12半导体二极管解析
半导体整套课件完整版电子教案最全PPT整本书课件全套教学教程
电压较低时,由于外电场较弱,还不足以克服PN结内电场 对多数载流了扩散运动的阻力,所以正向电流很小,几乎为 零。此时二极管呈现出很大的电阻。
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1.2 半导体二极管
2.反向特性 图1-10所示曲线②部分为反向特性。二极管两端加上反向
电压时,由于少数载流子漂移而形成的反向电流很小,且在 一定的电压范围内基本上不随反向电压而变化,处于饱和状 态,所以这一段电流称为反向饱和电流IR。硅管的反向饱和 电流约在1μA至几十微安,锗管的反向饱和电流可达几百微 安,如图1-10的OC(OC’)段所示。 3.反向击穿特性 如图1-10中曲线③部分所示,当反向电压增加到一定数值 时,反向电流急剧增大,这种现象称为一极管的反向击穿。 此时对应的反向击穿电压用UBR表示。
1.4.2 晶体三极管的工作原理
三极管有两个按一定关系配置的PN结。由于两个PN结之间 的互相影响,使三极管表现出和单பைடு நூலகம்PN结不同的特性。三 极管最主要的特性是具有电流放大作用。下面以NPN型二极 管为例来分析。
1.电流放大作用的条件 三极管的电流放大作用,首先取决于其内部结构特点,即发
射区掺杂浓度高、集电结面积大,这样的结构有利于载流子 的发射和接收。而基区薄且掺杂浓度低,以保证来自发射区 的载流子顺利地流向集电区。其次要有合适的偏置。三极管 的发射结类似于二极管,应正向偏置,使发射结导通,以控 制发射区载流子的发射。而集电结则应反向偏置,以使集电 极具有吸收由发射区注入到基区的载流子的能力,从而形成 集电极电流。
1.1 半导体基础知识
1.1.1本征半导体
不含杂质且具有完整品体结构的半导体称为本征半导体。最 常用的本征半导体是锗和硅品体,它们都是四价元素,在其 原子结构模型的最外层轨道上各有四个价电子。在单品结构 中,由于原子排列的有序性,价电子为相邻的原子所共有, 形成了如图1-1所示的共价键结构,图中的+4表示四价元素 原子核和内层电子所具有的净电荷。本征半导体在温度 T=0K(热力学温度)目没有其他外部能量作用时,其共价键 中的价电子被束缚得很紧,不能成为自由电子,这时的半导 体不导电,在导电性能上相当于绝缘体。但是,当半导体的 温度升高或给半导体施加能量(如光照)时,就会使共价键中 的某些价电子获得足够的能量而挣脱共价键的束缚,成为自 由电子,同时在共价键中留下一个空位,这个现象称为本征 激发,如图1-2所示,自由电子是本征半导体中可以参与导 电的一种带电粒子,叫做载流子。
第1章 半导体二极管和晶体管
型求出 IO 和 UO 的值。
+ UD -
解:
1、理想模型
UO = V = 6 V
E
IO = E / R = 6 / 6 = 1 (mA)
+
2 V ID
R UR
6KΩ
-
2、恒压降模型
UO = E – UD = 6 0.7 = 5.3 (V) IO = UO / R = 5.3 / 6 = 0.88 (mA)
反向击穿电压 I/mA 反向饱和电流
硅几 A
锗几十~几百 A UBR
硅管的温度稳
IS
O
U/V
定性比锗管好 反向 饱和电流
36
(二)极间电容
第三节、半导体二极管
C
1、PN结存在等效结电容
PN结中可存放电荷,相 当一个电容。
PN
+ ui –
R
– 2、对电路的影响:外加交流电源
+
时,当频率高时,容抗小,对PN
14
第一节、半导体的导电特性
N型半导体
多一个 价电子
4
+5
4
掺杂
4
4
4
15
本征激发
第一节、半导体的导电特性
N型半导体
4
+5
4
掺杂
正离子
电子
4
4
4
多子-------电子 少子-------空穴
N型半导体示意1图6
第一节、半导体的导电特性
P型半导体
多一个 空穴
4
+3
4
掺杂
4
4
4
17
本征激发
第一节、半导体的导电特性
半导体二极管的主要参数
1.反向饱和漏电流IR指在二极管两端加入反向电压时,流过二极管的电流,该电流与半导体材料和温度有关。
在常温下,硅管的IR为纳安(10-9A)级,锗管的IR为微安(10-6A)级。
2.额定整流电流IF指二极管长期运行时,根据允许温升折算出来的平均电流值。
目前大功率整流二极管的IF值可达1000A。
3.最大平均整流电流IO在半波整流电路中,流过负载电阻的平均整流电流的最大值。
这是设计时非常重要的值。
4.最大浪涌电流IFSM允许流过的过量的正向电流。
它不是正常电流,而是瞬间电流,这个值相当大。
