电路原理课程题库(有详细)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)(2023版)
集成电路技术集成电路工艺原理试卷(练习题库)1、用来做芯片的高纯硅被称为(),英文简称(),有时也被称为()。
2、单晶硅生长常用()和()两种生长方式,生长后的单晶硅被称为()。
3、晶圆的英文是(),其常用的材料是()和()。
4、晶圆制备的九个工艺步骤分别是()、整型、()、磨片倒角、刻蚀、()、清洗、检查和包装。
5、从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是()、O 和()。
6、CZ直拉法生长单晶硅是把()变为()并且()的固体硅锭。
7、CZ直拉法的目的是()。
8、影响CZ直拉法的两个主要参数是O和()。
9、晶圆制备中的整型处理包括()、()和()。
10、制备半导体级硅的过程:1、();2、();3、O011、热氧化工艺的基本传输到芯片的不同部分。
77、多层金属化指用来连接硅片上高密度堆积器件的那些金属层。
78、阻挡层金属是淀积金属或金属塞,其作用是增加上下层材料的附着。
79、关键层是指那些线条宽度被刻蚀为器件特征尺寸的金属层。
80、传统互连金属线的材料是铝,即将取代它的金属材料是铜。
81、溅射是个化学过程,而非物理过程。
82、表面起伏的硅片进行平坦化处理,主要采用将低处填平的方法。
83、化学机械平坦化,简称CMP,它是一种表面全局平坦化技术。
84、平滑是一种平坦化类型,它只能使台阶角度圆滑和侧壁倾斜,但高度没有显著变化。
85、反刻是一种传统的平坦化技术,它能够实现全局平坦化。
86、电机电流终点检测不适合用作层间介质的化学机械平坦化。
87、在CMP为零的转换器。
133、CD是指硅片上的最小特征尺寸。
134、集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作。
简而言之,这些操作可以分为四大基本类:薄膜135、人员持续不断地进出净化间,是净化间沾污的最大来源。
136、硅片制造厂可分为六个的区域,各个区域的照明都采用同一种光源以达到标准化。
137、世界上第一块集成电路是用硅半导体材料作为衬底制造的。
电路原理练习题
u (t) 3 (1 et ) (V)
C
2
方法二 用三要素法来求i1(t) 。
1
u (0 ) u (0 ) 0(V)
C
C
S
画出t=0+时的等效电路(电容短路),求i1(0+)。
(11)i1(0) i2 2 2i1(0)
i1(0 ) (11)i2 2i1(0 )
i (0 ) 4
I2
Isc
I
SC
20V
2I I I 5
SC
1
2
3I 2I 5
1
2
I 40A SC
I I 2I 20
SC
1
2
则 R UOC 120 3Ω
R 0
0I
40
SC
U
故当R R 3Ω时,它可获得最大功率。 OC
0
P
2
UOC
1202
1200W
4R max 4 3
0
3Ω 120V
u1 4Ω
i1
i
20V
a
i u
b
u1
4Ω
4Ω
4Ω i a
u1 4Ω
u
b
方法二(开短路法) 求 ISC
8I 4I 4I 20
SC
1
2
4I 12I 4I u 0
SC
1
2
1
4I 4I 8I 100 20
100V
SC
1
2
u 4(I I )
1
2
SC
u1
4Ω
4Ω I1 4Ω
a
u1 4ΩUOC来自4u1(20 u1) 44
u1
20
(完整版)集成电路工艺原理期末试题
Ti/TiN;Al/AlCu;TiN。
:接触层金属和阻挡层金属。
:导电层;
:阻挡层金属和抗反射涂层。
、 离子注入后为什么要退火,高温退火和快速热处理哪个更优越,为什么?
分)
离子注入会将原子撞击出晶格结构而损伤硅片晶格。如果注入的剂量很
这些间隙杂质只有经过高温退火过程才能被激活。退火能够加
∴ t2
+0.5tox=0.2×(2 +0.25);即 tox= 0.4659μm
2 h内湿氧水汽氧化所生成的SiO
厚度为0.4659μm。
总的硅片氧化生成的二氧化硅厚度t
= 0.0855 +0.4659 =0.5514μm
∴ 消耗的硅层厚度为t
=0.5514×0.45=0.2481μm
(a) ∵ t2
+ Atox=B(t + τ),又∵初始氧化层厚度为0;
∴ τ
= ( t2ox + Atox ) / B = 0 h
∵ t2
+Atox=B(t1 +τ1),又∵ t1=0.5 h;
∴ t2
+0.09tox=0.03×(0.5 +0);即 tox= 0.0855 μm
1.44的水溶液,光刻机使用的光源为波长193nm的准分子激光器,k
0.6,试求此镜头的数值孔径NA、焦深和光刻机的分辨率。(10分)
(1) 数值孔径: NA = (n)sinθ
≈(n)透镜半径/透镜的焦长≈6/10≈0.6
焦深: DOF = λ/2(NA)2 = 193/2*(0.6)2 =268 nm
20分)
、硅片热氧化生长遵从如下公式:t2
+Atox=B(t + τ),其中tox为硅片经过t时
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库
一、填空题(30分=1分*30)10题/章晶圆制备1.用来做芯片的高纯硅被称为(半导体级硅),英文简称(GSG ),有时也被称为(电子级硅)。
2.单晶硅生长常用(CZ法)和(区熔法)两种生长方式,生长后的单晶硅被称为(硅锭)。
3.晶圆的英文是(wafer ),其常用的材料是(硅)和(锗)。
4.晶圆制备的九个工艺步骤分别是(单晶生长)、整型、(切片)、磨片倒角、刻蚀、(抛光)、清洗、检查和包装。
5.从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是(100 )、(110 )和(111 )。
6.CZ直拉法生长单晶硅是把(融化了的半导体级硅液体)变为(有正确晶向的)并且(被掺杂成p型或n型)的固体硅锭。
7.CZ直拉法的目的是(实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中)。
影响CZ直拉法的两个主要参数是(拉伸速率)和(晶体旋转速率)。
8.晶圆制备中的整型处理包括(去掉两端)、(径向研磨)和(硅片定位边和定位槽)。
