电极的欧姆接触

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欧姆接触1. 简介在电工学中,欧姆接触是指两个电极之间的电阻性接触。

当两个电极之间存在欧姆接触时,电流可以通过接触点自由地流动。

欧姆接触是电路中常见的一种接触方式,它对于电子设备和电路的正常运行至关重要。

2. 欧姆定律根据欧姆定律,电流(I)通过两个电极之间的接触点时,与电压(V)和电阻(R)之间的关系可以用以下公式表示:I = V / R在欧姆接触中,电阻通常是一个固定的值。

根据欧姆定律,当电压增加时,电流也会相应地增加,反之亦然。

3. 欧姆接触的特性欧姆接触有以下几个特性:3.1 电阻稳定性在一段时间内,欧姆接触的电阻通常是一个固定的数值。

这意味着,当电压或电流发生变化时,电阻不会随之改变。

这种稳定性对于电子设备的正常运行非常重要,因为它确保了电流在电路中的可控性。

3.2 最小接触阻力欧姆接触的另一个特性是具有较低的接触阻力。

接触阻力是电流在接触点处经过的阻力,如果接触阻力较高,会导致能量损失和电流流动的不畅。

欧姆接触的最小接触阻力确保了电流的稳定流动,减少能量损失。

3.3 触点间面积欧姆接触的稳定性和接触阻力也与触点间的接触面积有关。

较大的接触面积通常意味着更稳定的接触和较低的接触阻力。

因此,在设计电路时,应尽量选择较大的触点面积,以确保良好的欧姆接触。

4. 欧姆接触的应用欧姆接触在许多电子设备和电路中都有重要的应用。

以下是一些常见的应用案例:4.1 开关和继电器在开关和继电器中,欧姆接触被用于确保电流可以通过触点自由地流动。

当开关或继电器处于闭合状态时,触点之间形成欧姆接触,电流可以通过触点流过。

这样,开关或继电器就能够控制电流的通断,实现电路的开关功能。

4.2 电子器件连接欧姆接触也被用于连接电子器件。

例如,在电路板上,元件之间通过焊接或插座连接。

这些连接点处的欧姆接触确保了电流能够稳定地从一个器件流向另一个器件,从而实现电路的正常运行。

4.3 传感器应用在许多传感器应用中,欧姆接触被用于确保信号的传输和接收。

led中的欧姆接触

led中的欧姆接触

led中的欧姆接触标题:LED中的欧姆接触:原理与优化一、引言欧姆接触是电子学中的重要概念,它描述了两个金属之间的接触电阻,对于电流的传输和分布有着决定性的影响。

在LED(发光二极管)制造中,欧姆接触的设计与优化更是关键因素之一,直接关系到LED的性能和可靠性。

本文将探讨LED中的欧姆接触原理以及优化方法。

二、欧姆接触原理欧姆接触是指两个金属之间的接触电阻,其电阻值与施加在其上的电压成正比,即满足欧姆定律。

在LED中,欧姆接触通常发生在半导体材料与金属电极之间,用于将电流注入或抽出半导体发光层。

影响欧姆接触性能的主要因素包括金属与半导体的功函数差、接触面积、界面条件以及半导体的掺杂浓度等。

为了实现良好的欧姆接触,通常需要满足以下条件:1. 金属与半导体的功函数相近,以减少界面处的能量势垒;2. 接触面积足够大,以降低单位面积的电阻;3. 界面条件良好,无界面污染或氧化层;4. 半导体掺杂浓度适中,过高或过低都会影响欧姆接触性能。

