模拟电子技术基础童诗白第3版习题答案第八章
模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案
第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
(a) (b)图T8.1解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.2解：④、⑤与⑨相连，③与⑧ 相连，①与⑥ 相连，②与⑦相连。
如解图T8.2所示。
解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器，电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图T8.4解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z 。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4五、电路如图T8.5所示。
图T8.5(1)分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路；(2)求出u O1与u O 的关系曲线u O1=f (u O )；(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)；(4)定性画出u O1与u O 的波形；(5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得：8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式(4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。
模拟电子技术基础课后习题答案(童诗白,华成英版,高教版)8章 波形的发生和信号的转换题解
基础课程教学资料第八章波形的发生和信号的转换自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）在图T8.1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（）图T8.1（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）（3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）（4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（）解：（1）√（2）×（3）×（4）×二、改错：改正图T8.2所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
图T8.2解：（a）加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
（b）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.3解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
如解图T8.3所示。
解图T8.3四、已知图T8.4（a）所示方框图各点的波形如图（b）所示，填写各电路的名称。
电路1为，电路2为，电路3为，电路4为。
图T8.4解：正弦波振荡电路，同相输入过零比较器，反相输入积分运算电路，同相输入滞回比较器。
五、试分别求出图T8.5所示各电路的电压传输特性。
图T8.5解：图（a）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b）所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T＝±0.5 U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示解图T8.5六、电路如图T8.6所示。
图T8.6（1）分别说明A 1和A 2各构成哪种基本电路；（2）求出u O 1与u O 的关系曲线u O 1＝f （u O ）；（3）求出u O 与u O 1的运算关系式u O ＝f （u O 1）；（4）定性画出u O 1与u O 的波形；（5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案
第一章 电路的基本概念和基本定律1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U1=-5V ，U2=2V ，U3=U4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？解：元件上电压和电流为xx 参考方向时，P=UI ；电压和电流为非xx 参考方向时，P=UI 。
P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。
本题中元件1、2、4xx 电流和电流为非xx 参考方向，元件3xx 电压和电流为xx 参考方向，因此P1=-U1×3= -（-5）×3=15W； P2=-U2×3=-2×3=-6W ； P3=U3×（-1）=-3×（-1）=3W ； P4=-U4×（-4）=-（-3）×（-4）=-12W 。
元件2、4是电源，元件1、3是负载。
1.2 在题1.2图所示的RLCxx 电路中，已知 求i 、uR 和uL 。
解：电容上电压、电流为非xx 参考方向,故()()33133t t t t c du di ce e e e A dt dt--=-=-⨯-=-电阻、电感上电压、电流为xx 参考方向()34t t R u Ri e e V --==- ()()3313t t t t L di du Le e e e V dt dt----==⨯-=-+1.3 在题1.3图中，已知I=2A ，求Uab 和Pab 。
解：Uab=IR+2-4=2×4+2-4=6V ， 电流I 与Uab 为xx 参考方向，因此Pab=UabI=6×2=12W1.4 在题1.4图中，已知 IS=2A ，US=4V ，求流过恒压源的电流I 、恒流源上的电压U 及它们的功率，验证电路的功率平衡。
