采用2个MOS场效应管构成的功率放大器
双mos管并联电路 -回复
双mos管并联电路-回复双MOS管并联电路是一种常见的电路拓扑结构，它由两个金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）组成，并且通过并联方式连接在一起。
这种电路结构在电子器件和电路设计中被广泛使用，因为它具有低导通电阻、高效率和良好的可靠性。
在本篇文章中，我们将一步一步地回答关于双MOS管并联电路的主题。
我们将首先介绍MOSFET的基本原理和结构，然后讨论双MOS管并联电路的工作原理、特点和应用。
一、MOSFET基本原理和结构1. MOSFET概述MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）是一种半导体器件，它通过在金属（M）、氧化物（O）和半导体（S）之间形成一个接触界面，实现对电流的控制。
2. MOSFET结构MOSFET的主要结构由沟道、栅极、源极和漏极组成。
沟道是一个具有特定的电流输运特性的区域，栅极用于控制沟道中的电流流动。
源极和漏极是与沟道相连的区域，它们之间的电势差将导致沟道中的电流流动。
二、双MOS管并联电路的工作原理1. 结构双MOS管并联电路由两个MOSFET管并联连接而成。
每个MOSFET管具有自己的栅极、源极和漏极。
两个MOSFET管的栅极和源极通过电压源或信号源连接，而漏极则通过衔接到负载电路。
2. 工作原理当输入信号作用于双MOS管并联电路的栅极时，它将使得栅极和源极之间形成电势差。
这个电势差将导致栅极和漏极之间的电势差改变，进而改变沟道中的电流。
3. 特点双MOS管并联电路的一个主要特点是具有较低的导通电阻。
由于有两个MOSFET管并联连接，它们共同承担了负载电路的电流，从而降低了整体电路的电阻。
这使得双MOS管并联电路能够提供更好的电流传输能力和较低的功耗。
三、双MOS管并联电路的应用1. 功率放大器双MOS管并联电路可以用作功率放大器，为输入信号提供较大的电流放大倍数。
它可以在许多电子设备中使用，包括音频放大器、扬声器和无线电频率放大器等。
大学生电子方案设计书竞赛G题低频功率放大器题解分享
2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享本主题由 soso 于 2009-10-30 16:47 解除置顶裸片初长成芯币4693 枚∙个人空间∙发短消息∙加为好友∙当前离线xu__changhua的全部文章楼主大中小发表于 2009-9-8 01:06 只看该作者2009年全国大学生电子设计竞赛G题低频功率放大器题解分享2009年全国大学生电子设计竞赛G题是一个设计功率放大器的题，主要考核学生模拟电子技术的基础技能，要求是一定要用场效应晶体管做末级放大，且电路增益要求很大，如5mV的输入要达到5W（8欧负载）的输出，算下来要1265倍，这么大倍数的放大器还要求噪声非常小，小到5mV，失真度1%，这题相对来说是比较难的。
此外，还要检测放大器的输出功率、电源供给功率以及效率，这部分稍微容易些，但是也不是那么轻易就能解决的。
先说说实现方案吧。
功率放大器实现方法有几类，低频的有甲、乙、甲乙、丁等几种。
甲类效率很低，约20%左右，但是其失真度可以做的非常小，如0.1%，效率没做评分要点，只是适当考虑，所以可以采用；乙类的只能有半周输出，失真度太大所以不能采用。
甲乙类是解决甲类的效率和乙类的失真度的综合途径，推荐采用；丙类肯定不用了，那是高频功率放大器专用的类型，这里是低频的（10Hz~50KHz），所以不能采用；丁类的（就是所谓的D类）采用H桥的开关方式工作，输入的信号要进行PWM（PWM是脉冲宽度调制），H桥输出后是一个开关量，要经过LC滤波转变为模拟量，再传送给扬声器。
这种方法效率极高，但是电路复杂，调试困难，且效率不做评分的主要依据，建议舍弃这种方案。
经过综合权衡考虑，宜采用甲乙类比较合适。
再说下电路组成结构该课题有三个主要部分构成，1：功率传输部分；2：电压放大部分（1265倍以上）；3：信号测量部分功率传输部分没得选，课题已经规定了，一定得用场效应管，最好是P沟道和N沟道互补，这么大功率的场效应管要用V-MOS的，需要查场效应管资料来选型，尤其注意其源极电阻要小，这样才能发挥出优秀的转换效率，此外就是电压和电流的选型。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
V-MOS简介
V-MOS简介一般场效应管虽然输入阻抗较高，但输出端带负载的能力很低；一般大功率晶体管虽然能输出较大的功率，但由于输入阻抗较低，输入端需有较大的推动电流才能工作，因此还要设较复杂的推动级。
