电子科技大学磁性物理2005答案
电子科技大学03-04学年第二学期《电磁场与电磁波》试题与答案
I eφ H 上 = eφ H 下 ⇒ H 上 = H 下 =eφ 2π r µI µI （ z > 0） ； ，( z < 0 ) 则 B上 = µ0 H 上 =eφ 0 ， B下 = µ H 下 =eφ 2π r 2π r
由 参考评分标准：正确判断 eφ H 上 = eφ H 下 ，并正确应用安培环路定理求得 H （10 分） ；
a . f = fc ； a . 无关； a. a+b；
b . f > fc ；
c . f < fc
） 。
12．矩形波导的截止波长与波导内填充的媒质（
b . 有关； b . 2a ； b . sin θ ；
c . 关系不确定，还需看传播什么波型
） 。
13．矩形波导的横截面尺寸为 a × b ，设 a > b ，则此波导中传播的主模的截止波长为（
a . 等于光速 c ；
10．矩形波导中可以传输（
b . 等于 c 2 ；
） 。
c . 等于 c 4 c . TE 和 TM 波
1 2π µε (mπ a ) 2 + (nπ b) 2 ，
a . TEM 、 TE 和 TM 波；
b . TEM 波；
11．横截面尺寸为 a × b 的矩形波导管，内部填充理想介质时的截止频率 = fc 工作频率为 f 的电磁波在该波导中传播的条件是（ ） 。
附：参考数据及公式 （1） ε 0 ≈ 8.854 × 10
−12
≈
1 F m， 4π × 9 ×109
µ = 4π ×10−7 H m 0
（2）圆柱坐标系中的相关公式
(NEW)西安电子科技大学电子工程学院《822电磁场与微波技术》历年考研真题汇编
目 录2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2010年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2009年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2008年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题2007年西安电子科技大学422电磁场与微波技术考研真题2006年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题（部分）2005年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2004年西安电子科技大学431电磁场与微波技术考研真题2011年西安电子科技大学822电磁场与微波技术考研真题西安电子科技大学2011 年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科日代码及名称822电磁场与微波技术A考试时间 2011年1月下午（3小时）答题要求:所有答案（填空题按照标号写）必须写在答题纸上，写在试卷上一律作废，准考证号写在指定位置！一、（15分）如图所示，半径分别为a、b（a>b），球心距为c（c<a-b）的两球面间有密度为的均匀体电荷分布，求半径为b的球面内任意一点的电场强度。
第一题用图二、（15分）一段由理想导体构成的同轴线，内导体半径为a，外导体半径为b，长度为L，同轴线两端用理想导体板短路。
已知在，区域内的电磁场为（1）确定A，B间的关系；（2）确定k；（3）求r=a及r=b面上的，。
三、（15分）假设真空中均匀平面电磁波的电场强度复矢量为试求：（1）电场强度的振幅、波矢量和波长；（2）电场强度矢量磁场强度矢量的瞬时表达式。
四、（15分）平行极化平面电磁波自折射率为3的介质斜入射到折射率为1的介质，若发生全透射求入射波的入射角。
五、（15 分）（1）己知传输系统反射系数求驻波比；（2）矩形波导尺寸axb，工作波长λ，写出TE10波的导波波长λg。
（3）双端口网络阻抗矩阵[z]和散射矩阵[s]，给出网络互易条件；（4）可轴线内半径为a，外半径为b，画出截面上TEM波的电场和磁场分布；（5）给出上述同轴线的特性阻抗Z0公式。
习题册习题解答(磁学部分)
