场效应管基本放大电路电子教案
电路与模拟电子技术原理第7章2场效应管放大课件.ppt
应记住场效应管是一种电压控制器件，栅 极只需要偏压，不需要偏流（IG＝0），所 以漏极电流恒等于源极电流（iD＝iS）。
利用这个特性，再结合基尔霍夫定律和场 效应管伏安特性关系方程即可求解。
利用场效应管工作在恒流区时，漏极电流iD 受栅源电压uGS控制的特性，也可以构成场 效应管放大电路。
14:29:07
2
7.3 场效应管放大电路
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理 7.3.2 场效应管放大电路的组成 7.3.3 场效应管放大电路的近似估算
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3
7.3.1 场效应管放大电路的工作原理
14:29:07
24
场效应管电路静态分析思路（续）
假设其工作于某个特定区域，并求解 此状态下的G-S回路和D-S回路方程，
如果所得到的结果符合假设区域的偏 置条件，说明我们的假设正确；
否则说明我们的假设不正确，应作出 新的假设。
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25
场效应管静态分析步骤
首先确定场效应管工作状态，步骤如下：
(1)假设FET工作于截止区，则
ID＝0，IG＝0 在此前提下计算UGS，验证
UGS＜UP 是否成立。如果成立，则说明FET处于截
止区。否则进行第二步。
14:29:07
26
场效应管静态分析步骤（续）
(2)假设FET工作于恒流区，则
IG＝0
2
ID
I
DSS
1
U GS UP
在此前提下计算UGS，验证
UGS＝－IDRs＝0(V) 不满足UGS＜UP的条件，说明FET不能工 作于截止区。
第9讲 场效应管及其放大电路PPT课件
漏极饱 和电流
夹断 电压
在恒流区时
iD
Hale Waihona Puke I DSS (1 uGS )2 UGS(off)
低频跨导：
gm
iD uGS
UDS常量
对于工作于可变电阻区的场效应管，不同的UDS， 转移特性曲线差别很大。
输出特性
iD f (uDS)UGS常量
预夹断轨迹，uGD＝UGS（off）
IDSS
g-s电压控
可
制d-s的等 效电阻
iD
I
DSS
(1
uGS UGS(off)
)2
在恒流区iD时 ID， O(UuGGSS(th)1)2 式中 IDO为uGS2UGS(t时 h) 的 iD
场效应管的分类 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性
结型PN沟 沟道 道((GGSSuu((ooff
f f
)
)
u G
u G
S S
0，u GD
0，u GD
u G
u G
S( S(
o o
f f
)
f)
，u＜0
f)
DS
)
场效应管 绝缘栅型 增 耗强 尽型 型PPNN沟 沟 沟 沟道 道 道 道uu((((GGGGGG＞ SSSSDDuuuu极 极 (th)uuu性 性 GGGSuSS(((Gtoo＜ Shff任 任 )， ff))) 00意 意 u， D， ＜ S ， ， uGGGGuDDSS0((oouuff)ffuu)) GG
uGS=0时就存在 导电沟道
小到一定 值才夹断
加正离子
耗尽型MOS管在 uGS＞0、 uGS ＜0、 uGS ＝0时均可导 通，且与结型场效应管不同，由于SiO2绝缘层的存在，在 uGS＞0时仍保持g-s间电阻非常大的特点。
第3章场效应管及其放大电路课件资料教程
3.1.1 N沟道增强型MOS 管
由上图可以得出结论:
（1）UGS对沟道的影响
UGS＝0时，导电沟道不存在， ID=0 ；
UGS＜ UT时，导电沟道不存在， ID=0；
UGS≥ UT时，导电沟道存在， ID≠0；
2020/4/17
