微波固态电路引言
微波腔与超导人工原子和固体元激发强耦合体系的物态调控
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微波腔与超导人工原子和固体元激发强耦合体系的物态调控1. 引言1.1 概述近年来,微波腔与超导人工原子以及固体元激发强耦合体系的研究引起了广泛的关注。
这些研究在量子信息、量子计算和量子模拟等领域具有重要的应用前景。
微波腔作为一种特殊的谐振腔系统,可以用于储存和操作微波场,并且具有良好的相干性能。
超导人工原子是通过在超导电路中加入人工构造的原子结构而形成的一种新型量子比特系统,其具备长寿命、可调谐性和高度可控性等优点。
而固体元激发则是指材料中电子能带间跃迁产生的准粒子,例如激光中的光子、晶格中的声子等。
1.2 文章结构本文将围绕微波腔与超导人工原子以及固体元激发强耦合体系展开讨论。
首先,在“2. 微波腔与超导人工原子的基本介绍”部分中,我们将介绍微波腔和超导人工原子各自的基本概念、原理以及特性,并探讨它们之间的耦合机制。
接下来,在“3. 固体元激发强耦合体系的物态调控方法”部分中,我们将介绍固体元激发的物理性质,以及超导量子比特在固体元激发系统中的应用。
我们还将探讨固体元激发强耦合体系的物态调控方法及实验进展。
随后,我们将在“4. 超导人工原子与固体元激发强耦合体系的相互作用研究进展”部分中综述当前超导人工原子和固体元激发强耦合这两方面研究的现状,并结合其相互作用进行物态调控效果和机制分析。
最后,在“5. 结论”部分,我们将对本文进行总结,并对未来的挑战与展望进行讨论。
1.3 目的本文旨在系统地介绍微波腔与超导人工原子以及固体元激发强耦合体系在物态调控方面的最新研究进展,并分析其应用前景。
通过深入了解微波腔、超导人工原子和固体元激发这些主要概念和原理,我们可以更好地掌握它们的物态调控方法,为相关领域的研究提供理论基础和实验指导。
此外,我们还将探索超导人工原子与固体元激发强耦合体系的相互作用,并讨论其在新型器件和应用方面的潜力。
通过本文的阐述,读者将对微波腔、超导人工原子和固体元激发强耦合体系有一个全面而深入的了解,以及相关研究中所面临的挑战和未来发展方向。
微波固态电路引言
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2. 国际电气与电子工程师协会(IEEE)会员。 3. 国家自然科学基金(NSFC)评审专家 3. 格鲁吉亚(Georgia)国家自然科学基金(GNSF)评审专家 4. 2010年ISPACS国际会议的技术委员会委员 5. 担任APMC2008 Paper Prize Competition评审人以及APMC2009审稿专家 6. 多种国际学术期刊编委
电子科技大学电子工程学院
微波固态电路
引言
社会学术兼职
1. 担任以下主要国际专业学术期刊论文评阅人:
IEEE Transactions on Microwave Theory and Techniques IEEE Transactions on Geoscience and Remote Sensing IEEE Microwave and Wireless Components Letters IEEE Geoscience and Remote Sensing Letters Remote Sensing of Environment IET Microwaves, Antennas & Propagation International Journal of Infrared and Millimeter Waves International Journal of Numerical Modeling Electronic Networks, Devices and Fields Journal of Electromagnetic Waves and Applications Progress in Electromagnetic Research International Journal of Remote Sensing Remote Sensing Letters Journal of Applied Remote Sensing Hydrological Processes International Journal of the Physical Sciences
微波固态电路习题参考答案
![微波固态电路习题参考答案](https://img.taocdn.com/s3/m/f1ccb0670b1c59eef8c7b4e3.png)
