场效应管AON6411参数大全
2N6453中文资料(InterFET)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」

25
25 pF VDS= 10V, ID =15毫安
pF VDS= 10V, ID =5毫安
5
5 pF VDS= 10V, ID =15毫安
5
10 nV/√Hz VDS= 10V, ID =5毫安
3
8 内华达州/√VHDzS的= 10V, ID =5毫安
1.5
2.5 dB VDS= 10V, ID =5毫安
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B-26
01/99
2N6453, 2N6454
N沟道硅结场效应晶体管
¥音频放大器 ¥低噪声,高增益
放大器
¥低噪声前置放大器
在 T绝 对 最 大 额 定 值
反向栅源电压 反向门漏极电压 连续正向栅电流 连续器件功耗 功率降额
A = 25¡C
2N6453 2N6454
| Yfs | | Yos | Ciss Crss e¯N NF
mS VDS= 10V, ID =5毫安
20 40 20 40 mS VDS= 10V, ID =15毫安
µS VDS= 10V, ID =5毫安
100
100 µS VDS= 10V, ID =15毫安
pF VDS= 10V, ID =5毫安
输入电容
Common valent Short Circuit Input Noise Voltage
噪声系数
2N6453 2N6454
Min Max Min Max Unit
V(BR)GSS– 20
– 25
V
– 0.1
nA
– 0.5 nA
IGSS
– 0.2
– 20 V – 25 V
– 20 V – 25 V 10毫安 10毫安 360毫瓦 360毫瓦 2.88毫瓦/°ç2.88毫瓦/°C的
40n60场效应管参数

40n60场效应管参数(实用版)目录1.40n60 场效应管的基本概念2.40n60 场效应管的主要参数3.40n60 场效应管参数的测量方法4.40n60 场效应管的应用领域正文一、40n60 场效应管的基本概念40n60 场效应管是一种双极型场效应管,其中的数字“40”和“60”分别代表了该场效应管的尺寸参数,即宽度与长度。
40n60 场效应管属于N 沟道型场效应管,通常用于放大和开关电信号。
它具有高输入电阻、低噪声和低功耗等特点,在电路设计中有着广泛的应用。
二、40n60 场效应管的主要参数1.漏极电流(ID):指在特定的电压下,从漏极流向源极的电流。
2.源极电流(IS):指在特定的电压下,从源极流向漏极的电流。
3.栅极电流(IG):指在特定的电压下,从栅极流入或流出的电流。
4.跨导(Gm):表示栅极电流变化引起的漏极电流变化的比例,用来衡量场效应管的放大能力。
5.输出电阻(RO):指在源极开路时,从漏极到源极的电阻。
6.输入电阻(Ri):指在栅极开路时,从源极到漏极的电阻。
三、40n60 场效应管参数的测量方法1.使用万用表进行测量:将万用表调整至场效应管测量档位,根据显示屏上的数据读取漏极电流、源极电流和栅极电流等参数。
2.使用示波器进行测量:将示波器连接到场效应管的各个端口,通过观察波形和测量幅度,获取场效应管的跨导、输出电阻和输入电阻等参数。
四、40n60 场效应管的应用领域1.电子放大器:40n60 场效应管在电子放大器中具有广泛应用,可以实现对信号的放大和传输。
2.模拟开关:40n60 场效应管的高输入电阻和低噪声特性使其成为模拟开关的理想选择。
3.电源开关:在电源开关应用中,40n60 场效应管可以实现高效、低功耗的信号控制。
4.传感器信号处理:在传感器信号处理领域,40n60 场效应管可以用于信号放大和滤波等功能。
总之,40n60 场效应管作为一种常用的半导体器件,具有优越的性能和广泛的应用领域。
(整理)常用场效应管及晶体管参数 (2)