磁感应强度、毕萨定律 5．解：（1）对dr r r +~一段，电荷dr dq λ=，旋转形成圆电流，则dr dq dI πλωπω22==， 它在O 点的磁感应强度 rdr r dI dB πλωμμ4200==aba r dr dB Bb a a +===⎰⎰+ln 4400πλωμπλωμ （2）dr r dI r dp m 2221λωπ==6/])[(21332a b a dr r dp p b a am m -+===⎰⎰+λωλω （3）若b a >>，则a ba b a ≈+ln， aq a b B πωμλπωμ4400==过渡到点电荷的情况，B 的方向在λ>0时为垂直圈面向后，同理在a>>b 时)31()(33a b a b a +≈+，则 23623a q a b a p m ωλω=⋅=也与点电荷运动后的磁矩相同。
6．解：（1）对θd 弧元，θλad dq = 旋转形成圆电流θπωλπωad dq dI 22==它在O 点的磁感应强度dB 为θθπωλμθπωλθμd ad a a dB 203220sin 422sin ==方向向上。
（2）θθωλθπωλθπd a ad a dp m 2322sin 21)2(sin == 44s i n 2123023qa a d a dp p m m ωπωλθθωλπ====⎰⎰m p 方向向上。
7．解：带电圆盘旋转可视为无数电流圆环，取半径为ρ，宽为ρd 的电流圆环，在O 点的磁场ρμ20di dB =， 而 ρσωρπωρπρσd d di =⋅=22 故ρσωμρρσωρμd d dB 00212/== ⎰⎰====ππωμωλμθθπωλμ0002088sin 4aq d dB B正电部分产生的磁感应强度r d B rσωμρσωμ0002121==⎰+ 负电部分产生的磁感应强度 )(212100r R d B R r -==⎰-σωμρσωμ 由于 -+=B B ，所以 r R 2=。
磁性物理学习题与解答
磁性物理学习题与解答简答题1.简述洪德法则的内容。
答：针对未满壳层，洪德法则的内容依次为：〔1〕在泡利原理许可的条件下，总自旋量子数S取最大值。
〔2〕在满足〔1〕的条件下，总轨道角动量量子数L取最大值。
〔3〕总轨道量子数J有两种取法：在未满壳层中，电子数少于一半是;电子数大于一半时2.简述电子在原子核周围形成壳层结构，需遵循哪些原则法则？答：需遵循的原则法则依次为：〔1〕能量最低原则〔2〕泡利不相容原理〔3〕洪德法则3.简述自由电子对物质的磁性，可以有哪些贡献？答：可能的贡献有：〔1〕朗道抗磁〔2〕泡利顺磁4.简述晶体中的局域电子对物质的磁性，可能有哪些贡献？答：可能的贡献有：〔1〕抗磁〔2〕顺磁〔3〕通过交换作用导致铁磁、反铁磁等5.在磁性晶体中，为什么过渡元素的电子轨道角动量会被晶场“冻结〞，而稀土元素的电子轨道角动量不会被“冻结〞。
答：因为过渡元素的磁性来自未满壳层d轨道上的电子，d电子属于外层电子，在晶体中是裸露的，容易受到晶场的影响而被冻结；而稀土元素的磁性来自未满壳层f轨道上的电子，f电子属于内层电子，在晶体中不容易受到晶场的影响，所以不会冻结。
6.简述外斯分子场理论的成就与不足之处。
答：外斯分子场理论的成功之处主要有：唯象解释了自发磁化，成功得到第二类顺磁的居里—外斯定律和铁磁/顺磁相变的居里温度表达式等。
不足之处主要有：〔1〕低温下自发磁化与温度的关系与自旋波理论的结果差别很大，后者与实验符合较好;〔2〕在居里温度附近，自发磁化随温度变化的临界指数，分子场理论计算结果为1/2，而实验测量结果为1/3;〔3〕无法解释磁比热贡献在温度大于居里温度时的拖尾现象7.简述小口理论对分子场理论做了什么改进？答：小口理论认为在居里温度附近，虽然产生自发磁化的长程有序消失了，但体系仍然存在短程序，小口理论考虑了最近邻短程序，由此成功解释了磁比热贡献在温度大于居里温度时的拖尾现象。
8.简述海森堡直接交换作用的物体图像。
2005-2006大物下学期期末考试试卷及答案
2005─2006学年第一学期 《 大学物理》(下)考试试卷( A 卷)注意：1、本试卷共4页； 2、考试时间: 120分钟； 3、姓名、序号必须写在指定地方； 4、考试为闭卷考试； 5、可用计算器,但不准借用； 6、考试日期:2006.1.7.e=1.60×10-19C m e =9.11×10-31kg m n =1.67×10-27kg m p =1.67×10-27kgε0= 8.85×10-12 F/m μ0=4π×10-7H/m=1.26×10-6H/m h = 6.63×10-34 J·sb =2.897×10-3m·K R =8.31J·mol -1·K -1 k=1.38×10-23J·K -1 c=3.00×108m/s σ = 5.67×10-8 W·m -2·K -4 1n 2=0.693 1n 3=1.099 R =1.097×107m -1·一.选择题(每小题3分，共30分)1. 已知圆环式螺线管的自感系数为L 。
