材料基础-第四章固体材料的缺陷
固体材料的结构与缺陷
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(3)共价键
使用共用电子产生的化学结合方式称为共价键。 同种原子间形成的共价键,共用电子对不偏向任 何一个原子,成键原子都不显电性,这种键称为 非极性键。例如H2、Cl2、N2等。 由于不同原子的电负性不同,共用电子对偏向电 负性大的原子,电负性大的原子就带部分负电 荷,电负性小的原子就带部分正电荷,这样的键 称为极性键。 配位键:共价键中的共用电子是由同一个原子所共 用。
结合键的定义:粒子(原子,离子或分子) 之间的相互作用。 作用的驱动力:降低系统能量。 由于相互作用时的,原子外层电子发生 的变化不一样,由此产生不同类型的结合 键。主要分为五种。
范德华键 共价键 离子键 金属键 氢键
主价键(化学键)
次价键(物理键)
4
2
(1)金属键:金属中自由电子和金属离子之间的键合。 金属原子的结构特点就是外层电子数较少,不 超过3个,容易脱离原子核的束缚成为自由电 子,而原子成为正离子。金属靠正离子和自由 电子的库伦引力结合在一起,这种结合方式称 为金属键。 特点:1 电子共有化 2 既无饱和性又无方向性 特征:具有良好的导电和导热性,具有光泽和不 透明性,塑形和结晶性好。
(4)四面体间隙
① 四面体的构成:两体心原子及其棱边两原子构成一个四 面体(非正四面体,但间隙中心距四原子等距离 a)。 ② 间隙位置:各棱中点连线的1/4 或3/4 处。 ③ 间隙位置坐标:(a/4,a/4,0 ) ④ 单胞内间隙个数: 24×(1/2)=12(个)
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41
2.3.3 金属晶体 (1)结构 金属键的结合没有方向性,都是选择密堆密 度高,对称性好,配位数高的晶体结构类型。 绝大金属都是选择能满足这个“三高”的晶体 结构:fcc,bcc,hcp Bcc:钼(Mo)、钨(W)、钒(V)、 α-铁(α-Fe, <912℃) Fcc:铝(Al)、铜(Cu)、镍(Ni)、金(Au)、 银(Ag)、γ- 铁( γ-Fe, 912℃~1394℃) Hcp:镁(Mg)、镉(Cd)、锌(Zn)、铍(Be)等。
材料科学基础 第4章 点缺陷和扩散
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化、烧结等都产生了重要的影响。
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二、离子晶体中的空位及间隙原子
肖脱基缺陷:为了保持晶体的电的中性,空位只能 以与晶体相同的正离子:负离子的空位比率小组的 方式产生。这些电中性的正离子-负离子-空位丛簇 称为。 弗兰克缺陷:以空位/间隙对形式存在的缺陷群。
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关于空位的总结
空位是热力学上稳定的点缺陷,一定的温度对应一定的 平衡浓度,偏高或偏低都不稳定。
不同金属的空位形成能是不同的,一般高熔点金属的形 成能大于低熔点金属的形成能。
空位浓度、空位形成能和加热温度之间的关系密切。在 相同的条件下,空位形成能越大,则空位浓度越低;加 热温度越高,则空位浓度越大。 C平=exp[-Ev/kT+Sc/k]
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空位迁移也要克服一定的“势垒”,也即空位迁移能Qfv。 迁移速率为: j=zexp(Sc/k)exp(-Qfv/kT)
金属熔点越高,空位形成能和迁移能越大。所以,在相 同条件下,高熔点金属形成的空位数比低熔点金属少。
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5.材料中空位的实际意义
空位迁移是许多材料加工工艺的基础。
晶体中原子的扩散就是依靠空位迁移而实现的。 在常温下空位迁移所引起的原子热振动动能显著提高,再加上高 温下空位浓度的增多,因此高温下原子的扩散速度十分迅速。
53扩散分类1根据?c?t分类稳态扩散和非稳态扩散2根据?c?x分类?c?x0自扩散在纯金属和均匀合金中进行?c?x?0互扩散上坡扩散和下坡扩散3根据扩散途径分类体扩散晶界扩散表面扩散短程扩散沿位错进行的扩散4根据合金组织分类单相扩散多相扩散54二扩散的物理描述fick第一扩散定律影响原子移动的速率即扩散速率的因素
第四章 固体物理-晶体缺陷
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点缺陷
• Frenkel 缺陷 、Schottky缺陷、填隙原子缺陷 成对出现 只有空位 只有填隙原子
线缺陷
刃位错:刃位错的构成象似一把刀劈柴似的,把半个原子面夹到完整晶体中,这半 个面似刀刃,因而得名。它的特点是:原子只在刃部的一排原子是错排的,位错线 垂直于滑移方向。
F H A’
b
刃位错
A
B
有N个原子的体系,如果有n1个空位,每个原子旁有 空位的几率为n1/N,因此因空位引起的单位时间内的 原子迁移几率为(扩散率):q = n1q’/N。将(4.6) 和(4.4)代入有:
q n 01e
(u1 E1 ) / kT
( 4.15 )
将(4.15)代入(4.9)有:
1 2 (u1 E1 ) / kT D1 n 01e 6 即 D1 D01e Q1 / kT
( 4.16 ) ( 4.17 )
1 2 D01 n 01, Q1 N ( ), A u1 E1 6 N A为阿弗加德罗常数,和 ( 4.6 )所示经验公式符合
二、填隙原子机制
当原子由正常位置进入间隙位置之后,可以比较容易在 两个间隙中发生移动,从而产生扩散。
从正常位置跳入间隙位置的所需能量为u2,跳入几率为:
B’
E
螺位错:当晶体中存在螺位错时,原来的一组晶面就象变成似单个晶面组成的螺旋阶梯 。它的特点是:原子只在靠近阶梯的部分排错一列原子,位错线和位移方向平行。
A’
螺位错
A B
A’
b
A’
B
A
C
面位错 晶界和堆垛层错
§4.2 热缺陷数目的统计方法
热缺陷是处在不断产生、不断运动和不断复合的热运动 平衡过程中。
材料科学基础第四版答案
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材料科学基础第四版答案【篇一:材料科学基础课后习题答案】txt>第一章材料结构的基本知识4. 简述一次键和二次键区别答:根据结合力的强弱可把结合键分成一次键和二次键两大类。
其中一次键的结合力较强,包括离子键、共价键和金属键。
一次键的三种结合方式都是依靠外壳层电子转移或共享以形成稳定的电子壳层,从而使原子间相互结合起来。
二次键的结合力较弱,包括范德瓦耳斯键和氢键。
二次键是一种在原子和分子之间,由诱导或永久电偶相互作用而产生的一种副键。
6. 为什么金属键结合的固体材料的密度比离子键或共价键固体为高?答:材料的密度与结合键类型有关。
一般金属键结合的固体材料的高密度有两个原因:(1)金属元素有较高的相对原子质量;(2)金属键的结合方式没有方向性,因此金属原子总是趋于密集排列。
相反,对于离子键或共价键结合的材料,原子排列不可能很致密。
共价键结合时,相邻原子的个数要受到共价键数目的限制;离子键结合时,则要满足正、负离子间电荷平衡的要求,它们的相邻原子数都不如金属多,因此离子键或共价键结合的材料密度较低。
9. 什么是单相组织?什么是两相组织?以它们为例说明显微组织的含义以及显微组织对性能的影响。
答:单相组织,顾名思义是具有单一相的组织。
即所有晶粒的化学组成相同,晶体结构也相同。
两相组织是指具有两相的组织。
单相组织特征的主要有晶粒尺寸及形状。
晶粒尺寸对材料性能有重要的影响,细化晶粒可以明显地提高材料的强度,改善材料的塑性和韧性。
单相组织中,根据各方向生长条件的不同,会生成等轴晶和柱状晶。
等轴晶的材料各方向上性能接近,而柱状晶则在各个方向上表现出性能的差异。
对于两相组织,如果两个相的晶粒尺度相当,两者均匀地交替分布,此时合金的力学性能取决于两个相或者两种相或两种组织组成物的相对量及各自的性能。
如果两个相的晶粒尺度相差甚远,其中尺寸较细的相以球状、点状、片状或针状等形态弥散地分布于另一相晶粒的基体内。
如果弥散相的硬度明显高于基体相,则将显著提高材料的强度,同时降低材料的塑韧性。
材料化学 第4章 固体中的点缺陷
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• 完美的晶体是没有热力学地位的
H G
G= H-TS 对于位置的选择所引起的熵变 称为构型熵 根据Boltzmann公式: S=klnw
-TS
缺陷浓度
晶体中有如下几种可能的对理想结构偏离和结构不完整性的情况:
第一,当温度增加时,原子的振动频率也随着增加,其运动能量是量子化的,单位 能量子hν(ch为普朗克常量)叫做声子(phonon) (hole,带正电)。电子可以被激 发到较高的能级,而在通常是充满的电子能带(electronic energy level bands)上留 下空穴,称为电子空穴。如果这个被激发的电子仍然同电子空穴紧密结合在一起, 这个电子–电子空穴对就叫做激子(exciton),也可以把激子看成是处于激发态的原子 或离子。声子和激子问题,不在缺陷化学的讨论范围内。
点缺陷的局域能级
局域能级是指束缚着电子时的缺陷的能量状 态,不论是施主还是受主,都是指它带有 电子时的状态。
点缺陷的局域能级
• 施主缺陷D
D ED1 D e' D ED2 D e'
ED1
D
受主缺陷A
A E A1 A' h A' E A2 A' ' h
4.3 本征缺陷
• 本征缺陷 • 具有本征缺陷的晶体是指那些不含外来杂 质但其结构并不完善的晶体 (1) 晶体中各组分偏离化学整比性; (2) 点阵格位上缺少某些原子/离子(空位缺陷); (3) 在格位的间隙处存在原子/离子(间隙缺陷); (4) 一类原子/离子占据了另一类原子/离子本 该占据的格位(错位缺陷)。
4.1缺陷的分类
• • • • • • 4.1 缺陷的分类(根据缺陷的尺寸) (1)点缺陷,零维缺陷 (2) 线缺陷,一维缺陷 (3) 面缺陷,二维缺陷 (4) 体缺陷,三维缺陷 (5) 电子缺陷
材料科学基础I 第四章 (凝固与结晶)
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本章应掌握以下内容: 本章应掌握以下内容: 1. 金属凝固的过程和现象 2. 凝固和结晶的热力学条件 3. 几个重要概念:过冷度,临界晶核半径,临界形核功, 几个重要概念:过冷度,临界晶核半径,临界形核功, 形核率,均匀形核,非均匀形核, 形核率,均匀形核,非均匀形核,成分过冷 4. 冷却速度、过冷度对凝固过程和凝固组织的影响 冷却速度、 5. 液—固界面的结构及晶体生长形态 固界面的结构及晶体生长形态 6. 成分过冷对晶体生长形态的影响 7. 单相固溶体的长大 8. 两相共晶体的长大
