清华大学出社模拟电子技术习题解答

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模拟电子技术基本教程课后习题答案(清华版)(上册)

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模拟电子技术基础清华第四版作业

模拟电子技术基础清华第四版作业
(2)几级电路放大? 因为在高频段幅频特 征为-60dB/十倍频,所 以电路为三级放大电 路;
(3)当f =104Hz时,附加相移为多少?
当f =105时,附加相移又约为多少? (3)当f =104Hz时, φ‘=-135o;
当f =105Hz时,
φ‘≈-270o 。
(4)求fH? 从图中衰减斜率可知,该三级放大电路各级旳上 限频率均为104Hz,故整个上限频率fH=0.52f1=5.2KHz
5.2 已知波特图如图,试写出Au旳体现式。
解: 在中频段有一定旳 电压放大倍数,且相移 为180度,故电路为基 本共射放大电路或基本 共源放大电路。 从电 路中能够看出高频和低 频拐点各为一种,故为 单管电路。
5.4 已知幅频特征,试问:该电路旳耦合方式;
解:(1)因为下限截止 频率为0,所以电路为 直接耦合电路;
5.10 已知Cgs=Cgd=5pF,gm=5mS,C1=C2 =CS=10μF。求fH、fL、Aus体现式?
1
fL
2 (Rs
||
1ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱgm
)Cs
95.5Hz
12.4 j( f )
Aus
(1
j
f 95.5
)(1
95.5
j
1.1
f
106
)
(1)哪一种电容决定电路旳下限频率;
解:(1)决定电路下限频率旳是Ce,因为它 所在回路旳等效电阻最小。
(2)若T1和T2静态时发射极电流相等,且rbb’ 和 C'π相等,则哪一级旳上限频率低。
谢 谢!
《模拟电子技术基础》
第五章 放大电路旳频率响应
作业评讲
5.1(1)在空载情况下,下限频率旳体现式fL= 当Rb减小时,fL将(增大);当带上负载电阻 后,fL将(增大)。

山东大学-清华大学-模拟电子技术基础-模电(第四版)习题库及解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业答案

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业答案

华南理工大学-清华大学教材-模拟电子技术基础-课程作业答案教材 模拟电子技术基础(第四版) 清华大学模拟电子技术课程作业第1章 半导体器件1将PN 结加适当的正向电压,则空间电荷区将( b )。

(a)变宽 (b)变窄 (c)不变2半导体二极管的主要特点是具有( b )。

(a)电流放大作用 (b)单向导电性 (c)电压放大作用3二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( a )。

(a)正向电压大于PN 结的死区电压 (b)正向电压等于零 (c)必须加反向电压4电路如图1所示,设D 1,D 2均为理想元件,已知输入电压u i=150sin ωt V 如图2所示,试画出电压u O的波形。

20V100Vu Iu i V/ωtD 2D 140k Ω40k Ω150u O+- 图1+-图2+-+-答案u i V ωt150ωt10060u i V /0100605电路如图1所示,设输入信号u I1,u I2的波形如图2所示,若忽略二极管的正向压降,试画出输出电压u O的波形,并说明t 1,t 2时间内二极管D 1,D 2的工作状态。

u I2R Lu Ot 1t 2t2D 1D 2图1图2u I1+-u I1-22-2u I2/ V答案t 1t 2u O /V -2t 1:D 1导通,D 2截止 t 2:D 2导通,D 1截止第2章 基本放大电路1下列电路中能实现交流放大的是图( b )。

++++++++U CCoU CCU CCU CC()a (c)(d)+--+-+-+-+-+-+-u iu iu ou iu ou i++++2图示电路,已知晶体管β=60,U BE.V =07 ,R C k =2 Ω,忽略U BE ,如要将集电极电流I C 调整到1.5mA ,R B应取( a )。

(a)480k Ω (b)120k Ω (c)240k Ω (d)360k Ω++C 2C 1R BR C u u i+-+-+12V3固定偏置放大电路中,晶体管的β=50,若将该管调换为β=80的另外一个晶体管,则该电路中晶体管集电极电流IC 将( a )。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础 清华版 习题答案