本文向读者推荐的这种VMOS管是一种功率场效应管，兼有上述两种管子的优点，在设计线路时，可使线路大为简化。
另外这种管子还有许多其它独特的优点。
这是近年（指80年代）来才发展起来的一种新型器件。
VMOS功率场效应管又叫V型槽金属氧化物半导体场效应管，用英文缩写字母可写成“VMOS FET”。
有关这种管子的结构原理及特性，本刊在1985年第4期上已有专文述及（下次再转贴），这里不说了。
仅说说这种管子在应用方面的特点，并给出几种应用电路例子，供使用参考。
与普通大功率晶体管相比较，VMOS功率场效应管有如下一些优点：（1）VMOS管具有很高的输入阻抗（10的8次方欧姆左右），其输入端能直接与CMOS、TTL集成电路和其它高阻抗器件连接。
（2）VMOS管在工作时的输入电流甚微（0.1μA以下），一般认为只要输入端有电压就可以驱动，因此对驱动器件的功率要求很低，属电压控制器件。
如从电流角度看，VMOS 管的电流放大系数高达10的9 次方。
所以单个VMOS管经常可用来代替由两三只普通晶体管组成的达林顿管（复合管）（3）VMOS管是多数载流子器件，没有普通晶体管所固有的少子存储效应。
适于高频高速工作。
例如：VMOS智能在4毫微秒（ns）内开关1A的电流。
这比普通晶体管快了10～200倍。
（4）VMOS管具有负的电流温度系数，即栅源电压不变的情况下，导通电流会随温度的上升而下降（普通晶体管正相反），因而VMOS管不存在由于二次击穿所引起管子损坏的现象，使它特别适于做大功率器件。
下面介绍几个应用电路：1.电源：串联型稳压电源所用调整管的功率不能满足要求时，通常是用几只晶体管并联起来使用，如图1所示。
一般需选用相同参数的管子来并联，否则很容易因电流分配不匀，而集中流入某一管，致使该管损坏。
逆变器功率管3DD15可以用场效应管直接代管吗？
逆变器功率管3DD15可以用场效应管直接代管吗？
3DD15是国产的大功率低频硅三极管，其功率为50W，Icm为5A，耐压值从几十伏到上百伏不等（譬如，3DD15D的耐压值为200V），这种管子在一些老式的稳压电源及逆变器电路中较常用，现在上述产品中很少使用这种管子。
由于3DD15的外形封装、引脚排列及驱动电路与MOS场效应管都不太一样，故一般不能直接用MOS场效应管代替3DD15。
▲ 两个3DD15构成的简易逆变升压电路。
由于3DD15为双极型三极管，属于电流驱动器件，而MOS场效应管为单极型电压驱动器件，它们的驱动电路不太一样，即使不考虑外形封装及引脚排列，直接用MOS场效应管代替上图中的两个3DD15三极管，电路将无法工作。
不过，像下图所示的这种采用IC作为振荡电路，外接功率管的逆变电路，若调整一下管子的引脚，亦可以用MOS场效应管代替3DD15。
▲ 用555电路构成的逆变升压电路。
上图中，555电路接成一个自激多谐振荡器，其③脚输出的振荡信号经3DD15放大后，驱动升压变压器的初级线圈，这样在变压器的次级输出的便是交流高压。
图中这个3DD15完全可以换成IRF3205这类N沟道大功率MOS场效应管，电路也不需要作什么调整，唯一需要注意的是IRF3205的引脚不要接错。
▲ 3DD15和IRF3205的外形。
上图中的IRF3205是现在逆变器电路中常用的大功率N沟道MOS 场效应管，其耐压值为55V，漏极电流可达110A。
这种场效应管不论是饱和压降还是高频开关性能皆显著优于3DD15这种低频硅三极管。
三极管和场效应管混合驱动方式的音频开关功率放大器设计
文 章 编 号 ：１ ０ — ３ ３ ２ １ ） ３ ０ ６ — ３ ０ ４４ ５ （ ０ ０ ０ —２ ３ ０
三 极 管 和 场 效 应 管 混 合 驱 动 方 式 的 音 频 开 关 功 率 放 大 器 设 计
崔 春 淑
（延 边 大 学 工 学 院 电子 信 息 工程 系 ， 林 延 吉 １ ３ ０ 吉 ３ ０ ２）
部 分 采 用 Ｎ 沟 道 ＭＯＳ Ｅ 和 Ｐ Ｆ Ｔ ＮＰ 三 极 管 构 成
虽 然开关 功 率放 大 器 的 电 路 复 杂 ， 由 于它 具 有 但 很 高 的工作 效率 ， 使用 较小 的散 热 片 ， 因此可 大幅 地 减小 产品 的体 积ｎ ］ 在常见 的开关功 率 放 大器 ．
拟信号转换 成 Ｐ ＷＭ 信 号 ， 求 凋制 频 率 大 于 要
５ ＨｚＴＩ ９ ０ ｋ ． ４芯 片 可 ： 在 ７ ４ 的 宽 电 压 ４ ￡作 ～ Ｏ Ｖ
１ 三 极 管 和 场 效 应 管 混 合 驱 动 方 式 的 音
频 开 关 功 率放 大 器
１ １ 整体 电路框 图 ． 图 １ 是基 于 Ｔ１ ９ ４的 开 关功 率 放 大 器 的 整 ４ 体 电路框 图． 电路 设 计的关键是 占空 比调节 电路 、
警 器 的开关 功率 放大 器． 线性 功率 放大 器相 比 ， 与
