电磁学之静电场中的导体和电介质

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电磁学02静电场中的导体与介质

电磁学02静电场中的导体与介质

A q -q
-q+q
UA
q'
4 0 R0
q ' 4 0R1
q q '
4 0 R2
0
可得 q ( q) 1(9略)
例4 接地导体球附近有一点电荷,如图所示。
求:导体上感应电荷的电量
R
解: 接地 即 U0
o
感应电荷分布在表面,
l
q
电量设为:Q’(分布不均匀!)
由导体等势,则内部任一点的电势为0
选择特殊点:球心o计算电势,有:
1) Dds
S
1 (
r
1) q0内
l i mq内
V0V
1 (
r
1) limq0内 V0V
1 (
r
1)0
00 0。 40
[例2] 一无限大各向同性均匀介质平板厚度为 d
表明:腔内的场与腔外(包括壳的外表面)
物理 内涵
的电荷及分布无关。
在腔内 E 腔 外表 E 腔 面外 0带
电 量 的电 体 的
二.腔内有带电体时
q
① 带电量: Q腔内 q (用高斯定理易证)
表面
23
② 腔内的电场: 不为零。
由空腔内状况决定,取决于:
*腔内电量q;
*腔内带电体及腔内壁的 几何因素、介质。
平行放置一无限大的不带电导体平板。
0 1 2 求:导体板两表面的面电荷密度。
E2 • E1 解: 设导体电荷密度为 1、 2 ,
E0 电荷守恒: 1 + 2 = 0
(1)
导体内场强为零:E0 +E1‐E2 = 0
0 1 2 0 20 20 20
(1)、(2)解得:

电磁学讲义3

电磁学讲义3

Qq
4 0 R3
0
r R3 :
U Er
Qq
4 0 r
Qq
40r 2
err
例 5. 已 知 R1=6.0cm, R2=8.0cm, R3=10.0cm, QA=310-8C, QB=210-8C. (1) 求球壳B内外表面 的电量及A、B的电势; (2) B接地后断开, 然后A接
地, 求A、B的带电量和电势.
4 2 0
5 2 0
6 2 0
0L
(2)
EC
1 2 0
2 2 0
3 2 0
4 2 0
5 2 0
6 2 0
0L
(3)
A、C平板相连为等势体
由 U AB UCB 有 E d AB AB E d CB CB
( 1 2 0
2 2 0
3
2 0
4 2 0
5
2 0
6
2 0
)d AB
(
例3. 将点电荷q置于距外半径为R的接地金属球壳 外P点, 且P点距球心为d, 求金属球壳的带电量Q.
解:由静电平衡条件知, 球壳的电荷Q全部分布在 外表面, 且腔内为一等势区.
球心处的电势为:
Uo U qo UQo
q
Q
p q
4πε0d 40R
R
Q
d
O
由于球壳接地
Uo
q
4 0 d
Q
4 0 R
0
静电平衡后, 导体上的电荷如何分布?
2. 导体表面电荷分布与其附近场强的关系 在静电场中, 导体表面电荷的分布由静电平
衡条件决定, 即导体上的电荷分布使导体满足静 电平衡条件, 否则电荷分布不稳定.

静电场中的导体和电介质电磁学

静电场中的导体和电介质电磁学
均匀导体的静电平衡条件 导体内的场强处处为零。 “均匀”是指质料均匀,温度均匀。
推断其电场分布特点
(1)导体是个等势体,导体表面是个等势面 (2)靠近导体表面外编侧辑p处pt 的场强处处与表面垂1直1
§2.2.2 静电平衡导体上的电荷 分布特点
(1)体内无电荷,电荷只分布在导体表面; (2)导体表面的面电荷密度与该处表面外
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4
2、等离子体和超导体
部分或完全电离的气体,由大量自由电 子和正离子以及中性原子、分子组成的 电中性物质系统。
是有序态最差的聚集态。 是宇宙物质存在的主要形态,宇宙中
99.9%的物质是等离子体。 超导体 处于电阻为零(10-28 Ωm)的超
导状态的物体。
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5
图2.1 北极光
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26
§2.3.2 电容器及其电容的计算
1、电容器
由导体壳和其腔内的导体组成的导体系 统叫做电容器。组成电容器的两个导体 面叫做电容器的极板。
电容
CAB
qA UA UB
CAB与两导体的尺寸、形状和相对位置有 关,与qA和UA-UB无关。
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27
图2.13 电容器
图2.14 常用的电容器
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23
唯一性定理的证明及镜像法的引入
➢ 分别给定下列边界条件之一的唯一性 定理的证明:
I. 边界条件为给定每个导体的电势情况; II. 边界条件为给定每个导体的电量情况; III. 电像法的引入 IV. 接地导体壳的静电屏蔽作用
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24
§2.3 电容和电容器
1、 孤立导体的电容 2、 电容器及其电容的计算 3、 电容器的串并联
超导体中的超导电子,实际上是电子对 (库珀对)

