图像传感器
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在接受光照之后,感光元件产生对应的 电流,电流大小与光强对应,因此感光元件直接 输出的电信号是模拟的。在CCD传感器中,每一 个感光元件都不对此作进一步的处理,而是将它 直接输出到下一个感光元件的存储单元,结合该 元
件生成的模拟信号后再输出给第三个感光元件, 依次类推,直到结合最后一个感光元件的信号才 能形成统一的输出。由于感光元件生成的电信号 实在太微弱了,无法直接进行模数转换工作,因 此这些输出数据必须做统一的放大处理—这项任 务是由CCD传感器中的放大器专门负责,经放大 器处理之后,每个像点的电信号强度都获得同样 幅度的增大;但由于CCD本身无法将模拟信号直 接转换为数字信号,因此还需要一个专门的模数 转换芯片进行处理,最终以二进制数字图像矩阵 的形式输出给专门的DSP处理芯片。而对于 CMOS传感器,上述工作流程就完全不适用了。 CMOS传感器中一个感光元件都直接整合了放大
• CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数 码相机中可记录光线变化的半导体。 CMOS的制造技术和一般计算机芯片没 什么差别,主要是利用硅和锗这两种元 素所做成的半导体,使其在CMOS上共 存着带N(带–电) 和 P(带+电)级的 半导体,这两个互补效应所产生的电流 即可被处理芯片纪录和解读成影像
• 20世纪末,又有三种新型的图像传感器
问世了,它们分别是互补氧化金属半导
体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS)、接触式 图像传感器(Contact lmage Sensor, 简称CIS)和LBCAST传感器系统 (Lateral Buried Charge Accumulator, Sensing Transistor Array)。
• 1、PMT
• PMT是最早出现的图像传感器,从五十年 代发展到现在,技术已经非常成熟,是目 前性能最好的传感器。它就像一个圆柱体 小灯泡,直径约一寸,长度约二寸;内置 多个电极,将进入的光信号转化为电信号, 即使很微弱的光线也可准确补捉。其最高 动态范围可达4.2,相对于其它类型只能达 到3.2-3.6的传感器,PMT要胜出不少; 而且它非常耐用,可以运作十万小时以上。 但是由于其造价相当高,只能应用于专业 的印刷、出版业扫描仪及工程分析。
最常用的做法是覆盖RGB红绿蓝三色滤光片,以 1:2:1的构成由四个像点构成一个彩色像素 (即红蓝滤光片分别覆盖一个像点,剩下的两个 像点都覆盖绿色滤光片),采取这种比例的原因 是人眼对绿色较为敏感。而索尼的四色CCD技术 则将其中的一个绿色滤光片换为翡翠绿色(英文 Emerald,有些媒体称为E通道),由此组成新的 R、G、B、E四色方案。不管是哪一种技术方案, 都要四个像点才能够构成一个彩色像素,这一点 大家务必要预先明确。
4. 噪声差异:由于CMOS传感器的每个感光 二极管都需搭配一个放大器,而放大器属
于模拟电路,很难让每个放大器所得到的
结果保持一致,因此与只有一个放大器放 在芯片边缘的CCD传感器相比,CMOS传 感器的噪声就会增加很多,影响图像品质。
• 5.功耗差异:CMOS传感器的图像采集 方式为主动式,感光二极管所产生的电 荷会直接由晶体管放大输出,但CCD传 感器为被动式采集,需外加电压让每个
CMOS影像传感器的优点之一是电源消耗量 比CCD低,CCD为提供优异的影像品质, 付出代价即是较高的电源消耗量,为使电 荷传输顺畅,噪声降低,需由高压差改善 传输效果。但CMOS影像传感器将每一画 素的电荷转换成电压,读取前便将其放大, 利用3.3V的电源即可驱动,电源消耗量比 CCD低。CMOS影像传感器的另一优点, 是与周边电路的整合性高,可将ADC与讯 号处理器整合在一起,使体积大幅缩小。
致,致使放大后的图像数据无法代表拍摄物体的 原貌—体现在最终的输出结果上,就是图像中出 现大量的噪声,品质明显低于CCD传感器。