三、欧姆接触优化为了提高LED的性能和可靠性,需要对欧姆接触进行优化。

以下是一些常见的优化方法:1. 选择合适的金属材料:根据半导体的材料类型和掺杂浓度,选择与半导体功函数相近的金属材料,以减少能量势垒。

2. 增加接触面积:通过改变电极形状或引入微结构,增加金属与半导体的接触面积,从而降低单位面积的电阻。

3. 改善界面条件:通过表面处理或界面层技术,消除界面污染或氧化层,提高界面质量。

4. 优化半导体掺杂:通过控制半导体材料的掺杂浓度和分布,优化载流子输运和分布,提高欧姆接触性能。

5. 采用多层金属结构:通过在电极中引入多层金属结构,可以优化电流分布和提高欧姆接触性能。

四、结论欧姆接触是LED制造中的关键技术之一,对于提高LED性能和可靠性具有重要意义。

了解欧姆接触原理及优化方法,对于设计和制造高性能、高可靠性的LED产品具有重要的指导意义。

随着科技的不断发展,对欧姆接触的研究和应用将更加深入和广泛。

欧姆接触 锌负极

欧姆接触 锌负极

欧姆接触锌负极引言在电学中,欧姆接触是指当电流通过两个接触体之间的接触面时,接触面上的电阻发生变化的现象。

本文将围绕欧姆接触中的一种特殊情况——锌负极进行探讨。

什么是锌负极锌负极是电池中常见的负极材料之一,常用于锌-空气电池、锌-银电池等电池系统。

锌负极具有较低的电极电位、较高的比能量等优势。

由于锌在电池放电过程中会溶解,锌负极被广泛应用于一次性电池和锌-空气电池等需要经济、可拆卸和高能量密度的应用中。

锌负极的特性1.锌负极具有较高的反应活性,能够释放出较多的电子并支持电池正常工作。

2.锌负极由于活性较高,容易与其他物质发生反应,导致电池容量降低。

3.锌负极的电位较低,能够提供一定的电流输出。

锌负极的结构锌负极通常由纯锌和其他添加剂组成。

纯锌是主要的负极材料,添加剂则用于提高电极的性能和稳定性。

常见的添加剂包括氯化铵和氯化聚丙烯等。

欧姆接触中的锌负极在电池工作期间,锌负极与其他电池部件之间形成欧姆接触。

欧姆接触是指电流沿接触面通过的现象。

锌负极在欧姆接触中起到重要作用,它影响着电池的性能和稳定性。

欧姆接触对电池性能的影响1.提供电流传导路径:欧姆接触确保了电流在不同电池部件之间的有效传输,使电池能够正常工作。

2.影响电池寿命:欧姆接触中的电阻会导致能量损失和热量产生,从而缩短电池的使用寿命。

3.决定电池效率:欧姆接触的良好质量可以减少电池内部电阻,提高电池效率。

锌负极在欧姆接触中的问题及解决方案锌负极在欧姆接触中常常面临以下问题,但也有相应的解决方案:问题1:氧化层形成锌负极在正常工作过程中容易形成氧化层,导致电阻增加,影响电池性能。

解决方案:1.表面处理:采用特殊的表面处理方法,如磷酸处理、钝化处理等,可以有效防止氧化层形成。

2.添加剂优化:通过添加适量的添加剂,可以减小氧化层的形成并提高电极表面的导电性。

问题2:接触不良锌负极与其他电池部件接触不良会导致欧姆接触质量下降,影响电流传输。

解决方案:1.设计优化:优化电池结构,确保锌负极与其他部件之间的良好接触。

为p型si半导体设计欧姆接触

为p型si半导体设计欧姆接触

为p型si半导体设计欧姆接触欧姆接触是一种电子学现象,是指当两个电极之间的接触电阻随着加入的电压增大而变小。

在半导体器件制造中,欧姆接触被广泛应用于p型和n型半导体器件的电极制作中。

本文将针对p型Si半导体的欧姆接触设计进行详细探讨。

1. 欧姆接触原理欧姆接触的原理可以通过欧姆定律来解释。

欧姆定律是指电流$I$与电压$V$之间的关系,即$I=V/R$,其中$R$为电阻。

在欧姆接触中,当两个接触金属与半导体接触时,接触电阻$R$会随着电压的升高而减小,这是因为当电压升高时,电子在金属外壳中的热运动增强,进一步促进更多电子从半导体向金属流动,从而导致接触电阻降低。