9.制备半导体级硅的过程:1(制备工业硅);2(生长硅单晶);3(提纯)。
氧化10.二氧化硅按结构可分为()和()或()。
11.热氧化工艺的基本设备有三种:(卧式炉)、(立式炉)和(快速热处理炉)。
12.根据氧化剂的不同,热氧化可分为(干氧氧化)、(湿氧氧化)和(水汽氧化)。
13.用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分:(工艺腔)、(硅片传输系统)、气体分配系统、尾气系统和(温控系统)。
14.选择性氧化常见的有(局部氧化)和(浅槽隔离),其英语缩略语分别为LOCOS和(STI )。
15.列出热氧化物在硅片制造的4种用途:(掺杂阻挡)、(表面钝化)、场氧化层和(金属层间介质)。
16.可在高温设备中进行的五种工艺分别是(氧化)、(扩散)、()、退火和合金。
17.硅片上的氧化物主要通过(热生长)和(淀积)的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为(薄膜)。
10月全国自考电工原理试题及答案解析
1全国2018年10月高等教育自学考试电工原理试题课程代码:02269一、单项选择题(本大题共20小题,每小题2分,共40分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.图中i(t)=3e -t A ,则电压u(t)=( ) A .-3e -t V B .-6e -t V C .-9e -t V D .-15e -t V2.图中电流源发生的功率P s =( ) A .0W B .5W C .-5W D .-10W3.图中电压源发出的功率P s =( ) A .-10W B .10W C .-20W D .20W4.图中电流源发出功率为30W ,问a 、b 端发出的功率P ab =( ) A .20W B .15W C .10W D .-10W5.求图示电路a 、b 端的等效电阻R ab =( )A .Ω15131B .Ω1131 C .Ω13122D .Ω74 6.图示电路中的电流i=( ) A .4A B .6.5A C .2A D .2.5A7.图示电路中的电压u =( )A .A 521B .A 526C .4AD .A 5228.已知RLC 串联谐振电路的电感L =1mH 电容C =10μF ,则电路的谐振角频率ω0=( ) A .103 rad/s B .10-3 rad/s C .104 rad/sD .10-4rad/s9.图示正弦稳态电路,若已知 2I s = 10∠0°A ,则I R =( )A .7.07AB .10AC .-10AD .210A10.图示电路的等效电感L ab =( ) A .4mH B .5mH C .2.5mH D .3.5mH11.图示无源二端网络N 端口电压u(t)=210cost V ,电流i(t)=cos(t+45°)A 则网络N 等效阻抗的实部R =( ) A .10Ω B .20Ω C .5Ω3D .2.5Ω12.线电压为380V 的对称三相电源Y 联接,出现了故障。
《电工电子技术基础》试题库
《电工电子技术》课程复习资料一、填空题:1.正弦交流电的相量表示具体有有效值相量和最大值相量两种形式。
2.一阶电路暂态过程三要素法的表达式。
3.变压器有三大作用,分别是变压_、_变流_和_变换阻抗_。
4.PN结具有单向导电性,可描述为正偏导通、反偏截止。
5.以比较的风格分类,电压比较器有单限比较、滞回比较和窗口比较。
6.基本的逻辑关系是逻辑与、逻辑或和逻辑非。
7.“触发”是指给触发器或时序逻辑电路施加时钟(脉冲)信号。
8.电路的主要作用是传输、分配和控制电能和传送、处理电信号。
9.负载功率因数过低的后果是增大输电线路损耗和使供电设备不被充分利用。
10.三相同步发电机的基本构成是定子和转子。
11.电容和电感储能的数学表达式是和。
12.低压供电系统的接线方式主要有树干式和放射式。
13.实际变压器存在两种损耗,分别是铜耗和铁耗。
14.已知三相异步电动机的工频为50HZ,五对磁极,则同步转速为600r/min。
15.变压器的主要构成部件是绕组和铁芯。
16.已知三相异步电动机的工频为50HZ,四对磁极,则同步转速为750 r/min。
17.晶体三极管的两个PN结分别是发射结和集电结。
18.要使晶体三极管处于截止状态,其偏置方法是使发射结反偏集电结反偏。
19.反相比例运算关系是.,同相比例运算关系是。
20.多发射极管的作用是实现与运算、提高(逻辑)转换速度。
21.翻转是指触发器在时钟脉冲到达后形成与初态相反的次态。
22.我国规定的电力网特高压额定值有330kV、500kV和1000kV 。
23.理想变压器的变压公式是。
24.已知三相异步电动机的工频为50HZ,三对磁极,则同步转速为1000r/min。
25.晶体三极管有三种工作状态,分别为放大、截止和饱和。
26.放大电路的耦合方式有阻容耦合、变压器耦合和直接耦合。
27.负反馈对放大电路性能的影响有稳定电压放大倍数、拓展频宽、改善非线性失真和改变输入输出阻抗。
重庆科技学院电路原理题库2
专业班级: 姓 名: 学 号:装 订 线第2页B.电阻与电流源吸收功率,电压源供出功率+ -C.电阻与电压源吸收功率,电流源供出功率D.电阻无作用,电流源吸收功率,电压源供出功率2、下图所示电路中,电流I为()A.(U1-U2)/4U24SB.(U2-U1)/4C.4(U2-U1)D.4(U1-U2)3、下图所示二端电路中,与电压源并联的电阻R()+-abA.对端口电压有影响B.对端口电源有影响C.对Us支路的电流有影响D.对端口电压与端口电流都有影响4、下图所示电路,N0为无源线性电阻网络,已知5Ω电阻的功率P=0.8W,若电流源电由3A增为12A,则5Ω电阻的功率为()5ΩA.16/5W B.12/5W C.12.8W D.7.2W5、下图所示二端网络的戴维南等效电路的开路电压和等效电阻为()第3页abA.2V, 2ΩB.2V, 2.22ΩC.7V, 2ΩD.7V, 2.22Ω6、若一阶电路的时间常数为1s,则零输入响应每经过1s将衰减为原来值的()A.50%B.36.8%C.25%D.13.5%7、已知正弦电流i1=10cos(wt +300)A,i2=10sin(wt-150) A,则i1超前i2的相位差ψ为()A.450 B.