二、 Ccd与cmos简介
• CCD:电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一种高感光度的半导体材 料制成,能把光线转变成电荷,通过模数转换器芯片 转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部 的闪速存储器或内置硬盘卡保存,因而可以轻而易举 地把数据传输给计算机,并借助于计算机的处理手段, 根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组 成,通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照 射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的 感光单位所产生的信号加在一起,就构成了一幅完整 的画面。
四、传感器发展历史
• 图像传感器的历史可以说非常的悠久: 早在1873年,当时科学家约瑟· 美 (Joseph May)及伟洛比· 史密夫 (WilloughbySmith)就发现了硒元素结 晶体感光后能产生电流,这是电子影像 发展的开始。以后陆续有组织和学者研 究电子影像,发明了几种不同类型的图 像传感器。其中重要的发明有20世纪50 年代诞生的光学倍增管(Photo Multiplier Tube,简称PMT)和70年代 出现的电荷耦合装置(Charge Coupled Device,简称CCD)。
在功耗上作改进,以应用于移动通信市场
(这方面的代表业者为Sanyo);CMOS传感
器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足,
以应用于更高端的图像产品。
CCD的优势在于成像质量好,但是由于制造 工艺复杂,只有少数的厂商能够掌握,所 以导致制造成本居高不下,特别是大型 CCD,价格非常高昂。在相同分辨率下, CMOS价格比CCD便宜,但是CMOS器件 产生的图像质量相比CCD来说要低一些。 到目前为止,市面上绝大多数的消费级别 以及高端数码相机都使用CCD作为感应器; CMOS感应器则作为低端产品应用于一些 摄像头上,若有哪家摄像头厂商生产的摄 想头使用CCD感应器,厂商一定会不遗余 力地以其作为卖点大肆宣传,甚至冠以 “数码相机”之名。一时间,是否具有 CCD感应器变成了人们判断数码相机档次 的标准之一。
• 类似小灯泡的传感器“PMT”
• 2、CCD
• CCD是美国贝尔实验室于1969年发明的,与电脑 晶片CMOS技术相似,也可作电脑记忆体及逻辑 运作晶片。CCD是一种特殊的半导体材料,由大 量独立的感光二极管组成,一般这些感光二极管 按照矩阵形式排列(富士公司的Super CCD除外)。 CCD的感光能力比PMT低,但近年来CCD技术有 了长足的进步,又由于CCD的体积小、造价低, 所以广泛应用于扫描仪、数码相机及数码摄像机
图像传感器
一、CMOS/CCD图像传感
器的工作原理
无论是CCD还是CMOS,它们都采用感 光元件作为影像捕获的基本手段,CCD/CMOS感 光元件的核心都是一个感光二极管 (photodiode),该二极管在接受光线照射之后 能够产生输出电流,而电流的强度则与光照的强 度对应。但在周边组成上,CCD的感光元件与 CMOS的感光元件并不相同,前者的感光元件除 了感光二极管之外,包括一个用于控制相邻电荷 的存储单元,感光二极管占据了绝大多数面积— 换一种说法就是,CCD感光元件中的有效感光面 积较大,在同等条件下可接收到较强的光信号, 对应的输出电信号也更明晰。而CMOS感光元件 的构成就比较
3. 分辨率差异: 如上所述,CMOS传感器的每个 象素都比CCD传感器复杂,其象素尺寸很难达到 CCD传感器的水平,因此,当我们比较相同尺寸 的CCD与CMOS传感器时,CCD传感器的分辨率 通常会优于CMOS传感器的水平。例如,目前市 面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平 (OmniVision的OV2610,2002年6月推出),其 尺寸为1/2英寸,象素尺寸为4.25μm,但Sony在 2002年12月推出了ICX452,其尺寸与OV2610 相差不多(1/1.8英寸),但分辨率却能高达513万 象素,象素尺寸也只有2.78mm的水平。
