模拟电子技术基本概念复习题及答案

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模拟电子技术基础习题及答案

第一章半导体器件1-1 当T=300K 时，锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和pA 。

如将此两个二极管串联起来，有1μA 的正向电流流过，试问它们的结电压各为多少？解：二极管正偏时，TD U U S eI I ≈ ， ST D I I lnU U ≈ 对于硅管：mV 6.179A1mA1ln mV 26U D =μ≈ 对于锗管：mV 8.556pA5.0mA1ln mV 26U D =≈1-2 室温27C 时，某硅二极管的反向饱和电流I S =。

（1）当二极管正偏压为时，二极管的正向电流为多少？（2）当温度升至67C 或降至10C -时，分别计算二极管的反向饱和电流。

此时，如保持（1）中的正向电流不变，则二极管的正偏压应为多少？解：（1）mA 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-（2）当温度每上升10℃时，S I 增加1倍，则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k(即27℃)，30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时，mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1-3（a ）所示，二极管伏安特性如图P1-3（b ）所示。

已知电源电压为6V ，二极管压降为伏。

试求：（1）流过二极管的直流电流；（2）二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

解：（1）mA 53100V7.06I D =Ω-=（2）Ω===Ω==49.0mA 53mA 26I mA 26r 2.13mA53V7.0R D D D1-4 当T=300K 时，硅二极管的正向电压为，正向电流为1mA ，试计算正向电压加至时正向电流为多少？解：mA26mA 800SmA26mA 700SU U S e II e I 1mA eI I TD ⨯=⨯=≈则 mA 35.1e I TU 100=≈1-5 双极型晶体管可以等效为二只背靠背的二极管，如图P1-5所示。

模拟电子技术基础试题(附答案)

(120)1．纯净的半导体叫（）。

掺入3价杂质元素形成的半导体叫（），它主要靠导电（）。

A．空穴B．本征半导体C．P型半导体D．自由电子2．PN结正偏时，多子的（）运动较强，PN结变薄，结电阻较（）。

A．扩散B．漂移C．小D．大3．三极管有（）和（）两种载流子参与导电，故称作（）极型晶体管；而场效应管称作（）极型晶体管。

A．双极B．空穴C．单极D．自由电子4．负反馈放大电路的含义是（）。

A．输出与输入之间有信号通路B．电路中存在反向传输的信号通路C．除放大电路之外还有信号通路D．电路中存在使输入信号削弱的反向传输信号5．一个放大电路的对数频率特性的水平部分为40dB，当信号频率恰好是上限频率时，实际电压增益为（）。

A．43dB B．40dB C．37dB D．3dB6．通常在下面基本组态放大电路中，输入电阻最大的是（）；输出电阻最小的是（）；高频特性最好的电路是（）。

A．共射电路B．共集电路C．共基电路D．共源电路7．集成放大电路采用直接耦合方式的原因是（）。

A．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容8．功率放大电路互补输出级采用共集形式是为了使（）。

A．电压放大倍数大B．不失真输出电压大C．带负载能力强9．欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入（）；欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入（）。

A．电压串联负反馈B．电压并联负反馈C．电流串联负反馈D．电流并联负反馈10．为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用（）滤波电路。

A．带阻B．带通C．低通D．有源11．直流稳压电源的基本组成有变压器、整流、（）、稳压。

A．比较B．滤波C．调整(210)1．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

（）2．电路只要满足，就一定会产生正弦波振荡。

（）3．放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）4．若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。

（）5．功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流功率。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案

源与低阻负载间接入
( C)
。
A. 共射电路
B.
共基电路
C. 共集电路
D.
共集 - 共基串联电路
13. 在考虑放大电路的频率失真时，若 i 为正弦波，则 o ( D )
A. 有可能产生相位失真
B.
有可能产生幅
度失真和相位失真
C. 一定会产生非线性失真
D.
不会产生线性
失真
14. 工作在电压比较器中的运放与工作在运算电路中的运放的主
则复合管的穿透电流 I CEO 为( D ) 。
A. I I CEO
CEO 2
B.
I I I CEO
CEO1
CEO 2
C. I I CEO
CEO1
D.
I CEO (1 ) I CEO 1 I CEO 2
23. 某仪表放大电路，要求 Ri 大，输出电流稳定，应选 ( A ) 。
A. 电流串联负反馈
B.
C3
D0
42 ．利用石英晶体的电抗频率特性构成的振荡器是
(B)
A．f ＝ fs 时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
B．f ＝ fs 时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器
C．fs<f<fp 时，石英晶体呈阻性，可构成串联型晶体振荡器
D．fs<f<fp 时，石英晶体呈感性，可构成串联型晶体振荡器
D
带负载能力强
38. 集成运放电路采用直接耦合方式是因为 ( C ) 。
A 可获得较高增益
B
可使温漂变小
C 在集成工艺中难于制造大电容
D 可以增大输入电阻
39. 在输入量不变的情况下，若引入反馈后 ( B ) ，则说明引入的

模拟电子技术基础测试题及参考答案

模拟电子技术基础测试题及参考答案一、单选题（共50题，每题1分，共50分）1、贴片电阻的封装是:( )A、0805B、SOT-23C、TO-92D、以上都正确正确答案：A2、引起直接耦合放大器零点漂移的因素很多，其中最难控制的是( )A、电源电压的变化B、元器件的对称性C、电路中电容和电阻数值的变化D、半导体器件参数的变化正确答案：D3、某多级放大电路由三级基本放大器组成，已知每级电压放大倍数为Au，则总的电压放大倍数为( )A、3AuB、Au3C、AuD、以上答案均不正确正确答案：B4、乙类推挽功率放大电路的静态工作点在三极管的( )边缘。

A、放大区B、截止区C、饱和区D、截止区与饱和区正确答案：B5、直流放大器中的级间耦合通常采用( )A、阻容耦合B、直接耦合C、电感抽头耦合D、变压器耦合正确答案：B6、下列关于三极管S8050的性质描述对的是 ( )A、锗材料NPN型B、硅材料NPN型C、硅材料PNP型D、锗材料PNP型正确答案：B7、元件引脚的剪脚高度为( )。

A、0.5MM以下B、0.5-2.5MMC、2.5MM以上D、无所谓，没关系正确答案：B8、下列集成稳压器,不能实现稳压输出+9 V的是( )A、CW7909B、CW317C、CW117D、CW7809正确答案：A9、由NPN型管构成的基本共射放大电路，输入是正弦信号,若从示波器显示的输出信号波形发现顶部(正半周)削波失真,则该放大电路产生了( )失真。

A、截止B、放大C、饱和D、无法确定正确答案：C10、把电动势是 1.5伏的干电池以正向接法直接接到一个硅二极管的两端，则该管( )A、击穿B、被烧坏C、电流基本正常D、电流为零正确答案：C11、多级放大电路各级的电压增益分别是：10dB、20 dB、30 dB，则电压总增益是( )。

A、0 dBB、30 dBC、60 dBD、6000 dB正确答案：C12、在单级射极输出器中,输人电压信号和输出电压信号的相位是( )A、同相B、相差90° D .相差270°C、反相正确答案：A13、CW7900系列稳压器的1脚为 ( )A、公共端B、输出端C、输入端D、调整端正确答案：A14、电烙铁焊接完成后与被焊体约( )度角移开A、90B、30C、60D、45正确答案：D15、下列关于电感线圈描述正确是( )A、线圈中通直流电流会产生磁场B、电感线圈中的电流能发生突变C、线圈中会产生一定的自感电动势，增强电流的变化D、电感线圈的品质因素越高，损耗越大正确答案：D16、当晶体二极管的PN结导通后，则参加导电的是 ( )A、少数载流子B、多数载流子C、既有少数载流子又有多数载流子D、以上答案均不正确正确答案：C17、下列关于变压器表述不正确的是 ( )。

