采用2个MOS场效应管构成的功率放大器

本电路采用2个MOS 场效应管构成功率放大器，为甲乙类（AB
类）功率放大器，上面采用N 沟道增强型MOS 场效应管IRF130，下面采用P 沟道增强型MOS 场效应管IRF9130，IRF130和IRF9130是IR 公司生产的配对N 沟道和P 沟道器件，性能几乎是对称的。

为了克服交越失真，必须使输入信号避开场效应管的截止区，可
以给场效应管加入很小的静态偏置电流，使输入信号叠加在很小的静态偏置电流上，这样可以避开场效应管的截止区，使输出信号不失真。

增强型MOS 场效应管有个开启电压V T ，V GS 必须要大于V T ，该
场效应管才能进入放大区。

IRF130和IRF9130的V GS 最小值为2V ，设计时使2个场效应管栅极之间的电压在2V*2=4V ，或者为了减小直流电源的消耗，取比4V 稍小一点，也是可以的。

只要保持电压的分压比，电阻上的电流是不必考虑的，因为场效
应管的栅级输入阻抗是非常高的，栅级几乎不消耗电流，因此，分压
GND_0VOFF = 0v
电阻的阻值取常用的即可。

从单个场效应管看，这是源级跟随器，所以电压放大倍数为1。

功率放大器对输入电压范围是没有限制的，取决于场效应管的参数，IRF130和IRF9130的绝对最大V GS=±20V，就是说，输入电压范围±15V是没有问题的。

功率放大器根据输入电压，放大接近1倍，得到输出电压，由输出电压，根据负载，得到输出电流。

如果电源电压是±24V，减去2个场效应管的正常工作时的V DS，输出电压范围应该大于±22V，具体做一下实验，也是简单的事。

甲乙类放大器电路的主要特点如下所述：
(a).这种放大器同乙类放大器电路一样，也是用两只场效应管分别放大输入信号的正、负半周，但给两只场效应管加入了很小的静态偏置电流，以使场效应管刚刚进入放大区。

(b).由于给场效应管所加的静态直流偏置电流很小，所以在没有输入信号时放大器对直流电源的消耗比较小(比起甲类放大器要小得多)，这样具有乙类放大器的省电优点，同时因加入的偏置电流克服了场效应管的截止区，对信号不存在失真，又具有甲类放大器没有非线性失真的优点。

所以，甲乙类放大器具有甲类和乙类放大器的优点，同时克服了这两种放大器的缺点。

正是由于甲乙类放大器无交越失真，又具有输出功率大和省电的优点，所以被得到广泛的应用。

当这种放大电路中的场效应管静态直流偏置电流太小或没有时，就成了乙类放大器，将产生交越失真。