DDR 物理层信号品质测试技术和方案
ddr2信号和协议测试分析方案_图文
DDR2/3信号和协议测试分析方案-BJLK目前在计算机主板和各种嵌入式的应用中,DDR3已经逐渐要取代DDR2成为市场的主流。
DDR3相对于DDR2的主要优势再有更高的数据速率和更低的功耗,例如DDR2的数据速率最高到800MT/s,DDR3的最高数据速率可以到1600MT/s,而在有些嵌入式的应用中还有可能使用更高速率,因此对于设计和测试都提出了更高的要求。
DDR2/3信号测试分析方案为了进行可靠的探测,对于示波器器和探头的要求也非常高。
对于DDR3的信号,由于JEDEC 没有给出信号上升/下降时间的参数,因此用户只有根据使用芯片的实际最快上升/下降时间来估算需要的示波器带宽,对于DDR3的信号,20 - 80%的上升时间大约在80~120ps左右。
对于传统的高斯频响的示波器,为了保证测量精度,通常需要示波器带宽是被测信号带宽的3~5倍,而对于Agilent 的90000系列示波器,由于其优异的类似砖墙的频响特性,可以保证带内比较好的平坦度,因此可以使用以下公式: Scope bandwidth required = 1.4x maximum signal frequency for 3% accuracy measurements Scope bandwidth required = 1.2x maximum signal frequency for 5% accuracy measurements Scope bandwidth required = 1.0x maximum signal frequency for 10% accuracy measurements 根据这个公式计算出来的示波器带宽通常都在4~8GHz,因此对于DDR3信号的测试,通常推荐的示波器和探头的带宽在8GHz 。
对于DDR2和DDR3信号的测试,除了我们所熟知的双边沿采样以外,最主要的挑战在于2个方面,第一是如何进行读写信号的分离,第二是JEDEC 规定了很多DDR3的参数,如何进行方便可靠的测量。
ddr测试技术方法
ddr测试技术方法DDR测试技术方法一、引言DDR(Double Data Rate)是一种高速的内存接口标准,广泛应用于计算机、手机、服务器等设备中。
DDR的性能对于系统的整体速度和稳定性起着至关重要的作用。
为了确保DDR的质量和性能,测试技术方法显得尤为重要。
本文将介绍一些常用的DDR测试技术方法。
二、DDR测试的基本原理DDR测试的基本原理是通过向DDR接口发送一系列的测试模式和数据,然后通过读取DDR接口返回的数据,来判断DDR的性能和稳定性。
DDR测试通常包括以下几个方面:1. 时序测试:时序测试是DDR测试的基础,主要测试DDR接口的时钟、时序和延迟等参数是否符合规范要求。
常用的时序测试方法包括读写延迟测试、时钟频率测试、时序抖动测试等。
2. 带宽测试:带宽测试是评估DDR接口传输速度的重要指标。
通过发送一定量的数据,并统计传输时间来计算DDR接口的带宽。
带宽测试可以帮助发现DDR接口的瓶颈和优化空间。
3. 容量测试:容量测试是测试DDR接口的存储容量是否正常。
通过向DDR接口写入一定量的数据,并读取验证,来确保DDR的存储容量符合规定要求。
4. 电压测试:电压测试是测试DDR接口的供电电压是否稳定和符合规定范围的重要指标。
通过在DDR接口上施加不同的电压,并测试其性能和稳定性,来确定合适的供电电压范围。
5. 温度测试:温度测试是测试DDR接口在不同温度环境下的性能和稳定性。
通过在DDR接口周围设置不同的温度,并测试其性能和稳定性,来确定合适的工作温度范围。
三、DDR测试技术方法1. DDR测试仪器:DDR测试通常需要使用专用的测试仪器,如逻辑分析仪、信号发生器、示波器等。
这些仪器可以帮助测试人员对DDR接口进行全面的测试和分析。
2. DDR测试软件:DDR测试软件是进行DDR测试的重要工具。
测试软件可以提供丰富的测试模式和测试功能,帮助测试人员快速、准确地进行DDR测试。
3. DDR测试流程:DDR测试需要有清晰的测试流程,以确保测试的全面性和准确性。
DDR原理简介及相关测试课件
