第四章输入输出特性曲线分析

图c
详细解析输入特性曲线和输出特性曲线的机理：
图d
图d为输出特性曲线 iC=f(vCE) iB= 常数 放大区，不同的iB对应不同的iC， iC=βiB，以某个iB 为例。 ① VCE很小（为0）时，JC无反偏，也就没有iC； ② VCE开始逐渐增加，此时基区堆积已经有固定数 量的电子，所以随着Jc开始反偏， iC也开始增加； ③ VCE继续增加，同样因为iB是固定的，堆积的电子数 也是固定的，因此，当VCE增加到一定数值后，原 来堆积的电子（注意是单位时间内堆积的）就已全 部被拉到C区了，此时即使再增加电压VCE也不会使 iC增加了； ④ 而对于不同的iB（其实也就是不同的VBE），当VCE 很小（为0）时堆积在B区的电子数是不一样的， iB 越大堆得越多，也就需要更大的VCE才能将堆积的 电子全部拉走，即这时VCE增加 iC也继续增加，然 后才会在某一电压下转折； ⑤ 放大区，曲线的间距相等是因为满足： iC=βiB
详细解析输入特性曲线和输出特性曲线的机理：
图d为输出特性曲线 ① 截止区讨论： 若iB很小（其实也就是对应的VBE很小），即基区没 有从发射区来的多余电子，则VCE再大也只是本身 的少子漂移， 形成的iC电流很小很小（几乎为0）， 称为截止区； ② 饱和区讨论：（VCE很小的那个区域） 由于有一定的VBE，所以大量电子积压在基区，而且 VBE不同积压的数量也不同，但即使将VBE（ iB）增 加很多，但由于此时没有VCE，即JC没有收集电子到 集电区的能力，所以iC几乎不增加。这种情况当VCE 很小的时候也是这样。因此叫饱和区（再怎么增加iB iC也几乎不增加，就像一个小水杯倒满了水，再倒里 面的水也不会再增加的现象一样，即“饱和”）； 所以： 电子能否通过Jc取决于VCE， 而当VCE足够大后， iC的大小就要取决于 iB了
详细解析输入特性曲线和输出特性曲线的机理：
图a为放大的必要条件，即Je正偏，Jc反偏
从图中可以看出，实际上，VCE=VCB+VBE （解释：电压从C到E逐渐降低）
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+ 图a
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图b为共射极接法，判断是否在放大区： ① Je正偏毫无问题； ② Jc是否反偏，即是否VC>VB，即VCB>0； 因为 VCB=VCE-VBE； 所以，只要VCC>VBB就可以满足。 图b 图c为输入特性曲线 iB=f(vBE) vCE= 常数 ① VCE为0时（即不接C、E间电压），就是普通的 二极管伏安特性曲线，此时Jc没有拉电子的能力 ② 当VCE>0时（理解为Jc开始反偏），对于同样的 VBE，由于C区开始拉走电子，对应的iB必然减 小，形成不同的VCE时曲线右移的情况 ③ 当VCE>1时，曲线基本不再移动（即此时该被拉 走的电子已基本走了，所以不会再减少了） ④ 强调今后只研究右边这一条！
图d 注意： 截止区和饱和区 不满都能过去呢？ 显然，是因iB的不同而不同。 iB大也就堆积的多，就需要VCE也大。工程 上，一般取个均值：0.3V左右。