5.最大反向峰值电压VRM即使没有反向电流,只要不断地提高反向电压,迟早会使二极管损坏。
这种能加上的反向电压,不是瞬时电压,而是反复加上的正反向电压。
因给整流器加的是交流电压,它的最大值是规定的重要因子。
最大反向峰值电压VRM指为避免击穿所能加的最大反向电压。
目前最高的VRM值可达几千伏。
6.最大直流反向电压VR上述最大反向峰值电压是反复加上的峰值电压,VR是连续加直流电压时的值。
用于直流电路,最大直流反向电压对于确定允许值和上限值是很重要的.7.最高工作频率fM由于PN结的结电容存在,当工作频率超过某一值时,它的单向导电性将变差。
点接触式二极管的fM值较高,在100MHz以上;整流二极管的fM较低,一般不高于几千赫。
8.反向恢复时间Trr当工作电压从正向电压变成反向电压时,二极管工作的理想情况是电流能瞬时截止。
实际上,一般要延迟一点点时间。
决定电流截止延时的量,就是反向恢复时间。
虽然它直接影响二极管的开关速度,但不一定说这个值小就好。
也即当二极管由导通突然反向时,反向电流由很大衰减到接近IR时所需要的时间。
大功率开关管工作在高频开关状态时,此项指标至为重要。
9.最大功率P二极管中有电流流过,就会吸热,而使自身温度升高。
最大功率P为功率的最大值。
具体讲就是加在二极管两端的电压乘以流过的电流。
这个极限参数对稳压二极管,可变电阻二极管显得特别重要。
半导体二极管
模拟电子技术基础
二极管应用举例
1)整流电路
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模拟电子技术基础
2)限幅电路 例:已知电路的输入波形为 vi ,二极管的VD 为0.6伏,试 画出其输出波形。
解:
Vi< 3.6V时,二极管截止, vo=Vi。 Vi> 3.6V时,二极管导通,vo=3.6V。 上页 下页 返回
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1.3.3 二极管的基本电路及其分析方法
(1) 简单二极管电路的图解分析方法
(2) 二极管电路的简化模型分析方法
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模拟电子技术基础
3.4.1 简单二极管电路的图解分析方法
二极管是一种非线性器件,因而其电路一般要采
用非线性电路的分析方法,相对来说比较复杂,而图
模拟电子技术基础
IR
IZ Io
3. 稳压电路
RL
Io
IR
VR
Vo
VZ Vo
IZ
IR
VR
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模拟电子技术基础
例3.5.2 设计一稳压电路,作为汽车用收音机的电压源。已知 收音机的直流电源需为9V,音量最大时需供功率为0.5W,汽
车上的供电电源在12-13.6V之间波动。要求选择合适的稳压管
硅管150∽200oC
PN结被烧坏,造成二极管永久性的损坏。
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模拟电子技术基础
(3)* 产生击穿的机理
a. 齐纳击穿 半导体的掺杂浓度高
条件 空间电荷层中有较强的电场
击穿的机理
电场将PN结中的价电子从共价键中激发出来 击穿电压低于4V 击穿的特点 击穿电压具有负的温度系数
半导体二极管工作原理
半导体二极管工作原理
半导体二极管是一种基本的电子器件,其工作原理基于真空二极管的热阴极和阳极间的电子流动现象。
半导体二极管由P
型和N型半导体材料构成,形成一个PN结。
在PN结中,由于P型半导体内含有多余的空穴(正电荷载体),而N型半导体内含有多余的自由电子(负电荷载体)。
当N型半导体接触到P型半导体时,多余的自由电子和空穴
会进行扩散。
由于自由电子迁移到P区,形成负离子,而空
穴迁移到N区,形成正离子。
这就导致PN结的两侧形成了一个带有固定电荷的区域,称为耗尽层。
当外加一个电压到二极管时,如果正电压加在P区,而负电
压加在N区,这就称为正向偏置。
在正向偏置下,正电压将
加速电子和空穴的运动。
自由电子将迁移到P区,而空穴将
迁移到N区,这样当电流通过二极管时,电子就会在PN结处再次重组,产生电子空穴对,并且继续流动到外部电路。
因此,二极管在正向偏置下成为导电状态,也被称为ON(导通)状态。
相反地,如果负电压加在P区,而正电压加在N区,这称为
反向偏置。
在反向偏置下,负电压阻止了电子和空穴的运动,这使得电流无法通过PN结。
因此,二极管在反向偏置下处于
非导电状态,也被称为OFF(截止)状态。
总之,半导体二极管的工作原理基于PN结的形成和正反向偏