第十章静电场中的导体和电介质

第十章静电场中的导体和电介质

第⼗章静电场中的导体和电介质第⼗章静电场中的导体和电介质在上⼀章中,我们讨论了真空中的静电场。

实际上,在静电场中总有导体或电介质存在,⽽且在静电的应⽤中也都要涉及导体和电介质的影响,因此,本章主要讨论静电场中的导体和电介质。

本章所讨论的问题,不仅在理论上有重⼤意义,使我们对静电场的认识更加深⼊,⽽且在应⽤上也有重⼤作⽤。

§10-1 静电场中的导体⼀、静电平衡条件1、导体与电介质的区别:(1)宏观上,它们的电导率数量级相差很⼤(相差10多个数量级,⽽不同导体间电导率数量级最多就相差⼏个数量级)。

(2)微观上导体内部存在⼤量的⾃由电⼦,在外电场下会发⽣定向移动,产⽣宏观上的电流⽽电介质内部的电⼦处于束缚状态,在外场下不会发⽣定向移动(电介质被击穿除外)。

2、导体的静电平衡条件(1)导体内部任何⼀点处的电场强度为零;(2)导体表⾯处的电场强度的⽅向,都与导体表⾯垂直.导体处于静电平衡状态的必要条件:0=i E(当导体处于静电平衡状态时,导体内部不再有⾃由电⼦定向移动,导体内电荷宏观分布不再随时间变化,⾃然其内部电场(指外场与感应电荷产⽣的电场相叠加的总电场)必为0。

⼆、静电平衡时导体上的电荷分布1、导体内部没有净电荷,电荷(包括感应电荷和导体本⾝带的电荷)只分布在导体表⾯。

这个可以由⾼斯定理推得:ii sq E ds ε?=,S 是导体内“紧贴”表⾯的⾼斯⾯,所以0i q =。

2、导体是等势体,导体表⾯是等势⾯。

显然()()0b a b i a V V E dl -=?=?,a,b 为导体内或导体表⾯的任意两点,只需将积分路径取在导体内部即可。

3、导体表⾯以处附近空间的场强为:0E n δε=,δ为邻近场点的导体表⾯⾯元处的电荷密度,?n 为该⾯元的处法向。

简单的证明下:以导体表⾯⾯元为中截⾯作⼀穿过导体的⾼斯柱⾯,柱⾯的处底⾯过场点,下底⾯处于导体内部。

由⾼斯定理可得:12i s s dsE ds E ds δε?+?=,1s ,2s 分别为⾼斯柱⾯的上、下底⾯。

电磁学第02章 静电场中的导体和电介质

电磁学第02章 静电场中的导体和电介质

E P cos2 sin d P
0 20
3 0
en
P
R
d r O x O
解:(1)
P
cos
0
/ 2, 0 /2 ,0
(2) E ( x)
4 0
qx (x2
r
2 )3
2
带电圆环在其轴线上场 强例1-3题的结果
x R cos , r R sin , dq ' ' 2 r Rd
U qo
q
4 0 d
dq
(S球 ) 4 0 R
q
q
0
40d 40R
q R q q 。 d
作业:2.1.3,2.2.1,2.2.4
(P84~100)
1.电偶极子
1.1 电偶极子及电偶极矩 电偶极子:一对等值异号的点电荷构成的电荷系:
电偶极矩:
rr pe ql
P r
-q
q
l
(r>>l)
E
E
4 0
q r2 l2
42
EP 2E cos
E+
E
P
4 0
ql r2 l2
32
4
E- r
ql
4 0 r 3
pe
4 0 r 3
-q
O
l
q
r 或:E p
pr e
4 0 r 3
例题、计算电偶极子在平面内任一点 P 的场强。
解:如图所示,根据矢量叠加原理:
电偶极矩可分为:
pe
per
pe

per pe cos ; pe pe sin
EP
Er
Eθ P
在平面内任一点 P 的场强为: E p Er E

静电场中的导体与电介质

静电场中的导体与电介质

§2 静电场中的导体和电介质§2-1 静电场中的导体1. 导体的静电平衡条件当电荷静止不动时,电场散布不随转变,该体系就达到了静电平衡。

在导体中存在自由电荷,它们在电场的作用下可以移动,从而改变电荷的散布……导体内自由电荷无宏观运动的状态。

导体的静电平衡的必要条件是其体内图2-1导体的静电平衡场强处处为零。

从静电平衡的条件动身可以取得以下几点推论:推论1)导体是等位体,导体表面是等位面:2)导体表面周围的场强处处与它的表面垂直:因为电力线处处与等位面正交,所以导体外的场强必与它的表面垂直。

(注意:本章所用的方式与第一章不同,而是假定这种平衡以达图2-2导体对等位面的控制作用到,以平衡条件动身结合静电场的普遍规律分析问题。

)2.电荷散布1) 体内无电荷,电荷只散布在导体的表面上:当带电导体处于静电平衡时,导体内部不存在净电荷(即电荷的体密度)电荷仅散布在导体的表面。

可以用高斯定理来证明:设导体内有净电荷,则可在导体内部作一闭合的曲面,将包围起来,依静电条件知S面上处处, 即由高斯定理必有q=02) 面电荷密度与场强的关系:当导体静电平衡时,导体表面周围空间的 与该处导体表面的面电荷密度 有如下关系:论证: 在电荷面密度为 的点取面元设 点为导体表面之外周围空间的点,面元。

