中关村环保科技示范园

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项目建议书

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项目建议书一、项目背景中国,作为世界上人口最多的国家,在改革开放的浪潮中迅速崛起,国民经济蓬勃发展,社会财富日益积累。

随着城市化进程的加速,中国正迈入一个大规模生产和消费的新时代。

然而,生产生活的背后,人们面临着日益严重的生态环境恶化问题。

北京地区的环境质量恶化已初现端倪,影响着周边地区乃至邻国。

人们正努力改善环境质量,而西方发达国家在经历70年代的能源危机后,已开始反思人与自然的关系,可持续发展的概念被广泛应用于人类活动的各个方面。

中关村环保科技示范园区,作为国家环保产业政策的贯彻者,响应社会对可持续发展技术的需求,规划建设了一个以推广、应用环保、节能、资源再利用领域的国际先进技术为目的的示范性高科技园区。

园区旨在为中国国民经济发展中的环境问题寻找解决方案,为北京及周边地区乃至全国的生态环境保护起到示范推广作用。

根据国家“积极、合理、有效”利用外资的方针,结合园区发展需要,计划利用日本政府环境特别贷款,在中关村环保科技示范园区建设一个可循环的环保生态系统。

二、项目概况中关村环保科技示范园位于中关村科技园区的西北部,是海淀园组团的重要组成部分。

园区北邻规划中的中关村中医药园,南临温泉镇中心区,西接高里掌村、辛庄村,东靠北京百亭公园,被北京西山(显龙山)环抱。

园区总规划用地359.40公顷,规划总建筑面积161.91万平方米,包括综合管理服务区、商务区、生活休闲区、展示交易中心、科普教育中心、研发基地、孵化中试产业基地、仪器仪表园以及供应设施用地和交通设施用地。

园区是一个集生产、科研、教育于一体的示范性高科技园区,以推广、应用可持续发展技术为目的。

本工程计划以环保科技示范园为核心,建立一个可持续发展的环保生态系统,应用国内外先进环保科技,将园区建设成一个低能耗、少排放的生态型绿色园区。

项目建设的主要内容包括建设活动的绿色化要求、可持续发展的生态型环境景观建设和环保科技展示中心。

项目的核心是资源的综合利用,特别是垃圾消纳及其再利用、水环境的利用和保护。

绿色食品检测机构名录(2018年3月22日更新)-中华人民共和国农业部

绿色食品检测机构名录(2018年3月22日更新)-中华人民共和国农业部

河北石家庄市裕华东路70号
050018 杨晓华 0311-81669047
环境
8 河北 唐山市畜牧水产品质量监测中心
唐山市唐古路东侧06300 苗建民 0315-7909150
9
河北
国家果类及农副加工产品质量监督检验中心(石 家庄)
河北省石家庄市中华南大街537号
050091 张翠侠 0311-67568334
邮编 联系人
座机
210036 孙钰洁 025-86229784
32 江苏 江苏中谱检测有限公司
江苏省南京市浦口高新区星火路10号人才大厦C座 210000 陈梅 025-58866726
33 浙江 农业部茶叶质量监督检验测试中心
浙江省杭州市梅灵南路9号
310008 金寿珍 0571-86650124
上海市徐汇区斜土路2354号
200032 徐华能 021-64389275
环境 产品 环境 产品 产品 产品 环境 产品 环境 产品
24 上海 谱尼测试集团上海有限公司
上海市徐汇区桂平路680号35幢2-4楼
200233 解浩 021-64851999
产品 环境
25 上海 农业部食品质量监督检验测试中心(上海)
林晓音
010-83055000转 2022
3 北京 农业部农业环境质量监督检验测试中心(北京) 北京市西城区裕民中路6号
100029 高景红 010-82071872
4 北京 农业部蔬菜品质监督检验测试中心(北京)
北京中关村南大街12号中国农业科学院蔬菜花卉 研究所
100081
钱洪 010-62137926
上海市青浦区华新镇新府中路1528弄28号
201708 韩奕奕 021-59804480

艾方光电参军案例

艾方光电参军案例

艾方光电参军案例作者:冀中仁来源:《中国军转民》 2017年第9期北京艾方光电设备有限公司(以下简称艾方光电)是一家从事光电类产品设计开发、生产和服务的新兴高新技术企业,位于北京市海淀区中关材环保科技示范园内,工作区面积约3 300平方来。

制冷型、非制冷型红外热像仪及红外学物镜产品的研发与制造是公司的优势,现已形成年工业总产值近亿元的综合生产能力。

“实现强军目标,必须同心协力做好军民融合深度发展这篇文章”。

习主席指引的军民融合发展的路子,既有利于经济建设从国防和军队现代化建设中获得更加强有力的安全保障和战略支撑,也有利于国防和军队现代化建设从经济发展中获得更加雄厚的“红利”支持和发展动力。

作为规模不大的一家民营企业,通过“参军”后几年的磨练,酸甜苦辣,五味杂陈,也积累了一些经验。

一、基本情况北京艾方光电设备有限公司(以下简称艾方光电)是一家从事光电类产品设计开发、生产和服务的新兴高新技术企业,位于北京市海淀区中关村环保科技示范园内,工作区面积约3300平方米。

制冷型、非制冷型红外热像仪及红外光学物镜产品的研发与制造是公司的优势,现已形成年工业总产值近亿元的综合生产能力。

公司科研生产管理实行总经理负责制。

设常务副总经理(兼管理者代表)、分管技术生产副总经理及总工程师协助总经理工作;下设研发部、制造部、保障部和质量部四个部门。

公司现有员工中年龄结构30~49岁所占比例约为70%。

公司主要领导、主管业务领导以及专业技术队伍成员大多来自部队、国有军工企业、国防军工院校,均从事光电行业多年,具有丰富的从业经验,能够洞悉前瞻行业发展态势,为企业设置长远的发展目标,对企业做出合理的发展规划。