置下电子和空穴的运动。
这使得二极管可以用作整流、变压、开关和放大等许多电子电路中的基本组件。
电工电子技术课件:半导体器件及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
1.单相整流电路 (2)单相桥式整流电路 单相桥式整流电路如图5-8 a)所示,四只整流二极管D1- D4 接成电桥的形式,所以此电路被称为桥式整流电路。图5-8 b) 是其简化画法。
T
a D4
iD1,3
io
D1
u1
u2
RL
uo
v2
D3
D2
b
iD2,4
RL
vo
图5-8 单相桥式整流电路图
电工电子技术
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
(2)选择滤波电容C
取
RLC
5
T 2
,而
T 1 1 0.02S,
f 50
所以
C 1 5 T 1 5 0.02 417μ F
RL
2 120
2
可以选用C = 500μF,耐压值为50V的电解电容器。
电工电子技术
电工电子技术
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.1二极管类型及电路符号 1.二极管类型 按材料来分,最常用的有硅管和锗管两种; 按结构来分,有点接触型、面接触型和硅平面型等几种; 按用途来分,有普通二极管、整流二极管、稳压二极管等多
种。
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半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
半导体器件及应用
5.1 二极管及其应用
5.1.3二极管的应用—整流滤波电路
2.滤波电路 (2)电感滤波电路 在桥式整流电路和负载电阻间串入一个电感器L,如图5-12所
示。利用电感的储能作用可以减小输出电压的纹波,从而得到 比较平滑的直流。
~
丝印12 的二极管 -回复
丝印12 的二极管-回复[丝印12 的二极管]是什么?丝印12的二极管是一个电子元件,用于控制电流流动方向的装置。
它是一种半导体材料制成的,通常由硅(Si)或锗(Ge)等材料构成。
二极管有两个引脚,一个是阳极(或称为正极或P极),另一个是阴极(或称为负极或N极)。
通过控制二极管的正向或反向电压,可以实现电流在不同的方向上的流动。
二极管的原理和构造如何?二极管的原理基于PN结的特性。
PN结是由一个P型半导体和一个N型半导体组成的。
P型半导体的特点是具有空穴(正电荷载体),而N 型半导体的特点是具有自由电子(负电荷载体)。
当将P型半导体和N型半导体连接在一起时,形成了一个PN结,其中P型区域为正极,N型区域为负极。
当二极管处于正向偏置时,即正极连接到P型区域,负极连接到N型区域,电流可以流过二极管。
这是因为在P型区域中,由于空穴的过剩,形成了电子的缺乏。
同时,在N型区域中,由于自由电子的过剩,形成了空穴的缺乏。
因此,在PN结的交界处会有一个电子流动的通道,电流可以顺利通过。
然而,当二极管处于反向偏置时,即正极连接到N型区域,负极连接到P型区域时,电流无法通过二极管。
这是因为在P型区域中,电子的过剩会吸引N型区域的自由电子,形成电子云,在PN结的交界处形成电势垒。
这个电势垒会阻碍电流的流动,使得反向电流非常微弱或几乎没有。
丝印12的二极管的特性和用途是什么?丝印12的二极管是一种常见的标准二极管。
其特性是反向击穿电压较高,正向导通电流较大。
这使得丝印12二极管在电子电路中有广泛的应用。
以下是一些可能的用途:1. 整流器:二极管可以将交流电转换为直流电。
丝印12的二极管可用于整流电路中,将交流电信号转换为直流电。
2. 保护电路:由于二极管具有阻止电流流向反向方向的特性,可以用于保护电路,防止电压过高或过低对电子器件的损坏。
3. 光电器件:丝印12的二极管在一定的条件下可以实现光电转换。
当光照射到二极管上时,可以产生电流信号。
二极管和三极管
不论N型或P型半导体都是中性旳,对外不显电性。
1. 在杂质半导体中多子旳数量与 a (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
2. 在杂质半导体中少子旳数量与 b (a. 掺杂浓度、b.温度)有关。
3. 当温度升高时,少子旳数量 c (a. 降低、b. 不变、c. 增多)。
4. 在外加电压旳作用下,P 型半导体中旳电流 主要是 b ,N 型半导体中旳电流主要是 a 。
课后练习Hale Waihona Puke uo = 8V uo = ui