3.1.1 N沟道增强型MOS 管
（2）ID与UGS、UDS之间的关系 在满足UGS≥UT，且UGS为某一固定
3.6 本章小结
二、场效应管的特性曲线
确定静态一般可采用两种方法： 图解法和估算法。 （1）图解法
思路：ID与UGS是线性关系，通过 作图求出Q点坐标值（UGSQ，IDQ）， 然后再列出输出回路的电压方程：
UDSQ=VCC－IDQ（Rd+Rs）
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3.5.1 场效应管的直流偏置电 路及静态工作点
具体步骤：
2020/4/17
一、检测
由于绝缘栅型（MOS）场效应管输入 电阻很高，不宜用万用表测量，必须用测 试仪测量，而且测试仪必须良好接地，测 试结束后应先短接各电极放电，已防外来 感应电势将栅极击穿。
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3.4.2 场效应管的检测及 使用注意事项
二、使用注意事项 （1）在MOS管中，有的产品将衬底引
出，这种管子有4个管脚，应注意衬底 的使用。 （2）注意MOS管的漏极和源极是否可 互换使用。 （3）存放时应将各电极引线短接。
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第3章 场效应管放大电路
本章主要内容： • 3.1 绝缘栅场效应管 • 3.2 结型场效应管 • 3.3 场效应管的比较 • 3.4 场效应管的主要参数及使用注
意事项 • 3.5 场效应管放大电路 • 3.6 本章小结
模拟电子技术电子教案第三章场效应管及其放大电路教案
3.场效应管及其放大电路【重点】导电沟道概念、场效应管的外特性及使用。
【难点】场效应管的外特性。
3.1 绝缘栅型场效应管（MOS 管）3.1.1 绝缘栅型场效应管（M OS 管）的结构与工作原理场效应管是利用电场效应控制载流子运动的电压控制器件， 1.N 沟道M OS 管的结构增强型和耗尽型的区别是，在栅源偏压为零时，增强型漏、源之间只是两个反向串联的PN 结，没有导电沟道；而耗尽型利用扩散或感应的方法在漏源之间预先已做出沟道。
2.N 沟道增强型MOS 管的工作原理 开始形成反型层的UGS 称为开启电压，用UGS （th ）表示。
这种MOS 管是一个受栅极电压U GS控制的器件，当U GS ＜UGS （th ）时，漏源之间不可能导通，I D =0，只有UGS ＞UGS （th ）时，随栅极电位的变化I D 亦随之变化，这就是N 沟道增强型MOS 管的栅极控制作用。
3.N 沟道增强型MOS 管的特性曲线（1）输出特性。
增强型场效应管的输出特性是指U GS 为常数时I D 随UDS 变化的特性，输出特性曲线可以分成三个区。
夹断区：UGS ＜UGS （th ），I D ≈0，即曲线中UGS =UGS （th ）以下的区域。
可变电阻区：UGS ≥UGS （th ），UDS 较小。
在图中即靠近纵坐标轴的区域。
该区域I D 与UDS 近似线性关系，这时D 、S 之间可以看成是一个由UGS 控制的可变电阻。
恒流区：U GS ＞UGS （th ）且UDS较大，I D 只受到U GS控制，与UDS无关，这时，D ，S 之间可以看成是受UGS 控制的电流源。
管子工作在该区可用于放大。
（2）转移特性。
U DS 为常数时，漏极电流I D 和栅源电压UGS 之间的关系曲线称为转移特性曲线。
如图所示。
a .增强型图3-1 N 沟道绝缘栅场效应管结构及符号DGDGb .耗尽型I D =I DO 2GS(th)GS 1）（-U U 4.N 沟道耗尽型MOS 管的工作原理及特性曲线 当UGS ＞0时，沟道加宽，I D 增大；UGS ＜0时，沟道变窄，I D 减小；UGS =UGS （off ）时（夹断电压），沟道消失，I D =0。
模拟电子技术教案基本放大电路