Setup time and Hold up time derating values for DDR2
tIS tIS base tIS
tIH tIH (base) tIH
对于实际的setup time和hold time参照的SPEC的值因如右边公式 tDS tDS(base) tDS
Slew rate又分为Setup time时的上升和下降and Hold time时的上升及下降。具 体的定义如下表所示
Single-ended signals Slew rate Slew rate in Setup time
Slew rate in Hold time
对于CLK/CLK#的量测还应包括low pulse width(tCL),High pulse width(tCH), period(tCK), Jitter(tJIT)
Read to Precharge
Precharge operation
Write to Precharge
Auto Precharge operation
当A10设定为高的情况下, Auto Precharge operation被使能。 当Read命令后,在大于tRAS和tRTP被满足的条件下,在Read命令AL + BL/2的 周期的CLK的边沿触发时出开始进行Auto Precharge。 当Write命令后,在大于tWR满足的情况下,在CLK的边沿触发时开始Auto Precharge
VIH(AC), VIH(DC), VIL(AC) and VIL(DC)都受Vref的影响,Vref也有AC/DC之分, 对于VIH(AC), VIH(DC), VIL(AC) and VIL(DC)计算式中的Vref应该被理解为 Vref(DC).如下图所示。
基于DSP的高效的DDR测试方法与设计方案
图片简介:本技术介绍了一种基于DSP的高效的DDR测试方法,涉及DDR测试技术领域,包括处理器模块、内存控制器模块、内存模块和显示模块,内存控制器模块、内存模块和显示模块均与处理器模块电性连接,处理器模块操作内存控制器模块,通过EDMA访问DDR内存模块,实现DDR的高效测试。
本技术的有益效果是:采用随机数测试和跳变数测试,并使用EDMA加速器写数据到DDR或者从DDR读数据,不使用常规读写指令直接读写DDR,DSP在1.25G主频时,DDR控制器在666M时钟时,实现最多每秒10G字节数量级的DDR数据burst读或写速度压力测试,每秒2G字节的数据判断速度,测试效率提升数倍或数十倍,DDR故障只需要数分钟或数十分钟就能复现,在包含处理器的板卡故障快速定位时,能很快定位DDR故障。
技术要求1.一种基于DSP的高效的DDR测试方法,包括处理器模块、内存控制器模块、内存模块和显示模块,内存控制器模块、内存模块和显示模块均与处理器模块电性连接,其特征在于:包括以下步骤:S1、将待测试DDR内存地址区域设置成不可cache区域;S2、将测试激励缓存和对比缓存地址区域设置成可cache区域;S3、使能L1P cache、L1D cache、L2 cache,使能程序和数据预取指操作;S4、测试代码在每核的片内内存中运行;S5、处理器模块通过程序产生256K字节的随机数序列,存入测试激励缓存中,所述随机数序列即通过常规算法产生的伪随机数序列,并通过cache指令将cache中的数据回写入测试激励缓存物理地址中;S6、将待测试DDR内存平均分成连续8段,编号为待测试DDR内存块1至待测试DDR内存块8;处理器模块的8核核号为核1至核8,核1用于测试待测试DDR内存块1,核2用于测试待测试DDR内存块2至核8用于测试待测试DDR内存块8;S7、DDR的写测试;S8、DDR的读测试和数据校验;S9、将测试结果通过显示模块输出,显示所有内存块的所有内存页的测试状态;S10、采用最大跳变序列进行上述S5-S9步测试,所述最大跳变序列是指产生一个DDR控制器外挂的DDR内存宽度的随机数A,作为第一个测试数据,将该随机数A按位取反,得到取反数A’,作为第二个测试数据,重复产生随机数和随机数按位取反的数,直到产生256K字节测试激励数据,即所有测试数据按DDR内存控制器外挂的DDR内存数据位宽度为数据宽度,在DDR内存中按地址数据依次为AA’BB’至ZZ’,即第一个随机数,第一个随机数取反,第二个随机数,第二个随机数取反,第n个随机数,第n个随机数取反;S11、重复上述S5-S10步骤,直到测试出错退出或达到指定测试数量后退出或手动退出。
