赛宝芯片失效分析案例12
失效模式及影响分析
危 害 度 Cr
D
E Ⅳ Ⅲ Ⅱ 严酷度类别 Ⅰ
FMEA类型
设计FMEA（DFMEA）
设计工程师/小组采用的，充分考虑并确定设计阶 段的各种失效模式及相关机理。
过程FMEA（PFMEA）
制造、装配工程师/小组采用的，充分考虑并确定 过程阶段的各种失效模式及相关机理。
DFMEA
DFMEA面向的用户
推动实施FMEA
为什么要实施FMEA（Why？） 实施FMEA的时机（When？） 如何实施FMEA（How？）
为什么要实施FMEA(Why)
实施“预防措施”而非“纠正措施” 增加可探测的几率 确定最严酷的失效并降低其影响 降低失效的发生 将质量、可靠性引入产品设计和制造过 程
FMEA的三个核心元素
失效模式－指产品失效的表现形式。 失效影响－指失效模式会造成对安全性、产品功能的影 响。 (严酷度－某种失效模式影响的严重程度。) 失效原因(失效机理)－使产品发生失效的根本原因。
FMEA的历史发展
50年代初美国第一次将FMEA思想用于战斗机操作系统 的设计分析； 60年代中期，FMEA应用于航天工业(Apollo计划)； 80年代初，FMEA进入微电子工业； 80年度中期，汽车工业开始应用FMEA； 88年，美国联邦航空局发布咨询通报要求所有航空系统 的设计及分析都必须使FMEA； 91年，ISO－9000推荐使用FMEA提高产品和过程的设计； 94年，FMEA成为QS－9000的认证要求。 “潜在失效模式及后果分析（FMEA）”（2002年 第三版）是美国三大汽车公司推出的汽车零组件生产 和所属供应商的强制性要求。
β β
j j
＝1
赛宝电子元器件失效分析 第二讲
失效分析技术及经典案例第二讲分析技术与设备
中国赛宝实验室
可靠性研究分析中心
李少平
芯片粘接空洞
陶瓷基板与金属管
座粘接空洞
（
X射线透视技术反射式扫描
声学显微术
（
（
（
3.3不加电的内部检查
3.3不加电的内部检查3.3不加电的内部检查
电子枪发射的电子束，经透镜
和物镜的聚焦后，以较小的直
径、较高的能量和强度到达试
样的表面。
在扫描线圈的偏转作用下，电
子束以一定时间和空间顺序在
试样表面作逐点式扫描运动。
入射电子于样品表面互相作用，
产生背散射电子和二次发射电
子。
只要收集样品表面发射的两种
电子的一种，即可得到电子扫
描的图象。
52/102
等离子刻蚀前等离子刻蚀后
Beams
Coincidence
Point
Sub-surface “real” Defect: Delamination FIB照片来自
4.2 剖切面技术及分析（金相切片）
69/102
环氧树脂
70/102金相显微镜抛磨机
71/102
BGA焊点失效
72/102金属化孔失效
73/102 74/102
IMC
Thickness:5.35
ｕm
77/102
78/102
Ni Coating
Au Coating
79/102
80/102
81/102 82/102
83/102
85/102
IC负荷试验箱温度冲击箱
交变湿热箱。
最新失效经典案例分享
失效分析经典案例－设计缺陷失效
485通讯电路 设计缺陷案例
结论： 100Ω与MOV串联，30V、nS级的脉冲 在MOV上的电压为5.4V。（约1/6）
对MOV直接放电 放电电压＝50V
通过100Ω对MOV放电 放电电压＝30V 100 Ω上的电压波形（24.6V）
Vz=10V
4
功能 环境 极端条件 可靠性 维修性 测试性 安全性 保障性 …
温度应力 潮湿应力 振动应力 冲击应力 电磁应力 综合应力 软件运行 …
电应力 温度应力 …
可靠性因素
设计
样机
中试
试产
批产
老炼
使用
设计
物料
结构
工艺
原理 结构 元器件 容差 热 电磁兼容 防浪涌 装配工艺 …
暴露缺陷 完善设计： 原理 结构 物料 工艺
中国赛宝实验室 15
失效分析经典案例－电梯控制板失效
信息
电梯控制的PCBA，进口，对PCBA进行功能检测时， 100块板有20块板发生故障——占20％。 PCBA故障定位：所有故障的PCBA均发生在IC6（板 上位号）集成电路（CPLD）——同一器件 所有失效的CPLD均发生在Pin39，表现为与地（电 源负端）漏电、短路——同一引脚 怀疑：PCBA漏电，IC6漏电、损伤 PCB？ 焊接？ IC？ 过电？ 陷？ …
失效分析经典案例－设计缺陷失效
485通讯电路 设计缺陷案例
通过L1对MOV放电 放电电压＝80V MOV上的电压波形（10.4V）
现场通讯线上的电压波形 9峰峰＝42.6V 9最大＝24.8V
•同一机柜中 •通讯线长≈60cm •柜。门均接地 •线槽无动力线
芯片钝化层损伤导致失效案例
芯⽚钝化层损伤导致失效案例芯⽚钝化层损伤导致失效案例Failure Caused by Damage in the Die Glassivation中国赛宝——何胜宗摘要由于划⽚、装⽚、键合以及注塑成型等⼀系列过程，可能会对器件芯⽚带来污染、机械划伤等损伤，⽐较严重的损伤可能不仅使芯⽚表⾯玻璃钝化层破损，⽽且会未伤及内部⾦属化结构。
器件出⼚前测试往往不能全部将其剔除掉，这给后续使⽤带来漏电的风险，对产品的可靠性带来极⼤威胁。
本案例给出由于芯⽚玻璃钝化层损伤导致器件漏电失效的案例。
关键词铜丝器件、键合不良、可靠性评价案例正⽂1、案例背景产品出⼚后不到⼀年时间，出现不⼯作现象。
经检查发现其中⼀只三极管集电极和发射极之间存在异常漏电。
产品故障⽐例约为200ppm左右。
2、分析⽅法简述在故障板上测试样品三极管CE极之间确实存在漏电超标现象，⽤酒精清洗电路板表⾯后测试仍然存在漏电现象，判断漏电通道位于器件内部。
将部分拆卸下来的三极管进⾏125℃⾼温烘烤，发现漏电流明显下降，甚⾄出现恢复正常现象，但再次进⾏潮热试验时⽆法复现漏电现象。
化学⽅法开封多个样品内部芯⽚均可见机械损伤形貌，损伤处玻璃钝化层破损，⾦属化也可见损伤。
芯⽚开封后烘烤再测试，部分样品的漏电现象消失。
3、结果与讨论漏电导致器件失效的⽐例⽐较⼤，通常的做法是在尽量减⼩对现场破坏的情况下对漏电的部位和可能的原因进⾏排除。
本案例中在开封后的芯⽚表⾯观察到明显机械性损伤形貌，根据损伤形貌特征判断是注塑料中⽯英砂颗粒对芯⽚产⽣的挤压作⽤导致的。
这种⽐较轻微的损伤通常是在潮汽侵⼊到芯⽚表⾯后逐渐引起漏电⽽导致失效。
4、效益器件在封装前后尽量掌握好⼯艺，避免引⼊芯⽚表⾯机械性损伤、污染等可能导致器件在后续使⽤过程中失效的因素。