三、近程有序(Short range order) 近程有序
由于有序原子集团的尺寸很小, 由于有序原子集团的尺寸很小,所以把液态金属结构的特点 概括为近程有序 温度降低,这些近程有序的原子集团( 近程有序。 概括为近程有序。温度降低,这些近程有序的原子集团(又称 晶胚Embryo)尺寸会增大;当具备结晶条件时,大于一定尺 为晶胚 )尺寸会增大;当具备结晶条件时, 寸的晶胚就会成为晶核 晶核(Nucleus)。晶核的出现就意味着结晶开 寸的晶胚就会成为晶核 。 始了。 始了。 综上所述,接近熔点的液态金属是由许多“原子集团”组成, 综上所述,接近熔点的液态金属是由许多“原子集团”组成, 其中原子呈规律排列,结构与原固体相似(近程有序);但是 其中原子呈规律排列,结构与原固体相似(近程有序);但是 ); 金属液体中存在很大的能量起伏,热运动激烈。 金属液体中存在很大的能量起伏,热运动激烈。原子集团的大 小不等,存在时间很短,时聚时散,空位较多。 小不等,存在时间很短,时聚时散,空位较多。原子集团之间 存在“空穴”和一些排列无序的原子。 存在“空穴”和一些排列无序的原子。
三、结晶的驱动力
∆G=GS‒GL<0,符合热力学第二定律。 ,符合热力学第二定律。 单位体积金属结晶时自由能的变化: 单位体积金属结晶时自由能的变化: ∆Gv=GS‒GL=(HS‒TSS) ‒(HL‒ TSL)= (HS‒ HL) ‒T (SS ‒ SL) = ‒∆Hm+ T∆S = ‒∆Hm+T(∆Hm/Tm) = ‒∆Hm(Tm‒T)/Tm =(‒∆Hm/Tm) ∆T ‒ ∆T=Tm‒T,称为过冷度 ,称为过冷度 ∆Hm,即结晶潜热 m 即结晶潜热L ∆Gv(<0)就是结晶的驱动力,∆T越大,结晶的驱动力越大。 就是结晶的驱动力, 越大 结晶的驱动力越大。 越大, 就是结晶的驱动力
《材料科学基础》总复习(完整版)
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《材料科学基础》上半学期内容重点第一章固体材料的结构基础知识键合类型(离子健、共价健、金属健、分子健力、混合健)及其特点;键合的本质及其与材料性能的关系,重点说明离子晶体的结合能的概念;晶体的特性(5个);晶体的结构特征(空间格子构造)、晶体的分类;晶体的晶向和晶面指数(米勒指数)的确定和表示、十四种布拉维格子;第二章晶体结构与缺陷晶体化学基本原理:离子半径、球体最紧密堆积原理、配位数及配位多面体;典型金属晶体结构;离子晶体结构,鲍林规则(第一、第二);书上表2-3下的一段话;共价健晶体结构的特点;三个键的异同点(举例);晶体结构缺陷的定义及其分类,晶体结构缺陷与材料性能之间的关系(举例);第三章材料的相结构及相图相的定义相结构合金的概念:固溶体置换固溶体(1)晶体结构无限互溶的必要条件—晶体结构相同比较铁(体心立方,面心立方)与其它合金元素互溶情况(表3-1的说明)(2)原子尺寸:原子半径差及晶格畸变;(3)电负性定义:电负性与溶解度关系、元素的电负性及其规律;(4)原子价:电子浓度与溶解度关系、电子浓度与原子价关系;间隙固溶体(一)间隙固溶体定义(二)形成间隙固溶体的原子尺寸因素(三)间隙固溶体的点阵畸变性中间相中间相的定义中间相的基本类型:正常价化合物:正常价化合物、正常价化合物表示方法电子化合物:电子化合物、电子化合物种类原子尺寸因素有关的化合物:间隙相、间隙化合物二元系相图:杠杆规则的作用和应用;匀晶型二元系、共晶(析)型二元系的共晶(析)反应、包晶(析)型二元系的包晶(析)反应、有晶型转变的二元系相图的特征、异同点;三元相图:三元相图成分表示方法;了解三元相图中的直线法则、杠杆定律、重心定律的定义;第四章材料的相变相变的基本概念:相变定义、相变的分类(按结构和热力学以及相变方式分类);按结构分类:重构型相变和位移型相变的异同点;马氏体型相变:马氏体相变定义和类型、马氏体相变的晶体学特点,金属、陶瓷中常见的马氏体相变(举例)(可以用许教授提的一个非常好的问题――金属、陶瓷马氏体相变性能的不同――作为题目)有序-无序相变的定义玻璃态转变:玻璃态转变、玻璃态转变温度、玻璃态转变点及其黏度按热力学分类:一级相变定义、特点,属于一级相变的相变;二级相变定义、特点,属于二级相变的相变;按相变方式分类:形核长大型相变、连续型相变(spinodal相变)按原子迁动特征分类:扩散型相变、无扩散型相变第5章 金属材料的显微结构特征一、纯金属的凝固及结晶1、结晶的热力学条件结晶后系统自由能下降。
《材料科学基础》第四章 固体中的扩散
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第四章固体中的扩散物质传输的方式:1、对流--由内部压力或密度差引起的2、扩散--由原子性运动引起的固体中物质传输的方式是扩散扩散:物质中的原子或分子由于热运动而进行的迁移过程本章主要内容:扩散的宏观规律:扩散物质的浓度分布与时间的关系扩散的微观机制:扩散过程中原子或分子迁移的机制一、扩散现象原子除在其点阵的平衡位置作不断的振动外,某些具有高能量的单个原子可以通过无规则的跳动而脱离其周围的约束,在一定条件下,按大量原子运动的统计规律,有可能形成原子定向迁移的扩散流。