模拟电子技术基本概念复习题与答案

《模拟电子技术基础》基本概念复习题一、判断题1、凡是由集成运算放大器组成的电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。

×2、凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算电路。

√3、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N = v P 。

×4、当集成运放工作在闭环时，可运用虚短和虚断概念分析。

×5、在运算电路中，同相输入端和反相输入端均为“虚地”。

×6、在反相求和电路中，集成运放的反相输入端为虚地点，流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和。

√7、温度升高后，本征半导体中自由电子和空穴数目都增多，且增量相同。

√8、因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。

×9、因为P 型半导体的多子是空穴，所以它带正电。

×10、在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。

√ 11、稳压管工作在截止区时，管子两端电压的变化很小。

× 12、BJT 型三极管是电流控制型有源器件，基极电流i b 与集电极电流i c 的关系为c b i i β=。

×13、放大电路必须加上合适的直流电源才可能正常工作。

√ 14、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的。

× 15、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

× 16、由于放大的对象是变化量，所以当输入信号为直流信号时，任何放大电路的输出都毫无变化。

×17、共集电极电路没有电压和电流放大作用。

√ 18、共集放大电路无电压放大作用，但有功率放大作用。

√ 19、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。

× 20、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的。

× 21、射极输出器即是共射极放大电路，有电流和功率放大作用。

× 22、只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

模拟电子技术基础考试试题答案

一、填空（共20空，每空1分，共20分，所有答案均填写在答题纸上）1、晶体管三极管被称为双极型晶体管是因为。

2、晶体三极管的输出特性可分三个区域，只有当三极管工作在区时，关系式Ic Ib才成立。

3、场效应管可分为结型场效应管和型场效应管两种类型。

4、在由晶体管构成的单管放大电路的三种基本接法中，共基本放大电路既能放大电流又能放大电压。

5、在绘制放大电路的交流通路时，视为短路，视为短路，但若有内阻则应保留其内阻。

6、多级放大电路级间的耦合方式有、、变压器耦合和光电耦合等。

7、场效应管是利用极和极之间的电场效应来控制漏极电流从而实现放大的半导体器件。

8、放大电路的直流通路用于研究。

9、理想运放的两个输入端虚短是指。

10、为判断放大电路中引入的反馈是电压反馈还是电流反馈，通常令输出电压为零，看反馈是否依然存在。

若输出电压置零后反馈仍然存在则为。

11、仅存在于放大电路的直流通路中的反馈称为。

12、通用集成运放电路由输入级、中间级、和四部分组成。

13、集成运放的同相输入端和反相输入端中的“同相”和“反相”是指运放的和的相位关系。

14、在学习晶体三极管和场效应管的特性曲线时可以用类比法理解，三极管的放大工作区可与场效应管的区相类比，而场效应管的可变电阻区则可以和三极管的相类比。

二、单项选择题（共10题，每题2 分，共20分；将正确选项的标号填在答题纸上）1、稳压二极管的反向电流小于Izmin时，稳压二极管。

A：稳压效果变差 B ：仍能较好稳压，但稳定电压变大C：反向截止 D ：仍能较好稳压，但稳定电压变小2、如果在PNP型三极管放大电路中测得发射结为正向偏置，集电结反向偏置，则此管的工作状态为。

A：饱和状态B：截止状态C：放大状态D：不能确定3、已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图1所示。

关于这两只三极管，正确的说法是。

图1(a) 图1(b) 图2A：（b）图中电流为5.1mA的电极为发射极。

《模拟电子技术》复习题题库10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是自由电子；在P型半导体中，多数载流子是空穴。

2、场效应管从结构上分为结型和绝缘型两大类，它属于电压控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入共射（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的输出电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入_____负反馈_______。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_饱和________、_________、____截止_____。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（b）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（ c ）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( e)场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－104、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（ b ）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况5、集成运放中间级的作用是（ c ）。

A 提高共模抑制比B 提高输入电阻C 提高放大倍数D 提供过载保护6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（ a ）的值。

A 差B 和C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

模拟电子基础的复习题及答案

模拟电子技术基础复习题图1图2一、填空题 1、现有基本放大电路：①共射放大电路 ②共基放大电路 ③共集放大电路 ④共源放大电路一般情况下，上述电路中输入电阻最大的电路是 ③ ，输入电阻最小的电路是 ② ，输出电阻最小的电路是 ③ ，频带最宽的电路是 ② ；既能放大电流，又能放大电压的电路是 ① ；只能放大电流，不能放大电压的电路是 ③ ；只能放大电压，不能放大电流的电路是 ② 。

2、如图1所示电路中，已知晶体管静态时B -E 间电压为U BEQ ，电流放大系数为β，B -E 间动态电阻为r be 。

填空：（1）静态时，I BQ 的表达式为 B BEQCC BQ R U V I -= ，I CQ 的表达式为BQ CQ I I β=；，U CEQ 的表达式为 C CQ CC CEQ R I V U -=（2）电压放大倍数的表达式为 beL u r R A '-=β ，输入电阻的表达式为 be B i r R R //= ，输出电阻的表达式为 C R R =0；（3）若减小R B ，则I CQ 将 A ，r bc 将 C ，uA 将 C ，R i 将 C ，R o 将B 。

A.增大B.不变C.减小当输入电压不变时，R B减小到一定程度，输出将产生 A 失真。

A.饱和B.截止3、如图1所示电路中，（1）若测得输入电压有效值为10mV，输出电压有效值为1.5V，则其电压放大倍数A = 150；若已知此时信号源电压有效值为20mV，信号源内阻u为1kΩ，则放大电路的输入电阻R i= 1 。

（2）若已知电路空载时输出电压有效值为1V，带5 kΩ负载时变为0.75V，则放大电路的输出电阻Ro 1.67 。

（3）若输入信号增大引起电路产生饱和失真，则可采用将R B增大或将Rc 减小的方法消除失真；若输入信号增大使电路既产生饱和失真又产生截止失真，则只有通过设置合适的静态工作点的方法才能消除失真。

4、文氏桥正弦波振荡电路的“桥”是以RC串联支路、RC并联支路、电阻R1 和R2 各为一臂而组成的。

(完整版)《模拟电子技术》复习题10套及答案

《模拟电子技术》复习题一一、填空题1、在N型半导体中，多数载流子是；在P型半导体中，多数载流子是。

2、场效应管从结构上分为结型和两大类，它属于控制性器件。

3、为了使高阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与负载之间接入（共射、共集、共基）组态放大电路。

4、在多级放大器中，中间某一级的电阻是上一级的负载。

5、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态，一般要引入____________。

6、根据下图中各三极管的电位，判断它们所处的状态分别为_________、_________、_________。

7、正弦波振荡电路通常由，，和四部分组成。

二、选择题1、利用二极管的（）组成整流电路。

A 正向特性B 单向导电性C反向击穿特性2、P型半导体是在本征半导体中加入（）后形成的杂质半导体。

A空穴B三价元素硼C五价元素锑3、场效应管的漏极特性曲线如图2-3所示，其类型为( )场效应管。

A P沟道增强型MOS型B P沟道耗尽型MOS型C N沟道增强型MOS型D N沟道耗尽型MOS型E N沟道结型F P沟道结型图2－10 4、有一晶体管接在放大电路中，今测得它的各极对地电位分别为V 1＝-4Ｖ，V 2＝-1.2Ｖ，V 3＝-1.4Ｖ，试判别管子的三个管脚分别是（）。