6.中频移相器应该加在B 端口v )cos()(s s s s t V t =ω+ϕ设2端口信号电压 1端口本振电压 )cos()(L L L L t V t v ϕω+=加到D1、D2、D3、D4管上的信号及本振电压分别为:因为信源角频率>本振角频率,可得D1、D2、D3、D4产生的中频电流分别为:)cos(2)()()(431πϕϕω−−+=−=if if B g t i t i t i L s if s tV混频器A 的中频输出为:混频器B 的中频输出为: B 的中频输出经过移相器移相得到 )23cos(2)(1'πϕϕω−−+=l s if s B t V g t i )23cos(4)()()(1'πϕϕω−−+=+=l s if s B A t V g t i t i t i 可见混频器B 的中频输出经过90度移相,在M 处与A 管中频同相迭加。
外镜频抑制:2端口设外镜像频率信号为 ])2cos[()(i S L i i t V t v ϕωω+−=1端口本振信号为 )cos()(L L L L t V t v ϕω+=D1、D2、D3、D4管混出的中频电流为:)2cos()(11πϕϕω−−+=i L if i t V g t i )2cos()(12πϕϕω+−+=i L if i t V g t i )cos()(13πϕϕω−−+=i L if i t V g t i)cos()(14i L if i t V g t i ϕϕω−+=)2cos(2)()()(121πϕϕω−−+=−=i L if i A t V g t i t i t i)cos(2)()()(143πϕϕω−−+=−=i L if i B t V g t i t i t i混频器B 的中频输出经过90度移相得到)23cos(2)(1'πϕϕω−−+=i L if i B t V g t i 在M 处0)()()('=+=t i t i t i B A 所以在L S ωω>时,中频移相器应该加在B 端口,才能保证外来信号混出的中频在M 处同相迭加,外来镜像干扰混出的中频在M 处反同相相抵消。
uestc微波固态电路第三章微波晶体管放大器-改
![uestc微波固态电路第三章微波晶体管放大器-改](https://img.taocdn.com/s3/m/bffcd12a0b4e767f5acfceeb.png)
re
CDe CTe
Le
Cc1:集电极反偏势磊电容 Cc2 :集电极和基极势磊电容 CTe :发射极正偏势磊电容 CDe :发射极正偏扩散电容 Cbc ,Cbe , Cce : 封装电容
E
Lb ,Le , Lc : 封装电感
α0 : Ic/Ie (Vcb=0),发射极到集电极的 电流传输系数( α =β/(1+ β ))
GT S21 2 (Γ s= Γ L= 0)
最大可用功率增益Gmax(或MAG):它是指在晶体 管输入和输出完全共轭匹配条件下,晶体管所能
提供的最大实用功率增益,即
Gmax
S21 S12
(K
K 2 1)
最大单向功率增益Gu,它与Gmax的不同在于它忽
略内部反馈,即假定S12=0时的最大功率增益为
常温下,无源网络的插损为L,则 F L
线性二端口网络的噪声系数F可以表示为:
F
Fmin
Rn Re[Ys ]
Ys
Ysopt
2
式中:Rn为线性二端口网络的等效噪声电阻。
Ysopt=Gsopt+jBsopt:获得最小噪声系数Fmin要求的最佳信
号导纳。
Fmin :二端口网络的最小噪声系数。
它们都可以用测量的方法得到。
GaAs MESFET
参数包括:零栅漏极电流Idss、共源正向跨导gm、栅漏击 穿电压VBR、夹断电压Vp以及栅-源截止电流Igss等。
频率参数fT的定义与双极晶体管的不同,它由下式表示:
fT
gm 2πCgs
Cgs是FET的栅-源电容,
gm是共源正向跨导,其定义为:在共源电路中,固定 漏压下,单位栅压改变引起的漏极电流改变,
基于GaN芯片的星载K波段固态功放研制
![基于GaN芯片的星载K波段固态功放研制](https://img.taocdn.com/s3/m/08031d4d0975f46526d3e13d.png)
• 125•根据星载固放工作环境特点以及对固放高可靠性要求,本文介绍了一种K 波段星载固放,其内部提出了一款良好散热、保证气密的GaN 功率芯片封装模块用于功率合成。
该GaN 功率模块使用金刚石铜作为衬底底部和可伐材料拼接,能够满足气密性和散热需求,同时内部集成了宽带脊波导到同轴转接,易进行空间功率合成。