ddr测试技术方法
ddr测试技术方法DDR(Double Data Rate)测试技术是指用于测试DDR内存的一种技术方法。
DDR内存是一种高速的随机访问存储器,广泛应用于计算机、服务器、移动设备等领域。
为了确保DDR内存的稳定性和可靠性,需要对其进行全面的测试和验证。
本文将介绍几种常用的DDR测试技术方法。
DDR测试中常用的一种方法是时序测试。
时序测试是通过发送不同的时钟信号,测试DDR内存的时序特性,如延迟、脉宽、时钟周期等。
通过对时序特性的测试,可以评估DDR内存的性能和稳定性,发现潜在的问题。
DDR测试中还常用到的一种方法是信号完整性测试。
信号完整性测试是通过发送不同的数据模式和信号模式,测试DDR内存的信号传输质量。
这包括测试信号的幅度、噪声、抖动等参数,以及信号的时序关系。
通过对信号完整性的测试,可以评估DDR内存的信号传输质量,发现潜在的问题。
DDR测试中还常用到的一种方法是电气特性测试。
电气特性测试是通过测试DDR内存的电气参数,如电压、电流、功耗等,来评估其电气特性和功耗性能。
通过对电气特性的测试,可以确保DDR 内存在不同的工作条件下都能正常工作,并且满足相关的电气规范和标准。
DDR测试中还常用到的一种方法是功能测试。
功能测试是通过发送不同的数据模式和命令序列,测试DDR内存的功能是否正常。
功能测试包括读写测试、刷新测试、自检测试等,通过对功能的测试,可以确保DDR内存在各种工作模式下都能正常工作,并且满足相关的功能要求。
DDR测试中还需要进行性能测试。
性能测试是通过发送大量数据并进行读写操作,测试DDR内存的吞吐量、延迟等性能指标。
通过性能测试,可以评估DDR内存在高负载情况下的性能表现,并发现潜在的性能问题。
DDR测试技术方法包括时序测试、信号完整性测试、电气特性测试、功能测试和性能测试等。
这些测试方法可以全面评估DDR内存的性能和稳定性,确保其在不同工作条件下都能正常工作。
在实际应用中,可以根据具体需求选择适合的测试方法,并结合测试工具和设备进行测试,以确保DDR内存的质量和可靠性。
DDR 参数和协议测量
欢迎来到安捷伦数字测量论坛。
今天我们将讨论如何应对DDR 参数和协议测量的挑战;并讨论当今的一些工具,可以帮助您完成复杂的验证任务。
我们将采用互动对话的方式进行讨论,如果在我陈述过程中您有任何问题或需要进一步阐述,请随时打断我。
现在我们来看一下今天的议程。
首先,我们将迅速回顾DDR 存储器技术。
然后,我们将讨论您如今可能面对的DDR 探测的挑战,和解决这些挑战的新的BGA 探测解决方案。
之后,我们将讨论一些协议和参数测量挑战和解决方案。
最后,我们将讨论XDR 参数挑战和解决方案。
DDR 是一项普及的存储器技术,DDR存储器几乎无处不在。
试着看看周围,您会发现,做报告使用的投影仪里可能就有DDR 存储器,在放映之前它充当数字内容的缓冲器;您的手机也可能在使用DDR 存储器来快速存储和获取信息;甚至您的汽车和冰箱都借助DDR 存储器来存储信息。
本幻灯片中列举了一些使用DDR 设备的例子,在嵌入式设计中都可以发现它的身影,例如,高清晰电视(HDTV)、打印机、电话、投影仪、汽车、基站和许多消费产品;它同样出现在FPGA 设计中,FPGA 通常和DDR 接口结合使用;DDR 还出现在SO-DIMM 和常见DIMM 中,用于计算机内部的快速数据访问。
这是DDR 1、2、3 技术指标的大致比较。
随着DDR 技术的更新换代,其工作电压大幅下降。
由于每个人都知道要降低功耗,因此一些设计实际上采用的是在更低时钟频率上运行(非JEDEC 标准速度)的DDR 3。
下一代DDR 的时钟频率和数据传输率是上一代DDR 的两倍。
DDR 1 采用TSOP(薄型小尺寸)或BGA(球状栅格阵列)封装,DDR 2 和DDR 3 全部采用BGA 封装。
由于BGA封装将所有信号信号放到封装底部,要访问这些信号是一个很大挑战。