A 1：ｅ、2：ｂ、3：ｃB 1：ｃ、2：e 、3：ｂC 1：ｃ、2：ｂ、3：ｅD 其它情况 5、集成运放中间级的作用是（）。

A 提高共模抑制比 B 提高输入电阻 C 提高放大倍数 D 提供过载保护 6、根据相位平衡条件，判断图2-6所示振荡电路中（）发生振荡。

A 可能 B 不能7、差模信号电压是两个输入信号电压（）的值。

A 差 B 和 C 算术平均8、在单相桥式整流电容滤波电路中，已知变压器二次电压有效值U 2＝24V ，设二极管为理想二极管，用直流电压表测得R L 的电压值约为21.6V ，问电路的现象是( )。

A 正常工作情况 B R L 开路 C C 开路 D 一个二极管和C 开路 E 一个二极管开路 F 其它情况9、某仪表放大电路，要求输入电阻大，输出电流稳定，应选（）负反馈。

《模拟电子技术基础》复习资料及答案.doc

《模拟电子技术》复习资料答案一、填空题1.半导体不同于导体利绝缘体的三大独特件质为掺杂性、热敏性、光敏性；其电阻率分別受佳质、温度、光照的增加而下降。

2.用于制造半导体器件的材料通常是_硅、错和帥化稼。

3.当外界温度、光照等变化时，半导体材料的导电能力会发生很大的变化。

4.纯净的、不含杂质的半导体，称为本征半导体。

5.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体。

6.本征半导体中掺入III族元素,例如B、A1 ,得到P型半导体。

7.木征硅中若掺入五价元素的原了，则多数载流了应是一电子,掺杂越多，则其数量一定越一多，而少数载流子应是—空穴，掺杂越多，则其数量一定越一少。

8.半导体中存在着两种载流子：带正电的空穴和带负电的.电子。

9.N型半导体小的多数载流子是_电子，少数载流子是一空穴。

10.杂质半导体分N型（电子）和P型（空穴）两大类。

11.N型半导体多数载流了是一电了，少数载流了是_空穴。

P型半导体多数载流了是一空穴，少数载流子是_电子。

12.朵质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺杂浓度，而少数载流子则与温度有很大关系。

13.PN结的主要特性是一单向导电性。

14.PN结是多数载流子的扩散运动和少数载流子的漂移运动处于动态平衡而形成的,有时又把它称为空间电荷区（势垒区）或耗尽区（阻挡层）。

15.PN结加正向电压时，空间电荷区变窄；PN结加反向电压时，空间电荷区变宽。

16.PN结在无光照、无外加电压吋，结电流为零°17.PN结两端电压变化时，会引起PN结内电荷的变化，这说明PN结存在电容效应。

18.二极管是由—个PN结构成，因而它同样具有PN结的单向导电特件。

19.二极管的伏安特性可川数学式和Illi线來描述，其数学式是上去屋佟LL，其曲线又口J分三部分：1I-：向特性、反向特性、击穿特性。

20.品体二极管的正向电阻比其反向电阻小，稳压二极管的反向击穿电压通常比一般二极管的止，击穿区的交流电阻乂比正向区的小o21.有两个晶体三极管A管的［3二200, /CEO=200M A； B管的卩二50, /CEO=10M A,其他参数人致相同，相比之下旦管的性能较好。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度则与温度有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

当外加反向电压时，扩散电流小于漂移电流，耗尽层变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴为少数载流子。

二．判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以P 型半导体带正电，N 型半导体带负电。

（ × ）2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为P 型半导体。

（ √ ）3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。

（× ）4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。

（ × ）5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（ √ ）6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。

（ × ）7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（× ）三．简答题1、PN 结的伏安特性有何特点？答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压； V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位与V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810，电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=，则)V (2.11594T V T =，在常温（T=300K ）下，V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压，即V 为正值，且V 比V T 大几倍时，1eTV V>>，于是TV V s eI I ⋅=，这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大，PN 结为正向导通状态.外加反向电压，即V 为负值，且|V|比V T 大几倍时，1eTV V <<，于是s I I -≈，这时PN 结只流过很小的反向饱和电流，且数值上基本不随外加电压而变，PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案：C2. 共发射极放大电路中，输出电压与输入电压相位（）。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案：B3. 理想运算放大器的输入阻抗是（）。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案：C4. 在多级放大电路中，级间耦合方式通常采用（）。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案：B5. 负反馈可以（）放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案：B6. 场效应管的控制方式是（）。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案：A7. 模拟乘法器的主要功能是（）。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案：D8. 集成电路的电源电压通常为（）。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案：D9. 差分放大电路可以（）。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案：C10. 模拟电路中的“地”通常是指（）。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案：C二、填空题（每题2分，共20分）11. 放大器的增益通常用表示，单位是。

答案：增益；分贝（dB）12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案：高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案：电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案：非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案：稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案：阻容；变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案：对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案：平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案：参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

模拟电子技术基础期末考试试题及答案

模拟电子技术基础期末考试试题及答案一、选择题1. 下列选项中，哪种元器件可以将一个信号的幅度提高到较高水平？A. 电感B. 二极管C. 发射管D. 收音机答案：C. 发射管2. 以下哪个不是模拟电子技术中常见的电子元器件？A. 电阻B. 电容C. 电子管D. 电池答案：D. 电池3. 在模拟电子技术中，下面哪个元器件常用于放大电压信号？A. 开关B. 反射器C. 放大器D. 混频器答案：C. 放大器4. 下面哪个元器件可以将直流电信号转换成交流电信号？A. 容器B. 反射器C. 变压器D. 调制器答案：D. 调制器5. 在模拟电子技术中，以下哪个元器件常用于对电流进行控制？A. 电流计B. 混频器C. 电容D. 二极管答案：D. 二极管二、填空题6. 电阻的单位是________。

答案：欧姆（Ω）7. 二极管有两个基本电极，分别是阳极（A）和________。

答案：阴极（K）8. 在放大器中，输入信号的强度被放大器增大到预期的输出水平，这个功能叫做________。

答案：放大9. 电容存储的电荷量与其电压的关系是________。

答案：线性关系10. 以下哪个元器件可以将交流信号转换成相同频率的直流信号？答案：整流器三、解答题11. 请简要阐述电子管的工作原理及其在模拟电子技术中的应用。

答案：电子管是一种由真空或带有特殊气体的封闭空间中的电子流控制器件。

电子管工作原理基于热电子发射和电子聚焦的原理，通过在电子管中加入电场和磁场，可以控制电子流的流动和放大信号。

在模拟电子技术中，电子管经常用于放大电压信号。

它具有高放大系数和低噪声的特点，因此在音频放大器、射频放大器等方面得到广泛应用。

同时，电子管还常用于整流、调制和混频等电路中。

12. 请列举并简要介绍两种常见的放大器类型。

答案：两种常见的放大器类型分别是：a. 甲类放大器：甲类放大器是一种线性放大器，输出信号的整个周期都以较小的偏置电流进行放大，即电流在整个传输特性曲线上运行。

模拟电子技术基础试题汇总附有答案解析

模拟电子技术基础试题汇总一.选择题1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将 ( A )。

A 增大B 减小C 不变D 等于零2. 某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管( D )A. 处于放大区域B. 处于饱和区域C. 处于截止区域D. 已损坏3. 某放大电路图所示.设V CC>>V BE, L CEO≈0，则在静态时该三极管处于( B )A.放大区B.饱和区C.截止区D.区域不定4. 半导体二极管的重要特性之一是( B )。

