测量光耦响应时间的简单电路
简易常用光耦测试电路只要6个元件
简易常用光耦测试电路只要6个元件
这个电路是在一个主板维修基地看到的，感觉非常不错，因为目前开关电源也是需要光耦的，我画了3个电路方案，红框方案建议有小阻值大功率电阻的尝试因为发热会很大
材料：
洞洞版
1K电阻
560电阻
4脚IC座
LED发光二极管
排针（Cr2032电池也可以）
用排针或者开关可以改装两用测量4角和6脚都可以
[hr]
左上是适用常见的光耦如PC817非常常见用途广泛
左下是适用常见的6脚光耦
红框方案是无意间想出来的，试验了一下可调电阻发热非常大，
面包板试验电路光耦是PC817 光耦输入限流是510 输出限流是560 VCC是 USB 5V 500mA
还没有剪裁板子很小我这个都是正极直接接入光耦，限流都接在负极，和电路图不一样
背面电路没走多少线。
光耦测试之频率篇
光耦测试之频率篇光耦全称光耦合器（opticalcoupler），它是以光为媒介来传输电信号的器件，输入与输出之间除了光束外无其它任何连接，完全隔离。
在数字电路应用广泛。
根据输出类型一般有如下几类：晶体管输出、高速集成电路输出、三端双向可控硅输出和光控继电器。
在电路设计中以晶体管输出和高速集成电路输出使用居多，本次测试的光耦选用这两类为样品。
光耦的响应频率与光耦的打开关闭速度即上升沿与下降沿时间有关，其中上升沿与光耦的输入电流有关，输入电流越大，上升沿越短。
下降沿与光耦的输出负载有关，负载越重电流释放越快，下降沿也越长。
本测试使用的电路如下：图1输入信号由FPGA提供，高电平3.3V，输出为24V系统。
考虑到光耦输入很多是由单片机之类的提供，其驱动电流有限，最大的也就十几毫安，因此测试是选用10mA的输入电流，因不同光耦的压降不同，需通过可调电位器R2进行微调。
一般晶体管输出（不包括达林顿输出，关于该类型光耦后文有讨论）的光耦输出电流可到50mA，在测试中我们在输出端串上一只1k的电阻，然后施加24V的电压，此时的负载电流约23mA，接近标称值的一半。
测试样品：TLP521-1,PS2801-1,PS2805-1,TLP127,TLP181,HCPL0601测试使用频率分档：40M、20M、10M、8M、6.15M、4M、2M、1M、800K、615K、400K、200K、100K、80K、61.5K、40K、20K、10K、8K、6.15K、4K、2K、1K测试结果：测试中发现TLP127的关闭时间很长，该光耦为达林顿管输出，其原因可能是由于达林顿管的输出电流能力较强，最大可达150mA，而我们测试电路的负载较小，输出端泻电流较慢，导致电平保持时间、关断时间等都很长。
在4K波形中可以看到，电流尚未来得及完全释放下一个上升沿即已经开始，此时的信号输出已经无法正常使用。
芯片手册上给出的参数亦是如此，在典型电路的测试中（详情请参阅厂家的数据手册）关断时间达到80us，因此在使用该类型光耦是要注意。
光耦测试方案
光耦测试方案一、引言光耦（Optocoupler）是一种常用的光电器件，它能够将输入信号电气隔离，实现信号的传输和隔离。
在电子设备中广泛应用于信号传输和电气隔离等场合。
为了保证光耦性能的稳定和可靠性，光耦测试方案变得尤为重要。
本文将介绍一种光耦测试方案，旨在为生产厂家提供一种高效、准确的测试方式，以保证光耦产品的质量和可靠性。
二、测试设备准备1. 示波器：用于观测和测量光耦的电压波形和频率等参数。
2. 信号发生器：用于产生不同频率和幅度的测试信号。
3. 万用表：用于测量光耦的电阻、电流等参数。
4. 电源：用于给光耦提供稳定的工作电压。
三、测试步骤1. 准备工作：将光耦产品连接到测试设备，确保连接正常且稳固。
2. 电阻测试：使用万用表，测量光耦的输入和输出端之间的电阻。
根据产品规格书的要求，判断光耦的绝缘电阻是否满足要求。
3. 电流测试：使用万用表，测量光耦的输入和输出端的电流。
根据产品规格书的要求，判断光耦的输入和输出端的电流是否符合要求。
4. 频率响应测试：使用信号发生器产生不同频率的测试信号，并通过示波器观测光耦的输出波形和频率响应。
根据产品规格书的要求，判断光耦的频率响应是否符合要求。
5. 电压波形测试：使用信号发生器产生不同幅度的测试信号，并通过示波器观测光耦的输出波形和电压波形。
根据产品规格书的要求，判断光耦的电压波形是否满足要求。
6. 耐压测试：使用专用的高压电源，给光耦施加一定的工作电压和持续时间，观测光耦是否能够正常工作并且没有破坏。
根据产品规格书的要求，判断光耦的耐压性能是否满足要求。
四、数据分析与记录1. 将测试设备所测得的数据进行整理并记录，包括电阻、电流、频率响应、电压波形等参数。
2. 根据产品规格书的要求，进行数据分析和比对，判断光耦的性能是否符合要求。