《模拟电子技术》电子教案授课教案课程：模拟电子技术任课教师：教研室主任：课号：５课题：第二章基本放大电路 2.1 简单交流放大电路教学目的：（1）熟练掌握基本放大电路的组成，工作原理及作用。
（2）重点掌握静态工作点的建立条件、作用教学内容：放大的概念，共射电压放大器及偏置电路，放大电路的技术指标和基本分析方法教学重点：基本放大电路的组成、工作原理教学难点：放大过程中交直流的叠加教学时数：2学时课前提问及复习：结型场效应管、绝缘栅型场效应管的构造原理和特性参数新课导入：放大的概念，应用场合以及放大电路。
新课介绍：第二章基本放大电路2．1 概述2.1.1 放大的概念放大对象：主要放大微弱、变化的信号（交流小信号），使V或I、P得到放大！OOO放大实质：能量的控制和转换，三极管——换能器。
基本特征：功率放大。
有源元件：能够控制能量的元件。
放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。
2.1.2 放大电路的性能指标为了反映放大电路的各方面的性能，引出如下主要性能指标。
、放大倍数1输出量与输入量之比，根据输入量为电流、电压和输出量为电流、电压的不同，可以得到四种放大倍数。
2、输入电阻为从放大电路输入端看进去的等效电阻，输入电阻Ri Ri=Ui/Ii。
和输入电流有效值Ii之比，即定义为输入电压有效值Ui 、输出电阻3任何的放大电路的输出都可以等效成一个有内阻的电压源，从放大电路输出端看进去的等效。
内阻称为输出电阻Ro 、通频带4 通频带用于衡量放大电路对不同频率信号的放大能力。
-f=f 上限截止频率 f 中频放大倍数下限截止频率LbwH页15共页1第章2第《模拟电子技术》电子教案5、非线性失真系数6、最大不失真输出电压定义：当输入电压再增大就会使输出波形产生非线性失真时的输出电压，用U表示。
om7、最大输出功率与效率最大输出功率P：在输出信号不失真的情况下，负载上能够获得的最大功率。
om效率η：直流电源能量的利用率。
《电子技术基础》场效应管及其放大电路ppt
共，输入信 号被加到源极和栅极之间， 通过栅极控制沟道的电阻， 从而控制源极和漏极之间的 电流，实现信号的放大。
共漏放大电路的 工作原理
在共漏放大电路中，输入信 号被加到源极和栅极之间， 通过栅极控制沟道的电阻， 从而控制源极和漏极之间的 电流，实现信号的放大
共栅放大电路的 工作原理
输出电流与输入电流之比，表示放大电路的 电流放大能力。
功率增益
带宽
输出功率与输入功率之比，表示放大电路的 功率放大能力。
可以放大信号的频率范围，表示放大电路的 频率响应能力。
场效应管放大电路性能分析的具体步骤
首先需要确定输入和输出的信号频率和幅度，以便进 行性能分析。
根据性能指标计算误差系数、噪声系数等其他参数。
影响。
场效应管放大电路的偏置设计
确定偏置电路
根据场效应管的特性，选择合适的偏置电路以获得最佳放大 效果。
调整偏置电压
根据放大电路的具体要求，调整偏置电压以实现最佳静态工 作点。
场效应管放大电路的动态参数设计
选择耦合方式
根据实际需求，选择合适的耦合方式以实现信号的稳定传输。
计算放大倍数
根据电路设计需求，计算放大倍数以满足特定的动态性能指标。
《电子技术基础》场效应 管及其放大电路ppt
xx年xx月xx日
contents
目录
• 场效应管概述 • 场效应管放大电路基础 • 场效应管放大电路设计 • 场效应管放大电路的SPICE实现 • 场效应管放大电路性能分析 • 场效应管及其放大电路应用实例
01
场效应管概述
场效应管定义
场效应管是一种电压控制型半导体器件，利用电场效应来控 制半导体中的电流。
在共栅放大电路中，输入信 号被加到栅极和源极之间， 通过栅极控制沟道的电阻， 从而控制源极和漏极之间的 电流，实现信号的放大
电子技术基础课件 第五章 场效应管及其基本放大电路讲解
? VG
? VS
?