( A)温度稳定性 ( B)单向导电性 ( C)放大作用 ( D)滤波特性5. 在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作点过高，容易产生( B )失真。

( A)截止失真 ( B)饱和v失真 ( C)双向失真 ( D)线性失真6.电路如图所示，二极管导通电压U D＝0.7V，关于输出电压的说法正确的是( B )。

A：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为3.7V。

B：u I1=3V，u I2=0.3V时输出电压为1V。

C：u I1=3V，u I2=3V时输出电压为5V。

D：只有当u I1=0.3V，u I2=0.3V时输出电压为才为1V。

7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点由Q2点移动到Q3点可能的原因是。

A：集电极电源+V CC电压变高B：集电极负载电阻R C变高C：基极电源+V BB电压变高D：基极回路电阻R b 变高。

8. 直流负反馈是指( C )A. 存在于RC耦合电路中的负反馈B. 放大直流信号时才有的负反馈C. 直流通路中的负反馈D. 只存在于直接耦合电路中的负反馈9. 负反馈所能抑制的干扰和噪声是( B )A 输入信号所包含的干扰和噪声 B. 反馈环内的干扰和噪声C. 反馈环外的干扰和噪声D. 输出信号中的干扰和噪声10. 在图所示电路中，A为理想运放，则电路的输出电压约为( A )A. －2.5VB. －5VC. －6.5VD. －7.5V11. 在图所示的单端输出差放电路中，若输入电压△υS1=80mV, △υS2=60mV,则差模输入电压△υid为( B )A. 10mVB. 20mVC. 70mVD. 140mV12. 为了使高内阻信号源与低阻负载能很好地配合，可以在信号源与低阻负载间接入( C )。

模拟电子技术考试题及答案

模拟电子技术考试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 在模拟电子电路中，放大器的基本功能是（）。

A. 整流B. 滤波C. 放大信号D. 调制2. 负反馈在放大器中的作用是（）。

A. 增加增益B. 减小增益C. 稳定放大器D. 提高频率响应3. 理想运算放大器的开环增益是（）。

A. 有限的B. 无限的C. 零D. 负数4. 一个放大器的输入电阻是1kΩ，输出电阻是50Ω，那么它的电压增益是（）。

A. 20B. 20kC. 不确定D. 0.055. 一个二极管的正向压降是0.7V，当通过它的电流为20mA时，消耗的功率是（）。

A. 14mWB. 0.014WC. 0.014mWD. 1.4mW6. 一个电路的频率响应曲线是一条直线，说明这个电路是（）。

A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 全通滤波器7. 一个共射放大器的电流增益是-10，电压增益是-100，那么它的输出电阻是（）。

A. 10ΩB. 100ΩC. 1kΩD. 10kΩ8. 晶体管的三种基本放大电路分别是（）。

A. 共射、共基、共集B. 共射、共基、共漏C. 共射、共集、共漏D. 共基、共集、共漏9. 在模拟电子技术中，什么是“饱和区”？A. 信号失真区域B. 信号放大区域C. 信号衰减区域D. 信号调制区域10. 一个放大器的输入信号是正弦波，输出信号是方波，这个放大器可能应用在（）。

A. 音频放大B. 视频放大C. 脉冲放大D. 信号调制答案：1-5 CCBDD 6-10 DCDCC二、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电子电路中，________是用来测量电路输出电压的仪器。

2. 一个理想的电压源具有________和________的特性。

3. 运算放大器的输入端通常具有________和________的特性。

4. 一个放大器的增益可以通过改变________来实现。

5. 负反馈可以提高放大器的________和________。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题（每题2分，共10分）1. 模拟电路中，以下哪个元件不是基本的线性元件？A. 电阻B. 电容C. 电感D. 二极管答案：D2. 在理想运算放大器中，输入阻抗是：A. 有限值B. 无穷大C. 零D. 负值答案：B3. 晶体管的放大作用主要取决于其：A. 集电极B. 发射极C. 基极D. 所有极答案：C4. 以下哪种波形不是周期性波形？A. 正弦波B. 方波C. 三角波D. 锯齿波答案：D5. 在运算放大器电路中，虚短是指：A. 同相输入端和反相输入端电压相等B. 同相输入端和反相输入端电压相等且为零C. 同相输入端和反相输入端电流相等D. 同相输入端和反相输入端电流相等且为零答案：A二、多项选择题（每题3分，共15分）1. 以下哪些是模拟信号的特点？A. 连续变化B. 数字化C. 可以进行模拟放大D. 可以进行模拟滤波答案：ACD2. 运算放大器的典型应用包括：A. 放大器B. 信号整形C. 振荡器D. 电源答案：ABC3. 模拟电路中常用的滤波器类型包括：A. 低通滤波器B. 高通滤波器C. 带通滤波器D. 带阻滤波器答案：ABCD4. 以下哪些因素会影响晶体管的放大能力？A. 基极电流B. 集电极电流C. 发射极电流D. 温度答案：ABD5. 在模拟电路中，负反馈的作用包括：A. 提高增益稳定性B. 降低输出阻抗C. 增加输入阻抗D. 减少非线性失真答案：ABD三、填空题（每题2分，共10分）1. 在模拟电路中，信号的放大是通过________来实现的。

答案：晶体管或运算放大器2. 理想运算放大器的输出阻抗是________。

答案：零3. 模拟电路中的噪声通常来源于________和________。

答案：电源和环境4. 模拟信号的频率范围通常从直流（DC）到________赫兹。

答案：几十兆5. 在模拟电路设计中，________是用来减少信号失真的。

答案：负反馈四、简答题（每题5分，共20分）1. 简述模拟电路与数字电路的区别。

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案

模拟电子技术基本概念题--填空题及答案填空题二极管：1. 在半导体中．漂移电流是在作用下形成的，扩散电流是在作用下形成的。

（电场，浓度差） 2. 二极管最主要的特点是；确保二极管安全工作的两个主要参数分别是和。

（单向导电性，IF，UR）3. 在室温(27度)时，锗二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V；硅二极管的死区电压约 V，导通后在较大电流下的正向压降约 V。

（0.1, 0.3, 0.5, 0.7） 4. 二极管的交流等效电阻rd随静态工作点的增大而。

(减小) 5.硅稳压管稳压电路正常工作时，稳压管工作在状态。

（反向击穿区）晶体管及放大电路基础：6. 晶体管从结构上可分成和两种类型：根据使用的半导体材料不同可分成和管。

它们工作时有和两种载流子参与导电，常称之为双极型晶体管。

（NPN，PNP；硅，锗；电子，空穴）7. NPN型和PNP型晶体管的区别是（P区和N区的位置不同） 8. 晶体管的穿透电流ICEO是集―基反向饱和电流ICBO的倍。