3. 对于不合格的光耦产品，及时进行修复或更换，并记录相应的处理措施。
五、测试结果评估与报告1. 根据测试数据的分析，判断光耦产品的整体质量和可靠性。
简易光耦芯片测试电路
简易光耦芯片测试电路光电耦合器广泛应用于可编程序控制器、变频器、家用电器、工业生产等各个行业的电子装置中，其作用众所周知：信号的隔离、耦合传输，对电子装置高压系统电路发生故障，不会波及控制系统。
在电路维修中，为快速高效判断其好坏，本人设计自制了一款体积小巧、精准度的光耦芯片测试电路。
一、工作原理电路原理如图1 所示，电路用9V 可充电层叠电池供电，循环使用，绿色环保，便于携带。
图中ICx 为16 脚带锁活动插座，待测光耦按脚定位放入插座并锁紧。
R1 与RP 和R6 组成分压调整限流电路，R6 在测试多通道光耦芯片时同时也作均压电阻使用，以保证多通道内的多只发光二极管所加电压相同。
图1 实用简易光耦芯片测试电路原理图LED1~LED4 和R2~ R5 为对应光耦IC 芯片输出指示电路，调整Rp 的阻值可改变UA 点电压，供被测光耦芯片内发光二极管的亮度调整，对应光耦芯片内部光敏晶体管的阻值发生变化导致LED1~LED4 亮度发生变化。
Rp 逐步减小，对应输出的LED 逐步变亮，以判断其光耦对应通道的好坏。
K1 和K2 为光耦芯片种类测试选择转换开关。
二、测试电路的使用方法在活动插座ICx 内放入TLP621 或TLP6214 等系列单路和四路光耦芯片锁紧，K 闭合，K1 和K2 不动，逐步调整Rp 由大到小，此时A 点电压UA 可以从0.77~1.10V 变化。
对应LED1 或LED1~LED4 将由灭逐步到全亮。
反之逐步调整Rp 由小到大，对应LED1或LED1~LED4 由全亮到灭，判定被测IC 芯片好。
若LED1 或LED1~LED4 不亮，对四通道光耦来说要的亮度可调有的LED 不亮，视为IC 芯片损坏或部分损坏。
在ICx 内放入高速光耦4N35 等系列芯片锁紧，4N35 等系列芯片有二种测试方式：1. 普通光耦测试K 闭合，按下K1（断开），再按下K2（K2a 和K2c 闭合，K2b 和K2d 断开）。
实验五 光电元件的时间响应测量
一、实验目的：
学习如何测量元件的时间常数的方法；比较不同种类元件的时间特性；掌握上升 时间与下降时间的定义。
二、仪器提示
示波器（具有交变信号输出功能以及交变信号的读取功能），发光二极管，电阻， 万用表，光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池。
三、实验内容：
四、设计提示
1、选择合适的负载电阻，如果负载电阻过小，输出信号会太小，不利于观察。 （请使用万用板、鳄鱼夹固定电路） 2、由光敏元件串联负载电阻，观察负载的输出，不要观察光敏元件的电压输出。 因为负载输出提供的信噪比好很多。 3、设计思路：发光二极管发出频闪的光，当发光频率和光敏元件的上升时间与 下降时间相比拟的时候，可以在示波器上看到负载输出的波形，用手机或者其他 电子设备记录下波形，则可以计算出上升时间和下降时间。
1、设计并搭建测量光敏电阻的时间常数的电路，电路中与光敏电阻串联，选择 负载 1。 2、输入阶梯信号，测量光敏电阻的时间特性，记录上升时间和下降时间。 3、改换负载电阻 2，重复以上实验。 4、对光敏二极管重复以上实验，并使用两种不同的负载，测量该类型光敏二极 管的上升时间与下降时间。 5、对光敏三极管重复以上实验，并使用两种不同的负载，测量该类型光敏三极 管的上升时间与下降时间。 6、对硅光电池重复以上实验，使用一种负载，测量该类型硅光电池的上升时间 与下降时间。
五、测量数据要求：
1、光敏电阻+负载 1 的上升时间与下降时间 2、光敏电阻+负载 2 的上升时间与下降时间 3、光敏二极管+负载 1 的上升时间与下降时间 4、光敏二极管+负载 2 的上升时间与下降 时间 5、光敏三极管+负载 1 的上升时间与下降时间 6、光敏三极管+负载 2 的上升时间与下降时间 7、硅光电池+负载的上升时间与下降时间 8、画出实验时观测响应时间的波形（若用手机拍摄的图，可贴图打印或手画）。 9、在同一个表格内比较以上元件的上升时间和下降时间。 思考题： 1、说明测量原理。 2、请写出测量的时间常数是否完全反映光敏元件自身的时间特性，还有哪些因 素会干扰测量结果。 3、比较四种元件的时间特性。
交流电过零点检测电路总结
交流电过零点检测电路总结交流电过零点检测电路总结交流电的过零点检测⽅案较多，⽬前较常见的也是我之前所使⽤的⽅案如图1所⽰：图1 交流电光耦过零检测电路图1的电路可以检测到交流电经过零点的时间，但是它存在诸多的弊端，现列举如下：1. 电阻消耗功率太⼤，发热较多。
220V交流电，按照有效值进⾏计算三个47K的电阻平均每个电阻的功率为220^2/(3*47k)/3=114.42mw。