模拟电子技术基础 清华版 习题答案

。 C. 反 向 击 穿 。
( 4) 当 晶 体 管 工 作 在 放 大 区 时 , 发 射 结 电 压 和 集 电 结 电 压 应 为 A. 前 者 反 偏 、 后 者 也 反 偏 B. 前 者 正 偏 、 后 者 反 偏 C. 前 者 正 偏 、 后 者 也 正 偏 ( 5) UGS= 0V 时 , 能 够 工 作 在 恒 流 区 的 场 效 应 管 有 A. 结 型 管 解: ( 1) A ( 2) C B. 增 强 型 MOS 管 ( 3) C ( 4) B 。
UO =
RL ⋅ U I ≈ 3.33V R + RL
图 P1.9
当 UI= 15V 时 , 稳 压 管 中 的 电 流 大 于 最 小 稳 定 电 流 IZmin, 所 以 UO= UZ= 6V 同 理 , 当 UI= 35V 时 , UO= UZ= 6V。
( 2 ) I D Z = (U I − U Z ) R = 29mA > I Z M = 2 5 mA ,稳 压 管 将 因 功 耗 过 大 而 损 坏。
六 、 电 路 如 图 T1.6 所 示 , V C C = 1 5 V , β = 1 0 0 , U B E = 0.7V 。 试 问 : ( 1) Rb= 50kΩ 时 , uO= ? ( 2) 若 T 临 界 饱 和 , 则 Rb≈ ? 解: ( 1 ) R b = 5 0k Ω 时 , 基 极 电 流 、 集 电极电流和管压降分别为
( 6) 若 耗 尽 型 N 沟 道 MOS 管 的 U G S 大 于 零 , 则其输入电阻会明显变小。 ( ) 解: ( 1) √ ( 2) × ( 3) √ ( 4) × ( 5) √ ( 6) ×
二、选择正确答案填入空内。 ( 1 ) PN 结 加 正 向 电 压 时 , 空 间 电 荷 区 将 A. 变 窄

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

模拟电子技术基础习题及答案(清华大学出版社)

第一章 半导体器件1-1 当T=300K 时,锗和硅二极管的反向饱和电流I S 分别为1A μ和0.5pA .如将此两个二极管串联起来,有1μA 的正向电流流过,试问它们的结电压各为多少? 解:二极管正偏时,TD U U S eI I ≈ , ST D I I lnU U ≈ 对于硅管:m V 6.179A1m A1ln m V 26U D =μ≈ 对于锗管:m V 8.556pA5.0m A1ln m V 26U D =≈1-2 室温27C 时,某硅二极管的反向饱和电流I S =0。

1pA 。

(1)当二极管正偏压为0。

65V 时,二极管的正向电流为多少?(2)当温度升至67C 或降至10C -时,分别计算二极管的反向饱和电流。

此时,如保持(1)中的正向电流不变,则二极管的正偏压应为多少? 解:(1)m A 2.7e 101.0eI I mA26mA 65012U U S TD =⨯⨯=≈-(2)当温度每上升10℃时,S I 增加1倍,则pA107.72101.02)27(I )10(I pA6.12101.02)27(I )67(I 37.312102710SS 412102767S S -------⨯=⨯⨯=⨯=-=⨯⨯=⨯=T=300k (即27℃),30026q K mA 26300qKq KT )27(U T ==⨯==即则67℃时,mA7.716pA 107.7mA2.7ln 8.22U ,C 10mA7.655pA6.1mA 2.7ln 5.29U ,C 67mV8.2226330026)10(U mV 5.2934030026)67(U 3D D T T =⨯=-===⨯=-=⨯=-时时1-3 二极管电路如图P1—3(a )所示,二极管伏安特性如图P1-3(b )所示.已知电源电压为6V ,二极管压降为0.7伏。

试求: (1)流过二极管的直流电流;(2)二极管的直流电阻D R 和交流电阻D r 。

模拟电子技术基础第四版习题解答完整版

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模拟电子技术基础第四版习题解答Document serial number【NL89WT-NY98YT-NC8CB-模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √)GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( ×)二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