实测气密性优于1×10-1Pa·cm3/s ,满足可靠性和工程应用需求。
经过测试,整个固态单机的输出功率大于15W ,额定输出下效率21.5%。
1 引言京理工大学,2004;石雯,Ku 波段氮化镓功率放大器研究:杭州电子科技大学,2012;Dong Min Kang,Jong Won Lim,et a1.X-band 100 W solid-state power amplifier using a O.25 μM GaN HEMT technology:MICROWA VE AND 0PTICAL TECHNOLOGY LETTERS 2015)。
因此,本文采用GaN MMIC 设计一款K 波段星载固态功率发射机,内部功率模块采用的是探针双脊波导过度和空间功率合成的方式。
该模块能够保证较宽的工作带宽、良好的导热率以及气密性。
整个固放输出功率大于15W ,功率增益大于45dB ,固放单机效率达到21.5%。
芯片封装的气密性优于1×10-1Pa·cm 3/s ,散热良好,满足特殊应用环境需求。
基于GaN芯片的星载K波段固态功放研制中国电子科技集团公司第十三研究所 朱文思图1 宽带波导同轴探针过渡HFSS仿真模型示意图图2 宽带同轴波导转接仿真结果曲线目前,微波固态功放(SSPA )相对于真空管放大器具有可靠性高、寿命长、工作电压低、尺寸小、重量轻等特点,因此在雷达、通信、卫星等领域中有着非常广泛的应用,其性能指标直接制约着整个系统的性能和技术水平。
基于GaAs 材料的功率器件已经无法满足对更高频率、更高功率的追求,这就需要新的材料来突破这个瓶颈(曹韬,曾荣,基于GaN HEMT 器件的宽带高效功率放大器:微波学报,2012;钮浪,石洁昀,潘威,X/Ku 波段宽带GaN 微波固态功放技术研究:科学与信息化,2018)。
射频及微波固态功率放大器PPT
![射频及微波固态功率放大器PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/f401285dfe00bed5b9f3f90f76c66137ef064f70.png)
目录
• 引言 • 工作原理 • 设计与实现 • 性能优化 • 发展趋势与挑战 • 实际应用案例
பைடு நூலகம் 01
CATALOGUE
引言
定义与特性
定义
射频及微波固态功率放大器是一种电 子设备,用于将低功率信号放大至所 需的高功率水平,以便在无线通信、 雷达、射电天文学等领域应用。
特性
通过在放大器输入端添加一个特 性相反的失真信号,补偿放大器 自身的非线性失真,从而提高输
出信号的线性度。
负反馈技术
将放大器的输出信号反馈回输入端 ,通过负反馈降低放大器的增益, 从而减小非线性失真。
前馈技术
将一小部分输出信号直接反馈到输 入端,与原始输入信号一起进入放 大器,从而减小非线性失真。
效率优化
合理设计散热结构,使放大器在工作过程中温度保持在安全范围 内,从而提高可靠性。
元器件筛选与降额使用
对关键元器件进行筛选和降额使用,降低因元器件失效导致的可靠 性问题。
冗余设计
在关键电路中采用冗余设计,当主电路出现故障时自动切换到备份 电路,提高系统的可靠性。
05
CATALOGUE
发展趋势与挑战
技术发展前沿
具有高效率、高可靠性、高线性度、 宽频带等特性,能够满足各种复杂的 应用需求。
应用领域
01
02
03
无线通信
用于基站、移动通信设备 、卫星通信系统等,提供 稳定的信号放大功能。
雷达
用于军事和民用雷达系统 ,提高目标检测和识别能 力。
射电天文学
用于射电望远镜和天文观 测系统,增强信号接收和 数据处理能力。
贝(dB)。
带宽
表示放大器能够放大的 信号频率范围。
电子科技大学微波固态电路总回顾
![电子科技大学微波固态电路总回顾](https://img.taocdn.com/s3/m/95a320f1ba0d4a7302763a57.png)
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器 G
单向化设计( S12≈0S ) − Γ (1
2 2 S
S 21
2
M
固定增益电路
GTu =
2
21
)(1 − Γ L )
2 2 2
2
(1 − S11Γ S )(1 − S22 Γ L )
2 2
= S21 ⋅
1− Γ S
多级放大器晶体管选择 宽带放大器
1 − S11Γ S
原理图捕捉;支持工具;层次设计 ;电路元件库; 模拟控制 ;优 化;版图;存在多种不同类型的分析研究电路响应的模拟引擎