2. p型Si半导体欧姆接触设计在p型Si半导体的欧姆接触设计中,我们需要考虑以下因素:2.1 金属材料的选择选择合适的金属材料是欧姆接触设计中最关键的一步。

常用的金属材料包括Ti、Cr、Al和Au等。

Ti和Cr的粘附性强,可以很好地粘附到p型Si表面,并且它们的电学性能也比较适合制作欧姆接触。

而Al和Au的电学性能更优秀,但由于它们的粘附性不够强,需要在它们之上涂覆一层Ti或Cr来增强粘附力。

对于p型Si半导体的欧姆接触设计,建议选择Ti或Cr材料。

2.2 洁净度的保证在欧姆接触制作过程中,确保器件表面的洁净度是非常重要的。

因为器件表面的杂质和污染物会对接触电极的制造和性能产生很大影响。

需要在制作欧姆接触前,充分保证p型Si表面的洁净度。

2.3 接触面积的控制接触面积的大小会直接影响欧姆接触的电学特性。

一般来讲,接触面积越大,电流密度就越小,接触电阻就越小。

在设计欧姆接触时,需要合理控制接触面积,以达到最佳电学性能。

2.4 热处理的优化在欧姆接触制作过程中,热处理是一个非常重要的步骤。

热处理可以改善接触金属与p型Si之间的界面特性,促进更好的电子传输。

在制作欧姆接触时,需要对热处理的参数进行优化,以获得最佳的电学性能。

在设计p型Si半导体的欧姆接触时,需要考虑金属材料的选择、洁净度的保证、接触面积的控制以及热处理的优化等因素。

mosfet 欧姆接触

mosfet 欧姆接触

mosfet 欧姆接触
MOSFET是一种重要的半导体器件,在电子电路中有着广泛的应用。

而MOSFET的欧姆接触是指通过材料间的接触来改变器件的电学特性。

下面将为大家分步骤介绍MOSFET欧姆接触的相关知识。

第一步:了解欧姆接触的概念
欧姆接触也称为欧姆联系,是指通过两种不同材料之间的直接接触来形成一个电子的通道,从而改变电子流的性质的现象。

在半导体器件中,欧姆接触是用于连接不同的材料,以实现多种电学性质的重要方法。

第二步:认识MOSFET的基本构造和工作原理
MOSFET器件是由源极、漏极和栅极三部分组成。

当栅极电压变化时,会影响介质层的电场分布,从而控制了介质层下方导电层的电性能。

当栅源电压为零时,MOSFET器件处于正常工作状态,电流可以在源极和漏极之间自由穿行。

第三步:深入了解MOSFET欧姆接触
MOSFET的欧姆接触是指把金属电极电气地连接到半导体晶体管的漏极和源极上。

通过金属电极和半导体之间的接触,改变了器件的电学特性。

在欧姆接触中,电子流可以直接穿过金属电极和半导体之间的接触界面,增加了器件的导电性能。

第四步:MOSFET欧姆接触的优点
MOSFET欧姆接触的优点是可以简化电路设计,减小了器件的体积和功耗。

此外,欧姆接触还可以提高器件的负载能力和稳定性。

这使得MOSFET器件更适合用于各种高频、高压、高温等特殊场合的电子电路中。

综上所述,MOSFET的欧姆接触是一种重要的电子器件设计方法,可以用于改变器件的电学特性以满足各种设计要求。

因此,掌握MOSFET欧姆接触的相关知识对于电子工程师来说是十分重要的。

欧姆接触的原理范文

欧姆接触的原理范文

欧姆接触的原理范文欧姆接触(Ohmic contact)是指在金属和半导体之间建立一种电子通道,使得电流可以自由地从金属流向半导体或者从半导体流向金属。

它是电子器件制造中至关重要的一步,能够使得电流在金属和半导体界面上的传递更加顺畅,提高器件性能。

第一,选择合适的金属材料。

对于半导体材料而言,金属材料的工作函数、电子亲和能等因素决定了电子在金属和半导体之间的能级对齐。

金属材料的工作函数应当比半导体材料的导带底或者价带顶的能级低,以便形成电子从金属向半导体的注入。

此外,金属材料的电子迁移率也应当足够高,以便电流可以顺利地从金属向半导体或者从半导体向金属流动。

第二,建立良好的金属/半导体接触。

金属/半导体接触的质量对欧姆接触的形成和性能有重要影响。

重要的因素包括金属和半导体表面的清洁和平整度,以及金属和半导体之间的界面反应。

通常采用的方法包括表面清洗、气氛保护、增加金属/半导体接触面积、添加中间层等,以提高金属/半导体接触的质量。

第三,减小接触电阻。

金属和半导体之间的电阻主要包括接触电阻和串联电阻。

接触电阻是指金属和半导体接触面上的电流挤压效应造成的电阻,通过控制接触形貌和界面反应可以减小接触电阻;串联电阻是指金属和半导体之间的电阻,可以通过控制金属材料的选择和厚度来降低串联电阻。