的功 率为 ２ ＯＷ ； ＤＡ７ ８ 在 最 大 的 工 作 电 压 （ Ｔ ４１ ± １ 下 ， 输 出 的 功 率 为 １ ；Ｓ ８ Ｖ） 可 ８ Ｗ ＴＡ５ ０在 最 大 ｌ
的工 作 电压 （ ０ 下 ， 输 出的功 率 为 １ ０ ６ Ｖ） 可 ０ Ｗ． 这
Ｋ ｅ ｒ ｓ：Ｔ Ｉ４９ ｙ ｗｏ ｄ ４；ｃ ｍ ｐｏｓｔ ｒｖ ｎ ｏ ｉｅ ｄ ｉｉ ｇ；ｓ ｉｃ ｎｇ ｐｏ ｅ ｐ ｉｉｒ ｗ ｔ ｈｉ ｗ ｒａｍ ｌｆｅ
MOS管放大电路
同相放大器的特点是输入阻抗低、输出阻抗高，因此具有良好的驱动能力。它通 常由一个运算放大器和两个电阻构成，其输出电压与输入电压成比例，且放大倍 数由两个电阻的比值决定。
差分放大器
总结词
差分放大器是一种用于放大差分信号的电路，其输出信号与两个输入信号之差成正比。
详细描述
差分放大器的特点是抑制共模信号、放大差分信号，因此具有较高的抗干扰性能。它通 常由两个对称的放大电路组成，分别对两个输入信号进行放大，然后通过减法器得到差
易于集成
由于MOSFET是平面结构，易 于集成到集成电路中，有利于 减小放大电路的体积和重量。
MOS管放大电路的应用场景
音频放大
用于放大音频信号，如扬声器、 耳机等。
电源管理
用于调整和放大电源电压，如直流 /直流转换器等。
信号放大
用于放大各种传感器输出的微弱信 号，如压力、温度、光等传感器。
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
02
输出阻抗匹配的目的是使放大电路的输出信号能够有效地传输到负载，同时避免信号的损失或失真。通过选择适 当的输出阻抗元件，可以使得放大电路的输出阻抗与负载阻抗相匹配。
带宽与增益的权衡
带宽
带宽是指放大电路能够处理的信号频 率范围。在设计和优化MOS管放大电 路时，需要考虑所需的带宽，并选择 适当的元件和电路拓扑以实现所需的 频率响应。
的调节。
电容器
01
电容器是一种储能元件， 由两个平行板中间填充 绝缘介质构成。
02
它具有隔直流通交流的 特性，常用于滤波、耦 合、旁路等电路中。
03
根据介质类型和结构， 电容器可分为固定电容 器和可变电容器两大类。
04
在MOS管放大电路中， 主要使用固定电容器， 用于实现信号耦合和滤 波等功能。
MOSFET功放电路
目录场效应管功率放大电路 (1)场效应管80W音频功率放大电路 (1)一款性能极佳的JFET-MOSFET耳机功放电路图 (2)100W的MOSFET功率放大器 (2)场效应管(MOSFET)组成的25W音频功率放大器电路图 (4)一种单电源供电的MOSFET功放电路 (6)100W的V-MOSFET功率放大器电路 (6)100W场效应管功率放大电路 (8)全对称MOSFET OCL功率放大器电路图 (9)场效应管功率放大电路如图所示电路是采用功率MOSFET管构成的功率放大器电路。
电路中差动第二级采用2SJ77***率MOSFET，电流镜像电路采用2SK214。
其工作电流为6mA，但电源电压较高(为±50V)，晶体管会发热，因此要接人小型散热器。
场效应管80W音频功率放大电路图100W的MOSFET功率放大器电路图关于电路电容C8是阻止直流电压，如果从输入源的输入直流去耦电容。
如果畅通，将改变这个直流电压偏置值S后续阶段。
电阻R20限制输入电流到Q1 C7 -绕过任何输入的高频噪声。
晶体管Q1和Q2的形式输入差分对和Q9和Q10来源1毫安左右建成的恒流源电路。
预设R1用于调整放大器的输出电压。
电阻R3和R2设置放大器的增益。
第二差的阶段是由晶体管，第三季度和Q6，而晶体管Q4和Q5形式电流镜，这使得第二个差分对漏一个相同的电流。
这样做是为了提高线性度和增益。
Q7和Q8在AB 类模式运行的功率放大级的基础上。
预设R8可用于调整放大器的静态电流。
电容C3和电阻R19组成的网络，提高了高频率稳定度和防止振荡的机会。
F1和F2是安全的保险丝。
电路设置设置在中点R1开机前，然后慢慢调整为了得到一个最低电压（比50mV）输出。
下一步是成立的静态电流，并保持在最低电阻预设的R8和万用表连接跨标记点电路图X和Y的调整R8使万用表读取16.5mV对应50mA的静态电流。
注意事项质量好的印刷电路板组装的电路。
②输出特性图16-111-N沟道增强型MOS管输出特性
电极（B点）电位降至零，导致T1
截止，T2充分饱和，T2管CE之间近
于短路，于是A点电位也降至零；
输出电容CL上的电压
U CC 2
瞬 间加
在负载RL上，使输出电压瞬时值等
于 UCC 。 2
第(65)页
ui
t
uB (uA)
UCC
2
UCC
2
t0 t1 t2 t3 t4
t
u0
+ UCC
2
- UCC
2
U om U CC 2 t