例3: D2
D1
3k 6V
12V
求:UAB 解:取 B 点作参照点
A + UAB –B
∵ UD2 >UD1 ∴ D2 优先导通, D1截止。 若忽视管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V
流过
D2
旳电流为
ID2
12 3
D1承受反向电压为-6 V
4mA
在这里, D2 起 钳位作用, D1起 隔离作用。
带着爱好学习:
1、说出你比较感爱好旳一种电子产品或电器
2、想象你生活当中旳一件事,做起来不是 很以便,能够经过电子产品或机械手旳手段 来处理它。并给这个产品命名
经过学习,能够搞清你所选电器旳原理,和元器 件所起旳作用;能够设计出你所想旳产品。
知识点
电子电路旳设计 分析
元器件内部原理、构成 经典电子电路旳计算、分析、
ICBO ICE
N
B
P
RB IBE N
电子技术
电路
电子 技术
基本概念基本定律 电路旳计算措施 暂态电路 交流电旳基本知识
模拟电子 特点 信号是连续旳 技术
数字电子 特点
技术
二极管的原理与特性
二极管的原理与特性
二极管是由两个半导体材料,通常是p型半导体和n型半导体材料组成的器件。
它具有以下特性:
1. 半导体材料的特性:p型半导体含有掺杂的准价电子,n型半导体含有掺杂的自由电子。
两种材料的掺杂导致电荷载流子浓度不均匀,形成一个p-n结。
2.正向偏置特性:当二极管的正极连接到p型半导体,负极连接到n型半导体时,将会形成正向偏置。
此时,电子从n型区域流向p型区域,空穴从p型区域流向n型区域。
这种情况下,二极管处于导通状态,电流可以通过。
3.反向偏置特性:当二极管的正极连接到n型半导体,负极连接到p型半导体时,将会形成反向偏置。
此时,由于p-n结的形成,阻止了电流的通过,二极管处于截止状态。
4.电流流动特性:二极管的电流流动主要包括漏极电流和饱和电流。
在正向偏置下,漏极电流主要是由于热发射而产生,而在反向偏置下,由于p-n结形成了耗尽层,几乎没有电流流动。
5.电压特性:正向偏置时,二极管的电压降非常小,约为0.7伏。
当反向偏置达到一定程度时,二极管会击穿,形成漏电流。
总结来说,二极管是一种具有导通和截止状态的电子器件,能够根据正向或反向偏置来控制电流的流动。
它可用于整流、保护电路、信号调节等应用领域。
半导体发光二极管基本知识
半导体发光二极管基本知识自从60年代初期GaAsP 红色发光器件小批量出现进而十年后大批量生产以来,发光二极管新材料取得很大进展。
最早发展包括用GaAs 1-x P x 制成的同质结器件,以及GaP 掺锌氧对的红色器件,GaAs 1-x P x 掺氮的红、橙、黄器件,GaP 掺氮的黄绿器件等等。
到了80年代中期出现了GaAlAs 发光二极管,由于GaAlAs 材料为直接带材料,且具有高发光效率的双异质结结构,使LED 的发展达到一个新的阶段。
这些GaAlAs 发光材料使LED 的发光效率可与白炽灯相媲美,到了1990年,Hewlett-Packard 公司和东芝公司分别提出了一种以AlGaIn 材料为基础的新型发光二极管。
由于AlGaIn 在光谱的红到黄绿部分均可得到很高的发光效率,使LED 的应用得到大大发展,这些应用包括汽车灯(如尾灯和转弯灯等),户外可变信号,高速公路资料信号,户外大屏幕显示以及交通信号灯。
近几年来,由于CaN 材料制造技术的迅速进步,使蓝、绿、白LED 的产业化成为现实,而且由于芯片亮度的不断提高和价格的不断下降,使得蓝、绿、白LED 在显示、照明等领域得到越来越广泛的应用。
本课程将介绍LED 的基本结构、LED 主要的电学、光度学和色度学参数,并简单介绍LED 制造主要工艺过程。
1. 发光二极管(Light Emitting Diode ) 的基本结构图<1>是普通LED 的基本结构图。
它是用银浆把管芯装在引线框架(支架)上,再用金线把管芯的另一侧连接到支架的另一极,然后用环氧树脂封装成型。
组成LED 的主要材料包括:管芯、粘合剂、金线、支架 和环氧树脂。
1.1 管芯事实上,管芯是一个由化合物半导体组成的PN 结。
由 不同材料制成的管芯可以发出不同的颜色。
即使同一种材 料,通过改变掺入杂质的种类或浓度,或者改变材料的组 份,也可以得到不同的发光颜色。
下表是不同颜色的发光二极管所使用的发光材料。
半导体二极管及其基本应用电路(12)
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3
1.1 半导体二极管
1)本征半导体中的两种载流子——电子和空穴