模电第四版习题解答

模电第四版习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

( √ )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =。

模电(第四版)习题解答

模电(第四版)习题解答

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件 (3)第2章基本放大电路 (14)第3章多级放大电路 (31)第4章集成运算放大电路 (41)第5章放大电路的频率响应 (50)第6章放大电路中的反馈 (60)第7章信号的运算和处理 (74)第8章波形的发生和信号的转换 (90)第9章功率放大电路 (114)第10章直流电源 (126)第1章常用半导体器件自测题一、 判断下列说法是否正确,用伙”和 V”表示判断结果填入空内。

(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。

(V )(2) 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(X )(3) PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(V )(4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压, 才能保证其R GS 大的特点。

(V )⑹若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

(X )二、 选择正确答案填入空内。

(1) PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、 写出图TI.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

图 T1.3解:U oi =1.3V, U O 2=0V, U O 3=-1.3V, U O 4=2V, U O 5=1.3V, U O 6=-2V 。

模电第四习题解答

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GS(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U大于零,则其输入电阻会明显变GS小。

( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术习题集参考答案

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第一章参考答案一、判断题1、√2、×3、√4、√5、×6、×二、单项选择1、(a)2、(c)3、(c)4、(a)5、(c)6、(c)7、(c)8、(b)9、(b) 10、(b)11、(c) 12、(a) 13、(a) 14、(b) 15、(a) 16、(c) 17、(b) 8、(a) 19、(a) 20、(b)21、(c)三、解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。

四、解:U O1=6V,U O2=5V。

五、解:u i和u o的波形如题5解图所示。

题6解图题5解图六、解:u i和u o的波形如题6解图所示。

题6解图七、解:1、当U I=10V时,若U O=U Z=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

故V 33.3I LLO ≈⋅+=U R R R U当U I =15V 时,稳压管中的电流大于最小稳定电流I Zmin ,所以U O =U Z =6V同理,当U I =35V 时,U O =U Z =6V 。

2、 =-=R U U I )(Z I D Z 29mA >I ZM =25mA ,稳压管将因功耗过大而损坏。

八、解:波形如题8解图所示。

题8解图第二章 参考答案一、判断1、√2、×3、×4、√5、×6、√7、×8、×9、√ 10、× 11、√二、单项选择题1、(c)2、(a)3、(b)4、(b)5、(c)6、(a)7、(a)8、(a)9、(b) 10、(c) 11、(b) 12、(a) 13、(c) 14、(b) 15、(c) 16、(b) 17、(b) 18、(c) 19、(b) 20、(a) 21、(c) 22、(a) 23、(c) 24、(c) 25、(a) 26、(c) 27、(c) 28、(c) 29、(a) 30、(b) 31、(c) 32、(b) 33、(b) 34、(a) (a) (a) 35、(c) 36、(a) 37、(c) 38、(c) 39、(b) 40、(c) 41、(c) 42、(b) 43、(b) 44、(c) 45、(c) 46、(b) 47、(b) 48、(b) 49、(a) 50、(a) 51、(c) 52、(c) 53、(c) (c) 54、(c) (a)二、填空题1、NPN,PNP ;硅,锗;电子和空穴。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594T V T =,在常温(T=300K )下,V T =25.875mV=26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V>>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V <<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

模拟电子技术基础课后答案(完整版)

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C1060217731.1q19库伦-⨯=,则)V(2.11594TV T=,在常温(T=300K)下,V T=25.875mV=26mV。

当外加正向电压,即V为正值,且V比V T大几倍时,1e T VV>>,于是T VVseII⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN结为正向导通状态.外加反向电压,即V为负值,且|V|比V T大几倍时,1e T VV<<,于是s II-≈,这时PN结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN结呈反向截止状态。

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案

电子技术基础模拟练习题及参考答案一、单选题(共70题,每题1分,共70分)1.一只四输入端或非门,使其输出为1的输入变量取值组合有()种A、8B、15C、1正确答案:C2.组合逻辑电路有若干个输入端,只有一个输出端。