失效分析技术(赛宝)
失效分析技术
蔡伟
中国赛宝实验室
可靠性研究分析中心
2012-10
主要内容
一、初识失效分析
二、失效分析作用
三、失效分析技术
四、典型的案例
一、初识失效分析
●产品在规定的时间内和规定的使用条件下，完成
规定功能的能力－可靠性概念。
●失效分析是保证鸡蛋变为鸡而不是荷包蛋的工具
一、初识失效分析
网络新闻图片
网络新闻图片
◆1986年1月28日
◆73秒
◆7名人员
◆12亿美元
挑战者号1986年1月28日执行第十次任务时，于升空过程中突然爆炸
一、初识失效分析
•美国总统里根下令成立一个13人组成的总统调查委员会,调查航天飞机失事的原因。
在经过4个月的调查后,调查委员会向总统提出长达256页的调查报告。
一、初识失效分析
•直接原因（技术原因）：右部火箭发动机上的两个零件联接处出现了问题，具体的讲就是旨在防止喷气燃料事时的热气从联接处泄露的密封圈遭到了破坏，这是导致航天飞机失事的直接技术原因。
•管理和决策的原因
一、初识失效分析
•失效分析就是针对已经失效的事件开展原因分析的过程
•失效分析：电子行业的“医生”
一、初识失效分析
•失效--丧失功能或降低到不能满足规定的要求。
–按失效的持续性分类：致命性失效、间歇失效、缓慢退化
–按失效时间分类：早期失效、随机失效、磨损失效
–按电测结果分类：开路、短路或漏电、参数漂移、功能失效…
–按失效原因分类：过电失效、机械失效、热失效…•缺陷—外形、装配、功能或工艺不符合规定的要求。
中国赛宝-锡手指发黑失效案例
中国赛宝-锡⼿指发⿊失效案例锡⼿指发⿊失效案例A Failure Analysis Case for Nigrescence of Sn Finger*************摘要PCB锡⼿指表⾯处理为HASL，完成焊接并组装为成品使⽤后出现表⾯发⿊的现象。
通过外观分析、切⽚⾦相分析等⼀系列⼿段，确定了失效发⽣的根本原因。
关键词发⿊离⼦残留迁移案例正⽂1、案例背景PCB锡⼿指表⾯处理为HASL，完成焊接并组装为成品使⽤后出现表⾯发⿊的现象。
委托单位提出怀疑与锡厚相关。
2、分析⽅法简述失效样品波峰焊起始⾯（失效⾯）⼿指的锡层多处完全合⾦化，锡层较厚处4.1-4.9µm；⽽波峰焊终⽌⾯的锡层未见合⾦化完全的现象，较厚处达到29µm；样品发⿊的锡⼿指上普遍可见铅相的析出/富集，除了碳、氧元素含量较⾼，还都检测出了氯和溴元素；PCB光板的锡⼿指表⾯未见明显异常，⾦相结构匀称；离⼦⾊谱分析结果显⽰：样品发⿊区域有⼀定量的离⼦残留，尤其是Cl－、Br－和SO42-浓度偏⾼，⽽样品PCB光板相同区域表⾯离⼦浓度则很低。
因失效具备位置效应，根据委托单位提供的信息及焊接⼯艺流程来看，排除了PCB在HASL⼯艺中的残留，这些离⼦的来源应为波峰焊接的助焊剂残留。
3、结果与讨论锡⼿指表⾯发⿊是由于波峰焊接的离⼦残留诱发了电化学反应，导致铅相析出以及锡镀层氧化；镀层较薄处锡已经完全合⾦化。
在实际情况当中，电化学反应/电迁移与助焊剂残留物的腐蚀性及潮湿环境有着直接的关系，⽽镀层较薄处产⽣的不良现象更加明显。
⼯信部电⼦五所/中国赛宝实验室⼏⼤优势：⼀、作为中国第⼀所的可靠性研究所，成⽴于1955年，技术条件成熟。
⼆、直属于⼯信部，是正厅级单位，实验室管控严格，绝不弄虚做假，报告信誉度、认可度很⾼。
三、实验室资质齐全，拥有国家实验室资质（CNAS），中国计量认证（CMA），中国3C强制检测指定实验室，国防科技⼯业认可实验室（DILAC）(海军定点实验室、陆军定点实验室、空军定点实验室、⽕箭军定点实验室、）等多项国家级认证。
电子元器件失效分析具体案列
中国赛宝实验室可靠性研究分析中心案例一：1产品名称：单片机MD87C51/B2商标：Intel3分析依据：MIL-STD-883E 微电子器件试验方法和程序微电路的失效分析程序MIL-STD-883E 方法2010 内部目检（单片电路）4样品数量及编号：失效样品1＃～6＃，良品7＃～12＃5样品概述及失效背景：MD87C51/B是一高速CMOS单片机。
委托方一共提供四种批次的此类样品。
1＃、5＃、10＃、11＃、12＃属9724 批次，其中1＃样品已做过二次筛选和环境应力试验，是在整机测试过程中失效，5＃样品在第一次通电工作不正常，须断电后重新通电可以正常工作，10＃～12＃样品是良品；2＃、3＃、4＃样品属9731 批次，这三个样品在第一次上机时便无法写入程序，多次长时间擦除，内容显示为空，但仍不能写入；6＃样品属9931 批次，失效情况同5＃样品；7＃～9＃样品属9713 批次，为良品。
6分析仪器7 分析过程1）样品外观分析：1＃～6＃进行外目检均未发生异常；2）编程器读写试验：能对坏品进行内部程序存储器读取，但无法完成写操作，良品读写操作均正常；3）内部水汽含量测试：应委托方要求，8＃与12＃样品进行内部水汽含量测试，结果符合要求；中国赛宝实验室可靠性研究分析中心4）端口I －V 特性测试：使用静电放电测试系统剩下的样品进行I－V 端口扫描测试，发现：4＃样品的Pin3、Pin4 、Pin5 、Pin7 对地呈现明显的电阻特性，使用图示仪测试后测得Pin3 对地呈现约660Ω 阻值、Pin4 与Pin5 对地呈现约300Ω 阻值、Pin7 对地呈现约140 Ω 阻值，且在1＃与4＃样品的Pin31（EA/Vpp）发现特性曲线异常，但并非每次都能出现；其他样品的管脚未发现明显异常；5）开封和内部分析：对1＃～5＃样品进行开封，内目检时发现：芯片的铝键合丝与键合台以外相邻的金属化层（有钝化层覆盖）存在跨接现象。
失效分析技术及经典案例-概论
1. 技术术语、相关标准和资料
GJB450A 装备可靠性工作通用要求 GJB841 故障报告、分析和纠正系统 GJB546A-96 电子元器件质量保证大纲 QJ3065.5-98 元器件失效分析管理要求（航天标准） GJB548A-96 微电子器件试验方法和程序 James cari and Leonard R Enlow, Hybrid Microcircuit Technology Handbook 工程材料的失效分析，谢斐娟等译，机械工业出版社， 2003
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2. 失效分析的目的
GJB548A-96微电子器件试验方法和程序， “方法5003 微电路的失效分析程序”对失效分析 目的的描述： 失效分析是对已失效器件进行的一种事后 检查。使用电测试以及先进的物理、金相和化 学的分析技术，验证所报告的失效，确定其失 效模式，找出失效机理。