需要注意的是,新型DDR 技术无法向后兼容,其物理层和协议层与以往不同。
因此,您必须从性能和成本效益的角度考虑在设计中使用何种DDR 技术。
内存信号完整性测试方案分析_王丹
内存信号完整性测试方案分析文/王丹 张秀斌DDR SDRAM作为用来存储程序以及数据的地方,在整个嵌入式系统中起着举足轻重的作用,它从SDRAM的1倍预取技术发展到DDR3 SDRAM的8倍预取技术, 数据率从266Mbps到2133Mbps,甚至DDR4 SDRAM数据率已经达到4266Mbps。
内存颗粒在如此高的速率下工作、运行,信号完整性问题变得尤为重要,很多的设计人员设计的电路以及排布的PCB走线,已经无法使产品一次性投入市场,因此完整的进行内存颗粒信号完整性的分析已经成为产品设计过程中不可忽略的一个步骤了。
到目前为止,DDR3 SDRAM仍是目前市场主流,因此本文主要讨论关于DDR3 SDRAM信号完整性测试方案。
就DDR3 SDRAM信号完整性测试方案来说,我们最需要关注的主要有三个问题:测量仪器、探测位置、时序分析。
测量仪器其实就是测试仪器—示波器的选择,如何选择一款合适带宽的示波器成为影响测量结果好坏的重要因素;探测位置即测量过程中示波器探头点测在主板上的位置,在高速信号测量过程中,点测位置对于测量结果的影响也尤其重要;在DDR3 SDRAM的时序分析中,最大的难点莫过于读写信号的分离,所以时序分析主要针对于读写信号的分离方法分析。
示波器系统带宽选择测量仪器的选取主要是要选择一个合适系统的带宽,DDR3 SDRAM信号完整性测试的测量仪器首推肯定是实时示波器,那如何选择实时示波器的带宽呢?首先需要确定待测内存颗粒的最高斜率,如下表1 DDR3内存斜率表所示,算出幅度从20%-80%的上升时间Tr=(0.6×1.5(V))——————(5(V/ns))=180ps(DDR3数据信号的电压幅值为1.5V)。
理论上示波器系统的上升时间需要比信号上升时间快3~5倍,因此示波器系统的上升时间需要在60ps~36ps以下,这样才能保证测得信号的上升时间与实际信号的上升时间之间具有较小的误差,然后通过示波器系统带宽与DDR3 SDRAM DDR3-800DDR3-1066DDR3-1333DDR3-1600DDR3-1866DDR3-2133Unit Parameter Symbol Min Max Min Max Min Max Min Max Min Max Min MaxSingle-EndedOutput Slew RateSRQse 2.55 2.55 2.55 2.55 2.55 2.55V/ns 表1 DDR3内存斜率表Leading Technology技术前沿上升时间的关系,可以得出示波器带宽BW=0.35———36ps=9.7GHz,因此测量DDR3 SDRAM内存颗粒信号完整性测试时,最好选择带宽大于10GHz以上的实时示波器。
DDR存储器的测试方法研究及实现
2
DDR 存储器的测试方法研究及实现
RESEARCH ON DDR MEMORY TEST METHODS AND IMPLEMENTATION
ABSTRACT
DDR (also called the Dual Date Rate SDRAM) is a high-speed CMOS and dynamic random access memory. DDR memory represents a new direction of the memory development that will contend with Rambus in the future. To compare with the general synchronous dynamic random memory (SDRAM) DDR can read data from the rising and fa lling edges of a clock pulse. Therefore the data transmission rate of DDR doubles that of the clock frequency and its operating frequency is much higher.