二、发展历程公司成立于2002年10月,原名为北京赛隆华光科技有限公司,2011年10月更名为北京艾方光电设备有限公司。

2012年5月,获得质量管理体系认证证书。

2012年12月,被评为二级保密资格单位。

2013年12月,获得装备承制单位资格。

参观中关村环保科技园观后感

参观中关村环保科技园观后感

参观中关村环保科技园观后感参观中关村环保科技园给我留下了深刻的印象,让我对中国的环保科技发展感到自豪和乐观。

中关村环保科技园位于北京市海淀区,是一个集研发、生产、展示于一体的环保科技园区。

在参观过程中,我深深感受到了中国在环保领域的不断创新和进步。

首先,中关村环保科技园拥有一流的科研实力和先进的技术设备。

在参观园区的实验室和研发中心时,我看到了许多专业的科研人员正在进行各种环保科技研究。

他们利用最新的科技手段,致力于解决环境污染问题,改善人民生态环境。

这些科研成果的应用和推广,为保护环境提供了坚实的技术支持。

其次,中关村环保科技园还注重企业的创新能力和发展潜力。

在园区的企业展示中心,我了解到了许多环保科技企业的发展历程和产品创新成果。

这些企业致力于研发和生产各类环保设备和技术产品,如太阳能光伏、风能发电、生物质能源等。

这些新兴的环保科技产业为中国的能源结构调整和发展提供了新的机遇和动力。

另外,中关村环保科技园还注重环境保护和可持续发展。

在园区的生态环境公园,我看到了一片片绿树和鲜花。

园内还有湖泊和小溪,清澈的水面上游弋着几只白鹭。

这些环保科技园不仅为企业提供了良好的工作环境,也为游客和市民提供了休闲娱乐的场所。

这种把环保与园区建设有机结合的做法,体现了中关村环保科技园的绿色发展理念。

通过参观中关村环保科技园,我深刻感受到了中国环保科技的快速发展和巨大潜力。

我相信,在科技创新和政府的大力支持下,中国的环保科技一定会取得更大的成就。

中关村环保科技园是一个很好的示范和榜样,它让我们看到了一个美丽而绿色的未来。

我要为中国的环保科技事业鼓掌,为中关村环保科技园点赞!。

北京市海淀区地锦路7号院4号楼

北京市海淀区地锦路7号院4号楼

北京市海淀区地锦路7号院4号楼
项目坐落位置北京市海淀区地锦路7号院4号楼,目前用途辅助用房,科技厂房,属于工业用地,土地类型为出让。

建筑面积:3383.83(平方米),土地面积:2257.35(平方米),项目位于中关村环保科技示范园,名企集聚、配套完备、管理创新。

交易条件
(1)转让底价:6988.65万元;
(2)保证金:1000万元;
(3)一次性付款。

项目介绍
项目位于中关村环保科技示范园,名企集聚、配套完备、管理创新。

中关村环保科技示范园(以下简称"环保园")位于海淀北部新区,隶属中关村科技园区海淀园发展组团,连续三年被列为北京市重点建设项目。

环保园定位于集科研、中试、生产、商贸、技术交易、科普于一体的综合性园区;具有完整绿色环保体系的可持续发展园区;以绿洲湿地景观系统为主要特征的生态科技园区;环保产业研发、孵化、展示交易的专业园区。

入驻企业:雀巢研发中心、华为公司、龙芯、中国科学院计算技术研究所、中国人寿北京研发中心、国核电力规划院、高能环境、维德维康、九州风神等。

产业定位:能源环保产业、网络通信和文化创意产业、金融产业后台服务支持体系,环保园构成“1+3”的产业框架模式。

蒸发冷却器用于间接空冷机组辅机系统的可行性

蒸发冷却器用于间接空冷机组辅机系统的可行性

蒸发冷却器用于间接空冷机组辅机系统的可行性
苏咸伟;邓永胜;赵现彬
【期刊名称】《中国新技术新产品》
【年(卷),期】2014(000)008
【摘要】文章介绍了蒸发冷却器的原理,并以某电厂2×350MW间接空冷机组设计为例,对蒸发冷却器和机械通风湿冷塔进行了技术经济比较。

结果表明,蒸发式冷却器与机械通风湿冷塔相比,具有节水、运行费用低等诸多有点,特别适合于间接空冷机组。

【总页数】1页(P103-103)
【作者】苏咸伟;邓永胜;赵现彬
【作者单位】北京市海淀区中关村环保科技示范园国核电力规划设计研究院,北京100095;北京市海淀区中关村环保科技示范园国核电力规划设计研究院,北京100095;北京市海淀区中关村环保科技示范园国核电力规划设计研究院,北京100095
【正文语种】中文
【中图分类】TK26
【相关文献】
1.用于间接空冷机组的改进型自动伸缩式清洗系统
2.蒸发冷却器在空冷机组辅机系统的应用
3.蒸发冷却器在空冷机组辅机系统的应用
4.阳城电厂间接空冷机组辅机循环冷却水加药处理改进
5.1000MW间接空冷机组冷端优化的可行性研究与探索
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海淀温泉村最新规划

海淀温泉村最新规划

海淀温泉村最新规划今天继续和大家分享海淀北部建设发展的好消息。

作为北清路前沿科创发展走廊的重要节点,中国(北京)自由贸易试验区科技创新片区的主要空间承载,近日,温泉镇公布了“十四五”时期战略规划,规划明确了未来温泉镇将实施“四化”发展战略(即“高质高效产业化发展战略”“培优培强市场化运行战略”“宜居宜业城市化建设战略”“共治共享社会化治理战略”),打造“四宜”新温泉(即宜商的活力温泉、宜业的创新温泉、宜居的生态温泉、宜人的文化温泉)。

规划为将温泉镇打造成北京国际科技创新中心核心区北部示范镇勾勒了新的发展蓝图,明确了实施路径。

围绕启元实验室、航材院等设立重大创新平台和前沿创新中心温泉镇域内中关村环保科技示范园、中关村翠湖科技园·云中心和中关村创客小镇等高新技术产业园区云集,华为北研所、航材院、龙芯中科、中国人寿、国核电力等世界领先的龙头企业入驻,镇域产业空间已纳入自贸区科技创新片区。

海淀区高度重视中关村国家实验室建设,支持智源、微芯、量子、通研、数原、启元实验室等一批新型研发机构和京津冀国家技术创新中心发展。

根据规划,温泉镇紧紧围绕“高质高效”总要求,聚焦前沿硬科技创新,构建以科技服务业为基石,以新一代信息技术、新材料、智能制造为主导的“1+3”产业发展格局。

积极推动前沿科技成果孵化转化,加快向产业链中高端迈进、向创新链高端转型、向价值链高端延伸;围绕启元实验室、航材院、304所等国家战略项目服务保障,鼓励引导行业领军企业设立重大创新平台和前沿创新中心,着力提升区域产业发展核心竞争力,培育创新型产业集群和企业生态群落。

充分发挥“两区”建设的制度创新优势,加快落地一批有突破、有活力、有实效的重大制度创新成果和政策试点,突出高效服务,提升国际高端创新创业人才的聚集度,打造一流的营商环境。

深度布局自动驾驶、车联网、工业软件、人工智能等领域100平方公里中关村自动驾驶创新示范区坐落于温泉镇域内的中关村环保园。

临时用电方案(1)

临时用电方案(1)

临时用电施工方案1、编制依据1.1现行有效的规范、规程、地方标准及图集1.1.1《施工现场临时用电安全技术规范》(JGJ46-2005)1.1.2《等电位联接安装》(02D501-2)1.1.3《额定电压450/750V及以下聚氯乙烯绝缘电缆要求》(GB5023.1)1.1.4建设工程施工现场供用电安全规范(GB50194-93)1.1.5《建筑电气通用图集》(92DQ13-1)1.2施工现场平面布置图(见附图)2、工程概况:2.1、工程规模本工程总建筑面积60617.52㎡,共计15栋,其中地上45497.52平米,地下15120平米,建筑主体高度(檐口):18米。