对于0805的贴⽚电阻按照1/8w的功率计算，当前的消耗功率接近其额定功率，电阻发热⼤较⼤。
同时需要注意市电的有效值为220V，其峰值电压为311V，以此计算我们可以得到每个电阻的瞬时最⼤功率为228mw，严重超过了电阻的额定功率，因此使⽤是存在危险的。
2. 光耦的过零点反应速度慢,TZA上升沿时间长。
实际测试发现光耦过零点上升沿和下降沿的跳变时间为120us左右(⾼低电平压差为3.3V)。
对于⼀般的应⽤可以接受，但是对于通信中的同步应⽤该反应时间将严重影响通信质量。
因为在120us内都可以认为是发⽣了过零事件，也就是说我对过零的判断可能存在最⾼达120us的偏差。
3. 根据光耦的导通特性，该电路的零点指⽰滞后实际交流电发⽣的零点。
滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦⼀般就已经导通了。
现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。
假设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。
4. 光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品⼀致性差。
假设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。
⽽因为期间的⼀致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。
现假设⼀致性带来的最低导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us！(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别最⼤的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。
简易光耦芯片测试电路
５）Ｈ１１ＡＡ８１４（Ａ）
ＬＴＶ８ Ｔ４＾ＴＬＰ３２０
ｎＰ６２０ ＰＳ２５０１
ＰＳ２５６１ ８１７ ＫＰｌ０１０ ＫＰＣ８１ ７Ｄ ＰＣ８１５
ＴＬＰ５２１—－３ ＰＳ２４０１——３ ＰＳ２４０３－－３
ＰＳ２５０１—－３
幂幂￥
１２唧３通道光耦
ＮＪＬ５１５３／ＯＭ）ＰＣ８３７ ＰＣ５０７３ Ｇ｝Ｃ５１０２ ３
０ ７７～１
１０Ｖ变化。对应ＬＥＤｌ或ＬＥＤｌ～ＬＥＤ４将由灭
逐步到全亮。反之逐步调整Ｒｐ由小到大．对应ＬＥＤｌ 或ＬＥＤｌ～ＬＥＤ４由全亮到灭．判定被测Ｉｃ芯片好。若 ＬＥＤｌ或ＬＥＤｌ～ＬＥＤ４不亮，对四通道光耦来说要的亮 度可调有的ＬＥＤ不亮．视为ｌｃ芯片损坏或部分损坏。 在ＩＣｘ内放人高速光耦４Ｎ３５等系列芯片锁紧， ４Ｎ３５等系列芯片有二种测试方式： １普通光耦测试 Ｋ闭合．按下Ｋ１（断开）．再按下Ｋ２（Ｋ２ａ和 Ｋ２ｃ闭合．Ｋ２ｂ和Ｋ２ｄ断开）。然后调蹙Ｒｏ由大逐步
电路原理如图１所示，电路用９ｖ可充电层叠 电池供电，循环使用，绿色环保。便于携带。图中 ＩＣｘ为１６脚带锁活动插座．待测光耦按脚定位放＾ 插座并锁紧。Ｒ１与ＲＰ和Ｒ６组成分压调整限流电 在活动插座ＩＣｘ内放八ＴＬＰ６２１或ＴＬＰ６２１４等 系列单路和四路光耦芯片锁紧．Ｋ闭合，Ｋ１和Ｋ２不 动．逐步调整ＲＤ由大到小．此时Ａ点电压ＵＡ可以从
减小，此时ＵＡ由从０ 图１ 实用简易光耦芯片测试电路原理固
２０１１
７８～１
１７Ｖ变化。ＬＥＤｌ由灭到最亮．
万方数据
０６－窀芎爿咋－４７
赢
反之由最亮到灭，普通功能测试结束。若不亮或亮度不 可调．该ｌｃ芯片损坏。 ２高速光耦功能测试 Ｋ闭台，Ｋ１不按（闭合），按下Ｋ２（Ｋ２ａ和Ｋ２ｃ
光电耦器ＣＲＴ的简易测试及应用
光电耦器ＣＲＴ的简易测试及应用光电耦器ＣＲＴ的简易测试及应用光电耦合器具有体积小、使用寿命长、工作温度范围宽、抗干扰性能强．无触点且输入与输出在电气上完全隔离等特点，因而在各种电子设备上得到广泛的应用．光电耦合器可用于隔离电路、负载接口及各种家用电器等电路中．下面介绍最常见的应用电路．1.组成开关电路图1电路中，当输入信号ui为低电平时，晶体管V1处于截止状态，光电耦合器B1中发光二极管的电流近似为零，输出端Q11、Q12间的电阻很大，相当于开关“断开”；当ui为高电平时，v1导通，B1中发光二极管发光，Q11、Q12间的电阻变小，相当于开关“接通”．该电路因Ui为低电平时，开关不通，故为高电平导通状态．同理，图2电路中，因无信号(Ui为低电平)时，开关导通，故为低电平导通状态．2．组成逻辑电路图3电路为“与门”逻辑电路。
