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单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶硅片单晶炉设备工艺流程单晶硅片的生产是利用单晶炉设备进行的。

单晶炉设备工艺流程包括硅矿炼制、单晶硅制备和晶体生长。

首先,硅矿炼制是单晶硅片制备的第一步。

硅矿是由二氧化硅(SiO2)和杂质组成的,主要包括石英、长石、云母等。

硅矿需要经过多道工序进行炼制,去除杂质,得到高纯度的硅料。

炼制的工艺流程通常包括物料的破碎、磨矿、脱硫、氧化等步骤。

接下来是单晶硅片的制备。

在硅矿炼制过程中得到的高纯度硅料通常以气态或液态的形式存在。

硅片制备的常见方法有气相沉积(CVD)和液相冷凝法。

其中,气相沉积是通过将硅源气体(如三氯化硅)在高温下分解,将生成的纯矽沉积在衬底上生长单晶硅片。

液相冷凝法则是通过在液态硅中加入掺杂剂,控制冷却速度使硅片结晶,得到单晶硅片。

最后是晶体生长。

在晶体生长过程中,需要控制温度、压力、气氛等,来确保单晶硅的纯度和晶体质量。

常用的晶体生长技术有悬浮法、引上法和拉平法等。

其中,悬浮法是将硅料溶解在溶剂中形成熔液,然后通过引入衬底,并控制温度慢慢降低来生长晶体。

引上法则是将熔融的硅料和衬底在一定角度上汇合,通过引上机构逐渐拉伸,使硅料在衬底上生长为单晶。

拉平法则是将硅料加热熔化,在两个旋转的辊子之间拉扁成薄片,再通过快速冷却来生长晶体。

整个单晶硅片制备的工艺流程是相对复杂的,需要经过多道工序才能完成。

在每一个工序中,都需要精确地控制各个参数,以保证最终产品的质量和纯度。

同时,随着技术的发展,人们不断改良和创新工艺流程,以提高单晶硅片制备的效率和质量。

单晶炉操作规程

单晶炉操作规程

图1 FT-CZ2008型单晶炉图2 操作柜三、依据:依据为直拉法生长硅单晶的工艺和FT-CZ2008型单晶炉的性能。

准审核编制修改履历码内容状态备图3 【氩气】操作界面⑵、拧开上炉体螺母,将操作手柄上的【HOIST】旋钮打向UP位置点动上升炉筒至适当位置,将操作手柄上的【SEED】旋钮打向UP位置上升晶棒到翻板阀室以上,顺时针转动翻板阀手柄,关闭翻板阀。

图4 隔离阀手柄⑶、上升上炉体至上限位,上升晶体至上炉体内。

转动晶棒托架,通过【整晶棒的高度,使其与托架接触,但不承重。

图5 晶棒托架⑷、打开上炉体定位开关,转动上炉体到一侧,放下上炉体定位开关,便于取晶棒。

图6 定位开关SEED】按钮打向UP位置,上升晶棒,转动托架。

再将【下降晶体,用晶棒专用车承接晶棒,每进入一格,用锁扣锁住。

下降晶棒使其与晶棒车有充分接触,但不全部承重到晶棒车上。

操作者一手拿住籽晶一手用钳子将籽晶从细颈处钳断,籽晶后,应稳定重锤,防止重锤快速转动,损坏钢丝绳。

、将籽晶从重锤上取下,观察籽晶积渣情况和有无机械损伤,取下的籽晶放在指定场所,再将图7 晶棒中转专用车①、打开上炉体定位开关,旋转到炉盖上方,合上上炉体定位开关,将操作手柄上的【位置下降上炉体至炉盖,拧紧上炉体螺母,将【图8 埚底料筒与埚底料推车图9 主要石墨件、真空过滤器清扫⑴、准备好吸尘刷、吸尘管、酒精、纸巾、扳手,带好手套、防尘口罩。

⑵、打开波纹管和真空过滤器顶盖的连接法兰,拧开真空过滤器顶盖螺丝,取出过滤网。

图10 真空泵与真空泵房、真空泵油检查与更换⑴、确认关闭主泵手阀和真空泵,在放油单晶炉上挂检修牌,将废油桶置于真空泵放油口下方,打开上下腔放油开关,放完油后关闭上下腔放油阀,废油倒入指定油桶。