UCC R3
T1 R4
D1 D2 R6
T3
R8
CL
A
CO , RO是“自举电路”它 可以减少R3对OTL输入 激励信号的分流作用, 增加OTL电路的输出.
R1* C1
ui R2
T2 T5
R5
R7
CE
T4 RL u0 R9
第(67)页
图16-104由复合管组成的互补对称放大电路
各元件作用如下：
R4 ，D1 ，D2 —— 给复合管提供小的正向偏压，使其工作 于甲乙类状态，克服交越失真。
小信号电压放大器由于工作点电流很小，功耗很小，不需 要考虑效率问题，故采用甲类工作。
二. 互补对称功率放大电路
1.工作原理
①.结构特点:上下对称，但T1 ，T2管子类型不同:
T1 ，NPN ，正电源供电
T2 ，PNP ，负电源供电
发射极共用负载RL，对于扬声器 RL=4 ，8 ，16
T1 ic1
PE
UCC
ICO
UCC
UCC
2RL
IC0
Iom
放大器效率
图16-97
几种常用集成运算放大器的性能参数
几种常用集成运算放大器的性能参数1.通用型运算放大器A741（单运放）、LM358（双运放）、LM324（四运放）及以场效应管为输入级的LF356都属于此种。
它们是口前应用最为广泛的集成运算放大器。
卩通用型运算放大器就是以通用为LI的而设计的。
这类器件的主要特点是价格低廉、产品量大面广, 其性能指标能适合于一般性使用。
例2.高阻型运算放大器,IIB为儿皮安到儿十皮安。
实现这些指标的主要措施是利用场效应管高输入阻抗的特点，用场效应管组成运算放大器的差分输入级。
用FET作输入级，不仅输入阻抗高，输入偏置电流低，而且具有高速、宽带和低噪声等优点，但输入失调电压较大。
常见的集成器件有LF356、LF355、LF347 （四运放）及更高输入阻抗的CA3130、CA3140等。
Q这类集成运算放大器的特点是差模输入阻抗非常高，输入偏置电流非常小，一般rid> （109^1012）3.低温漂型运算放大器在精密仪器、弱信号检测等自动控制仪表中，总是希望运算放大器的失调电压要小且不随温度的变化而变化。
低温漂型运算放大器就是为此而设讣的。
訂前常用的高精度、低温漂运算放大器有0P-07、0P-27、AD508及ill M0SFET组成的斩波稳零型低漂移器件ICL7650等。
4.高速型运算放大器s,BWG>20MHzo PA715等，其SR二50〜70V/u在快速A/D和D/A转换器、视频放大器中，要求集成运算放大器的转换速率SR 一定要高,单位增益带宽BWG 一定要足够大，像通用型集成运放是不能适合于高速应用的场合的。
高速型运算放大器主要特点是具有高的转换速率和宽的频率响应。
常见的运放有LM318、5.低功耗型运算放大器W,可采用单节电池供电。
P A O U前有的产品功耗已达微瓦级，例如ICL7600 的供电电源为1. 5V,功耗为10 u山于电子电路集成化的最大优点是能使复杂电路小型轻便，所以随着便携式仪器应用范围的扩大,必须使用低电源电压供电、低功率消耗的运算放大器相适用。
功率放大器的基本结构和工作原理
功率放大器的基本结构和工作原理功率放大器的基本结构和工作原理功率放大器的基本结构和工作原理扩音机是一种对声音信号进行放大的电子设备，其基本结构如图5-1所示，常分为前置放大器(简称前级)和功率放大器(简称后级)两大部分。
前置放大器通常由输人选择与均衡放大电路、等响音量控制电路、音调控制电路等组成，而功率放大器常由功率放大电路和扬声器保护电路组成。
扩音机工作时，输人选择电路主要对收音调谐器、录音座、CD唱机和Av辅助输入等信号源的信号进行选择切换控制，得出所需的信号输入，输入后的信号经均衡放大电路进行频率特性的校正和放大，使输入信号的频率特性变得较为平坦，同时使各种信号源输入的信号电平基本趋于一致，避免在转换不同的信号源时，声音响度出现较大的变化，影响使用效果。
均衡放大后的信号则由等响音量控制电路控制信号的强弱，从而调节音量的大小。
等响控制的目的主要是在音量较小时提升高、低频信号成分，以补偿人耳听觉的不足，在低响度时得到较丰满的声音信号。
而音调控制电路则主要是根据个人的喜好调节电路的频率特性，适当提升或衰减声音中的高、低频成分，以满足听音者的需求。
经前置放大器放大处理后的信号被送人功率放大器进行功率放大，以推动扬声器重放出声音。
扩音机中为了保护扬声器免受电路冲击电流的干扰，或在电路出现故障时烧毁扬声器，常在功率放大器中加入扬声器保护电路。
在高保真的音响设备中，扩音机常有两种组合结构形式，一种是把前置放大器和功率放大器组合在一起，称作合并式扩音机，这种形式把“前置”和“功放”合并在一起，这时由于小信号电压放大的前置级和大信号电流放大的功率放大在电性能上不能互相兼顾，因而不能使扩音机达到最佳的工作状态，特别是前、后级的电源馈电，电源变压器的电磁干扰，印制电路板的走线排列，共用地线的走向等方面总会存在一定的相互干扰，影响整机性能的提高。