充分小,可以为 上的面电荷密度 是均匀的,以为横截面作扁圆柱形高斯面(S ),上底面过P 点,把电荷q= 包围起来. 通太高斯面的电通量是:3) 表面曲率的影响、尖端放电导体电荷如何散布,定量分析研究较复杂,这不仅与这个导体的形状有关,还和它周围有何种带电体有关。

对孤立导体,电荷的散布有以下定性的规律:图2-3导体表面场强与电荷面密度曲率较大的地方(凸出而尖锐处),电荷密度e 较大;曲率较小的地方(较平坦处)电荷密度e 较小;曲率为负的地方(凹进去向)电荷密度e 更小。

1) 端放电的利和弊3 导体壳(腔内无带电体情况)大体性质:当导体壳内无带电体时,在静电平衡当导体壳内无 带电体时,在静电平衡下:导体壳内表面上处处无电荷,电荷仅散布在外 表面;空腔内无带电场,空腔内电位处处相等。

14静电场中的导体和电介质

14静电场中的导体和电介质

14静电场中的导体和电介质14.1 基本观点在静电场中放入导体和电介质后 , 电场的散布将会发生变化 , 导体和电介质和性质也将发生变化 .(1)静电场中的导体导体放入静电场中 ,因导体中有自由电子,在电场的作用下自由电子产生移动, 导体中的电荷将从头散布 , 这类现象称静电感觉 , 电荷在导体中从头散布后即达到静电均衡 , 达到静电均衡时 ,③静电障蔽:接地的导体空腔障蔽内、外电场.(2)静电场中的电介质① 电介质的极化电介质中固然没有自由电子, 但分子、原子中的带正电的原子核和带负电的约束电子在电场的作用下也要发生细小的位移, 使得在跟电场垂直的表面出现了净余电荷层 , 这类现象称电介质的极化 . 电介质表面出现的净余电荷称极化电荷, 极化电荷要产生附带的电场 , 它的方向跟原电场方向相反 , 因此使电介质中的场强减弱 .② 极化强度矢量介质中某处的极化强度矢量为该处邻近单位体积中的分子电偶极矩的矢量和.极化电荷面密度与极化强度的关系为:电介质表面极化电荷面密度在数值上等于极化强度沿介质表面外法线方向上的重量 .③电位移矢量④介质中的高斯定理经过任一闭曲面的电位移通量 , 在数值上等于闭合曲面所包围的自由电荷的代数和 .(3)电容孤立导体的电容即为导体所带的电量跟导体的电势之比 . (它只跟导体自己的性质、形状、大小及四周的介质相关)电容器的电容即为电容器每块极板上的电量 Q与两极板间电势差的比值 . 它表示电容器单位电压所容纳的电量 .(4)电场的能量①电容器的电能②电场的能量电能储藏在电场中 , 电场中单位体积的电能称电场能量体密度电能的能量14.2 解题指导( 1)静电场中的导体导体放在静电场中第一要考虑静电感觉 , 而后用静电均衡条件(导体内部的场强为零 , 导体表面的场强垂直表面)解相关的问题 .( 2)利用介质中的高斯定理求对称散布的电场的解题步骤①第一用求出 D的散布;②再用求出 E 的散布;③求极化电荷密度.(3)求电容的方法①先用高斯定理求出 E 的散布;②用求出电势差;③用公式求出电容 .(4)电场能量电容器的能量电场能量;对场是球散布;对场是柱散布.14.3 典型例题14-1 一“无穷大”平均带电平面 A, 带电量为 q, 在它的邻近放一块与 A 平行的金属导体板 B, 板 B 有必定厚度 , 如图 14.3-1 所示 , 则在板 B 的两个表面 1 和 2 上的感觉电荷分别是多少?解题思路设B板两面的感觉电荷分别, 两个未知数需列出两个独立方程式求解:①感觉电荷,②运用静电均衡条件 , 导体内部的电场为0, 即的三块平板在a点的合场强为0,解设 B 板两面的感觉电荷分别为, 有在导体板中任选一 a 点 ,(向左电场为正):从①②两式可解得14-2 一半径为 R , 带电量为 Q 的金属球 , 球外有一层平均电介质构成的齐心球壳 , 其内、外半径分别为 a, b 介质的相对介电常数为, 求:(1)电介质内、外空间的电位移和电场强度;(2)电介质两个表面上的极化电荷面密度.解题思路运用介质中的高斯定理先求出 D而后用求 E,,再求极化电荷面密度解(1)介质内作半径为 r 的齐心球面作高斯面 , 依据介质中的高斯定理 ,对平均电介质R<r <a, 同理r >b, 同理(2)r=a, 介质内表面r=b, 介质表面面14-3 两根平行长直导线 , 它们的半径都是 a, 两根导线相距为 d( d>>a) 求单位长度的电容 .解题思路将两长直导线分别带上线电荷密度为的电量,当作两无穷长平均带电圆柱 , 用高斯定理分别求出每根长直导线的场强 , 再求出两带电长直圆柱间的合场强 , 而后用电差公式求出两长直导线的电势差 , 代入电容公式求电容.解设在两长直导线上分别带电荷线密度, 坐标如下图 . 在两长直导线之间的 P 点的合场强(分别用高斯定理可求解得每根带电长直导线的场强)两长直带电导线的电势差单位长度的电容14-4 一圆柱形电容器 , 由截面半径为 R的导体圆柱和与它共轴的导体圆管筒构成, 圆筒半径, 在内圆柱与之间充满相对介电常数的平均电介质 , 如 14.3-4 图所示 , 略去边沿效应 . 求:( 1)该电容器单位长度的电容;(2)将该电容充电至两极板间的电势差为 U=100V, 则单位长度上的电场能量是多少?(圆筒接地)解题思路将圆柱和圆筒带上电量, 利用高斯定理求出它们之间的场强 , 而后求出它们的电势差 , 再求电容 .求解电场能量有两种方法:①利用电容器电能公式;②用电场能量公式解(1)设圆柱、圆筒分别带上电荷线密度的电量.依据高斯定理可求得:(2)方法Ⅰ :方法Ⅱ :14.4题解1.