? RG 2
? ?
RG
1
?
RG 2
VDD ? VSS
? ? VSS ? ?
?
RI D ? VSS
当NMOS 管工作在饱和区
? ? I D ? Kn VGS ? VT 2
Rd
VDS ? ?VDD ? VSS ?? I D ?Rd ? R?
R g1
在MOS 管中接入源极 电阻，也具有稳定静 态工作点的作用
第5章 场效应三极管及其放大电路
赵宏安
场效应管
场效应管利用电场效应来控制其电流的大小。只有电子或 空穴导电，为单极型器件。输入阻抗高，温度稳定性好 结型场效应管JFET Junction Type Field Effect Transistor
绝缘栅型场效应管MOSFET Metal-Oxide-Semiconductor type Field Effect Transistor ，制造工艺成熟，用于高密度的VLSI 电路和大容量的可编程器件或存储器
1 λiD
2. 低频互导gm
互导反映了vGS 对iD 的控制能力，
gm ?
? iD ? vGS
V DS
相当于转移特性曲线上工作点的 斜率。单位是mS或? S
十分之几至几mS，互导随管子工作点不同而变
N沟道EMOSFET
iD ? Kn (vGS ? VT )2
gm ? 2Kn (vGS ? VT ) ? 2 Kn iD
vGD= vGS –vDS=VT
原点附近输出电阻
可变电阻区 vDS? VGS-VT
饱和区 vDS? VGS-VT
5V
vGS >V T
4V
场效应管及其基本放大电路PPT学习教案
增强型 耗尽型
N沟道(uGS＞0，uDS＞0) P沟道(uGS＜0，uDS＜0) N沟道(uGS极性任意， uDS＞0) P沟道(uGS极性任意， uDS＜0)
uGS=0可工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＞0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？ uGS＜0才可能工作在恒流区的场效应管有哪几种？
uGS>UGS(th) ， uGD<UGS(th)
④ 击穿区：
当UDS大于击穿电压时，栅 —漏耗尽层被破坏，价电 子被大量激发，iD大增。
第13页/共57页
（2）转移特性曲线： iD f (uGS ) UDS
G +
uGS
-
iD
D +
uDS
-
S
iS
iD /mA
4 3
UDS = 10 V
2
1 UGS (th) 开启电压
iD
D +
uDS
G
当|UGS|增加时， 导电沟道均匀变窄， 沟道电阻增加。
当UGS<UGS(off)时， 导电沟道消失， 沟道电阻→∞。
+
-uGSS来自iS-沟道宽 度
UGS(OFF)
0 UG
S
UGS(off)—夹断电压。对于N沟道， UGS(off)<0
第5页/共57页
2） uDS 对沟道的控制作用 设uGS 0，uDS > 0， uGD = uGS - uDS
UGD<UGS(th) , UGD<UGS(off) D端夹断
可变阻区 UGS>UGS(th) , UGS>UGS(off) S端开启
UGD>UGS(th) , UGD>UGS(off) D端开启
场效应管基本放大电路高级教学
gm
2 U GS (th)
I DO I DQ
RG g
d
•
gm U gs
•
•
Ui
U gs
Rd
•
UO
2 10 2.5 2.5mA/V _ 4
_S
_
•
Au gmRd 2.5 3 7.5
Ro Rd 3K
精编课件
31
３、基本共漏放大电路的动态分析
（１）、估算静态工作点：
+VDD
ＶＧＧ＝ＵＧＳＱ＋ＩＤＱＲＳ
精编课件
38
四、布置作业
１、Ｐ１４３ ２.１６
UGS(th)=2V IDO=4mA代替图(b)
２、预习：２. ７ ２．８
精编课件
39
精编课件
40
Ro
Rs
//
1 gm
交流等效电路
RG
g
•
U
gs
S
_
•
•
Ui
gm U gs
Rs
•
UO
_
d
_
•
Rg
_
•
UO
IO
g
S
•
I RS
•