常用场效应管及晶体管参数2009-09-09 21:05常用场效应管及晶体管参数(1) 晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU020 50V 15A 42W * * NMOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NMOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NMOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PMOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PMOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NMOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NMOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NMOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NMOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NMOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NMOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NMOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NMOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NMOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NMOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NMOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NMOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NMOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NMOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NMOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NMOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NMOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NMOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NMOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PMOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PMOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PMOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PMOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PMOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NMOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NMOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NMOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NMOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NMOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NMOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NMOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NMOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NMOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NMOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NMOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NMOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NMOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NMOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NMOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NMOS场效应常用场效应管及晶体管参数(2)晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC4582 600V 15A 75W * * NPN2SC4517 550V 3A 30W * * NPN2SC4429 1100V 8A 60W * * NPN2SC4297 500V 12A 75W * * NPN2SC4288 1400V 12A 200W * * NPN2SC4242 450V 7A 40W * * NPN2SC4231 800V 2A 30W * * NPN2SC4119 1500V 15A 250W * * NPN2SC4111 1500V 10A 250W * * NPN2SC4106 500V 7A 50W * 20MHZ NPN2SC4059 600V 15A 130W * * NPN2SC4038 50V 0.1A 0.3W * 180MHZ NPN2SC4024 100V 10A 35W * * NPN2SC3998 1500V 25A 250W * * NPN2SC3997 1500V 15A 250W * * NPN2SC3987 50V 3A 20W 1000 * NPN(达林顿)2SC3953 120V 0.2A 1.3W * 400MHZ NPN2SC3907 180V 12A 130W * 30MHZ NPN2SC3893 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3886 1400V 8A 50W * 8MHZ NPN2SC3873 500V 12A 75W * 30MHZ NPN2SC3866 900V 3A 40W * * NPN2SC3858 200V 17A 200W * 20MHZ NPN2SC3807 30V 2A 1.2W * 260MHZ NPN2SC3783 900V 5A 100W * * NPN2SC3720 1200V 10A 200W * * NPN2SC3680 900V 7A 120W * * NPN2SC3679 900V 5A 100W * * NPN2SC3595 30V 0.5A 1.2W 90 * NPN2SC3527 500V 15A 100W 13 * NPN2SC3505 900V 6A 80W 12 * NPN2SC3460 1100V 6A 100W 12 * NPN2SC3457 1100V 3A 50W 12 * NPN2SC3358 20V 0.15A * * 7000MHZ NPN2SC3355 20V 0.15A * * 6500MHZ NPN2SC3320 500V 15A 80W * * NPN2SC3310 500V 5A 40W 20 * NPN2SC3300 100V 15A 100W * * NPN2SC1855 20V 0.02A 0.25W * 550MHZ NPN2SC1507 300V 0.2A 15W * * NPN常用场效应管及晶体管参数(3)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC1494 36V 6A 40W * 175MHZ NPN2SC1222 60V 0.1A 0.25W * 100MHZ NPN2SC1162 35V 1.5A 10W * * NPN2SC1008 80V 0.7A 0.8W * 50MHZ NPN2SC900 30V 0.03A 0.25W * 100MHZ NPN2SC828 45V 0.05A 0.25W * * NPN2SC815 60V 0.2A 0.25W * * NPN2SC380 35V 0.03A 0.25W * * NPN2SC106 60V 1.5A 15W * * NPN2SB1494 120V 25A 120W * * PNP(达林顿)2SB1429 180V 15A 150W * * PNP2SB1400 120V 6A 25W 1000-20000 * PNP(达林顿)2SB1375 60V 3A 2W * * PNP2SB1335 80V 4A 30W * * PNP2SB1317 180V 15A 150W * * PNP2SB1316 100V 2A 10W 15000 * PNP(达林顿)2SB1243 40V 3A 1W * 70MHZ PNP2SB1240 40V 2A 1W * 100MHZ PNP2SB1238 80V 0.7A 1W * 100MHZ PNP2SB1185 60V 3A 25W * 75MHZ PNP2SB1079 100V 20A 100W 5000 * PNP(达林顿)2SB1020 100V 7A 40W 6000 * PNP(达林顿)2SB834 60V 3A 30W * * PNP2SB817 160V 12A 100W * * PNP2SB772 40V 3A 10W * * PNP2SB744 70V 3A 10W * * PNP2SB734 60V 1A 1W * * PNP2SB688 120V 8A 80W * * PNP2SB675 60V 7A 40W * * PNP(达林顿)2SB669 70V 4A 40W * * PNP(达林顿)2SB649 180V 1.5A 1W * * PNP2SB647 120V 1A 0.9W * 140MHZ PNP2SB449 50V 3.5A 22W * * PNP2SA1943 230V 15A 150W * * PNP2SA1785 400V 1A 1W * 140MHZ PNP2SA1668 200V 2A 25W * 20MHZ PNP2SA1516 180V 12A 130W * 25MHZ PNP2SA1494 200V 17A 200W * 20MHZ PNP2SA1444 100V 1.5A 2W * 80MHZ PNP2SA1358 120V 1A 10W * 120MHZ PNP2SA1302 200V 15A 150W * * PNP2SA1301 200V 10A 100W * * PNP2SA1295 230V 17A 200W * * PNP2SA1265 140V 10A 30W * * PNP2SA1216 180V 17A 200W * * PNP--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(4)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SA1162 50V 0.15A 0.15W * * PNP2SA1123 150V 0.05A 0.75W * * PNP2SA1020 50V 2A 0.9W * * PNP2SA1009 350V 2A 15W * * PNP2N6678 650V 15A 175W * * NPN2N5685 60V 50A 300W * * NPN2N6277 180V 50A 300W * * NPN2N5551 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ NPN2N5401 160V 0.6A 0.6W * 100MHZ PNP2N3773 160V 16A 150W * * NPN2N3440 450V 1A 1W * * NPN2N3055 100V 15A 115W * * NPN2N2907 60V 0.6A 0.4W 200 * NPN2N2369 40V 0.5A 0.3W * 800MHZ NPN2N2222 60V 0.8A 0.5W 45 * NPN9018 30V 0.05A 0.4W * 1G NPN9015 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ PNP9014 50V 0.1A 0.4W * 150MHZ NPN9013 50V 0.5A 0.6W * * NPN9012 50V 0.5A 0.6W * * PNP9011 50V 0.03A 0.4W * 150MHZ NPNTIP147 100V 10A 125W * * PNPTIP142 100V 10A 125W * * NPNTIP127 100V 8A 65W * * PNPTIP122 100V 8A 65W * * NPNTIP102 100V 8A 2W * * NPNTIP42C 100V 6A 65W * * PNPTIP41C 100V 6A 65W * * NPNTIP36C 100V 25A 125W * * PNPTIP35C 100V 25A 125W * * NPNTIP32C 100V 3A 40W * * PNPTIP31C 100V 3A 40W * * NPNMJE13007 1500V 2.5A 60W * * NPNMJE13005 400V 4A 60W * * NPNMJE13003 400V 1.5A 14W * * NPNMJE2955T 60V 10A 75W * * NPNMJE350 300V 0.5A 20W * * NPNMJE340 300V 0.5A 20W * * NPNMJ15025 400V 16A 250W * * PNPMJ15024 400V 16A 250W * * NPNMJ13333 400V 20A 175W * * NPNMJ11033 120V 50A 300W * * NPNMJ11032 120V 50A 300W * * NPNMJ10025 850V 20A 250W * * NPNMJ10016 500V 50A 200W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(5)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型BUS13A 1000V 15A 175W * * NPNBUH515 1500V 10A 80W * * NPNBU2532 1500V 15A 150W * * NPNBU2527 1500V 15A 150W * * NPNBU2525 1500V 12A 150W * * NPNBU2522 1500V 11A 150W * * NPNBU2520 800V 10A 150W * * NPNBU2508 700V 8A 125W * * NPNBU2506 1500V 7A 50W * * NPNBU932R 500V 15A 150W * * NPNBU806 400V 8A 60W * * NPNBU406 400V 7A 60W * * NPNBU323 450V 10A 125W * * NPN(达林顿)BF458 250V 0.1A 10W * * NPNBD682 100V 4A 40W * * PNPMJ10015 400V 50A 200W * * NPNMJ10012 400V 10A 175W * * NPN(达林顿)MJ4502 90V 30A 200W * * PNPMJ3055 60V 15A 115W * * NPNMJ2955 60V 15A 115W * * PNPMN650 1500V 6A 80W * * NPNBUX98A 400V 30A 210W * * NPNBUX84 800V 2A 40W * * NPNBUW13A 1000V 15A 150W * * NPNBUV48A 450V 15A 150W * * NPNBUV28A 225V 10A 65W * * NPNBUV26 90V 14A 65W * * NPNBUT12A 450V 10A 125W * * NPNBUT11A 1000V 5A 100W * * NPNBUS14A 1000V 30A 250W * * NPNBD681 100V 4A 40W * * NPNBD244 45V 6A 65W * * PNPBD243 45V 6A 65W * * NPNBD238 100V 2A 25W * * PNPBD237 100V 2A 25W * * NPNBD138 60V 1.5A 12.5W * * PNPBD137 60V 1.5A 12.5W * * NPNBD136 45V 1.5A 12.5W * * PNPBD135 45V 1.5A 12.5W * * NPNBC547 50V 0.2A 0.5W * 300MHZ NPNBC546 80V 0.2A 0.5W * * NPNBC338 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC337 50V 0.8A 0.6W * * NPNBC327 50V 0.8 0.6W * * PNPBC307 50V 0.2AA 0.3W * * PNP--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(6)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SDK55 400V 4A 60W * * NPN2SD2445 1500V 12.5A 120W * * NPN2SD2388 90V 3A 1.2W * * NPN(达林顿)2SD2335 1500V 7A 100W * * NPN2SD2334 1500V 5A 80W * * NPN2SD2156 120V 25A 125W 2000-20000 * NPN(达林顿)2SD2155 180V 15A 150W * * NPN2SD2036 60V 1A 1.2W * * NPN2SD2012 60V 3A 2W * * NPN2SD2008 80V 1A 1.5W * * NPN2SD1997 40V 3A 1.5W * 100MHZ NPN2SD1994 60V 1A 1W * * NPN2SD1993 50V 0.1A 0.4W * * NPN2SD1980 100V 2A 10W 1000-10000 * NPN(达林顿)2SD1978 120V 1.5A 1W 30000 * NPN(达林顿)2SD1975 180V 15A 150W * * NPN2SD1930 100V 2A 1.2W 1000 * NPN(达林顿)2SD1847 50V 1A 1W * * NPN(低噪)2SD1762 60V 3A 25W * 90MHZ NPN2SD1718 180V 15A 3.2W * 20MHZ NPN2SD1640 120V 2A 1.2W 4000-40000 * NPN(达林顿)2SD1590 150V 8A 25W 15000 * NPN(达林顿)2SD1559 100V 20A 20W 5000 * NPN(达林顿)2SD1415 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1416 80V 7A 40W 6000 * NPN(达林顿)2SD1302 25V 0.5A 0.5W * 200MHZ NPN2SD1273 80V 3A 40W * 50MHZ NPN2SD1163A 350V 7A 40W * 60MHZ NPN2SD1047 160V 12A 100W * * NPN2SD1037 150V 30A 180W * * NPN2SD1025 200V 8A 50W * * NPN(达林顿)2SD789 100V 1A 0.9W * * NPN2SD774 100V 1A 1W * * NPN2SD669 180V 1.5A 1W * 140MHZ NPN2SD667 120V 1A 0.9W * 140MHZ NPN( 达林顿 )2SD560 150V 5A 30W * * NPN( 达林顿 )2SD547 600V 50A 400W * * NPN2SD438 500V 1A 0.75W * 100MHZ NPN2SD415 120V 0.8A 5W * * NPN2SD385 100V 7A 30W * * NPN( 达林顿 )2SD325 50V 3A 25W * * NPN2SD40C 40V 0.5A 40W * * NPN( 达林顿 )2SC5252 1500V 15A 100W * * NPN2SC5251 1500V 12A 50W * * NPN2SC5250 1000V 7A 100W * * NPN--------------------------------------------------------------------------------常用场效应管及晶体管参数(7)--------------------------------------------------------------------------------晶体管型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型2SC5244 1500V 15A 200W * * NPN2SC5243 1500V 15A 200W * * NPN2SC5207 1500V 10A 50W * * NPN2sc5200 230V 15A 150W * * NPN2sc5132 1500V 16A 50W * * NPN2sc5088 1500V 10A 50W * * NPN2sc5086 1500V 10A 50W * * NPN2sc5068 1500V 10A 50W * * NPN2sc5020 1000V 7A 100W * * NPN2sc4953 500V 2A 25W * * NPN2sc4941 1500V 6A 65W * * NPN2sc4927 1500V 8A 50W * * NPN2sc4924 800V 10A 70W * * NPN2sc4913 2000V 0.2A 35W * * NPN2sc4769 1500V 7A 60W * * NPN( 带阻尼 )2sc4747 1500V 10A 50W * * NPN2sc4745 1500V 6A 50W * * NPN2sc4742 1500V 6A 50W * * NPN( 带阻尼 ) 2sc4706 900V 14A 130W * 6MH NPN2SD1887 1500V 10A 70W * * NPN2SD1886 1500V 8A 70W * * NPN2SD1885 1500V 6A 60W * * NPN2SD1884 1500V 5A 60W * * NPN2SD1883 1500V 4A 50W * * NPN2SD1882 1500V 3A 50W * * NPN2SD1881 1500V 10A 70W * * NPN2SD1880 1500V 8A 70W * * NPN2SD1879 1500V 6A 60W * * NPN2SD1878 1500V 5A 60W * * NPN2SD1876 1500V 3A 50W * * NPN2SD1739 1500V 6A 100W * * NPN2SD1738 1500V 5A 100W * *。
场效应管参数大全2