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器
功率合成技术
链状结构 按电路拓扑 结构分类 树状结构 N口结构 Wilkinson合成器 Rucker合成器 圆锥合成器 辐射状合成器 行波合成器 器件级 谐振型 按功率合成 方式分类 电路级 非谐振型 准光功率合成 空间级 自由空间波功率合成 混合型 腔体谐振 介质谐振 空间型 按传输线 形式分类 波导型 平面型
ΓSm ΓLm
P′
ΓLm Γ*Lm
ΓL′
总回顾—— 第三章微波晶体管放大器
微波晶体管功率放大器的特性 1)功率 耗散功率
PDC ≈ I cVcb
,输入功率Pin,输出功率Pout,
小功率:PDC<1 W, 中功率:1W≤PDC ≤ 5W,大功率:PDC>5W 功率单位:1mW=0dBm 1W=1000mW=30dBm 10W=40dBm
考核方式——
平时(作业和出勤率):10%;实验(8学时):20%; 期末考试(第15周,一页纸开卷,填空5~10/判断5~10/简答3~5,2小时): 70% ;
非考试重点——
微波高功率固态放大器技术综述
![微波高功率固态放大器技术综述](https://img.taocdn.com/s3/m/6d678e4b3c1ec5da50e2708e.png)
微波高功率固态放大器技术综述作者:韩江安马凯学来源:《南京信息工程大学学报(自然科学版)》2017年第01期摘要微波集成电路在民用和军用电子中起到至关重要的作用。
在微波集成电路领域,高功率的功率放大器为发射机提供足够的信号功率输送到自由空间中,是其不可缺少的关键部件。
基于学术研究和商用产品线情况,综述了微波功率放大器芯片的发展情况。
首先讨论了各种微波毫米波功率放大器的制造技术,按照半导体器件可以归类为砷化镓、氮化镓、互补金属氧化物半导体和锗化硅等;接着讨论了微波芯片功放的设计技术用以满足高功率、宽带和高效率的指标要求;最后总结了各类微波固态功率放大器的工艺和设计技术,为芯片设计人员提供了全面的设计参考。
关键词微波;毫米波;功率放大器;集成电路;固态电路;功率合成中图分类号TN722.75文献标志码A收稿日期20161203资助项目国家自然科学基金(61471092)作者简介韩江安,男,博士后,主要研究方向为毫米波集成电路与系统。
jiangan-han@.sg马凯学(通信作者),男,教授,博士生导师,2016年国家杰出青年科学基金获得者,主要研究方向为毫米波集成电路与系统。
makaixue@1新加坡科技与设计大学,新加坡,4873722电子科技大学物理电子学院,成都,6100540 引言微波集成电路技术是无线系统小型化的关键技术。
在毫米波集成电路中,高性能且设计紧凑的功率放大器芯片电路是市场迫切需求的产品。
总的来说,微波功率放大器的芯片性能很大程度上取决于制造工艺,而每种工艺对功率放大器有着不同的特点或优势。
对于工作频率不高于100 GHz的芯片而言,砷化镓和氮化镓材料具有功率方面的优势[12]。
如果频率作为器件的首要考虑,那么选用磷化铟器件制作的功率放大器其频率可以高到500 GHz以上[3]。
当然,对于工业制造来说,产品的成本也是功率放大器设计以及量产的重要因素,特别是对于消费电子产品类,互补金属氧化物半导体(CMOS)利于片上系统集成,因此具有成本优势。
太赫兹固态相控阵芯片_解释说明
![太赫兹固态相控阵芯片_解释说明](https://img.taocdn.com/s3/m/16f4564502d8ce2f0066f5335a8102d276a26195.png)
太赫兹固态相控阵芯片解释说明1. 引言1.1 概述太赫兹固态相控阵芯片是一种基于太赫兹技术的新型微电子器件,能够实现对电磁波的高效控制和调节。
随着通信、雷达、安全检测以及生物医学领域的快速发展,对高频电磁波的需求不断增加,传统射频元件已经不能满足这些应用的需求。
因此,太赫兹固态相控阵芯片作为一种新型、高效的解决方案逐渐受到关注。
1.2 文章结构本文将从以下几个方面对太赫兹固态相控阵芯片进行详细讨论:- 太赫兹技术概述:介绍太赫兹波段和固态相控阵芯片在该波段中的意义及其发展现状。
- 太赫兹固态相控阵芯片技术原理:解释芯片的结构和组成部件,揭示其工作原理和信号传输过程,并分析其可调性设计原理。
- 太赫兹固态相控阵芯片应用领域:介绍该芯片在通信、雷达系统、安全检测以及生物医学领域中的应用,并探讨其在其他领域中的潜在应用。
- 结论:总结本文的主要观点,并展望太赫兹固态相控阵芯片的发展前景。
1.3 目的本文旨在全面介绍太赫兹固态相控阵芯片的技术原理和在各个领域中的应用。