学位论文作者签名 王剑 日期 2004 年 10 月 15 日
1
附件五
上海交通大学 学位论文版权使用授权书
本学位论文作者完全了解学校有关保留 使用学位论文的规
定 同意学校保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电
子版 允许论文被查阅和借阅 本人授权上海交通大学可以将本学
位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索 可以采用影印
上海交通大学 硕士学位论文 DDR存储器的测试方法研究及实现 姓名:王剑 申请学位级别:硕士 专业:计算机技术 指导教师:刘胜利;朱鲁华
最新DDR 信号分析方法
最新DDR 信号分析方法现在示波器上的DDR 物理层信号分析方案,都是针对JEDEC 规范的一致性测试。
在这种方案中,分析软件会按照JEDEC 规范分析DDR 信号的各种参数,并判断测试结果Pass 或者Fail,最终生成一份报告。
但是很多的研发工程师,并不想仅仅获得一个Pass 或者Fail 的结果,而是想对信号做调试分析,但是传统的串行信号分析软件无法分析DDR 信号,为此,力科推出了新的DDR Debugtoolkit。
一,新的DDR 信号分析方法力科DDR Debug toolkit 提供了一种简单易用的DDR 信号调试工具,它快速的对数据做读写分离,形成读写眼图,对眼图进行模板测试和参数测试,对抖动进行分解,定位问题的根源,对比较重要DDR 参数进行测量,像建立时间、保持时间、TDQSCK 等,灵活设置参数,对DDR 信号问题进行调试,可以支持DDR2/DDR3/DDR4/LPDDR2/LPDDR3 等。
二,眼图测量可以同时产生和显示10 个眼图,对5 路DDR 信号进行分析,查看分析眼间的Skew 和时间信息,可以选择DQS 或者Clock 作为时间参考,自定眼图模板,Teledyne Lecroy进行眼图模板测试。
三,测量多个眼图参数: Eye Height Eye Width Eye Crossing Mask Hits Mask Out Eye Amplitude One Level Zero Level四,抖动测试像传统的串行信号分析一样,对DDR 信号的抖动进行测量分析,对抖动进行分解(Tj,Rj,Dj,DCD 等),从TIE Track、TIE Histogram、Bathbub Curve 观察分析抖动,更加深入的了解抖动的分布和源头。
五,DDR 参数测量对比较关键的DDR 参数进行测量,可以同时测量12 个参数,包括Max、Min,Mean 等统计值。
Bursts, transitions, Vref VH(ac), VH(dc), VL(ac), VL(dc) tDS, tDH, tIS, tIH tDQSQ, tDQSCK Slew Rise, Slew Falltips:感谢大家的阅读,本文由我司收集整编。
DDR信号测量方法及信号完整性验证面临的挑战与建议
1. DDR概述如今,存储器件在计算机、汽车与消费电子产品上可谓无所不在。
其中DDR SDRAM(双数据率同步动态随机存取存储器)是最常用的存储器设计技术之一,而随着该技术的发展,其传输速率在日益加快,功耗在日益降低。
传输速度加快使得此类存储器的验证难度呈指数上升。
存储系统要准确工作,其信号完整性必须满足某种最低要求。
因为信号完整性对系统互通性而言非常关键,或者说只有保持信号完整性才能保证不同厂商生产的器件在一起使用时能够很好地结合。
信号完整性问题会引发包括时序冲突、协议背离、时钟抖动以及由其他总线引发的错误等其它问题。
本文介绍了DDR信号的测量方法,DDR信号验证中面临的挑战,并针对其调试方法给出了相关建议。
文中提到的方法适用于DDR、DDR2、 DDR3 和 SDRAM这一类全缓冲的DIMM 系统调试。
为简单起见,这些内存技术在下文中统称为DDR。
.2.测量方法JEDEC规范定义了DRAM的引脚或球必须满足的电气与定时方面的要求。
一些较新的DDR DRAM采用了精细球栅阵列(FBGA)封装,此封装下的焊接球很难接触。
因此,我们建议测量时,探头应尽可能接近DRAM的球状焊点。
通常,我们可以在与焊接球相连的过孔上或与其相连的电阻靠近DRAM一侧的焊盘上测量。
目前最高级的差分有源电压探头能在探头顶端容性负载低于0.22pF的情况下达到高达13GHz的测量带宽。
此类工具对DDR信号(通常为单端信号)的影响非常小,很适合DDR测量,强烈建议大家使用。
由于DDR信号对噪声非常敏感,因此建议在测量此类信号时采用带宽足够大的示波器,以避免示波器的噪声影响测量。
有些示波器具备带宽压缩功能,能调节至恰好适合测量的带宽,以实现最精确和可重复的测量。
图1所示为13 GHz差分有源探头连接到DDR2 DIMM的过孔上的情形。
3.信号验证所面临的挑战同一根数据总线上的DDR数据传输是双向的。
这使DDR信号验证变得非常困难,因为我们首先必须分离数据总线上复杂的数据流才能对其进行信号完整性测量。
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性,平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益,请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间:9:00-18:30)。
N5451A InfiniiMax Long Wire ZIF Tip Wider span than standard ZIF Tip to probe signal like DDR system
Two different wire length: 7 mm (>6GHz) and 11 mm (>4.5GHz)
•
2002
2000 Impact on Design and Validation Clock Speeds reaching 1GHz Parallel buses reaching the speeds of serial technology Tighter timing margins require calibration and bus training for DRAM, controller, and analyzer capture Crosstalk, impedance, EMI, and jitter issues Noise susceptibility Probe load effects are critical
Page 7
Probing Solutions
Probing is an important consideration for DDR measurement. Since the JEDEC is specified at the balls of the DRAM BGA package, getting a good measurement can be a challenge. Many designs have vias or designed-in probe points but they do not always produce good signal integrity. Probing at the wrong locations could cause a lot of reflection or non-monotonic edges. The load of your probing system is also another important consideration. It can affect the signals on your system as well as what you measure.