2.2、施工现场布置:钢筋加工场及木工加工场B段南侧,占地面积约2000㎡;水电加工后台设在A段西侧,占地面积约400㎡;塔吊设4台。

工人生活区及办公区设在工地的西南角;3、临电施工部署3.1、本工程甲方提供的电源位于工地南大门东侧约30米处。

在电源附近设工地临时用电配电室,临时用电配电室距电源处约5米,电源电缆采用聚氯乙烯型,埋地敷设。

3.2、本工程因施工楼群多, 为了便于施工、满足需要,施工现场临时用电分5个回路供电,生活区由配电室单独供给;临时配电室内设一台电源总柜,,分别供A、B、C段、塔吊及加工场二级配电箱,共计9台,采用辐射、树干式相结合的供电方式;第一回路供:1#、2#、12#、13#、10#、11#、14#、9#楼,第二回路供:1#、2#塔吊第三回路供:15#、8#、3#、4#、5#、6#、7#楼,第四回路供:3#、4#塔吊;第五回路供木工房及钢筋加工区、电源电缆采用聚氯乙烯型,工人生活区等处各设置二、三级配电箱。

塔吊设置专用配电箱,由配电室分两个回路供给,三级配电箱电源电缆采用YJLV-22型,埋地敷设。

3.3、临时用电施工组织设计分为两部分进行。

第一部分主体结构用电,塔吊4台,钢筋加工场、木工房、工地施工及工人生活区用电。

龙芯 2K1000LA 处理器 用户手册说明书

龙芯 2K1000LA 处理器 用户手册说明书

龙芯2K1000LA处理器用户手册V1.02022年5月龙芯中科技术股份有限公司版权声明本文档版权归龙芯中科技术股份有限公司所有,并保留一切权利。

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龙芯中科技术股份有限公司Loongson Technology Corporation Limited地址:北京市海淀区中关村环保科技示范园龙芯产业园2号楼Building No.2, Loongson Industrial Park, Zhongguancun Environmental Protection Park电话(Tel):************传真(Fax):************阅读指南《龙芯2K1000LA处理器用户手册》主要介绍龙芯2K1000LA架构与寄存器描述,对芯片系统架构、主要模块的功能与配置、寄存器列表及位域进行详细说明。