场效应管参数大全2型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2518-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 20 502SK2519-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 402SK2520-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大200 10 302SK2521-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大200 18 502SK2522-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大300 18 402SK2523-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 602SK2524-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 402SK2525-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 9 802SK2526-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 602SK2527-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 5 402SK2528-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 4 802SK2529 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 35 2SK2530 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2532 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 10 402SK2533 SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 2 20 2SK2534 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 16 502SK2538 PANASONIC N-MOSFET,用于高速开关、高频功率放大250 2 302SK2539 PANASONIC N-MOSFET,用于高频功率放大、模拟开关15 0.05 0.22SK2541 NEC N-MOSFET,用于高速开关50 0.1 0.252SK2542 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 802SK2543 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流500 8 402SK2544 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 802SK2545 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动600 6 402SK2549 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动16 2 1.52SK2550 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 45 1002SK2551 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器驱动和电动机驱动50 50 1502SK2553 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2553S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 50 75 2SK2554 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 75 150 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2559 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 10 402SK2560 SHINDENGEN N-MOSFET,用于DC-DC转换、DC12-24V输入电源200 20 602SK2561-01R FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管600 9 802SK2562-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放800 7 802SK2563 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 4 302SK2564 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100-200V输入开关电源、换流、功率因素控制电路600 8 502SK2568 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换500 12 1002SK2569 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关50 0.2 0.15 2SK2570 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关20 0.2 0.15 2SK2570-01MR FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 402SK2571 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源450 13 1002SK2571-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应管300 10 802SK2573 PANASONIC N-MOSFET,用于不接触继电器、螺线管驱动电路、电动机驱动电路、控制仪器、开关电源500 20 1002SK2573-01 FUJI N-MOSFET,功率放大,开关效应300 20 1252SK2586 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 60 125 2SK258H N-FET,高频放大(射频放大),功率放大250 8 125 IRF2322SK2590 HITACHI N-MOSFET,用于开关整流、DC-DC转换、电动机控制200 7 125502SK2592 SANYO N-MOSFET,通用开关应用250 13 602SK2593 PANASONIC N-MOSFET,用于低频放大、开关55 0.03 0.1252SK2597 NEC N-MOSFET,用于900MHz基站便携式电话功率放大60 15 2902SK2598 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动250 13 602SK2599 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 22SK259H N-FET,高频放大(射频放大),功率放大350 5 125 IRF3232SK2601 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 10 1252SK2602 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流600 6 1252SK2603 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 3 1002SK2604 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 1252SK2605 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流800 5 452SK2606 TOSHIBA N-MOSFET,用于DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 8 852SK2607 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 9 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2608 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、开关整流900 3 1002SK260H N-FET,高频放大(射频放大),功率放大400 5 125 IRF3222SK261 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF5122SK2610 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 5 1502SK2611 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 9 1502SK2613 TOSHIBA N-MOSFET,用于开关调整、DC/DC 转换和电动机驱动300 32 2002SK2614 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 20 402SK2615 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动60 2 0.52SK2616 SANYO N-MOSFET,用于高速开关500 2 302SK2617ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 252SK2617LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 4 252SK2618ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 6.5 302SK2618LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用500 5 302SK262 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2623 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 1.5 302SK2624ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 3.5 252SK2624LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 3 252SK2625ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 5 302SK2625LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 4 302SK2627 SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 5 402SK2628ALS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FG SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628FS SANYO N-MOSFET,通用开关应用600 7 352SK2628LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关600 6 352SK263 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF613 2SK2631 SANYO N-MOSFET,用于高速开关800 1 302SK2632LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用800 2.5 252SK2638-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2639-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 1002SK264 N-FET,功率放大,音频(低频) IRF6122SK2640-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 502SK2641-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 1002SK2642-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 502SK2643-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 1252SK2645-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 50 2SK2646-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2647-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 402SK2648-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1502SK2649-01R FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 9 1002SK2651-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 502SK2652-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 1252SK2653-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 6 802SK2654-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 8 1502SK2655-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大2SK266 TOSHIBA 停产,N-FET,电容话筒专用15 0.1 PN4119A 2SK2661 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 5 752SK2662 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 5 352SK2663 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 1 102SK2664 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2665 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 502SK2666 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 302SK2667 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 652SK2668 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 3 402SK2669 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流2SK2670 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 602SK2671 SHINDENGEN关电源、高压电源、换流900 5 402SK2672 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 802SK2673 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 5 50型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2674 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 1002SK2675 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 7 552SK2676 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 1202SK2677 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 240V输入开关电源、高压电源、换流900 10 652SK2679 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 5.5 352SK2682LS SANYO N-MOSFET,用于高速开关250 13 35 2SK2684 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2684S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 50 2SK2685 HITACHI GAAS N-MOSFET,用于UHF低噪声放大6 0.02 0.12SK2687-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 602SK2688-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 50 602SK2689-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关30 50 402SK2690-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2691-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放60 70 1002SK2695-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换700 5 602SK2698 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 15 1502SK2699 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 12 1602SK270 TOSHIBA 停产,用2SK389代替,N-FET,配对管,音频(低频)40 0.02 0.6 U4052SK2700 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 402SK2701 SANKEN N-MOSFET 450 7 35 2SK2702 SANKEN N-MOSFET 450 10 35 2SK2703 SANKEN N-MOSFET 450 10 75 2SK2704 SANKEN N-MOSFET 450 13 40 2SK2705 SANKEN N-MOSFET 450 13 75 2SK2706 SANKEN N-MOSFET 450 18 85 2SK2707 SANKEN N-MOSFET 600 4.5 35 2SK2708 SANKEN N-MOSFET 600 7 40 2SK2709 SANKEN N-MOSFET 600 8.5 85 2SK271 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频(低频)140 8 120 2SK405型号PDF厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2710 SANKEN N-MOSFET 600 12 85 2SK2715 ROHM N-MOSFET,用于开关500 2 202SK2717 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动900 5 45机驱动2SK2718 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 2.5 402SK2719 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 3 1252SK272 TOSHIBA 停产,用2SK405代替,N-FET,功率放大,音频(低频)140 8 120 2SK2712SK2723 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 25 252SK2724 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 35 302SK2725 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 5 302SK2726 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 7 302SK2727 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 10 100 2SK2728 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 18 150 2SK2729 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 20 150 2SK273 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1400 2SK2730 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关500 25 1752SK2731 ROHM N-MOSFET,用于开关30 0.2 0.22SK2733 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 602SK2734 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 5 0.9 2SK2735 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2735S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 20 20 2SK2736 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 30 25 2SK2737 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关30 45 302SK2738 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 302SK274 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1402 2SK2740 ROHM N-MOSFET,用于开关600 7 302SK2741 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 5 2.52SK2742 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 3 2.52SK2744 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 45 1252SK2745 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动50 50 150型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2746 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动800 7 1502SK2749 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 7 1502SK275 GaAs,微波,超高频8 0.1 0.3 MGF-1412 2SK2750 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 3.5 352SK2751 PANASONIC N-JFET,用于低频阻抗转换、红外传感器40 0.01 0.22SK2751J ON N-JFET,用于低频放大器、恒流源和阻抗转换等40 0.01 0.022SK2753-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大120 50 1502SK2754-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放450 10 80大2SK2754-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 10 802SK2755-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 1252SK2756-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大450 18 802SK2757-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2758-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大500 10 802SK2759-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 15 802SK276 GaAs,微波,超高频 6 0.08 0.22SK2760-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大600 9 602SK2761-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大600 10 502SK2762-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2762-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2763-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 1002SK2764-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 4 802SK2765-01 FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 1252SK2766-01R FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大800 7 802SK2767-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2768-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 802SK2769-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 402SK277 N-MOSFET,功率场效应管350 7 100 BUZ632SK2770-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大900 3.5 100型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2771-01R FUJI N-MOSFET,用于开关900 9 100 2SK2775 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 25 402SK2776 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 8 652SK2777 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 6 652SK2778 SANKEN N-MOSFET 100 12 302SK2779 SANKEN N-MOSFET 100 20 352SK278 N-MOSFET,功率场效应管400 7 100 BUZ632SK2782 TOSHIBA 关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 20 40 2SK2787LS SANYO N-MOSFET,通用开关应用450 8 40 2SK2788 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 2 12SK2789 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动100 27 602SK279 GaAs,功率放大,微波,超高频8 0.25 1 MGF-1801 2SK2792 ROHM N-MOSFET,用于开关600 4 302SK2793 ROHM N-MOSFET,用于开关500 5 302SK2796 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796L HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2796S HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 5 202SK2798 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 6 302SK2799 SHINDENGEN N-MOSFET,用于AC 100V输入开关电源、高压电源、换流350 10 502SK280 GaAs,功率放大,微波,超高频 5 0.1 0.27 NE13783 2SK2800 HITACHI N-MOSFET,用于高速功率开关60 40 50 2SK2802 HITACHI N-MOSFET,用于低频功率开关30 0.5 0.152SK2803 SANKEN N-MOSFET 450 3 302SK2804 SANKEN N-MOSFET 450 5 352SK2805 SANKEN N-MOSFET 450 15 802SK2806-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01L FUJI 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2807-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 302SK2808-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大30 35 202SK2809-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS 电源、DC-DC转换、一般功率放大60 50 50第59页共120页型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK281 GaAs,超高频,甚高频 5 0.12 0.3 NE218892SK2823 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.22SK2824 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2825 TOSHIBA N-MOSFET,用于便携式仪表、高速开关、模拟开关20 0.1 0.12SK2826 NEC N-MOSFET,用于大电流开关60 70 100 2SK2827-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 602SK2828 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关,用于开关整流、DC-DC转换700 12 1752SK283 N-FET,激励、驱动80 0.0017 0.15 2SK2832-01 FUJI N-MOSFET,用于开关60 50 80 2SK2833-R FUJI N-MOSFET,用于开关120 50 100 2SK2834-01 FUJI N-MOSFET,用于开关600 9 80 2SK2835 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动200 5 1.32SK2836 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 1 2.52SK2837 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 20 1502SK2838 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 6.6 402SK2839 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 10 2.52SK283R3 N-FET,激励、驱动80 0.0012 0.15 2SK283R4 N-FET,激励、驱动80 0.0025 0.15 2SK283R5 N-FET,激励、驱动80 0.005 0.15 2SK283R6 N-FET,激励、驱动80 0.01 0.152SK2841 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动400 10 802SK2842 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动500 12 402SK2843 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 452SK2844 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动30 35 602SK2845 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动900 1 402SK2846 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 1.32SK2847 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动900 8 852SK2848 SANKEN N-MOSFET 600 2 302SK2849-01L FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2849-01S FUJI N-MOSFET,用于开关900 6 125型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2850-01 FUJI N-MOSFET,用于开关200 18 50 2SK2851 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 5 0.9 2SK2854 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 0.5 0.5 2SK2855 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段放大10 1 0.52SK2856 TOSHIBA N-MOSFET,用于UHF波段低噪声放大3 0.08 0.12SK2858 NEC N-MOSFET,用于高速开关30 0.1 0.15 2SK2859 SANYO N-MOSFET,用于高速开关100 2 1.6 2SK286 N-FET,功率放大,音频(低频) 60 8 1002SK2862 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、DC-DC转换、继电器和电动机驱动500 3 252SK2864 SANYO N-MOSFET,用于高速开关200 20 50 2SK2865 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 2 202SK2866 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动600 10 1252SK2869 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关60 20 30 2SK2870-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2870-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2871-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 502SK2872-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 302SK2873-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大450 8 602SK2874-01L FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2874-01S FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2875-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 502SK2876-01MR FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 302SK2877-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 6 602SK2879-01 FUJI N-MOSFET,用于开关整流、UPS电源、DC-DC转换、一般功率放大500 20 1502SK287K N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关60 8 1002SK2882 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动150 18 452SK2883 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动800 8 752SK2884 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换800 5 1002SK2885 HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 2SK2885L HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 75 型号PDF资料厂商特性用途极限电压Vm(V)极限电流Im(A)耗散功率(W)代换型号2SK2885S HITACHI N-MOSFET,高速功率开关30 45 752SK2886 TOSHIBA N-MOSFET,用于高速高电压开关、断路器、DC-DC转换和电动机驱动60 45 402SK2887 ROHM N-MOSFET,用于开关200 3 20 2SK2889 ROHM N-MOSFET,用于开关600 10 1002SK288K N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关80 8 1002SK2890-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 50 502SK2891-01 FUJI N-MOSFET,用于开关30 100 1252SK2892-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 90 1002SK2893-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1502SK2894-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换30 100 1252SK2895-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2896-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2897-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2898-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2899-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1252SK289H N-FET,高频放大(射频放大),功率放大,开关80 8 1002SK2900-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 602SK2901-01L FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 60 2SK2901-01S FUJI N-MOSFET,用于开关60 45 602SK2902-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 45 402SK2903-01MR FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 50 502SK2904-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 80 1252SK2905-01R FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 70 1002SK2906-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 1502SK2907-01 FUJI N-MOSFET,用于电动机控制、一般功率放大、DC-DC转换60 100 125。
常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资