欧姆接触的形成对于电子器件的性能至关重要。

在半导体器件中,欧姆接触通常用于建立电极和半导体之间的电子传输通道,如激光二极管中的电流注入区和场效应晶体管中的源漏极等。

良好的欧姆接触能够使电流快速地流过电极和半导体之间的接触界面,从而提高器件的效率和响应速度。

总之,欧姆接触是电子器件制造中至关重要的一步,能够使电流在金属和半导体界面上的传递更加顺畅。

要建立一个良好的欧姆接触,需要选择合适的金属材料、建立良好的金属/半导体接触、减小接触电阻等。

欧姆接触的形成对于电子器件的性能和功能十分重要。

欧姆接触

欧姆接触

1.1 金属-半导体接触的基本原理金属-半导体接触(金半接触)是制作半导体器件中十分重要的问题,接触情况直接影响到器件的性能。

从性质上可以将金属-半导体接触分为肖特基接触和欧姆接触。

肖特基接触的特点是接触区的电流-电压特性是非线性的,呈现出二极管的特性,因而具有整流效应,所以肖特基接触又叫整流接触。

欧姆接触的特点是不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部的平衡载流子浓度产生明显的改变。

理想的欧姆接触的接触电阻与半导体器件相比应当很小,当有电流通过时,欧姆接触上的电压降应当远小于半导体器件本身的电压降,因而这种接触不会影响器件的电流-电压特性[1]。

下面将从理论上对金属-半导体接触进行简要的分析。

1.2欧姆接触本章1.1节中提到,当金属-半导体接触的接触区的I-V曲线是线性的,并且接触电阻相对于半导体体电阻可以忽略不计时,则可被定义为欧姆接触(ohmic contact)[1]。

良好的欧姆接触并不会降低器件的性能,并且当有电流通过时产生的电压降比器件上的电压降还要小。

1.2.1欧姆接触的评价标准良好的欧姆接触的评价标准是[4]:1)接触电阻很低,以至于不会影响器件的欧姆特性,即不会影响器件I-V的线性关系。

对于器件电阻较高的情况下(例如LED器件等),可以允许有较大的接触电阻。

但是目前随着器件小型化的发展,要求的接触电阻要更小。

2)热稳定性要高,包括在器件加工过程和使用过程中的热稳定性。

在热循环的作用下,欧姆接触应该保持一个比较稳定的状态,即接触电阻的变化要小,尽可能地保持一个稳定的数值。

3)欧姆接触的表面质量要好,且金属电极的黏附强度要高。

金属在半导体中的水平扩散和垂直扩散的深度要尽可能浅,金属表面电阻也要足够低。

1.2.3欧姆接触电极的制作要点上节指出,制作欧姆接触时,可以提高掺杂浓度或降低势垒高度,或者两者并用。

这就为如何制得良好的欧姆接触提供了指导。

主要有以下方面:1)半导体衬底材料的选择掺杂浓度越高的衬底越容易形成欧姆接触。

Ti-Al-4H-SiC_MOSFET欧姆接触电极研究

Ti-Al-4H-SiC_MOSFET欧姆接触电极研究

Ti-Al-4H-SiC_MOSFET欧姆接触电极研究Ti/Al/4H-SiC MOSFET欧姆接触电极研究摘要:Ti/Al/4H-SiC MOSFET是一种新型的金属-氧化物-半导体场效应晶体管,其性能受到欧姆接触电极的影响。

本研究通过实验和分析,对Ti/Al/4H-SiC MOSFET的欧姆接触电极进行了研究。

关键词:Ti/Al/4H-SiC MOSFET,欧姆接触电极,半导体材料,性能引言金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)是现代电子器件中最重要的一种。