A、×B、✔正确答案:A3.用三极管构成的门电路称为()门电路。

A、MOC型B、TTL型C、CMOS型正确答案:B4.共射极放大电路的交流输出波形上半周失真时,应该()偏置电阻。

A、减小。

B、增大C、保持。

正确答案:A5.共发射极放大器的输出电压和输入电压在相位上的关系是()A、相位差90°。

B、同相位。

C、相位差180°。

正确答案:C6.设计一个同步十进制加法计数器需要三个触发器就可以。

A、✔B、×正确答案:B7.理想运算放大器的输出电阻为()A、无穷B、不定正确答案:B8.下列逻辑代数运算法则中,错误的是()A、A(B+C)=AB+ACB、A+(B+C)=(A+B)+CC、A+BC=(A+B)C正确答案:C9.半导体导电能力()导体。

A、等于B、小于C、大于正确答案:B10.与非门的逻辑功能是。

A、全高为高。

B、全低为高。

C、部分高为高。

正确答案:B11.逻辑代数运算中1+1=()A、3B、2C、1正确答案:C12.从射极输出器的交流通路看他是一个共()电路。

A、集电极。

B、基极C、发射极。

正确答案:A13.RS出发去具有()种逻辑功能。

A、3B、1C、2正确答案:A14.逻辑代数运算于普通代数运算结果()A、不想同B、有的相同,有的不相同。

C、相同正确答案:B15.测得在放大状态的三极管的三个关脚电压分别是,-0.7,-1,-6责-0.7对应的是()A、基极B、发射极。

C、集电极。

正确答案:B16.一个平衡PN结用导线将p区和n区连起来而导线中()A、有瞬间微弱电流。

B、有微弱电流。

C、无电流。

正确答案:C17.半导体材料有()种A、2B、1C、3正确答案:A18.三端集成稳压器w7805的输出电压是()A、5VB、9VC、12V正确答案:A19.在截止区三极管()电流放大作用。

《模拟电子技术基础》详细习题答案(华成英版,高教版) (2)

《模拟电子技术基础》详细习题答案(华成英版,高教版) (2)

模拟电子技术基础详细习题答案(华成英版,高教版)第一章电子技术基础概述习题1.1a)电子技术的基本要素包括电力、电信号、电路、电器装置和电子元器件。

b)电力系统主要由发电厂、送电网络和用电设备组成。

c)电信号又称为电气信号,是电流、电压或电场随时间变化的物理量。

d)电路是指由导线、电源和电器元件组成的电子系统。

e)电器装置指的是利用电能完成某种功能的设备,如电灯、电视机等。

f)电子元器件是电子电路系统中的重要组成部分,如电阻、电容、晶体管等。

习题1.2a)在模拟电子技术中,主要研究电子设备和电路的工作原理和设计方法。

b)数字电子技术是指通过数字信号进行信息处理的电子技术,主要研究数字信号处理和数字电路设计。

c)电子技术的发展对社会经济的影响非常大,它在通信、计算机、医疗、航天等领域都有广泛的应用。

d)电子技术的基本特点包括可靠性高、适应性强、可自动化和集成度高。

e)电子技术的发展趋势包括小型化、高速化和多功能化。

习题1.3a)模拟电子技术的主要发展阶段包括电晶体管时代、集成电路时代、超大规模集成电路时代和超大规模集成电路时代。

b)电晶体管时代指的是20世纪50年代到60年代的阶段,主要采用电晶体管作为电子元器件。

c)集成电路时代指的是20世纪60年代到70年代的阶段,主要采用集成电路作为电子元器件。

d)超大规模集成电路时代指的是20世纪70年代到90年代的阶段,研制出了集成度更高的大规模集成电路。

e)超大规模集成电路时代指的是20世纪90年代以后的阶段,研制出了集成度更高的超大规模集成电路。

f)当前阶段的主要发展趋势是系统级集成电路和三维集成电路的研究。

习题1.4a)电子技术的主要应用领域包括通信、计算机、工业控制、医疗和航天等。

b)在通信领域,电子技术主要用于电话、无线通信、卫星通信和光纤通信等方面。

c)在计算机领域,电子技术主要用于计算机硬件的设计和制造,以及计算机网络和信息安全等方面。

d)在工业控制领域,电子技术主要用于自动化设备和过程控制系统的设计和实现。

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库(附参考答案)