-450 C.1050 D.13508、正弦电流通过电感元件时,下列关系式中正确的是()A.dtdiLU=∙B.LjUIω∙∙-=C.u=ωLi D.UI L j∙∙=ω9、RLC串联谐振电路中的电感增至原来的4倍时,谐振频率应为原来的()A.4倍B.2倍C.1/2倍D.1/4倍10、若20:1理想降压变压器的次级线圈中0.6Ω电阻的电压为6V,则该变压器的次级电流和初级电流为()A.10A, 5A B.5A, 10A C.10A, 0.5A D.0.5A, 10A11、对称三相电源的A相电压u a=220sinωt V,星型连接时线电压的有效值为()A.380V B.426V C.220V D.245V12、8622++sss的拉氏反变换式是()A.ee tt2442---B.ee tt2442--+C.ee tt2424---D.ee tt2424--+13、二端口网络Y参数中,Y22是二端口的()第 4 页A . 输出端导纳B .输入端开路时的出端导纳C . 输入端短路时的转移导纳D .以上皆非14、下图所示含理想二极管的电路中,当U A =3V ,U B =0V 时,P 点的电位U P 应是( )PA B+12VΩA . 3VB .12VC .-3VD .0V 三、计算题:(本题共6小题,共60分)1、 试用戴维南定理计算下图中的电流I 。
《集成电路工艺原理(芯片制造)》课程+试题库
一、填空题(30分=1分*30)10题/章晶圆制备1.用来做芯片的高纯硅被称为(半导体级硅),英文简称(GSG ),有时也被称为(电子级硅)。
2.单晶硅生长常用(CZ法)和(区熔法)两种生长方式,生长后的单晶硅被称为(硅锭)。
3.晶圆的英文是(wafer ),其常用的材料是(硅)和(锗)。
4.晶圆制备的九个工艺步骤分别是(单晶生长)、整型、(切片)、磨片倒角、刻蚀、(抛光)、清洗、检查和包装。
5.从半导体制造来讲,晶圆中用的最广的晶体平面的密勒符号是(100 )、(110 )和(111 )。
6.CZ直拉法生长单晶硅是把(融化了的半导体级硅液体)变为(有正确晶向的)并且(被掺杂成p型或n型)的固体硅锭。
7.CZ直拉法的目的是(实现均匀掺杂的同时并且复制仔晶的结构,得到合适的硅锭直径并且限制杂质引入到硅中)。
影响CZ直拉法的两个主要参数是(拉伸速率)和(晶体旋转速率)。
8.晶圆制备中的整型处理包括(去掉两端)、(径向研磨)和(硅片定位边和定位槽)。
9.制备半导体级硅的过程:1(制备工业硅);2(生长硅单晶);3(提纯)。
氧化10.二氧化硅按结构可分为()和()或()。
11.热氧化工艺的基本设备有三种:(卧式炉)、(立式炉)和(快速热处理炉)。
12.根据氧化剂的不同,热氧化可分为(干氧氧化)、(湿氧氧化)和(水汽氧化)。
13.用于热工艺的立式炉的主要控制系统分为五部分:(工艺腔)、(硅片传输系统)、气体分配系统、尾气系统和(温控系统)。
14.选择性氧化常见的有(局部氧化)和(浅槽隔离),其英语缩略语分别为LOCOS和(STI )。
15.列出热氧化物在硅片制造的4种用途:(掺杂阻挡)、(表面钝化)、场氧化层和(金属层间介质)。
16.可在高温设备中进行的五种工艺分别是(氧化)、(扩散)、()、退火和合金。
17.硅片上的氧化物主要通过(热生长)和(淀积)的方法产生,由于硅片表面非常平整,使得产生的氧化物主要为层状结构,所以又称为(薄膜)。
《电路原理导论》第三章习题解答
习题三习题三3-1列出图3-1电路的网孔电流方程式和另一组包含外围回路的一组回路电流方程式。
解: 网孔方程式 ()()()⎪⎭⎪⎬⎫-=++--=-++-=--++5222262266326263321321321l l l l l l l l l i i i i i I I I I一般回路方程式()()⎪⎭⎪⎬⎫-=++--=-++--=52222622662633213211l l l l l l l i i i i i I I 3-2用网孔法求图3-2电路中的I 1、 I 2。
答:1A ;-1A 解:上方网孔电流已知,列两网孔方程足矣628412482121⨯-=+-=-i i i i()A 14848964812416641281=-=-+-⨯=i()A 14896484812816641242-=-=-+-⨯=i3-3用网孔法求图3-3电路中的网孔电流。
答:1A ;2A ;3A解:列网孔32155********349321321321=+--=-+--=⨯-⨯-⨯i i i i i i i i i 消去i 3得654015825422121=+--=-i i i i()A 1130513052515404265258401==⨯-⨯⨯+-⨯=i()A 213052610130565428152==⨯+-⨯=i由1式求i 3832493-=-⨯-i2Ω图3-2习题3-2题图图3-3习题3-3题图图3-1习题3-1题图习题三A 3393==i 3-4用回路法求图3-4电路中的U 。
答:-6V 解:该电路有3个独立回路,设定两电流源为两个独立回路电流,则选左边回路列方程式可解()()1510363232=⨯+⨯+++iA 9545-=-=i()V 6962-=-=U3-5用回路法求图3-5电路中的各支路电流。
答:-1A ;-1A ;0;0;1A 解:1A 电流源为第3网孔电流,则列两个回路方程可解2421322121-=+-=-i i i i()1226823141-=-=--+⨯=i()122222122-=-=-+⨯=i0123=+=i i0124=-=i i i A 1135=-=i i i3-6在图3-6电路中,已知V 3=s U ,Ω=11R ,Ω=22R Ω=33R ,Ω=64R ,试用回路法求各支路电流及各电源功率。
电子与通信技术:集成电路工艺原理考试资料(题库版)
电子与通信技术:集成电路工艺原理考试资料(题库版)1、问答题简述引线框架材料?正确答案:引线框架作为集成电路的芯片载体,是一种借助于键合材料(金丝、铝丝、铜丝)实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接,形成电气回路的关(江南博哥)键结构件,它起到了和外部导线连接的桥梁作用。
引线框架材料的要求为:热匹配,良好的机械性能,导电、导热性能好,使用过程无相变,材料中杂质少,低价,加工特性和二次性能好。