解：I=IS=2A ， U=IR+US=2×1+4=6V PI=I2R=22×1=4W，US 与I 为xx 参考方向，电压源功率：PU=IUS=2×4=8W， U 与I 为非xx 参考方向，电流源功率：PI=-ISU=-2×6=-12W ， 验算：PU+PI+PR=8-12+4=0ba题1.3图1.5 求题1.5图中的R 和Uab 、Uac 。
模拟电子技术基础第8章习题题解
第八章波形的发生和信号的转换自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）在图T8.1所示方框图中，若φF＝180°，则只有当φA＝±180°时，电路才能产生正弦波振荡。
（）图T8.1（2）只要电路引入了正反馈，就一定会产生正弦波振荡。
（）（3）凡是振荡电路中的集成运放均工作在线性区。
（）（4）非正弦波振荡电路与正弦波振荡电路的振荡条件完全相同。
（）解：（1）√（2）×（3）×（4）×二、改错：改正图T8.2所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
图T8.2解：（a）加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
（b）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、试将图T8.3所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.3解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
如解图T8.3所示。
解图T8.3四、已知图T8.4（a）所示方框图各点的波形如图（b）所示，填写各电路的名称。
电路1为，电路2为，电路3为，电路4为。
图T8.4解：正弦波振荡电路，同相输入过零比较器，反相输入积分运算电路，同相输入滞回比较器。
五、试分别求出图T8.5所示各电路的电压传输特性。
图T8.5解：图（a）所示电路为同相输入的过零比较器；图（b）所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T＝±0.5U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示解图T8.5六、电路如图T8.6所示。
图T8.6（1）分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；（2）求出u O1与u O的关系曲线u O1＝f（u O）；（3）求出u O与u O1的运算关系式u O＝f（u O1）；（4）定性画出u O 1与u O 的波形； （5）说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变。
《模电课后习题答案》-经典版-清华大学-童诗白
第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
（1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
（ ）（2）因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
（ ） （3）PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
（ ）（4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R G S 大的特点。
（ ） （6）若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零，则其输入电阻会明显变小。
（ ）解：（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）×二、选择正确答案填入空内。
（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U ，则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S －T U U I（3）稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿（4）当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏（5）U G S ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解：（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D＝0.7V。
图T1.3解：U O1≈1.3V，U O2＝0，U O3≈－1.3V，U O4≈2V，U O5≈1.3V，U O6≈－2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z＝6V，稳定电流的最小值I Z m i n＝5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 信号的运算和处理题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第七章信号的运算和处理自测题一、判断下列说法是否正确，用“√”或“×”表示判断结果。
（1）运算电路中一般均引入负反馈。
（）（2）在运算电路中，集成运放的反相输入端均为虚地。
（）（3）凡是运算电路都可利用“虚短”和“虚断”的概念求解运算关系。
（）（4）各种滤波电路的通带放大倍数的数值均大于1。
（）解：（1）√（2）×（3）√（4）×二、现有电路：A. 反相比例运算电路B. 同相比例运算电路C. 积分运算电路D. 微分运算电路E. 加法运算电路F. 乘方运算电路选择一个合适的答案填入空内。
（1）欲将正弦波电压移相＋90O，应选用。
（2）欲将正弦波电压转换成二倍频电压，应选用。
（3）欲将正弦波电压叠加上一个直流量，应选用。
（4）欲实现A u＝－100的放大电路，应选用。
（5）欲将方波电压转换成三角波电压，应选用。
（6）欲将方波电压转换成尖顶波波电压，应选用。
解：（1）C （2）F （3）E （4）A （5）C （6）D三、填空：（1）为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器，应选用滤波电路。