其逻辑表达式为P=A．B.图中两只光敏管串联，只有当输入逻辑电平A=1、B=1时，输出P=1．同理，还可以组成“或门”、“与非门”、“或非门”等逻辑电路．3．组成隔离耦合电路电路如图4所示．这是一个典型的交流耦合放大电路．适当选取发光回路限流电阻Rl，使B4的电流传输比为一常数，即可保证该电路的线性放大作用。
4．组成高压稳压电路电略如图5所示．驱动管需采用耐压较高的晶体管(图中驱动管为3DG27)。
当输出电压增大时，V55的偏压增加，B5中发光二极管的正向电流增大，使光敏管极间电压减小，调整管be结偏压降低而内阻增大，使输出电压降低，而保持输出电压的稳定．5.组成门厅照明灯自动控制电路电路如图6所示。
A是四组模拟电子开关（S1~S4）：S1，S2，S3并联（可增加驱动功率及抗干扰能力）用于延时电路，当其接通电源后经R4，B6驱动双向可控硅VT，VT直接控制门厅照明灯H；S4与外接光敏电阻Rl等构成环境光线检测电路。
当门关闭时，安装在门框上的常闭型干簧管KD受到门上磁铁作用，其触点断开，S1，S2，S3处于数据开状态。
光电耦合器的检测方法
光电耦合器的检测方法判断光耦的好坏，可在路测量其内部二极管和三极管的正反向电阻来确定。
更可靠的检测方法是以下三种。
１．比较法拆下怀疑有问题的光耦，用万用表测量其内部二极管、三极管的正反向电阻值，用其与好的光耦对应脚的测量值进行比较，若阻值相差较大，则说明光耦已损坏。
２．数字万用表检测法下面以ＰＣ１１１光耦检测为例来说明数字万用表检测的方法，检测电路如图１所示。
检测时将光耦内接二极管的＋端{1}脚和－端{2}脚分别插入数字万用表的Ｈfe的ｃ、ｅ插孔内，此时数字万用表应置于ＮＰＮ挡；然后将光耦内接光电三极管ｃ极{5}脚接指针式万用表的黑表笔，ｅ极{4}脚接红表笔，并将指针式万用表拨在Ｒ×１ｋ挡。
这样就能通过指针式万用表指针的偏转角度——实际上是光电流的变化，来判断光耦的情况。
指针向右偏转角度越大，说明光耦的光电转换效率越高，即传输比越高，反之越低；若表针不动，则说明光耦已损坏。
３．光电效应判断法仍以ＰＣ１１１光耦合器的检测为例，检测电路如图２所示。
将万用表置于Ｒ×１ｋ电阻挡，两表笔分别接在光耦的输出端{4}、{5}脚；然后用一节１．５Ｖ的电池与一只５０～１００Ω的电阻串接后，电池的正极端接ＰＣ１１１的{1}脚，负极端碰接{2}脚，或者正极端碰接{1}脚，负极端接{2}脚，这时观察接在输出端万用表的指针偏转情况。
如果指针摆动，说明光耦是好的，如果不摆动，则说明光耦已损坏。
万用表指针摆动偏转角度越大，表明光电转换灵敏度越高。
高速光电耦合器(光耦)6N1376N137光耦合器是一款用于单通道的高速光耦合器，其内部有一个850 nm波长AlGaAs LED和一个集成检测器组成，其检测器由一个光敏二极管、高增益线性运放及一个肖特基钳位的集电极开路的三极管组成。
具有温度、电流和电压补偿功能，高的输入输出隔离，LSTTL/TTL兼容，高速(典型为10MBd)，5mA的极小输入电流。
其工作原理是: 6N137的结构原理如图1所示，信号从脚2和脚3输入，发光二极管发光，经片内光通道传到光敏二极管，反向偏置的光敏管光照后导通，经电流-电压转换后送到与门的一个输入端，与门的另一个输入为使能端，当使能端为高时与门输出高电平，经输出三极管反向后光电隔离器输出低电平。
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交流电过零点检测电路总结交流电的过零点检测方案较多，目前较常见的也是我之前所使用的方案如图1所示：图1 交流电光耦过零检测电路图1的电路可以检测到交流电经过零点的时间，但是它存在诸多的弊端，现列举如下：1.电阻消耗功率太大，发热较多。
220V交流电，按照有效值进行计算三个47K的电阻平均每个电阻的功率为220^2/(3*47k)/3=114.42mw。
对于0805的贴片电阻按照1/8w的功率计算，当前的消耗功率接近其额定功率，电阻发热大较大。
同时需要注意市电的有效值为220V，其峰值电压为311V，以此计算我们可以得到每个电阻的瞬时最大功率为228mw，严重超过了电阻的额定功率，因此使用是存在危险的。
2.光耦的过零点反应速度慢,TZA上升沿时间长。
实际测试发现光耦过零点上升沿和下降沿的跳变时间为120us左右(高低电平压差为3.3V)。
对于一般的应用可以接受，但是对于通信中的同步应用该反应时间将严重影响通信质量。
因为在120us内都可以认为是发生了过零事件，也就是说我对过零的判断可能存在最高达120us的偏差。
3.根据光耦的导通特性，该电路的零点指示滞后实际交流电发生的零点。
滞后时间可以根据光耦的导通电流计算，NEC2501的典型值是10ma，实际上，当前向电流达到1ma的时候光耦一般就已经导通了。
现以1ma电流计算，电阻3×47k=141k,则电压为141V，相应的滞后零点时间约为1.5ms。
假设0.5ma导通则电压为70V，则滞后时间为722us。