另一形式是在设计制造上把前置放大器和功率放大器彻底分开，分别使用独立电源，单独的机壳，使前、后级之间互不干扰，形成前、后级分体式的结构，在使用时再把它们用信号传输线连接起来，这种分体式结构的扩音机可获得极高的性能指标。
低频功率放大器的设计与制作-毕业设计
低频功率放大器的设计与制作学生：指导教师：内容摘要：本文介绍了一种基于NE5534设计而成的低频功率放大器。
是由直流稳压电源，前置放大器，带阻电路，COMS功率放大器，峰值检测和数据采集显示六个模块组成。
直流稳压电源主要由15V双电源与LM317与LM337，7805构成，可输出正负15V 电压和5V电压，分别为功率放大器和显示模块提供所需的电压。
前置放大器是两级放大，构成一个带通放大器。
CMOS功率放大器是由N沟道和P沟道场效应管构成的OCL电路。
带阻电路用于滤除电源的公共频率。
峰值检测将负载输出的稳定电压并将电压降低至5V以下。
液晶显示模块显示的结果，主要是将20HZ~20KHZ的小信号放大，输出功率大于5W且输出的噪音电压有效值小于5mv，并将系统输出功率，直流电压的输出功率，整机效率显示出来。
功率放大器作用主要是给负载提供所需要功率，它不仅仅是音频设备中必不可少的器件，同时在测量系统和控制系统中也有广泛应用。
低频功率放大器已经是一个相当成熟的技术。
几十年来，无论是从线路技术和元器件的方面，还是思想方面都有很大进步。
它可以由集成元件构成，也可以由分立元件构成。
集成功率放大器具有功放体积模块小，外围电路简单，性能优越，易调试，制作简单，保护功能齐全等优点。
而用分立元件制作，如果精心设计，则在效率和失真的方面要远远优于集成功放。
本设计在功率放大级采用COMS管，具有功耗低，失真小，噪声低，性价比高和稳定性好等特点，并能实时显示整机效率，直流电源功率和输出功率。
可广泛应用于测量系统和控制系统。
关键词：低频功率放大器 MOS管 NE5534 OCLDesign and manufacture of low-frequency power amplifier Abstract: This article describes an approach based on NE5534 designs of low-frequency power amplifiers. Is made up of DC voltage, preamplifier, band stop circuit, COMS amplifier with peak detection and data acquisition display consists of six modules. Main 15V DC power supply dual power supply with LM317 and LM337,7805 composition, positive and negative voltage of 15V and 5V output voltages, power amplifier respectively and display module provide the required voltage. Preamplifier is a two-level zoom in, form a bandpass amplifier. Is n-channel and p-channel CMOS power amplifier tube consisting of OCL Dojo effects circuits. Public frequency band stop circuit to remove power. Peak detect stability of the output voltage and the load will reduce the voltage to 5V. LCD display module displays the results, mostly 20HZ~20KHZ small-signal amplifier, the output power is greater than 5W, output noise voltage is less than 5MV, and system output power, DC voltage output power, machine efficiency visible.Power amplifier is mainly needed to provide load power, it is not only essential