将两根含有不同溶质浓度的固溶体合金棒对焊起来,形成扩散偶,扩散偶沿长度方向存在浓度梯度时,将其加热并长时间保温,溶质原子必然从左端向右端迁移→扩散。
沿长度方向浓度梯时逐渐减少,最后整个园棒溶质原子浓度趋于一致二、扩散第一定律(Fick第一定律)Fick在1855年指出:在单位时间内通过垂直于扩散方向某一单位截面积的扩散物质流量(扩散通量)与该处的浓度梯度成正比。
数学表达式(扩散第一方程)式中 J:扩散通量:物质流通过单位截面积的速度,常用量钢kg·m-2·s-1D:扩散系数,反映扩散能力,m2/S:扩散物质沿x轴方向的浓度梯度负号:扩散方向与浓度梯度方向相反可见:1), 就会有扩散2)扩散方向通常与浓度方向相反,但并非完全如此。
适用:扩散第一定律没有考虑时间因素对扩散的影响,即J和dc/dx不随时间变化。
故Fick第一定律仅适用于dc/dt=0时稳态扩散。
实际中的扩散大多数属于非稳态扩散。
三、扩散第二定律(Fick第二定律)扩散第二定律的数学表达式表示浓度-位置-时间的相互关系推导:在具有一定溶质浓度梯度时固溶体合金棒中(截面积为A)沿扩散方向的X轴垂截取一个微体积元A·dx,J1,J2分别表示流入和流出该微体积元的扩散通量,根据扩散物质的质量平衡关系,流经微体积的质量变化为:流入的物质量—流出的物质量=积存的物质量物质量用单位时间扩散物质的流动速度表示,则流入速率为,流出速率为∴积存率为积存速度也可以用体质C的变化率表示为比较上述两式,得将Fick第一定律代入得=(D) ——扩散第二方程若扩散系统D与浓度无关,则对三维扩散,扩散第二方程为:(D与浓度,方向无关)1、晶体中原子的跳动与扩散晶体中的扩散是大量原子无规则跳动的宏观统计结果。
材料科学基础---第四章 表面与界面
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J/m2 Nm2mm N
液体的表面能和表面张力在数值上是相等的;固体 的表面能和表面张力在数值上往往是不相等的。
思考题
1、固体表面具有哪些特征?固体表面的不均一 性是如何产生的?
2、在表面力作用下,离子晶体表面会产生哪些 变化?
3、表面粗糙度和微裂纹对晶体表面会产生什么 影响?
1)—开尔文方程
r2
P—曲面上蒸汽压 P0—平面上蒸汽压 r —球形液滴的半径 R—气体常数
—液体密度 M—分子量 —表面张力
讨论: (1) 凸面蒸汽压>平面>凹面蒸汽压。 应用:解释蒸发凝聚传质。 (2)开尔文公式也可应用于毛细管内液体的蒸汽压变化。
如液体对管壁润湿,则
lnP2M1cos P0 RT r
材料科学基础---第四章 表面 与界面
பைடு நூலகம்
一、固体表面的特征
1、固体表面的不均一性 ●绝大多数晶体是各向异性。 ●同一种物质制备和加工条件不同也会有不同的表 面性质。 ●由于晶格缺陷、空位或位错而造成表面的不均一 性; ●由于外来物质污染,吸附外来原子占据表面位置 引起固体表面的不均一性。 ●固体表面无论怎么光滑,从原子尺寸衡量,实际 上也是凹凸不平的。
4、什么是晶界?相界面?晶界具有什么特点? 5、什么是晶界构型?多晶材料中晶界相遇有哪
几种构型?
第二节 界面行为
一、弯曲表面效应 二、润湿与粘附
一、 弯曲表面效应
1、弯曲表面的附加压力 (1)定义:弯曲表面两边的压力差称为弯曲表面的附加压力。 符号:∆P。 (2)产生原因:由于表面张力的作用。方向:曲率中心。
图4-6 润湿的三种情况
(1)附着润湿
材料基础-第四章固体材料的缺陷
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1.晶体外表面 (outer surface of crystal) 位于表面上的原子与 晶体内部的原子相比,其 配位数较少,使表面原子 偏离正常位置(图4-13), 在 表面层产生了晶格畸变, 导致其能量升高。将这种 单位表面面积升高的能量 称为比表面能,简称表面 能,用单位长度上的表面 图4-13 表面原子排列 张力(N/m)表示。
那么原来的柏氏回路中包含的缺陷是点缺陷。 如果不能成为封闭的回路,则回路中包含的 缺陷是位错。这时,为使回路封闭,还需增加一 个向量b。图4-8所示的为刃型位错示意图。
图4-8 刃型位错的柏格斯回路和柏格斯矢量
用同样的方法作封闭回路,可以得到图49所示的螺型位错柏格斯矢量回路示意图。
a.实际晶体的柏氏回路; b.理想晶体的柏氏回路 图4-9 螺型位错的柏格斯回路
图4-7为螺型位错示意图
3.柏格斯回路 (Burgers circuit) 为描述晶体中位错移动的方向(晶向)和原 子畸变的大小,1939年柏格斯(J. M. Burgers)采 用柏氏回路来定义位错,借助一个规定的矢量, 即柏氏矢量来揭示位错的本质。 柏格斯回路是在有缺陷的晶体中,围绕缺陷 区将原子逐个连接而成的右旋封闭回路,简称 柏氏回路,用柏氏矢量b 连接,确保整个回路的 起点和终点的重合。 另外,为判断回路中包含的缺陷是点缺陷还 是位错,只需无缺陷的完整晶体中按同样的顺 序将原子逐个连接,如能得到一个封闭回路,
图4-5 刃型位错的产生
需要强调的是,当两个原子面之间滑移或 塑性变形时,并不是原子面间发生整体刚性位 移,而是通过位错线的逐步移动来实现,如图 4-6所示。 更应记住,刃型位错线始终是与滑移方向 相垂直的。
图4-6 位错的运动过程
例4-1 在图示的FCC金属的(1 1 1)滑移面 上标出滑动方向的晶向指数。
材料科学基础复习.