⑵、清扫真空泵(每3炉清扫一次),用扳手打开真空泵侧盖,置于适当位置,用毛巾彻底清理真空泵腔、侧盖和下腔滤油网的油污,清扫完毕后,安装好滤网,安装好侧盖。

图11 测温装置盘和加热器电极脚的距离是否对称,若距离不一致要调整间距。

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺

单晶硅生产工艺及单晶硅片生产工艺单晶硅是一种广泛用于各种电子和光伏应用的材料,它的生产过程需要高度的技术和专业知识。

以下是单晶硅生产工艺的一般步骤:1.提纯:首先,需要将原材料硅提纯。

这个过程包括化学方法,如歧化、精馏和还原等,以去除硅中的大部分杂质。

最终得到的硅纯度可达99%以上。

2.沉积:提纯后的硅被熔化并倒入模具中,形成一个圆柱形的硅锭。

这个过程中,硅锭的形状和大小取决于模具的形状和大小。

3.切片:硅锭被冷却并使用线锯或激光切片技术切割成一定厚度的硅片。

切片过程中需要控制硅片的厚度和形状,以确保其符合特定应用的要求。

4.清洗和抛光:切割后的硅片表面可能会存在杂质或损伤,因此需要进行清洗和抛光以去除这些缺陷。

清洗过程包括化学浸泡、冲洗和干燥,而抛光则使用机械研磨或化学腐蚀的方法来平滑硅片的表面。

5.检测和包装:清洗和抛光后的硅片需要进行质量检测,以确保其满足客户的要求。

检测过程可能包括观察硅片的表面质量、测量其尺寸和厚度、检查其强度和韧性等。

最后,合格的硅片被包装并发送给客户。

单晶硅片生产工艺是指将单晶硅棒切割成一定形状和大小的硅片,这些硅片通常用于制造太阳能电池板或其他电子设备。

以下是单晶硅片生产工艺的一般步骤:1.切片:将单晶硅棒切成一定厚度的硅片。

这个过程通常使用专业的切片机或线锯来完成。

2.分选和清洗:切好的硅片可能存在大小、形状、厚度和表面质量等方面的差异。

为了满足应用要求,需要对硅片进行分选和清洗。

分选过程可能包括人工或自动检测,根据检测结果将硅片分成不同等级。

清洗过程包括化学浸泡、冲洗和干燥,以去除硅片表面的污垢和其他杂质。

3.加工和抛光:对于一些特定的应用,需要对硅片进行加工和抛光。

加工可能包括切割、磨削或钻孔等,而抛光则使用机械研磨或化学腐蚀的方法来平滑硅片的表面。

加工过程中需要注意控制硅片的形状和质量,以避免出现裂纹、变形或损伤等问题。

4.检测和包装:加工和抛光后的硅片需要进行质量检测,以确保其满足客户的要求。

单晶炉具体操作步骤

单晶炉具体操作步骤

1、目的为正确、规范地操作单晶炉,确保生产作业正常,特制订本规范。

2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。

3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。

b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。

c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。

d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。

e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。

f. 用毛巾将炉体从上到下一遍,擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。

B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉)、5.0小时(JRDL-800型单晶炉)后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min),开始抽高真空,并作时间记录。

b. 待炉内压力到达极限(要求达到3Pa以下)后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若0.5小时内抽不到3Pa以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

c. 检漏要求3分钟以上,漏气率<0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录,若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后,旋松付室小门4个螺丝,打开氩气阀门充氩气至常压,关闭氩气,旋开付室小门4个螺丝,打开付室小门。