2、问答题简述MCM的概念、分类与特性?正确答案:概念:将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。
分类:MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、MCM-D是采用薄膜技术的MCM。
特性:尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。
可大幅度提高电路连线密度,增加封装效率;可完成轻、薄、短、小的封装设计;封装的可靠性提升。
3、问答题矩形片式电阻由哪几部分组成?各部分的主要作用是什么?正确答案:基板:基板要具有良好的电绝G8P-1A4PDC12缘性、导热性和机械强度高等特征。
一般基板的材科多采用高纯度的(96%)AL203陶瓷。
其工艺要求表面平整、划线准确,以确保电阻、电极浆料印制到位。
电极:片式电阻器一般都采用三层电极结构,最内层的是内层电极,它是连接电阻体位于中间层的是中间电极,它是镀镍(Ni)层,也被称为阻挡层,其主要作用是提高电阻器在焊接时的耐热性,避免造成内层电极被溶蚀。
位于最外层的是外层电极,它也被称为可焊层,该层除了使电极具有良好的可焊性外,还可以起到延长电极保存期的作用。
通常,外层电极采用锡一铅(S。
-PB.合金电镀而成。
电阻膜:电阻膜是采用具有一定电阻率的电阻浆料印制在陶瓷基板上,然后再经过烧结而成的厚膜电阻。
保护层:保护层位于电阻膜的外部,主要起保护作用。
它通常可以细分为封包玻璃保护膜、玻璃釉涂层和标志玻璃层。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (2)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第X 学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷(120分钟)考试形式:开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成:平时10 分,期中0 分,实验10 分,期末80 分一二三四五六七八九十合计一.选择题(共20题,每题2分,共40分)1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )A增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小4. 关于衬底PNP,下列说法正确的是( A )A.所有衬底PNP集电极电压必须相同.B.所有衬底PNP发射极电压必须相同.C.所有衬底PNP基极电压必须相同.D.所有衬底PNP各个电极电压可以任意设定5. 对于扩散电阻, 其宽度越大, 则电阻值越易做得( A )A 精确, B误差大, C 误差可大可小, D电阻间的相对误差大.6. 室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负7.在集成电路中决定互联线宽度的因素有( A )A.大电流密度限制.B.Si-Al互熔问题.C.互联线的温度系数………密………封………线………以………内………答………题………无………效……D.是否形成欧姆接触.8. 套筒式共源共栅运放和折叠式共源共栅运放相比, 它的( B )较大些A. 最大电压输出摆幅B. 差模增益C. 极点频率D.功耗9.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响10.差分对中, 不影响其共模抑制比的因素为( C )A.差分管的对称性B.电流源的交流阻抗C.输入电压幅度D.电阻R C1和R C2的对称性11. Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A.V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.对于ED NMOS基准电压源电路, 其中的两个NMOS的工作状态为( A )A, 都是饱和区B. 一个是饱和区, 一个是线性区C 都是线性区D都是亚阈值区13正偏二级管正向压降具有( B )温度特性.A . 零 B. 负 C. 正 D. 可正可负14. MOS共栅放大器的特点是( D )A.放大器输入输出反相, 输入阻抗高B.放大器输入输出同相, 输入阻抗高………密………封………线………以………内………答………题………无………效……C.放大器输入输出反相, 输入阻抗低D.放大器输入输出同相, 输入阻抗低15. 电路的主极点是( D )A离原点最远的极点, 它对应电路的-3dB带宽B 离原点最远的极点, 它对应电路的单位增益带宽C离原点最近的极点, 它对应电路的单位增益带宽D.离原点最近的极点, 它对应电路的-3dB带宽16.在CMOS差分输入级中, 下面的做法哪个对减小输入失调电压有利( C )A.增大有源负载管的宽长比.B.提高静态工作电流..C.增大差分对管的沟道长度和宽度D.提高器件的开启(阈值)电压17.在差分电路中, 可采用恒流源替换”长尾”电阻. 这时要求替换”长尾”的恒流源的输出电阻( A )A.越高越好, B.越低越好 C. 没有要求D. 可高可低18. 和共源极放大器相比较, 共源共栅放大器的密勒效应要( A )A.小得多B相当, C 大得多. D不确定19.在版图设计上, 采用比例电阻和比例电容的设计可以( C )A. 提高电阻或电容自身的绝对精度,B. 提高电阻或电容自身的相对精度,C. 减小电阻或电容间的比例误差D. 无影响20.对于差分对的版图设计下列( D )图最优.………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二. 简答题(共5题,每题4分, 共20分)1. 画出共源共栅放大器基本结构, 简述其工作原理及特点.答:基本原理:M1为输入器件,M2为共源共栅器件,共源级M1将输入电压信号Vin 转换为电流信号g m Vin ,该电流信号流入M2漏端,从其源端输入到负载。
华南理工05-07年电路原理试题
L1
*
L2
L3 a M23 b + Zi U OC a
US -
.+
M12 *
.