越来越多的数码单反相机使用它,目前数码单 反相机中几乎有一半采用CMOS作为图像传感 器。
五、图像传感器发展现状
• 一、CCD图像传感器
•
CCD(Charged
Coupled Device)于196
9年在贝尔试验室研制成功,
之后由日商等公司开始量产,
其发展历程已经将近30多
年,从初期的10多万像素
三、CCD与cmos的区别
1. 灵敏度差异:由于CMOS传感器的每 个象素由四个晶体管与一个感光二极管 构成(含放大器与A/D转换电路),使得 每个象素的感光区域远小于象素本身的 表面积,因此在象素尺寸相同的情况下, CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感 器。。
2. 成本差异:由于CMOS传感器采用一般半 导体电路最常用的CMOS工艺,可以轻易 地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片 中,因此可以节省外围芯片的成本;除此 之外,由于CCD采用电荷传递的方式传送 数据,只要其中有一个象素不能运行,就 会导致一整排的数据不能传送,因此控制 CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难 许多,即使有经验的厂商也很难在产品问 世的半年内突破50%的水平,因此,CCD 传感器的成本会高于CMOS传感器。
已经发展至目前主流应用的
500万像素。CCD又可
分为线型(Linear)与面型
(Area)两种,其中线型应
用于影像扫瞄器及传真机上,
而面型主要应用于数码相机
(DSC)、摄录影机、监视
摄影机等多项影像输入产品
上。
CCD传感器的优点:
• 高解析度(High Resolution) • 低杂讯(Low Noise)高敏感度 • 动态范围广(High Dynamic Range) • 良好的线性特性曲线(Linearity) • 高光子转换效率(High Quantum Efficiency ) • 大面积感光(Large Field of View) • 光谱响应广(Broad Spectral Response) • 低影像失真(Low Image Distortion) • 体积小、重量轻:CCD具备体积小且重量轻的特性,因此,可容
易地装置在人造卫星及各式导航系统上 • 低耗电力,不受强电磁场影响 • 电荷传输效率佳:该效率系数影响信噪比、解像率,若电荷传输
效率不佳,影像将变较模糊
• 可大批量生产,品质稳定,坚固,不易老化,使用方便及保养容 易
• 二、CMOS图像传感器
•
CMOS图像传感器于80年代发明以来,由于
当时CMOS工艺制程的技术不高,以致于传感器在
器和模数转换逻辑,当感光二极管接受光照、产
生模拟的电信号之后,电信号首先被该感光元件
中的放大器放大,然后直接转换成对应的数字信 号。换句话说,在CMOS传感器中,每一个感光 元件都可产生最终的数字输出,所得数字信号合 并之后被直接送交DSP芯片处理—问题恰恰是发 生在这里,CMOS感光元件中的放大器属于模拟 器件,无法保证每个像点的放大率都保持严格一
中。目前大多数数码相机采用的图像传感器都是 CCD。
3、cmos
CMOS技术已发展了数十年,CPU和内存便是由 CMOS组成。但直到1998年它才被用于制作 图像传感器。CMOS的优点是结构比CCD简单, 耗电量只有普通CCD的1/3左右,而且制造成 本比CCD要低。自从佳能公司在专业数码单反 相机EOS D30中采用了CMOS以来,已经有
象素中的电荷移动,而此外加电压通常 需要达到12~18V;因此,CCD传感器 除了在电源管理电路设计上的难度更高 之外(需外加 power IC),高驱动电压更 使其功耗远高于CMOS传感器的水平。