两平行金属板带有等量异号电荷 , 若两板的电势差为 200V,两板间距为 2.0mm, 忽视边沿效应 , 求每一个金属板表面的电荷面密度是多少?解本题有四个未知数, 要列出四个方程求解 .左板接地. ①作图示高斯面 , 依据高斯定理 ,所以.②左侧金属板中 P 点场强为 0,.③解②③得.两板中间场强得解②④得2.一无穷大平均带电介质板A, 电荷面密度为, 介质板凑近一导体B, 此时 B 导体表面面上凑近P 点处的电荷面密度为, 求 P 点的电场强度 .解在 P 点作垂直 B表面的圆柱高斯面(P点在高斯面度面上, )依据高斯定理 ,静电均衡时 , 导体 B 内部的场强为 0, 表面的场强垂直表面 , 所以上式左侧积分3.一圆柱形电容器 , 由内筒半径, 外筒半径两个共轴导体圆筒构成 , 两筒间充满了相对介质电常数的平均介质,已知空气的击穿场强, 则此电容器的最高耐压力为多少?解内、外圆筒分别带有线电荷密度为和的电量,依据高斯定理,两筒间为空气时 , 两筒间的场强;①两筒间充满平均介质时 , 两筒间的场强;②两筒间的电势差.③将①式代入③式 ,最高耐压4.一个大平行板电容器水平搁置, 两极板间的一半空间充有各向同性的平均电介质 , 另一半为空气 , 如图 14.4-4 所示 . 当两极板带上恒定的等量导异号电荷时 , 有一质量为 m、带电量 +q 的质点均衡在极板间的空气地区中 , 今后若把电介质抽去 , 则该质点将如何运动?(向上 , 向下 , 或保持不动)解介质抽出前 ,质点均衡,介质板上 , 下表面有极化电荷 , 如图 14.4-4 左半部所示 . 将介质板抽出的过程 , 外力战胜电场力作功 , 使电场能量增添,而介质抽出后电容器将减少, 从上式看出两极板间的电压U 将增高 , 而惹起两极板间电场强度增大, 电场力增大 , 质点将向上运动 .5.电容器和串连后接上电动势恒定的电源充电,在电源不停开的状况下,若把一电介质充入中, 则上的电势差将如何变化?电容器极板上的电量将如何变化?(增大 , 减少 , 不变)解两电容串连,总电容,电介质充入后,将增大.从上式看,总电容C将增大,依据总电容增大 ,总电压不变,电量q也增大,所以上的电量增加,依据,电容器上的电势差增大 .6.半径为相互绝缘的两齐心导体球壳, 现把 +q 的电量赐予内球 ,问:( 1)外球的电荷及电势为多少?(2)把外球接地后断开地线 , 外球的电荷及电势改变多少?(3)而后把内球接地 , 内球的电荷及外球的电势改变多少?解( 1)外球内表面感觉电荷为- q,表面面电荷为+q.外球电势(2)外球接地后 , 表面面电荷为零 , 内表面电荷仍为 - q, 外球电势(3)设内球接地后电荷变为 , 则因内球此时电势为零 , 即得此时外球的电势外球电势的改变7.点电荷 C 处在导体球壳的中心 , 壳的内、外半径分别为和求:(1)导体球壳的电势;(2)离球心 r =1.0cm 的电势;(3)把点电荷走开球心 1.0cm, 再求导体壳的电势 .解( 1)此时导体球壳的内表面感觉电荷- q, 表面面感觉电荷 +q, 球壳的电势(2)( 3)此时其实不影响导体壳表面面的电荷 , 故电势与( 1)上当算的同样 .8.电容量分别为和的两个电容器 , 把它们并联用电压 V 充电时和把它们串连的用电压V 充电时,在电容器组中,哪个组合储藏的电量、能量大些?大多2少?解 电容器并联时 ,电容器串连时 ,所以由上计算可知 , 在题目已知条件下 , 不论是电量仍是能量都是并联时大 ..一空气平板电容器电容 C 充电到电量为 后 将电源切断 ,9 =1.0pF, , 求:( 1)极板间的电势差及此时的电场能;( 2)再将两板拉到原距离的两倍 , 计算拉开前后电场的改变 , 并解说其原由 .解(1)(2)距离拉大一倍 , 电容变为电场能量电场能量的增量能量的增添是因为在将两板距离拉大的过程中 , 外力战胜两板之间的静电力作功 , 使其余形式的能量转变为电能的结果10.球形电容器由半径为的导体球和与它齐心的导体球壳构成, 壳的内半径为, 此间一半充满相对介电常数为的平均电介质 ,如下图,求电容 C.解相当于两半球形电容器的并联.对球形电容器 , 充电后两球间的电场强度,两球间的电压电容上半球下半球11.在半径为 a 的球体内平均地充满电荷 , 总电量为 Q. 试证其电势能为解电荷体密度现假想球体的总电量 Q是从分别在无穷远处的状况下齐集起来的 , 且从球心起 , 按一个个的齐心球壳逐层成立起来的 . 成立 r~r +dr 这一层时 , 所移电量这时 , 是将 dq 从电势为零处 ( 无穷远处 ) 移到电势 U( r ) 处 , 依据球体平均带电 ,所以电势能增量为所以 , 成立整个电荷 Q所增添的电势能为12.两个同样的空气电容器 , 其电容都是, 都充电到电压各为 900V 后断开电源 , 把此中之一浸入煤油中 (), 而后把两个电容器并联 , 求 :(1)浸入煤油过程中能量的损失 ;(2)并联过程中能量的损失 .解 (1) 每个电容器本来的能量为浸入煤油的电容器 , 两极板间的场强两板间的电压电容能量浸入煤油过程中能量的损失为(2)将两电容器并联 , 则要发生电荷的转移 , 但电荷的总量保持不变为总电容总能量能量损失为13. 把电荷 q 放在一本来不带电的半径为的肥皂泡的表面上,因为肥皂泡表面上电荷相互排挤 , 所以半径增至某一值R ,试证电量式中 p 为大气压强 .证肥皂泡的电势和电容分别为电势能为当肥皂泡因电荷相互排挤,半径由增至R时电场力作的功等于电势能的改变电场力作的功等于肥皂泡膨胀时对大气作的功所以得.。