模拟电子技术练习题库(附参考答案)一、单选题(共103题,每题1分,共103分)1.PNP型三极管工作在放大状态时,其发射极电位最高,集电极电位最低。

()A、对 :B、错正确答案:A2.集成运放的非线性应用存在()现象。

A、虚地;B、虚断;C、虚断和虚短。

正确答案:B3.设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。

( )A、错误B、正确 ;正确答案:B4.集成运算放大器采用差动放大电路作为输入级的原因是A、提高输入电阻B、抑制零漂C、稳定放大倍数D、克服交越失真正确答案:B5.理想集成运放的开环放大倍数Au0为( )。

A、∞;B、0;C、不定。

正确答案:A6.分压式偏置的共发射极放大电路中,若VB点电位过高,电路易出现( )。

A、截止失真;B、饱和失真;C、晶体管被烧损。

正确答案:B7.射极输出器的特点是()A、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻小、输入电阻大B、只有电流放大而没有电压放大,输出电阻大、输入电阻小C、只有电压放大而没有电流放大,输出电阻小、输入电阻大D、既有电流放大也有电压放大,输出电阻小、输入电阻大正确答案:A8.分析集成运放的非线性应用电路时,不能使用的概念是( )。

A、虚短;B、虚地;C、虚断。

正确答案:A9.基极电流iB的数值较大时,易引起静态工作点Q接近( )。

A、饱和区B、死区C、截止区正确答案:A10.正弦电流经过二极管整流后的波形为()。

A、正弦半波;B、矩形方波;C、等腰三角波;D、仍为正弦波。

正确答案:A11.晶体三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。

()A、对 :B、错正确答案:B12.对于工作在放大区的晶体三极管而言,下列式子正确的是:A、I=βIbB、Ic=βIbC、Ie=βIb正确答案:B13.集成电路内部,各级之间的耦合方式通常采用 ( )A、直接耦合B、变压器耦合C、光电耦合D、阻容耦合正确答案:A14.具有输入、输出反相关系的小信号放大电路是 ( )A、共集电放大电路B、射极输出器C、共射放大电路D、共基放大电路正确答案:C15.共集电极放大电路的输入信号与输出信号,相位差为180°的反相关系。

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第三部分 习题与解答习题1客观检测题一、填空题1、在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于掺入的 杂质浓度 ,而少数载流子的浓度则与 温度 有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时,扩散电流 大于 漂移电流,耗尽层 变窄 。

当外加反向电压时,扩散电流 小于 漂移电流,耗尽层 变宽 。

3、在N 型半导体中,电子为多数载流子, 空穴 为少数载流子。

二.判断题1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子,N 型半导体中含有大量电子载流子,所以P 型半导体带正电,N 型半导体带负电。

( × )2、在N 型半导体中,掺入高浓度三价元素杂质,可以改为P 型半导体。

( √ )3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的,即杂质浓度大,扩散电流大;杂质浓度小,扩散电流小。

(× )4、本征激发过程中,当激发与复合处于动态平衡时,两种作用相互抵消,激发与复合停止。

( × )5、PN 结在无光照无外加电压时,结电流为零。

( √ )6、温度升高时,PN 结的反向饱和电流将减小。

( × )7、PN 结加正向电压时,空间电荷区将变宽。

(× )三.简答题1、PN 结的伏安特性有何特点?答:根据统计物理理论分析,PN 结的伏安特性可用式)1e (I I T V Vs D -⋅=表示。

式中,I D 为流过PN 结的电流;I s 为PN 结的反向饱和电流,是一个与环境温度和材料等有关的参数,单位与I 的单位一致;V 为外加电压; V T =kT/q ,为温度的电压当量(其单位与V 的单位一致),其中玻尔兹曼常数k .J /K -=⨯2313810,电子电量)(C 1060217731.1q 19库伦-⨯=,则)V (2.11594TV T =,在常温(T=300K )下,V T ==26mV 。

当外加正向电压,即V 为正值,且V 比V T 大几倍时,1eTV V >>,于是TV V s eI I ⋅=,这时正向电流将随着正向电压的增加按指数规律增大,PN 结为正向导通状态.外加反向电压,即V 为负值,且|V|比V T 大几倍时,1eTV V<<,于是s I I -≈,这时PN 结只流过很小的反向饱和电流,且数值上基本不随外加电压而变,PN 结呈反向截止状态。