b
图 6(a) 图 6(b) 7、图 7 所示电路中,ωL1 =7.5Ω,R1 =3Ω,R2 =5Ω,ωL2 =12.5Ω,ωM =6Ω,f=50Hz,当电路 发生谐振时,C= μF。
M +
A
u
-
R1
L1
R2
20.单位冲击函数是一种奇异函数,它被定义为(
二、已知题图 2 所示电路中 I 1 A ,试求:①电阻 R 的值;②各元件功率,并指出各元件 是发出功率还是吸收功率。③校验电路功率平衡关系。 (11 分)
2
2V
2
2V
R 8
2I
U1
I
3U1
题图 2 三、电路如题图 3 所示,已知电阻 R1 R2 R3 R4 R5 1 ,试求电路中各支路电流。 (11 分)
) 、 (
) 、
8 . 正 弦 交 流 电 压 为 u 311sin 314t 45 ( )V。
o
V ,其对应的有效值相量表达式为 U
9. 频率为 f 的正弦交流电流 i =(
=2 )A 对应的有效值相量 I
∠30°A。
10 . 一 个 简 单 的 正 弦 交 流 电 路 由 电 压 源 us 311sin100t V 及 其 内 阻 R0 和 负 载 电 阻 求得 R0 ( RL 22 构成, ) 时, 电压源供给负载的最大功率为 Pmax ( )W。
电机与电器电力系统及其自动化高电压与绝缘技术电力电子与电力传动共7页一填空题本题共60分每小题5分1电路如图1所示若开关k分别在位置1和位置2时流过3r的电流分别为4a和2a则开关k在位置3时流过3r的电流为
电工技术电工学电路理论大学课程考试试题及答案
分
四、电路分析题(10分)
分析图中所示电路,已知R1=40Ω,XL=30Ω,R2=60Ω,Xc=60Ω,接至220V的电源上.试求各支路电流及总的有功功率、无功功率和功率因数。
得
分
五、电路分析及参数计算(第一小题15分,第二小题10分)
1.电路如图所示,求t≥0时(1)电容电压Uc,(2) A点电位VA。换路前电路处于稳态。(要求画出分析过程图)
2.电路如图所示的三相四线制电路,三相负载连接成星形,已知电源线电压380V,负载电阻Ra=11Ω,Rb=Rc=22Ω,试求:
(1)负载的各相电压、相电流、线电流和三相总功率;
(2)中线断开,A相又短路时的各相电流和线电流;
(3)中线断开,A相断开时的各线电流和相电流。
得
分
六、综合电路分析(20分)
如果U、I参考方向不同,同时P = UI>0,该器件为;
3.在RLC串联电路中,已知电流为5A,电阻为30Ω,感抗为40Ω,容抗为80Ω,那么电路的阻抗为,电路中吸收的有功功率为,吸收的无功功率又为。
4.对称三相负载作Y接在380V的三相四线制电源上。负载端的相电压等于倍的线电压;相电流等于倍的线电流;中线电流等于。
5分
2.解:(1)求开路电压U0
U0=30V 3分
(2)求等效电源的内阻R0
R0= 3分
(3)画出等效电路求电流I3
4分
四、电路分析题(10分)
解:设 (V)
则 (A)2分
同理 (A)2分
∵ (A)2分
∴Байду номын сангаас(KW)
(Var)2分
2分
五、电路分析及参数计算(第一小题15分,第二小题10分)
电路原理课后答案
电路原理课后答案电路原理是电子工程专业的一门重要课程,它涉及到电路的基本概念、分析方法和设计技术。
通过学习电路原理,我们可以掌握电路的基本工作原理,为日后的电子电路设计和实际应用打下坚实的基础。
下面是一些电路原理课后习题的答案,希望能够帮助大家更好地理解和掌握这门课程。
1. 电路原理中,最基本的电路元件是什么?答,最基本的电路元件是电阻、电容和电感。
2. 什么是欧姆定律?它的数学表达式是什么?答,欧姆定律是指在恒定温度下,电流与电压成正比,即I=U/R,其中I为电流,U为电压,R为电阻。
3. 什么是串联电路?并写出串联电路的等效电阻公式。
答,串联电路是指电路中的电阻依次连接在一起,电流依次通过每一个电阻。
串联电路的等效电阻公式为R=R1+R2+...+Rn。
4. 什么是并联电路?并写出并联电路的等效电阻公式。
答,并联电路是指电路中的电阻同时连接在一起,电流分别通过每一个电阻。
并联电路的等效电阻公式为1/R=1/R1+1/R2+...+1/Rn。
5. 什么是电压分压原理?并写出电压分压电路的计算公式。
答,电压分压原理是指在串联电路中,电压与电阻成正比,即U=IR。
电压分压电路的计算公式为U1=U(R1/(R1+R2)),U2=U(R2/(R1+R2))。
6. 什么是电流合流原理?并写出电流合流电路的计算公式。
答,电流合流原理是指在并联电路中,电流与电阻成反比,即I=U/R。
电流合流电路的计算公式为I=I1+I2。
通过以上习题的答案,我们可以更好地理解电路原理中的基本概念和计算方法。
希望大家能够通过认真学习和练习,掌握好这门课程,为将来的学习和工作打下坚实的基础。
(完整版)集成电路工艺原理期末试题
电子科技大学成都学院二零一零至二零一一学年第二学期集成电路工艺原理课程考试题A卷(120分钟)一张A4纸开卷教师:邓小川1、名词解释:(7分)答:Moore law:芯片上所集成的晶体管的数目,每隔18个月翻一番。
特征尺寸:集成电路中半导体器件能够加工的最小尺寸。
Fabless:IC 设计公司,只设计不生产。
SOI:绝缘体上硅。
RTA:快速热退火。
微电子:微型电子电路。
IDM:集成器件制造商。
Chipless:既不生产也不设计芯片,设计IP内核,授权给半导体公司使用。
LOCOS:局部氧化工艺。
STI:浅槽隔离工艺。
2、现在国际上批量生产IC所用的最小线宽大致是多少,是何家企业生产?请举出三个以上在这种工艺中所采用的新技术(与亚微米工艺相比)?(7分) 答:国际上批量生产IC所用的最小线宽是Intel公司的32nm。
在这种工艺中所采用的新技术有:铜互联;Low-K材料;金属栅;High-K材料;应变硅技术。
3、集成电路制造工艺中,主要有哪两种隔离工艺?目前的主流深亚微米隔离工艺是哪种器件隔离工艺,为什么?(7分)答:集成电路制造工艺中,主要有局部氧化工艺-LOCOS;浅槽隔离技术-STI两种隔离工艺。
主流深亚微米隔离工艺是:STI。
STI与LOCOS工艺相比,具有以下优点:更有效的器件隔离;显著减小器件表面积;超强的闩锁保护能力;对沟道无侵蚀;与CMP兼容。
4、在集成电路制造工艺中,轻掺杂漏(LDD)注入工艺是如何减少结和沟道区间的电场,从而防止热载流子的产生?(7分)答:如果没有LDD形成,在晶体管正常工作时会在结和沟道区之间形成高电场,电子在从源区向漏区移动的过程中,将受此电场加速成高能电子,它碰撞产生电子空穴对,热电子从电场获得能量,造成电性能上的问题,如被栅氧化层陷阱俘获,影响器件阈值电压控制。
LDD注入在沟道边缘的界面区域产生复杂的横向和纵向杂质剖面。
LDD降低的杂质浓度减小了结和沟道区间的电场,把结中的最大电场位置与沟道中的最大电流路径分离,从而防止热载流子产生。
门电路详细课程 (5)
UNL
UNH
G1
B1
S1 TN
0
DE F
UTH
uI /V
VSS
UTN
UTP
噪声DAEB与容UB、UCN限BDN段EHLCT::段:F:N、指输输段::Auuu为入截入IIO:Buu<规为=为I止段OUUV定高低T对T0DNN.值D电5电应,导,V时、平平D,通TTDi,D时时DNNT, 导截允N的的T、0通止许N噪噪,TiT、DP,、波声P(声m:功T的auT动容导x容P)耗OP状。均的限限通 略导极态导最。。下通小与通转大降,。截之折。=范。止电相0围.3压反V。D。D
6. 输入端外接电阻的大小不会引起输入电平的变化。
思考原因?