单晶炉具体操作步骤

单晶炉具体操作步骤

1、目的为正确、规范地操作单晶炉,确保生产作业正常,特制订本规范。

2、适用范围适用于TDR-70A/B和JRDL-800型单晶炉的操作。

3、单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。

b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。

c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。

d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。

e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。

f. 用毛巾将炉体从上到下一遍,擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。

B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉)、5.0小时(JRDL-800型单晶炉)后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min),开始抽高真空,并作时间记录。

b. 待炉内压力到达极限(要求达到3Pa以下)后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若0.5小时内抽不到3Pa以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

c. 检漏要求3分钟以上,漏气率<0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录,若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后,旋松付室小门4个螺丝,打开氩气阀门充氩气至常压,关闭氩气,旋开付室小门4个螺丝,打开付室小门。

单晶硅设备工艺流程

单晶硅设备工艺流程

单晶硅设备工艺流程
1.原料准备:单晶硅的主要原料是冶炼用石英砂,通常经过洗选、干
燥等处理,使得原料的杂质含量满足要求。

2.熔炼:将原料石英砂与还原剂等掺混后投入石墨电阻加热炉内进行
熔炼。

石墨电阻加热炉会使原料达到熔点,经过高温处理,熔融的石英砂
会逐渐凝固形成单晶硅。

3.拔取:在熔炼过程中会用到拔取技术。

拔取是通过将单晶硅的种子
晶体插入熔液中,然后逐渐向上拉取,使单晶硅沿着晶体方向生长。

4.矫整:拔取后的单晶硅棒需要进行矫整处理。

矫整是通过加热、旋
转和拉伸等过程,使单晶硅棒达到所需的直径和形状。

5.切割:矫整后的单晶硅棒会被切割成所需的长度,通常使用激光或
钻孔方式进行切割。

6.清洗和提纯:切割后的单晶硅棒需要进行清洗和提纯处理。

清洗是
为了去除表面的杂质和污染物,提纯是为了进一步提高单晶硅的纯度。

7.化学机械抛光:通过机械研磨和腐蚀的方式,对单晶硅棒进行抛光
处理。

抛光是为了获得更加光滑和平整的表面,以便后续工艺的进行。

8.晶片制备:将单晶硅棒切割成薄片,通常使用金刚石锯片进行切割。

切割后的单晶硅薄片可以用来制备太阳能电池、集成电路等。

9.检测和测试:对制备的单晶硅材料进行检测和测试,包括物理性能、光学性能等方面。

这是为了确保单晶硅材料达到所需的质量和性能要求。

以上是单晶硅设备工艺流程的主要步骤,每个步骤都需要精确控制各种工艺参数和设备条件,以确保最终制备的单晶硅材料具有高纯度和良好的性能。

单晶硅的工艺流程是什么

单晶硅的工艺流程是什么

单晶硅的工艺流程是什么单晶硅,作为集成电路和光伏等领域的重要材料,在现代科技领域发挥着不可替代的作用。

其生产工艺是一个复杂而精密的过程,需要经过多道工序才能最终得到高纯度的单晶硅材料。

以下将介绍单晶硅的工艺流程。

首先,单晶硅的生产从硅矿石提炼开始。

硅矿石经过矿选、碎矿、磨矿等步骤,得到高硅含量的矿石。

接着,将高硅含量的矿石与还原剂(通常是木炭)放入电炉中,通过高温熔炼还原法来提取出冶炼硅。

这一步骤主要是将矿石中的氧化硅还原为金属硅。

随后,得到的冶炼硅被进一步精炼成氧化硅。

通常采用气相沉积法(CVD)或者熔融法进行精炼,通过控制温度、气氛和其他条件,使得硅材料的杂质得到进一步去除,提高材料的纯度。