若将该螺线管锯成两个半环式的螺线管，则两个半环螺线管的自感系数(A) 都等于L /2. (B) 都小于L /2.(C) 都大于L /2. (D) 一个大于L /2，一个小于L /2. 2. 设某微观粒子运动时的能量是静止能量得k 倍，则其运动速度的大小为(A) c /(k -1). (B) c 21k -/k . (C) c 12-k /k . (D) c ()2+k k /(k+1).3. 空间有一非均匀电场，其电场线如图1所示。
若在电场中取一半径为R 的球面，已知通过球面上∆S 面的电通量为∆Φe ，则通过其余部分球面的电通量为(A)-∆Φe(B) 4πR 2∆Φe /∆S , (C)(4πR 2-∆S ) ∆Φe /∆S ,(D) 04. 如图2所示，两个“无限长”的半径分别为R 1和R 2的共轴圆柱面，均匀带电，沿轴线方向单位长度上的带电量分别为λ1和λ2，则在外圆柱面外面、距离轴线为r 处的P 点的电场强度大小E 为：(A)r 0212πελλ+. (B) )(2)(2202101R r R r -+-πελπελ.图1(C))(22021R r -+πελλ.(D) 20210122R R πελπελ+. 5. 边长为l 的正方形线圈，分别用图3所示两种方式通以电流I （其中ab 、cd 与正方形共面），在这两种情况下，线圈在其中心产生的磁感强度的大小分别为：(A) B 1 = 0 . B 2 = 0.(B) B 1 = 0 . lIB πμ0222=(C) l IB πμ0122=. B 2=0 .(D lI B πμ0122=. l IB πμ0222=.6. 如图4，一半球面的底面园所在的平面与均强电场E 的夹角为30°，球面的半径为R ，球面的法线向外，则通过此半球面的电通量为 (A) π R 2E/2 . (B) -π R 2E/2.(C) π R 2E .(D) -π R 2E .7. 康普顿散射的主要特征是(A) 散射光的波长与入射光的波长全然不同.(B)散射角越大，散射波长越短.(C) 散射光的波长有些与入射光相同，但也有变长的，也有变短的.(D) 散射光的波长有些与入射光相同，有些散射光的波长比入射光的波长长些，且散射角越大，散射光的波长变得越长 .8. 如图5，一环形电流I 和一回路l ，则积分l B d ⋅⎰l应等于(A) 0. (B) 2 I . (C) -2μ0 I . (D) 2μ0 I .9. 以下说法中正确的是(A) 场强大的地方电位一定高； (B) 带负电的物体电位一定为负；P图2图3l(1)d图5(C) 场强相等处电势梯度不一定相等； (D) 场强为零处电位不一定为零. 10. 电荷激发的电场为E 1，变化磁场激发的电场为E 2，则有 (A) E 1、E 2同是保守场． (B) E 1、E 2同是涡旋场．(C) E 1是保守场， E 2是涡旋场． (D) E 1是涡旋场， E 2是保守场．二. 填空题(每小题2分，共30分).1. 氢原子基态的电离能是 eV . 电离能为0.544eV 的激发态氢原子，其电子处在n = 的轨道上运动.2. 不确定关系在x 方向上的表达式为 .3. 真空中两条相距2a 的平行长直导线，通以方向相同，大小相等的电流I ，P 、O 两点与两导线在同一平面内，与导线的距离为a , 如图6所示.则O 点的磁场能量密度w m o ，P 点的磁场能量密度w mP .4. 在半径为R 的圆柱形空间中存在着均匀磁场B ，B 的方向与轴线平行，有一长为l 0的金属棒AB ，置于该磁场中，如图7所示，当d B /d t 以恒定值增长时，金属棒上的感应电动势εi 5. 如图8所示，将半径为R 的无限长导体薄壁管(厚度忽略)沿轴向割去一宽度为h (h <<R )的无限长狭缝后，再沿轴向均匀地流有电流，其面电流的线密度为i ，则管轴线上磁感强度的大小是 .6. 写出包含以下意义的麦克斯韦方程：(1)电力线起始于正电荷，终止于负电荷_____ __. (2)变化的磁场一定伴随有电场7. 半径为R 的细圆环带电线(圆心是O ),其轴线上有两点A 和B ,且OA=AB=R ，如图9若取无限远处为电势零点，设A 、B 两点的电势分别为U 1和U 2，则U 1/U 2为 . 