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积
第三章 典型金属晶体结构
基本参数
点阵常数
fcc
2 R a 4
bcc
3 R a 4
1/ 8 8 1 2
hcp
R 1 a 2
晶胞内原子数 1 / 8 8 1 / 2 6 4 配位数 致密度 最近原子间距
12 0.74 8
1 / 6 12 1 / 2 2 3 6
材料科学基础复习
2019/4/14
第一章 原子结构与键合
◆ 原子的电子结构 核外电子排布规律:能量最低原理、泡利( Pauli )不 相容原理、洪德( Hund )法则。 要求: 熟悉且能写出一般 元素的核外电子排布式。如C、O、N、Na、Mg、Al等。 ◆ 原子间的键合
物理键:范德华力、氢键
主要依靠原子间的偶极吸引力结合 化学键:金属键、离子键、共价键(极性和非极性)
2
2
2
2019/4/14
第四章 晶体缺陷
例:
b1 a[100]
a b 2 [101] 2
b1 a
a b2 2
1 0 0 a
1
2
2
2
2
0
2
1
2
2 a 2
a b 2 [101] 2
b1 a[100]
第四章 晶体缺陷
根据位错理论的提出背景,当位错受到力的作用时,会 发生运动。
扩散的热力学理论
第五章 固体材料中的扩散
诱发原因:
1)弹性应力场的作用:应力梯度抵消了浓度梯度。 2)电场、磁场的作用:电场、磁场对带电粒子的运动产生影响。
3)晶界内吸附作用:溶质原子向晶界偏聚。
4)调 幅 分 解:典型的化学位梯度与浓度梯度方向相反。
第5章固体中的缺陷 《材料科学与工程基础》
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第5章固体中的缺陷为什么要学习固体中的缺陷某些材料的性质受到存在于材料中的缺陷的极大影响。
因此、知道存在于材料中缺陷的类型,以及它们在影响材料性质中的作用是很重要的。
例如、纯金属的力学性质经过合金化以后(即加入杂质原子)会发生很大变化——例如、标准银合金(含银92.5%,含铜7.5%)比纯银更硬更强(8.10节)。
而且,在我们的计算机、计算器和家用功能的集成微电子设备是通过在半导体材料上引入高度可控的杂质浓度和定域化掺杂获得的(12.11节)。
学过这一章后,你应当掌握以下内容:1. 描述空位和自间隙晶体缺陷。
2. 已知相关常数,计算某特定温度下材料中的平衡空位数。
3. 两种类型的固溶体的书面定义和图示表达。
4. 陶瓷化合物中几种不同的点缺陷。
5. 已知合金中组元的质量和原子量,计算每种元素的质量百分浓度和原子百分浓度。
6. 对于刃型、螺型和混合型位错中的每一种:(a ) 描述和画出位错;(b ) 注意位错线的位置;(c ) 指出位错线延伸的方向。
7. 描述(a )晶界和(b )孪生晶界附近的原子结构5.1 引言对于晶体固体材料,我们默认在材料内部原子级水平上排列完全有序。
然而这种理想固体是不存在的;所有固体都存在大量的各种缺陷。
事实上材料的许多性质都很深地受到材料中缺陷程度的影响;这种影响不总是有害的,人们常常通过有意识的引入缺陷和控制缺陷的量来获得特殊性质的材料,详细情况在下面的章节中要介绍。
“晶体缺陷”意味着在原子大小范围晶格不规则。
晶体缺陷的分类通常按照缺陷区的几何形状和大小。
这一章要讨论几种不同的缺陷,包括点缺陷(尺寸与一两个原子大小相近),线缺陷(一维缺陷),以及面缺陷,即界面,是二维缺陷。
也要讨论如果在某一方向上缺陷区的尺寸可以与晶体或晶粒的线度相比拟,而在其它方向上的尺寸相对于晶体或晶粒线度可以忽略不计,那么这种缺陷就称为线缺陷或位错,这是本章要着重讨论的缺陷…(3)面缺陷如果在共面的各方向上缺陷区的尺寸可与晶体或晶粒的线度相比固体中的杂质,因为杂质原子也可能以点缺陷的形式存在。
复旦大学材料科学导论课后习题答案解析[搭配_石德珂《材料科学基础》教材]
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材料科学导论课后习题答案第一章材料科学概论1.氧化铝既牢固又坚硬且耐磨,但为什么不能用来制造榔头?答:氧化铝脆性较高,且抗震性不佳。
2.将下列材料按金属、陶瓷、聚合物和复合材料进行分类:黄铜、环氧树脂、混泥土、镁合金、玻璃钢、沥青、碳化硅、铅锡焊料、橡胶、纸杯答:金属:黄铜、镁合金、铅锡焊料;陶瓷:碳化硅;聚合物:环氧树脂、沥青、橡胶、纸杯;复合材料:混泥土、玻璃钢3.下列用品选材时,哪些性能特别重要?答:汽车曲柄:强度,耐冲击韧度,耐磨性,抗疲劳强度;电灯泡灯丝:熔点高,耐高温,电阻大;剪刀:硬度和高耐磨性,足够的强度和冲击韧性;汽车挡风玻璃:透光性,硬度;电视机荧光屏:光学特性,足够的发光亮度。