常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资1.IRF系列:IRF540N、IRF840、IRF3205等IRF系列是一种N沟道MOS管,具有低电源电流和高开关速度特点,可以工作在高频率下。
常用的封装有TO-220、TO-247、D2-Pak等。
-IRF540N参数:导通电阻:0.077Ω最大耗散功率:150W最大漏电流:50μA最大栅源电压:100V最大漏源电压:100V最大栅极电荷:49nC-IRF840参数:导通电阻:0.85Ω最大耗散功率:125W最大漏电流:10μA最大栅源电压:500V最大漏源电压:500V最大栅极电荷:90nC-IRF3205参数:导通电阻:8mΩ最大耗散功率:110W最大漏电流:250μA最大栅源电压:20V最大漏源电压:55V最大栅极电荷:75nC2.IRFP系列:IRFP250N、IRFP460等IRFP系列是一种P沟道MOS管,具有低导通电阻和高开关速度特点,适合高频率下的应用。
常用的封装有TO-247、TO-3P等。
-IRFP250N参数:导通电阻:0.095Ω最大耗散功率:200W最大漏电流:250μA最大栅源电压:100V最大漏源电压:200V最大栅极电荷:73nC-IRFP460参数:导通电阻:0.27Ω最大耗散功率:180W最大栅源电压:500V最大漏源电压:500V最大栅极电荷:123nC3.IRL系列:IRL540N、IRL3713等IRL系列是一种低电平驱动的MOS管,具有低导通电阻和高开关速度特点,适合低电平驱动电路。
常用的封装有TO-220、D2-Pak等。
-IRL540N参数:导通电阻:0.054Ω最大耗散功率:120W最大漏电流:50μA最大栅源电压:55V最大漏源电压:100V最大栅极电荷:32nC-IRL3713参数:导通电阻:7.5mΩ最大耗散功率:60W最大漏电流:50μA最大栅源电压:20V最大栅极电荷:20nC以上是常用全系列场效应管MOS管型号参数封装资的介绍,不同型号的MOS管具有不同的特点和适用场景,用户可以根据实际需求选择适合的型号和封装方式。
11n60场效应管参数