在室温下,本征半导体中少数价电子因受热而获得能量 ,摆脱原子核的束缚,从共价键中挣脱出来,成为自由电 子。与此同时,失去价电子的硅或锗原子在该共价键上留 下了一个空位,这个空位称为空穴。由于本征硅或锗每产 生一个自由电子必然会有一个空穴出现,即电子与空穴成 对出现,称为电子空穴对。
• 1.4.5 激光二极管
• 激光是英文Laser的意译,音译为“镭射”。激光是 由激光器产生的。激光器有固体激光器、气体激光 器、半导体激光器等。半导体激光器是所有激光器 中效率最高、体积最小的一种,而比较成熟且实用 的半导体激光器是砷化镓激光器,即激光二极管。
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27
• 图1-3-10为倍压整流电路,该电路是用n个整流二极管和n 个电容组成n倍压整流电路。从图1-3-10中a、c两端取出电 压为nU2 ,其中n为偶数;而从b、d两端取出电压为nU2 , 其中n为奇数。可以根据需要选择输出电压。在电路中,除 了电容C1承受电压为U2外,其他电容上承受的电压均为 2U2,每个整流管的反向电压为2U2。该电路虽可得到较高 的直流输出电压,但它的输出特性很差,所以只适用于负 载电流很小,且负载基本上不变的场合。
• 二极管的主要特性是单向导电。二极管的特性可用伏安特性曲线来描 述。
• 1.二极管的伏安特性曲线 • 二极管的种类虽然很多,但它们都具有相似的伏安特性。所谓二极管
伏安特性曲线就是流过二极管的电流I与加在二极管两端电压U之间的
关系曲线。图1-1-13 所示为硅和锗二极管伏安特性曲线,
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第 1章
半导体二极管及其基本应用电路
c12半导体二极管
IS :反向饱和电流
VT =kT/q :温度的电压当量
室温(T=300 K)下
VT=26 mV
理想二极管的伏安特性曲线
二、实际二极管的伏安特性
实际二极管的伏安特性曲线
I
导通压降:
硅管 0.6~ 0.8V, 锗管 0.2~0.3V
两点区别:
1)正向特性(V>0)存在 死区电压 硅:Vth=0.5 V 锗:Vth=0.1 V
面接触型
.1 结构类型和符号
一、结构类型
二极管 : PN结 + 管壳 +引线 类型:点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— 特点:PN结结面积很小,因而极间电容很 小,不能承受高的反向电压和大的电流。 用途:主要用 于混频,高频
检波及小电流
(a)点接触型 整流等
(2)
面接触型— 特点:PN结结 面积大,可承 受较大的电流, 极间电容也较 大 用途:适用 于整流
UQ IQ
0.7 140( 5
二、交流图解法 电路中含直流和小信号交流电源时,二极管中含交、直流成分
iD / mA VDD/ R
斜率1/rd Q
uD /V
IQ C 隔直流 通交流 i D = IQ 当 ui = 0 时 UQ= 0.7 V (硅),0.2 V (锗)
O O
UQ VDD ui
O
t
二极管S21S4导通 二极管S S3导通 uO/ V
15
O
t
二极管的应用举例2:二极管限幅
单向限幅器:
ui
uR ui R uR RL
t
uo
uo
t
t
双向限幅器:
例: ui = 2 sin t (V) ui 较小,宜采用恒压降模型 ui < 0.7 V V1、V2 均截止 uO = ui
半导体分立元件--二极管
半导体分立元件半导体二极管半导体二极管是用半导体材料(主要是硅或锗的单晶)而制成,故又称为晶体二极管(俗称二极管)。
二极管的主要电性能是“单向导电性”,是一种有极性的二端元件(一种典型的非线性元件)。
二极管在电路中主要用作整流、限幅箱位、检波等,在数字电路中用作开关器件。
基本知识1、二极管。
自然界的物质按其导电能力的大小分为导体、半导体、绝缘体。
导体具有良好的导电性能,其电阻率一般小于10-6Ω·m,如铜和银;绝缘体导电能力很差或不导电,其电阻率往往在108Ω·m以上,如橡胶、陶瓷等;而半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间,如纯净的硅在常温下的电阻率为2×103Ω·m。
半导体材料(如硅和锗)都是4价元素,其最外层的4个价电子与其相邻的原子核组成“共介键”结构,所以在温度极低时(如绝对零度时)半导体不导电,在常温下,纯净的半导体的导电能力也很弱。
2、半导体的主要特点。
半导体与导体和绝缘体相比有两个显著特点:一是其“热敏性”与“光敏性”。