接下来,通过将精炼后的氧化硅和还原剂(如氢气)放入石英坩埚中,经过高温熔炼,制备出硅单晶。

将坩埚缓慢冷却,在适当的条件下,硅单晶开始逐渐生长,形成长而细长的单晶柱。

这一步骤需要非常精确的温度控制和晶体生长条件,以确保单晶硅的质量和完整性。

接着,从硅单晶柱中切割出硅片。

这一步骤需要使用钻石刀具和精密设备,通过切割和抛光,将硅单晶柱切割成薄薄的硅片。

硅片的厚度通常在几微米到数十微米之间,可以根据不同的需求进行定制。

最后,对硅片进行表面处理和清洗,去除表面污染和杂质。

随后进行掺杂、扩散、电镀等工艺步骤,将硅片制备成高纯度、定制化的单晶硅片,供集成电路、光伏等行业使用。

综上所述,单晶硅的生产工艺包括硅矿石提炼、冶炼硅提取制备氧化硅、硅单晶生长、切片、表面处理等关键步骤。

这一精密而复杂的工艺流程确保了单晶硅材料的高纯度和品质,从而为现代科技领域的发展提供了可靠的材料基础。

1。

单晶炉工艺操作标准

单晶炉工艺操作标准
4〕石英埚内壁用酒精纤维纸擦拭一遍
点、无变形、内壁光滑
5〕把石英埚装入石墨埚内,放平稳
*要平衡安装
2
装料
1〕换好装料服和一次性手套
2〕核实炉料品种重量将其放在装料车上
3〕首先放入母合金,然后小碎料平铺于埚底
防止大料磕裂埚底造成漏料
3〕大块料放在中央,用中块料填补固定
*大块料严禁放在顶部
4〕中块料放在大块料周围,小块料填补空隙
3〕把籽晶装入钼卡头,要顺利装入
考虑钼夹头和钼销的热膨胀
4〕籽晶升入副室炉筒内,防止掀翻板时被撞坏
*防止钼销卡死在夹头内
5)把小副室内壁及小副室门内壁再擦拭一遍,
*不能硬敲击籽晶和钼销
关闭副室小门,均匀上紧螺丝
开炉前作业
作业内容
考前须知
1
真空检验
1〕冷却水压≥0.18Mpa,炉体无明显震动
2〕点击主泵按钮2-3次,启动真空泵,
两者要每炉进展比照,以便把误差减至最小
做好记录
等径作业
作业内容
考前须知
1
等径控制
1〕转过肩后,对等径状态观察20min,确认棱
线明显后,切入自动,认真做好记录
2〕每隔10分钟对炉内观察一次,确认有无
*有异常情况不能确认时
异常,每小时做一次记录
应征求班长工艺员的意见
3〕等径由输入计算机控制器的参数进展控制,
等径回熔总和不超过4次)
3〕提出时将肩快速升到导流筒中间部位,给
拉速6mm/min保持10min,然后快速上升至
副室炉筒内,主室充气,盖住翻板阀
4〕增大副室氩气流量,到达常压关闭副室氩气,
10分钟后翻开副室小门,剪断细颈取出肩
取肩时不要污染重锤和籽晶

单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶硅片单晶炉设备工艺流程

单晶炉工艺流程:
准备作业 热态检漏 取单晶和籽晶 石墨件取出冷却 石墨件清洗 装硅料 籽晶安装 单晶炉室清洗 抽空,检漏
真空过滤器清洗 石墨件安装
真空泵油检查更换 石英坩埚安装
充氩气,升功率,融料
收尾 降功率 停炉冷却
引晶,放大,放肩,转肩
等径生长
详细介绍:



1.准备作业:穿戴好洁净工作服,鞋,带好一次性手套,耐高温手套,
晶体速度控制界面:
目录
1.硅料的提炼 2.单晶硅片生产流程 3. 单晶炉展示 4. 产品展示 5. 单晶炉种类 6. 单晶炉结构 7. 各个部件的作用 8. 单晶工艺流程 9. 晶升, 埚升介绍 10.加热部分
直拉单晶炉的热系统,也就是所谓的热场,是指为了熔化硅料,并使单晶生长保 持在一定温度下进行的整个系统。
热场一般包括压环、保温盖、上中下保温罩、石墨坩埚(三瓣埚)、坩埚托杆、坩埚 托盘、电极、加热器、导流筒、石墨螺栓,且为了防止漏硅,炉底、金属电极、托 杆、都设置了保护板、保护套。
加热器是热场中很重要的部件, 是直接的发热体,温度最高的 时候可以达到1600℃以上。 常见的加热器有三种形状,筒 状、杯状、螺旋状。目前绝大 多数加热器为筒状,硅单晶厂 房使用的是直筒式形状的加热 器。右图为加热器。
1.提拉头:
提拉头:晶升电机,晶转电机,离合器,钢丝绳,光感 限位,磁流体等部件组成。 作用 :在拉晶过程中,提供晶升与晶转速度,通过PCC控 制模块 的开关量变化,来控制晶体直径。
2.副室,翻板阀,主室:
翻板阀作用:在拉晶过程中,对于提纯,拉ABCD段时,用 于隔离主室与副室,使主室温度,压力一定。
3.单晶硅料烘干:去除水分。
4.挑料:区分P型,N型硅料。 5.配料:对拉晶的硅料型号进行匹配。