第二章材料结构的基础知识1.下列电子排列方式中,哪一个是惰性元素、卤族元素、碱族、碱土族元素及过渡金属?(1) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d7 4s2(2) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6(3) 1s2 2s2 2p5(4) 1s2 2s2 2p6 3s2(5) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 3d2 4s2(6) 1s2 2s2 2p6 3s2 3p6 4s1答:惰性元素:(2);卤族元素:(3);碱族:(6);碱土族:(4);过渡金属:(1),(5)2.稀土族元素电子排列的特点是什么?为什么它们处于周期表的同一空格内?答:稀土族元素的电子在填满6s态后,先依次填入远离外壳层的4f、5d层,在此过程中,由于电子层最外层和次外层的电子分布没有变化,这些元素具有几乎相同的化学性质,故处于周期表的同一空格内。
3.描述氢键的本质,什么情况下容易形成氢键?答:氢键本质上与范德华键一样,是靠分子间的偶极吸引力结合在一起。
它是氢原子同时与两个电负性很强、原子半径较小的原子(或原子团)之间的结合所形成的物理键。
当氢原子与一个电负性很强的原子(或原子团)X结合成分子时,氢原子的一个电子转移至该原子壳层上;分子的氢变成一个裸露的质子,对另外一个电负性较大的原子Y表现出较强的吸引力,与Y之间形成氢键。
材料科学基础4 固体中原子及分子的运动
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2
解微分方程 → 引入中间变量和误差函数 → 求通解(式 4.6) → 边界条件和初始条件 → 求特解(式4.7、4.8)
• 2.一端成分不受扩散影响的扩散体--表面热处理过程 。
相当于无限大情况下半边的扩散情况 求解方法同上,特解为(式4.9、4.10 简化式4.11) 初始条件: t=0时,x≥0, = 0 边界条件:t>0时,x=0, = s,x=∞, = o 可解得方程的解 = s [1-erf(x/(4Dt)1/2)]
工业生产中经常采用渗碳(Carburizing)的方法来提高钢铁零 件的表面硬度,所谓渗碳就是使碳原子由零件表面向内部扩 散,以提高钢的含碳量。含碳量越高,钢的硬度越高。
例:纯铁在气体渗碳介质中927℃渗碳,该温度下C在γ -Fe 中最大溶解度1.3%,求10h后纯铁内C%分布 解:纯铁表面很快达到饱和碳浓度为1.3%,为半无限大物体 中的扩散,故 927℃ 时 , 即 1200K , D≈1.5 ×10-7cm2/s , 渗 碳 10h , 即 3.6×104s, = s[1-erf(x/(4Dt)1/2] , 故C=Co[1-erf(6.8x)], (x/(4Dt)1/2=6.8x 若x=1.2mm=0.12cm, erf(6.8x)=erf(0.816)=0.7421 = s[1-erf(6.8x))=1.3%(1-0.7421)=0.32% 可计算出纯铁中离表面每隔任意x的C%
无机材料科学基础修改(第四章)
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附加压力ΔΡ总是指向曲面的曲率中心,当曲面为凸面时为正值, 凹面时为负值。 与曲率半径成反比,而与表面张力成正比。
举例:将玻璃毛细管分别插入水和水银中
如:CH4 CO2
非极性分子 因为分子空间构型对称,
1、范德华力:是固体表面产生物理吸附或气体凝聚的原因。 与液体内压、表面张力、蒸汽压、蒸发热等性质有关。其来源 于以下三种效应: (1)定向力(静电力):极性分子(离子)之间的作用力,相 邻两个极化电矩相互作用的力。
2 4 EK ,f K r 7 3 KTr 6
说明:分子间引力的作用范围极小,一般为3~5A0。 当两个分子过分靠近将引起电子层间斥力,故范得华力 只表现出引力作用。
• 2、长程力
•
• •
是两相间的分子引力,是宏观尺寸物质之间相互作用 力,作用范围较通常的范氏力大得多,所以叫长程力。
长程力是通过某种方式加合和传播产生的,本质上仍 属范氏力。 ① 依靠粒子间的电场传播,如色散力,可以简单加和;
0.8 Å 2.3 Å 5.4 Å
Surface unit cell
例:①MgCO3分解形成的MgO颗粒之间的排斥;
②在Al2O3、SiO2、ZrO2等表面上也会形成双电层。
表面能下降是通过极化变形、质点重排实现。离子的极化率 愈大,变形愈大,表面能下降愈多。变化程度主要取决于离子 极化性能。
PbI2表面能最小,PbF2次之, CaF2最大。 原因:Pb2+和I-都具有最大 的极化能力,双电层厚导致 表面能和硬度都降低。
• Surface energy is always positive, since energy is needed to break bonds