其中,SiC材料由于其优异的热稳定性、高电子迁移率和较高崩溃电压而成为一种理想的半导体材料。

Ti/Al/4H-SiC MOSFET是一种新型的MOSFET结构,其性能受到欧姆接触电极的影响。

实验方法本研究选取了一批Ti/Al/4H-SiC MOSFET样品进行实验研究。

首先,将样品进行清洗和表面处理,以确保表面的纯净度和光滑度。

然后,在样品上制备欧姆接触电极,使用电子束蒸发法在Ti/Al/4H-SiC MOSFET的源极和漏极处制备金属电极。

最后,通过电学测试,测量欧姆接触电极的电阻和导通特性。

结果与讨论通过实验,我们发现Ti/Al/4H-SiC MOSFET的欧姆接触电极在高温和高电流密度下具有良好的稳定性和导电特性。

这是由于Ti和Al金属与4H-SiC材料之间的较低接触电阻和较高的热稳定性。

此外,我们还发现了一些影响欧姆接触电极性能的因素,如金属薄膜的厚度、沉积温度和退火温度等。

通过合理选择这些参数,可以进一步优化Ti/Al/4H-SiC MOSFET的性能。

结论本研究通过实验和分析,对Ti/Al/4H-SiC MOSFET的欧姆接触电极进行了研究。

结果表明,Ti/Al/4H-SiC MOSFET的欧姆接触电极具有良好的导电特性和稳定性。

这为进一步优化Ti/Al/4H-SiC MOSFET的性能提供了重要的参考和指导。

尽管本研究取得了一些进展,但仍然存在一些问题需要进一步解决。

低阻硅和金电极欧姆接触

低阻硅和金电极欧姆接触

低阻硅和金电极欧姆接触摘要:1.引言2.低阻硅和金电极欧姆接触的定义和原理3.低阻硅和金电极欧姆接触的应用领域4.低阻硅和金电极欧姆接触的优缺点5.结论正文:【引言】在电子元器件和电子设备中,连接电极和半导体材料的接触电阻对整体性能有着至关重要的影响。

低阻硅和金电极欧姆接触作为一种常见的半导体接触方式,具有较低的接触电阻,可以有效提高电子设备的工作效率和稳定性。

本文将对低阻硅和金电极欧姆接触进行详细介绍。

【低阻硅和金电极欧姆接触的定义和原理】低阻硅和金电极欧姆接触是指在半导体硅片上通过特殊工艺形成一层金薄膜,从而实现硅和金之间的欧姆接触。

具体来说,这种接触方式是在硅片的表面沉积一层金薄膜,然后通过热处理使金薄膜与硅片形成良好的欧姆接触。

这种接触方式具有较低的接触电阻,可以降低电子设备的功耗和提高其工作稳定性。

【低阻硅和金电极欧姆接触的应用领域】低阻硅和金电极欧姆接触广泛应用于各种半导体器件和电子设备中,如二极管、晶体管、场效应管等。

此外,这种接触方式还广泛应用于光电子器件、微波通信器件以及微电子机械系统(MEMS)等领域。

【低阻硅和金电极欧姆接触的优缺点】低阻硅和金电极欧姆接触具有以下优点:1.较低的接触电阻,可以提高电子设备的工作效率和稳定性;2.良好的热稳定性,可以在高温环境下保持良好的接触性能;3.良好的抗氧化性,可以有效抵抗环境中的氧化物质,延长器件使用寿命;4.制造工艺成熟,易于实现大规模生产。

然而,低阻硅和金电极欧姆接触也存在一些缺点:1.成本较高,金材料价格较高,导致制造成本上升;2.硬度较低,容易受到机械损伤。

【结论】低阻硅和金电极欧姆接触作为一种常见的半导体接触方式,具有较低的接触电阻和良好的性能,广泛应用于各种半导体器件和电子设备中。

低阻硅和金电极欧姆接触

低阻硅和金电极欧姆接触

低阻硅和金电极欧姆接触摘要:一、引言二、低阻硅概述1.定义2.性质与应用三、金电极欧姆接触概述1.定义2.原理四、低阻硅与金电极欧姆接触的实现1.接触方式2.接触机制3.优缺点五、应用领域六、展望与总结正文:一、引言随着现代电子技术的飞速发展,低阻硅和金电极欧姆接触的研究与应用越来越受到关注。

本文将对低阻硅和金电极欧姆接触进行详细阐述,以期为相关领域的研究和应用提供参考。

二、低阻硅概述低阻硅是指具有较低电阻率的硅材料。

电阻率是衡量材料导电性能的重要指标,低阻硅意味着材料内部的电子迁移能力强,导电性能好。

2.性质与应用低阻硅具有优良的导电性能、热稳定性和化学稳定性。

在电子器件制造领域,低阻硅材料广泛应用于集成电路、场效应晶体管、金属氧化物半导体等领域。

三、金电极欧姆接触概述1.定义金电极欧姆接触是指在金电极与半导体材料之间形成的一种良好的电接触状态,使得电流能够在金电极与半导体之间顺畅地流动。

2.原理金电极欧姆接触的实现主要依赖于金属与半导体之间的功函数差异。

金属的功函数较低,而半导体的功函数较高,当两者接触时,电子从金属流向半导体,形成欧姆接触。

四、低阻硅与金电极欧姆接触的实现1.接触方式低阻硅与金电极欧姆接触可以通过以下方式实现:在低阻硅表面制备金电极,并通过适当的工艺手段使金电极与低阻硅形成良好的接触。