通过深入剖析和解释,读者可了解该芯片的重要性以及其未来发展趋势。
对于相关研究人员和工程师来说,本文可以作为他们进一步研究和开发太赫兹固态相控阵芯片的参考依据。
同时,对于其他科技爱好者和读者来说,本文也提供了一个了解该领域新进展的窗口。
2. 太赫兹技术概述:2.1 太赫兹波段介绍太赫兹波段是指位于微波和红外之间的电磁波段,频率范围大约在100GHz到10THz之间。
相比于其他电磁波段,太赫兹波具有许多独特的特性,例如穿透力强、非离子辐射、对生物组织无害等。
由于这些特点,太赫兹技术在通信、雷达、生物医学和安全检测等领域具有广阔的应用前景。
2.2 固态相控阵芯片的意义固态相控阵芯片是指采用集成电路技术实现的相控阵结构。
与传统的机械扫描相控阵相比,固态相控阵芯片具有体积小、功耗低、调节灵活等优势。
在太赫兹技术中,固态相控阵芯片可以实现太赫兹波束的快速调节和对目标进行高精度定位与成像。
微波固态电路设计
![微波固态电路设计](https://img.taocdn.com/s3/m/c14ef85acd1755270722192e453610661fd95a41.png)
微波固态电路设计嘿,朋友们!今天咱来聊聊微波固态电路设计这个有意思的事儿。
你说这微波固态电路设计啊,就好像是搭积木,不过这积木可不一般,得精挑细选、严丝合缝地搭起来才行。
这可不是随便玩玩就能搞定的,得下点功夫呢!咱先说说这电路里的元件吧,那可都是宝贝啊!就像一个个小战士,各自有着独特的本领。
电阻就像是个稳定的守卫,电流经过它总是稳稳当当的;电容呢,像个会储存能量的小精灵,时不时就给你来个小惊喜;还有那电感,活脱脱就是个磁场制造大师,能把磁场玩转得团团转。
这些元件组合在一起,就像是一支交响乐团,各自奏响美妙的乐章,共同演绎出华丽的电路交响曲。
设计微波固态电路,那可得有耐心。
你想想,要是没耐心,那不得把这些小元件给摆弄得乱七八糟啊!这就好比你要做一道美味的菜肴,不得一步一步慢慢来,调料放得恰到好处才行。
你可不能心急火燎地随便乱搞,不然最后出来的东西肯定没法吃,电路也没法正常工作呀!然后呢,还得有创新精神。
别老是跟着别人的老路走,得自己闯出点新花样来。
就好像走路,老是走别人走过的路多没意思,自己开辟条新路,那多带劲!在微波固态电路设计里,你可以尝试一些新的结构、新的方法,说不定就能搞出个惊世骇俗的杰作来呢!还有啊,细节决定成败。
一个小小的焊点没焊好,都可能导致整个电路出问题。
这就像你穿衣服,一个扣子没扣好,那整个人的形象不就大打折扣了嘛!所以在设计的时候,可千万不能马虎,每个环节都要仔仔细细地检查。
咱再说说这工具和技术吧。
现在的工具那可真是五花八门,让人眼花缭乱。
但咱可不能被它们给唬住了,得挑适合自己的用。
就像你去买鞋子,不是越贵越好,得合脚才行呀!而且技术也是日新月异,咱得不断学习,跟上时代的步伐,不然就被淘汰啦!你说,要是咱能设计出一个超级厉害的微波固态电路,那得多有成就感啊!那感觉肯定就像自己亲手盖了一座摩天大楼一样,骄傲得不行。
总之,微波固态电路设计是个充满挑战和乐趣的领域。
只要咱有耐心、有创新精神、注重细节,再加上不断学习,就一定能在这个领域里闯出一片天。
一种大功率微波固态功放供电及保护电路[发明专利]
![一种大功率微波固态功放供电及保护电路[发明专利]](https://img.taocdn.com/s3/m/00b25a24876fb84ae45c3b3567ec102de2bddfaa.png)
(19)中华人民共和国国家知识产权局(12)发明专利申请(10)申请公布号 (43)申请公布日 (21)申请号 202010786793.X(22)申请日 2020.08.07(71)申请人 安徽华东光电技术研究所有限公司地址 241000 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区峨山路01(72)发明人 周二风 朱良凡 蔡庆刚 汪伦源 刘光亮 郑君 刘煜文 (74)专利代理机构 安徽华普专利代理事务所(普通合伙) 34151代理人 谢建华(51)Int.Cl.H03F 1/52(2006.01)H02M 1/00(2007.01)(54)发明名称一种大功率微波固态功放供电及保护电路(57)摘要本发明提供一种大功率微波固态功放供电及保护电路,具有微波固态功放温度检测电路单元、微波固态功放栅压供电电路单元、微波固态功放漏压供电和过压、过流保护电路单元以及微波固态功放漏压供电和过温、供电时序保护电路单元。