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综上所述,CCD传感器在灵敏度、分辨率、 噪声控制等方面都优于CMOS传感器,而 CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以 及高整合度的特点。不过,随着CCD与 CMOS传感器技术的进步,两者的差异有 逐渐缩小的态势,例如,CCD传感器一直
件生成的模拟信号后再输出给第三个感光元件, 依次类推,直到结合最后一个感光元件的信号才 能形成统一的输出。由于感光元件生成的电信号 实在太微弱了,无法直接进行模数转换工作,因 此这些输出数据必须做统一的放大处理—这项任 务是由CCD传感器中的放大器专门负责,经放大 器处理之后,每个像点的电信号强度都获得同样 幅度的增大;但由于CCD本身无法将模拟信号直 接转换为数字信号,因此还需要一个专门的模数 转换芯片进行处理,最终以二进制数字图像矩阵 的形式输出给专门的DSP处理芯片。而对于 CMOS传感器,上述工作流程就完全不适用了。 CMOS传感器中一个感光元件都直接整合了放大
• CMOS:互补性氧化金属半导体CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)和CCD一样同为在数 码相机中可记录光线变化的半导体。 CMOS的制造技术和一般计算机芯片没 什么差别,主要是利用硅和锗这两种元 素所做成的半导体,使其在CMOS上共 存着带N(带–电) 和 P(带+电)级的 半导体,这两个互补效应所产生的电流 即可被处理芯片纪录和解读成影像
• 20世纪末,又有三种新型的图像传感器
问世了,它们分别是互补氧化金属半导
体(Complementary Metal Oxide Semiconductor,简称CMOS)、接触式 图像传感器(Contact lmage Sensor, 简称CIS)和LBCAST传感器系统 (Lateral Buried Charge Accumulator, Sensing Transistor Array)。
• 1、PMT
• PMT是最早出现的图像传感器,从五十年 代发展到现在,技术已经非常成熟,是目 前性能最好的传感器。它就像一个圆柱体 小灯泡,直径约一寸,长度约二寸;内置 多个电极,将进入的光信号转化为电信号, 即使很微弱的光线也可准确补捉。其最高 动态范围可达4.2,相对于其它类型只能达 到3.2-3.6的传感器,PMT要胜出不少; 而且它非常耐用,可以运作十万小时以上。 但是由于其造价相当高,只能应用于专业 的印刷、出版业扫描仪及工程分析。
最常用的做法是覆盖RGB红绿蓝三色滤光片,以 1:2:1的构成由四个像点构成一个彩色像素 (即红蓝滤光片分别覆盖一个像点,剩下的两个 像点都覆盖绿色滤光片),采取这种比例的原因 是人眼对绿色较为敏感。而索尼的四色CCD技术 则将其中的一个绿色滤光片换为翡翠绿色(英文 Emerald,有些媒体称为E通道),由此组成新的 R、G、B、E四色方案。不管是哪一种技术方案, 都要四个像点才能够构成一个彩色像素,这一点 大家务必要预先明确。
4. 噪声差异:由于CMOS传感器的每个感光 二极管都需搭配一个放大器,而放大器属
于模拟电路,很难让每个放大器所得到的
结果保持一致,因此与只有一个放大器放 在芯片边缘的CCD传感器相比,CMOS传 感器的噪声就会增加很多,影响图像品质。
• 5.功耗差异:CMOS传感器的图像采集 方式为主动式,感光二极管所产生的电 荷会直接由晶体管放大输出,但CCD传 感器为被动式采集,需外加电压让每个
CMOS影像传感器的优点之一是电源消耗量 比CCD低,CCD为提供优异的影像品质, 付出代价即是较高的电源消耗量,为使电 荷传输顺畅,噪声降低,需由高压差改善 传输效果。但CMOS影像传感器将每一画 素的电荷转换成电压,读取前便将其放大, 利用3.3V的电源即可驱动,电源消耗量比 CCD低。CMOS影像传感器的另一优点, 是与周边电路的整合性高,可将ADC与讯 号处理器整合在一起,使体积大幅缩小。