例如当环境温度每升高8℃时,纯净硅的电阻率会降低一半左右(即导电能力提高一倍),且光线的照射也会明显地影响半导体的导电性能,人们利用半导体的这一性能,就可以制成各种热敏元件(如热敏电阻)、光敏元件(如光敏电阻、光电管)等;其二是半导体的“掺杂性”。
指在纯净的半导体内掺入微量的杂质,半导体的导电能力就急剧增强。
例如在单晶硅中掺入百分之一的某种杂质,其导电能力将增加一百万倍。
人们正是利用半导体的这一独特性质。
做成“杂质半导体”,从而制造出各种不同性质、不同用途的半导体器件,如半导体二极管、三极管、场效应管和集成电路等。
3、杂质半导体。
(1)N型半导体(电子型半导体)。
在纯净的半导体中掺入5价元素就得到N型半导体。
5价杂质其最外层的5个价电子除与半导体组成共价键外就多余一个电子(自由电子)。
所以N型半导体中自由电子为“多子”,空穴为“少子”。
2023-2024学年江苏省连云港市新海实验中学九年级(上)第二次月考物理试卷+答案解析
2023-2024学年江苏省连云港市新海实验中学九年级(上)第二次月考物理试卷一、单选题:本大题共10小题,共20分。
1.塑料外壳手电筒的构造如图所示,手电筒内装了两节干电池。
关于手电筒的电路,下列说法中正确的是()A.该电路中电源外部电流的方向是从电源负极流向电源正极B.干电池为电源,按键为电路开关C.灯泡发光时,电池的电能转化为化学能D.手电筒中两节干电池是并联的2.从欧姆定律可以导出。
对导体电阻的理解,正确的是()A.同一导体的电阻与加在它两端的电压成正比B.同一导体的电阻与通过它的电流成反比C.同一导体两端的电压与电流成正比D.导体的电阻是导体本身的一种性质,与电流、电压无关3.如图所示,用同种材料制成两段长度相等,横截面积不同的圆柱形导体,A比B的横截面积大,将它们串联在电路中,比较A、B的电阻及通过A、B的电流关系分别是()A.;B.;C.;D.;4.如图1所示的电路中,闭合开关后,、正常发光。
若将图2中的两个夹子分别接在灯泡两端,夹子与灯泡接触良好。
则出现的现象及其描述正确的是()A.被短接,只有发光B.电源被短路,两灯泡都不发光C.电压表能测两端的电压D.电压表可以较准确的测量出灯泡两端电压5.人类在探索自然规律的过程中,总结了许多科学的研究方法:类比法、控制变量法、建立理想模型法等。
下列研究方法中,运用了控制变量法的是()A.测量小灯泡的电阻B.用“水压”类比“电压”C.探究电阻大小与哪些因素有关D.将撬棒抽象为绕固定点转动的硬棒6.小强在探究并联电路电流规律时,设计了如图所示的电路,当开关、都闭合时,电流表A、的示数分别为、。
当开关断开,只闭合开关,则电流表A、、的示数分别为()A.、、B.、、0C.、、0D.、、07.小华了解到汽车往往用电路控制警报铃声和提示灯提醒驾乘人员要佩戴安全带,如图,他尝试自己设计该电路的电路图。
根据实际需要,电路中有电铃和提示灯两个用电器、用于代表驾驶位和副驾驶位的安全带卡扣的两个开关安全带的卡片插入卡槽,表示开关断开,在驾驶位和副驾驶位都有人乘坐时,要满足两个座位中只要有一个座位未佩戴安全带,警报铃响,同时提示灯发光。
第五章半导体二极管(1)
P
耗尽层
N
I 内电场方向
外电场方向
V
R
PN 结外加正向电压
(三)PN结 2、PN结的特性
(2)PN结外加反向电压
fla sh 3
PN结反偏 外电场与内电场方向相同 飘移>扩散 PN结变厚 有利于漂移进行 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流I反 PN结反向截止
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V
流过
D2
的电流为
ID2
12 3
4mA
D2 起钳位作用, D1起隔离作用。
例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位VY。
+6V
∵ UDB > UDA
DA
VA
R
∴ DB 优先导通, DA截止。 理想二极管:VY = VB = 0V
VY 锗二极管:VY = VB + UD = 0.3V
绝缘体--有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、 陶瓷、塑料和石英
半导体--另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之 间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物 等。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质 稳定的结构