（2）已知输入信号的频率为10kHz～12kHz，为了防止干扰信号的混入，应选用滤波电路。
（3）为了获得输入电压中的低频信号，应选用滤波电路。
（4）为了使滤波电路的输出电阻足够小，保证负载电阻变化时滤波特性不变，应选用滤波电路。
解：（1）带阻（2）带通（3）低通（4）有源四、已知图T7.4所示各电路中的集成运放均为理想运放，模拟乘法器的乘积系数k 大于零。
试分别求解各电路的运算关系。
图T7.4解：图（a ）所示电路为求和运算电路，图（b ）所示电路为开方运算电路。
它们的运算表达式分别为I3142O 2O43'O 43I 12O2O1O I343421f 2I21I1f O1 )b (d 1)1()( )a (u R kR R R u ku R R u R R u R R u t u RCu u R R R R R R R u R u R u ⋅=⋅-=-=-=-=⋅+⋅+++-=⎰∥习题本章习题中的集成运放均为理想运放。
模拟电子技术基础童诗白第三版共61页文档
51、没有哪个社会可以制订一部永远 适用的 宪法， 甚至一 条永远 适用的 法律。 ——杰 斐逊 52、法律源于人的自卫本能。——英 格索尔
53、人们通常会发现，法律就是这样 一种的 网，触 犯法律 的人， 小的可 以穿网 而过， 大的可 以破网 而出， 只有中 等的才 会坠入 网中。 ——申 斯通 5；它的 每一块 砖石都 垒在另 一块砖 石上。 ——高 尔斯华 绥 55、今天的法律未必明天仍是法律。 ——罗·伯顿
66、节制使快乐增加并使享受加强。 ——德 谟克利 特 67、今天应做的事没有做，明天再早也 是耽误 了。——裴斯 泰洛齐 68、决定一个人的一生，以及整个命运 的，只 是一瞬 之间。 ——歌 德 69、懒人无法享受休息之乐。——拉布 克 70、浪费时间是一桩大罪过。——卢梭
模拟电子技术(童诗白)基础习题答案
第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
Word版——模拟电子技术基础第三版童诗白华成英主编课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√）√ （2）×）× （3）√）√ （4）×）× （5）√）√ （6）×）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
略。
六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以，所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
1.4 ui 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ，b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ，，所以＞32131 ＜＜－1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←＞＞321321321321即F，代入数据f 6f 1f1＞A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ，∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为（R ＋R f /A od ）。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章精编资料
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第八章第8章波形的发生和信号的转换自测题一、改错：改正图T8.1所示各电路中的错误，使电路可能产生正弦波振荡。
要求不能改变放大电路的基本接法（共射、共基、共集）。
(a) (b)图T8.1解：(a)加集电极电阻R c及放大电路输入端的耦合电容。
(b)变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同名端。
二、试将图T8.2所示电路合理连线，组成RC桥式正弦波振荡电路。
图T8.2解：④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
如解图T8.2所示。
解图T8.2三、已知图T8.3(a)所示方框图各点的波形如图(b)所示，填写各电路的名称。
电路1为正弦波振荡电路，电路2为同相输入过零比较器，电路3为反相输入积分运算电路，电路4 为同相输入滞回比较器。
(a)(b)图T8.3四、试分别求出图T8.4所示各电路的电压传输特性。
(a) (b)图T8.4解：图(a)所示电路为同相输入的过零比较器；图(b)所示电路为同相输入的滞回比较器，两个阈值电压为±U T =±U Z。
两个电路的电压传输特性如解图T8.5所示。
解图T8.4五、电路如图T8.5所示。
图T8.5(1)分别说明A1和A2各构成哪种基本电路；(2)求出u O1与u O的关系曲线u O1=f(u O)；(3)求出u O 与u O1的运算关系式u O =f (u O1)；(4)定性画出u O1与u O 的波形；(5)说明若要提高振荡频率，则可以改变哪些电路参数，如何改变？解:(1)A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
(2)根据12111112121()02P O O O O N R R u u u u u u R R R R =⋅+⋅=+==++ 可得：8T U V ±=±u O1与u O 的关系曲线如解图T8.5 (a)所示。
(3) u O 与u O1的运算关系式1211121141()()2000()()O O O O O u u t t u t u t t u t R C=--+=--+ (4) u O1与u O 的波形如解图T8.5(b)所示。
模拟电电子技术基础第8章(第四版)童诗白 华成英
2. RC串并联选频网络的选频特性
FV 32 ( 1
模拟电子技术基础
0 2 ) 0
(
f arctg
RC
0 ) 0
3
当 0 1 或 f f0 幅频响应有最大值
FVmax 1 3
1 2RC
相频响应
f 0
模拟电子技术基础
Rds 1k