11n60场效应管参数【原创实用版】目录1.11n60 场效应管简介2.11n60 场效应管的主要参数3.11n60 场效应管参数的含义及应用正文一、11n60 场效应管简介11n60 是一种常见的场效应管(FET, Field Effect Transistor)型号。
场效应管是一种半导体器件,其基本结构包括源极(Source)、漏极(Drain)和栅极(Gate)。
在电路中,场效应管主要用于信号放大、开关控制、振荡等电路。
与其他类型的晶体管相比,场效应管具有输入阻抗高、噪声低、功耗小等特点,因此在各种电子设备中得到了广泛应用。
二、11n60 场效应管的主要参数11n60 场效应管的主要参数包括:1.漏极电流(ID, Drain Current):漏极电流是指在特定电压下,从源极到漏极的电流。
通常情况下,漏极电流越大,场效应管的导电能力越强。
2.源极电压(Vs, Source Voltage):源极电压是指在特定电流下,场效应管源极的电压。
源极电压的大小会影响场效应管的导电状态。
3.漏极电压(Vd, Drain Voltage):漏极电压是指在特定电流下,场效应管漏极的电压。
漏极电压的大小会影响场效应管的导电状态。
4.栅极电压(Vg, Gate Voltage):栅极电压是指在特定电流下,场效应管栅极的电压。
栅极电压的大小会直接影响场效应管的导电能力。
5.跨导(gm, Transconductance):跨导是指在特定电压下,栅极电流变化引起的漏极电流变化。
跨导越大,场效应管的放大能力越强。
6.输入电阻(Ri, Input Resistance):输入电阻是指场效应管的输入端对电流的阻碍程度。
输入电阻越大,场效应管的输入阻抗越高,抗干扰能力越强。
7.输出电阻(Ro, Output Resistance):输出电阻是指场效应管的输出端对电流的阻碍程度。
输出电阻越小,场效应管的输出能力越强。
三、11n60 场效应管参数的含义及应用11n60 场效应管的各个参数对于理解和分析场效应管的性能至关重要。
AO3401(MOS场效应管)规格书

SOT-23場效應晶體管(SOT-23Field EffectTransistors)P -Channel Enhancement-Mode MOS FETs P 沟道增强型MOS 场效应管■MAXIMUMRATINGS最大額定值Characteristic 特性參數Symbol 符號Max 最大值Unit 單位Drain-Source V oltage 漏極-源極電壓BV DSS -30V Gate-Source Voltage 栅極-源極電壓V GS +12V Drain Current (continuous)漏極電流-連續I D -3.8A Drain Current (pulsed)漏極電流-脉冲I DM -15A Total Device Dissipation 總耗散功率T A =25℃環境溫度爲25℃P D 1250mW Junction 結溫T J 150℃Solder Temperature/Solder Time 焊接溫度/焊接時間T/t 260/10℃/S Storage Temperature 儲存溫度T stg-55to+150℃AO3401■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性(T A =25℃unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲25℃)Characteristic 特性參數Symbol 符號Min 最小值Typ 典型值Max 最大值Unit 單位Drain-Source Breakdown Voltage漏極-源極擊穿電壓(I D =-250uA,V GS =0V)BV DSS -30——V Gate Threshold Voltage栅極開启電壓(I D =-250uA,V GS =V DS )V GS(th)-0.6—-2V Diode Forward Voltage Drop内附二極管正向壓降(I S =-1A,V GS =0V)V SD——-1VZero Gate Voltage Drain Current零栅壓漏極電流(V GS =0V,V DS =-24V)(V GS =0V,V DS =-24V ,T A =55℃)I DSS ——-1-5u AGate Body Leakage栅極漏電流(V GS =+12V,V DS =0V)I GSS ——+100n A Static Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-3.8A,V GS =-10V)R DS(ON)—5060mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-2A,V GS =-4.5V)R DS(ON)—6080mΩStatic Drain-Source On-State Resistance 静态漏源導通電阻(I D =-1A,V GS =-2.5V)R DS(ON)—75100mΩInput Capacitance 輸入電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C ISS —954—pF Output Capacitance 輸出電容(V GS =0V,V DS =-15V,f=1MHz)C OSS —115—pF Turn-ON Time 开启時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (on)— 6.3—ns Turn-OFF Time 关断時間(V DS =-15V,V GS =-10V,R GEN =6Ω)t (off)—38.2—nsPulse Width<300μs;Duty Cycle<2.0%AO3401■DIMENSION 外形封裝尺寸單位(UNIT):mmAO3401。
常用场效应管及晶体管参数66681