components of the audio device, both measurement and control systems are also widely used. Low frequency power amplifier is a fairly mature technology. For decades, both in terms of lines of technologies and components, is thought have made a lot of progress. It can consist of integrated components, can also be constructed from discrete components. Integrated power amplifiers with power amplifier module size small, simple peripheral circuit, superior performance, easy to debug, and producing simple, perfect protection function and so on. Made with discrete components, if carefully designed, in terms of efficiency and distortion is much better than the integrated amplifiers. COMS in the power stage tube this design, low power consumption, small distortion, low noise, high performance and good stability characteristics, and displayed in real time unit efficiency, DC power supply and output power. Can be widelyused in measuring systems and control systems. Keywords:Low-frequency power amplifiers MOS tube NE5534OCL目录1 系统电路设计 (1)1.1 系统总体方案 (1)1.2 系统硬件设计 (1)1.3 单元电路设计 (2)1.3.1 前置放大器的分析与设计 (2)1.3.2 功率放大级的设计 (3)1.3.3 带阻滤波器的分析与设计 (5)1.3.4 峰值检测 (7)1.3.5 稳压直流电源的设计 (8)1.3.6 显示模块 (9)2 软件设计 (9)2.1 系统流程图 (9)2.2 相关算法 (10)2.2.1 输出功率计算 (10)2.2.2 电源输出功率计算 (10)2.2.3 整机效率计算 (10)3 测试方法与结果分析 (11)3.1 测试仪器 (11)3.2 输出噪声电压有效值测试 (11)3.3 放大倍数的测试 (11)3.4 输入电阻的测试 (12)3.5 通频带的测试 (12)3.6 低频功率放大器效率测试 (13)4 结束语 (14)附录1: 功率放大器电路原理图 (15)附录2: 液晶显示PORTUES仿真图 (16)附录3: 显示程序 (17)参考文献 (28)低频功率放大器的设计与制作1 系统电路设计1.1 系统总体方案本系统是由前置放大器，带阻滤波器，功率放大级，数据采集，峰值检测和液晶显示等六个部分构成。
MOS管功率放大器电路图与原理图文及其解析
MOS管功率放大器电路图与原理图文及其解析放大器电路的分类本文介绍MOS管功率放大器电路图，先来看看放大器电路的分类，按功率放大器电路中晶体管导通时间的不同可分：甲类功率放大器电路、乙类功率放大器电路和丙类功率放大器电路。
甲类功率放大器电路，在信号全范围内均导通，非线性失真小，但输出功率和效率低，因此低频功率放大器电路中主要用乙类或甲乙类功率放大电路。
功率放大器是根据信号的导通角分为A、B、AB、C和D类,我国亦称为甲、乙、甲乙、丙和丁类。
功率放大器电路的特殊问题（1）放大器电路的功率功率放大器电路的任务是推动负载，因此功率放大电路的重要指标是输出功率，而不是电压放大倍数。
（2）放大器电路的非线形失真功率放大器电路工作在大信号的情况时，非线性失真时必须考虑的问题。
因此，功率放大电路不能用小信号的等效电路进行分析，而只能用图解法进行分析。
（3）放大器电路的效率效率定义为：输出信号功率与直流电源供给频率之比。
放大电路的实质就是能量转换电路，因此它就存在着转换效率。