4.光耦导通时间较长，即光耦电流由0变为导通电流这个渐变过程较长，导致光耦特性边缘时间差异明显，产品一致性差。
假设以1ma作为光耦的导通电流，那么在220v交流电由0V变化到141V的过程需要1.5ms。
而因为期间的一致性问题，部分光耦可能会在0.5ma的时候就导通，部分可能在0.7ma的时候导通。
现假设一致性带来的最低导通电流为0.5ma，那么对应导通电压为71V，对应滞后零点时间为736us，这表明，不同光耦之间零点差异可能达到764us！(实际测试中我检测了10个样品，其中两个光耦导通性能差别最大的时间差达到50us，其他普遍在10us左右)。
光耦电路_精品文档
光耦电路一、概述光耦电路是一种利用光敏元件（光电二极管或光敏三极管）和晶体管（BJT）或场效应晶体管（FET）构成的电路。
它具有输入与输出之间的电气隔离作用，广泛应用于电子设备中。
二、工作原理光耦电路的基本工作原理是利用光敏元件的光电效应将光信号转换为电信号，并通过晶体管或场效应晶体管放大和驱动输出电路。
光敏元件一般由半导体材料制成，当光照射到光敏元件上时，光子的能量将激发出载流子，从而改变材料的电导率。
晶体管或场效应晶体管则起到放大和转换电信号的作用。
光耦电路的输入与输出之间有一层光隔离层，能够有效地隔离输入和输出之间的电气干扰，保证设备的安全性和稳定性。
在光电耦合器件上，输入端是光敏元件，通过光隔离层与输出端的放大电路相连。
当输入端有光照射时，会产生电信号，通过放大电路可以将信号放大并驱动负载。
三、应用领域光耦电路在电子设备中有着广泛的应用。
1. 软件控制接口在电脑或嵌入式系统中，光耦电路可以作为软件控制接口的一部分。
通过光敏二极管将光信号转换成电信号后，可以与电脑或嵌入式系统进行通信，实现信息的传输和控制。
2. 电能测量光耦电路可以作为电能测量装置的一部分，将电能信号转换成光信号，通过光隔离层隔离输入和输出，确保测量的准确性和安全性。
3. 高频信号隔离在高频电路中，由于信号的频率较高，晶体管或场效应晶体管的开关速度很快，容易产生电气干扰。
通过光耦电路可以实现输入与输出之间的电气隔离，有效地降低电气干扰，提高系统的抗干扰性能。
4. 传感器驱动光耦电路可以作为传感器的驱动器，将传感器输出的信号转换为电信号，并通过放大电路将信号放大，以便控制其他设备的工作。
四、优缺点1. 优点•具有电气隔离功能，可以有效地隔离输入和输出之间的干扰；•光敏元件具有快速响应的特点，适用于高频信号的传输；•具有较高的输入电阻和较低的输出电阻，可以适配不同的负载。
2. 缺点•光敏元件对环境光敏感，需要在实际应用中进行屏蔽；•输出信号受限于光敏元件和放大电路的性能，可能存在一定的失真。
光藕应该怎么测量？
光藕应该怎么测量？这个问题需要从两方面来说明，首先我们要明白光耦的工作原理，其次才是如何测试光耦。
一、光电耦合器简介光电耦合器简称光耦，是以光为传输媒介传输电信号的电子器件，它通过其内部的“电-光-电”转换实现信号的耦合与传输。
根据光电耦合器内部输出电路的不同，光电耦合器可分为光电二极管型、光电三极管型、达林顿管型、晶闸管型、集成电路型等。
光电耦合器的特点是输入端与输出端既能传输电信号、又同时具有电的隔离性。
光电耦合器的结构：将一个发光二极管与一个光电三极管密封在一起，发光二极管是输入端，光电三极管是输出端。
输入信号使发光二极管发光，光电三极管接受光照后就产生光电流，并可在其负载电阻上得到输出信号，从而实现了电信号的隔离传输。
光电耦合器的用途主要是隔离传输和隔离控制。
在隔离耦合、电平转换、机电控制等方面广泛使用。
二、光电耦合器的检测光电耦合器的输入端与输出端之间时绝缘的，所以，检测光电耦合器时应分别检测其输入端和输出端。
1、检测输入端将万用表置于电阻测量档，分别检测光电耦合器输入端发光二极管的正、反向电阻。
正常情况下其正向电阻约为几百欧姆，反向电阻约为几十千欧。
需要说明的是，光电耦合器中的发光二极管正向管压降比普通发光二极管的低，在1.3V以下。
2、检测输出端光电耦合器的输出部分有多种形式，以光电三极管型光电耦合器为例，在光电耦合器输入端悬空的前提下，检测光电耦合器输出端两引脚（及内部光电三极管的c.e极）之间的正、反向电阻，均应为无穷大。
3、检测光电传输性能检测时，用3V直流电源串接一个限流电阻，给光电耦合器输入端接正向电压，这时光电耦合器的输出部分光电三极管应导通，两个引脚之间的阻值很小。
当输入端正向电压去掉时，光电耦合器的输出光电三极管应截止，所测得的阻值应为无穷大。
如果不是这种情况，说明光电耦合器已损坏。
4、检测绝缘性能检测时，测量光电耦合器的输入端与输出端之间任意两个引脚之间的电阻，均应为无穷大。
7800光耦测量方法
7800光耦测量方法光耦是一种将输入端和输出端隔离的元件，可以实现电气信号和光信号之间的相互转换。