模拟电子技术基础
桥式振荡电路如图所示， 设A为理想运放， （1）标出A的极性 （2）场效应管的作用 是什么？其d、s 间的等效电阻的 最大值为多少？ （3）电路的振荡频率为 多少？
1 1 f 6 3 1061Hz 2 RC 2 0.003 10 50 10
1. 单门限电压比较器 特点：
开环，虚短和虚断不成立 增益A0大于105
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
VEE vO VCC
运算放大器工作在非线性状态下
8.2 电压比较器
1. 单门限电压比较器
（1）过零比较器
vI
模拟电子技术基础
+VCC + A -VEE vO
假设 V
1. 单门限电压比较器 （2）门限电压不为零的比较器 电压传输特性
vO VOH
模拟电子技术基础
+VCC vI + VREF A -VEE vO
O VOL
VREF
vI
输入为正负对称的正弦波 时，输出波形如图所示。
模拟电子技术基础
模拟电子技术基础
分析任务及方法
求传输特性 方向
输出电平VOH 、VOL
又，放大器为反相比例电路 a = 180° 所以: a + f = 360°或0°
《模拟电子技术基础》(童诗白)课后习题答案
模拟电子技术基础第 1 章常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。
(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。
A.五价B. 四价C. 三价(2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。
A.增大B.不变C.减小(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C ) 。
A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。
A.增大；B.不变；C.减小1.2电路如图P1.2 所示，已知u i = 10sinωt (V)，试画出u i 与u o 的波形。
设二极管导通电压可忽略不计。
图P1.2 解图P1.2解：u i 与u o 的波形如解图Pl.2 所示。
1.3电路如图P1.3 所示，已知u i =5sinωt(V)，二极管导通电压U D=0.7V。
试画出u i 与u o 的波形图，并标出幅值。
图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4 所示, 二极管导通电压U D=0.7V,常温下U T≈ 26mV ，电容C 对交流信号可视为短路；u i 为正弦波，有效值为10mV。
试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？解：二极管的直流电流I D = (V −U D ) / R = 2.6mA其动态电阻:r D ≈U T / I D =10Ω图 P1.4故动态电流的有效值： I d = U i / r D ≈1mA1.5 现有两只稳压管，稳压值分别是 6V 和 8V ，正向导通电压为 0.7V 。
试问： (1)若将它们串联相接，则可得到几种稳压值？各为多少？ (2)若将它们并联相接，则又可得到几种稳压值？各为多少？解：(1)串联相接可得 4 种：1.4V ；14V ；6.7V ；8.7V 。
(2)并联相接可得 2 种：0.7V ；6V 。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路的频率响应题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第五章 放大电路的频率响应自 测 题一、选择正确答案填入空内。
（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是 。
A.输入电压幅值不变，改变频率B.输入电压频率不变，改变幅值C.输入电压的幅值与频率同时变化（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 ，而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是 。
A.耦合电容和旁路电容的存在B.半导体管极间电容和分布电容的存在。
C.半导体管的非线性特性D.放大电路的静态工作点不合适（3）当信号频率等于放大电路的f L 或f H 时，放大倍数的值约下降到中频时的 。
A.0.5倍B.0.7倍C.0.9倍 即增益下降 。
A.3dBB.4dBC.5dB（4）对于单管共射放大电路，当f ＝ f L 时，o U 与iU 相位关系是 。
A.＋45˚B.－90˚C.－135˚当f ＝ f H 时，o U 与iU 的相位关系是 。
A.－45˚ B.－135˚ C.－225˚ 解：（1）A （2）B ，A （3）B A （4）C C二、电路如图T5.2所示。
已知：V C C ＝12V ；晶体管的C μ＝4pF ，f T = 50MHz ，'bb r ＝100Ω, β0＝80。
试求解：（1）中频电压放大倍数smu A ； （2）'πC ；（3）f H 和f L ；（4）画出波特图。
图T5.2解：（1）静态及动态的分析估算：∥178)(mA/V2.69k 27.1k 27.1k 17.1mV26)1(V 3mA 8.1)1(Aμ 6.22c m bee b'i s ismTEQ m b be i e b'bb'be EQe b'c CQ CC CEQ BQ EQ bBEQCC BQ -≈-⋅+=≈=Ω≈=Ω≈+=Ω≈+=≈-=≈+=≈-=R g r r R R R A U I g R r R r r r I r R I V U I I R U V I u ββ（2）估算'πC ：pF1602)1(pF214π2)(π2μc m 'μTe b'0μπe b'0T ≈++=≈-≈+≈C R g C C C f r C C C r f πππββ（3）求解上限、下限截止频率：Hz14)π(21kHz 175π21567)()(i s L 'πH s b b'e b'b s b b'e b'≈+=≈=Ω≈+≈+=CR R f RC f R r r R R r r R ∥∥∥（4）在中频段的增益为dB 45lg 20sm ≈u A频率特性曲线如解图T5.2所示。