―般希望尽量选用ICEO的管子（1+β，小）9. 晶体管的电流放大作用是指基极或发射极电流对电流的控制作用。

（集电极） 10. 已知晶体管β=99，IE=1mA，ICBO=0，则IB= ，IC= 。

（0.01mA，99mA） 11. 晶体管在放大电路中三种接法分别是、和。

（共射，共集，共基） 12. 当温度上升时．晶体管的管压降UBE、电流放大系数β及反向饱和电流ICBO分别将、和。

（降低，增大，增大）13. 从晶体管的输入特性可知，晶体管存在死区电压。

硅管的死区电压约为，锗管约为；晶体管在导通之后，管压降UBE变化不大，硅管的UBE约为．锗管的UBE约为。

（0.5 0.1 0.7 0.2） 14. 从晶体管的输出特性可知，当基极电流增大，集电极和发射极之间的击穿电压会随着基极电流的增大而。

（减小）15. 温度升高时，晶体管的共射极输入特性曲线将，输出特性曲线将。

模拟电子技术基本概念复习题及答案

模电基本概念复习题一、判断下列说法是否正确1、凡是集成运算电路都可以利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系;√×2、理想运放不论工作在线性区还是非线性区状态都有v N= v P;×3、当集成运放工作在闭环时,可运用虚短和虚断概念分析;×4、在运算电路中,同相输入端和反相输入端均为“虚地”;×5、在反相求和电路中,集成运放的反相输入端为虚地点,流过反馈电阻的电流基本上等于各输入电流之代数和;√6、温度升高后,本征半导体中自由电子和空穴数目都增多,且增量相同; √7、因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电;×8、因为P型半导体的多子是空穴,所以它带正电;×9、在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体;√10、放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作;√11、放大电路工作时所需要的能量是由信号源提供的;×12、放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的;×13、由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化;×14、共集电极电路没有电压和电流放大作用;√15、共集放大电路无电压放大作用,但有功率放大作用;√16、只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用;×17、放大电路中各电量的交流成分是交流信号源提供的;×18、射极输出器即是共射极放大电路,有电流和功率放大作用;×19、只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真;×20、放大器的输入电阻是从输入端看进去的直流等效电阻;×21、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共射放大电路的输入电阻最小;×22、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,共基放大电路的输出电阻最小;×23、阻容耦合多级放大电路各级的Q点相互独立,它只能放大交流信号;√24、放大电路在高频信号作用下放大倍数下降的原因是耦合电容和旁路电容的影响; ×25、场效应管也是一种由PN结组成的半导体器件,是电流控制器件,沟道越宽电流越大;×26、在由耗尽型N沟道MOSFET管组成的放大电路中,若V小于零,则i D＝0;×GS27、若增强型N沟道MOS管的v GS大于开启电压V T,则输入电阻会明显变小;×28、N沟道JFET在正常工作时的v GS不能大于零;√29、耗尽型MOS管在栅源电压u GS为正或为负时均能实现压控电流的作用;√30、结型场效应管通常采用两种偏置方式,即源极自给偏压式和栅极分压与源极自偏相结合的偏置方式;√31、耗尽型绝缘栅场效应管不能采用自给偏压方式;×32、增强型MOS管采用自给偏压时,漏极电流i D必为零;√33、现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为－100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数为10000;×34、集成运放内部第一级是差动放大电路,因此它有两个输入端; √35、产生零点漂移的原因主要是晶体管参数受温度的影响;√36、集成运放内部是直接耦合的多级放大电路;√37、镜像电流源电路中两只晶体管的特性应完全相同;√38、共模信号都是直流信号,差模信号都是交流信号;×39、对于长尾式差分放大电路,不论是单端输入还是双端输入,在差模输入交流通路中,长尾电阻R e一概可视为短路;×40、用电流源代替R e后电路的差模电压放大倍数增加;×41、带有理想电流源的差分放大电路,只要工作在线性范围内,不论是双端输出还是单端输出,其输出电压值均与两个输入端电压的差值成正比,而与两个输入端电压本身的大小无关;√42、集成运放的输入失调电压V IO是两输入端电位之差;×43、反馈量仅仅决定于输出量;√44、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压串联负反馈;√45、若放大电路引入负反馈,则负载电阻变化时,输出电压基本不变;×46、稳定输出电压,提高输入电阻应引入电压并联负反馈; ×47、任何实际放大电路严格说都存在某种反馈;√48、反相比例运算电路属于电压串联负反馈,同相比例运算电路属于电压并联负反馈;×49、共集放大电路A u<1,电路不可能有反馈;×50、单管共射放大电路通过电阻引入负反馈有可能产生自激;×51、负反馈能扩大放大电路的通频带,因此在负反馈电路中可以用低频管代替高频管;×52、负反馈可以抑制一切干扰;×53、在深度负反馈条件下,A f＝1÷F与原来的A无关,所以可以任选管子;×54、在功率放大电路中,输出功率愈大,功放管的功耗愈大;×55、由于功率放大电路中的晶体管处于大信号工作状态,所以微变等效电路已不再适用;√56、功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下,负载上可能获得的最大交流功率;√57、输入信号越大,非线性失真也越大;交越失真属于非线性失真,因此,大信号时更为严重;×58、乙类互补对称功率放大电路存在交越失真;√59、功率放大电路有功率放大作用,电压放大电路只有电压放大作用而没有功率放大作用;×60、只有两个晶体管的类型相同都为NPN管或都为PNP管时才能组成复合管;×61、复合管的类型取决于第一个管子的类型;√62、复合管的β值近似等于组成它的各晶体管β值的乘积;√63、只要电路引入了正反馈,就一定会产生正弦波振荡;×64、RC桥式振荡电路只要R f ≤2R1就能产生自激振荡;×65、因为正反馈使放大器诸多的性能变坏,故在任何情况下放大器均不采用正反馈;×66、在电压比较器中,其输出只有两种状态;√67、在电压比较器中,集成运放一直处于非线性工作状态;×68、为使电压比较器的输出电压不是高电平就是低电平,就应在其电路中使集成运放不是工作在开环状态,就是仅仅引入正反馈;√69、单限比较器比滞回比较器抗干扰能力强,而滞回比较器比单限比较器灵敏度高;×70、只要在放大电路中引入反馈,就一定能使性能得到改善;×71、放大电路的级数越多,引入的反馈越强,电路的放大倍数也就越稳定;×72、一个理想对称的差分放大电路,能放大差模输入信号,也能放大共模输入信号; ×73、负反馈放大电路不可能产生自激振荡;×74、正反馈放大电路有可能产生自激振荡; √75、满足自激振荡平衡条件的反馈放大电路,就一定能产生正弦波振荡;√76、凡是引入正反馈的集成运放,一定工作在非线性区;×77、对于正弦波振荡电路,只要满足自激振荡的平衡条件,就有可能自行起振;×78、当只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用带通有源滤波器; √79、直流电源是一种电能形式转换电路,将交流电变为直流电;√80、整流的目的是将交流变为单向脉动的直流;√81、滤波是将交流变为直流;×82、在单相桥式整流电容滤波电路中,若有一只整流管断开,输出电压平均值变为原来的一半;√二、选择题1、关于理想运算放大器错误的叙述是 A ;A．输入阻抗为零,输出阻抗也为零B．输入信号为零时,输出处于零电位C．频带宽度从零到无穷大D．开环电压放大倍数无穷大2、集成运算放大器构成的反相比例运算电路的一个重要特点是A;A．反相输入端为虚地；B．输入电阻大；C．电流并联负反馈；D．电压串联负反馈;3、欲将方波转换为三角波,应选用 D ;A．反相比例运算电路B．同相比例运算电路C．求和运算电路D．积分运算电路4、当温度下降高时,二极管的反向饱和电流将;A．增大B．不变C．减少5、P型半导体主要靠 B 导电A．正电荷B．空穴C．自由电子D．负电荷6、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于 C ;A．温度B．掺杂工艺的类型C．杂质浓度D．晶体中的缺陷7、PN结加正向电压时,空间电荷区将 A ;A．变窄B．基本不变C．变宽D．不定8、外加偏置电压不变时,若工作温度升高,二极管的正向导通电流将A ;A．增大B．减小C．不变9、硅二极管的正向导通压降比锗二极管的A;A．大B．小C．相等10、对于稳压二极管,它正常工作时是处于B 状态;A．正向导通B．反向击穿C．截止D．随外加电压变化而变化11、根据某只晶体管的各极对地电压分别是V B ＝－6.3V ,V E ＝－7V ,V C ＝－4V ,可以判定此晶体管是管,处于 ; DA ． NPN 管,饱和区B ． PNP 管, 放大区C ． PNP 管,截止区D ． NPN 管, 放大区12、工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12μA 增大到22μA 时,I C 从1mA 变为2mA,那么它的β约为 C ;A ．83B ．91C ．10013、一个晶体管的极限参数为P CM =100mW,I CM =20mA,U BRCEO =15V ,则下列 A 是正常工作状态;A ．U CE =3V ,I C =10mAB ．