*
NMOS场效应
IRFP340
400V
10A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP250
200V
33A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP240
200V
19A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP150
100V
40A
180W
*
*
NMOS场效应
IRFP140
100V
30A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP054
IRF130
100V
14A
79W
**NMOSFra bibliotek效应BUZ20
100V
12A
75W
*
*
NMOS场效应
BUZ11A
50V
25A
75W
*
*
NMOS场效应
BS170
60V
0.3A
0.63W
*
*
NMOS场效应
常用场效应管及晶体管参数(2)
晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
2SC4582
IRF9630
200V
6.5A
75W
*
*
PMOS场效应
IRF9610
200V
1A
20W
*
*
PMOS场效应
IRF9541
60V
19A
125W
*
*
PMOS场效应
IRF9531
60V
g41bc20ud场效应管参数

g41bc20ud场效应管参数
场效应管(FET)是一种三端半导体器件,它的特性由各种参数
描述。
以下是场效应管的一些重要参数:
1. 饱和漏-源电压(VDSsat),这是场效应管工作在饱和区时
的漏-源电压。
在饱和区,场效应管的漏-源电压达到最小值,维持
管子处于饱和状态。
2. 阈值电压(Vth),这是场效应管的栅极电压,当栅极电压
高于这个阈值电压时,场效应管开始导通。
阈值电压的大小对管子
的导通特性有重要影响。
3. 转导电导(gm),这是场效应管的增益参数,描述了输入信
号变化引起的输出电流变化。
转导电导越大,管子的放大能力越强。
4. 饱和漏-源电流(IDsat),这是场效应管在饱和区时的漏-
源电流。
在管子饱和时,漏-源电流达到最大值。
5. 漏-源电阻(rDS),这是场效应管在导通状态时的等效漏-
源电阻,描述了管子导通时的电阻特性。
6. 最大漏-源电流(IDmax),这是场效应管能够承受的最大漏-源电流。
超过这个电流值,管子可能会损坏。
这些参数是评估场效应管性能的重要指标,工程师在设计电路时需要考虑这些参数以保证电路的性能和稳定性。
希望这些信息能对你有所帮助。
常用贴片MOS场效应管参数及丝印

常用贴片MOS场效应管参数及丝印贴片MOS场效应管,因其价格低、体积小、驱动电流大,现已广泛用于各种开关电源、逆变器、锂电池保护板及低压LED驱动器中。
本文介绍一些目前最常用的贴片SOT-23封装的MOS场效应管的主要参数及丝印,供大家在维修、代换时参考。
1、AO3400,N沟道MOS场效应管,PD=1.4W,VDS=30V,ID=5.8A。
导通电阻Rds<33mΩ(VGS=4.5V)。
2、AO3401,P沟道MOS场效应管,PD=1.4W,VDS=-30V,ID=-4.2A,Rds<65mΩ(VGS=-4.5V)。
3、AO3404,N沟道MOS场效应管,PD=1.4W,VDS=30V,ID=5.8A,Rds<43mΩ(VGS=4.5V)。
4、AO3407,P沟道MOS场效应管,PD=1.4W,VDS=-30V,ID=-4.1A,Rds<87mΩ(VGS=-4.5V)。
5、AO3415,P沟道MOS场效应管,PD=1.4W,VDS=-20V,ID=-4A,Rds<43mΩ(VGS=-4.5V)。
6、SI2300,N沟道MOS场效应管,PD=1.25W,VDS=20V,ID=3.8A,Rds=32mΩ(VGS=4.5V)。
注意:SOT-23封装的SI2300的丝印有两种,分别是2300和A0SHB。
7、SI2301,P沟道MOS场效应管,PD=0.9W,VDS=-20V,ID=-2.3A,Rds=93mΩ(VGS=-4.5V)。
8、SI2302,N沟道MOS场效应管,PD=0.71W,VDS=20V,ID=2.6A,Rds=45mΩ(VGS=4.5V)。
9、SI2303,P沟道MOS场效应管, PD=2.3W(max),VDS =-30V, ID=-2.7A。
10、SI2305,P沟道MOS场效应管,PD=2.3W,VDS=-8V (注意:该型号的耐压值不高),ID=-2.7A。
11、SI2306,N沟道MOS场效应管,PD=0.75W,VDS=30V,ID=3.5A。
常用晶体管场效应管资料大全

常用晶体管场效应管资料大全场效应型号反压Vbe0 电流Icm 功率Pcm 放大系数特征频率管子类型IRFU02050V15A42W**NMOS 场效应IRFPG421000V4A150W**NMOS 场效应IRFPF40900V4.7A150W**NMOS 场效应IRFP9240200V12A150W**PMOS 场效应IRFP9140100V19A150W**PMOS 场效应IRFP460500V20A250W**NMOS 场效应IRFP450500V14A180W**NMOS 场效应IRFP440500V8A150W**NMOS 场效应IRFP353350V14A180W**NMOS 场效应IRFP350400V16A180W**NMOS 场效应IRFP340400V10A150W**NMOS 场效应IRFP250200V33A180W**NMOS 场效应IRFP240200V19A150W**NMOS 场效应IRFP150100V40A180W**NMOS 场效应IRFP140100V30A150W**NMOS 场效应IRFP05460V65A180W**NMOS 场效应IRFI744400V4A32W**NMOS 场效应IRFI730400V4A32W**NMOS 场效应IRFD9120100V1A1W**NMOS 场效应IRFD12380V1.1A1W**NMOS 场效应IRFD120100V1.3A1W**NMOS 场效应IRFD11360V0.8A1W**NMOS 场效应IRFBE30800V2.8A75W**NMOS 场效应IRFBC40600V6.2A125W**NMOS 场效应IRFBC30600V3.6A74W**NMOS 场效应IRFBC20600V2.5A50W**NMOS 场效应IRFS9630200V6.5A75W**PMOS 场效应IRF9630200V6.5A75W**PMOS 场效应IRF9610200V1A20W**PMOS 场效应IRF954160V19A125W**PMOS 场效应IRF953160V12A75W**PMOS 场效应IRF9530100V12A75W**PMOS 场效应IRF840500V8A125W**NMOS 场效应IRF830500V4.5A75W**NMOS 场效应tips:感谢大家的阅读,本文由我司收集整编。
11n60场效应管参数

11n60场效应管参数摘要:1.场效应管的基本概念与分类2.11n60场效应管的参数特点3.11n60场效应管的应用领域4.11n60场效应管的选购与使用注意事项正文:场效应管(Field Effect Transistor,简称FET)是一种半导体器件,根据导电方式可分为金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)等。
其中,11n60场效应管是一种常见的MOSFET型号,广泛应用于各种电子设备中。
1.场效应管的基本概念与分类场效应管是利用半导体材料的电场效应来控制电流的晶体管。
根据导电方式,场效应管可分为耗尽型和增强型。
耗尽型场效应管在栅极电压为正时,沟道内的电子浓度增加,形成电流;增强型场效应管则在栅极电压为负时,沟道内的电子浓度增加,形成电流。
2.11n60场效应管的参数特点11n60场效应管是一种N型MOSFET,具有以下特点:- 漏极电流ID:在一定的栅极电压下,11n60场效应管的漏极电流与沟道长度、宽度和材料有关。
- 阈值电压Vth:当栅极电压大于阈值电压时,11n60场效应管开始导通,形成电流。
- 饱和电压Vgs:当栅极电压大于饱和电压时,11n60场效应管进入饱和区,电流不再随栅极电压增加而明显增加。
- 输入阻抗Zi:11n60场效应管的输入阻抗较高,可以减小信号干扰。
3.11n60场效应管的应用领域11n60场效应管具有较高的工作频率、较低的噪声和较好的线性度,因此广泛应用于以下领域:- 放大器:11n60场效应管可作为电压、电流放大器,具有较高的性能。
- 开关电源:11n60场效应管在高电压、大电流应用中具有较好的开关性能。
- 模拟电路:11n60场效应管的线性度较好,可用于搭建高精度模拟电路。
- 射频电路:11n60场效应管具有较高的工作频率,可用于射频放大器和混频器等。
4.11n60场效应管的选购与使用注意事项选购11n60场效应管时,应注意以下几点:- 品牌和封装:选择知名品牌和合适的封装,以确保产品质量和可靠性。
AON6403技术参数PDF