因为输入阻抗极高 (≥ 108 ) 故 输入电流 0 ,电阻上的压降 0。
uA uGSN uGSP TN
0 V < UTN < UTP 截止 10 V > UTN > UTP 导通
TP
导通 截止
uY
10 V 0V
YA A 1 Y
二、静态特性
1. 电压传输特性: uO f (uI )
+VDD
+ uI
-
S2 TP
G2
B2
D2 iD
uO /V
VDD A B C
D1 uO
2. 3. 5 CMOS 电路使用中应注意的几个问题
一、CC4000 和 C000 系列集成电路
1. CC4000 系列:符合国家标准,电源电压为 3 18 V,功能和外部引线排列与对 应序号的国外产品相同。
2. C000 系列:早期集成电路,电源电压为 7 15 V, 外部引线排列顺序与 CC4000 不同, 用时需查阅有关手册。
全国10月高等教育自学考试电工原理试题
电工原理试题 第1页(共6页)全国10月高等教育自学考试电工原理试题课程代码:02269一、单项选择题(本大题共20小题,每小题2分,共40分)在每小题列出的四个备选项中只有一个是符合题目要求的,请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1.题1图中,已知u 1(t)=3e -2t V ,则u(t)为( )A.6e -2t VB.-6e -2t VC.9e -2t VD.-9e -2t V2.题2图中,电压U 为( )A.12VB.-12VC.24VD.-24V3.题3图中,电流源发出的功率为( )A.30WB.-30WC.50WD.-50W4.题4图中,a 、b 之间的等效电阻为( )A .1ΩB.2Ω C .3ΩD.4Ω5.题5图中,a 、b 之间的开路电压Uab 为( )A.8VB.10VC.12VD.14V6.题6图中,电压u 为 ( )A.2VB.4VC.6VD.8V电工原理试题 第2页(共6页)7.题7图所示正弦稳态电路中,已知电流I=2∠0°A ,复阻抗Z=6+j6Ω,复阻抗Z 接受的有功功率为( )A.6WB.10WC.12WD.24W8.题8图所示正弦稳态电路中,ab 端的等效复导纳Yab 为( )A.0.5-j0.5SB.0.5+j0.5SC.2+j2SD.2-j2S9.题9图所示RLC 串联谐振电路中,已知电容电压c U ∙=5∠0°V ,则电感电压L U ∙为( )A.0VB.5∠0°VC.- 5∠0°VD.5∠90°V10.某耦合电感元件如题10图所示,正确描述22′端口伏安关系的式子为( )A.u 2=L 2dtdi M dt di 12+ B. u 2=L 2dt di M dt di 12- C.u 2=-L 2dt di M dt di 12+ D. u 2=-L 2dt di M dt di 12- 11.题11图所示电路的等效电阻R ab 为( )A.10ΩB.20ΩC.30ΩD.40Ω12.Y 连接的三相对称电压源,已知相电压A U ∙=220∠0°V ,则线电压AB U ∙为( )A.220∠-30°VB.380∠30°VC.220∠30°VD.380∠-30°V13.题13图所示对称三相电路中,中线电流N I ∙为( )A.0B.ZU A ∙ C. Z U B ∙ D. Z U C ∙电工原理试题 第3页(共6页)14.已知某元件上通过的电流为i(t)=[)30t 2sin(28)10t sin(26︒+ω+︒+ω]mA ,则该电流的有效值为( )A.10mAB.14mAC.102mAD.142mA15.已知某电阻两端的电压为u(t)=[])45t 3sin(10)t sin(10︒+ω+ωV ,该电阻通过的电流为i(t)=[ )t sin(22ω+] A ,则该电阻接受的平均功率为( )A.25WB.30WC.52WD.5W16.题16图所示电路的时间常数为 ( )A.(R 1+R 2+R 3+R 4)CB.(R 1+R 2)CC.(R 1+R 2+4343R R R R +)CD.(R 1+R 2+R 3)C17.线性动态电路的全响应可分解为 ( )A.稳态响应+暂态响应B.直流分量+正弦分量C.强制分量+零状态分量D.强制响应+稳态响应18.题18图所示电路,t=0时开关S 打开,则U c (∞)为 ( )A.6VB.4VC.12VD.3V19.SI 中,磁场强度,磁通的单位分别为 ( )A.(T ,Φ)B.(A /m ,Wb)C.(Wb ,A /m)D.(Φ,H) 20.一个交流电磁铁运行了一段时间后,由于某种原因,气隙增大,此时其平均吸引力( )A.不定B.增大C.减小D.不变二、填空题(本大题共10小题,每小题1分,共10分)请在每小题的空格中填上正确答案。
大学课程复习资料-电工学(少学时)-考前必背复习资料(上)
或:
Um Umejψ Um ψ
相量的模=正弦量的最大值 相量辐角=正弦量的初相角
电压的幅值相量
例2: 已知 i1 12 .7 2 sin (314 t + 30 )A
i2 11 2 sin(314t - 60)A
求:i i1 + i2 。
I1 12.7 30A I2 11 - 60A
I I1 + I2 12.7 30A + 11 - 60A 12.7( cos 30 + jsin 30 )A + 11( cos 60 - jsin 60 )A
+
E– IS R1 I1
I2
(a) 原电路
+ = E– R2 R1
I1'
I2'
+ R2 R1
IS I1''
I2'' R2
(b)
(c)
E 单独作用
IS单独作用
叠加原理
用叠加原理解题步骤: (1)分解电路,并标明各电路参数参考方向。 (2)求解各分电路。 (3)叠加。
注意事项:
1. 叠加定理只适用于线性电路(电路参数不随电压、 电流的变化而改变)。
正 确联接方法,理解中线的作用。
3. 掌握对称三相电路电压、电流及功率的计算。
三相电动势瞬时表示式 相量表示
eA Em sin t
eB Em sin( t - 120 ) eC Em sin( t + 120 )
波形图
EA E 0 E
EB E - 120 EC E + 120
相量图
(16.5 - j3.18)A 16.8 - 10.9 A
电路原理课程题库(有详细答案)
5、在Z 1与Z 2并联的正弦交流电路中,其电流关系错误的是( A ) A.I=I 1+I 2 B.i=i 1+i 2 C.21? ? ? +=I I I 6、当RLC 串联电路呈感性时,总电压与电流间的相位差φ应是( A )。 A.φ>0 B.φ<0 C.φ= 0 D.不确定 7、提高功率因数的意义在于( B )。 A.防止设备损坏 B.提高输电效率和供电设备利用率 C.提高电源电压 D.提高电源容量 8、相对磁导率( B ) A.有单位 B.无单位 C.单位是亨/米 D.单位是特 9、磁阻的单位是( B ) A.亨/米 B.亨-L C.米/亨 D.亨 10、线圈中的感应电动势大小与线圈中(C ) A.磁通的大小成正比 B.磁通的大小成反比 C.磁通的变化率成正比 D.磁通的变化率成反比 11、线圈自感电动势的大小与( D )无关。 A、线圈中电流的变化率 B、线圈的匝数 C、线圈周围的介质 D、线圈的电阻 12、在运算电路中,集成运算放大器工作在线性区域,因而要引入( B ),利用反馈网络实现各种数学运算。 A.深度正反馈 B.深度负反馈 C.浅度正反馈 D.浅度负反馈 13、稳压二极管是利用其伏安特性的(D )特性进行稳压的。 A.正向起始 B.正向导通
C.磁压 D.磁通势 28、关于正弦交流电相量的叙述中(A )的说法是正确的。 A.模是正弦量的有效值 B.幅角是相位差 C.幅角是相位 D.模是平均值 29、叠加原理是分析(C )的一个重要原理。 A.简单电路 B.复杂电路 C.线性电路D、非线性电路 30、与参考点有关的物理量是(C )。 A.电流 B.电压 C.电位 D.电动势 31、当R、L、C串联电路呈感性时,总电压与电流间的相位差φ应该是(A ). A.φ>0 B.φ<0 C.φ=0 32、有两个电容器,C1为200V、20µF,C2为250V、2µF,串联后接入400V直流电路中,可能出现的情况是( A )。 A.C1和C2都被击穿 B.C1损坏 C.C1和C2都正常工作 D.C2损坏 33、在纯电感电路中,电压与电流间的数值关系是( B )。 A.i=u/L B.I=U L/ωL C.I=U L/L D.I=U m/ωL 34、当只考虑复杂电路中某一条支路电流电压的情况,采用(D )比较方便。 A.支路电流法 B.回路电流法 C.叠加定理 D.戴维南定理 35、一般地说,谐波的出现将使电路的功率因数( C )。 A.增大 B.不变 C.降低 D.以上都不对
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《电路原理》课程题库一、填空题1、RLC串联电路发生谐振时,电路中的(电流)将达到其最大值。
2、正弦量的三要素分别是振幅、角频率和(初相位)3、角频率ω与频率f的关系式是ω=(2πf)。
4、电感元件是一种储能元件,可将输入的电能转化为(磁场)能量储存起来。
5、RLC串联谐振电路中,已知总电压U=10V,电流I=5A,容抗X C =3Ω,则感抗X L =(3Ω),电阻R=(2Ω)。
6、在线性电路中,元件的(功率)不能用迭加原理计算。
7、表示正弦量的复数称(相量)。
8、电路中a、b两点的电位分别为V a=-2V、V b=5V,则a、b两点间的电压U ab=(-7V),其电压方向为(a指向b)。
9、对只有两个节点的电路求解,用(节点电压法)最为简便。
10、RLC串联电路发生谐振的条件是:(感抗=容抗)。
11、(受控源)是用来反映电路中某处的电压或电流能控制另一处电压或电流的现象。
12、某段磁路的(磁场强度)和磁路长度的乘积称为该段磁路的磁压。
13、正弦交流电的表示方法通常有解析法、曲线法、矢量法和(符号)法四种。
14、一段导线电阻为R,如果将它从中间对折,并为一段新的导线,则新电阻值为(R/4)Ω。
15、由运算放大器组成的积分器电路,在性能上象是(低通滤波器)。
16、集成运算放大器属于(模拟)集成电路,其实质是一个高增益的多级直流放大器。
17、为了提高电源的利用率,感性负载电路中应并联适当的(无功)补偿设备,以提高功率因数。
18、RLC串联电路发生谐振时,若电容两端电压为100V,电阻两端电压为10V,则电感两端电压为(100V),品质因数Q为(10)。
19、部分电路欧姆定律的表达式是(I=U/R)。
20、高压系统发生短路后,可以认为短路电流的相位比电压(滞后)90°。
21、电路通常有(通路)、(断路)和(短路)三种状态。
22、运算放大器的(输入失调)电压和(输入失调)电流随(温度)改变而发生的漂移叫温度漂移。
23、对称三相交流电路的总功率等于单相功率的(3)倍。
24、当电源内阻为R0时,负载R1获得最大输出功率的条件是(R1=R0)。
25、场效应管是电压控制器件,其输入阻抗(很高)。
26、在电感电阻串联的交流电路中电压(超前)电流一个 角。
27、正弦交流电的“三要素”分别为最大值、频率和(初相位)。
28、有三个电容器的电容量分别是C1、C2和C3,已知C1> C2> C3,将它们并联在适当的电源上,则它们所带电荷量的大小关系是(Q1>Q2>Q)。