U CE =2V ,IC =40mAC ．U CE =6V ,I C =20mAD ．U CE =16V ,I C =30mA14、测得放大电路中三极管的各极电位如图所示,则该三极管为 C ;A ．NPN,硅管B ．PNP,硅管C ．NPN,锗管D ．PNP,锗管15、在同时比较三种基本放大电路的特点时,下列描述正确是 B ;A ．共射电路的R i 最大B ．共集电路的A V 最小C ．共基电路的A V 最小D ．共射电路的R o 最小16、在由NPN 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为2KHz,20mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了底部削平的失真,这种失真是 A ;A ．饱和失真B ．截止失真C ．频率失真D ．交越失真17、在由PNP 晶体管组成的基本共射放大电路中,当输入信号为1KHz 、5mV 的正弦电压时,输出电压波形出现了顶部削平的失真;这种失真是 A ;A ．饱和失真B ．截止失真C ．交越失真D ．频率失真18、图2所示共射放大电路,设静态时I CQ =2mA,晶体管饱和管压降U CES =0.6V ,当输入信号幅度增大到一定值时,电路将首先出现失真,其输出波形的将削去一部分;A ．饱和；底部B ．饱和；顶部C ．截止；底部D ．截止；顶部 19、在图2所示电路中,已知U T =26mV ,静态时I CQ =2mA,晶体管参数：β=100,200bb r '=Ω,i u +-c R L R 3k Ω2C +(12V)+CC V +1C 3k ΩbR O u +-正弦交流输入电压i 0.022sinu t=ω,则交流输出u o为A ;A．o 22sin()u tωπ=+B．o 22sin()u tω=C．o 42sin()u tωπ=+D．o 42sin()u tω=20、当一个NPN三极管工作于放大状态时,其三个电极的偏置电压满足关系式 C ;A．U B>U E ；U B>U C B．U B<U E ；U B<U CC．U C>U B>U E D．V C<U B<V E21、测得某三极管各极电流为Ｉ1＝2.4 mA,Ｉ2＝0.6mA,Ｉ3＝－3 mA电流方向流入为正;则各电极分别是C;A．①－e,②－b,③－c B．①－b,②－c,③－eC．①－c,②－b,③－e D．其它情况22、某同学为验证基本共射放大电路电压放大倍数与静态工作点的关系,在线性放大条件下对同一个电路测了四组数据;其中错误的一组是 D ;A．I C =0.5mA,U i=10mV,U o =0.37V B．I C =1.0mA, U i =10mV,U o=0.62VC．I C=1.5mA, U i =10mV,U o =0.96V D．I C =2mA, U i =10mV,U o =0.45V23、某一工作在放大状态的电路,当输入电压为10mV时,输出电压为7V,输入电压为15mV时,输出电压为6.5V以上均为直流电压;它们的电压放大倍数为 C ;A．700 B．100 C．－100 D．43324、如图所示为放大电路及输出电压波形,若要使输出电压u0波形不失真,则应 B ;A．R C增大B．R B增大C．R B减小D．β增大25、共射电路中,若静态工作点设置过低,在输入信号增大时放大器会首先产生C ;A．交越失真B．饱和失真C．截止失真D．不能确定的失真26、带射极电阻R e的共射放大电路,在R e上并联交流旁路电容C e后,其电压放大倍数将B;A．减小；B．增大；C．不变；D．变为零;27、放大电路在负载开路时的输出电压为4V,接入3kΩ 的负载电阻后输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为 C ;A．10kΩ B．2 kΩ C．1 kΩ D．0.5 kΩ28、为了使高内阻信号源与低阻负载能很好的配合,可以在信号源与低阻负载间接入C ;A．共射电路B．共基电路C．共集电路D．共集-共基串联电路29、有两个放大倍数相同,输入电阻和输出电阻不同的放大电路A和B,对同一个具有内阻的信号源电压进行放大;在负载开路的条件下,测得A放大器的输出电压小,这说明A的B ;A．输入电阻大B．输入电阻小C．输出电阻大D．输出电阻小30、对于基本共射放大电路的特点,其错误的结论是 A ;A．输出电压与输入电压相位相同B．输入电阻,输出电阻适中C．电压放大倍数大于1 D．电流放大倍数大于131、设图所示的的放大电路处于正常放大状态,各电容都足够大;则该电路的输入电阻为D;A．Ri=Re||rbe+Rb1+ Rb2B．Ri=Re||rbeC．Ri=Re||{rbe+Rb1+ Rb2 /1+β}D．Ri=Re||rbe/1+β32、由两只β值相同且远大于1的NPN管组成的复合管,其复合管的β值约为C ;A．β B．2β C．β2D．1+β33、用一个PNP型和一个NPN型管组成等效PNP型符合管时,图所示的abcd接法中,___b____是正确的;34、对于单管共射放大电路,当f＝f L时,v o滞后v i C ;A．90°B．45°C．135°D．180°35、放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是B ;A．耦合电容和旁路电容的存在B．半导体极间电容和分布电容的存在C．半导体的非线性特性D．放大电路的静态工作点不合适36、下列对场效应管的描述中,不正确的是 C ;A．场效应管具有输入电阻高,热稳定性好等优点；B．场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C．场效应管工作时多子、少子均参与导电；D．场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器;37、V GS为正、负值都能够工作在恒流区的场效应管为 C ;A．结型管B．增强型MOSFET C．耗尽型MOSEFT管D．BJT38、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的 B ;A．非饱和区B．饱和区C．截止区D．击穿区39、场效应管放大电路的输入电阻,主要由C 决定;A．管子类型B．g m C．偏置电路D．U GS40、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式或变压器耦合式多级放大电路相比,低频响应B ;A．差B．好C．差不多41、集成放大电路采用直接耦合的原因是C ;A ．便于设计B．放大交流信号C．不易制作大容量电容 D ．克服零点漂移42、图电路中,I＝1mA,则I C3＝A ;A．1mA；B．0.5mA；C．0.3mAK越大,表明电路 C ;43、共模抑制比CMRA．放大倍数越稳定；B．交流放大倍数越大；C．抑制温漂能力越强；D．输入信号中的差模成分越大;44、放大电路产生零点漂移的主要原因是 A ;A．环境温度变化引起参数变化B．增益太大C．采取了直接耦合方式D．外界干扰45、集成运放的互补输出级采用,输入级采用 B ;A．共基接法B．共集接法C．共射接法D．差分接法46、集成运放中间级的作用是 C ;A．提高共模抑制比B．提高输入电阻C．提高放大倍数D．提供过载保护47、差动放大电路的主要特点是 A ;A 有效放大差模信号,有力抑制共模信号；B 既放大差模信号,又放大共模信号C有效放大共模信号,有力抑制差模信号；48、差动放大器由双端输入变为单端输入,差模电压增益是 D ;A．增加一倍B．为双端输入时的一半C．不变D．不确定49、差分放大电路的长尾电阻的主要功能是A ,而提高共模抑制比;A．抑制共模信号B．抑制差模信号C．放大共模信号D．既抑制共模信号又抑制差模信号50、双端输入,双端输出,差分式放大电路如图;已知：静态时,V C1＝V C2＝10V,v O＝v C1－v C2＝0,求：1设|Ａvd|=100,ＡVC=0,Ｖi1＝10mV,Ｖi2＝5mV. 则|V o|为 D ;A．125mV B．200mV C．250mV D．500mV2设Ａvd＝－10,Ｖi1＝0.1V,Ｖi2＝－0.1V,则V C1为A,V C2为CA．9V B．10V C．11V D．12V3为提高电路的ＫCMR,Ｒe可用B代替;A．大电容B．电流源C．电压源D．断开51、某差动放大电路如图,选择正确答案1静态时,要使V o= 0,应调整元件是AA．R w B．R c C．R e D．R b2差模放大时,开关S从1转至2,V o值变化是 CA．增大B．减小C．基本不变3共模放大时,开关S从2转至1,实测共模放大倍数|Ａvc|值的变化是BA ．增大B ．减小C ．基本不变52、为增大电压放大倍数,集成运放中间级多采用 A ;A ．共射放大电路；B ．共集放大电路；C ．共基放大电路53、欲将正弦电压移相+90°,应选用 C ;A ．反相比例运算电路B ．同相比例运算电路C ．积分电路D ．求和电路54、多级负反馈放大电路容易引起自激振荡的原因是 B ;A ．各级电路的参数很分散B ．回路增益AF 大C ．闭环增益大D ．放大器的级数少55、组合放大电路的输出级采用射极输出方式是为了使 D ;A ．电压放大倍数高B ．输出电流小C ．输出电阻增大D ．带负载能力强56、在串联负反馈电路中,信号源的内阻 B ,负反馈的效果越好;A ．越大,B ．越小,C ．越恒定,D ．越适当57、某仪表放大电路,要求R i 大,输出电流稳定,应选 A ;A ．电流串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流并联负反馈D ．电压串联负反馈58、在输入量不变的情况下,若引入反馈后 D ,则说明引入的是负反馈;A 电路稳定性变差B 输出量增大C 净输入量增大D 净输入量减小59、负反馈所能抑制的干扰和噪声是 B ;A ．输入信号所包含的干扰和噪声； B. 反馈环内的干扰和噪声；C. 反馈环外的干扰和噪声；D. 输出信号中的干扰和噪声;60、欲将电流信号转换成与之成比例的电压信号,应在放大电路中引入 B ;A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈61、为了使放大器带负载能力强,一般引入 A 负反馈;A ．电压B ．电流C ．串联62、某负反馈放大电路,其开环增益9.9mS iu A =,反馈系数10K ui F =Ω,开环输入电阻i 5.0K R '=Ω,可推算出其闭环输入电阻ifR '= A ;A．