单晶硅生产工艺流程图

单晶硅生产工艺流程图

单晶硅生产工艺流程图单晶硅是一种重要的半导体材料,广泛应用于电子、光伏等领域。

单晶硅的生产工艺流程十分复杂,需要经过多道工序才能得到高纯度的单晶硅产品。

下面将详细介绍单晶硅生产的工艺流程图。

1. 原料准备。

单晶硅的生产原料主要是二氧化硅,通常采用石英砂作为原料。

首先需要对石英砂进行粉碎、洗涤等处理,以去除杂质和提高纯度,得到符合要求的原料。

2. 熔炼。

将经过处理的石英砂放入熔炉中进行熔炼,加入适量的碳素材料作还原剂,通过高温熔炼使石英砂融化成液态硅。

在熔炼过程中,需要控制温度、气氛等参数,以确保熔炼得到的硅液纯度高、成分均匀。

3. 晶体生长。

将熔融的硅液逐渐冷却,形成硅棒。

然后利用拉棒法或者悬浮区法等方法,将硅棒逐渐拉长,形成单晶硅棒。

在晶体生长过程中,需要严格控制温度梯度和拉速,以获得高质量的单晶硅。

4. 切割。

将生长好的单晶硅棒进行切割,得到符合要求尺寸的硅片。

切割过程需要考虑硅片的厚度、表面质量等因素,确保切割得到的硅片质量良好。

5. 清洗。

对切割得到的硅片进行清洗,去除表面的污染物和杂质。

清洗过程通常包括酸洗、碱洗、去离子水清洗等步骤,以确保硅片表面干净。

6. 晶圆制备。

将清洗好的硅片进行化学机械抛光,得到表面光滑、平整的硅片,即晶圆。

晶圆制备过程需要控制抛光厚度、表面粗糙度等参数,以满足半导体制造的要求。

7. 掺杂和扩散。

对晶圆进行掺杂和扩散处理,改变硅片的电学性质。

掺杂通常采用离子注入或者热扩散的方法,使硅片形成P型或N型半导体材料。

8. 沉积。

在晶圆表面沉积一层绝缘层或金属层,用于制作电子器件的绝缘层或导线。

沉积过程通常采用化学气相沉积或物理气相沉积的方法。

9. 光刻。

利用光刻技术,在晶圆表面覆盖一层光刻胶,然后通过光刻机将图案投影到光刻胶上,形成光刻图案。

光刻图案用于制作电子器件的导线、晶体管等结构。

10. 腐蚀和离子注入。

利用腐蚀技术,去除光刻图案未覆盖的部分材料,形成电子器件的结构。

单晶硅设备工艺流程共55页文档

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谢谢!
51、 天 下 之 事 常成 于困约 ,而败 于奢靡 。——陆 游 52、 生 命 不 等 于是呼 吸,生 命是活 动。——卢 梭
53、 伟 大 的 事 业,需 要决心 ,能力 ,组织 和责任 感。 ——易 卜 生 54、 唯 书 籍 不 朽。——乔 特
单晶硅设备工艺流程
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风景澈Fra bibliotek。7、翩翩新 来燕,双双入我庐 ,先巢故尚在,相 将还旧居。
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9、 陶渊 明( 约 365年 —427年 ),字 元亮, (又 一说名 潜,字 渊明 )号五 柳先生 ,私 谥“靖 节”, 东晋 末期南 朝宋初 期诗 人、文 学家、 辞赋 家、散
文 家 。汉 族 ,东 晋 浔阳 柴桑 人 (今 江西 九江 ) 。曾 做过 几 年小 官, 后辞 官 回家 ,从 此 隐居 ,田 园生 活 是陶 渊明 诗 的主 要题 材, 相 关作 品有 《饮 酒 》 、 《 归 园 田 居 》 、 《 桃花 源 记 》 、 《 五 柳先 生 传 》 、 《 归 去来 兮 辞 》 等 。
55、 为 中 华 之 崛起而 读书。 ——周 恩来