8. .狭义相对论的两条基本假设是9. 点电荷q 1 、q 2、q 3和q 4在真空中的分布如图10所示，图中S 为闭合曲面，则通过该闭合曲面的电通量S E d ⋅⎰S= ,式中的E 是哪些点电荷在闭合曲面上任一点产生的场强的矢量和？答：是 .10. 氢原子光谱的巴耳末线系中，有一光谱线的波长为λ = 434nm ，该谱线是氢原子由能级E n 跃迁到能级E k 产生的，则n = ______,k= ______.图6图7图8图9三.计算题(每小题10分，共40分)1. 求均匀带电球体(343R Qπρ=)外任一点(r>R)的 电势.2. 相距为d =40cm 的两根平行长直导线1、2放在真空 中，每根导线载有电流1I =2I =20A,如图11所示。
2005全国高考物理试全集
2005年全国高考物理试题全集（12套）目录2005年高考理科综合能力测试Ⅰ（河北、河南、安徽、山西） (2)2005年高考理科综合Ⅰ（河北、河南、安徽、山西）参考答案 (5)2005年高考理综全国卷Ⅱ物理部分（黑龙江、吉林、广西等用） (6)2005年高考理综全国卷Ⅱ物理部分（黑龙江、吉林、广西等用）参考答案 (9)2005年高考理综物理部分Ⅲ（四川、陕西、贵州、云南、新疆、宁夏、甘肃、内蒙） (10)2005年高考理综物理部分Ⅲ（四川、陕西、云南等）参考答案 (13)2005年普通高等学校招生全国统一考试（北京卷） (14)2005年普通高等学校招生全国统一考试（北京卷）参考答案 (18)2005年普通高等学校招生全国统一考试（天津卷）理科综合 (20)200年高考理科综合试卷（天津卷）参考答案 (22)2005年普通高等学校招生全国统一考试物理(江苏卷) (24)2005年高考物理(江苏卷)物理试题参考答案 (29)2005年高考物理试题上海卷 (33)2005年上海物理参考答案 (39)2005年高考广东物理试题 (41)2005年高考广东物理试题参考答案及评分标准 (45)2005年江苏省高考综合考试理科综合试卷 (50)2005年江苏省高考综合考试理综试卷参考答案 (51)2005普通高等学校春季招生考试理科综合能力测试（北京卷） (53)2005普通高等学校春季招生考试理科综合能力测试（北京卷）参考答案 (55)2005年普通高等学校招生全国统一考试（辽宁卷）（物理部分） (57)2005年普通高等学校招生全国统一考试（辽宁卷）（物理部分）参考答案 (59)2005年普通高等学校招生全国统一考试（广东卷）（物理部分）及参考答案 (59)2005年高考理科综合能力测试Ⅰ（河北、河南、安徽、山西）二、选择题（本题包括8小题。
每小题给出的四个选项中，有的只有一个选项正确，有的有多个选项正确，全部选对的得6分，选对但不全的得3分，有选错的得0分）14．一质量为m 的人站在电梯中，电梯加速上升，加速大小为g 31，g 为重力加速度。
2005年江苏高考物理试题及答案
2005年普通高等学校招生全国统一考试 物 理 (江苏卷)第一卷(选择题共40分)一、本题共10小题，每小题4分，共40分．在每小题给出的四个选项中，有的小题只有一个选项正确，有的小题有多个选项正确．全部选对的得4分，选不全的得2分，有选错或不答的得0分．1．下列核反应或核衰变方程中，符号“X ”表示中子的是(A) X C He Be 1264294+→+ (B)X O He N +→+17842147(C)X H Pt n Hg ++→+112027810204802 (D)X Np U +→23993239922．为了强调物理学对当今社会的重要作用并纪念爱因斯坦，2004年联合国第58次大会把2005年定为国际物理年．爱因斯坦在100年前发表了5篇重要论文，内容涉及狭义相对论、量子论和统计物理学，对现代物理学的发展作出了巨大贡献．某人学了有关的知识后，有如下理解，其中正确的是(A)所谓布朗运动就是液体分子的无规则运动 (B)光既具有波动性，又具有粒子性(C)在光电效应的实验中，入射光强度增大，光电子的最大初动能随之增大 (D)质能方程表明：物体具有的能量与它的质量有简单的正比关系3．根据α粒子散射实验，卢瑟福提出了原子的核式结构模型．图中虚线表示原子核所形成的电场的等势线，实线表示一个α粒子的运动轨迹．在α粒子从a 运动到b 、再运动到c 的过程中，下列说法中正确的是 (A)动能先增大，后减小 (B)电势能先减小，后增大(C)电场力先做负功，后做正功，总功等于零 (D)加速度先变小，后变大4．