500KΩ；B．50KΩ；C．50Ω；D．5Ω63、功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是C ;A．都使输出电压大于输入电压B．都使输出电流大于输入电流C．都使输出功率大于信号源提供的输入功率;64、在OCL乙类互补对称功放中,若最大输出功率为1W,则电路中每管的最大管耗为C ;A．1W B．0.5W C．0.2W65、与甲类功率放大方式相比,乙类互补对称功放的主要优点是 C ;A．不用输出变压器B．不用输出端大电容C．效率高D．无交越失真66、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数必须满足D 才能起振;A ．A V = 1 B．A V= 3 C．A V＜3 D．A V＞367、信号频率f = f 0时,RC串并联网络呈 B ;A．容性B．阻性C．感性68、在桥式文氏桥RC正弦波振荡电路中, C ;A．φA=-1800,φF=+1800 B．φA=+1800,φF=+1800 C．φA=00,φF=0069、当我们只想要放大频率为10kHz以上的信号时,应采用B滤波器;A．低通B．高通C．带阻D．带通70、在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下,桥式整流电路的输出电压是半波整流电路输出电压的 B 倍;A．1 B．2 C．1.5 D．0.571、桥式整流电路若变压器二次电压为2Vu tω=,则每个整流管所承受的最大反向电压为A;A．B．C．20V D;72、单相桥式整流、电容滤波电路中,已知变压器副边电路的有效值为U2＝10V,R L C>4T/2T为电网电压的周期,测得输出电压平均值U OA V可能的数值为：A．14V B．12V C．9V D．4.5V1正常情况下U OA V≈B ；2电容虚焊时U OA V≈9 ；3负载开路时U OA V≈ A ；4一只整流管和电容同时开路时U OA V≈D ；73、单相桥式整流电路中,若有一只二极管接反,则 C ;A．输出电压约为2U D B．变为半波直流C．整流管将因电流过大而烧坏;三、填空题答案附后1、频率失真是由于放大电路的不够宽引起的,非线性失真是由于放大器件的特性引起的;2、工作在线性区的理想运放输入端具有的两个特点是虚短, 虚断;理想集成运算放大器的放大倍数A v＝,输入电阻r i＝,输出电阻r o＝;3、比例集成运算放大电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流;4、集成运放应用电路如果工作在线性放大状态,一般要引入_________;负反馈5、在N型半导体中,多数载流子是；在P型半导体中,多数载流子是;6、本征半导体是,其载流子是和,两种载流子的浓度;7、当PN结外加正向电压时,P区接电源极,N区接电源极;8、当PN结外加正向电压时,扩散电流漂移电流;9、PN结的P区接电源的正极,N区接负极称PN结为;10、二极管的正向电阻,反向电阻,故二极管最主要的特性是;11、硅二极管导通后,其管压降是基本不变的,典型值为伏；其门坎电压U th约为伏;12、一般硅二极管的反向饱和电流比锗二极管的要;13、二极管最主要的特性是_ __,它的两个主要参数是反映正向特性的_和反映反向特性的_ ;14、三极管能起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度,基区掺杂浓度比发射区掺杂浓度,基区宽度;15、BJT的输出特性上可划分为三个区分别、、;16、当温度升高时,双极型三管的β将,反向饱和电流I CEO ;17、当温度升高时,双极性三极管的正向结压降V BE ;18、BJT工作在放大区的外部条件是：;19、BJT工作在饱和区时二个PN结的偏置情况为：发射结,集电结;20、测得某电路中NPN管得ＶBE＝0.7V,ＶCE＝0.2V,由此可判定它工作在_ _区;21、在晶体管放大电路中测得三个晶体管的各个电极的电位如图所示;试判断各晶体管的类型是PNP管还是NPN管,是硅管还是锗管,并区分e、b、c三个电极;A管；B管；C管 ;22、放大电路中动态工作点在负载线上移动;23、双极型三极管是控制型控制器件;24、用万用表直流电压档测得电路中晶体管各电极的对地电位,试判断这些晶体管分别处于那种工作状态饱和、截止、放大、倒置或已损坏;A管；B管；C管 ;25、图a和b是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________;26、在模拟电子电路测试中,常用信号作为标准信号使用;27、在三极管组成的三种不同组态的放大电路中,共射和共基组态有电压放大作用,组态有电流放大作用, 组态有倒相作用；组态带负载能力强;28、在由双极型三极管组成的三种基本放大电路中,放大电路的输入电阻最小,放大电路的输出电阻最小;29、对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电路的电压放大倍数大,可选用组态；若希望带负载能力强,应选用组态；若希望从信号源索取的电流小,应选用组态；若希望高频性能好,应选用组态;30、共发射极电路又可称为 ,共集电极电路又可称为 ,共基极电路又可称为 ;A 电压跟随器；B 反相电压放大器；C 电流跟随器31、某PNP 三极管构成的共射放大电路其输出波形出现顶部失真则为失真,原因是Q 点 ,可以使I B 来消除;32、交流放大电路和三极管的输出特性、交、直流负载线如下图所示,负载上获得的最大不失真输出电压的峰峰值是 V;33、多级放大电路中,后一级的电阻是前一级的负载; 34、在多级放大器中,上一级的输出电阻可作为下一级的 ; 35、多级放大电路常用的耦合方式有、、耦合; 36、当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时, 放大倍数的值为中频时的倍; 37、对于单极共射放大电路,当f ＝f L 时,v o 与v i 相位关系是 ,当f ＝f H 时,v o与v i 相位关系是 ;38、某放大器的下限角频率L ω,上限角频率H ω,则带宽为 Hz; 39、一个放大电路的对数幅频特性如图所示,由图可知中频放大倍数|A vm |=_______, f L 为_______,f H 为________,当信号频率为f L 或f H 时,实际的电压增益为 ________;40、电路如图所示用a 增大,b 减小,c 不变或基本不变填空1若将电路中Ce 由100μF ,改为10μF,则|A vm |将_______,f L 将________,f H 将 ________ ,中频相移将 _________;2若将一个6800pF 的电容错焊到管子b,c 两极之间,则|A vm |将______,f L 将_______, f H 将________;3若换一个f T 较低的晶体管,则|A vm |将_______,f L 将_______,f H将_______;41、场效应管是一种利用效应来控制电流大小的半导体器件;42、场效应管是控制性器件,只依靠导电;43、场效应管的漏极特性上的三个区域分别为、、;44、图所示场效应管的转移特性曲线,由图可知,该管的类型是________沟道________MOSEET管;45、RC耦合放大电路中,当耦合电容容量增加时,下限截止频率f L将,放大电路通频带BW将;46、影响单级共射极放大电路的低频响应的主要因素是;47、集成运放内部电路中,偏置电路由电路构成；输入级由电路构成;48、共模抑制比K CMR = ,电路的K CMR越大,表明电路的能力越强;49、集成运放内部电路主要有由、、、、这几个部分组成;50、差模输入电压是指差分放大器的两个输入端输入的电压;51、在长尾式差动电路中,长尾R e的主要作用是;52、差动放大电路的基本功能是对差模输入信号的作用和对共模输入信号的作用;53、串联负反馈只在信号源内阻时,其反馈效果才显著;54、欲减小电路从信号源索取的电流,增大带负载能力,应在放大电路中引入的反馈类型为;55、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入的反馈类型为;56、在输入量不变的情况下,若引入反馈后输出量,则说明引入的反馈是负反馈;57、在放大电路中,为了稳定静态工作点,可以引入________；若要稳定放大倍数,应引入________；希望展宽频带,可以引入________；如要改变输入或输出电阻,可以引入________；为了抑制温漂,可以引入________;a.直流负反馈,b.交流负反馈,c.直流负反馈和交流负反馈58、如希望减小放大电路从信号源索取的电流,则可引入________；如希望取得较强的反馈作用而信号源内阻很大,则宜引入________；如希望负载变化时输出电流稳定,则应引入________；如希望负载变化时输出电压稳定,则应引入________;a.电压负反馈,b.电流负反馈,c.串联负反馈,d.并联负反馈59、为了增大放大电路输出电阻,应在放大电路中引入反馈;60、电流负反馈的反馈信号与输出成比例；一反馈放大电路的开环增益为1000,反馈系数为0.099,则其闭环增益为;61、负反馈放大电路的自激条件是,其实质是放大电路在中频段的负反馈在高或低频段变成了;62、乙类互补推挽功率放大电路会产生失真;63、在OCL乙类互补对称功放电路中,静态工作点Q设置在输出特性的区;64、OCL乙类互补对称功放电路中每个晶体管的导通角是,该放大器的理想效率为,每个管子所承受的最大电压为;65、在一阶RC高通电路的相频特性中当f＝f L时,相角Φ= ;66、正弦波振荡电路通常由放大电路, , 和四部分组成;67、在RC桥式正弦波振荡电路中,当满足相位起振条件时,则其中电压放大电路的放大倍数要略大于才能起振;68、正弦波振荡器自激振荡的幅值平衡条件为、相位平衡条件为;69、为了抑制混入输入信号中的工频干扰信号,在电子系统中常选用滤波电路来滤除；而滤波电路能够有效抑制高频干扰信号;70、电压比较器工作时,在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中,单限比较器的输出状态发生跃变,滞回比较器的输出状态发生次跃变;71、小功率直流稳压电源由变压、_ _、_ __、四部分电路组成;。