•
事故并非偶然
9/70
中国航天的事故
• １９９２年３月２２日，中国用“长征２号Ｅ”火箭发 射澳星，由于拧动点火控制器时，从螺钉上旋下一点 点金属屑，使电路短路，火箭发动机熄火，发射没有 成功。 • １９９５年１月２６日，中国“长征２号Ｅ”发射亚太 ２号卫星时，由于美方没有告之卫星的谐振频率，而 凑巧卫星的谐振频率与火箭整流罩的谐振频相同，由 于高空切变风对火箭的作用，引起共振，造成星箭爆 炸。
1. 技术术语、相关标准和资料
• 失效--丧失功能或降低到不能满足规定的要求。 • 失效模式--失效现象的表现形式，与产生原因 无关。如开路、短路、参数漂移、不稳定等。 • 失效机理--导致失效的物理化学变化过程，和 对这一过程的解释。如电迁移开路、银电化学 迁移短路。工程上，也会把失效原因说成是失 效机理。 • 应力—驱动产品完成功能所需的动力和产品经 历的环境条件。是产品退化的诱因。 • 缺陷
BGA不良分析改善报告
二、计划&生产管控 1. OSP PCB生产必须于拆封后24小时内完成SMT，生管计划根据SMT的
工时排线,不得超过规定时限。 2. 计划把握进料状况. 料齐后才可以安排上线。 3. BGA一般布置在PCB的B面，先生产完A面后，B面有机防护膜被高温破
坏，所以，计划需要保证生产连续性，要求A面生产后，B面生产时间 间隔不超过24小时。 4. OSP工艺PCB一般不要烘烤；如果回潮必须要烘烤，条件：100℃，4h。 5. 生产时不能一次拆很多包，使用完一包再拆一包； 6. 禁止裸手接触PCB板内元件焊盘。 7. 拆包前检查包装是否破裂，确认PCB焊盘是否变色，如果变形，需要 退回仓库，待供应商重工处理。
本文主要针对BGA失效原因及质量提升方法进行分析，并提供相 应失效原因的解决办法，为提高含BGA元件PCBA合格率提供技 术参考。希望能为公司当前在生产制造含BGA产品中遇到的问题， 提供帮助。
BGA有不同类型，不同类型的BGA有不同的特点，只有 深入了解不同类型BGA的优缺点，才能更好地制定满 足BGA制程要求的工艺，才能更好地实现BGA的良好装 配，降低BGA的制程成本。
目前含BGA的PCB板采用的工艺形式较多是 OSP（有机保焊剂）和 ENIG（化镍金）。我 公司产品对两种工艺的PCB都有使用。
两种不同工艺的PCB，因为其本身的工艺特 点，使用不当，会导致不同方式的失效。有 必要分别予以详细介绍。
业界对含BGA PCB工艺选用情况：
8
7
6
5 Percentage of Voids
左图是ENIG工艺PCB焊盘NI层 存在裂纹，当有裂纹存在时， 镍层的表面致密性差，后续浸 金工艺中的酸液容易残留其中， 致使NI层腐蚀氧化，导致焊盘 的可焊性不好。由于焊盘的可 焊性较差才导致焊盘与焊料之 间润湿不良，不能形成良好的 金属间化合物层。出现：“黑 焊盘”、不浸润等不良现象。
失效分析技术(赛宝)
23
10/19/2012
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
• 缺陷
芯片粘接空洞
陶瓷基板与金属管 座粘接空洞
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10/19/2012
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
• 内部结构
从侧视图发现焊球脱开
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY • 小结
快速、直观、无损 观察效果与被观测物对象的密度、厚度有关 小缺陷(裂纹、孔洞)比较困难 深度分析困难 无法观察器件内部界面分层
二、失效分析的作用-小结
14
10/19/2012
三、失效分析技术-失效分析原则
1）先非破坏性分析，后破坏性分析 2）分析过程中不能引入新的失效机理 3）先外部后内部
三、失效分析技术-失效分析程序
失效信息收集
外观检查
电测
故障模拟 失效模式确认 物理分析 X-RAY 扫描声学 应力试验
密封
开封/制样
内部气氛
10/19/2012
三、失效分析技术-电测
电测工具： LCR 网络分析仪 图示仪 高阻仪 „
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
工作原理 X 射线检测是根据样品不同部位对X射 线吸收率和透射率的不同，利用X射线 通过样品各部位衰减后的射线强度检 测样品内部缺陷的一种方法。 透过材料的X 射线强度I（x）随材料的 X 射线吸收系数u和厚度x作指数衰减： I （ x ）＝Io exp ( － u x)
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10/19/2012
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
X 射线衰减的程度与样品的品种、厚度、密度有关。
三、失效分析技术-物理分析-X-RAY
TVS管失效原因分析
TVS管失效原因分析郭远东;李雪玲【摘要】TVS管是一种常见的浪涌抑制器件，但如果使用不当容易损坏。
本文从大量的调查研究中，选取几个典型的TVS管失效案例，详细分析失效原因，并将这些原因进行总结，提出有效的整改办法。
%TVS is a common surge protection device but easily be damaged if improperly used. In this paper, based on a lot of researches, we select several typical TVS failure cases, and do detailed analysis on failure cause, and summarize these reasons, and put forward effective corrective measures.【期刊名称】《环境技术》【年(卷),期】2013(000)004【总页数】4页(P21-24)【关键词】浪涌(冲击);浪涌抑制元件;TVS管;失效模式;脉冲功率;钳位【作者】郭远东;李雪玲【作者单位】赛宝质量安全检测中心，广州 510610;赛宝质量安全检测中心，广州 510610【正文语种】中文【中图分类】TN609前言TVS管是一种常见的浪涌抑制元件，它具有响应时间快、瞬态功率大、漏电流低、击穿电压偏差小，及钳位电压容易控制等多个优点。