常用MOS管功率放大器电路图MOS管功率放大器电路图是由电路稳压电源模块、带阻滤波模块、电压放大模块、功率放大模块、AD转换模块以及液晶显示模块组成。
（一）MOS管功率放大器电路图-系统设计电路实现简单，功耗低，性价比很高。
该电路，图1所示是其组成框图。
电路稳压电源模块为系统提供能量；带阻滤波电路要实现50Hz频率点输出功率衰减；电压放大模块采用两级放大来将小信号放大，以便为功率放大提供足够电压；功率放大模块主要提高负载能力；AD转换模块便于单片机信号采集；显示模块则实时显示功率和整机效率。
（二）MOS管功率放大器电路图-硬件电路设计1、带阻滤波电路的设计采用OP07组成的二阶带阻滤波器的阻带范围为40～60 Hz，其电路如图2所示。
带阻滤波器的性能参数有中心频率ω0或f0，带宽BW和品质因数Q。
Q值越高，阻带越窄，陷波效果越好。
2、放大电路的设计电压放大电路可选用两个INA128芯片来对微弱信号进行放大。
“简洁至上”的晶体管甲类音频功率放大器3
Hi－Fi界有一句至理名言，就是“简洁至上”。
这就是说，假如能用一个元件或器件做成的电路，就尽量不用两个。
电子电路中常用的电子元件有电阻、电容、电感等，常用的电子器件有二极管、三极管及集成电路等。
电阻、电容都属于线性元件，在放大电路中可以认为不会因它们而产生非线性失真。
但是，目前用于放大的电子器件，不论是电子管、晶体管，还是集成电路，统统都是非线性器件，它们是放大电路中产生非线性失真的根源。
因此，在放大电路中应尽量少用管子。
要做到这一点也并非容易，所以通常所见到的放大电路都比较复杂。
要想“简洁”，必须解决两个问题：一是放大倍数要足够大，至少应该在接CD机时能够达到额定的输出功率；二是非线性失真要尽量小些，在不加负反馈或只加少量的负反馈时，谐波失真系数能够达到Hi－Fi要求。
功率放大器的输出电路方式，可按有无输出变压器分为两类。
无输出变压器的功放电路为了使扬声器中无直流电流通过，必须采用电容耦合(OTL电路)或者正负两套电源(OCL电路)。
本文介绍的晶体管甲类音频放大器选用变压器输出的单管放大方式，每声道只用两只管子，而若采用互补推挽电路，则至少要用四五只管子。
由于所用的输出变压器初级阻抗只有几十欧姆，所以绕制起来很容易，性能也很容易达到要求。
采用变压器输出的一个突出优点就是可以避免烧扬声器。
另外，变压器次级线圈极小的直流电阻，会改善扬声器的阻尼，使瞬态失真减小。
电路结构与特点该晶体管甲类音频功率放大器电路及电源电路如图1所示。
这一功放电路具有高达15W 的有效值输出功率，它只用两只晶体管，并把它们直接相连，复合成一只高跨导的功率场效应晶体管。
这是笔者受到绝缘栅双极型晶体管(IGBT)的启发偶尔想到的。
IGBT是一种新型半导体功率器件，已成功地应用于高频开关电源中，近几年在高保真声频功率放大器中也常见到它的踪影。
它兼有双极型晶体管(即普通PNP、NPN晶体管)和单极型晶体管(即场效应管)两者的优点，但没有两者各自的缺点，所以应用前景非常广阔。
MOS 场效应晶体管
工作原理
mosfet通过在金属-氧化物-半导 体结构上施加电压，控制电子流动， 实现信号放大和开关作用。
结构
mosfet由栅极、源极、漏极和半导 体层组成，具有对称的结构。
mos 场效应晶体管的应用
集成电路
mosfet是集成电路中的基本元件， 广泛应用于数字电路和模拟电路 中。
工作原理概述
电压控制
导电通道的形成与消失
mos场效应晶体管是一种电压控制器 件，通过在栅极施加电压来控制源极 和漏极之间的电流流动。
随着栅极电压的变化，导电通道的形 成与消失，从而控制源极和漏极之间 的电流流动。
反型层
当在栅极施加正电压时，会在半导体 表面产生一个反型层，使得源极和漏 极之间形成导电通道。
电压与电流特性
转移特性曲线
描述栅极电压与漏极电流之间关 系的曲线。随着栅极电压的增加， 漏极电流先增加后减小，呈现出
非线性特性。
跨导特性
描述源极电压与漏极电流之间关 系的曲线。跨导反映了mos场效
应晶体管的放大能力。
输出特性曲线
描述漏极电压与漏极电流之间关 系的曲线。在一定的栅极电压下， 漏极电流随着漏极电压的增加而
增加，呈现出线性特性。
Part
03
mos 场效应晶体管的类型与 特性
nmos 场效应晶体管
总结词
NMOS场效应晶体管是一种单极型晶体管，其导电沟道由负电荷主导。
详细描述
NMOS场效应晶体管通常由硅制成，其导电沟道由负电荷主导，因此被称为 NMOS。在NMOS中，电子是主要的载流子，其源极和漏极通常为n型，而衬 底为p型。
制造工艺中的挑战与解决方案
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《模拟电子技术基础》题库
《模拟电子技术基础》题库一、填空题1-12（第一章）1、杂质半导体有型和型之分。