单晶硅生产操作规程(印刷烧结)

单晶硅生产操作规程(印刷烧结)

单晶硅生产操作规程单晶硅生产操作规程编写编制:审核:批准:单晶硅生产工艺操作规程一、晶体硅太阳能电池片生产流程硅片检测一次清洗氧化扩散刻蚀二次清洗PECVD丝网印刷高温烧结分选测试包装单晶硅生产操作规程印刷烧结分册一、丝网印刷1.目的:指导操作员正确使用印刷机,确保印刷机处于良好的运行状态,并保证所印电池片的产品质量。

2.使用范围:全自动丝网印刷机(DEK-J )3.丝网印刷原理:利用丝网图形部分网孔透浆料,非图文部分网孔不透浆料的基本原理进行印刷。

印刷时在丝网一端倒入浆料,用刮刀在丝网的浆料部位施加一定压力,同时朝丝网另一端移动。

浆料在移动中被刮板从图形部分的网孔中挤压到基片上。

由于浆料的黏性作用而使印迹固着在一定范围之内,印刷过程中刮板始终与丝网印版和承印物呈线接触,接触线随刮刀移动而移动,由于丝网与承印物之间保持一定的间隙,使得印刷时的丝网通过自身的张力而产生对刮板的反作用力,这个反作用力称为回弹力。

由于回弹力的作用,使丝网与基片只呈移动式线接触,而丝网其它部分与承印物为脱离状态,保证了印刷尺寸精度和避免蹭脏承印物。

当刮板刮过整个印刷区域后抬起,同时丝网也脱离基片,工作台返回到上料位置,至此为一个印刷行程。

丝网印刷有五大要素组成:工作台、基片、网版、浆料和刮刀。

工作台基片丝网刮刀浆料单晶硅生产工操作规程丝网印刷原理示意图4.内容:4.1操作前准备工作4.1.1各工序物料的准备工作4.1.1.1将生产用酒精、无尘纸、PVC手套、松油醇等易耗品准备好后,放置在指定位置。

4.1.1.2将各工序所需的浆料、网版、刮刀等原材料准备就绪,放在各自的工作台上。

4.1.1.3到流转窗口领取生产所用硅片并做好记录。

4.1.2打开压缩空气,并检查压缩空气压力是否达到0.5MPa,当压缩空气的压力达不到上述标准时,联系辅助部门给予解决。

4.1.3打开电源开关4.1.3.1打开电控柜丝网印刷机电源开关。

打开印刷机电源开关,开通电源后出现初始化界面,初始化时,系统自动检查,如有异常发生,便会显示异常原因,否则35秒后将自动进入菜单式。

单晶炉操作工艺流程作业准备

单晶炉操作工艺流程作业准备

单晶炉操作工艺流程作业准备→热态检漏→取单晶和籽晶→石墨件取出冷却→真空过滤器清洗→真空泵油检查更换→石墨件清洗→单晶炉室清洗→石墨件安装→石英坩埚安装→硅料安装→籽晶安装→抽空、检漏→充氩气、升功率、熔料→引晶、缩颈、放肩、转肩→等径生长→收尾→降功率、停炉冷却4、主要内容A. 作业准备a. 进入单晶车间须穿戴好洁净工作服、鞋。