在测量光耦的性能和参数时，可以采用下面的方法。
1.测量输入端电流：测量光耦输入端的电流可以使用万用表的电流测量档位。
首先将光耦的输出端短路，然后将万用表插入光耦的输入端和负极之间，测量出的电流即为输入端电流。
需要注意的是，在测量时应该选择适当的量程，并确保万用表的内阻较大，以尽量减小测量误差。
2.测量输出端电压：测量光耦输出端的电压可以使用示波器的电压测量功能。
将示波器的探头分别连接到光耦输出端的正极和负极，选择适当的电压测量档位，观察示波器屏幕上显示的电压波形。
输出端电压可以反映光耦的输出能力和信号质量。
3.测量响应时间：测量光耦的响应时间可以使用示波器结合信号源进行测试。
首先给光耦的输入端输入一个方波信号，频率一般为几十赫兹到几百赫兹，通过示波器观察光耦输出端得到的波形，观察波形的上升时间和下降时间，两者之和即为光耦的响应时间。
4.测量灵敏度：测量光耦的灵敏度可以使用不同输入电流对应的输出电压进行测试。
首先给光耦的输入端输入一系列不同大小的电流，记录下对应的输出电压。
然后根据输出电压和输入电流的关系，可以计算出光耦的灵敏度。
灵敏度越高表示光耦的输出电压对输入电流的变化越敏感。
5.测量耐压特性：测量光耦的耐压特性可以使用高压电源进行测试。
将高压电源的电压逐渐提高，分别对光耦的输入端和输出端进行测量，直到达到光耦规格表中所标注的最高耐压值为止。
对于输入端，可以测量其与输出端之间的绝缘电阻，以保证输入端对外界高压的绝缘性能。
以上是几种常用的光耦测量方法，可以帮助我们全面了解和评估光耦的性能和参数。
在实际应用中，可以根据具体需求选择适当的测量方法，并结合其他参数进行综合评估。
光电探测器光谱响应度和响应时间的测量(刘1)
光电探测器光谱响应度的测量光谱响应度是光电探测器的基本性能之一，它表征了光电探测器对不同波长入射辐射的响应。
通常热探测器的光谱响应比较平坦，而光子探测器的光谱响应却具有明显的选择性。
一般情况下，以波长为横坐标，以探测器接受到的等能量单色辐射所产生的电信号的相对大小为纵坐标，绘出光电探测器的相对光谱响应曲线。
典型的光子探测器和热探测器的光谱响应曲线如图1－1所示。
一、实验目的（1）加深对光谱响应概念的理解； （2）掌握光谱响应的测试方法；（3）熟悉热释电探测器和硅光电二极管的使用。
二、实验内容（1）用热释电探测器测量钨丝灯的光谱辐射特性曲线； （2）用比较法测量硅光电二极管的光谱响应曲线。
三、基本原理光谱响应度是光电探测器对单色入射辐射的响应能力。
电压光谱响应度()λV ℜ定义为在波长为λ的单位入射辐射功率的照射下，光电探测器输出的信号电压，用公式表示，则为()()()λλλP V V =ℜ （1－1）而光电探测器在波长为λ的单位入射辐射功率的作用下，其所输出的光电流叫做探测器的电流光谱响应度，用下式表示()()()λλλP I i =ℜ （1－2） 式中， P (λ)为波长为λ时的入射光功率；V (λ)为光电探测器在入射光功率P (λ)作用下的输出信号电压；I (λ)则为输出用电流表示的输出信号电流。
为简写起见，()λV ℜ和()λi ℜ均可以用()λℜ表示。
但在具体计算时应区分()λV ℜ和()λi ℜ，显然，二者具有不同的单位。
通常，测量光电探测器的光谱响应多用单色仪对辐射源的辐射功率进行分光来得到不同波长的单色辐射，然后测量在各种波长辐射照射下光电探测器输出的电信号V (λ)。
然而由于实际光源的辐射功率是波长的函数，因此在相对测量中要确定单色辐射功率P (λ)需要利用参考探测器（基准探测器）。
即使用一个光谱响应度为()λfℜ的探测器为基准，用同一波长的单色辐射分别照射待测探测器和基准探测器。
一种测量光耦响应时间的简单方案
一种测量光耦响应时间的简单方案光耦在电路中的作用主要是对光电进行转换，并且起到一定的隔离作用。
因此相应时间就成为了一个开发者们关心的话题，在本文中，小编将为大家介绍测量光耦响应时间的电路设计，感兴趣的朋友快来看一看吧。
本例中的电路可以用于测量光敏电阻型光耦的启动与恢复时间（图1）。
这些光耦器件一般用于音频压缩器或音量控制电路。
本设计使用了一只振荡的施密特触发器，在其反馈回路中有光耦DUT（待测器件）。
光敏电阻与电阻R1构成一个分压器，控制施密特触发器的输入。
光耦的LED连接到触发器的输出端。
用示波器或数字万用表就可以测量输出脉冲的周期。
负输出脉冲的周期等于开关导通时间，或启动时间。
正脉冲的周期则等于开关断开时间，或恢复时间。
启动与恢复时间取决于R1的值;改变R1的值就可以观察到两个时间。
使用图1中的元件值时，输出脉冲的周期为启动时间0.15ms，恢复时间为2.7ms。
图1，在振荡电路的反馈回路中加入一个光敏电阻，就可以测出光耦的上升时间和下降时间。
在振荡期间，光敏电阻的阻值从RP1变化至RP2。