Symbolt ≤ 10s Steady-State Steady-StateR θJCMaximum Junction-to-Case°C/W°C/W Maximum Junction-to-Ambient A D 1551.5Power Dissipation B W Power DissipationAW T A =70°C T A =25°C AT A =25°C A T A =70°CT C =25°C T C =100°C Repetitive avalanche energy L=0.1mHCmJ Avalanche Current CContinuous Drain CurrentA V MaximumUnits Parameter Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted V ±20Gate-Source Voltage Drain-Source Voltage -30Units Maximum Junction-to-Ambient A °C/W R θJA 144017Junction and Storage Temperature Range °CThermal CharacteristicsPulsed Drain Current CContinuous Drain Current GParameterTyp Max T C =25°C T C =100°C DSPIN1SymbolMin Typ Max Units BV DSS -30VV DS =-30V, V GS =0V-1T J =55°C-5I GSS ±100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage -1.2-1.7-2.2V I D(ON)-280A 2.6 3.1T J =125°C3.64.43.5 4.3m Ωg FS 82S V SD -0.7-1V I S-85A C iss 610076009120pF C oss 93013201720pF C rss 63010501470pF R g124ΩQ g (10V)130163196nC Q g (4.5V)637995nC Q gs 182226nC Q gd 203346nC t D(on)13ns t r 18ns t D(off)135ns t f 52nst rr 212632ns Q rr637894nCCOMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Body Diode Reverse Recovery TimeDrain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =-250µA, V GS =0V V GS =-10V, V DS =-5V V GS =-10V, I D =-20AReverse Transfer Capacitance I F =-20A, dI/dt=500A/µsV GS =0V, V DS =-15V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions I DSS µA V DS =V GS I D =-250µA V DS =0V, V GS = ±20V Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current Forward Transconductance Diode Forward VoltageR DS(ON)Static Drain-Source On-Resistancem ΩI S =-1A,V GS =0VV DS =-5V, I D =-20A V GS =-4.5V, I D =-20AV GS =-10V, V DS =-15V,R L =0.75Ω, R GEN =3ΩGate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTurn-Off Fall TimeTotal Gate Charge V GS =-10V, V DS =-15V, I D =-20AGate Source Charge Gate Drain Charge Total Gate Charge Rev 2: Nov. 2010Body Diode Reverse Recovery Charge I F =-20A, dI/dt=500A/µsMaximum Body-Diode Continuous CurrentInput Capacitance Output CapacitanceTurn-On DelayTime DYNAMIC PARAMETERS Turn-On Rise Time Turn-Off DelayTime A. The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The Power dissipation P DSM is based on R θJA and the maximum allowed junction temperature of 150°C. The value in any given application depends on the user's specific board design, and the maximum temperature of 150°C may be used if the PCB allow s it.B. The power dissipation P D is based on T J(MAX)=150°C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=150°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial T J =25°C.Maximum UIS current limited by test equipment.D. The R θJA is the sum of the thermal impedence from junction to case R θJC and case to ambient.E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300µs pulses, duty cycle 0.5% max.F. These curves are based on the junction-to-case thermal impedence which is measured with the device mounted to a large heatsink,assuming a maximum junction temperature of T J(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse ratin g.G. The maximum current rating is limited by package.H. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2 FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C.TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS-V GS (Volts)Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)-I D (A )12345-V DS (Volts)Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)-I D (A )TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICSQ g (nC)Figure 7: Gate-Charge Characteristics -V G S (V o l t s )051015202530-V DS (Volts)Figure 8: Capacitance Characteristics C a p a c i t a n c e (p F )TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICSVdsChargeGate Charge Test Circuit & WaveformVddVdsIdVgsUnclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms2E = 1/2 LI AR ARBV DSSI ARVdd VddResistive Switching Test Circuit & Waveforms90%10%。
(整理)常用场效应管及晶体管参数66681

晶体管型号
反压Vbe0
电流Icm
功率Pcm
放大系数
特征频率
管子类型
IRFU020
50V
15A
42W
*
*
NMOS场效应
IRFPG42
1000V
4A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFPF40
900V
4.7A
150W
*
*
NMOS场效应
IRFP9240
200V
12A
150W
*
*
PMOS场效应
400V
3.3A
50W
*
*
NMOS场效应
IRF640
200V
18A
125W
*
*
NMOS场效应
IRF630
200V
9A
75W
*
*
NMOS场效应
IRF610
200V
3.3A
43W
*
*
NMOS场效应
IRF541
80V
28A
150W
*
*
NMOS场效应
IRF540
100V
28A
150W
*
*
NMOS场效应
IRF530
*
*
NPN
2N3440
450V
1A
1W
*
*
NPN
2N3055
100V
15A
115W
*
*
NPN
2N2907
60V
0.6A
0.4W
200
*
NPN
全系列场效应管参数