b. 开炉前,按工艺要求检查水、电、气,确认无误后方能开炉。

c. 准备好一次性洁净手套、耐高温手套、毛巾、纸巾、研磨布、酒精、吸尘刷、吸尘管、防尘口罩。

d. 准备好钳子、扳手和各类装拆炉专用工具。

e. 取单晶的架子、装石墨件的不锈钢小车、装埚底料的不锈钢筒和装硅料的不锈钢小车,并处理干净。

f. 用毛巾将炉体从上到下一遍,擦洗时注意不要将所有控制接线及开关碰断或碰坏,并把炉子周围清扫干净。

B. 热态检漏a. 检查上一炉功率关闭时间,在单晶冷却 4.0小时(TDR-70A/B型单晶炉)、5.0小时(JRDL-800型单晶炉)后,关闭氩气(只关闭氩气阀门,主、付室流量计调节阀打开并分别调节到30L/Min),开始抽高真空,并作时间记录。

b. 待炉内压力到达极限(要求达到3Pa 以下)后,先关闭主室球阀而后关闭真空泵电源进行检漏,并作相应时间记录,若0.5小时内抽不到3Pa以下时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

c. 检漏要求3分钟以上,漏气率<0.34Pa/min为正常,同时作好漏气率记录,若漏气率>0.34Pa/min时,交有关维修人员处理,在此期间须配合有关维修人员进行装拆炉,并作相关记录。

C. 取单晶和籽晶a. 热态检漏后,旋松付室小门4个螺丝,打开氩气阀门充氩气至常压,关闭氩气,旋开付室小门4个螺丝,打开付室小门。

b. 提升单晶至付室,从付室小门内确认单晶升至所需高度,若无异常,盖住翻板阀,打开液压泵,升起付室。

c. 把安全接盘移到炉筒口处,缓慢转动付室至侧面。

单晶操作工艺规程

单晶操作工艺规程

.操作工艺流程热场清扫T热场组装T装料T化料T稳定T引晶T放肩T转肩T等径T收尾T冷却热场清扫的要求与注意事项1、热场清扫时要求除石墨部件表面的氧化物;2、碳毡表面和底部的氧化物;3、把清扫完的石墨部件要放在清扫干净的热场车上;4、清扫热场前要求穿戴取热场部件必须带上防热手套以免烫伤;5、拿下的热场部件要轻拿轻放,放在热场车上,禁止与金属接触,如:油漆、润滑油等;6、清扫热场时必须在指定地点,远离单晶炉,禁止用空调吹,清扫要认真、仔细,热场部件一定要清扫干净;7、拆热场时要注意热场放置的顺序和它的位置,禁止叠放。

二、热场组装1、保证石墨部件的同轴度;2、保证石墨部件之间的配合;3、加热器脚螺栓要拧松紧适中;4、检查石墨部件的洁净度和石墨部件是否有损伤;5、中轴是否居中拧紧;6、放置保温筒后对中导气孔测温孔;7、加热器放水平,对中,检查其脚是否有碎的石墨纸;8石墨坩埚放水平,检查旋转时是否有晃动;9、总的要求是:水平、同心、同轴。

三、装料1、装料前必须按要求着装;注意好工艺卫生,防止料的二次污染。

2、如果有大块料需要提前处理,处理时必须保证不受任何污染;3、先检查石英坩埚是否的损伤,气泡,黑点,是否符合石英坩埚的检查标准,然后将石英坩埚装好,保证水平;4、装料时所注意到的有:(1)检查石英坩埚放置是否水平(2)着装是否正确(3)放掺杂剂(4)料与石英坩埚之间避免撞击(5)大块料和埚底料放在最下面(6)碎料应装在石英坩埚1/2以下位置(7)最上面装中等大小的块状料(8)注意更换卫生用具,每装完一袋料更换一次一次性手套;(9)装料时不允许旁观者近距离接触现场(10)装料完毕后,将坩埚下降与加热器水平,下降籽晶吊绳,慢慢上升吊绳,要求籽晶的上升速度为200mm/min四、点检1、先开主泵去看主泵的油位2、冷水压力是否在0.2 —0.3mpa之间3、氩气压力是否在0.25—0.3mpa之间4、副泵油位是否在1/2—2/3之间5、真空泵油位是否在1/2—4/5之间,油是否清晰6、真空泵冷却水是否打开五、抽真空和检漏1、启动主泵缓慢打开主阀,当压力表指数在-0. 05——-0 . 1Mpa之间时充氩气,反复三次,半小时内真空计能达到3pa以下就可以捡漏。