TVS管进行浪涌抑制的原理是：当它受到反向高能量冲击时，它能以极快的速度（可达10-12 s级），将其两极间的阻抗由高变低，使两极间的电压钳位于可接受的范围，从而有效的保护电子设备中的元器件免受浪涌脉冲的损害。
目前TVS管已广泛应用于家用电器、电子仪表、通讯设备、电源、计算机系统等各个领域。
但是在实际应用中，许多企业反映：产品中使用的TVS管未能起到应有的保护作用，并且在使用中TVS管比较容易损坏。
MCU主控芯片的热学可靠性与失效分析许卓然
MCU主控芯片的热学可靠性与失效分析许卓然发布时间：2022-03-16T11:23:32.182Z 来源：《中国科技信息》2021年11月下作者：许卓然[导读] 本文主要通过建立国产和进口MCU主控芯片的热阻网路模型，并利用电学法进行验证。
安徽赛宝工业技术研究院有限公司许卓然 230088摘要：本文主要通过建立国产和进口MCU主控芯片的热阻网路模型，并利用电学法进行验证，对MCU主控芯片的内部温度场分布和热阻变化进行了分析，重点分析了仿真与测试偏差的原因。
为MCU主控芯片的热学可靠性分析和设计奠定了理论基础和数据支持，同时也给失效分析水平带来了理论依据。
关键词：主控芯片；热学可靠性；失效分析；MCU；近些年来，在信息技术和科学技术的快速发展下，也在一定程度上推动了集成电路技术的发展，而人们对芯片的要求也有了更高的要求，尤其是对芯片的功能性、高频性和高功耗的芯片需求量越来越多，当然可靠性也是很重要的需求。
就目前来看，芯片失效的主要原因之一就是热失效，在环境温度的持续增高下，芯片的内部热量无法及时传递出来，所以芯片内部温度持续增高电流放大，最终导致元件失去功效。
通过调查和统计，电子元器件由于温度失效的情况高达一半以上，因此需要我们重视和分析。
其中热学物理模型计算成为了半导体元器件可靠性和失效分析的重要内容。
一、MCU物理模型建立和分析（一）MCU主控芯片的有限元模型建立对于MCU主控芯片散热设计的时候，主要考虑的两个热性能参数氧化物结点区的工作温度（结温），即T和热阻Rn。
其中热阻R是指物体散热的能力，对于芯片来说，它的散热方法主要是利用热传导来实现，热量通过芯片烧结材料传递到外壳或者是芯片基底，并传递到周围的环境中，实现散热目的[1]。
为此，我们可以根据MCU主控芯片的结构建立热阻网络模型，如图一所示：本文所采用的是ANSYS有限元分析软件对电阻网络模型展开计算，实现仿真模拟流程。
在此过程中，主要包括以下内容：即物理模型建立、相应的参数设置问题、网格划分、模拟计算和结果等等。
失效分析技术及经典案例-1-概论new
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5. 失效机理
集成电路失效机理与寿命模型
器 件 、 材 失效机理 失效模式 料、模块 名称 集成电路 金属化电 开路 迁移
研发过程可细分为设计优化、制造工艺优化（如成品率 优化）、测试筛选与评价试验优化等过程。 在应用过程中，元器件选型、二次筛选条件优化、设备 研制生产中的故障控制对策、可靠性增长、全寿命期维 护等。
16
2. 失效分析的目的和意义
换句话说，这些技术过程需要失效分析工作才 能得以完成或完善。 最简单不过的道理，就是因为可靠性是以不断 地与失效作斗争才能得以维持或提高。如果对 失效的本质不了解，就不能做到知己知彼，就 难以获得取胜的条件。
12
2. 失效分析的目的和意义
GJB548A-96微电子器件试验方法和程序， “方法5003 微电路的失效分析程序”对失效分 析目的的描述： 失效分析是对已失效器件进行的一种事后 检查，根据需要，使用电测试以及许多先进的 物理、金相和化学的分析技术，以验证所报告 的失效，确定其失效模式，找出失效机理。
EOS/ESD：Electrical over Stress/Electrostatic Discharge
制造工艺问题导致的失效
张晓明，“对微电子器件失效分析的回顾”，电子元器件，2000，5 33 期
4.失效模式
按失效原因统计失效模式分布
半导体器件、IC和HIC(混合集成电路)失效 模式分布
挑战者号1986年1月28日执行第十次任务时，于升空过程中突然爆炸
5
一次惨痛的经历！
• 博伊斯乔利说
– ‚这些钢圈看上去很结实，很牢固，但点火后， 每个部分受到巨大压力，都会像气球一样被‘吹’ 起来。这样，就需要在各部分的接合处采用松紧 带来防止热气跑出火箭。‛ – 这份工作由两条名为‚○圈‛的橡胶带完成，它 们可以随着钢圈一起扩张，并能弥合缝隙。 – 这两条橡胶带与钢圈脱离哪怕0.2秒，助推器的 燃料就会发生泄露，固态火箭助推器就会爆炸。
电子元器件失效分析具体案列
图 1 Pin17 已熔断内引线
图 2 Pin17 已熔断内引线
中国赛宝实验室可靠性研究分析中心
图 3 击穿点及引线损坏形貌
图 4 过电形貌
图 5 内部电路过电形貌
图 6 内部电路击穿点形貌
图 7 内部电路击穿点形貌
图 8 内部电路击穿点形貌
中国赛宝实验室可靠性研究分析中心
案例三：
1 产品名称及型号：通信 IC PMB6850E V2.10
作均正常；
3）内部水汽含量测试：应委托方要求，8＃与 12＃样品进行内部水汽含量测试，结果符合
要求；
中国赛宝实验室可靠性研究分析中心
4）端口 I－V 特性测试：使用静电放电测试系统剩下的样品进行 I－V 端口扫描测试，发现： 4＃样品的 Pin3、Pin4、Pin5、Pin7 对地呈现明显的电阻特性，使用图示仪测试后测得 Pin3 对地呈现约 660Ω阻值、Pin4 与 Pin5 对地呈现约 300Ω阻值、Pin7 对地呈现约 140
___
Ω阻值，且在 1＃与 4＃样品的 Pin31（ EA /Vpp）发现特性曲线异常，但并非每次都能 出现；其他样品的管脚未发现明显异常； 5）开封和内部分析：对 1＃～5＃样品进行开封，内目检时发现： 芯片的铝键合丝与键合台以外相邻的金属化层（有钝化层覆盖）存在跨接现象。在拉 断铝丝后，可见到铝丝通过超声键合已粘接在相邻的地连线或膜电阻上，并粘附着铝丝被 粘连的铝屑见图 2～图 4。拉断铝丝后均能观察到键合台邻近的工作金属线或膜电阻上存在 铝丝残存的碎屑，说明铝丝存在键合跨接。 统计发现，在 3＃与 4＃样品中，每只样品的 40 个键合台均有 27 个存在铝丝键合 与其相连的工作金属化铝连线（地线或膜电阻）跨接粘连的问题。