SDR Clock Synchronous
•
2010+ 2008+
DDR Double Data Rate, Differential Clock, Data Strobe (DQS), Delayed Locked Loop
•
DDR 400 MT/s
2005
SDR 100 MT/s
DDR2 On-Die Termination (ODT), Off-Chip Driver (OCD), Differential DQS
1.5GHz Active Probe
The left one is not a good waveform with a big ISI. This is due to a difference in load capacity, 10pF for the passive probe, and only 0.1pF for the active probe (Agilent Infiniimax). It does not mean that active probe is always good. If you use a wrong accessory, such a long lead, your waveform can be distorted as the left one.
Strobe (DQS) Read Write Data (DQ)
Read and Write DDR Data (DQ) signals have a different timing compared to the Data Strobe (DQS). DQS and DQ edges are aligned for Read signals.DQS edge is 90deg phase shifted from the DQ edge for Write signals. And since the DQS and DQ are on the same bus, if you simply trigger on the DQS edge, you will get nested eye patterns. You can easily understand that it will be tough to make your validation with such eyes.
DRAM
Clock (CLK) Strobe (DQS)
8 lines 6 lines 12 lines
Clock (CLK)
Compliance is measured at the balls of the DRAM where JEDEC standard is defined.
Strobe (DQS) Data (DQ) Control Address
Page 11
Serial vs. DDR Compliance
Connector
Tx
Rx
Rx Tx
Compliance to the standards is at the interface of the connector.
PCI-Express, SATA, FB-DIMM
Memory Controller
Page 10
N54பைடு நூலகம்6A ZIF Tip
N5450A/N5451A More InfiniiMax Probe Innovations
N5450A InfiniiMax Extreme Temperature Cable Extension
Solution with Gore Cable Extension specially developed for InfiniiMax Perfect solution for the environmental chamber testing Agilent exclusive solution with 36 inches long (92cm) reach Two Different Operating Temp depending of the probe head N5381A solder-in: -55 to +150°C E2677A solder-in: -25 to +80°C
Your DDR waveform can be distorted with a long probe accessory. It is desirable to use a probe with accessories specified at the end of the probe. All Agilent Probe Heads and Accessories are Specified.
DDR3 Point-to-Point Data, Fly-by Addr/Cmd, Self-calibrated driver impedance and ODT
•
Benefits of good signal integrity
Guarantees interoperability with different vendors Improved device performance More design margin
Page 8
Scope Probing
These two screenshots are the same DDR2 400 waveform with the same oscilloscope. Only the probes used are different.
500MHz Passive Probe
There a lot of clock jitter spec in JEDEC. That means how important is clock jitter in DDR. This is a new technical challenge.
Page 5
DDR Difficulty 2 : Read and Write Timing
Read and Write separation is necessary to validate DDR signals with an oscilloscope.
Page 6
DDR Physical Layer Validation
There is an addendum from Intel and Jedec, in which Electrical, Timing and Clock Jitter specifications are mentioned.
Page 2
DDR Technology Trend and Validation Challenge
Page 3
About DDR DRAM memory
Key New Technologies
Memory Speed Roadmap
DDR2 800 MT/s
DDR4 3.2 GT/s DDR3 1.6 GT/s
DDR Physical Layer Test Solution
孙灯亮
Page 1
Table of Content
DDR Technology Trend and Validation Challenge Probing Solutions New Innovative Methods to Separate Read and Write Signals Automated DDR1/2/3 Measurements Debug Idea Summary