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例如,Fe的剪切模量大约100GPa,则理论剪切 模量应为3000MPa。但是,单晶体Fe的实际强度仅 为1-10MPa,晶面之间的滑移用相当小剪力就能移 动。理论值与实际值相差巨大。因而,人们就猜测 晶体中存在着象位错这样的线缺陷。 当时仅是理论上的一种推测,没有真正看到。 直到50年代,透射电镜(TEM)的研发成功,才从 实验中观察到实际的位错形貌。 当晶体的一部分相对于另一部分进行局部滑移 时,晶体的已滑移部分与未滑移部分的交界线形成 分界线,即位错,用TEM可观察到(见图4-4)。 位错主要分两种类型:刃型位错和螺型位错。
按晶体缺陷的几何特征,可以分成四种 基本类型:点缺陷、线缺陷(位错)、面缺陷 和体缺陷,如图4-1所示。 但需记住,这些缺陷只代表理想原子排 列中的缺陷。而实用上,为了获得所要求的 材料性能如强度、硬度、塑性等,有时要有 意地制造一些缺陷,即通过合金化、扩散、 热处理和表面处理,设计和控制这些缺陷。 因此,设计和控制晶体缺陷是改进产品 质量的关键,特别是对晶体生长以及使用过 程中控制缺陷的形成、类型以及变化,都是 极为重要的。
图4-3 晶格节点的置换原子
4. 点缺陷对材料性能的影响 在一般情况下,点缺陷主要影响晶体的物 理性质,如比容、比热容、电阻率等。 (1)比容 为了在晶体内部产生一个空位,需将该处 的原子移到晶体表面上,这就导致体积的增加。
(2)比热容 由于形成点缺陷,需向晶体提供附加的能 量(空位生成焓),因而引起附加的比热容。
断裂,而不会沿垂直截面的方向断裂,原因在于 材料在变形过程中发生了滑移,如图4-10所示。
图4-10 单晶体的拉伸断裂 及晶面滑移形貌
这是因为,材料的塑性变形通常会沿着晶体原子 的密排方向滑移,见图4-11 外加拉应力、滑移方向和滑移面的关系
在图4-11示意图中,是外力F方向与滑移方 向之间的夹角,是力与滑移面法线之间的夹角, 而在滑移方向的分力Fs是Fcos,滑移面的面积As 是A/cos ,把分力除以面积得出如下结果: Fs/As=(F/A)coscos 或 =coscos ( 4 -2 ) 其中,是滑移面上滑移方向的切应力,是外加 拉应力。 单晶体上的正应力,会在滑移面沿着滑移方 向产生剪应力,如果这个力大到一定值时,就可 以引发晶体面之间的滑移。
图4-7为螺型位错示意图
3.柏格斯回路 (Burgers circuit) 为描述晶体中位错移动的方向(晶向)和原 子畸变的大小,1939年柏格斯(J. M. Burgers)采 用柏氏回路来定义位错,借助一个规定的矢量, 即柏氏矢量来揭示位错的本质。 柏格斯回路是在有缺陷的晶体中,围绕缺陷 区将原子逐个连接而成的右旋封闭回路,简称 柏氏回路,用柏氏矢量b 连接,确保整个回路的 起点和终点的重合。 另外,为判断回路中包含的缺陷是点缺陷还 是位错,只需无缺陷的完整晶体中按同样的顺 序将原子逐个连接,如能得到一个封闭回路,
1.晶体外表面 (outer surface of crystal) 位于表面上的原子与 晶体内部的原子相比,其 配位数较少,使表面原子 偏离正常位置(图4-13), 在 表面层产生了晶格畸变, 导致其能量升高。将这种 单位表面面积升高的能量 称为比表面能,简称表面 能,用单位长度上的表面 图4-13 表面原子排列 张力(N/m)表示。
3.置换原子(substitutional atom) 占据晶体晶格结点的异类原子,称为置换原子, 如图4-3所示。 在置换固溶体中,溶质原子的半径与溶剂原子的 半径基本相当。当原子半径较小时,更容易进入晶格 的间隙位置而成为间隙原子。 无论哪一类点缺陷,都会造成晶格扭曲,在缺陷 周围产生弹性应力场,使体系内能升高。 晶体中的点缺陷,无论空位、间歇原子,还是置换 原子等,对材料性能均有较大的影响。 固溶体的形成,会产生额外的弹性应力场,使得 金属的强度得到提高,但电阻率变大。
位错一般由晶体凝固时原子的意外排列、晶 体中其它缺陷产生的内应力作用和材料塑性变形 时发生的位错之间的相互作用而产生。
图4-4 不锈钢中的位错线
1.刃型位错(edge dislocation) 设有一简单立方晶体,在面内剪应力作用 下,其上半部分相对于下半部分沿着ABCD面局 部滑移了一个原子间距,如图4-5a所示,上半 部分出现了多余的半排原子面EFGH,似有半个 原子面切入晶体的特征,故称为刃型位错。 刃型位错是晶体局部滑移的结果。由于位 错线附近晶格畸变,位错线附近则产生了弹性 应力场。 位错线处在面的上方时,用记号 表示, 位错线处在面的下方时,用记号 表示。
解答:由上图可知,晶面指数(1 1 1)的滑动 方向必为密堆积方向:
1 1 0 , 1 0 1 , 0 1 1或 1 1 0 , 1 0 1, 0 1 1
2.螺型位错(screw dislocation) 图4-7为对应的螺型位错。 在位错线的附近过渡区,原子排列出现 面外脱离理想状态;而过渡区外,原子仍规 则排列。由于过渡区原子位置的错动有螺旋 型特征,因而得名。 螺型位错产生的原因是由面外力作用所 致。 注意,螺型位错与位错线是平行的。
图4-5 刃型位错的产生