致,致使放大后的图像数据无法代表拍摄物体的 原貌—体现在最终的输出结果上,就是图像中出 现大量的噪声,品质明显低于CCD传感器。
二、 Ccd与cmos简介
• CCD:电荷藕合器件图像传感器CCD(Charge Coupled Device),它使用一种高感光度的半导体材 料制成,能把光线转变成电荷,通过模数转换器芯片 转换成数字信号,数字信号经过压缩以后由相机内部 的闪速存储器或内置硬盘卡保存,因而可以轻而易举 地把数据传输给计算机,并借助于计算机的处理手段, 根据需要和想像来修改图像。CCD由许多感光单位组 成,通常以百万像素为单位。当CCD表面受到光线照 射时,每个感光单位会将电荷反映在组件上,所有的 感光单位所产生的信号加在一起,就构成了一幅完整 的画面。
四、传感器发展历史
• 图像传感器的历史可以说非常的悠久: 早在1873年,当时科学家约瑟· 美 (Joseph May)及伟洛比· 史密夫 (WilloughbySmith)就发现了硒元素结 晶体感光后能产生电流,这是电子影像 发展的开始。以后陆续有组织和学者研 究电子影像,发明了几种不同类型的图 像传感器。其中重要的发明有20世纪50 年代诞生的光学倍增管(Photo Multiplier Tube,简称PMT)和70年代 出现的电荷耦合装置(Charge Coupled Device,简称CCD)。
在功耗上作改进,以应用于移动通信市场
(这方面的代表业者为Sanyo);CMOS传感
器则在改善分辨率与灵敏度方面的不足,
以应用于更高端的图像产品。
CCD的优势在于成像质量好,但是由于制造 工艺复杂,只有少数的厂商能够掌握,所 以导致制造成本居高不下,特别是大型 CCD,价格非常高昂。在相同分辨率下, CMOS价格比CCD便宜,但是CMOS器件 产生的图像质量相比CCD来说要低一些。 到目前为止,市面上绝大多数的消费级别 以及高端数码相机都使用CCD作为感应器; CMOS感应器则作为低端产品应用于一些 摄像头上,若有哪家摄像头厂商生产的摄 想头使用CCD感应器,厂商一定会不遗余 力地以其作为卖点大肆宣传,甚至冠以 “数码相机”之名。一时间,是否具有 CCD感应器变成了人们判断数码相机档次 的标准之一。
• 类似小灯泡的传感器“PMT”
• 2、CCD
• CCD是美国贝尔实验室于1969年发明的,与电脑 晶片CMOS技术相似,也可作电脑记忆体及逻辑 运作晶片。CCD是一种特殊的半导体材料,由大 量独立的感光二极管组成,一般这些感光二极管 按照矩阵形式排列(富士公司的Super CCD除外)。 CCD的感光能力比PMT低,但近年来CCD技术有 了长足的进步,又由于CCD的体积小、造价低, 所以广泛应用于扫描仪、数码相机及数码摄像机
图像传感器
一、CMOS/CCD图像传感
器的工作原理
无论是CCD还是CMOS,它们都采用感 光元件作为影像捕获的基本手段,CCD/CMOS感 光元件的核心都是一个感光二极管 (photodiode),该二极管在接受光线照射之后 能够产生输出电流,而电流的强度则与光照的强 度对应。但在周边组成上,CCD的感光元件与 CMOS的感光元件并不相同,前者的感光元件除 了感光二极管之外,包括一个用于控制相邻电荷 的存储单元,感光二极管占据了绝大多数面积— 换一种说法就是,CCD感光元件中的有效感光面 积较大,在同等条件下可接收到较强的光信号, 对应的输出电信号也更明晰。而CMOS感光元件 的构成就比较
3. 分辨率差异: 如上所述,CMOS传感器的每个 象素都比CCD传感器复杂,其象素尺寸很难达到 CCD传感器的水平,因此,当我们比较相同尺寸 的CCD与CMOS传感器时,CCD传感器的分辨率 通常会优于CMOS传感器的水平。例如,目前市 面上CMOS传感器最高可达到210万象素的水平 (OmniVision的OV2610,2002年6月推出),其 尺寸为1/2英寸,象素尺寸为4.25μm,但Sony在 2002年12月推出了ICX452,其尺寸与OV2610 相差不多(1/1.8英寸),但分辨率却能高达513万 象素,象素尺寸也只有2.78mm的水平。