版本信息手册信息反馈: *******************。

目录目录....................................................................................................................................... I 图目录 ................................................................................................................................. I X 表目录 .................................................................................................................................. X 1 概述 . (1)1.1体系结构框图 (1)1.2芯片主要功能 (2)1.2.1 处理器核 (2)1.2.2 内存接口 (2)1.2.3 PCIE接口 (3)1.2.4 GPU (3)1.2.5 显示控制器 (3)1.2.6 SATA控制器 (3)1.2.7 USB2.0 控制器 (3)1.2.8 GMAC控制器 (3)1.2.9 VPU解码器 (4)1.2.10 CAMERA控制器 (4)1.2.11 HDA控制器 (4)1.2.12 I2S控制器 (4)1.2.13 NAND控制器 (5)1.2.14 SPI控制器 (5)1.2.15 UART (5)1.2.16 I2C总线 (5)1.2.17 PWM (6)1.2.18 HPET (6)1.2.19 RTC (6)1.2.20 Watchdog (6)1.2.21 中断控制器 (6)1.2.22 CAN (6)1.2.23 ACPI功耗管理 (6)1.2.24 GPIO (7)1.2.25 加解密模块 (7)1.2.26 SDIO控制器 (7)2 引脚定义 (8)2.1约定 (8)2.2DDR3接口 (8)2.3PCIE接口 (9)2.4DVO显示接口 (9)2.5GMAC接口 (11)2.6SATA接口 (12)2.7USB接口 (12)2.8CAMERA接口 (12)2.9HDA接口 (13)2.10SPI接口 (14)2.11I2C接口 (14)2.12UART接口 (14)2.13CAN接口 (15)2.14NAND接口 (16)2.15SDIO接口 (16)2.16GPIO (16)2.17PWM (17)2.18PLL电源接口 (17)2.19电源管理接口 (17)2.20测试接口 (18)2.21JTAG接口 (18)2.22时钟信号 (18)2.23RTC相关信号 (18)2.24系统相关信号 (19)2.25外设功能复用表 (20)3 时钟结构 (21)3.1NODE PLL (21)3.2PIX PLL (21)3.3DDR PLL (22)3.4DC PLL (22)3.5内部PLL配置方法 (23)3.5.1 硬件配置 (23)3.5.2 软件配置 (23)3.6BOOT时钟 (24)3.7USB参考时钟 (24)3.8PCIE参考时钟 (24)3.9SATA参考时钟输入 (24)4 电源管理 (25)4.1电源管理模块介绍 (25)4.2电源级别 (25)4.3控制引脚说明 (25)5 芯片配置寄存器 (27)5.1通用配置寄存器0 (34)5.2通用配置寄存器1 (36)5.3通用配置寄存器2 (37)5.4APBDMA配置寄存器 (39)5.5USB PHY0/1配置寄存器 (40)5.6USB PHY2/3配置寄存器 (44)5.7SATA配置寄存器 (45)5.8NODE PLL低64位配置寄存器 (46)5.9NODE PLL高64位配置寄存器 (47)5.10DDR PLL低64位配置寄存器 (47)5.11DDR PLL高64位配置寄存器 (48)5.12DC PLL低64位配置寄存器 (48)5.13DC PLL高64位配置寄存器 (49)5.14PIX0PLL低64位配置寄存器 (49)5.15PIX0PLL高64位配置寄存器 (50)5.16PIX1PLL低64位配置寄存器 (51)5.17PIX1PLL高64位配置寄存器 (51)5.18FREQSCALE配置寄存器 (52)5.19PCIE0配置寄存器0 (52)5.20PCIE0配置寄存器1 (53)5.21PCIE0PHY配置控制寄存器 (54)5.22PCIE1配置寄存器0 (54)5.23PCIE1配置寄存器1 (55)5.24PCIE1PHY配置控制寄存器 (56)5.25DMA命令控制寄存器(DMA_ORDER) (56)5.26PCICFG2_RECFG寄存器 (57)5.27PCICFG30_RECFG寄存器 (57)5.28PCICFG31_RECFG寄存器 (58)5.29PCICFG40_RECFG寄存器 (59)5.30PCICFG41_RECFG寄存器 (59)5.31PCICFG42_RECFG寄存器 (60)5.32PCICFG5_RECFG寄存器 (60)5.33PCICFG6_RECFG寄存器 (61)5.34PCICFG7_RECFG寄存器 (61)5.35PCICFG8_RECFG寄存器 (62)5.36PCICFG F_RECFG寄存器 (63)5.37PCICFG10_RECFG寄存器 (63)5.38PCICFG11_RECFG寄存器 (64)6 地址空间分配 (65)6.1一级交叉开关 (66)6.2二级交叉开关 (66)6.3IO互连网络 (69)6.3.1 IO设备的配置空间 (70)6.3.2 APB配置头 (77)6.3.3 GMAC0/1 配置头 (78)6.3.4 USB OTG配置头 (78)6.3.5 USBEHCI配置头 (79)6.3.6 USB OHCI 配置头 (79)6.3.7 GPU配置头 (79)6.3.8 DC配置头 (80)6.3.9 HDA配置头 (80)6.3.10 SATA配置头 (81)6.3.11 PCIE配置头 (81)6.3.12 DMA配置头 (82)6.3.13 VPU配置头 (82)6.3.14 CAMERA配置头 (83)6.3.15 N/A处理 (83)6.4IODMA请求 (83)6.5APB设备路由 (86)7 处理器核间中断与通信 (88)8 温度传感器 (90)8.1实时温度采样 (90)8.2高低温中断触发 (90)8.3高温自动降频设置 (91)9 I/O中断 (93)9.1中断触发类型 (94)9.2中断分发模式 (94)9.3中断相关寄存器描述 (94)9.4GPIO中断 (99)9.5MSI中断 (99)9.6硬件中断负载均衡功能举例 (100)10 SPI控制器 (103)10.1访问地址 (103)10.2SPI控制器结构 (103)10.3配置寄存器 (103)10.3.1 控制寄存器(SPCR) (103)10.3.2 状态寄存器(SPSR) (104)10.3.3 数据寄存器(TxFIFO/RxFIFO) (104)10.3.4 外部寄存器(SPER) (104)10.3.5 参数控制寄存器(SFC_PARAM) (105)10.3.6 片选控制寄存器(SFC_SOFTCS) (105)10.3.7 时序控制寄存器(SFC_TIMING) (105)10.4接口时序 (106)10.4.1 SPI主控制器接口时序 (106)10.4.2 SPI Flash访问时序 (106)10.5软件编程指南 (107)10.5.1 SPI主控制器的读写操作 (107)10.5.2 硬件SPI Flash读 (107)10.5.3 混合访问SPI Flash和SPI主控制器 (108)11 LocalIO控制器 (109)11.1访问地址及引脚复用 (109)11.2L OCAL IO控制器功能概述 (109)12 DDR3控制器 (111)12.1访问地址 (111)12.2DDR3SDRAM控制器功能概述 (111)12.3DDR3SDRAM读操作协议 (111)12.4DDR3SDRAM写操作协议 (112)12.5DDR3控制器寄存器 (112)13 GPIO (116)13.1GPIO方向控制 (116)13.2GPIO输出设置 (116)13.3GPIO输入采样 (116)13.4GPIO中断使能 (116)13.5GPIO复用关系 (117)14 APB设备(Dev 2) (119)14.1内部设备地址路由 (119)15 UART控制器 (121)15.1概述 (121)15.2访问地址及引脚复用 (121)15.3控制器结构 (121)15.4寄存器描述 (122)15.4.1 数据寄存器(DAT) (122)15.4.2 中断使能寄存器(IER) (122)15.4.3 中断标识寄存器(IIR) (123)15.4.4 FIFO控制寄存器(FCR) (123)15.4.5 线路控制寄存器(LCR) (124)15.4.6 MODEM控制寄存器(MCR) (124)15.4.7 线路状态寄存器(LSR) (125)15.4.8 MODEM状态寄存器(MSR) (126)15.4.9 分频锁存器 (126)16 CAN (127)16.1访问地址及引脚复用 (127)16.2标准模式 (127)16.2.1 控制寄存器(CR) (128)16.2.2 命令寄存器(CMR) (129)16.2.3 状态寄存器(SR) (129)16.2.4 中断寄存器(IR) (130)16.2.5 验收代码寄存器(ACR) (130)16.2.6 验收屏蔽寄存器(AMR) (130)16.2.7 发送缓冲区列表 (131)16.2.8 接收缓冲区列表 (131)16.3扩展模式 (131)16.3.1 模式寄存器(MOD) (134)16.3.2 命令寄存器(CMR) (134)16.3.3 状态寄存器(SR) (135)16.3.4 中断寄存器(IR) (135)16.3.5 中断使能寄存器(IER) (136)16.3.6 仲裁丢失捕捉寄存器 (136)16.3.7 错误警报限制寄存器(EMLR) (137)16.3.8 RX错误计数寄存器(RXERR) (138)16.3.9 TX错误计数寄存器(TXERR) (138)16.3.10 验收滤波器 (138)16.3.11 RX信息计数寄存器(RMCR) (138)16.4公共寄存器 (138)16.4.1 总线定时寄存器0(BTR0) (138)16.4.2 总线定时寄存器1(BTR1) (139)16.4.3 输出控制寄存器(OCR) (139)17 I2C控制器 (140)17.1概述 (140)17.2访问地址及引脚复用 (140)17.3I2C控制器结构 (140)17.4I2C控制器寄存器说明 (141)17.4.1 分频锁存器低字节寄存器(PRERlo) (141)17.4.2 分频锁存器高字节寄存器(PRERhi) (141)17.4.3 控制寄存器(CTR) (141)17.4.4 发送数据寄存器(TXR) (142)17.4.5 接受数据寄存器(RXR) (142)17.4.6 命令控制寄存器(CR) (142)17.4.7 状态寄存器(SR) (143)18 PWM控制器 (144)18.1概述 (144)18.2访问地址及引脚复用 (144)18.3寄存器描述 (144)18.4功能说明 (145)18.4.1 脉宽调制功能 (145)18.4.2 脉冲测量功能 (145)18.4.3 防死区功能 (146)19 HPET控制器 (147)19.1概述 (147)19.2访问地址 (147)19.3寄存器描述 (147)20 NAND控制器 (151)20.1NAND控制器结构描述 (151)20.2访问地址及引脚复用 (151)20.3NAND寄存器配置描述 (151)20.3.1 命令寄存器NAND_CMD (偏移地址0x00) (151)20.3.2 页内偏移地址寄存器ADDR_C (偏移地址0x04) (152)20.3.3 页地址寄存器ADDR_R (偏移地址0x08) (152)20.3.4 时序寄存器NAND_TIMING (偏移地址0x0C) (152)20.3.5 ID寄存器ID_L (偏移地址0x10) (153)20.3.6 ID和状态寄存器STATUS & ID_H (偏移地址0x14) (153)20.3.7 参数配置寄存器NAND_PARAMETER (偏移地址0x18) (153)20.3.8 操作数量寄存器NAND_OP_NUM (偏移地址0x1C) (153)20.3.9 映射寄存器CS_RDY_MAP (偏移地址0x20) (154)20.3.10 DMA读写数据寄存器DMA_ADDRESS (偏移地址0x40) (154)20.4NAND ADDR说明 (154)20.5NAND-FLASH读写操作举例 (157)20.6NAND ECC说明 (157)20.7支持NAND型号 (159)21 电源管理模块 (160)21.1概述 (160)21.2访问地址 (160)21.3寄存器描述 (160)22 RTC (170)22.1概述 (170)22.2访问地址 (170)22.3寄存器描述 (170)22.3.1 寄存器地址列表 (170)22.3.2 SYS_TOYWRITE0 (171)22.3.3 SYS_TOYWRITE1 (171)22.3.4 SYS_TOYREAD0 (171)22.3.5 SYS_TOYREAD1 (171)22.3.6 SYS_TOYMATCH0/1/2 (172)22.3.7 SYS_RTCCTRL (172)22.3.8 SYS_RTCWRITE (173)22.3.9 SYS_RTCREAD (173)22.3.10 SYS_RTCMA TCH0/1/2 (173)23 加解密 (174)23.1DES (174)23.1.1 DES功能概述 (174)23.1.2 DES访问地址: (174)23.1.3 DES寄存器描述 (174)23.2AES (175)23.2.1 AES功能概述 (175)23.2.2 AES访问地址: (176)23.2.3 AES寄存器描述 (176)23.3RSA (178)23.3.1 RSA访问地址: (178)23.4RNG (178)23.4.1 RNG访问地址: (178)24 SDIO控制器 (179)24.1功能概述 (179)24.2访问地址及引脚复用 (179)24.3SDIO协议概述 (179)24.4寄存器描述 (180)24.5软件编程指南 (186)24.5.1 SD Memory卡软件编程说明 (186)24.5.2 SDIO卡软件编程说明 (188)24.6支持SDIO型号 (189)25 I2S控制器 (190)25.1概述 (190)25.2访问地址及引脚复用 (190)25.3接口协议 (190)25.4专用寄存器 (191)25.5配置操作 (192)26 GMAC控制器(Dev 3) (194)26.1访问地址及引脚复用 (194)27 OTG控制器(Dev 4, Fun 0) (195)27.1概述 (195)27.2访问地址 (195)28 USB控制器(Dev 4, Fun 1/2) (196)28.1总体概述 (196)28.2访问地址 (196)29 图形处理器(Dev 5) (198)29.1访问地址 (198)30 显示控制器(Dev 6) (199)30.1概述 (199)30.2访问地址及引脚复用 (199)31 HDA控制器(Dev 7) (200)31.1功能概述 (200)31.2访问地址 (200)32 SATA控制器(Dev 8) (201)32.1SATA总体描述 (201)32.2访问地址 (201)32.3SATA控制器内部寄存器描述 (201)33 PCIE控制器(Dev 9/A/B/C/D/E) (203)33.1总体结构 (203)33.2访问地址 (203)33.3地址空间划分 (204)33.4软件编程指南 (205)33.4.1 PCIE控制器使能 (205)33.4.2 PCIE配置头访问 (205)33.4.3 PCIE链路建立(Linkup) (205)33.4.4 TYPE1类型配置访问 (206)33.4.5 PCIE PHY配置方法 (206)33.5常用例程 (206)34 DMA控制器(Dev F) (209)34.1DMA控制器结构描述 (209)34.2访问地址 (209)34.3DMA控制器与APB设备的交互 (210)34.4DMA描述符 (210)34.4.1 DMA_ORDER_ADDR_LOW (210)34.4.2 DMA_SADDR (210)34.4.3 DMA_DADDR (211)34.4.4 DMA_LENGTH (211)34.4.5 DMA_STEP_LENGTH (211)34.4.6 DMA_STEP_TIMES (212)34.4.7 DMA_CMD (212)34.4.8 DMA_ORDER_ADDR_HIGH (213)34.4.9 DMA_SADDR_HIGH (213)35 VPU控制器(Dev 16) (214)35.1访问地址 (214)36 CAMERA接口控制器(Dev 17) (215)36.1功能概述 (215)36.2访问地址 (215)图1-1 龙芯2K1000结构图 (2)图3-1 NODE PLL结构图 (21)图3-2 PIX PLL结构图 (22)图3-3 DDR PLL结构图 (22)图3-4 DC PLL结构图 (23)图3-5 BOOT时钟结构图 (24)图6-1 二级交叉开关地址路由示意图 (66)图6-2 IO互连结构图 (70)图6-3 64位配置访问地址格式 (70)图6-4 32位配置访问地址格式 (71)图9-1 龙芯2K1000处理器中断路由示意图 (93)图10-1 SPI主控制器接口时序 (106)图10-2 SPI Flash标准读时序 (106)图10-3 SPI Flash快速读时序 (106)图10-4 SPI Flash双向I/O读时序 (107)图11-1 LocalIO读时序 (109)图11-2 LocalIO写时序 (110)图12-1 DDR3 SDRAM读操作协议 (112)图12-2 DDR3 SDRAM写操作协议 (112)图15-1 UART控制器结构 (122)图17-1 I2C主控制器结构 (141)图18-1 防死区功能 (146)图24-1 SD卡多块写操作示意图 (180)图24-2 SD卡多块读操作示意图 (180)图24-3 SD Memory卡初始化流程示意图 (187)图25-1 I2S传输协议 (191)图28-1 USB主机控制器模块图 (196)图33-1 PCIE控制器结构 (203)表2-1 信号类型代码 (8)表2-2 DDR3SDRAM控制器接口信号 (8)表2-3 PCIE总线信号 (9)表2-4 DVO接口信号 (9)表2-5 DVO接口RGB对应关系 (10)表2-6 DVO0与LIO复用关系 (10)表2-7 DVO0与UART复用关系 (10)表2-8 GMAC接口信号 (11)表2-9 GMAC1与GPIO复用关系 (11)表2-10 SATA接口信号 (12)表2-11 SATA与GPIO复用关系 (12)表2-12 USB接口信号 (12)表2-13 CAMERA接口信号 (12)表2-14 CAMERA与DVO1复用关系 (13)表2-15 HDA接口信号 (13)表2-16 HDA与I2S复用关系 (13)表2-17 HDA与GPIO复用关系 (13)表2-18 SPI接口信号 (14)表2-19 I2C接口信号 (14)表2-20 I2C与GPIO复用关系 (14)表2-21 UART接口信号 (14)表2-22 UART接口复用关系 (15)表2-23 CAN接口信号 (15)表2-24 CAN与GPIO复用关系 (15)表2-25 NAND接口信号 (16)表2-26 NAND与GPIO复用关系 (16)表2-27 SDIO接口信号 (16)表2-28 SDIO与GPIO复用关系 (16)表2-29 GPIO信号 (17)表2-30 PWM信号 (17)表2-31 PWM与GPIO复用关系 (17)表2-32 PLL电源接口 (17)表2-33 电源管理接口 (17)表2-34 测试接口 (18)表2-35 JTAG接口 (18)表2-36 时钟信号 (18)表2-37 时钟信号 (18)表2-38 系统相关信号 (19)表2-39 外设功能复用表 (20)表3-1 PLL硬件配置 (23)表4-1 ACPI状态说明 (25)表4-2 控制引脚说明 (25)表5-1 芯片配置寄存器列表 (27)表5-2 通用配置寄存器0 (34)表5-3 通用配置寄存器1 (36)表5-4 通用配置寄存器2 (37)表5-5 APBDMA配置寄存器 (39)表5-6 USB 0/1 PHY配置寄存器 (40)表5-7 USB 2/3 PHY配置寄存器 (44)表5-8 SATA配置寄存器 (45)表5-9 NODE PLL低64位配置寄存器 (46)表5-10 NODE PLL高64位配置寄存器 (47)表5-11 DDR PLL低64位配置寄存器 (47)表5-12 DDR PLL高64位配置寄存器 (48)表5-13 DC PLL低64位配置寄存器 (48)表5-14 DC PLL高64位配置寄存器 (49)表5-15 PIX0 PLL低64位配置寄存器 (49)表5-16 PIX0 PLL高64位配置寄存器 (50)表5-17 PIX1 PLL低64位配置寄存器 (51)表5-18 PIX1 PLL高64位配置寄存器 (51)表5-19 FRESCALE配置寄存器 (52)表5-20 PCIE0配置寄存器0 (52)表5-21 PCIE0配置寄存器1 (53)表5-22 PCIE0 PHY配置寄存器 (54)表5-23 PCIE1配置寄存器0 (54)表5-24 PCIE1配置寄存器1 (55)表5-25 PCIE1 PHY配置寄存器 (56)表5-26 DMA命令控制寄存器 (56)表5-27 PCICFG2_RECFG配置寄存器 (57)表5-28 PCICFG30_RECFG配置寄存器 (57)表5-29 PCICFG31_RECFG配置寄存器 (58)表5-30 PCICFG40_RECFG配置寄存器 (59)表5-31 PCICFG41_RECFG配置寄存器 (59)表5-32 PCICFG42_RECFG配置寄存器 (60)表5-33 PCICFG5_RECFG配置寄存器 (60)表5-34 PCICFG6_RECFG配置寄存器 (61)表5-35 PCICFG7_RECFG配置寄存器 (61)表5-36 PCICFG8_RECFG配置寄存器 (62)表5-37 PCICFGf_RECFG配置寄存器 (63)表5-38 PCICFG10_RECFG配置寄存器 (63)表5-39 PCICFG11_RECFG配置寄存器 (64)表6-1 芯片地址空间划分 (65)表6-2 一级交叉开关路由规则 (66)表6-3 二级交叉开关处标号与所述模块的对应关系 (67)表6-4 MMAP字段对应的该空间访问属性 (67)表6-5 二级交叉开关地址窗口转换寄存器表 (67)表6-6 各个设备的配置头访问对应关系 (71)表6-7 Type0类型配置头 (72)表6-8 Type0的配置头寄存器 (72)表6-9 Type1类型配置头 (74)表6-10 Type1的配置头寄存器 (75)表6-11 APB总线控制器的配置头缺省值 (77)表6-12 GMAC0控制器的配置头缺省值 (78)表6-13 USB-OTG控制器的配置头缺省值 (78)表6-14 USB-EHCI控制器的配置头缺省值 (79)表6-15 USB-OHCI控制器的配置头缺省值 (79)表6-16 GPU控制器的配置头缺省值 (80)表6-17 DC控制器的配置头缺省值 (80)表6-18 HDA控制器的配置头缺省值 (80)表6-19 SATA控制器的配置头缺省值 (81)表6-20 PCIE0 Port0的配置头缺省值 (81)表6-21 DMA控制器的配置头缺省值 (82)表6-22 VPU解码器的配置头缺省值 (82)表6-23 CAMERA控制器的配置头缺省值 (83)表6-24 MMAP字段对应的该空间访问属性 (84)表6-25 IO设备DMA访存地址转换寄存器表 (84)表6-26 APB设备地址译码 (86)表7-1 处理器核间中断相关的寄存器及其功能描述 (88)表7-2 0号处理器核核间中断与通信寄存器列表 (88)表7-3 1号处理器核的核间中断与通信寄存器列表 (88)表8-1 温度采样寄存器说明 (90)表8-2 高低温中断寄存器说明 (91)表8-3 高温降频控制寄存器说明 (92)表9-1 中断控制寄存器属性 (94)表9-2 中断控制寄存器地址 (96)表9-3 中断路由寄存器的说明 (97)表9-4 中断路由寄存器地址 (97)表9-5 GPIO中断 (99)表9-6 MSI中断相关寄存器 (100)表10-1 SPI控制器地址空间分配 (103)表10-2 SPI配置寄存器列表 (103)表10-3 SPI控制寄存器(SPCR) (103)表10-4 SPI状态寄存器(SPSR) (104)表10-5 SPI数据寄存器(TxFIFO/RXFIFO) (104)表10-6 SPI外部寄存器(SPER) (104)表10-7 SPI分频系数 (104)表10-8 SPI参数控制寄存器(SFC_PARAM) (105)表10-9 SPI片选控制寄存器(SFC_SOFTCS) (105)表10-10 SPI时序控制寄存器(SFC_TIMING) (105)表11-1 LocalIO地址空间分配 (109)表12-1 内存控制器地址空间分配 (111)表12-2 DDR3控制器配置寄存器 (112)表13-1 GPIO配置寄存器 (116)表13-2 GPIO方向控制 (116)表13-3 GPIO输出设置 (116)表13-4 GPIO输入采样 (116)表13-5 GPIO中断使能 (116)表13-6 GPIO复用关系 (117)表14-1 APB配置访问信息 (119)表14-2 APB设备地址译码 (119)表15-1 UART控制器物理地址构成 (121)表15-2 UART数据寄存器 (122)表15-3 UART中断使能寄存器 (123)表15-4 UART中断标识寄存器 (123)表15-5 UART中断控制功能表 (123)表15-6 UART的FIFO控制寄存器 (124)表15-7 UART线路控制寄存器 (124)表15-8 UART的MODEM控制寄存器 (125)表15-9 UART线路状态寄存器 (125)表15-10 UART的MODEM状态寄存器 (126)表15-11 UART分频锁存器1 (126)表15-12 UART 分频锁存器2 (126)表16-1 CAN内部寄存器物理地址构成 (127)表18-1 PWM寄存器列表 (144)表18-2 PWM控制寄存器设置 (144)表25-1 寄存器定义 (191)表25-2 标识寄存器 (191)表25-3 配置寄存器 (191)表25-4 控制寄存器 (192)表34-1 DMA ORDER寄存器 (209)1概述龙芯2K1000LA处理器(简称龙芯2K1000)主要面向于网络应用,兼顾平板应用及工控领域应用。