PN 结的伏安特性也可用特性曲线表示,如图所示.从式伏安特性方程的分析和图特性曲线(实线部分)可见:PN 结真有单向导电性和非线性的伏安特性。

2、什么是PN 结的反向击穿?PN 结的反向击穿有哪几种类型?各有何特点?答:“PN”结的反向击穿特性:当加在“PN”结上的反向偏压超过其设计的击穿电压后,PN 结发生击穿。

PN 结的击穿主要有两类,齐纳击穿和雪崩击穿。

齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结,一般反向击穿电压小于4Eg/q (E g —PN 结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值,单位为伏特)的PN 的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。

雪崩击穿主要发生在“PN”结一侧或两侧的杂质浓度较低“PN”结,一般反向击穿电压高于6 Eg/q 的“PN”结的击穿模式为雪崩击穿。

击穿机理就是强电场使载流子的运动速度加快,动能增大,撞击中型原子时把外层电子撞击出来,继而产生连锁反应,导致少数载流子浓度升高,反向电流剧增。

3、PN 结电容是怎样形成的?和普通电容相比有什么区别?PN 结电容由势垒电容C b 和扩散电容C d 组成。

图 PN 伏安特性势垒电容C b是由空间电荷区引起的。

空间电荷区内有不能移动的正负离子,各具有一定的电量。

当外加反向电压变大时,空间电荷区变宽,存储的电荷量增加;当外加反向电压变小时,空间电荷区变窄,存储的电荷量减小,这样就形成了电容效应。

“垫垒电容”大小随外加电压改变而变化,是一种非线性电容,而普通电容为线性电容。

在实际应用中,常用微变电容作为参数,变容二极管就是势垒电容随外加电压变化比较显著的二极管。

扩散电容C d是载流子在扩散过程中的积累而引起的。

PN结加正向电压时,N区的电子向P区扩散,在P区形成一定的电子浓度(N p)分布,PN结边缘处浓度大,离结远的地方浓度小,电子浓度按指数规律变化。

当正向电压增加时,载流子积累增加了△Q;反之,则减小,图P区中电子浓度的分布曲线及电荷的积累如图所示。

同理,在N区内空穴浓度随外加电压变化而变化的关系与P区电子浓度的变化相同。

因此,外加电压增加△V时所出现的正负电荷积累变化△Q,可用扩散电容C d来模拟。

C d也是一种非线性的分布电容。

综上可知,势垒电容和扩散电容是同时存在的。

PN结正偏时,扩散电容远大于势垒电容;PN结反偏时,扩散电容远小于势垒电容。

势垒电容和扩散电容的大小都与PN结面积成正比。

与普通电容相比,PN结电容是非线性的分布电容,而普通电容为线性电容。

习题2客观检测题一、填空题1、半导体二极管当正偏时,势垒区变窄,扩散电流大于漂移电流。

2、在常温下,硅二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V;锗二极管的门限电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V。

3、在常温下,发光二极管的正向导通电压约 ~2V ,高于硅二极管的门限电压;考虑发光二极管的发光亮度和寿命,其工作电流一般控制在 5~10 mA。

4、利用硅PN结在某种掺杂条件下反向击穿特性陡直的特点而制成的二极管,称为普通(稳压)二极管。

请写出这种管子四种主要参数,分别是 最大整流电流 、 反向击穿电压 、 反向电流 和 极间电容 。

二、判断题1、二极管加正向电压时,其正向电流是由( a )。

a. 多数载流子扩散形成b. 多数载流子漂移形成c. 少数载流子漂移形成d. 少数载流子扩散形成 2、PN 结反向偏置电压的数值增大,但小于击穿电压,( c )。

a. 其反向电流增大 b. 其反向电流减小 c. .其反向电流基本不变 d. 其正向电流增大 3、稳压二极管是利用PN 结的( d )。

a. 单向导电性b. 反偏截止特性c. 电容特性d. 反向击穿特性4、二极管的反向饱和电流在20℃时是5μA,温度每升高10℃,其反向饱和电流增大一倍,当温度为40℃时,反向饱和电流值为( c )。

a. 10μAb. 15μAc. 20μAd. 40μA 5、变容二极管在电路中使用时,其PN 结是( b )。

a. 正向运用 b. 反向运用三、问答题1、温度对二极管的正向特性影响小,对其反向特性影响大,这是为什么?答:正向偏置时,正向电流是多子扩散电流,温度对多子浓度几乎没有影响,因此温度对二极管的正向特性影响小。