单晶硅生产工艺流程

单晶硅生产工艺流程

单晶硅生产工艺流程
《单晶硅生产工艺流程》
单晶硅是一种非常重要的半导体材料,广泛应用于电子、太阳能等领域。

其生产工艺流程十分复杂。

下面将介绍单晶硅生产的工艺流程。

首先,从矿石中提取硅。

硅矿经过破碎、粉碎、浸出等工序,提炼出硅的原始材料。

接着,原始材料要经过精炼、氧化等处理,得到硅的初级产物。

然后,得到的初级产物需要通过多道精炼处理。

通过熔炼、结晶、拉丝等工艺,将初级产物转化为单晶硅。

在拉丝的过程中,需要确保温度、压力、拉力等参数的稳定,以保证单晶硅的纯度和结晶度。

最后,通过切割、研磨、抛光等工序,将拉制得到的单晶硅坯料加工成为各种尺寸和形状的硅片,以供电子、光伏等行业使用。

单晶硅生产工艺流程十分复杂,需要严格控制各个环节的工艺参数,以确保产品的质量和性能。

同时,随着科技的进步和市场需求的变化,单晶硅生产的工艺流程也在不断改进和优化,以适应新的发展趋势。

单晶硅片制作工艺流程

单晶硅片制作工艺流程

单晶硅片制作工艺流程1.原料采集和精炼:单晶硅片的主要原料是硅矿石,如石英石和硅石。

这些矿石首先经过破碎和洗涤等处理,然后通过冶炼和熔炼等工艺,将其转化为高纯度的多晶硅块。

2.多晶硅净化:多晶硅块是通过化学工艺进一步净化得到的。

首先,将多晶硅块切割成适当大小的块状,然后将其置于反应室中,加入腐蚀剂如盐酸或氯化氢。

在高温条件下,腐蚀剂会去除多晶硅表面的杂质,提高硅片的纯度。

3.单晶硅生长:在单晶硅生长过程中,将净化后的多晶硅块放入单晶硅生长炉中。

加热并融化其中一端,然后通过拉引法,逐渐将炉子内的硅液拉出,形成单晶硅棒。

单晶硅棒的直径和长度可以根据需要进行调整。

4.单晶硅切片:将单晶硅棒切割成薄片,即单晶硅片。

切割主要采用金刚石线锯或其他硬质切割工具,将单晶硅棒切割成适当大小和厚度的圆片。

切割后的单晶硅片表面较粗糙,需要通过抛光来提高表面的平整度和光洁度。

5.单晶硅片抛光:通过机械抛光、化学抛光和电解抛光等方法,将单晶硅片表面的划痕和不平整部分去除,使其表面平整,并提高其光洁度。

抛光过程中需要非常小心,避免过度抛光导致单晶硅片厚度过薄。

6.单晶硅片清洗和检验:将抛光后的单晶硅片放入超纯水或溶液中进行清洗,以去除残留的杂质和污染物。

然后对单晶硅片进行各种检验,包括厚度、纯度和晶格质量等检查,确保质量符合要求。

7.氮化硅涂层:单晶硅片表面一般需要进行氮化硅涂层,用于减少电池片表面的反射,提高电池的光吸收效率。

氮化硅涂层可以通过磁控溅射、化学气相沉积等技术进行。

8.硅片分级和包装:对单晶硅片进行分级,将其按照厚度和各项性能进行分组。

然后根据需要,将单晶硅片进行包装或切分,以便后续的太阳能电池组件制造过程使用。

总结:单晶硅片制作工艺流程包括原料采集和精炼、多晶硅净化、单晶硅生长、单晶硅切片、单晶硅片抛光、单晶硅片清洗和检验、氮化硅涂层以及硅片分级和包装等步骤。

这些步骤的每一步都是为了保证单晶硅片的质量和性能,从而提高太阳能电池的效率和稳定性。

单晶硅炉出炉工艺流程

单晶硅炉出炉工艺流程

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