某气体的摩尔质量为M ，摩尔体积为V ，密度为ρ，每个分子的质量和体积分别为m 和Vo ，则阿伏加德罗常数N A 可表示为 (A)0V V N A =(B)m V N A ρ= (C) mMN A = (D)0V M N A ρ=5．某人造卫星运动的轨道可近似看作是以地心为中心的圆．由于阻力作用，人造卫星到地心的距离从r 1慢慢变到r 2，用E Kl 、E K2分别表示卫星在这两个轨道上的动能，则(A)r1<r2，E K1<E K2(B)r1>r2，E K1<E K2(C)r1<r2，EKt>Era (D)r1>r2，E K1>E K2 6．在中子衍射技术中，常利用热中子研究晶体的结构，因为热中子的德布罗意波长与晶体中原子间距相近．已知中子质量m=1．67x10—27kg，普朗克常量h=6．63x10—34J·s，可以估算德布罗意波长λ=1．82x10-10m的热中子动能的数量级为(A)10—17J (B)10—19J (C)10—21J (D)10—24 J7．下列关于分子力和分子势能的说法中，正确的是，(A)当分子力表现为引力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的增大而增大(B)当分子力表现为引力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的增大而减小(C)当分子力表现为斥力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的减小而增大(D)当分子力表现为斥力时，分子力和分子势能总是随分子间距离的减小而减小8．一列简谐横波沿x轴传播．T=0时的波形如图所示，质点A与质点B相距lm，A点速度沿y轴正方向；t=0．02s时，质点A第一次到达正向最大位移处．由此可知(A)此波的传播速度为25m／s(B)此波沿x轴负方向传播．(C)从t=0时起，经过0．04s，质点A沿波传播方向迁移了1m(D)在t=0．04s时，质点B处在平衡位置，速度沿y轴负方向9．分别以p、V、T表示气体的压强、体积、温度．一定质量的理想气体，其初始状态表示为(p0、V0、T0)．若分别经历如下两种变化过程：①从(p0、V0、T0)变为(p1、V1、T1)的过程中，温度保持不变(T1=T0)；②从(p0、V0、T0)变为(p2、V2、T2)的过程中，既不吸热，也不放热．在上述两种变化过程中，如果V1=V2>V0，则(A) p1 >p2，T1> T2(B) p1 >p2，T1< T2(C) p1 <p2，T1< T2(D) p1 <p2，T1> T2 10．如图所示，固定的光滑竖直杆上套着一个滑块，用轻绳系着滑块绕过光滑的定滑轮，以大小恒定的拉力F拉绳，使滑块从A点起由静止开始上升．若从A点上升至B点和从B 点上升至C点的过程中拉力F做的功分别为W1、W2，滑块经B、C两点时的动能分别为E KB、E Kc，图中AB=BC，则一定有(A)W l>W2(B)W1<W2(C)E KB >E KC(D)E KB <E KC第二卷(非选择题共110分)二、本题共2小题，共22分．把答案填在答题卡相应的横线上或按题目要求作答． 11．(10分)某同学用如图所示装置做探究弹力和弹簧伸长关系的实验．他先测出不挂砝码时弹簧下端指针所指的标尺刻度，然后在弹簧下端挂上砝码，并逐个增加砝码，测出指针所指的标尺刻度，所得数据列表如下：(重力加速度g=9．8m ／s 2)(1)根据所测数据，在答题卡的坐标纸上作出弹簧指针所指的标尺刻度底与砝码质量 的关系曲线．(2)根据所测得的数据和关系曲线可以判断，在 范围内弹力大小与弹簧伸长关系满足胡克定律．这种规格弹簧的劲度系数为 N ／m .12．(12分)将满偏电流I g =300μA 、内阻未知的电流表○G 改装成电压表并进行核对．(1)利用如图所示的电路测量电流表○G 的内阻(图中电源的电动势砝码质量 m/102g 01.002.003.004.005.006.007.00标尺刻度 x/102 m15.00 18.94 22.82 26.78 30.66 34.60 42.00 54.50E=4V )：先闭合S 1，调节R ，使电流表指针偏转到满刻度；再闭合S 2，保持R 不变，调节R ′，，使电流表指针偏转到满刻度的32，读出此时R ′的阻值为200Ω，则电流表内阻的测量值Rg= Ω．