1、本征半导体的结构
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层 电子(价电子)都是四个。
反向截止时相当于开路。
否则,正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
例1: 分析输出电压和二极管上电压的波形。
假设二极管为理想二极管。
Tr a D io
u2
2U
++
丝印12 的二极管 -回复
丝印12 的二极管 -回复什么是丝印12的二极管;该二极管的工作原理;如何使用丝印12的二极管;该二极管的应用领域;如何检测丝印12的二极管的性能与质量。
第一步:介绍丝印12的二极管丝印12的二极管是一种常见的二极管型号,它使用丝印12进行标识,属于一种硅材料制造的二极管。
丝印12的二极管在电子电路中扮演着重要的角色,具有多种应用场景。
第二步:解释丝印12二极管的工作原理丝印12的二极管是一种P N结二极管。
P N结二极管是一种材料具有不同导电性的半导体器件,由N型半导体和P型半导体组成,两种半导体材料之间形成一个结。
当外部电压施加在P N结上时,会发生二极管的正向导通和反向截止的现象。
当丝印12的二极管处于正向偏置时,即P端接正电压,N端接负电压,P N结上会形成一个电场。
这个电场会驱使电子从N型半导体的导带进入P型半导体的导带,同时也会驱使空穴从P型半导体的电子为空穴,然后向导带区域移动。
如此一来,电子就会从P端进入N端,形成电流的通路。
所以丝印12的二极管在正向偏置时具有导通的特性。
当丝印12的二极管处于反向偏置时,即P端接负电压,N端接正电压,P N结上的电场会抵消外部电场的作用。
这个时候,电子从P型半导体中进入N型半导体的导带的能力变得非常小,而空穴也无法向导带区域移动。
因此,丝印12的二极管在反向偏置时几乎不会有电流流过,表现为截止的特性。
第三步:如何使用丝印12的二极管要使用丝印12的二极管,我们需要将其正确连接到电路中,并使其符合正确的偏置。
在进行连接之前,我们需要了解丝印12的二极管的引脚排列方式和标识。
丝印12的二极管通常有两个引脚,一个是A n o d e (阳极),用来接收正电压;另一个是C a t h o d e(阴极),用来接收负电压。
通常,阳极引脚较长,阴极引脚较短,这是为了方便区分两个引脚。
要正确使用丝印12的二极管,我们需要将阳极引脚连接到正电压信号的源端,而将阴极引脚连接到负电压信号的接收端。
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q ? C ?u
? 电感:元件内部的磁 通是元件通过的电流 的线性函数
? ? L ?i
2. 线性电阻的伏安特性 即是欧姆定律
i
R
u
3. 半导体二极管的非 线性伏安特性
iD ? IS(evD/VT ? 1)
iD/mA 1.0
0.5
–1.0
–0.5
0
0.5
1.0 ? D/V
4. 含非线性元件的电路一般分析方法
(2)最高反向工作电压URM: 二极管工作时允许外加的最大反向电压。URM≤1/2U(BR)
(3)反向电流IR (IS ): 二极管未击穿时的电流。其值越小单向导电性(热稳定性)越好。
(4)最高工作频率f M:
指二极管的上限频率。f < f M
xj
?
1
2?fC j
,
f
??
x j ? ,失去单向导电性
(a) 正向特性
当V>0即处于正向特性 为 区域。正向区又分为两段: 什
么?
当0<V<Vth时,正向电 流为零, Vth称为死区电压或 开启电压。 外加电压不足以克服内电场的作用
当V>Vth时,开始出现正向电流,并按指数规
律增长。
iD
?
I evD /VT S
硅二极管的死区电压 Vth=0.5 V左右, 锗二极管的死区电压 Vth=0.1 V左右。
② ? 10
? 20
Vth
? D/V
? 30
③
? 40
iD/? A
锗二极管2AP15的V-I 特性
?处于第一象限的是正向伏安特性曲线,处于第三象限的是 反向伏安特性曲线。
? 与PN结的伏安特性基本上是相同的 ? 硅管的正向压降0.7伏左右,锗管的正向压降0.3伏左右 ? 硅管的反向电流极小,锗管的反向电流较大
(3)应用简化模型方法
1. 理想模型 简单模型2.,恒便压于降近模似估型算。 模型分析法
3. 折线模型
复杂模型,为利用程序借助计算机解题提供基础。
(5)微变电阻 rD rD 是二极管特性曲线上工作
iD
点Q 附近电压的变化与电流的
变化之比:
Q
rD
?