模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案第8章 波形的发生和信号的转换
GAGGAGAGGAFFFFAFAF第8章 波形的發生和信號的轉換習題8.1判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果。
(1)在圖T8.1所示方框圖中，產生正弦波振蕩的相位條件是A F ϕϕ=。
( × )(2)因為RC 串并聯選頻網絡作為反饋網絡時的0o Fϕ=，單管共集放大電路的0o A ϕ=，滿足正弦波振蕩電路的相位條件πϕϕn A F 2=+，故合理連接它們可以構成正弦波振蕩電路。
( × )(3)在RC 橋式正弦波振蕩電路中，若RC 串并聯選頻網絡中的電阻均為R ，電容均為C ，則其振蕩頻率1/o f RC =。
( × )(4)電路只要滿足1=F A ，就一定會產生正弦波振蕩。
( × ) (5)負反饋放大電路不可能產生自激振蕩。
( × )(6)在LC 正弦波振蕩電路中，不用通用型集成運放作放大電路的原因是其上限截止頻率太低。
( √ )8.2判斷下列說法是否正確，用“√”和“×”表示判斷結果。
(1) 為使電壓比較器的輸出電壓不是高電平就是低電平，就應在其電路中使集成運放不是工作在開環狀態，就是僅僅引入正反饋。
( √ )(2)如果一個滯回比較器的兩個閾值電壓和一個窗口比較器的相同，那么當它們的輸入電壓相同時，它們的輸出電壓波形也相同。
( × )(3)輸入電壓在單調變化的過程中，單限比較器和滯回比較器的輸出電壓均只躍變一次。
( √ )(4)單限比較器比滯回比較器抗干擾能力強，而滯回比較器比單限比較器靈敏度高。
( × )8.3選擇合適答案填入空內。
A.容性B.阻性C.感性(1)LC并聯網絡在諧振時呈( B )；在信號頻率大于諧振頻率時呈( A )；在信號頻率小于諧振頻率時呈( C )。
(2)當信號頻率等于石英晶體的串聯諧振頻率時，石英晶體呈( B )；當信號頻率在石英晶體的串聯諧振頻率和并聯諧振頻率之間時，石英晶體呈 ( C )；其余情況下，石英晶GAGGAGAGGAFFFFAFAFGAGGAGAGGAFFFFAFAF 體呈( A )。
课后习题答案合集
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科学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=7305&fromuid=9电机及拖动基础顾绳谷第四版机械工业出版社上册答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4142&fromuid=9《微型计算机原理与接口技术》冯博琴清华出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=2334&fromuid=9《电路》邱关源罗先觉第五版高等教育第十三章课后答案15【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4624&fromuid=9单片机原理及应用完整版(张毅刚著) 高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】通信原理第五版(樊昌信著) 国防工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=2172&fromuid=9《模拟电子技术基础》童诗白第3版高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=1942&fromuid=9《电机与拖动刘锦波清华出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3054&fromuid=9电子技术基础模拟部分第四版(康华光著) 高等教育出版社课后答案/bbs/viewthread.php?tid=5129&fromuid=9微机原理与接口技术(楼顺天周佳社著) 科学出版社课后答案【khdaw_ricardo】/bbs/viewthread.php?tid=5696&fromuid=9《电子技术基础数字部分》第五版康华光高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6409&fromuid=9《电机及拖动基础》第四版课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3934&fromuid=9《电路》邱关源罗先觉第五版高等教育第十五章课后答案18【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4857&fromuid=9电路与电子学第三版(王文辉著) 电子工业出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=9504&fromuid=9电力电子技术(王兆安著) 机械工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=7152&fromuid=9《数字信号处理》西安电子科技大学出版社答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4686&fromuid=9《电路》邱关源罗先觉第五版高等教育第十四章课后答案16【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4625&fromuid=9信息论与编码曹雪虹张宗橙清华大学出版社课后习题答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=8725&fromuid=9电子技术基础模拟部分第五版答案（清晰版）/bbs/viewthread.php?tid=5636&fromuid=9《电子测量》习题参考答案【khdaw_lxywyl】微型计算机原理与接口技术(周荷琴著) 中国科学技术大学出版社课后答案_khdaw /bbs/viewthread.php?tid=7487&fromuid=9《微机原理与接口技术》第三版周荷琴中国科学技术大学课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6721&fromuid=9《通信原理》（樊昌信）第六版国防大学课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6728&fromuid=9《信号与线性系统分析》（第四版）/bbs/viewthread.php?tid=7113&fromuid=9通信原理(樊昌信著) 国防工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=7081&fromuid=9《电力电子技术》试题习题考题及答案题解【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6594&fromuid=9陈后金《信号与系统》第2版/bbs/viewthread.php?tid=3641&fromuid=9课后答案网的第一大版块/bbs/viewthread.php?tid=5399&fromuid=9EDA技术与VHDL 第2版(潘松著) 清华大学出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=9270&fromuid=9《微型计算机原理》李广军电子科技大学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=1531&fromuid=9《电路》邱关源罗先觉第五版高等教育第十七、十八章课后答案20【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4859&fromuid=9《数字信号处理》程佩青（第2版）清华大学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3952&fromuid=9微型计算机原理与接口技术(冯博琴主编著) 清华大学出版社课后答案/bbs/viewthread.php?tid=6357&fromuid=9《半导体物理学》刘恩科、朱秉生版上海科技课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6625&fromuid=9模电第四版（康华光）完整课后答案计算机网络第五版(谢希仁著) 电子工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=10998&fromuid=9电气工程基础部分答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=760&fromuid=9数字信号处理（丁玉美版）习题答案【khdaw_cola】/bbs/viewthread.php?tid=7784&fromuid=9通信原理教第二版(樊昌信著) 国防工业出版社课后答案/bbs/viewthread.php?tid=5522&fromuid=9传感器原理及应用王化祥张淑英天津大学出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=9033&fromuid=9单片机原理、接口及运用(李群芳肖看著) 清华大学出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=1662&fromuid=9传感器与检测技术(陈杰著) 高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4669&fromuid=9数字电子技术基础第五版(阎石著) 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电子工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4725&fromuid=9《电路》邱关源罗先觉第五版高等教育第十六章课后答案19【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4858&fromuid=9《高频电子电路》王卫东傅佑麟电子工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3501&fromuid=9《信号与线性系统》吴大正第四版高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=5677&fromuid=9《单片机原理及应用》张鑫电子工业出版社（张鑫）版课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6371&fromuid=9奥本海姆第二版<<信号与系统>>书后习题详解ppt格式(刘树棠著) 西安交大课后答案/bbs/viewthread.php?tid=10472&fromuid=9电机与拖动基础（第3版）(李发海王岩著) 清华大学出版社课后答案【在线看】/bbs/viewthread.php?tid=4074&fromuid=9工厂供电(刘介才著) 机械工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=11577&fromuid=9数据与计算机通信(张娟著) 电子工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=1008&fromuid=9高频电路原理与分析第4版(曾兴雯陈建刘乃安著) 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北京航空航天大学课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=14407&fromuid=9信号与系统第二版(陈生潭郭宝龙著) 西安电子科技大学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6064&fromuid=9《微计算机原理原理》潘名莲马争（第二版）电子工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=5208&fromuid=9《光纤通信原理》袁国良清华大学习题答案【khdaw_lxywyl】通信原理教程第2版(樊昌信著) 电子工业出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=10859&fromuid=9《简明电路分析基础》(李瀚荪著) 