(2)将该表改装成量程为3V 的电压表，需 (填“串联”或“并联”)阻值为R 0= Ω的电阻．(3)把改装好的电压表与标准电压表进行核对，试在答题卡上画出实验电路图和实物连接图．三、解答应写出必要的文字说明、方程式和重要演算步骤．只写出最后答案的不能得分．有数值计算的题，答案中必须明确写出数值和单位．13．(14分)A 、B 两小球同时从距地面高为h=15m 处的同一点抛出，初速度大小均为v 0=10m/s ．A 球竖直向下抛出，B 球水平抛出，空气阻力不计，重力加速度取g=l0m ／s 2．求：(1)A 球经多长时间落地?(2)A 球落地时，A 、B 两球间的距离是多少?14．(12分)如图所示，R 为电阻箱，○V 为理想电压表．当电阻箱读数为R 1=2Ω时，电压表读数为U 1=4V ；当电阻箱读数为R 2=5Ω时，电压表读数为U 2=5V ．求： (1)电源的电动势E 和内阻r 。
电子科技大学-学年第二学期大学物理实验试卷答案
2003－2004学年第二学期物理实验试卷答案一、填空题（总分30分，每空1分）1、迈克尔逊干涉仪单方向旋转刻度轮进行测量是为了消除空程差；在实验中观测到的同心圆干涉条纹是等倾(非定域) 干涉条纹。
2、拉伸法测杨氏模量实验中用异号法减小系统误差；并用光杠杆（光放大）法放大金属丝的微小伸长量。
3、用望远镜、显微镜进行测量时，若视场中分划线（叉丝）不清晰时，应调节目镜焦距。
4、在超声速测定实验中，若环境温度为25.7ºC，而0ºC对应273.15K，则环境温度应表示为 298.9 K.5、用示波器测方波周期，测量一个周期占用4.8cm，而扫描周期旋钮指向0.5ms/div,则此方波周期为 2.4 ms.（0.5ms/div作为常量处理）6、霍尔效应实验中，螺线管轴线上的磁感应强度B的大小与励磁电流的大小成__线性（正比）关系。
7、在夫兰克－赫兹实验中，运动电子的能量等于或大于氩原子的临界能量时，它将与氩原子的电子发生非弹性碰撞，并使氩原子电子产生能级跃迁。
8、光电效应实验证明了光的量子(粒子) 性，而光干涉实验证明了光的_波动_性。
9、在全息照像实验中，应当将物光和参考光的光程差控制在几厘米以内，且其夹角应为 15～30 _度。
10、牛顿环和劈尖干涉实验的干涉条纹均是等厚干涉条纹。
11、在测薄透镜焦距实验中，使各光学元件的主光轴重合的操作称为共轴调节。
在此实验中使用左右逼近_法是为了减小对成像是否清楚的判断中出现的随机误差。
12、分光计对同一转角采用左右对称读数是为了消除转动轴与中心轴的__偏心_差。
用光栅测波长时，若各单色光条纹均清楚但只能看到一条黄光时，说明平行光管的狭缝开口过大。
13、压力传感器中的传感元件是电阻应变片。
压力传感器输出电压Uo与电源电压的关系为线性（正比）关系。
14、电势差计测量电动势的基本原理是补偿原理。
15、在音频信号光纤传输实验中。
发光二极管是将电信号转变为光信号的器件。
电子科技大学半导体物理B考试试题与参考答案
电⼦科技⼤学半导体物理B考试试题与参考答案电⼦科⼤2005－2006年第⼀学期⼀、选择填空（含多选题）（18分）1、重空⽳是指（ C ）A 、质量较⼤的原⼦组成的半导体中的空⽳B 、价带顶附近曲率较⼤的等能⾯上的空⽳C 、价带顶附近曲率较⼩的等能⾯上的空⽳D 、⾃旋－轨道耦合分裂出来的能带上的空⽳2、硅的晶格结构和能带结构分别是（ C ）A. ⾦刚⽯型和直接禁带型B. 闪锌矿型和直接禁带型C. ⾦刚⽯型和间接禁带型D. 闪锌矿型和间接禁带型3、电⼦在晶体中的共有化运动指的是电⼦在晶体（ C ）。
A 、各处出现的⼏率相同B 、各处的相位相同C 、各元胞对应点出现的⼏率相同D 、各元胞对应点的相位相同4、本征半导体是指（ A ）的半导体。
A 、不含杂质与缺陷；B 、电⼦密度与空⽳密度相等；C 、电阻率最⾼； C 、电⼦密度与本征载流⼦密度相等。
5、简并半导体是指（ A ）的半导体A 、(E C -E F )或(E F -E V )≤0B 、(EC -E F )或(E F -E V )≥0C 、能使⽤玻⽿兹曼近似计算载流⼦浓度D 、导带底和价带顶能容纳多个状态相同的电⼦6、当Au 掺⼊Si 中时，它引⼊的杂质能级是（ A ）能级，在半导体中起的是（ C ）的作⽤；当B 掺⼊Si 中时，它引⼊的杂质能级是（ B ）能级，在半导体中起的是（ D ）的作⽤。
A 、施主B 、受主C 、深D 、浅7、在某半导体掺⼊硼的浓度为1014cm -3, 磷为1015 cm -3，则该半导体为（ B ）半导体；其有效杂质浓度约为（ E ）。