电路根据R1、电源电压，以及施密特触发器阈值电压，扫过这些光敏电阻值，如下式：RP1=R1×VT2/（VCC-VT2），以及RP2=R1×VT1/（VCC-VT1），其中，VT1为施密特触发器的正向阈值电压，VT2为负向阈值电压。
采用74HC14逻辑系列器件时，可以从数据表中找到阈值电压以及电源电压，从而按下式得到典型值： VT1=0.53×VCC，以及VT2=0.31×VCC。
用5V电源电压时，解出下列方程可得光敏电阻的区间为：RP1=0.45×VR1。
如何用电路实现检测过零点？这个简单电路就能搞定
如何用电路实现检测过零点？这个简单电路就能搞定
1基本原理图：
在本设计中，可以为电机调速作为依据，在电控中主要为强电通讯作为时间参考。
2工作原理简介:
上述强电过零检测电路，提供+5V电源。
该电路可以实现对AC强电进行过零点的检测。
由于L和N_IN为AC 220V的正选波，大部分电压加在功率电阻R29上后，小部分电压加在双向光耦IC8上。
正选波为正向时，光耦A为正极;反向时,光耦K为正极。
光耦的正向导通时，光耦发送一个零点电压，完成每次的过零采样，控制芯片通过对ZeroInt信号的采集即可基本判断出AC过零点。
若L和N_IN采样电压频率为F，则经光耦处理后ZeroInt的电压频率为2F。
L或N_IN、光耦输入及ZeroInt点的电压波形如下图：
3各个元器件的选择和作用：
功率电阻R29，对AC交流输入起限流作用，选用15K/2W;
滤波电容C26，选用插件或者贴片，容值选用223（C26-1为备用元件，做调试用）；
双向光耦IC8，选用TLP620；
分流电阻R31，可以选用贴片封装或者插件封装，阻值4.7K；
限流电阻R32, 可以选用贴片封装或者插件封装，阻值1K。
光耦测试电路
光电耦合器运用广泛，笔者依据光电耦合器特性，设计一个方便的测试光电耦合器电路，该电路简单、准确，使用方便。
电路原理
当电源接通后，LED不发光。
按下S2，LED会发光。
调RP，LED的发光强度会
发生变化，说明光电耦合器是好的。
印刷电路板图如下图，电池采用3V纽扣电池，电池安装在印刷板的铜箔面，用铜片扣住并焊稳即可。
本印刷板适合用于TLP621、TLP521、TLP321、TLP124、TLP121、PC817、PC713、PC617、ON3111、ON3131以及TLP332、TLP532、TLP632、TLP634、TLP732、CNX82A、FX0012CE，在使用4个脚的光电耦合器器时把S3的1、2脚短路；在使用6个脚的光电耦合器时请把S3的2、3脚短路。
(改编自《电子报》、内蒙、王静东)。
光电耦合器的使用常识和简易测试方法
光电耦合器的使用常识和简易测试方法2012年05月16日 15:53 作者：潮光光耦网用户评论（4）关键字：由于光电耦合器的组成方式不尽相同，所以在检测时应针对不同的结构特点，采取不同的检测方法。
例如，在检测普通光电耦合器的输入端时，一般均参照红外发光二极管的检测方法进行。
对于光敏三极管输出型的光电耦合器，检测输出端时应参照光敏三极管的检测方法进行。
1.万用表检测法。
这里以MF50型指针式万用表和4脚PC817型光电耦合器为例，说明具体检测方法：首先，按照图1（a）所示，将指针式万用表置于“R×100”（或“R×1k”）电阻挡，红、黑表笔分别接光电耦合器输入端发光二极管的两个引脚。
如果有一次表针指数为无穷大，但红、黑表笔互换后有几千至十几千欧姆的电阻值，则此时黑表笔所接的引脚即为发光二极管的正极，红表笔所接的引脚为发光二极管的负极。
然后，按照图1（b）所示，在光电耦合器输入端接入正向电压，将指针式万用表仍然置于“R×100”电阻挡，红、黑表笔分别接光电耦合器输出端的两个引脚。
如果有一次表针指数为无穷大（或电阻值较大），但红、黑表笔互换后却有很小的电阻值（＜100Ω），则此时黑表笔所接的引脚即为内部NPN型光敏三极管的集电极c、红表笔所接的引脚为发射极e。
当切断输入端正向电压时，光敏三极管应截止，万用表指数应为无穷大。
这样，不仅确定了4脚光电耦合器 PC817的引脚排列，而且还检测出它的光传输特性正常。
如果检测时万用表指针始终不摆动，则说明光电耦合器已损坏。
光电耦合器的检测图1需要说明的是：光电耦合器中常用红外发光二极管的正向导通电压较普通发光二极管要低，一般在1.3V 以下，所以可以用指针式万用表的“R×100”电阻挡直接测量，并且图 1（b）中的电池G电压取1.5V（用1节5号电池）即可。
还可用图1（a）所示的万用表接线直接取代图1（b）所示的输入端所接正向电压（即电阻器R和电池G），使测量更方便，只不过需要增加一块万用表。
光耦测延迟试验
光耦试验Ⅱ今天对光耦的测试重新做了实验，修改了一下实验电路，在反相器输出端在接一级反相器以减小输出串联电阻对cd40106输出占空比的影响。
