《模拟电子技术》模拟题1-5(含答案)
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《模拟电子技术》模拟题1
一、判断(10分)
1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。()
2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。()
3、PN结具有单向导电特性。()
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。()
5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。()
6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。()
7、直流负反馈不能稳定静态工作点。()
8、晶体二极管击穿后立即烧毁。()
9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。()
10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。()
二、选择(10分)
1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。
A、3
B、5
C、2
D、4
2、稳压管工作于 ( )状态下,可以稳定电压。
A、正偏导通
B、反偏截止
C、反向击穿
3、三极管放大的外部条件 ( )。
A、正偏导通,反偏截止
B、正偏截止,反偏导通
C、正偏导通,反偏导通
D、正偏截止,反偏截止
4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( )。
A、共发射极
B、共集电极
C、共基级
D、以上均不能
K越大,表明电路()。
5、共模抑制比CMR
A、放大倍数越稳定;
B、交流放大倍数越大;
C、抑制温漂能力越强;
D、输入信号中的差模成分越大。
6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流
应引入( )反馈,为减小输出电阻,应引入( )反馈。 A 、电压 B 、电流 C 、串联 D 、并联 7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是( )。
A 、RC 振荡电路
B 、L
C 振荡电路 C 、石英晶体振荡电路
三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i =5sin ωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。(每题10分,共20分)
R
(a )
(b )
图1
四、简答题(每题5分,共10分)
1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。
2.简述负反馈对放大电路性能的影响。
五、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。 (10分)
1. 求另一电极电流的大小,并标出实际极性;
2. 判断是NPN 管还是PNP 管;
3. 标出e,b,c 电极;
4. 估算β值。
六、分析题(每题10分,共30分)
图2
1.8mA
0.03mA
1.由运放组成的电路如图3所示,要求:
(1)指出电路的反馈组态;
(2)指出该组态对输入电阻和输出电阻的影响;(3)求出其输出电压uo和输入电压ui之间的关系。
u i
R f 图3
2.电路如图4所示,电阻R1=R2=R4=20KΩ, R3=R5=40KΩ, R6 =200KΩ,试求输出电压与输入电压之间的关系式。
u
R3
u
3.电路如图5所示:
(1)画出直流通路,并求静态工作点I B,I C,U CE的关系式。
(2)画出微变等效电路图,并求放大电压倍数A,输入电阻R i,输出电阻R O的关系式。
图5
六、设计题(10分)
电路如图6所示,已知V2的有效值足够大,合理连线,构成12V的直流电源。
1
2
3
7
9
+
_
O=12V
R
图6
《模拟电子技术》模拟题1答案
一、判断(10分)
1、(√)
2、(√)
3、(√)
4、(√)
5、(√)
6、(×)
7、(×)
8、(×)
9、(×)10、(×)
二、选择(10分)
1、 ( A )
2、( C )
3、( A )。
4、( A )
5、( C )
6、( B )( A )。
7、( C )
三、
R
图1
4V
四、简答题
1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。 答: 组成结构: (1) 放大电路。 (2) 反馈网络。 (3) 选频网络。 (4) 稳幅电路。 相位条件: 幅度条件:
起振条件: 2.简述负反馈对放大电路性能的影响。
稳定静态工作点;稳定放大倍数;提高输入电阻;降低输出电阻;扩展通频带。 五、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。 (10分)
πϕϕϕn F A AF 2±=+=1
=∙
∙F A 1
>∙
∙F A
5. 求另一电极电流的大小,并标出实际极性;
6. 判断是NPN 管还是PNP 管;
7. 标出e,b,c 电极;
8. 估算β值。
答:1、1.83mA ,极性向外。 2、NPN 管 3、略
4、β=1.8/0.03=60 六、分析题(每题10分,共30分)
1. 答:电压并联负反馈;增大输入电阻,减小输出电阻。Uo=-(Rf/R1)*ui
2. 答:uo=20ui1+20ui2-5ui3
3.答:
CC
B B B B V R R R U 1
22
+=
β/C B
I I =
c o be i R R r R ==
六、设计题(10分)
答:1-3,2-6,4-7-9,6-8-11-13,10-12,
《模拟电子技术》模拟题2
一、判断(10分)
1、雪崩击穿和齐纳击穿的物理过程是一样的。( )
be
L u r R'A β
-=L
C L R R R'//=E
B
E BE B E C R U R U U I I ≈-=
≈E
E C C C CE R I R I E U ⋅-⋅-=图2
1.8mA
0.03
mA