静电场中的导体和电介质

静电场中的导体和电介质

2.1.1 导体的静电平衡条件 当一带电体系中的电荷静止不动,从而电场分布不随时间变化时,则该带电体系达到了静电平衡。 均匀导体的静电平衡条件就是其体内场强处为0。 从导体静电平衡条件还可导出以下推论: (1)导体是个等位体,导体表面是个等位面。 (2)导体以外靠近其表面地方的场强处处与表面垂直。
2.2.3 电容器的并联、串联 (1) 并联 电容器并联时,总电容等于个电容器电容之和。 (2) 串联 电容器串联后,总电容的倒数是各电容器电容的到数之和
2.2.4 电容器储能(电能) 设每一极板上所带电荷量的绝对值为Q,两极板间的电压为U,则电容器储存的电能 从这个意义上说,电容C也是电容器储能本领大小的标志。
(2)极化电荷的分布与极化强度矢量的关系 以位移极化为模型,设想介质极化时,每个分子中的正电“重心”相对负电“重心”有个位移l。用q代表分子中正、负电荷的数量,则分子电矩P分子=ql。设单位体积内有 n个分子,则极化强度矢量P=np分子=nql。
取任意闭合面S,根据电荷守恒定律,P通过整个闭合面S的通量应等于S面内净余的极化电荷∑q′的负值 ,即 这个公式表达了极化强度矢量P与极化电荷分布的一个普遍关系。
(3)库仑平方反比率的精确验证 用实验方法来研究导体内部是否确实没有电荷,可以比库仑扭秤实验远为精确的验证平方反比律。 卡文迪许的验证实验装置见教材中图2-11。实验时,先使连接在一起的球1和壳3带电,然后将导线抽出,将球壳3的两半分开并移去,再用静电计检验球1上的电荷。反复实验结果表明球1上总没有电荷。
(1) 平行板电容器 平行板电容器由两块彼此靠得很近的平行金属极板组成。设两极板A、B的面积为S , 带电量分别为±q , 则电荷的面密度分别为 ±σe =±q/S 根据式(2.1),场强为 E = σe/ε0 , 电位差为 根据电容的定义

静电场中的导体和电介质电磁学

静电场中的导体和电介质电磁学
2020/4/25
第二章 静电场中的导体和电介质
§2.1 物质的电性质 §2.2 静电场中的导体 §2.3 电容和电容器 §2.4 静电场中的电介质 §2.5 电介质中静电场的基本定理 §2.6 边值关系和有介质存在时的唯一性定