2.接触机制低阻硅与金电极欧姆接触的机制主要包括:金属与半导体之间的功函数匹配、金属表面氧化层的破坏、金属与半导体之间的原子扩散等。

优点:低阻硅与金电极欧姆接触具有良好的导电性能、稳定性、耐腐蚀性等;缺点:制备过程相对复杂,对环境条件要求较高,接触电阻可能随时间推移而变化。

五、应用领域低阻硅与金电极欧姆接触在电子器件、太阳能电池、发光二极管等领域具有广泛的应用前景。

六、展望与总结随着科技的不断发展,低阻硅和金电极欧姆接触的研究将越来越深入。

在未来,通过优化制备工艺和材料选择,降低接触电阻,提高稳定性,低阻硅与金电极欧姆接触将在更多领域发挥重要作用。

欧姆接触 锌负极

欧姆接触 锌负极

欧姆接触锌负极欧姆接触什么是欧姆接触?欧姆接触指的是两个导体之间的电阻力量,这种力量会导致电流通过导体时产生能量损失。

在电路中,欧姆接触通常是不可避免的,但可以尽可能地减少它们的影响。

为什么要避免欧姆接触?欧姆接触会导致能量损失,这意味着电路中的电流和电压会降低。

这不仅会降低系统的效率和性能,还可能导致设备过热和故障。

此外,欧姆接触还可能引起火灾等安全问题。

如何减少欧姆接触?减少欧姆接触的方法包括:1.使用高质量的导体和连接器:优质材料和制造工艺可以减少连接器中的电阻。

2.紧固连接器:确保连接器紧固并且没有松动可以减少连接器中的空气间隙和氧化物。

3.使用合适大小的导线:使用足够大的导线可以降低电阻并提高效率。

4.保持干燥清洁:避免水分、灰尘和其他污染物进入连接器中,这些污染物可能会导致氧化和腐蚀。

5.使用防腐涂层:在连接器表面使用防腐涂层可以减少氧化和腐蚀。

6.定期检查和维护:定期检查电路连接器并进行必要的维护可以确保它们保持良好状态,避免故障和安全问题。

锌负极什么是锌负极?锌负极指的是电池中的一个部分,它通常由锌金属制成。

在电池工作时,锌负极会释放出电子,产生电流。

为什么要使用锌负极?使用锌负极有以下优点:1.高能量密度:相对于其他材料,锌具有更高的能量密度,这意味着它可以储存更多的能量。

2.低成本:相对于其他材料,锌的成本较低。

3.易于加工:锌易于加工成各种形状和大小,适用于不同类型的电池。

4.环保:与其他材料相比,锌是一种环保的材料,在废弃后易于回收利用。

5.长寿命:锌负极具有较长的寿命,可以提高电池的使用寿命和性能。

如何维护锌负极?维护锌负极的方法包括:1.避免过度放电:过度放电会加速锌负极的腐蚀和损坏。

2.保持干燥:湿度和水分可能会导致锌负极氧化和腐蚀。

3.避免高温:高温可能会加速锌负极的腐蚀和损坏。

4.定期检查和更换:定期检查电池中的锌负极并进行必要的更换可以确保它们保持良好状态,提高电池性能和寿命。

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The cell have a coverage of aluminium that gives a BSF but requires a second print for solderable contacts.
烧结的目的
• [引]经过丝网印刷后的硅片,不能直接使用, 需经烧结炉快速烧结,将有机树脂粘合剂 燃烧掉,剩下几乎纯粹的、由于玻璃质作 用而密合在硅片上的银电极。当银电极和 晶体硅在温度达到共晶温度时,晶体硅原 子以一定的比例融入到熔融的银电极材料 中去,从而形成上下电极的欧姆接触,提 高电池片的开路电压和填充因子两个关键 参数,使其具有电阻特性,以提高电池片 的转换效率。
电极的欧姆接触
肖特基二极管
• 功函数 • 接触电势差 • 欧姆接触 • 若Wm<Ws会怎么 样呢
欧姆接触
• 欧姆接触是指金属与半导体的接触,而其 接触面的电阻值远小于半导体本身的电阻, 使得组件操作时,大部分的电压降在活动 区(Active region)而不在接触面。
• 不产生明显的附加阻抗,而且不会使半导体内部 的平衡载流子浓度发生显著的变化。
• 若Wm<Ws,行不行得通呢?
• 隧道效应:重掺杂的半导体与金属接触时,则势 垒宽度变得很薄,电子通过隧道效应贯穿势垒产
生大隧道电流,甚至超过热电子发射电流而成为 电流的主要成分,即可形成接近理想的欧姆接触。
背场BSFinished screenprinted solar cell. The cell have a grid from a single print of Al/Ag paste with no BSF,
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