PCB失效分析技术与典型案例
视系统来检查。X 光透视系统就是利用不同材料厚度或是不同材料密度对 X 光的吸湿或透过率的不 同原理来成像。该技术更多地用来检查 PCBA 焊点内部的缺陷、通孔内部缺陷和高密度封装的 BGA 或 CSP 器件的缺陷焊点的定位。目前的工业 X 光透视设备的分辨率可以达到一个微米以下，并正由 二维向三维成像的设备转变，甚至已经有五维（5D）的设备用于封装的检查，但是这种 5D 的 X 光 透视系统非常贵重，很少在工业界有实际的应用。
前言 PCB 作为各种元器件的载体与电路信号传输的枢纽已经成为电子信息产品的最为重要而关键
的部分，其质量的好坏与可靠性水平决定了整机设备的质量与可靠性。随着电子信息产品的小型化 以及无铅无卤化的环保要求，PCB 也向高密度高 Tg 以及环保的方向发展。但是由于成本以及技术 的原因，PCB 在生产和应用过程中出现了大量的失效问题，并因此引发了许多的质量纠纷。为了弄 清楚失效的原因以便找到解决问题的办法和分清责任，必须对所发生的失效案例进行失效分析。本 文将讨论和介绍一部分常用的失效分析技术，同时介绍一些典型的案例。
综合上述分析可知，PP 层粘接材料的局部固化不足，增大了 PCB 在高温强热中所受的的应力， 外层铜箔与 PP 层树脂结合力不足， 降低了铜箔与树脂之间的结合强度， 而这些均与板的层压工及艺 粘接材料的性能相关。 PCB 板吸潮又严重降低了 PCB 的耐热性能，使得 PCB 在过回流焊中水份急剧 汽化导致出现爆板分层失效现象。 结论
1.1 外观检查 外观检查，就是目测或利用一些简单仪器，如立体显微镜、金相显微镜甚至放大镜等工具检查
PCB 的外观，寻找失效的部位和相关的物证，主要的作用就是失效定位和初步判断 PCB 的失效模式 。 外观检查主要检查 PCB 的污染、腐蚀、爆板的位置、电路布线以及失效的规律性，如是批次的或是 个别，是不是总是集中在某个区域等等。另外，有许多 PCB 的失效是在组装成 PCBA 后才发现，是 不是组装工艺过程以及过程所用材料的影响导致的失效也需要仔细检查失效区域的特征。
BGA失效分析报告
元器件，立体显微镜下观察样品的失效部位，结果表明：焊点开裂脱落主要发生在焊料与 PCB 焊盘之间，断裂面光滑，部分焊盘呈现灰黑色，代表性外观照片见图 3 和图 4。 ……本页以下空白……
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对所送跌落失效品和未跌落样品的 BGA 焊点进行分析，均发现焊点在 IMC 与镍层的富磷 层间存在开裂，开裂界面 PCB 焊盘镍层平整，普遍出现晶界裂纹。焊接后镍层产生晶界裂纹 主要由于 PCB 焊盘镍层质量较差，熔融的高温无铅焊料对镍层的浸蚀，导致晶界裂纹产生。 富磷层的形成是由于在焊接过程中，Sn 与 Ni 以及焊料中的 Cu 不断的相互扩散产生 SnN（i Cu） 金属间化合物，而镍层中的磷不参与合金化，随着焊接的进行，镍不断的减少、磷不断的沉 积，在镍和 IMC 界面富集将形成黑色的富磷层，富磷层的产生主要与回流时间过长或温度过 高有关。晶界裂纹与富磷层的存在会降低焊点与焊盘之间的结合强度，使得焊点在受到外界 应力时容易开裂。
分析报告
合同号：
共 11 页 第 7 页
在 SEM 下观察 PCB10 样品未焊接的裸焊盘表面，结果表明金层表面未见明显腐蚀，
污染等异常；用化学方法除去裸焊盘表面的金层，镍层表面也未见明显腐蚀，表面 P（磷）
失效分析技术(第一部分)--赛宝实验室 李少平
第二讲：失效分析经典案例 （1） 失效分析全过程案例 （2） 静电与闩锁失效分析案例 （3） 电浪涌失效分析案例 （4） 机械应力失效分析案例 （5） 结构缺陷失效分析案例 （6） 热变应力失效分析案例 （7） 材料缺陷失效分析案例 （8） 整机制造工艺缺陷失效分析案例 （9） 整机设计缺陷失效分析案例 （10） 污染腐蚀失效分析案例 （11） 元器件固有机理失效分析案例。 上述案例包含元器件的各个门类，包括电阻器、电容器、电感器、 二极管、三极管、集成电路、组件、板件（PCBA）。
场效应晶体管的静电放电损伤：
失效现象：研发过程大量的、莫名其妙的失效，没有加电而失效。 失效分析：微尺寸击穿点、熔融；排除破裂、污染、缺陷、使用过电。 诊断结果：静电放电击穿 机理研究：静电产生机理、静电放电机理 应用：评价、抗静电设计、降低静电来源，预防静电放电
CEPREI 中国赛宝实验室 17 CEPREI
“挑战者”的悲剧在于，博伊斯乔利在发射前 6个月就对“○圈”提出质疑，因为一年前他曾亲 自跑到佛罗里达，对上一次发射时使用的火箭进 行了检查，让他吃惊的是，第一层“○圈”失灵， 热气跑了出来，幸运的是，第二层“○圈”拦住了 热气。 博伊斯乔利仍保存着当时拍摄的“○圈”照 片，本应是蜜色的润滑油被熏成了黑色。第一层 “○圈”的很多部分不见了，很显然，它们被烤焦 了。他说：“我看到这一切时，心口像堵上了一 团棉花。那次发射，航天飞机竟然没有爆炸，简 直是奇迹！”
CEPREI
中国赛宝实验室
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一、失效分析的作用 从可靠性三个阶段见证失效分析的作用
SPC： 正常不良率：300ppm 异常不良率：500ppm
一、失效分析的作用 从可靠性三个阶段见证失效分析的作用
2失效分析经典案例-工艺缺陷失效案例
失效品输入端I-V特性一定知道
良品1000V静电击穿形貌
失效样品击穿形貌
模拟静电击穿与现场击穿相似; 模拟集成电路也是静电敏感电路:1000V
失效样品
良品
OUTPUTA和GND之间的I/V特性曲线
失效分析经典案例
制造工艺中的静电放电防护 ESD损伤途径
电弧注入的电荷/电流产生以下损坏和故障：
¾穿透元器件内部薄的绝缘层，损毁MOSFET和CMOS元 器件的栅极，常见； ¾CMOS器件中的触发器锁死，常见； ¾反偏的PN结短路，也就是PN结反向击穿，常见； ¾正向偏置的PN结短路，较少见； ¾熔化有源器件内部的连接（键合）线或铝（金属 化）线，较少发生。
失效现象: 样品为NSC公司生产的电压比较器，为陶瓷密封器件，型号为LM119J。 在进行整机测试时，发现功能异常，图1所示的电路对器件进行测试, 发现样品的Pin5（1IN -）引脚和Pin10（2IN -）引脚的输入端的偏置 电流偏大。
F!# -700nA F2# -1026nA G1# -334nA