2020/4/25
§2.1 物质的电性质
1、 导体、绝缘体与半导体 2、 物质的电结构
• 复杂的非线性关系,称为电滞回线。如钛酸钡 (BaTiO3)。
• 铁电体有独特的温度特性。低于此温度时呈铁电
体性质,高于此温度时呈一般性质的电介质。此温度 称为材料的转换温度或居里温度。
• 铁电体还具有一个重要的性质:压电效应。
即当材料受到压缩或拉伸的机械力作用时,材料某些 相对应的表面上会出现异性极化电荷,而且极化电荷 的面电荷密度与机械应力成比例,应力反向时极化面 电荷变号。
• 压电效应有逆效应。即在压电晶体上加电场时,
2020/4/25 晶体会伸长或压缩形变,称为电致伸缩效应。
➢ 所谓导体的几何形状就是指两极板的几何形状,电容 器的电量就是任一极板上的电量。
2、任意导体组,当导体带电并达到静电平衡时 ,每个导体上有一定的电荷分布,有一定的总 电量和一定的电势。
➢ 其中任意两导体之间都有电容,但并不完全取决于自 己的几何形状和相对位置,与周围其他导体都有关。 在这种情况下,一般不称这两个导体为电容器。
边界条件为给定每个导体的电势情况 ;
边界条件为给定每个导体的电量情况 ;
电像法的引入
接地导体壳的静电屏蔽作用
§2.3 电容和电容器
1、 孤立导体的电容 2、 电容器及其电容的计算 3、 电容器的串并联
2020/4/25
§2.3.1 孤立导体的电容

02-静电场中的导体和电介质PDF

02-静电场中的导体和电介质PDF

-1r|
P(r)dV
散度
定理
1 4πε0
V
|Pr (-rr)|
en dS
1 4πε0
V
-
|r
P(r) - r|
dV
电介质整体在远区产生的电位:
r-r
(r)
1 4πε0
V
P(r) |r - r|
endS
zr
r
dV
1 4πε0
V
- |r
P(r) - r|
dV
O x
y V S
极化电荷面密度p: p P(r) en
则r处体积元dV 的等效电偶极矩为:P(r)dV
在远区位置r处产生的电位为:
d(r)
P(r)dV 4πε |r - r|2
|rr
-
r r|
P(r)dV 4πε
|rr
- r - r|3
0
0
电介质整体在远区产生的电位:
r-r
(r)
V
P(r) 4πε0
r - r |r - r|3
dV
zr
r
dV
en:介质表面法 向单位矢量,
极化电荷体密度p: p -P(r) 方向由介质内
指向介质外。
对于线性、各向同性的电介质, 极化强度矢量P与介质中合成电场强度成正比, 即
P ε0eE
e称为电介质的电极化率
1 4πε0
V |r
-1r|
P(r)dV

(uA) u A u A
电介质整体在远区产生的电位:
r-r
(r)
V
P(r) 4πε0
r - r |r - r|3
dV
zr

静电场中导体和介质

静电场中导体和介质

/ Q' 1 1 C2 C1 C2 '
C1 C2 '
C ' C
C2 'C1 C2
C2 '
1
2
2
C1 C2 '
5. 且
图示
AC
qc 3.0
AD
D1B08c,4q.D0130.02m,1求0将8 c电
荷 点电场q力0 做2.功0.108从c 沿A半圆 移A到B
B
C AD B qc q0 qD
静电场中旳导体 和电介质
一、基本内容
1 导体静电感应
(1)导体内部电场强度为零;
(E E0 E 0)
(2)导体表面电场强度垂直导体表面;
E
0
en
( 该点附近处导体表面的电荷面密度)
(3)导体是等势体;
(4)导体电荷分布在外表面,孤立导体旳电 荷面密度沿表面分布与各处曲率有关。
2 电容和电容器 (1)定义 C Q
4. C和1 两C空2 气电容器串联后来接电源充 电.在电源保持联接旳情况下,在 中. 加
c1
c2
插入一电介质板前 Q Q
C1 C2
插入一电介质板后 Q' Q'
C1 C2 '
11
Q' Q
所以 / Q C1 C2 C2 ' C1 C2
A U0
σ0 σ= -σ0
图2
7.一电容器由两个很长旳同轴薄圆筒构成,内、 外圆筒半径分别为R1=2cm,R2=5cm,其间充斥
相对介电常量为 r 旳各向同性、均匀电介质.电
容器接在电压U0=32V旳电源上(如图所示),试 求(1)距离轴线R=3.5cm处旳A点旳电场强度 和A点与外筒间旳电势差,(2)圆筒之间旳电势分 布。

电磁学-静电场中的导体和电介质a

电磁学-静电场中的导体和电介质a
R
❖ 表面突出尖锐部分曲率大, 电荷面密度大;
导体
❖ 表面比较平坦部分曲率小, 电荷面密度小;
❖ 表面凹进部分曲率为负, 电荷面密度最小。
证明: 设有两个相距很远的带电导体球,如图: 用很长的细导线连接两导体球,
忽略两球间的静电感应,导体球上的电荷仍均匀分布。
整个导体系统是等势体。
A
球:VA

1 4 0
例1: 无限大均匀带电平面的电场中平行放一无限大金属平板,
已知:带电平面的电荷面密度为 0 。
求:金属板两面的感应电荷面密度 。
解: 设金属板两面感应电荷面密度分别为 1 和 2 ,
假定均大于零 。
由电荷守恒: 1 2 0
(1)
0 1 2
导体内场强由三个带电平面产生并且 = 0 :
外表面接地,腔外电场消失。
导体空腔内电场不受外界的影响,或利用导体空腔接地 而使腔内带电体与外界隔绝的现象。
封闭导体壳(不 论接地与否)内部的 电场不受外电场的影 响;
接地封闭导体壳 (或金属丝网)外部 的场不受壳内电荷的 影响。
⑵ 应用:均压服
E
E