需要强调的是,当两个原子面之间滑移或 塑性变形时,并不是原子面间发生整体刚性位 移,而是通过位错线的逐步移动来实现,如图 4-6所示。 更应记住,刃型位错线始终是与滑移方向 相垂直的。
图4-6 位错的运动过程
例4-1 在图示的FCC金属的(1 1 1)滑移面 上标出滑动方向的晶向指数。
图4-1 晶体中重要缺陷的分类
4.2 点缺陷(point defect) 点缺陷是指在三维尺度上不超过几个原 子直径大小的那些微小的缺陷。 也就是说,微小的点缺陷可以涉及一个原 子,也可以是几个原子范围内的空间点阵结 构的局部缺陷。
点缺陷的基本类型主要有三种:空位、间 隙原子和异类原子(置换原子)。
2. 间隙原子(interstitial atom) 在晶体晶格间隙处存在的原子,叫间隙原子, 如图4-2c所示。它也是由原子的热运动产生的。 间隙原子通常是原子半径小于 0.1nm 的非金 属 元 素 的 原 子 , 如 H(0.046nm) 、 C(0.077nm) 、 N(0.071nm) 、 B(0.097nm) 、 O(0.061nm) 等。这些半径 较小的原子存在于间隙固溶体和置换固溶体中。 当这类原子进入到点阵结构中,就形成间隙 缺陷。即使面心立方晶体,致密度仅 74 % , 26 % 为空隙,故有一定的间隙空间。实际上,纯金属 中含有的杂质,是有意被加到材料中以改善其性 能。由于间隙原子和置换原子的存在 ,邻近原子会 偏离其平衡位置,造成晶格周围畸变(图4-2d)。
第四章 晶体材料的缺陷 4.1 引言 实际的晶体结构不是理想的无缺陷结构, 会存在一些不规则现象或形成结构不完整的区 域,这就是晶体缺陷。 早在1926年,弗兰克尔(Frenkel) 就指出, “在任一温度下,实际晶体中的原子排列都不 会是完整的点阵,晶体一些区域的原子的正规 排列遭到破坏而失去正常的相邻关系。” 晶体缺陷对于材料性能,尤其是塑性变形、 晶体生长、扩散、相变及强度等均有很大影响。 另外,正是缺陷的存在,半导体才会传输电子, 金属才具有延展性,改善材料性能才成为可能。
图4-2 点缺陷的类型
晶体中的原子是以平衡位置为中心不停地 运动,原子在某一瞬间可能会获得较大的动能, 超过其激活能而脱离平衡位置逸出,造成原位 置的原子空缺。如果周围已有空位,原子就会 跳入该空位,空位在晶体内部进行扩散移动。 温度升高,原子获得的动能就越大,空位浓度 也就增加。 因而,点缺陷通常是由热振动产生的。它 通常是一种热力学的平衡缺陷。 在熔体凝固过程中,如高温、塑性变形及 辐照加工等,均会在晶体结构中产生空位。适 量的空位对材料是有益的。如果没有空位,材 料是无法成型或进行改性。
的损伤机理以及金属材料的各种强化机制都是 以位错理论为基础。
1μm
图4-12 F12钢晶界碳化物的TEM衍射图像
4. 位错的实验观测
(1) 表面法(蚀坑法) 用适当的方法侵蚀晶体表面,显示位错在 表面的露头。 (2) 缀饰法 许多晶体对可见光和红外线是透明的。通 过渗入适当的外来原子,经热处理使之择优 分布在位错线上,因而可用光学显微镜观察。 (3) 透射电镜法 (4) X射线衍衬象法
(3)电阻率 金属的电阻,主要来源于离子对传导电 子的散射。 在完整晶体材料中,电子基本上是在均 匀电场中运动,当晶体存在缺陷时,在缺陷 区的点阵周期性规律被破坏,因而电阻率增 加。 点缺陷还会影响其它的物理性质,如扩 散系数、内耗、介电系数等。
4.3 线缺陷(line defect) 线缺陷是指晶体中二维尺度方向很小但在第 三维尺度方向上较大的缺陷。 位错 (dislocation) 是理想空间点阵中存在的一 种最典型的线缺陷。 位 错 概 念 早 在 1934 年 由 Taylor 、 Orowen 、 Polanyi同时独立提出,当时主要是为了解释材料 的实际强度为什么要比理论预测的强度低得多。 根据晶体中原子键合力与弹性模量的关系, 理论抗剪模量 与剪切模量G存在以下关系: =G/30 (4-1)
4. 位错的重要特性 位错的形貌和大小,通常可用透射电镜直接观测。 金属材料的变形主要是通过滑移实现的, 而陶瓷和高分子虽然比较脆,但也有位错存在。 位错对于理解金属材料的一些力学行为特别有用。 它可以解释材料的各种性能和行为,特别是变形、损 伤和断裂机制,相应的学科为塑性力学、损伤力学和 断裂力学。另外,位错对晶体的扩散和相变等过程也 有较大的影响。 首先,滑移解释了金属的实际强度与根据金属键 理论预测的理论强度低得多的原因。 金属材料拉伸断裂时,一般沿450截面方向
1. 空位(vacancy) 空间点阵晶格上没有原子的结点叫空位, 如图4-2a所示。 如果仅形成空位而不形成等量的间隙原子, 如图4-2a所示的那样 ,则这种缺陷叫肖脱基 缺陷 (Schottky disorder), 对于离子晶体,由于离子平衡的电中性要 求,在形成空位的同时,还会形成等量的间隙 原子,这种缺陷称为弗兰克尔缺陷(Frenkel disorder),如图4-2b所示。 空位和间隙原子均是由原子的热运动产生 的。