失效分析经典案例
制造工艺中的静电放电防护 静电损害的形式
力学作用 －→吸引或排斥－→静电吸附灰尘，降低元器件
绝缘电阻（缩短寿命）。 电学作用
－→静电电位－→静电放电（ESD）破坏，造成 电子元器件失效或功能退化 。 电磁作用
－→静电放电产生的电磁场幅度很大（达几百伏/ 米）频谱极宽（从几十兆到几千兆），对电子产器造 成干扰甚至损坏（电磁干扰）
失效分析经典案例
工艺缺陷失效案例 工业和信息化部电子第五研究所
（中国赛宝实验室） 研究分析中心 李少平 020-87234456
失效分析经典案例
静电防护
工艺缺陷失效案例
BGA封装的焊点失效分析
BGA 封装的焊点失效分析张浩敏1,2,李晓倩1,2,张旭武1,2,李鹏1,3(1.工业和信息化部电子第五研究所,广东广州510610;2.宁波赛宝信息产业技术研究院有限公司,浙江宁波315040;3.工业和信息化部电子第五研究所华东分所,江苏苏州215011)摘要:针对BGA 封装中产生的PCB 焊盘坑裂,利用X 射线扫描、染色渗透、金相分析、扫描电镜和热分析等方法对其失效原因进行了分析。
结果表明:由于失效品器件PCB 焊盘的热膨胀系数不匹配,导致PCB 基材受到的热应力过大,最终导致PCB 焊盘坑裂。
关键词:球栅阵列封装;焊盘坑裂;热应力;失效分析中图分类号:TN 41文献标志码:A文章编号:1672-5468(2021)01-0032-07doi:10.3969/j.issn.1672-5468.2021.01.007Solder Joint Failure Analysis of BGA PackageZHANG Haomin 1,2,LI Xiaoqian 1,2,ZHANG Xuwu 1,2,LI Peng 1,3(1.CEPREI ,Guangzhou 510610,China ;2.Ningbo CEPREI Information Industry Technology Research Institute Co.,Ltd.,Ningbo 315040,China ;3.CEPREI-EAST ,Suzhou 215011,China )Abstract :In view of the PCB craters generated in BGA packaging ,the reasons for its failureare analyzed by X -ray scanning ,dyee penetration ,metallographic analysis ,scanning electron microscopy and thermal analysis.The results show that due to the mismatch of the coefficient of thermal expansion of the failed device PCB pad ,the PCB substrate is subjected to excessivethermal stress ,which eventually leads to the PCB pad cracking .Keywords :BGA package ;pad crack ;thermal stress ;failure analysis收稿日期:2020-05-11作者简介:张浩敏(1988-),男,安徽池州人,工业和信息化部电子第五研究所、宁波赛宝信息产业技术研究院有限公司工程师,主要从事电子元器件分析测试工作。
赛宝元器件可靠性技术资料
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Tel: 0755-82425288、82425988 ―1 ―
Fax: 0755-82413310
赛宝元器件可靠性技术资料——单结晶体管的使用问题
1.2 电路中的 CT 或 VP（峰值电压 峰值电压） ）较大时 较大时， ，CT 上应串联一个保护电阻 上应串联一个保护电阻， ，以保护 不受到电损伤。 。 发射极 B1 不受到电损伤
电磁兼容与 EMI 对策元件 周济清华大学材料科学与工程系（北京 100084） 张药西北京七九八厂（北京 100015）
1 概况 二十世纪，人类在科学技术方面取得了非常巨大的成就，将人类带入一个高度现代文明的信息化社会。不幸的是天下事物永远一分为二，在取得 巨大成就的同时，人类赖以生存的环境遭到了不可估量的破坏和污染。与江河湖海和大气层的严重污染相比，看不见摸不着的无形污染——电磁污染 更令人烦恼。几十年来，当人们饱尝苦果之后，开始清醒地认识到了保护环境治理污染的深远意义，对各类污染进行治理。在这种热态下，一门治理 电磁污染的新兴学科发展了起来，这就是电磁兼容（EMC）。 根据严格的定义，电磁兼容就是“设备或系统其在电磁环境中正常工作且不对该环境中任何事物构成不能承受的电磁骚扰的能力”，也就是说，一个 电子、电工产品在通电工作时，既不通过传导、辐射、耦合等方式向外部发出超过标准规定的电磁干扰；同时又能够承受一不定程度的来自外部或系 统自身的电磁干扰而正常工作。近年来，人们对电磁污染对人类健康造成的威胁进行了大量研究，认为某些癌症、行业怪异、记忆力衰退等与超过允 许剂量的电磁骚扰有关。因此，电磁骚扰对生态的影响也属于 EMC 的范畴。 世界各国特别是发达国家，对 EMC 十分重视，大力发展 EMC 技术，制定相关的检测认证标准。如美国 FCC 标准、欧盟的 89/336/EEC 法规、日本的电 波取缔法等。欧盟规定自 1996 年起，凡是未通过 EMC 认证和检测的任何电子、电工产品均不能在欧盟市场上流通。美国联邦通讯委员会 FCC 也明文 规定，任何人不得出售、出租未经 EMC 检测认证的电子、电工产品，否则企业法人将被监禁并不得赎出。日本、韩国、新加坡、南非、加拿大等许多 国家均有自己的 EMC 法规。国际电工委员会（IEC）下属的专门委员会制定了一系列的有关 EMC 的技术标准文件。 我国于 1979 年就开始研究和制定 EMC 标准和检测方法，至今已公布几十个电子、电工产品 EMC 标准。但是由于种种原因，特别是生产厂家对 EMC 认 识不足，没有给予足够的重视，加之国家没有真正强制性执行这些标准，以致我国目前 EMC 状况十分令人担扰。