A. 本征，B. n 型，C. p 型，D. 1.1×1015cm -3,E. 9×1014cm -38、3个硅样品的掺杂情况如下：甲．含镓1×1017cm -3；⼄.含硼和磷各1×1017cm -3；丙.含铝1×1015cm -3这三种样品在室温下的费⽶能级由低到⾼（以E V 为基准）的顺序是( B )A.甲⼄丙；B.甲丙⼄；C.⼄丙甲；D.丙甲⼄9、以长声学波为主要散射机构时，电⼦的迁移率µn 10、公式与温度的（ B ）。
2005年电子科技大学201大学物理(高校教师)考研试题
电子科技大学电子科技大学 2005年高校教师年高校教师在职在职在职攻读硕士学位入学试题攻读硕士学位入学试题攻读硕士学位入学试题 考试科目考试科目：：201大学物理大学物理试题一试题一、（、（每题每题3分，共54分） 1r ρυ, aa t(A)dtds=υ (B)dtd a υ=(C) dtdr=υ(D) dtd a t υρ=[ ]2oυρθρ(A)go 2)sin (θυ (B)go 2)cos (θυ(C) go 2υ (D)2)cos (θυo g 3.A)(B)CD4mjt B i t A r ρρρωωsin cos +=A Bωt 0ωπ22=t )(21222B A m +ω22)(21B A m +ωC)(21222B A m −ω (D)(21222A B m −ω[ ]5oω1(4)ωA)(B)(C) (D[ ]6.xx =0.04cos(2πt+3π)t=0x =-0.02mxA)81s (B)41s (C)21s (D)31s7.(A)2π(B)π(C)23π (D)0[ ]8xt=0P(A) )m 3cos(4100ππ+=t .y(B) )m3cos(4100ππ−=t .y (C) )m 3cos(2100ππ+=t .y (D) )m6cos(2100ππ+=t .y 9.EρAB (A) (B) (C)(D) [ ]10.R 1R 2q 1q 2r2(4)m mABEA E =0rq U o πε41=B214rq E o πε=22144R q rq U o o πεπε+=C2214r q q E o πε+=rq q U o πε421+=(D) 214rq E o πε=221144R q R q U o o πεπε+=11.(A)(1)P (2)N(B)(1)N (2)P(C)(1)P (2)P(D)(1)N(2)N12.I(o R)(A)RIR I B oo πµµ483+= (B) RIR I B o o πµµ483−=(C) RIR I B oo πµµ443+=(D) B=013I IdtdIA)(B) (C)(D)14.ABBρC′ωρBρBC31(1)(2)3(4)A)AB(B) A B(C ABDAB15.λn 2n 1< n 2 <n 3e(A)249n λ(B)>225n λ(C)2411n λ (D)22n λ16.A BCD[ ]17.αBRαAeRBh 2BeRBh CehRB21DehRB118.m0.6c c(A)0.18m o c 2 (B) 0.25m o c 2 (C)0.36m o c 2 (D) 1.25m c 2试题二试题二、（、（本题本题11分）R 1R 2QQ12试题三试题三、（、（本题本题10分）xt=2su=0.5m/so4(4)2005年高校教师高校教师在职在职在职攻读硕士学位入学试题攻读硕士学位入学试题攻读硕士学位入学试题大学物理大学物理参考答案参考答案参考答案总分总分: : 75分试题一试题一、（、（每题每题3分，共54分）ABCCC CBADBBABAADAD试题二试题二、（、（本题本题11分）24rQ E o πε=R 1<r<R 23)R R (Q Edr V R R o2111421−==∫πεVQ C =12214R R R R o −=πε2C Q W e 22=211228R R )R R (Q o πε−=3试题三试题三、（、（本题本题10分）λm.m/s ν.ωπ4(1)y 0=0.5cos(2πt-2π)m 3(2) y=0.5cos[2π(t-5.0x )-2π]m 3。
成都电子科技大学电磁场与电磁波2003-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：813 电磁场与电磁波注：所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上无效。