本发明提供的一种大功率微波固态功放供电及保护电路,可以为微波固态功放供电,且能有效解决大功率微波固态功放过压、过流、过温、加电时序错误时对功放的保护,减少经济损失,提升了功放的稳定性和可靠性。
权利要求书1页 说明书3页 附图1页CN 111884604 A 2020.11.03C N 111884604A1.一种大功率微波固态功放供电及保护电路,其特征在于,包括MCU控制器(U1)、温度传感器(U2)、 DAC转换器(U3)、电压反相器(U4)、电压射随器(U5)、负控正电路(U6)、电压取样电路(U7)、电压比较器(U8)、电流检测电路(U9)、电压比较器(U10)、逻辑门-与门(U11)、驱动器(U12)、MOSFET (U13)、微波固态功放(U14);其中,所述MCU控制器(U1)、所述温度传感器(U2)、所述逻辑门-与门(U11)相连,构成微波固态功放温度检测电路单元;所述MCU控制器(U1)、所述DAC转换器(U3)、所述电压反相器(U4)、所述电压射随器(U5)、所述微波固态功放(U14)相连,构成微波固态功放栅压供电电路单元;所述MCU控制器(U1)、所述DAC转换器(U3)、所述电压取样电路(U7)、所述电压比较器(U8)、所述电流检测电路(U9)、所述电压比较器(U10)、所述逻辑门-与门(U11)、所述驱动器(U12)、所述MOSFET (U13)、所述微波固态功放(U14)相连,从而构成微波固态功放漏压供电和过压、过流保护电路单元;所述MCU控制器(U1)、所述DAC转换器(U3)、所述电压反相器(U4)、所述负控正电路(U6)、所述逻辑门-与门(U11)、所述驱动器(U12)、所述MOSFET (U13)、所述微波固态功放(U14)相连,从而构成微波固态功放供电时序保护电路单元。
微波固态电路课程设计 (2)
![微波固态电路课程设计 (2)](https://img.taocdn.com/s3/m/afe9caea48649b6648d7c1c708a1284ac85005f7.png)
微波固态电路课程设计1. 课程设计介绍微波固态电路是当前电子工程领域研究的热门方向之一。
在课程设计中,我们将以微波固态电路为研究对象,重点掌握微波器件的基本工作原理和设计方法。
通过此次课程设计,学生将掌握微波固态电路的设计、仿真和测试技能,为将来从事微波电路设计与应用研究打下坚实的基础。
2. 课程设计目标本课程设计的主要目标在于让学生掌握以下技能:•了解微波固态电路的基本原理和设计方法;•熟悉ADS或者HFSS仿真软件的使用方法;•掌握微波固态电路的测试技术;•培养团队合作精神,同时提高沟通协调能力;•培养解决实际问题的能力和动手能力。
3. 课程设计内容本次课程设计的主要内容包括三个部分,分别是设计、仿真和测试:3.1. 设计首先,在团队的协作下,选择一个简单的微波固态电路进行设计。
例如,设计一个S波段的单极性放大器。
接着,依据微波固态电路的基本工作原理和设计方法,完成电路的仿真模型,通过仿真模型调整电路参数,使电路满足要求的性能指标。
最后,制作并调试电路原型。
3.2. 仿真利用ADS或者HFSS等工具进行电路仿真,验证仿真模型的正确性,同时分析电路性能指标随着不同参数的变化趋势,优化电路性能。
3.3. 测试将电路原型进行测试,并根据测试结果进行优化,使电路达到设计要求的性能指标。
4. 课程设计要求本课程设计要求团队协作完成,每个团队成员均需参与到设计、仿真和测试中,互相协作、相互学习。
在课程设计过程中,需遵守以下要求:•严格按照教师指导的流程进行,按时完成所有的任务;•使用ADS或HFSS等仿真工具,对电路性能进行仿真分析;•完成电路测试并记录测试结果;•撰写《微波固态电路课程设计报告》。
5. 课程设计评估本课程设计以课程设计报告作为评估依据,对每个学生及团队的表现进行综合评估。
评估主要考虑以下几个方面:•电路设计的合理性和创新性;•仿真模型的正确性和精度;•整个设计过程的完整性和规范性;•电路测试结果的可信度和准确性;•课程设计报告的撰写质量和清晰度。
微波固态电路实验报告优秀PPT
![微波固态电路实验报告优秀PPT](https://img.taocdn.com/s3/m/f7459b3bf342336c1eb91a37f111f18583d00ce7.png)
数据处理
对实验数据进行处理,如 计算输出信号的功率谱密 度、分析信号的谐波成分 等。
结果分析
根据实验要求,对实验结 果进行分析,评估微波固 态电路的性能指标,如增 益、噪声系数等。
03
实验结果分析与讨论
实验结果展示
数据表格