据《中国电子报》报道（2000 年 6 月 22 日、7 月 18 日、8 月 10 日）：国家质量技术监督局对家庭影院环绕声功率放大器进行抽检，在被抽检的 23 家产品中有 10 种不合格，其中 8 种不合格产品是 EMC 问题；中国赛宝实验室受广东省技术监督局委托对 20 种品牌的微型计算机进行抽检，其中有 12 种 EMC 不合格，合格率仅为 40 ％；北京技术监督局对计算机开关电源进行了抽检，在 32 个品牌的 42 种产品中，有 21 种产品 EMC 不合格。由此可见，我国目前电子、电工产品的 电磁兼容问题是多么严重！这种现状已经引起国家有关部门的高度重视，特别是加入 WTO 后与世界经济全面接轨的压力，为了国民经济持续发展、让 我国的电子、电工产品走向世界并防止不符合 EMC 标准的产品流入我国，国家已经投入大量人力物力解决这些问题。在已经制定的 EMC 标准基础上尽 快依据 IEC61000 等 IEC 系列标准补充完善我国的 EMC 标准及检测方法，并制定相应的实施法规。现已公布了首批必须执行 EMC 检测的产品清单，从 今年开始实行强制性管理。国家入境检验检疫局已决定对个人计算机、显示器、打印机，开关电源、电视机、音响设备等电子产品进行强制性进口 EMC 检验，不合格产品不能入境。上海投入巨资建成了高水平的电磁兼容实验室。所有这些动向充分表明，在我国，一个 EMC 的高潮已经出现在我们 的面前。 电磁兼容问题很难解决吗？防止电磁干扰技术是高不可攀的技术难题吗？都不是，关键是人们对 EMC 没有足够的重视。特别是一些电子、电工产 品生产厂家，缺乏 EMC 意识，缺乏 EMC 对策技术知识。同时，为了降低成本，在产品的设计制造过程中，在应该使用抗电磁干扰电子元件的地方却没 有使用，以致使产品出现 EMC 问题。实践证明，只要在开始设计时，充分考虑到 EMC 问题，应该使用 EMC 对策元件时就要使用。那样，最终产品满足 EMC 标准是不成问题的。据《中国电子报》报道，海尔和摩托罗拉的手机已经率先通过了电磁兼容认证。 在解决电磁兼容问题、贯彻 EMC 标准过程中，电磁干扰对策元件（抗电磁干扰元件，简称 EMC 元件）扮演着重要角色，起着不可替代的作用。今 后各种电子、 电工产品为了满足国内外市场的要求， 为了迎接 WTO 的挑战， 就必须达到 EMC 标准。 无疑这将为电子元件行业开拓一个广阔的发展空间。
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收 样 日 期 样品数量编号 样 品 描 述 分 析 项 目 分析环境条件 分 析 依 据
2014-04-15
分析时间
2014-04-15～2014-05-08
失效样品 3 只，按照委托方自有编号，F6#、F57#、F61#；良品 1 只， 编号为 G1# 空封器件 失效分析 温度(24～25)℃，湿度(55～62)%RH GJB548B-2005 微电子器件试验方法和程序 方法 5003 微电路的失效分析程序
图6
G1# DOUT2+与 DOUT2-间 I/V 特性
图7
F6# DOUT2+与 DOUT2-间 I/V 特性
图8
G1# DIN2 与 VCC 间 I/V 特性曲线
图9
F57# DIN2 与 VCC 间 I/V 特性曲线
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Fax: 020-87237185 rac@
报告编号 FX03合 同 号 总 页 数
11
分 析 报 告
样品名称 型号规格 生产厂家 委托单位
工业和信息化部电子第五研究所 (中 国 赛 宝 实 验 室 ) 元器件可靠性研究分析中心 元器件可靠性研究分析中心
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2 11
分
委托 单位 名 地 称 址
析
报
告
型号规格 邮政编码 1号 610000
样品因存在缺陷导致芯片漏电而参数失效。
分 析 结 工业和信息化部电子第五研究所 论 元器件可靠性研究分析中心
序号 1 仪 2 器 3 设 4 备 5 6 主 签 名 检
仪器、设备名称 立体显微镜 金相显微镜 晶体管图示仪 X 射线检测系统 扫描电子显微镜 粒子碰撞噪声检测仪 编 制 审 查
编
号
7431030004 7431040006 7534990021 7445990007 7436020002 7442990017 批 准
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2.4 粒子碰撞噪声检测
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5 11
依据 GJB548B-2005 方法 2020.1,对样品进行粒子碰撞噪声检测（PIND），样品未观察 到明显异常噪声爆发。
2.5 密封试验 根据标准 GJB548B-2005 方法 1014.2，对样品进行密封性测试，测试结果见表 1。结果 未见明显异常。 表 1 样品密 封 试 验 结 果 细检漏 试验压力：517KPa； 加压时间：4h 漏率≤5.0×10 粗检漏 试验压力：517kPa；加压时间：2h 试验温度：125℃；试验时间：>30s 从同一位置无一串明显气泡或两个 以上大气泡冒出 无气泡冒出 无气泡冒出 无气泡冒出 无气泡冒出
图35 F57#样品亮点 A 的 SEM 放大形貌
图36 F6#样品亮点 D 的 SEM 形貌
3
综合分析
电测发现驱动器 GM8147A 的 F6#第 2 路正反向输出端 Pin13、Pin14 （DOUT2+、DOUT2-）
I/V 特性异常呈阻性， F57#、F61#第二路输入端 Pin3（DIN2）对电源端存在漏电。将样品 开封后，在金相显微镜下观察芯片，芯片未见明显过电烧毁、击穿及机械损伤形貌。通过对 漏电管脚进行光发射，定位内部缺陷，发现芯片漏电区域。将芯片的介质层、金属层去除后， 观察漏电区域未见明显烧毁、击穿等形貌。综上所述，样品内部存在缺陷在应力作用下导致 芯片漏电而失效。 故分析认为，样品因存在缺陷导致芯片漏电而参数失效。
工业和信息化部电子第五研究所 (中国赛宝实验室) 中国赛宝实验室)
元器件可靠性研究分析中心 元器件可靠性研究分析中心 地 址 ： 广 州 市 天 河 区 东 莞 庄 路 110号
邮 政 编 码 ： 510610 联系电话 传 真 ： (86-20) 87237185 ） ）