0+ +++







注意:腔内无带电体时,空腔导体外的电场由空腔导体外表面的 电荷分布和其它带电体的电荷分布共同决定。
腔内有带电体时,腔体外表面
所带的电量由电荷守恒定律决 定,腔外导体和电场不影响腔



内电场。
四.有导体存在时静电场
E,
V

的计算
电荷守恒定律
静电平衡条件
电荷分布
EV
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三个引理
一、在无电荷的空间里电势不可能有极大 值和极小值。 二、若所有导体的电势为0,则导体以外空 间的电势处处为0。 三、若所有导体都不带电,则各导体的电 势都相等。
唯一性定理的证明及镜像法的引入

I. II.

分别给定下列边界条件之一的唯一性 定理的证明: 边界条件为给定每个导体的电势情况; 边界条件为给定每个导体的电量情况; 电像法的引入 接地导体壳的静电屏蔽作用

压电效应有逆效应。即在压电晶体上加电场时,
晶体会伸长或压缩形变,称为电致伸缩效应。
(4)永电体或驻极体电介质


有自发的电极化强度,即使没有外场, 该物质本身也会有电极化强度,称为永 电体或驻极体。 由于空气中存在离散的自由电荷,永电 体表面上的极化电荷会吸引一些自由电 荷而最终会被中和失去作用。

§2.4.2 极化强度与退极化场
1、极化强度矢量P (1)定义:单位体积内介质分子的电偶极矩矢 量和。 P分子
P
是定量描述电介质内各极化状态(极化程度和 极化方向)的物理量。单位:C/m2 如果电介质中各处的极化强度矢量大小和方向 都相同,则称为电介质均匀极化,否则为非均 匀极化。
V
(2)极化电荷的分布与极化强 度矢量的关系
图2.3宇宙中的星云
图2.4 中科院合肥等离子研究所 的超导托卡马克HT-7U装置
图2.5 超导体的发现者荷兰物理学家 默林-昂纳斯
§2.1.2 物质的电结构




导体中存在大量的“自由电荷”(载流 子) 绝缘体中有大量的“束缚电荷”,几乎 没有载流子。 半导体中的载流子主要是杂质电离出来 的电子和空穴。 超导体中的超导电子,实际上是电子对 (库珀对)
(2)有极分子的取向极化
没有外电场时,电介质分子的正负电荷“重心” 不重合,形成一定的电偶极矩,称为有极分子。 无外场时,所有分子的固有电矩的矢量和为0, 宏观上不产生电场。 加外电场后,分子电矩方向不同程度的转向外 电场方向,在和外电场垂直的两端面上多少产 生一些极化电荷,这种极化机制称为取向极化。 电子位移极化效应在任何电介质中都存在,而分 子取向极化只发生在有极分子电介质中。
比例系数χ 叫做介质极化率,与场强无关,是 介质材料的属性。 当E太大时,χ 不仅与电介质有关,还与E有关, 此时P与E之间是非线性关系。对取向极化电介 质, χ 还与温度有关。
P 0 E
(2)各向异性(线性电介质)



晶体材料沿不同方向呈现不同的物理性 质,称为各向异性。 各向异性电介质被极化时,极化强度P 与场强E的方向不同,在场强不是很强 时,仍保持线性关系。 极化率χ 与E无关的上述两种电介质统 称为线性电介质。若极化中电介质的损 耗(如热损耗)可以忽略,则称为线性 无损耗介质。

P用分子的平均电偶极矩表示
P n p nql
式中,q为分子内的正电荷电量,L为分 子正负电荷重心的平均距离矢量。 极化介质内的极化电荷与其极化强度的 普遍关系:
( S内)

q ' P dS
S
图2.20 极化介质内的极化电荷与极化强度的关系

Байду номын сангаас

各向同性、物理性质均匀的电介质,其 体内不会出现净余的束缚电荷,即极化 电荷体密度为0。以后我们只考虑均匀电 介质的情形。 极化电介质表面的面极化电荷密度与极 化强度之间的关系:
§2.1.1 导体、绝缘体与半导体
1、根据导电能力的强弱,通常把物质分为三类: 导体 电荷很容易在其中移动的物质。 电阻率范围:10-8Ω m ~10-5Ω m 绝缘体 转移和传导电荷能力很差的物质。 电阻率范围:106 Ω m ~1018Ω m 半导体 介于这两者之间的物质。 电阻率范围:10-6Ω m ~106Ω m
第二章 静电场中的导体和电介质
第二章 静电场中的导体和电介质
§2.1 物质的电性质 §2.2 静电场中的导体 §2.3 电容和电容器 §2.4 静电场中的电介质 §2.5 电介质中静电场的基本定理 §2.6 边值关系和有介质存在时的唯一性 定理
§2.1 物质的电性质
1、 导体、绝缘体与半导体 2、 物质的电结构
(1)导体是个等势体,导体表面是个等势面 (2)靠近导体表面外侧处的场强处处与表面垂直
§2.2.2 静电平衡导体上的电荷 分布特点
(1)体内无电荷,电荷只分布在导体表面; (2)导体表面的面电荷密度与该处表面外 附近的场强在数值上成比例: e 0E (3)表面的曲率影响面电荷密度,进而影 响场强,尖端放电现象。 即导体尖端附近场强强,平坦地方次之, 凹进去的地方最弱。