《模电》复习(有答案)

模拟电路广泛应用于通信、音频、视频、控制系统等领域。
03
02
01
模拟电路的基本概念
模拟电路的基本元件
电阻是模拟电路中最基本的元件之一，用于限制电流和电压。
电容是能够存储电荷的元件，具有隔直流通交流的特性。
电感是能够存储磁能的元件，具有阻抗交流的作用。
二极管是单向导电的元件，常用于整流、开关等电路中。
04
电源：为电路提供稳定的直流或交流电源。
实验设备与仪器
实验准备
熟悉实验原理、目的、步骤和注意事项，准备好所需的仪器和元件。
电路搭建
根据实验要求，使用适当的电子元件搭建模拟电路。
参数测量
使用示波器等测量仪器，记录实验数据，观察信号波形。
结果分析
对实验数据进行分析，得出结论，并与理论值进行比较。
实验方法与步骤
发射机与接收机
通过模拟电路实现信号的调制和解调，如调频、调相和调幅等，以适应不同的通信信道。
调制解调技术
模拟电路用于信号处理和控制，如音频、视频信号的处理和通信系统的控制。
信号处理与控制
通信系统
模拟电路用于构建模拟控制器，实现对系统的连续控制和调节。
模拟控制器
模拟电路用于连接传感器和执行器，实现系统输入与输出的转换和控制。
详细描述
反馈放大电路的性能指标主要包括增益、带宽和稳定性等。
总结词
增益表示反馈放大电路的放大能力，与开环增益和反馈系数有关；带宽表示反馈放大电路能够正常工作的频率范围；稳定性则表示反馈放大电路对外部干扰和内部参数变化的敏感程度。
详细描述
反馈放大电路
总结词
集成运算放大器是一种高性能的模拟集成电路，具有高带宽、低噪声、低失真等特点。

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库（附参考答案）一、单选题（共103题，每题1分，共103分）1.PNP型三极管工作在放大状态时，其发射极电位最高，集电极电位最低。

（）A、对 :B、错正确答案：A2.集成运放的非线性应用存在（）现象。

A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。

正确答案：B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。

( )A、错误B、正确 ;正确答案：B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案：B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。

A、∞;B、0;C、不定。

正确答案：A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

正确答案：B7.射极输出器的特点是（）A、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大，输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大，输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大，输出电阻小、输入电阻大正确答案：A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。

A、虚短;B、虚地;C、虚断。

正确答案：A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。

A、饱和区B、死区C、截止区正确答案：A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为（）。

A、正弦半波；B、矩形方波；C、等腰三角波；D、仍为正弦波。

正确答案：A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。

（）A、对 :B、错正确答案：B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言，下列式子正确的是：A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案：B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案：A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案：C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180°的反相关系。