具体实验电路：实验结果如下图所示：光耦输入输出侧电压波形图（上升沿）光耦输入输出侧电压波形图（下降沿）由上图可知，光耦输入输出端上升沿输出端滞后约0.2us，下降沿延迟约0.1us 。
全周期波形图：增加加速电容具体电路原理图：如上图说是，增加了两个101电容，如果增加102电容会出现上升爬坡现象，两个102会出现电压的反跳，具体的实验结果见下图。
由上图可以看出，下降沿的延迟有所改善，但是效果不是特别明显，如果加大电容会出现电压反跳和爬坡现象。
全周期波形图：第三种方式测试(在二极管的阴极对地接一个2.5v 直流电源) 具体实验电路原理图：光耦输入端二极管两端波形与输出波形：上升沿波形图如下：下降沿波形图如下：由上图可以知道，上升沿延迟时间约0.2us，下降沿延迟时间约为0.08us。
第四种方法测量：具体实施的电路原理图：在原电路上增加了两个101电容，具体的实验波形图如下：上升沿波形如下：下降沿波形如下：由上图可知，再增加电容后对输出影响不大，而对光耦的二极管输入端波形下降沿有所提前。
实验结果总结：1、本次是对电路进行了一定的修改，增加了一级反相器，使得cd40106的输出波形受输出电阻影响减小，占空比基本上在50%左右，没有因为输出串联电阻增加而时输出的占空比加大。
2、除第一点中的修改外，无其它修改方面，测得光耦输入输出波形的延迟，没有出现昨日测量时的死区时间问题。
没有找到昨日产生死区的原因。
3、今天测量时光耦输出上升沿出现爬坡现象，查看HCPL3180资料发现，上升沿爬坡应属正常。
昨天的波形上升沿很好，但是有些许震荡，时间很短，对输出应该没有影响，怀疑为实验误差所致。
4、做了昨天没有完成的实验，即在光耦输入端加入2.5伏直流电源，对输出结果影响不大。
5、又做了一个新的实验，加速电容和2.5v电压都加，实验结果显示，对光耦输出影响不大，只是光耦的输入端波形的下降沿有所提前。
测量光耦响应时间的简单电路
测量光耦响应时间的简单电路作者：Peter Demchenko作者单位：立陶宛维尔纽斯刊名：EDN CHINA 电子设计技术英文刊名：年，卷(期)：2011,18(12)1.Foit,Julius;Jan Novak Photoresistor provides negative feedback to an.op amp,producing a linear response 20101.范永山.李治源.朱仁贵.FAN Yong-shan.LI Zhi-yuan.ZHU Ren-gui光耦P521在高压测量中的应用[期刊论文]-仪表技术与传感器2012(1)2.张建峡.周红.徐云用晶体管图示仪测量线性光耦[期刊论文]-实验科学与技术2012,10(2)3.王靖斌.陈洁.王心亮.常宏锶原子光钟磁光阱磁场及其控制电路设计[期刊论文]-时间频率学报2011,34(2)4.黄智伟.李富英.HUANG Zhiwei.Li Fuying基于MAX7044/7033的300～450 MHz ASK无线收发电路[期刊论文]-单片机与嵌入式系统应用2005(6)5.孙德刚.孙光光耦线性化与线性光耦器件的应用[期刊论文]-现代电子技术2004,27(1)6.黄迟.孙承绶.来金梅降低射频电路串扰噪声的布线方法[期刊论文]-半导体技术2002,27(10)7.王毅.石志勇.王怀光.全振中.Wang Yi.Shi Zhiyong.Wang Huaiguang.Quan Zhenzhong实现线性传输的非线性光耦隔离电路的设计与分析[期刊论文]-电子技术应用2011,37(8)8.杨绍文谈射频电路PCB板的设计[期刊论文]-商情2011(37)9.张勇IEEE802.11g协议分析及其射频电路研究[学位论文]200510.高志刚.GAO Zhi-gang光耦的可靠性测试方法和试验[期刊论文]-现代显示2007(10)本文链接：/Periodical_dzsjjsednchina201112019.aspx。
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测量光耦响应时间的简单电路
本例中的电路可以用于测量光敏电阻型光耦的启动与恢复时间(图1)。
这些光耦器件一般用于音频压缩器或音量控制电路。
本设计使用了一只振荡的施密特触发器，在其反馈回路中有光耦DUT(待测器件)。
光敏电阻与电阻R1构成一个分压器，控制施密特触发器的输入。
光耦的LED连接到触发器的输出端。
用示波器或数字万用表就可以测量输出脉冲的周期。
负输出脉冲的周期等于开关导通时间，或启动时间。
正脉冲的周期则等于开关断开时间，或恢复时间。
启动与恢复时间取决于R1的值;改变R1的值就可以观察到两个时间。
使用图1中的元件值时，输出脉冲的周期为启动时间
0.15ms，恢复时间为2.7ms。