2、PN结最重要的特性是__________，它是一切半导体器件的基础。
3、PN结的空间电荷区变厚，是由于PN结加了__________电压，PN结的空间电荷区变窄，是由于PN结加的是__________电压。
4、N型半导体中多数载流子是，P型半导体中多数载流子是，PN结具有特性。
5、发射结偏置，集电结偏置，则三极管处于饱和状态。
6、P型半导体中空穴为载流子，自由电子为载流子。
7、PN结正偏时，反偏时，所以PN结具有导电性。
8、反向电流是由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。
9、三极管是控制元件，场效应管是控制元件。
10当温度升高时，三极管的等电极电流I ，发射结压降UBE 。
11、晶体三极管具有放大作用时，发射结，集电结。
12、漂移电流是电流，它由载流子形成，其大小与有关，而与外加电压。
13-19（第二章）13、放大电路中基极偏置电阻Rb的作用是__________。
14、两级放大电路的第一级电压放大倍数为100，即电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB，第二级电压增益为26dB，则两级总电压增益为﹍﹍﹍﹍﹍﹍﹍dB。
15、有偶数级共射电路组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位_________，有奇数级组成的多级放大电路中，输入和输出电压的相位__________。
16、电压负反馈稳定的输出量是__________，使输出电阻__________，电流负反馈稳定的输出量_______，使输出电阻__________。
17、稳压二极管是利用二极管的__________特性工作的。
18、晶闸管阳极和阴极间加__________，控制极加适当的__________，晶闸管才能导通。
19、在输入V2单相半波整流电路中，二极管承受的最大反向电压为V RM，负载电压为V O。
20-26（第三章）20、甲类功放的最大缺点是_______；21、双极型三极管是控制器件，场效应管是控制器件；结型场效应管的栅源极之间必须加偏置电压，才能正常放大工作。
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本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB
类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。
为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可
以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。
增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该
场效应管才能进入放大区。
IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。
只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效
应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压
GND_0VOFF = 0v
电阻的阻值取常用的即可。
从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。
功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。
功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。
如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。
甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：
(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。
(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。
所以，甲乙类放大器具有甲类和乙类放大器的优点，同时克服了这两种放大器的缺点。
正是由于甲乙类放大器无交越失真，又具有输出功率大和省电的优点，所以被得到广泛的应用。
当这种放大电路中的场效应管静态直流偏置电流太小或没有时，就成了乙类放大器，将产生交越失真。