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职务：副主任 日期 2014 年 5 月 9 日 2014 年 5 月 9 日 2014 年 5 月 9 日 2014 年 5 月 9 日
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1 样品概况
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样品为四路 LVDS 线路驱动器，型号分别为 GM8147A，空封器件，管脚定义分别如图 1。 委托方提供失效样品 3 只，按照委托方自有编号，为 F6#、F57#、F61#；良品 1 只，编号为 G1#。
图21 F6#样品芯片局部形貌 2
2.7 光发射显微镜（ 光发射显微镜（EMMI） EMMI）测试 在光发射显微镜下对样品测试，经过激光热激发，样品芯片上出现异常亮点，表明该区 域存在异常，如图 22～图 24 所示。
A B
图22 样品 F57#光发射图像
图23 样品 F57#光发射放大图像
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ห้องสมุดไป่ตู้¢£¤¥
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Pin1 Pin2
图4
F6#样品 X-ray 透视图
图5
F6#样品芯片 X-ray 透视图
2.3 2.3 I/V 特性曲线 特性曲线 对样品各引脚进行 I/V 特性测试，并与良品对比。测试结果如下：F6#第 2 路正反向输 出端 Pin13、Pin14 （DOUT2+、DOUT2-）I/V 特性异常，如图 6、图 7，F57#、F61#第二路输 入端 Pin3（DIN2）对电源端 I/V 特性，如图 8、图 9 所示。
A
图25
F57#样品芯片局部形貌
图26 F57#样品亮点 A 形貌
B
C
D
图27
F57#样品亮点 B 形貌
图28 F6#样品亮点 C、D 形貌
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A
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B
图29
F57#样品亮点 A 形貌
图30 F57#样品亮点 B 形貌
图15 F57#样品芯片局部形貌 4
图16 F57#样品芯片放大形貌
图17 F57#样品芯片放大形貌
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Fax: 020-87237185
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图18
F6#样品机械开封后形貌
图19 F6#样品芯片形貌
图20 F6#样品芯片局部形貌 1
4 结论
样品因存在缺陷导致芯片漏电而参数失效。
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Fax: 020-87237185
B
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注
意
事
项
１． 报告无测试单位公章无效。 ２． 复制报告未重新加盖测试单位公章无效。 ３． 报告无主检、编制、审查、批准人签字无效。 ４． 报告涂改、自行增删无效。 ５ ． 只 对 委 托 样 品 的 测 试 结 果 负 责 ,样 品 保 存 三 个 月 。 ６． 如对报告有异议可按申诉程序要求执行。
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C
D
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图24 样品 F6#射图像 2.8 2.8 去层及 去层及分析
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为了进一步分析，去除芯片的钝化层和金属化层，观察光发射图像的亮点区域，未见明 显过电烧毁、击穿及机械损伤形貌，如图 25～图 28。继续去层直到芯片有源层观察，在扫 描电子显微镜下观察芯片亮点亦未见明显击穿烧毁形貌，见图 29～图 36。
D
C
图31 F6#样品亮点 C 形貌
图32 F6#样品亮点 D 形貌
图33 F57#样品亮点 A 的 SEM 形貌
图34 F57#样品亮点 B 的 SEM 形貌
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Fax: 020-87237185
B
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试验条件
合格判据 F6#实测数据 F57#实测数据 F61#实测数据 G1#实测数据
PQ Pa·cm Q/s S 9.0×10 R Pa.cmT/s S 9.0×10 R Pa.cmT/s S 9.0×10 R Pa.cmT/s S 9.0×10 R Pa.cmT/s
2.6 2.6 开封目检 将 F6#、F57#样品进行机械开封。在金相显微镜下观察芯片，F6#、F57#样品芯片未见明 显过电烧毁、击穿及机械损伤形貌，根据电测结果，观察与异常引脚连接的芯片区域，亦未 见明显异常，F6#、F57#开封芯片典型图片见图 10～图 21。
图1
四路 LVDS 线路驱动器 GM8147A 管脚定义
委托方提供的失效信息为：F6#I 、I 参数不合格，F57#、F61#I 、I 参数不合格。委 托方要求对样品做失效分析。
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2 分析过程
2.1 外观分析 外观分析 外观观察，样品表面型号、批次等标识字符清晰可见，未见明显机械损伤和腐蚀等异常 形貌。样品外观形貌如图 2、图 3 所示。
Pin13 Pin14
Pin1
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图10
F57#样品机械开封后形貌
rac@
图11 F57#样品芯片形貌
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图12 F57#样品芯片局部形貌 1
图13 F57#样品芯片局部形貌 2