温度和干扰的影响后的变 化也相同, 因而特别有利于实现需要对称结构的电路。
(2)集成工艺制造的电阻、 电容数值范围有一定的限制。集成电 路中的电阻是使用半导体材料的体电阻制成的, 因而很难制造大 的电阻, 其阻值一般在几十欧姆到几十千欧姆之间; 集成电路中的 电容是用PN结的结电容作的。
集成电路体积小、 重量轻、 耗电少、 可靠性高, 已成为现 代电子器件的主体。 集成电路分数字与模拟两大类。
模拟集成电路的种类很多, 有集成运算放大器(简称集成运放), 集成功率放大器, 集成模拟乘法器, 集成锁相环, 集成稳压器等。 在模拟集成电路中, 集成运算放大器是最为重要、 用途最广的一 种, 这里主要介绍集成运放的内部电路、 工作原理、 性能指标及 常用等效模型。
Io
I C
2IR
112
IR
当β>>2时,IC2 = IO≈IR
(2)IC2 = IO≈IR≈IC1 V U
R CC BE1 51(k4) I
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
1. 镜像电流源
两管参数对称,工作在临界饱和状态。
∵UBE1= UBE2 = UBE,β1 = β2 = β ∴IB1= IB2 = IB, IC1= IC2 = IC = βIB
基准电流
V U
I
I CC BEI 2I I 2C
R
R
C BC
Io
I C
2IR
因 UBE1≈UBE2 ,则IE1Re1 ≈IE2Re2
而IR ≈IE1 , IO≈IE2
IR
R
所以O e1,I e1 I
I R
Re2
O Re2 R
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
5. 多路电流源
T1分别与 T2、 T3、 T4组成比例电流源
R e1 I C3 Re3 R
模 拟电子技术
第5章 模拟集成电路基础
5.1 概述 5.2 晶体管电流源电路及有源负载放大电路 5.3 差动放大电路 5.4 集成运算放大电路
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
5.1 概述
集成电路是一种将“管”和“路”紧密结合的器件, 它以半 导体单晶硅为芯片, 采用专门的制造工艺, 把晶体管、 场效应 管、 二极管、 电阻和电容等元器件及它们之间的连线所组成的完 整电路制作在一起, 使之具有特定的功能。 集成电路体积小、 重量轻、 耗电少、 可靠性高, 已成为现代电子器件的主体。 集 成电路分数字与模拟两大类。
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术 5.1.2 集成电路结构形式上的特点 (1)利用元器件参数的对称性来提高电路稳定性 (2)利用有源器件代替无源元件 (3)一般采用直接耦合方式 (4)采用较复杂的电路结构 (5)适当利用外接分立元件
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
5.2 晶体管电流源电路及有源负载放大电路
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
2. 改进型镜像电流源
T1、 T2、 T3、完全相同
β1 = β2 = β3
IB1= IB2 = IB
UBE1= UBE2 = UBE
I I I I C1 C2 R B3
I 2I 2I 而 I E3 B C1
B3 1 1 (1)
整理得
精密镜像电流源
IO更接近 IR (与IO=βIR/(β+2)相比)
(3)集成工艺制造晶体管、 场效应管最容易, 众多数量的晶体管 通过一次综合工艺完成。 集成晶体管有纵向NPN型管(β值高、性能 好)、 横向PNP 型管(β值低、但反向耐压高)和场效应管, 另外, 集成工艺比较容易制造多极晶体管, 如多发射极管、 多集电极管等。 集成二极管、 稳压管等一般用NPN管的发射结代替。
1 1 2
IR
当β>>2时,
V U
Io IR
CC
R
BE
Io基本恒定
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术 镜像电流源的温度补偿作用
T(OC) ↑→IC ↑→ IR↑→ UR↑→ UB↓→ IB↓→ IC↓
V U
Io IR
CC
R
BE
镜像电流源的缺点
若要求Io大,则IR及R的功耗大; 若要求Io小,则IR小,R很大, 使R集成困难。
根据集成工艺的特点, 模拟集成放大电路 中的偏置电路、 集电极或发射极负载等, 一般 采用晶体管电流源。 这不仅能使电路性能具有 不随温度及电源电压变化而变化的良好稳定性 (做偏置), 而且能获得高增益、 大动态范围的 特性(做有源负载)。
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术 5.2.1 电流源电路
II
得 UU U U(lnRlnO)
I BE B1E B2 E T
I
S1
S2
一般有IS1 = IS2,所以有
U U I
I BE T ln R
O R RI
e
e
O
V U
可以 I 解 ,出 其 I C 中 C BE
O
R
R
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
4. 比例电流源
UBE1+IE1Re1 = UBE2+IE2Re2
R I e1 I C4 Re4 R
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电子技术
例1:在下图电路中, T1、T2管的特性相同, 已知 VCC=15V ,β1=β2=β,UBE1=UBE2=0.6V。 (1)试证明当β >>2时, IC2≈IR ; (2)若要求IC2=28μA,电阻R应取多大?
解:(1)在镜像电流源中已推出
I I I
O
C1
C2
1
I I
1 2
R
R
(1 )
中南大学信息科学与工程学院
模 拟电 3.微电流源
子技术
U U U
I I I B1E B2 E BE
O C2 E2
R
R
e
E
因ΔUBE很小,使Re及不需很大就 可以使Io很小。
由IR IO
I E1
I E2
I eUBE1/UT S1
I eUBE2/UT S2
电流源电路是指能够输出恒定电流的电路。由第1章 晶体管的特性已知, 晶体管本身便具有近似恒流的特性。
在集成电路中, 常用的电流源电路有: 镜像电流源、 精密电流源、 微电流源、 比例电流源和多路电流源等。 它主要提供集成运放中各级合适的静态电流或作为有源 负载代替高阻值电阻, 以提高放大电路的放大倍数。
相关文档
最新文档