全系列场效应管参数K2843 600V 10A 45W N07N03L 30V 80A 150W N10N20 10A 200V N 沟道MOS管10N60 10A 600V11N80 11A 800V 156W11P06 60V 9.4A P沟道直插13N60 13A 600V N 沟道15N03L 30V 42A 83W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N2N7000 60V 0.2A 0.35W N40N03H 30V 40A N4232 内含P沟道,N沟道MOS管各一,4532M 内含P沟道,N沟道MOS管各一,50N03L(SD 30V 47A 50W N 沟道小贴片MOS 55N03 25V 55A 103W5N90 5A 900V5P25 250V 5A6030LX 30V 52A 42W N603AL 30V 25A 60W N 沟道小贴片MOS6A60 600V 6A N6N70 700V 6A N6P25 250V 6A70L0270N06 70A 60V 125W7N60 600V 7A N,铁7N70 7A 700V85L028N25 250V ,8A ,同IRF63495N03 25V 75A 125W9916H 18V 35A 58W 小贴片,全新9N60 9A 600V9N70 9A 700VAF4502CS 内含P沟道,N沟道MOS管各一A04403 30V 6.1A 单P沟道8脚贴片A04404 30V 8.5A 单N沟道8脚贴片A04405 30V 6A 3W 单P沟道8脚贴片A04406 30V,11.5A,单N沟道,8脚贴A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04407 30V 12A 3W 单P沟道,8脚贴片A04408 30V 12A 单N沟道,8脚贴片A04409 30V 15A P沟道场效应,8脚A04410 30V 18A 单N沟道8脚贴片A04411 30V 8A 3W P沟道场效应,8脚A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04413 30V 15A 3W 单P沟道,8脚贴片A04414 30V,8.5A,3WM 单N沟道,8脚A04418 30V 11.5A N沟道8脚贴片A04422 30V 11A N 沟道8脚贴片A04423 30V 15A 3.1W 单P沟道,8脚贴A04600 内含P沟道,N沟道MOS管各一A0D405 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D408 30V,18A,P高压板MOS管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D409 60V 26/18A P 高压板MOS 管贴A0D420 30V,10A,N高压板MOS管贴A0D442 60V,38/27A,N 高压板MOS管贴A0D442 60V38/27A,N高压板MOS管贴A0D444 60V,12A,N 高压板MOS管贴A0P600 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P605 内含P,N沟道各1,30V 7.5AA0P607 内含P、N沟道各1,60V 4。
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MaximumParameter Absolute Maximum Ratings T A =25°C unless otherwise noted PIN1Symbolt ≤ 10s Steady-State Steady-StateR θJCParameterTyp Max °C/W R θJA 144017Thermal CharacteristicsUnits Maximum Junction-to-Ambient A Continuous Drain Current GGate-Source Voltage Drain-Source Voltage -20T =25°C T =100°C Maximum Junction-to-Case°C/W°C/W Maximum Junction-to-Ambient A D 0.6550.8SymbolMin Typ Max Units BV DSS -20VV DS =-20V, V GS =0V-1T J =55°C -5I GSS ±100nA V GS(th)Gate Threshold Voltage -0.5-0.85-1.3V I D(ON)-340A 1.7 2.1T J =125°C 2.4532 2.5m Ω2.8 3.6m Ωg FS 115S V SD -0.57-1V I S-85A C iss 10290pF C oss 1910pF C rss 1395pFR g2.1 4.2ΩQ g (10V)235330nC Q g (4.5V)100140nC Q gs 21nC Q gd 36nC Maximum Body-Diode Continuous CurrentGInput Capacitance Output CapacitanceDYNAMIC PARAMETERS Reverse Transfer Capacitance V GS =0V, V DS =-10V, f=1MHz SWITCHING PARAMETERS Gate resistanceV GS =0V, V DS =0V, f=1MHzTotal Gate Charge V GS =-10V, V DS =-10V, I D =-20AGate Source Charge Gate Drain Charge Total Gate Charge Zero Gate Voltage Drain Current Gate-Body leakage current m ΩI S =-1A,V GS =0VV DS =-5V, I D =-20A V GS =-2.5V, I D =-20AForward Transconductance Diode Forward VoltageV GS =-4.5V, I D =-20A Electrical Characteristics (T J =25°C unless otherwise noted)STATIC PARAMETERS ParameterConditions Drain-Source Breakdown Voltage On state drain currentI D =-250µA, V GS =0V V GS =-10V, V DS =-5V V GS =-10V, I D =-20AR DS(ON)Static Drain-Source On-ResistanceI DSS µA V DS =V GS, I D =-250µA V DS =0V, V GS =±12V t D(on)9ns t r 18ns t D(off)282ns t f 90ns t rr 48nsQ rr178nCTHIS PRODUCT HAS BEEN DESIGNED AND QUALIFIED FOR THE CONSUMER MARKET. APPLICATIONS OR USES AS CRITICAL COMPONENTS IN LIFE SUPPORT DEVICES OR SYSTEMS ARE NOT AUTHORIZED. AOS DOES NOT ASSUME ANY LIABILITY ARISING OUT OF SUCH APPLICATIONS OR USES OF ITS PRODUCTS. AOS RESERVES THE RIGHT TO IMPROVE PRODUCT DESIGN,FUNCTIONS AND RELIABILITY WITHOUT NOTICE.Turn-On DelayTime Body Diode Reverse Recovery Charge I F =-20A, dI/dt=500A/µsTurn-On Rise Time Turn-Off DelayTime I F =-20A, dI/dt=500A/µsV GS =-10V, V DS =-10V, R L =0.5Ω,R GEN =3ΩTurn-Off Fall TimeBody Diode Reverse Recovery TimeA. The value of R θJA is measured with the device mounted on 1in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C. The Power dissipation P DSM is based on R θJA and the maximum allowed junction temperature of 150°C. The value in any given application depends on the user's specific board design, and the maximum temperature of 150°C may be used if the PCB allows it.B. The power dissipation P D is based on T J(MAX)=150°C, using junction-to-case thermal resistance, and is more useful in setting the upper dissipation limit for cases where additional heatsinking is used.C. Repetitive rating, pulse width limited by junction temperature T J(MAX)=150°C. Ratings are based on low frequency and duty cycles to keep initial T J =25°C.Maximum UIS current limited by test equipment.D. The R θJA is the sum of the thermal impedance from junction to case R θJC and case to ambient.E. The static characteristics in Figures 1 to 6 are obtained using <300µs pulses, duty cycle 0.5% max.F. These curves are based on the junction-to-case thermal impedance which is measured with the device mounted to a large heatsink, assuming a maximum junction temperature of T J(MAX)=150°C. The SOA curve provides a single pulse rating.G. The maximum current rating is package limited.H. These tests are performed with the device mounted on 1 in 2FR-4 board with 2oz. Copper, in a still air environment with T A =25°C.TYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS17521000204060801000.511.522.53-I D (A )-V GS (Volts)Figure 2: Transfer Characteristics (Note E)1234551015202530R D S (O N )(m Ω)-I D (A)Figure 3: On-Resistance vs. Drain Current and Gate0.811.21.41.61.80255075100125150175N o r m a l i z e d O n -R e s i s t a n c eTemperature (°C)V GS =-4.5V I D =-20A V GS =-10V I D =-20AV GS =-2.5VI D =-20A25°C125°CV DS =-5VV GS =-2.5VV GS =-10V020*********12012345-I D (A )-V DS (Volts)Fig 1: On-Region Characteristics (Note E)V GS =-1.5V-2V-10V-2.5V-4.5VV GS =-4.5V 1840Voltage (Note E)1.0E-051.0E-041.0E-031.0E-021.0E-011.0E+001.0E+011.0E+020.00.20.40.60.81.0-I S (A )-V SD (Volts)Figure 6: Body-Diode Characteristics (Note E)25°C125°CFigure 4: On-Resistance vs. Junction Temperature (Note E)01234560246810R D S (O N )(m Ω)-V GS (Volts)Figure 5: On-Resistance vs. Gate-Source Voltage(Note E)I D =-20A25°C125°CTYPICAL ELECTRICAL AND THERMAL CHARACTERISTICS1752100050100150200255075100125150P o w e r D i s s i p a t i o n (W )T CASE (°C)Figure 13: Power De-rating (Note F)0204060801000255075100125150C u r r e n t r a t i n g ID (A )1101001000100000.00010.01110010000P o w e r (W )T A =25°C11010010001101001000-I A R (A ) P e a k A v a l a n c h e C u r r e n tTime in avalanche, t A (µs)Figure 12: Single Pulse Avalanche capability(Note C)T A =25°CT A =150°CT A =100°CT A =125°C18400.0010.010.11100.00010.0010.010.11101001000Z θJ A N o r m a l i z e d T r a n s i e n t T h e r m a l R e s i s t a n c ePulse Width (s)Figure 16: Normalized Maximum Transient Thermal Impedance (Note H)Single PulseD=T on /TT J,PK =T A +P DM .Z θJA .R θJA T onTP DIn descending orderD=0.5, 0.3, 0.1, 0.05, 0.02, 0.01, single pulseT CASE (°C)Figure 14: Current De-rating (Note F)Pulse Width (s)Figure 15: Single Pulse Power Rating Junction-to-Ambient (Note H)R θJA =55°C/WVdsChargeGate Charge Test Circuit & WaveformVdsUnclamped Inductive Switching (UIS) Test Circuit & Waveforms2E = 1/2 LI AR ARVddResistive Switching Test Circuit & Waveforms90%10%VddIdVgsBV DSSI ARVdd。