一、填空题（每空1分，共20分）1． 在磁导率为μ的均匀介质中，已知恒定（稳恒）磁场的磁感应强度为B ，则介质中的电流体密度J 可以表示成 ，磁化电流体密度M J 可以表示成 。
2. 电荷的定向运动形成电流，当电荷密度ρ满足0=∂∂tρ时，电流密度J 应满足 ，此时电流线的形状应为 。
3. 某线极化波由空气中斜入射到与理想介质（03εε=、0μμ=、0σ=）的分界平面上。
如要使反射波振幅为零，则入射波的极化方式是 、入射角i θ= 。
4. 麦克斯韦通过数学的方法引入 ，从而建立了完整的麦克斯韦方程组。
5. 时变电磁场可以用矢量位A 和标量位ϕ来描述，但是位函数一般是不唯一的，如要得到唯一确定的位函数，可以规定 。
6. 均匀平面波在某一均匀媒质中传播，其电磁波的电场强度E 与磁场强度H 不同相位，则这种媒质是 。
7. 若两个同频率、同方向传播、极化方向互相垂直的线极化波的合成波为圆极化波，则它们的振幅___________、相位差为 ______________；如果两个波的合成波为纯驻波，则它们的传播方向 、且极化方向 。
8． 在理想导体表面上， 矢量总是平行于导体表面， 矢量总是垂直于导体表面。
9． 均匀平面电磁波由空气中垂直入射到与无损耗介质（02.25εε=、0μμ=、0σ=）的分界平面上时，反射系数Γ= ，折射(透射)系数 τ= 。
10．自由空间中位于r '处的源（ρ或J ）在t 时刻发生变化，此变化将在 时刻影响到r 处的位函数（ϕ或A ）。
11．横截面尺寸为25mm 20mm a b ⨯=⨯的矩形波导中填充介质为空气，能传输的电磁波的最低频率为 Hz ；若要实现单模传输，则电磁波的最高工作频率为 Hz 。
二、判断题，正确的划“√”，错误的划“×”（每题1分，共10分）1. 方程ρ=⋅∇D 表明，电位移矢量D 只与自由电荷有关，而与极化电荷无关，即D 与电介质无关。
成都电子科技大学固体物理2005-2016年考研初试真题+答案
电子科技大学2016年攻读硕士学位研究生入学考试试题考试科目：818 固体物理注：所有答案必须写在答题纸上，写在试卷或草稿纸上均无效。
一、填空题（共30分，每空1分）1、半导体材料Si 具有金刚石型晶体结构，晶格常数为a ，布喇菲格子是 ① ；一个惯用元胞（结晶学元胞）内的原子数 ② ，其配位数为 ③ 。
惯用元胞体积为 ④ ；第一布区体积 ⑤ ；硅晶体晶格振动的格波支数为 ⑥ 支，其中，声学格波的支数为 ⑦ 支，光学格波的支数为 ⑧ 支。
2、晶体宏观对称操作中包含 ① 、 ② 、 ③ 、 ④ 、 ⑤ 、 ⑥ 、 ⑦ 、 ⑧ 共8种独立基本对称操作元素。
3、假设有某一维复式格子，其每个固体物理学原胞中含有2个原子，整个晶体共有N 个固体物理学原胞，整个晶体共有2N 个原子，晶体的自由度数为2N ，则对于这样一种二维复式格子的晶格振动， (1). 共存在 ① 支独立的格波； (2). 有意义的波矢q 的取值个数为 ② ；(3). 晶格振动的频率数为 ③ 。
4、螺位错线与滑移矢量之间的方向关系是 ① ，刃型位错线与滑移矢量之间的方向关系是 ② 。
5、电子在三维周期性晶格中波函数方程的解具有 ① 形式？式中 ② 在晶格平移下保持不变。
6、金属电子论中，金属晶体中自由电子遵从 ① ，其占据能量E 的几率函数为② ，其能量波矢关系（E ～k ）为 ③ 。
金属电子论中，高温时金属晶体的比热为 ④ ；低温时金属晶体的比热为 ⑤ 。
7、在边长为L 的立方金属中，自由电子的能量可以用一组量子数表示为 ① 。
8、晶体的第n 个禁带宽度E g 为 ① 。
二、简答题（共60分，每题10分）1、作图证明六方密堆积结构中，128() 1.6333c a =。
2、在立方晶胞中, 作图指出(111)面与(100)面交线的晶向。
3、通过不同的结合力原子结合成晶体，试分析离子结合和共价结合的特点。
4、简述声子的概念和性质。
5、在近自由电子近似中，某晶体中电子的E~K 关系广延图如下，简述晶体能带结构的特点？ a -2323a ππa π-a π-a πa πK E6、简述电子有效质量为负值的物理解释？三、计算题（共60分，第1题10分，第2、3题15分，第4题20分）1、（10分）利用晶面面间距d hkl 与倒格矢K hkl 的关系2hkl hkl d K π=，求晶格常数为a 的面心立方晶面族（h 1 h 2 h 3）的面间距。