PSpice仿真教程3--旁路电容对低频特性的影响(交流扫描+参数扫描)

题目：旁路电容对共射极放大电路低频特性的影响
电路如图所示，BJT为NPN型硅管，型号为2N3904，放大倍数为50，电路其他元件参数如图所示。

分析旁路电容Ce对共射极放大电路低频特性的影响。

步骤如下：
1、绘制原理图如上图所示。

2、修改三极管放大倍数Bf=50；
双击交流源v1设置其属性为：ACMAG=15mv,ACPHASE=0。

3、修改c3的大小，双击c3的大小，设置value={cval}。

如图所示：
4、Get New Part Param，从元件库中找到符号Param。

双击Param并设置其属性
Name1=cval, Value1=50uf。

如图所示：
5、设置分析类型（根据题意，需设置交流扫描分析和参数扫描分析）：
①交流扫描分析：
选择Analysis→set up→AC Sweep，参数设置如下：
②参数扫描分析：
选择Analysis→set up→Parametric，参数设置如下：
6、Analysis Simulate，调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。

计算完毕后，弹出如下对话框，表明有三项模拟结果的波形资料，点击All三个波形全显示在probe下，或只点击其中一条，在probe下只显示其中一条曲线。

点击All。

得到如下结果：
v(out)/v(in)
单击ok按钮，仿真结果如下：
波形显示了电压增益的幅值随频率变化的关系，即幅频特性。

同时还反映了旁路电容对电压增益的影响。

最左边的是ce为200uf时的幅频特性曲线，中间的那条是ce为50uf时的幅频特性曲线，最右边的那条是ce为0.1uf时的幅频特性曲线。

问题：从仿真结果中可以看出，旁路电容越大，下限截止频率f L（越低还是越高）?
下面测量c3=50uf时的放大电路的低频截止频率。

步骤如下：
1、取消参数扫描分析。

2、Analysis→Simulate，调用Pspice A/D对电路进行仿真计算。

3、在probe下，选择Trace→ Add（添加输出波形），，弹出Add Trace对话框，在Trace Expression
中编辑v(out)/v(in)
单击ok按钮，仿真结果如下：
4、在probe下，选择Tools→Cursor→Display ，出现游标，
然后再选择选择Tools→Cursor→Max ，通过游标读出最高点的电压增益为130.603，将该数值乘以0.707得到92.336.
在曲线上找到v（out）/v（in）为92.336的点，读出此时的横坐标值即为下限截止频率。

选择View→Area，准确找到该点。

找到该点后，点击Tools→Label→Mark，在曲线上的该点标注该点的数值。

问题：当c3＝50uf时，下限截止频率是多少？。