gm UO
Rs
d
•
UO
_
精编课件
35
例2.6.2
解：（１）、首先求出gm：
+VDD
gm
2 U GS (th)
I DO I DQ
2
Rg
T
u1_
Rs
VGG
u
_
O
8 2.5 2.98mS
uO
_
G u gs
id D
模电第三章 场效应管放大电路课件
场效应管放大电路
② 可变电阻区 vDS≤（vGS－VT） （
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
由于v 较小， 由于 DS较小，可近似为
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x” ，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
V-I 特性： 特性：
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。 无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
无法显示图像。计算机可能没有足够的内存以打开该图像，也可能是该图像已损坏。请重新启动计算机，然后重新打开该文件。如果仍然显示红色 “x”，则可能需要删除该图像，然后重新将其插入。
FET 场效应管
耗尽型D 耗尽型 N沟道 沟道 P沟道 沟道
（耗尽型） 耗尽型）
增强型：场效应管没有加偏置电压时， 增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时， 耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在
场效应管放大电路
场效应管放大电路介绍课件
⑦ 输出电阻rd：
rd
vDS iD
VG S
12
4.3 金属-氧化物-半导体场效应管
FET 场效应管
JFET 结型
MOSFET 绝缘栅型
N沟道 （耗尽型）
P沟道 N沟道
增强型 P沟道
N沟道 耗尽型
P沟道
13
4.3.1 N沟道增强型MOSFET
1. 结构
14
4.1.1 N沟道增强型MOSFET
2. 工作原理 s 二氧化硅
d
d
d
P+
P+
P+
P+
P+
P+
g
g
g
N
N
N
s
s
s
8
2. 工作原理 ③ VGS和VDS同时作用时
9
4.1.1 JFET的结构和工作原理 综上分析可知
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因此 iG0，输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 • 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；
反偏的PN结 —— 反偏电压控制耗尽层
栅极G(g)
源极S(s)
6
4.1.1 JFET的结构和工作原理
2. 工作原理 ① VGS对沟道的控制作用
② VDS对沟道的影响
• VGS=0
• VGS＜0 (反偏)
• VGS= VP
|VGS | 增加 耗尽层加厚 沟道变窄 沟道电阻增大
全夹断（夹断电压）
耗尽层 d
Rc
CC：Re
//
(
Rs
// Rb )
1
rbe
CB：
中职电子线路教案：场效应管
中等专业学校2024-2025-1教案编号：备课组别电子课程名称《电子线路》所在年级主备教师授课教师授课系部授课班级授课日期课题 2.2 场效应管教学目标1．了解MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数重点MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数难点MOS管的工作原理、特性曲线和主要参数教法理实一体化教学设备教学平台、虚拟实验室、实验室教学环节教学活动内容及组织过程个案补充教学内容2.2 场效应管场效应管：是利用输入电压产生的电场效应控制输出电流的电压控制型器件。