通过表格记录实验过程中的关键 数据,如微波固态电路的频率、
功率、增益等参数。
实现微波固态电路功能
通过实验成功实现了微波固态电路的基本功能,如放大器 、滤波器、混频器等,验证了电路设计的正确性和可行性 。
实验收获与体会分享
提高实践能力
通过实验提高了自己的动手实践能力和解决问题的能力,对微波 固态电路有了更深入的了解和认识。
培养团队协作精神
在实验过程中,与小组成员互相协作、分工合作,共同完成了实 验任务,培养了团队协作精神。
设置信号发生器的频率、功率 等参数,使其产生合适的微波
信号。
进行实验操作
按照实验要求,对微波固态电 路进行实验操作,如改变电路 元件的值、调整信号频率等。
观察实验现象
使用示波器观察微波固态电路 的输出信号,记录实验仪测试并记 录微波固态电路的输出信 号频率、功率等参数。
拓宽知识视野
通过实验了解了微波固态电路的最新研究成果和应用领域,拓宽 了自己的知识视野。
对未来实验的展望与建议
加强实验前的预习和准备
在实验前应充分了解实验原理、目的和步骤,提前预习相关知识和文献,做好充分的准备 。
提高实验效率和准确性
在实验过程中应严格按照操作步骤进行,注意安全和规范操作,提高实验效率和准确性。
结果可靠性评估
评估实验结果的可靠性,通过多 次重复实验或采用其他方法进行 验证,确保实验结果的准确性和 可信度。
微波固态电路
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1、课程重点、难点教材章节教学内容及要求重点难点第一章引言微波的频段划分,微波电路的发展及其应用微波的频段划分第二章微波集成电路基础1. 微波平面集成传输线2. 微波单片集成电路3. 微带电路的不连续性4. 阻抗变换5. 功率分配器和耦合器1. 微波平面集成传输线的种类和基本特性2. 微波单片集成电路3. 微带电路的不连续性4. 常用的微带元件、阻抗变换电路及功率分配器和耦合器第三章微波晶体管放大器1. 微波双极结型晶体管2. 微波场效应晶体管3. 微波晶体管放大器特性4. 小信号微波晶体管放大器的设计5. 微波晶体管功率放大器1. 微波三极管的基本工作机理2. 固态器件的等效电路模型与参数及其主要性能指标和适用范围3. 小信号晶体管放大器、晶体管功率放大器及晶体管振荡器电路的工作原理、适用范围、器件选择、主要性能技术指标4. 电路分析设计与综合及优化设计思想5. 微波晶体管功率放大器特性第四章微波混频器和检波器1. 肖特基势垒二极管和检波二极管2. 微波混频器工作原理3. 微波混频器基本电路4. 镜像回收混频器5. 毫米波混频及谐波混频6. 微波集成检波器1. 微波肖特基势垒二极管和检波二极管的工作原理及主要性能指标2. 微波混频器与检波器的工作原理3. 微波混频器与检波器的基本电路形式,主要性能技术指标第五章微波倍频器1. 变容二极管和阶跃恢复二极管2. 倍频器基本理论3. 变容二极管倍频器4. 阶跃恢复二极管倍频器1. 变容二极管和阶跃恢复二极管的工作原理及主要性能指标2. 倍频器基本理论3. 变容二极管倍频器、阶跃恢复二极管倍频器、肖特基势垒二极管倍频器和晶体管倍频器的工作原理、电路形式和主要性能技术指标5. 肖特基势垒二极管倍频器6. 微波晶体管倍频器第六章微波振荡器1. 负阻二极管与振荡晶体管2. 负阻振荡器的一般理论与电路3. 负阻振荡器的频率稳定4. 微波晶体管振荡器1. 晶体管工作原理及其等效电路模型与参数2. 理解负阻振荡器、晶体管振荡器的一般理论3. 负阻振荡器、晶体管振荡器的电路形式,主要性能技术指标4. 体效应管、雪崩二极管及其振荡器的基本特性第七章微波控制电路1. PIN二极管的基本特性2. 微波开关3. 微波电压控制移相器4. 微波电调衰减器5. 微波限幅器1. PIN二极管等效电路模型与参数及其主要性能指标和适用范围2. 微波开关与电压控制移相器的工作原理,电路形式3. 微波开关与电压控制移相器的主要技术指标。
微波毫米波电路分析与设计 简介PPT学习教案
![微波毫米波电路分析与设计 简介PPT学习教案](https://img.taocdn.com/s3/m/f216f1cb376baf1ffd4fadc8.png)
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微波混合集成电路(MIC)— 利用平面微波传输线和薄膜淀 积与光刻技术制作而成
微波优单点:片无集需成调整电即路可满足指标 (MMIC)可—大量利生用产单片集成工 艺集将成微电路波的电发路明者制:作德在州仪一器个公半司 导
杰体克芯·基片尔上比(Jack Kilby)1958年9月