? uD ? iD
UD
uD
显然,rD是对Q附近的微小变化区域内的电阻。
注:对二极管特性和极限运用条件的定量描述 ,也是 设计电路时选择器件的依据。
使用时,( ? I F ,? VWRM ),否则管子易损 坏。器件手册的参数仅供选型参考,必要时实 测。
? 数学模型方法 ? 图解分析方法 ? 模型简化方法-折线化或其他简化模型 ? 小信号线性化方法 其本质是对非线性元件伏安特性的模型再构建
二、 二极管V- I 特性的建模
设有如右图含二 极管的非线性电 路,电路分析要 解出i D 和vD
(1) 采用数学模 型方法,需解非
? ?
iD
?
IS (evD /VT
1.2.4 二极管的等效电路
一、 非线性元件的认识 二、二极管V- I 特性的建模 三、 应用举例
一、 非线性元件的认识
1. 线性元件回顾 ? 电阻:元件两端的
电压是元件通过的 电流的线性函数
二极管是一种非线 性器件,因而二极 管电路应采用非线 性的分析方法。
u ? R ?i
? 电容:元件存储的电 荷是元件两端的电压 的线性函数
二极管的结构示意图
PN结面积 小,结电容小, 用于检波和变频 等高频电路。
(a)点接触型
(2) 面接触型二极管
(b)面接触型
PN结面积大, 用于工频大电流整 流电路。
(3) 平面型二极管
阳极 阴极 引线 引线
P N P 型支持衬底
(c)平面型
(4) 二极管的代表符号
往往用于集成电路 制造工艺中。PN 结面
1.2 半导体二极管
1.2.1 半导体二极管的几种常见结构 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.4 二极管的等效电路 1.2.5 稳压二极管 1.2.6 其它类型二极管
1.2.1 半导体二极管的结构
1. 二极管: PN 结加上管壳和引线,就成 为半导体二极管。
图1.2.1 二极管的几种外形
? 40
10 Vth
5
正向特性
? 30 ? 20 ? 10 0 0.2 0.4 0.6 0.8
? 10 死区
? 20
? D/V
? 30
? 40
iD/? A
反向击穿 特性
硅二极管2CP10的V-I 特性
iD/mA
反向特性
20
正向特性
反向击穿 特性
? 60
VBR
15
①
10
5 ? 40 ? 20 0
0.2 0.4 0.6
D截止:条件:V ? 0.5V ,特点:i D ? 0 , 相当于开关断开。
(3). 温度对伏安特性的影响
i ? f (u)
图1.2.3 二极管的伏安特性
T↑ →少子浓度增加→ PN结变窄→ 势垒电位差U0↓→ 在相同u的作用下 →正向特性左上移,反向特性右下移。
1.2.3 二极管的主要参数
(1)最大整流电流IF 指二极管长期运行时允许通过的最大正向平均电流。I≤IF
? 1)
(1)
线性方程
?iD ? (VDD ? vD ) R
(2)
(2)应用图解分析方法
因为加有正向电压,所以在二极管的 正向伏安特性上作负载线
由:i D=(VDD-vD)/R
i
VDD/R
iD
vD =0 时 i D=VDD/R i D =0 时 vD =VDD
u
vD VDD
则在两线的交叉点 上为所求
积可大可小,用于高频 整流和开关电路中。
阳极a
k 阴极
(d) 代表符号
1.2.2 二极管的伏安特性
二极管的电流与端电压之间的关系或曲线
(1) 二极管元件的伏安特性曲线逐点测量
R
iD
+
vD
-
(2) 二极管元件的伏安特性公式表示
iD ? IS (e vD /VT ? 1)
反向特性
iD/mA
20
15
V BR
(b) 反向特性
当V<0时,即处于反向特性区域。反向区也分两个区域:
当VBR<V<0时,反向电 流很小,且基本不随反向电压 的变化而变化,此时的反向电
流也称反向饱和电流 IS 。iD ? -IS
当V≥V BR时,反向电流急剧增加, VBR称 为反向击穿电压 。
特性(以Si为例):
D导通:条件:V ? 0.5V ,特点:VD ? 0.7V , 相当于开关闭合,其上消耗0.7V压降。
半导体二极管图片1
半导体二极管图片2
半导体二极管图片3
2. 二极管类型:
二极管按结构分有点接触型、面接触 型和平面接触型三大类 ,分别适用于不 同的应用场合。
根据制造材料的不同,有硅和锗两种 不同种类的二极管,两者性能上也有差异。
按用途可分为:整流管、检波管、稳 压管、开关管。
(1)点接触型二极管