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设计资格预审文件范本

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项目(招标)编号中关村环保科技示范园项目J07科技厂房设计招标资格预审文件招标人:北京实创环保发展有限公司(盖章)招标代理机构:北京东方华太工程咨询有限公司(盖章)日期:___________ 年________ 月_______ 日第一章投标申请人须知..19第二章投标申请文件格式25第三章资格预审必要性及附加性资格标准33第四章资格审查合格通知书..36第一章投标申请人须知1、项目说明1.1本项目的基本情况:J07科技厂房集建筑总用地面积2.03公顷,容积率1.2,地上四层,建筑总高18米,绿化率43%地上为面积24390平米,地下室部为面积8350.8平米。

1.2 北京实创环保发展有限公司(以下简称“招标人”)的中关村环保科技示范园项目J07科技厂房设计工程项目,已由(计划批准部门)、(规划批准部门)批准建设,批准文号为__________ 、_________ o现用于支付本项目投标方案补偿费和设计费的资金已经落实。

1.3 招标人:____________ (全称)(盖章)_________地址: __________________________________________邮政编码:_______________________________________联系人:_________________________________________联系电话:_______________________________________传真:__________________________________________E—mail: __________________________________1.4 招标代理机构:_________ (全称)(盖章)_____地址: __________________________________________邮政编码:_______________________________________联系人:_________________________________________联系电话:_______________________________________传真:__________________________________________E—mail: ____________________________________1.5招标人将对本项目的投标申请人进行资格预审,只有通过资格预审的投标申请人才能参加投标。