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本课程的主要内容
(1) 引言 (2) 微波无源元件 (3) 微波固态有源元件 (4) 微波变频器 (5) 微波晶体管放大器 (6) 微波振荡器 (7) 微波控制电路 (8) 微波单片集成电路
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本课程的教材和学时
《微波固态电路》 电子科技大学出版社 喻梦霞, 李桂萍 编著 言华等, 微波固态电路,北京理工大学出版社
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微波固态电路的优点
系统可靠性高
平均无故障时间达到105-106s
固态电路体积小、重量轻 成本低,且一致性好 系统设计快速简便
各种功能和性能的固态组件或模块基本已经商 品化,系统设计者只要合理选择利用即可构成 完整的系统
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微波固态电路的类型
分立集总元件电路—低频使用,L波段以下
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本课程的练习和考核方式
考核方式: 平时考查(30%):
学生到课、听 课、作业、 课堂问答等
期末考试(70%): 成绩评定依据 :
闭卷考试
平时考查和期末考试综合考虑
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26微波毫米波电路分析与来自计 简介会计学1
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Kaijun Song, Quan Xue: "Planar Probe Coaxial-Waveguide Power
Combiner/Divider", IEEE Trans. Microw. Theory Tech., Nov. 2009, vol. 57, no. 11, pp. 2761-2767.
Kaijun Song, Quan Xue: "Inductance-Loaded Y-Shaped Resonators and Their Applications to Filters", IEEE Trans. Microw. Theory Tech., Apr. 2010, vol. 58, no. 4, pp. 978-984.
Quan Xue, Kaijun Song, and Chi Hou Chan: “China: Power Combiners /Dividers," IEEE Microwave Magazine, 2011, vol. 12, no. 3, pp. 96-106.
pp. 1133-1134.
Kaijun Song, Quan Xue, "Ultra-Wideband (UWB) Ring-Cavity Multiple-Way Parallel Power Divider", IEEE Transactions on Industrial Electronics, vol. 60, no. 10, pp. 4737-4745, 2013. (IF: 5.468)
Kaijun Song, F. Zhang, S. Hu, and Y. Fan, “Ku-band 200W Pulsed Power Amplifier Based on Waveguide Spatially Power-Combining Technique for Industrial Applications,”IEEE Transactions on Industrial Electronics, 61(8): 4274-4280, 2014. (IF: 5.16)
Kaijun Song, Y. Mo, Q. Xue, and Y. Fan, “Wideband Four-Way Out-of-Phase Slotline Power Dividers,”IEEE Transactions on Industrial Electronics, 61(7): 3598-3606, 2014. (IF: 5.16)
低噪放(LNA)
振荡器微波开关
三、微波集成电路的应用
制导
通信
雷达
空间
探测射电
天文
卫星目标
识别
遥感
应用
J-20。