高等教育出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=13298&fromuid=9《工程力学》梅凤翔课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3093&fromuid=9微波技术与天线【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=2879&fromuid=9电路与电子学第三版课后答案/bbs/viewthread.php?tid=7461&fromuid=9《模拟电子技术基础》胡宴如，耿苏燕（版）高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=7058&fromuid=9《微波技术与天线》（电子工业出版社）课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=3725&fromuid=9《模拟电子技术教程》华成英清华出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4025&fromuid=9自动控制原理简明教程第二版(胡松涛著) 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机械工业出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=13451&fromuid=9《信息论与编码基础》唐朝京雷蒨国防科技大学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=1222&fromuid=9《测控电路》(机械出版社)习题答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=2964&fromuid=9《电路分析》谭永霞西南交通大学课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=5796&fromuid=9大学英语综合教程第三册上海外语教育出版社课后答案/bbs/viewthread.php?tid=5276&fromuid=9《电气工程基础》熊信银张步涵华中科技大学部分习题答案1-6章【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4866&fromuid=9微波技术与天线（西电第二版）完整答案刘学观郭辉萍【khdaw_cola】/bbs/viewthread.php?tid=8172&fromuid=9微型计算机系统原理及应用第五版(周明德著) 清华大学出版社课后答案【khdaw】/bbs/viewthread.php?tid=9198&fromuid=9信息光学（教材+详细答案）苏显渝李继陶科学出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=6769&fromuid=9电子技术基础数字部分康华光高等教育出版社课后答案【khdaw_lxywyl】/bbs/viewthread.php?tid=4845&fromuid=9电子技术基础模拟部分第五版(康华光著) 高等教育出版社课后答案[khdaw]。
模拟电子技术基础第三版习题答案
模拟电子技术基础第三版习题答案第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
(×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ，稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
试问：(1)R b =50k Ω时，U o=?(2)若T 临界饱和，则R b =?解：(1)26BB BEB bV U I A R μ-==，2.6C B I I mA β==,2O CC C c U V I R V =-=。
童诗白《模拟电子技术基础》笔记和课后习题详解(功率放大电路)
第8章功率放大电路8.1 复习笔记本章讲述了功率放大电路的组成、工作原理、最大输出功率和效率的计算，以及集成功放的应用。
通过本章的学习，读者应重点掌握OCL的工作原理和最大输出功率、效率的估算，以及其他一些功放电路的特点及适用场合，并了解功放电路相关概念和集成功放的应用。
一、功率放大电路特点1．功率放大电路的主要参数及其组成原则（见表8-1-1）表8-1-1 功放电路主要参数及组成原则2．功率放大电路中的晶体管功率放大电路可工作在甲类、乙类、甲乙类、丙类等工作状态，详见表8-1-2。
表8-1-2 功率放大电路工作状态为使电路能够输出尽可能大的功率和具有尽可能高的效率，在功率放大电路中放大管不是工作在甲类状态而是工作在乙类状态、甲乙类甚至丙类。
3．功率放大电路的分析方法由于功放电路输出电压和输出电流幅值都很大，所以不可以忽略其非线性特性，因而不能采取小信号交流等效电路进行分析，而应采用图解法。
4．最大输出功率和效率的求解方法（见表8-1-3）表8-1-3 最大输出功率和效率的求解方法二、常见功率放大电路（见表8-1-4）表8-1-4 常见功率放大电路三、消除交越失真的OCL电路（见表8-1-5）表8-1-5 消除交越失真的OCL电路8.2 课后习题详解8.1 分析下列说法是否正确，用“√”、“×”表示判断结果填入括号内。
（1）在功率放大电路中，输出功率愈大，功放管的功耗愈大。
（）（2）功率放大电路的最大输出功率是指在基本不失真情况下，负载上可能获得的最大交流，功率。
（）（3）当OCL电路的最大输出功率为1W时，功放管的集电极最大耗散功率应大于1W。
（）（4）功率放大电路与电压放大电路、电流放大电路的共同点是①都使输出电压大于输入电压；（）②都使输出电流大于输入电流；（）③都使输出功率大于信号源提供的输入功率。
（）（5）功率放大电路与电压放大电路的区别是①前者比后者电源电压高；（）②前者比后者电压放大倍数数值大；（）③前者比后者效率高；（）④在电源电压相同的情况下，前者比后者的最大不失真输出电压大；（）⑤前者比后者的输出功率大。
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第八章 波形的发生和信号的转换