越来越多的数码单反相机使用它,目前数码单 反相机中几乎有一半采用CMOS作为图像传感 器。
五、图像传感器发展现状
• 一、CCD图像传感器
•
CCD(Charged
Coupled Device)于196
9年在贝尔试验室研制成功,
之后由日商等公司开始量产,
其发展历程已经将近30多
年,从初期的10多万像素
三、CCD与cmos的区别
1. 灵敏度差异:由于CMOS传感器的每 个象素由四个晶体管与一个感光二极管 构成(含放大器与A/D转换电路),使得 每个象素的感光区域远小于象素本身的 表面积,因此在象素尺寸相同的情况下, CMOS传感器的灵敏度要低于CCD传感 器。。
2. 成本差异:由于CMOS传感器采用一般半 导体电路最常用的CMOS工艺,可以轻易 地将周边电路(如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等)集成到传感器芯片 中,因此可以节省外围芯片的成本;除此 之外,由于CCD采用电荷传递的方式传送 数据,只要其中有一个象素不能运行,就 会导致一整排的数据不能传送,因此控制 CCD传感器的成品率比CMOS传感器困难 许多,即使有经验的厂商也很难在产品问 世的半年内突破50%的水平,因此,CCD 传感器的成本会高于CMOS传感器。
已经发展至目前主流应用的
500万像素。CCD又可
分为线型(Linear)与面型
(Area)两种,其中线型应
用于影像扫瞄器及传真机上,
而面型主要应用于数码相机
(DSC)、摄录影机、监视
摄影机等多项影像输入产品
上。
CCD传感器的优点:
• 高解析度(High Resolution) • 低杂讯(Low Noise)高敏感度 • 动态范围广(High Dynamic Range) • 良好的线性特性曲线(Linearity) • 高光子转换效率(High Quantum Efficiency ) • 大面积感光(Large Field of View) • 光谱响应广(Broad Spectral Response) • 低影像失真(Low Image Distortion) • 体积小、重量轻:CCD具备体积小且重量轻的特性,因此,可容
易地装置在人造卫星及各式导航系统上 • 低耗电力,不受强电磁场影响 • 电荷传输效率佳:该效率系数影响信噪比、解像率,若电荷传输
效率不佳,影像将变较模糊
• 可大批量生产,品质稳定,坚固,不易老化,使用方便及保养容 易
• 二、CMOS图像传感器
•
CMOS图像传感器于80年代发明以来,由于
当时CMOS工艺制程的技术不高,以致于传感器在
器和模数转换逻辑,当感光二极管接受光照、产
生模拟的电信号之后,电信号首先被该感光元件
中的放大器放大,然后直接转换成对应的数字信 号。换句话说,在CMOS传感器中,每一个感光 元件都可产生最终的数字输出,所得数字信号合 并之后被直接送交DSP芯片处理—问题恰恰是发 生在这里,CMOS感光元件中的放大器属于模拟 器件,无法保证每个像点的放大率都保持严格一
中。目前大多数数码相机采用的图像传感器都是 CCD。
3、cmos
CMOS技术已发展了数十年,CPU和内存便是由 CMOS组成。但直到1998年它才被用于制作 图像传感器。CMOS的优点是结构比CCD简单, 耗电量只有普通CCD的1/3左右,而且制造成 本比CCD要低。自从佳能公司在专业数码单反 相机EOS D30中采用了CMOS以来,已经有
象素中的电荷移动,而此外加电压通常 需要达到12~18V;因此,CCD传感器 除了在电源管理电路设计上的难度更高 之外(需外加 power IC),高驱动电压更 使其功耗远高于CMOS传感器的水平。
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综上所述,CCD传感器在灵敏度、分辨率、 噪声控制等方面都优于CMOS传感器,而 CMOS传感器则具有低成本、低功耗、以 及高整合度的特点。不过,随着CCD与 CMOS传感器技术的进步,两者的差异有 逐渐缩小的态势,例如,CCD传感器一直