但是反向偏置时,反向电流是少子漂移电流,温度升高少数载流子数量将明显增加,反向电流急剧随之增加,因此温度对二极管的反向特性影响大。

2、能否将的干电池以正向接法接到二极管两端?为什么?答:根据二极管电流的方程式()qV /KT S I I e =-1将V=代入方程式可得:()//I e e lg I lg lg e .--=⨯-≈⨯⨯=-+=121500261215002620101201015002012143426故()I .A =⨯1421810虽然二极管的内部体电阻、引线电阻及电池内阻都能起限流作用,但过大的电流定会烧坏二极管或是电池发热失效,因此应另外添加限流电阻。

3、有A 、B 两个二极管。

它们的反向饱和电流分别为5mA 和A .μ20,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA 和8mA ,你认为哪一个管的性能较好?答:B 好,因为B 的单向导电性好;当反向偏置时,反向饱和电流很小,二极管相当于断路,其反向偏置电阻无穷大。

4、利用硅二极管较陡峭的正向特性,能否实现稳压?若能,则二极管应如何偏置?答:能实现稳压,二极管应该正向偏置,硅二极管的正偏导通电压为;因此硅二极管的正向特性,可以实现稳压,其稳压值为。

5、什么是齐纳击穿?击穿后是否意味着PN 结损坏?答:齐纳击穿主要发生在两侧杂质浓度都较高的PN 结,其空间电荷区较窄,击穿电压较低(如5V 以下),一般反向击穿电压小于4Eg/q (E g —PN 结量子阱禁带能量,用电子伏特衡量,Eg/q 指PN 结量子阱外加电压值,单位为伏特)的PN 的击穿模式就是齐纳击穿,击穿机理就是强电场把共价键中的电子拉出来参与导电,使的少子浓度增加,反向电流上升。

发生齐纳击穿需要的电场强度很大,只有在杂质浓度特别大的PN 结才能达到。

击穿后并不意味着PN 结损坏,当加在稳压管上的反向电压降低以后,管子仍然可以恢复原来的状态。

但是反向电流和反向电压的乘积超过PN 结容许的耗散功率时,就可能由电击穿变为热击穿,而造成永久性的破坏。

电击穿PN 结未被损坏,但是热击穿PN 结将永久损坏。

主观检测题试用电流方程式计算室温下正向电压为和反向电压为1V 时的二极管电流。

(设A I S μ10= )解:由公式 ()()D D T qV /KTV /V D S S I I e I e =-=-11由于A I S μ10=, V T = 正向偏置V D =时 ()()()()D TV /V ./.D S I I ee e A .A μ=-=-=-==0260026101101101220264022 当反向偏置D V V =-1时 D S I I A μ≈-=-10写出题图所示各电路的输出电压值,设二极管均为理想二极管。

解:V O1≈2V(二极管正向导通),V O2=0(二极管反向截止),V O3≈-2V (二极管正向导通),V O4≈2V (二极管反向截止),V O5≈2V (二极管正向导通),V O6≈-2V (二极管反向截止)。

重复题,设二极管均为恒压降模型,且导通电压V D =。

解:U O1≈(二极管正向导通),U O2=0(二极管反向截止),U O3≈-(二极管正向导通),U O4≈2V(二极管反向截止),U O5≈(二极管正向导通), U O6≈-2V (二极管反向截止)。

设题图中的二极管均为理想的(正向可视为短路,反向可视为开路),试判断其中的二极管是导通还是截止,并求出A 、Q 两端电压AO U 。

解:题图所示的电路图中,图(a )所示电路,二极管D 导通,V AO =-6V , 图(b )所示电路,二极管D 1导通,D 2截止,V AO =-0V , 图(c )所示电路,二极管D 1导通,D 2截止,V AO =-0V 。

在用万用表的Ω⨯Ω⨯Ω⨯k R R R 1100,10和三个欧姆档测量某二极管的正向电阻时,共测得三个数据;ΩΩΩ68085,4和k ,试判断它们各是哪一档测出的。

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