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科技项目建议书怎么写[推荐五篇]第一篇:科技项目建议书怎么写附件1:科研项目建议书范本科研项目建议书项目名称:承担单位:单位地址:邮编:项目负责人:电话:职务职称:填报日期:年月日科研项目建议书编写提纲一、立项依据1、简述本项目国内外发展现状,存在的主要问题及近期发展趋势,并将本项目与国内外同类技术或产品进行对比说明;2、项目研究的目的、意义,申请立项的必要性;3、本项目研究现有起点科技水平及已存在的知识产权情况;二、项目实施主要内容、技术关键与创新点、预期目标1、详细说明本项目实施的主要技术内容,解决的关键技术,描述项目的技术方法、工艺路线;2、重点说明本项目的创新点,包括技术创新、产品结构创新、生产工艺创新、产品性能及使用效果的创新等;3、说明项目的技术来源,合作单位情况;4、说明项目实施各阶段及项目完成后预期取得的主要技术成果(包括新技术、新工艺、新产品等)技术水平及相应技术指标等。

三、应用或产业化前景与市场需求主要说明本项目技术或产品市场需求。

四、现有研究条件和工作基础1、项目研究基础;2、项目负责人以往承担相近科研项目及完成情况,取得的自主知识产权成果及产业化的效果;3、项目实施具备的人才队伍条件;4、项目实施具备的仪器设备等研究试验条件;5、项目承担单位的配套投入能力及其科技服务管理能力。

五、进度安排与计划内容分月份列出项目实施进度安排、主要工作内容和主要目标。

六、项目研究预期成果发表论文、获奖及获专利预期七、承担项目单位及分工1、承担单位及分工;2、协作单位及分工。

七、经费预算表1 研项目经费预算表注:原则上,劳务费+人工费≤总费用的30%;专家咨询费≤总费用的8%;管理费用≤总费用的5%,其他费用≤总费用的5%。

八、主要研究人员简况项目组主要研究人员的基本情况,重点介绍项目负责人情况。

同时应列出项目负责人及研发团队成员姓名、性别、年龄、职务职称、从事专业、工作单位及在本项目中承担的主要工作简表。

KC

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“ ” 的 新 处 理 技 术 通 过 有关 部 门 宝
组 织 的 中试 鉴 定 。
制 成 环 保 型板 材 。计 算 表 明 , 仅 每
处 理 一 吨 白色 生 活 垃圾 就 可 创 造 纯 利 10 2 0元 ,北 京 市 日产 上 万 吨 以 上 生 活 垃 圾 可 获利 润 1 0万 元 。 2

该 技 术 不 仅 有 效 地 处 理 和 利 用 了城 市 垃 圾 ,解 决 了长 期 困扰 城 市
发 展 、影 响居 民生 活 环 境 的难 题 ,
而 且 将 会 改 变 以往 靠 政 府 投 资 、环 卫 部 门管 理 的垃 圾 经 营 模 式 ,使 垃
圾处 理 走 向市 场 化 。 ( X w. H)
维普资讯