特点：管子内部只有一种载流子参与导电，称为单极型晶体三极管。
2.2.1 结型场效应管一、结构和符号N沟道结型场效应管的结构、符号如图所示P沟道结型场效应管如图所示。
教学内容3特点：由两个PN结和一个导电沟道所组成。
三个电极分别为源极S、漏极D和栅极G。
漏极和源极具有互换性。
工作条件：两个PN结加反向电压。
二、工作原理动画结型场效应管的工作原理以N沟道结型场效应管为例，原理电路如图所示。
工作原理如下：DS>G；0GS<G。
在漏源电压DSV不变条件下，改变栅源电压GSV，通过PN结的变化，控制沟道宽窄，即沟道电阻的大小，从而控制漏极电流DI。
结论：1．结型场效应管是一个电压控制电流的电压控制型器件。
2．输入电阻很大。
一般可达107-108Ω。
三、结型场效应管的特性曲线和跨导教学内容21．转移特性曲线反映栅源电压GSV对漏极电流D I的控制作用。
如图所示，若漏源电压一定：当栅源电压0GS=V时，漏极电流DSSDII=，DSSI称为饱和漏极电流；当栅源电压GSV向负值方向变化时，漏极电流D I逐渐减小；当栅源电压PGSVV=时，漏极电流0D=I，P V称为夹断电压。
2．输出特性曲线表示在栅源电压一定条件下，漏极电流与漏源电压之间的关系。
如图所示。
(1) 可调电阻区(图中Ⅰ区)GSV不变时，D I随DSV作线性变化，漏源间呈现电阻性；栅源电压GSV越负，输出特性越陡，漏源间的电阻越大。
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IEQ(1)IBQ
UCE QVCCIEQ Re
３、动态分析
（１）、等效电路
（２）、电压放大倍数
AuRb（ 1rbe(） 1Re )Re
（３）、输入电阻
R iR brb e(1)R e
（４）、输出电阻
Ro
Re
//rbeRb 1β
RL Re//RL
４、实用电路
RB
ＶＧＧ>ＵＧＳ(th)
ＶＤＤ的作用：
Rg u 1_
VGG
+VDD Rd
T
uO
_
图解法分析静态工作点
令：U• i 0
ＵＧＳＱ＝ＶＧＧ
负载线为：
VDD/RD
uＤＳ＝ＶＤＤ－iＤＲd
2
iD IDOUuGGS(Sth) 1 IDQIDOUVGGS(Gth) 12
IDQ 0
ＵＤＳＱ＝ＶＤＤ－ＩＤＱＲd
射极输出器
C1
ui
RE
+VCC C2 RL uo
（三）、共基极放大电路
１、电路的组成
基本共基极放大电路
２、静态分析
IEQ
VBBUBEQ Re
I BQ
I EQ
1
U CE U Q C Q U E Q V C C IC R Q C U BEQ
３、动态分析
•
•
Au
Uo
•
Ui
•
•
I C RC
•
IDOIDQ
RG g
３、共基电路，电流跟随器。
只能放大电压不能放大电流， 输入电阻小，频率特性好
（五）、作业讲解：Ｐ141 2.12
解：（1） 、静态分析：
IBQRV bC (C 1 UB)E RQ e 3.23μ2A KΩ
RS
IEQ (1)IBQ 2.6m 1 Au_S
200KΩ
Rb C1
uI
RE
_
3KΩ
++1V5VCC
iD/mA Q
UDSQ
UGS=VGG
u DS/V VDD
２、自给偏压电路
（１）、工作原理
ＵＧＳ＝ＵＧ－ＵＳ＝－ＩＤＲＳ
（２）、静态工作点的估算
ID
UGS IDRS IDSS(1UUGSG(oSff)
)2
＋ . U
i
－
C1 G
RG
ＵＤＳ＝ＶＤＤ－ＩＤ（Ｒd＋ＲＳ）
RD C2 D
V ID
S
＋ U DD
–
+
Re
A u rb(e 1 (1)R ()eR (∥ e∥ RLR )L)0.992
•
Ii
输出电阻：
•
RB
Ui
•
IbB C
rbe E
+VCC
+C2
+
RL
uo –
•
Ic
•
Ib
RoRe∥ Rs∥ 1 Rb rbe3 7
Re
RL
•
Uo
２.６ 场效应管放大电路
（一）、场效应管放大电路的三种接法 （二）、静态及分析估算 （三）、动态分析
VGG
+VDD Rd
T
uO
_
G
u gs
id D
g m u gs
