同步整流电路的驱动方式综述
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
同步整流电路的驱动方式综述
预研部余恒23343
一、问题提出:
为了适应电子、通信设备和大规模集成电路的供电要求,DC/DC 模块电源输出电压越来越低,而输出电流却越来越大。传统的肖特基整流方式逐渐被同步整流方式所取代。用低导通电阻MOSFET代替常规肖特基整流/续流二极管,可以大大降低整流部分的功耗,提高变换器的性能,实现电源的高效率,高功率密度。同步整流已经相当流行。但是用MOS代替肖特基二极管势必带来这样一个问题:同步整流MOS管如何驱动?因为二极管不需要驱动,而MOS管是需要驱动的。对于同步整流管的驱动方式,本人收集了部分资料,做了总结,向各位专家学习。
二、驱动方式探讨:
从总的来说同步整流管的驱动方式分为自驱和外驱。
1、外驱:利用原边等驱动信号来控制整流管的开关,优点是可减
小整流管的死区,而且很容易实现时序。不足之处也是显然的,增加了电路的复杂性、成本和可靠性。
*例如,单端正激谐振复位电路,副边续流管可以由原边信号驱动
(如图),也可以整流管由OUT1控制开通,续流管由OUT2控
*又例如图2,这种电路是为了设计原副边的时序。Driverl为正时,Q1导通,副边Qs2处于工作状态。由于Qs12的导通,Qs1 处于关断状态。死区时间Driverl和Driver2为0,则Qs11、Qs21 导通,Q12、Q22的关断,那么Qs1和Qs2均导通,工作在续流状态。当
Driver2为正时,Qs1导通,Qs2关断,Q2延时导通,这样Qs2处于工作状态,Qs1处于关断状态。同样死区时间Qs1 和Qs2同时续流。
可见通过外驱方式实现了原副边时序,使得在死区时间整流管处于工作状态,就不会经过整流管的体二极管续流,从而减小了续流损耗。
2、驱:优点:利用辅助绕组或者副边工作绕组进行自驱,电路简单,成本节约。缺点:存在死区,驱动波形不好,驱动电压和时序不好安排。
*例如单端正激谐振复位电路,如果副边采用完全自驱方式,就会存在死区,在该时间输出电流经过续流管的体二极管续流,影响效
率。并且驱动波形不好,如图3。从图可见驱动电压波形不平直,而且在toff内有一部分时间驱动电压为零。
左:原边MOS管电压右:副边续流管的驱动电压
图3
*又例如,36〜75V输入,12V30A输出正激电路,如果最大占空比为
0.5,那么匝比可得为3:2。如果驱动绕组设为1匝,在75V 输入时
驱动峰值稳态为75/3=25V,就超过了M0S的门极驱动电压(一般为+ / —20V )。如果利用工作绕组自驱,则2/3*(36~75)=24~50V,同样超过了M0S的门极驱动电压范围。这种情况匝比不好选择。
三、对自驱存在的问题解决办法:
1、有源篏位法:把篏位电容稍微取大一点,可以使原边M0S管的Vds 变得平直,那么副边续流管的驱动电压Vgs=(Vds-Vin)/n就平直,因此减小死区损耗。
2、门极电荷存储法:把整流管门极的驱动电荷存储着,保持驱动电压不变,直到换相时才泄放掉门极的存储电荷。这样可以减小死区。如图4。图4左边需要外加拉电荷电路。图4右边为外加单绕组自驱
方式。当整流管工作时,续流管被并在续流管GS之间的二极管篏位为-0.7V,同样续流管工作时,整流管被并在整流流管GS之间的二极管篏位为-0.7V,死区时间门极电荷平分在整流管和续流管的门极。
图4
3、工作绕组分压方式:该方式可以解决工作绕组做驱动绕组电压
高的问题。因为MOS管的GS之间相当于一个电容,如果在G极串
联电容,则在GS之间得到的为加在两个电容之间的分压。如图5。
设副边电压为Us,那么整流管的Vgs=C1/(C1+Cgs1)*Us,续流管的Vgs=
C2/(C2+Cgs1)*Us。调整几次C1和C2的值就会获得合适的副边驱动电压。