麓 源 与 环 保
NENG YUAN U HUAN Y BA0
信 诺 牌 喷 雾 推 进
通 风冷 却塔
中关村建 国 内最大 的环保科 技 园
北 京 中 关 村 环 保 科 技 示 范 园 在 生 活休 闲区 八 大 功 能 区 。
业 进 入 一 个快 速 发 展 阶 段 。
( 欣 华)
循 环 水 系 统 中 存 在 的 水 流 压 力 为
驱 动 力 , 而节 省 了 电动 风 机 所 消 从 耗 的大量电能 : 降温 效 果 好 —— 塔 内 热 水 在 雾 状 条 件 下 与 进 风 交 换 热量 , 由于 塔 内 风 阻 很 小 , 上合 加
可 随时 迁 移 ,且 低 压 供 电 ,对 人 体
无 害 ,是 理 想 的节 能 环 保 的绿 色 能
理 的风 筒 与 风 叶 , 气 水 比提 高 , 使
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园区现状
园区建成后,将形成"一个 园中园、两个基地、两个中心、 三个服务区"共8大功能区(一 个园中园即仪器仪表园、两个 基地指研发基地和中试孵化产 业基地、两个中心指科普教育 中心和展示交易中心、三个服 务区分别是综合管理服务区、 生活休闲区和商务区)。 目前,园区主要市政基础设 施建设基本完成,累计修建道 路约10公里,相关市政管线累 计41公里,路网框架已经形成。 环保园主题绿化广场、下沉式 广场、湖区一期水面及湖景工 程已经竣工,园区绿化已达18 万平方米。
中心正在积极开展科技项目研发,进行技 术储备,开拓技术研发与服务市场,目标 是用2-3年时间完成煤层气选区与评价技 术、煤层气资源储量评价技术、煤层气生 产井欠平衡钻井技术、多分支水平井钻井 技术、煤矿井下定向长钻孔抽采技术、水 力压裂工艺技术、氮气泡沫压裂增产改造 技术、压裂裂缝监测与压后评估技术、煤 层气储层数值模拟技术、煤层气生产井自 动测控技术等研发,形成2-3项具有自主 知识产权的核心技术;用5-10年时间, 建成具有国内领先水平、国际较大影响力 的煤层气研发和技术服务机构。
配套服务
• 配套服务:环保园L03地块将建设成为4500平米的公共交通首末站, 并在园区内各个交通要道设站点。现有642和330路公交车均通往市区 主要路段。环保园周边有教育机构:多所知名中小学、高等院校,形 成完善的教育体系。 • 公寓酒店:环保园将建设适当规模的公寓和酒店,为企业员工和商务 活动提供空间。环保园服务中心还将协调稻香湖景酒店等周边资源为 园区商务往来提供优质服务。 • 超市、餐饮、休闲娱乐:环保园的配套服务充分体现人性化,在综合 管理服务区建设超万米的商业服务中心,设置大型超市,提供办公和 日常生活消费,配置大型酒楼、特色菜馆以及咖啡馆。 • 医疗机构:周边各大医院,位于温泉镇的北京老年医院和生命科学园 的北大国际医院,都可为环保园区提供优质、快捷、方便的医疗服务 支持
中关村环保科技示范园
目录
区位及介绍 设计规划 配套服务 园区现状 产业现状
区位及介绍
• 位于海淀北部新区,隶属中关村科 技园区海淀区发展组团。环保园北 至北清路、南至京密引水渠,东至 春阳路、西至温阳路,东西长约 2.14公里、南北宽约2.09公里, 总用地面359.77公顷,规划建设 面积175万平方米。园区计划建设 周期7年(2003年-2010年),预 计建成后将有300家企业入驻,可 形成年产值400亿元左右,年实现 税收15亿,解决就业人口3万左右
入驻产业
• 北京中科海讯科技有限公司 北京中科海讯科技有限公司是注册于北京中关村科技 园区的高科技企业,致力于数字信号处理技 术的发展 与应用。主要提供适用于雷达、声纳、数字通信、软件无线电等领域的DSP(数字信号处 理器)系统解决方案及支撑平台。 其自主开发和研制的第一代通用信号处理平台已广泛应用于声纳 和雷达系统,取得了较好的经济效益和社会效益。公司将散布于北京多处的研发、生产、销售等全 部整合进环保园,一期项目面积6000平米。 公司作为以科技创新为导向的高科技企业,长远发 展规划分为两个阶段: ① 发展目标主要集中在规模扩张,依托信号处理 平台方面的原有优势,力求在多领域多平台拓 展客户群体,应用领域,加强品牌建设; ② 寻求合适的商用产品切入,丰富产品构成,提 升公司营业收入 我们将持续专注于数字信号处理(DSP)领域,充 分发挥产学研一体的优势,通过大力发展通用 化、模块化、一体化的信号处理平台,力争在5 年内成为DSP领域最具影响力的行业领导者之一 ,为客户、股东和员工持续创造价值
园区现状
建成后的环保示范园将实现“无公害零排放”,在绿色植被的基础上, 将应用资源循环、高新环保技术,使园区内产生的所有污染物都将在园内消 化,即甲企业的排放物继续作为乙企业的原料,乙企业的排放物再提供给丙 企业使用,最后的废物由特殊的环保企业进行无害化处理。“零排放”概念 是北京市正在推广的一种新的工业区环保生产模式,以达到既提高经济效益 又不损害环境的目的。 市政基础设施方面,环保园市政基础设施一期基本完成,主要道路框 架已经形成,累计修建道路约10公里,相关市政管线铺设约41公里;工程建 设方面,L05标准厂房外装完工,J03等地块15万平米标准厂房施工前准备工 作开始;景观建设方面,园区绿化已达18万平米,《绿染春园》主题雕塑、 风车、喷泉等景观落成,景观斜轴的绿化广场、下沉式广场、湖区一期水面 及湖景工程已完成。
入驻产业
北京高能时代环境技术股份
北京高能时代环境技术股份有限公司是专业从事环境技术研究和提供污染防治系统解决方案的高新技 术企业。公司1992年成立,前身为中科院高能物理研究所垫衬工程处,目前公司已形成了以工业环 境、城市环境和环境修复为主的三大经营体系,这三大体系专注于固体废物、废液等污染防治技术 及污染土壤、工业场地、矿山、水体等环境修复技术研发、环境工程技术服务、环保设施投资运营 等。
设计规划
规划设计和建设上,坚持“定位高端、环境先行、生态和谐、天人 合一”的开发理念,定位为具体可持续发展功能的综合性生态园区。 • 园区定位: 环保园定位于集科研、中试、生产、商贸、技术交易、科普于一体 的综合性园区;具有完整绿色环保体系的可持续发展园区;以绿洲湿 地景观系统为主要特征的生态科技园区;环保产业研发、孵化、展示 交易的专业园区。 • 园区规划: 为实现预期目标,发挥环保示范作用,环保园在规划设计和建设上, 坚持"定位高端、环境先行、生态和谐、天人合一"的开发理念。秉承 这一理念,我公司在环保园的开发中采用了雨洪利用、中水回用等资 源循环利用技术和风能发电、太阳能发电等能源利用示范工程,各项 开发建设相继取得阶段性成果。
入驻产业
北京安控科技股份有限公司
从事工业级RTU产品研发、生产、销售、售后和系统集成业务的高新技术企业。基于RTU技术在油气 、环境在线监测行业开发出多款专业化经典产品,产品广泛应用于石油天然气的开采、处理、管输 、储配等各个环节以及环境在线监测、城市燃气、供水供热等管网监控领域,安控科技的油气行业 产品先后在国内第一个百万吨级沙漠整装自动化油田-彩南油田成功替代进口产品应用;承担国内 第一个国产化沙漠整装自动化油气田-莫北油气田自动化控制系统建设项目;安控科技结合自身RTU 优势和环保行业特点自主研发的全线水质、烟气环保在线监测产品包括E680X系列数据采集传输仪、 E681X系列总有机碳(TOC)在线自动监测仪、E682X系列化学需氧量(CODCr)在线自动监测仪、 E683X系列等比例自动采样仪、E684X系列氨氮(NH3-N)在线自动检测仪、E6900烟气在线自动监测 系统和ECHO污染源自动监控平台等,已在全国二十多个省市得到规模应用。 产品应用 数字化油气田 数字化油井: 单井井. 环境在线监测 水质在线监测系统 城市燃气 燃气SCADA系统.水利水务 供水SCADA系统. 煤层气 煤层气解决方案
《环保园绿法》
• 中关村环保科技示范园是中国第一个全面实行生态环保规划建设的科技示范 区,园区的规划、设计、开发建设、企业、管理将全面贯彻绿色原则,并将 众多的生态环保企业及环保相关企业的孵化基地和总部基地聚集在一起。在 这里不仅展示中关村科技园区多年来的建设成就,还将昭示海淀新区的建设 方向。 在这里,不仅是绿色建设的辉煌成果,还将对科技园区的生态环保经验 进行探索和普及。世人在这里可以看到环保科技示范园建设者的责任感,可 以体会到环保园承载的使命。 环保科技示范园的绿色建设必将得到世人的认可,世人也必将因为环保 科技示范园的存在而确认我们推进绿色建设的决心和勇气。环保科技示范园 从而进入世界先进科技园行列。 目标:环保方园,绿法天下!

国核电力规划设计研究院环保园工程2号研发生产楼 (管理楼)
北京中关村环保科技示范园J-03科技厂房
煤层气开发利用国家工程研究中心
煤层气开发利用国家工程研究中心依托:由中国石油天然气股份有限公司、中国石油化工股份有限公司、 中国地质大学(北京)三家股东单位共同出资组建,并依托中国石油天然气股份有限公司;在国家工商 总局注册名称为“中联煤层气国家工程研究中心有限责任公司”;实行独立核算、自主经营、自负盈亏。



产业现状
• • • 环保园产业用地总面积95公顷,控高18米,容积率1.2。秉承"建精品园区, 聚高端企业"的理念,为企业研发生产提供首选基地。 总发展商:北京实创环保发展有限公司 第一批入驻企业:中国家用电器研究院、北京市环保局、伟嘉集团、 润泽东方、华夏科创 目前已有:国电清新环保、华夏科创、润泽东方、中国牧工商总公司研究院、 光大环保科技发展公司、煤层气国家工程研究中心及国家环保总局下属安全 管理中心等,总面积1000亩,占环保园总工业用地60%。
入驻产业
• 华为技术 "华为"是全球领先的下一代电信网络解决方案供应商,公司 致力于向客户提供创新的满足其需求的产品、服务和解决方 案在全球建立8个地区部、85个代表处及技术服务中心。 各 类产品进入英国、法国、德国、西班牙、美国、日本、俄罗 斯、泰国等100多个国家和地区。 流程重整 华为以市场管理、集成产品开发(IPD)、集成供应链 (ISC)和客户关系管理(CRM)为主干流程,辅以财务、人 力资源(HAY)等变革项目,全面展开公司业务流程变革,引 入业界实用的最佳实践,并建设了支撑这种运作的完整IT架 构。 生产工艺 华为聘请德国FhG帮助进行生产工艺体系的设计(包括 立体仓库、自动仓库和整个生产线的布局),从而减少了物 料移动,缩短了生产周期,提高了生产效率和生产质量。 供应链 华为持续建设柔性的供应链能力,赢得快速、高质量、 低成本供货保障的比较竞争优势。华为建设了扁平化的制造 组织,高效率、柔性地保障市场要货需求并认真推行集成供 应链(ISC)变革,保证新流程和系统的落实。华为实施了质 量工程技术,供应链能力和客户服务水平得到持续改善,发 展与主要供应商的合作伙伴关系,加强采购绩效管理和推行 基于业界最佳实践TQRDCE的供应商认证流程。
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