其中任意两导体之间都有电容,但并不完全取决于自 己的几何形状和相对位置,与周围其他导体都有关。 在这种情况下,一般不称这两个导体为电容器。
§2.4 静电场中的电介质
1、电介质的极化 2、极化强度与退极化场 3、电介质的极化规律
§2.4.1 电介质的极化
1、电介质(dielectrics)
是绝缘体,内部大量的束缚电荷。 与导体和静电场的相互作用,既有相似之处, 但也有重要差别。
图2.19 电容器串联
电容器的几点说明
1、电容器是一种特殊的两导体系统


利用导体壳的屏蔽作用使空腔内的电场分布仅由电容 器的两极板的几何形状和相对位置决定,且两极板的 带电量一定是等量异号的。 所谓导体的几何形状就是指两极板的几何形状,电容 器的电量就是任一极板上的电量。
2、任意导体组,当导体带电并达到静电平衡时, 每个导体上有一定的电荷分布,有一定的总电 量和一定的电势。
2、极化率与相对介电常数



设平行板电容器未填充电介质时极板间的场强 为E0(外场),填充电介质后电场为E,由介质极 化规律知,介质极化强度为: P 0 E 与电容器正极板相对的介质表面有极化电荷面 密度: ' P n P ,与负极板相对的介质表 面极化电荷面密度为: ' P n ' P P ' 因此退极化场的大小为: E 0 0 而退极化场的方向与E0和P都相反,因此退极 化场为: P ' E E
dq' ' P cos P n Pn dS
图2.21 均匀极化介质球
2、退极化场

极化电荷和自由电荷一样,在周围空间产生附 加电场E’,根据叠加原理,空间任意一点的场 强是外电场和极化电荷产生的附加电场的矢量 和: E E0 E '
电介质内E’处处和外电场E0方向相反,使得总 电场E比原来的E0减弱。极化电荷在介质内部 的附加场E’总是起减弱极化的作用,因此称为 退极化场,其大小与电介质的几何形状相关。



都会在电场作用下出现宏观电荷,反过 来影响电场(消弱原来的电场) 电介质的极化电荷;导体感应自由电荷。 部分抵消外电场;完全抵消外电场。
2、极化的微观机制
(1)无极分子的位移极化 没有外电场时,电介质分子的正负电荷“重心” 重合,整个分子没有电矩,称为无极分子。 加外电场后,无极电介质产生了电偶极矩(感 生电矩),在和外电场垂直的两个端面出现正 负电荷,即极化电荷,这就是电介质的极化。 由于电子质量比原子核小得多,主要是电子位 移,因此无极分子的极化机制常称为电子位移 极化。
2、等离子体和超导体



部分或完全电离的气体,由大量自由电 子和正离子以及中性原子、分子组成的 电中性物质系统。 是有序态最差的聚集态。 是宇宙物质存在的主要形态,宇宙中 99.9%的物质是等离子体。 超导体 处于电阻为零(10-28 Ω m)的超 导状态的物体。
图2.1 北极光
图2.2太阳风
§2.3 电容和电容器
1、 孤立导体的电容 2、 电容器及其电容的计算 3、 电容器的串并联
§2.3.1 孤立导体的电容

“孤立”导体是指该导体附近没有其它导体和 带电体。 理论和实验表明,孤立带电导体的电势与其电 量q成比例。比例系数是一个只与孤立导体几 何形状有关,而与U、q无关的量,称为孤立导 体的电容。

基本性质
当导体壳腔内有其它带电体时,在静电平衡状 态下,导体壳的内表面所带电荷与腔内电荷的 代数和为0。

静电屏蔽
如前所述,导体壳的外表面保护了它所包围的 区域,使之不受导体壳外表面上的电荷或外界 电荷的影响,这个现象称为静电屏蔽。
图2.12 (a) 腔内无电荷
图2.12 (b)腔内有电荷
图2.12 (d) c的等效图 图2.12 (c) 导体腔接地 图2.12 静电屏蔽
(3)静电场边值问题的唯一性定理


问题的提出
通过给定各个导体的形状、大小、导体的相对 位置、各个导体的电势或电量以及包围电场空 间的边界面上的电势(称为边界条件),静电 场的解是否存在? 这是静电学的典型问题,称为静电场的边值问 题。 如果静电场解存在的话,它是否唯一,即解的 唯一性问题? 这在电磁学中称为唯一性定理。
图2.17 同轴圆柱形电容器
§2.3.3 电容器的串并联
1、电容器的并联(增加电容量) 总电容等于各个电容器电容之和。 C=C1+ C1+ …+ Cn
图2.18 电容器并联
2、电容器的串联
可增加耐电压能力,但很少使用。 总电容的倒数等于各个电容器的倒数之和。

1 1 1 1 ... C C1 C 2 Cn
§2.2.3 导体壳与唯一性定理
(1)腔内无带电体情形 基本性质 当导体腔内无带电体时,静电平衡下, 导体壳的内表面处处无电荷,电荷只分 布在外表面上; 空腔内没有电场,空腔内电势处处相等。 法拉第圆筒 内表面无电荷的实验验证。 库仑平方反比定律的精确验证
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