u ds
S
RG g
d
•
g m U gs
•
•
Ui
U gs
Rd
•
UO
_
_S
_
动态分析
交流等效电路
•
•
•
Au
Uo
•
I d Rd
•
Ui
U gs
RG g
d
•
g m U gs
•
•
Au
gm
U
•
gs
Rd
gmRd
•
Ui
_
•
U gs
Rd
•
UO
_S
_
U gs
IDOIDQ
交流等效模型
id
D
G
u gs
u ds
S
G
u gs
S
D
id
g m u gs
u ds
rds
I•DgmU• gsr1ds•U• ds
场效应管的交流等效模型（微变等效电路）
压控电流源
G
•
•
I D gmUgs
id
D
u gs
g m u gs
u ds
S
２、基本共源放大电路的动态分析
Rg u 1_
（一）、场效应管放大电路的三种接法
g _•
Ui
d
s Rd RL
•
UO
_
gs
•
U_i
_ d
Rs RL
•
UO
•
U_i
sd
g Rd
RL
•
UO
_
(a)
共源放大电路
(b)
共漏放大电路
(c)
共栅放大电路
（二）、静态及分析估算
１、基本共源放大电路 ２、自给偏压电路 ３、分压式偏置电路
１、基本共源放大电路
Ｎ沟道增强型ＭＯＳ管
（三）、动态分析
１、场效应管的低频小信号等效模型 ２、基本共源放大电路的动态分析 ３、基本共漏放大电路的动态分析
１、场效应管的低频小信号等效模型
iDfuG,S uDS
dD iuiG DSUDSdG uiD
uGS
U DS
gm
iD
1
uDS UGS rds
G
u gs
场效应管基本放大电路
（一）、放大电路的三种基本接法
iB b 输入 回路
iC c
输出 回路
e (a)
iB b
iE
e
iE
e
iC c
c
b
(b)
(c)
(a)共发射极；(b)共集电极；(c)共基极
（二）、共集放大电路
１、电路的组成
基本共集放大电路
２、静态分析
VBB=IBQRb+UBEQ+IEQRe
=IBQRb+UBEQ+(1+β)IBQRe
C2
RL u O
_
U CE Q V C CIER Q e7.1V 7
（２）、当ＲL＝∞时：
Ri Rb∥[rbe(1)Re]11k0 Rb
A u rbe( 1(1)R)eRe 0.996 RS R （i ３R）b∥ 、[r当be Ｒ(1L ＝3)kR (Ωe∥ 时R ：L)]7k 6 us+–
C1 + ui
I b rbe I e Re
•
Au
βRe
rbe(1β)Re
•
Ri
Ui
•
Ii
•
•
Ib
rbe
•
Ie
Re
Ie
Re
rbe 1 β
Ro RC
（四）、三种接法的比较
１、共射电路，反相电压放大器。
既能放大电流又能放大电压， 输出电阻较大，频带较窄。
２、共集电路，电压跟随器。
只能放大电流不能放大电压， 输入电阻最大，输出电阻最小
•
•
1•
Id gmUgsrds•Uds
id
u ds
S
从特性曲线求gm的rds
iD=gmuGS+b
转移特性曲线
输出特性曲线
gm的表达式：
gmuiG DSUDSU 2G ID (SthO ) UuGG(StSh)
1
UDS
2 UGS(th)
IDOiD
在小信号作用时，可用ＩＤＱ来近似iD，得出：
gm
2 UGS(th)
•
Ri
Ui
•
Ii
Ro Rd
例2.6.1
解：（１）、估算静态工作点：
ＵＧＳ＝ＶＧＧ＝６Ｖ
2
IDQIDOUVGGS(Gth) 1
Rg u I_
10612 2.5mA
VGG
4
+VDD Rd
T
uO
_
UDS QVDD IDR Qd 1 2 2 .5 3 4 .5 V
（２）、估算动态参数
gm
2 UGS(th)
＋ . Uo RL
RS
CS
－
３、分压式偏置电路
适用于各种类型 场效应管放大电路
UG
Rg1 Rg1 Rg2
•VDD
Rg2 150K
C1 Rg3
ui Rg1
1M 50K
Rd D
G S
RS 10K
+VDD=+20V 10K C2
10K RL
uo
CS
U G SU GU SRg1R g1 Rg2•VDD IDRS