自测题
一、（1）√ （2）× （3）× （4）× 二、（a ）加集电极电阻R c 及放大电路输入端的耦合电容。
（b ）变压器副边与放大电路之间加耦合电容，改同铭端。
三、④、⑤与⑨相连，③与⑧相连，①与⑥相连，②与⑦相连。
四、（1）正弦波振荡电路 （2）同相输入过零比较器 （3）反相输入积分运算电路 （4）同相输入滞回比较器 五、图（b
＝±0.5 U 。
六、（1）A 1：滞回比较器；A 2：积分运算电路。
（2）
（3）)()(2000)()(1
1O 12O11O 12O14O t u t t u t u t t u
C
R u +--=+--
= （4）
（5）减小R 4、C 、R 1，增大R 2。
习题
8.1 （1）√ （2）× （3）× （4）× （5）× （6）√ 8.2 （1）× （2）√ （3）√ （4）× （5）√ （6）×
8.3 （1）A （2）B （3）C
8.4 （1）B A C （2）B C A （3）B 8.5 （a ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为超前网络，最大相移为＋270o ，因此存在使相移为＋180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝0o ）；且在f ＝f 0时有可
能满足起振条件F A
＞1，故可能产生正弦波振荡。
（b ）可能产生正弦波振荡。
因为共射放大电路输出电压和输入电压反相（φA ＝－180o ），而三级移相电路为滞后网络，最大相移为－270o ，因此存在使相移为－180o （φF ＝＋180o ）的频率，即存在满足正弦波振荡相位条件的频率f 0（此时φA ＋φF ＝－360o ）；且在f ＝f 0时
有可能满足起振条件F A
＞1，故可能产生正弦波振荡。
8.6 （1）不能，因为不存在满足相位条件的频率。
（2）可能，因为存在满足相位条件的频率，且有可能满足幅值条件。
8.7 （1）根据起振条件k Ω22'
'
＞，＞W W f R R R R +。
（2）求解振荡频率的范围。
Hz 145)π(21kHz
6.1π21
21max
01max 0≈+=≈=C
R R f C
R f
8.8 （1）V 36.62
5.1Z
o ≈=U U
（2）Hz 95.9π21
0≈=
RC
f
8.9 （1）上“－”下“＋” （2）输出严重失真，几乎为方波。
（3）输出为零。
输出为零。
（5）输出严重失真，几乎为方波。
8.10（1）在特定频率下，由A 2组成的积分运算电路的输出电压O2U 超前输入电压O1U 90o ，而由A 1组成的电路的输出电压O1U 滞后输入电压O2U 90o ，因而O1U 和O2
U 互为依存条件，即存在f 0满足相位条件。
在参数选择合适时也满足幅值条件，故电路在两个集成运放的输出
同时产生正弦和余弦信号。
（2）解方程组：
⎪⎪⎪⎪⎩
⎪⎪⎪
⎪⎨⎧-=⋅-=-+-⋅+==251O O21
1P 31O 1P 41O 1P 1
O 2111N 1P C C R j U U j U R U U R U U U R R R U U ωω
可得正实根，求出RC
f π210=。
（3） U O2max ＝U Z ＝6V
对方程组中的第三式取模，并将πRC
2π2π200=
=f ω代入可得O2
O12U U =，故V 5.82m a x O2m ax 1O ≈=U U 。
若u O1为正弦波，则u O2为余弦波。
图略。
8.11 （a ）原边线圈上端和副边线圈上端为同铭端。
（b ）原边线圈上端和副边线圈下端为同铭端。
（c ）原边线圈下端和副边线圈下端为同铭端。
（d ）原边线圈左端和副边线圈右端为同铭端。
图略。
8.12 （a ）可能 （b ）不能 （c ）不能 （d ）可能 8.13 （b ）加耦合电容。
（c ）加耦合电容，改同铭端。
8.14（a ）选频网络：C 和L ；正反馈网络：C 2和R W ；负反馈网络：C 和L 。
满足相位条件。
（b ）选频网络：C 2和L ；正反馈网络：C 2和L ；负反馈网络：R 8 。
满足相位条件。
8.15
（1）
A 1工作在线性区（电路引入了负反馈）；A 2工作在非线性区（电路仅引入了负反馈）。
（2）u O1＝－i I R 1＝－100i I
8.18
8.19 （1）T ≈（R 1＋R 2）C ln3≈3.3mS （2）
8.20 三处错误：（1）集成运放“＋”“－”接反；（2）R 、C 位置接反；（3）输出限幅电路
I /A 6V
REF
6V
10k 10k
无限流电阻。
8.21①，②，③；①，①，②；①，②；③。
8.22
R W2滑动端在最上端 R W2滑动端在最下端
8.23 （1）在A 1组成的滞回比较器中：
V
6 0
OM 3
2T O13
23O2322
±=⋅±=±=⋅+⋅U R R
U u R R R u R R R 得出＋＋令
在A 2组成的积分运算电路中：
mS 20)
()(1
1O 12O2O =+--
=T t u t t u RC
u 求解T 1：
60062
)(1
I
1T 1OM I u T U T U RC u +=
---
=
求解占空比： 12
6I
1u T T +==δ
（2）波形：
8.24
8.25 (b) )a (I 1
L
O I O u R R u u u =
= 8.26 （1）波形
（2）求解振荡频率：首先求出电压比较器的阈值电压，然后根据振荡周期近似等于积分电路正向积分时间求出振荡周期，振荡频率是其倒数。
I
1T I
I
1T T I 1T T 625.02 2 1
V 8 u C
R U u f u C R U T U T u C
R U U U Z =≈
≈--≈±=±=±
8.27 （1）T 导通时，u N1＝u I /3。
)()(45
10)()(310O101I 30O101I 2O1
t u t t u t u t t u C R u +-=+-⋅= T 截止时，
)()(45
10)()(32)(11O112I 31O112I 21O1
t u t t u t u t t u C R R u +--=+--⋅+= （2） （3
（4）
I
I T
I 3T 926.008
.124510u f u T U T u U ≈=
-⋅⋅= 8.28
8.29 参照图P8.26、P8.27。
8.30 参阅P451～P452。
8.31 参阅P448、P452～P454。