29、在许多电源共同作用的电路中,任何一个支路中的电流等于各个电源单独作用时,在这个支路产生的电流的代数和这种方法称为(叠加原理)。
30、若星形连接的三个电阻R Y的阻值相等,将其等效为三角形连接时,三个电阻R△的阻值也相等,二者之间的关系为(R△=3R Y)。
31、用支路电流法解题时,电路图中若有三个节点,则应列出2个电流方程;应列出的回路电压方程在数量上应等于电路图中的(网孔数)。
32、实际电流源为一个理想电流源与内阻相(并)联而成。
33、三相负载对称的条件是:各相负载的阻抗相等,(阻抗角)也相等。
34、(受控源)是用来反映电路中某处的电压或电流能控制另一处电压或电流的现象。
35、常见的局域网拓扑结构有(星形)、(环形)、(树形)、(总线形)。
36、基尔霍夫磁通定律是磁通连续性原理的体现,即穿过闭合面磁通的代数和必为(零)。
37、交变电流在导体内趋于导体表面流动的现象称为(趋肤效应)。
38、表示交流电大小的三个物理量分别是(最大值)、(平均值)和(有效值)。
39、短路电流周期分量,是由(欧姆定律)决定的。
40、一个集成运算放大器内部电路是由三个主要部分组成的,即(差动式输入)、(中间放大)、(输出)级。
41、三相交流系统中,如果其中一相接地,另两相电压升高(3)倍。
42、在电容电阻串联的交流电路中电压(滞前)电流一个 角。
43、受控源的四种类型是(CCVS)、(CCCS)、(VCVS)和(VCCS)。
44、两个完全相同的交流铁心线圈,分别工作在电压相同而频率不同(f1﹥f2)的两电源上,此时电磁铁中的磁通的关系是φ1﹤φ2。
45、某交流二端网络的端电压V100ω=,输入的电流2sin(u)t50-=ω则此网络的性质是(电感性)。
2i)tA120sin(46、通常将电容并联在感性负载的两端来提高功率因数,从而电路的有功功率(不变) 。
47、如果正弦交流电压的瞬时表达式为V-3110=ω,那么它的tsin(u)30相量是 (0∠)伏。
30220-48、电路原理中的等效变换是(外部)等效。
49、非线性电阻电路存在(多解)和无解的可能。
50、含有受控源的线性非时变电路一般情况下是(非互易)电路,但也有特例。
二、单选题1、在闭合电路中,电源端电压随负载的增大而( A )。
A、减小B、增大C、不变D、不确定2、电源电动势E=6V,内阻R0=3Ω,当负载获得最大功率时,负载电阻R为(C )。
A、 1.5ΩB、3ΩC、6ΩD、不能确定3、叠加原理适用于( C )电路。
A 、直流B 、交流C 、线性D 、非线性4、空心线圈的自感系数与( C )有关A.通过线圈电流的方向B.周围环境温度C.线圈的结构D.通过线圈电流的时间长短5、在Z 1与Z 2并联的正弦交流电路中,其电流关系错误的是( A )A.I=I 1+I 2B.i=i 1+i 2C.21•••+=I I I6、当RLC 串联电路呈感性时,总电压与电流间的相位差φ应是( A )。
A.φ>0B.φ<0C.φ= 0D.不确定7、提高功率因数的意义在于( B )。
A.防止设备损坏B.提高输电效率和供电设备利用率C.提高电源电压D.提高电源容量8、相对磁导率( B )A.有单位B.无单位C.单位是亨/米D.单位是特9、磁阻的单位是( B )A.亨/米B.亨-LC.米/亨D.亨10、线圈中的感应电动势大小与线圈中(C )A.磁通的大小成正比B.磁通的大小成反比C.磁通的变化率成正比D.磁通的变化率成反比11、线圈自感电动势的大小与( D )无关。
A、线圈中电流的变化率B、线圈的匝数C、线圈周围的介质D、线圈的电阻12、在运算电路中,集成运算放大器工作在线性区域,因而要引入( B ),利用反馈网络实现各种数学运算。
A.深度正反馈B.深度负反馈C.浅度正反馈D.浅度负反馈13、稳压二极管是利用其伏安特性的(D )特性进行稳压的。
A.正向起始B.正向导通C.反向D.反向击穿14、绝缘栅双极晶体管内部为(D )层结构。
A.1B.2C.3D.415、根据电磁感应定律e=-N×ΔФΔt),求出的感应电动势,是在Δt这段时间内的(A )。
A.平均值B.瞬时值C.有效值D.最大值16、在线圈中的电流变化率一定的情况下,自感系数大,说明线圈的(D )大。
A.磁通B.磁通的变化C.电阻D.自感自动势17、电感为0.4H的线圈,当其中电流的0.5秒内从10A变化到6A时,线圈上所产生电动势的绝对值为()。
A. 4VB. 0.4VC. 0.8VD. 8V18、电子设备防外界磁场的影响一般采用(C )材料做成磁屏蔽罩。
A.顺磁B.反磁C.铁磁D.绝缘19、在磁路中与媒介质磁导率无关的物理量是(C )。
A.磁感应强度B.磁通C.磁场强度D.磁阻20、互感器是根据(C )原理制造的。
A.能量守恒B.能量变换C.电磁感应D.阻抗变换21、在直流电路中,基尔霍夫第二定律的正确表达式是(B )。
A.∑Ú=0B.∑U=0C.∑IR=0D.∑E=022、以下列材料分别组成相同规格的四个磁路,磁阻最大的材料是(C )。
A.铁B.镍C.黄铜D.钴23、在铁磁物质组成的磁路中,磁阻是非线性的原因是(A )是非线性的。
A.磁导率B.磁通C.电流D.磁场强度24、正确的自感系数单位换算是(A )。
A.1H=103mHB.1μH=103mHC.1H=106mHD.1μH=106mH25、线圈自感电动势的大小与(D )无关。
A、线圈中电流的变化率B、线圈的匝数C、线圈周围的介质D、线圈的电阻26、互感器线圈的极性一般根据(D )来判定。
A.右手定则B.左手定则C.楞次定律D.同名端27、铁心线圈的匝数与其通过的电流的乘积,通常称为(D )A.磁通B.磁阻C.磁压D.磁通势28、关于正弦交流电相量的叙述中(A )的说法是正确的。
A.模是正弦量的有效值B.幅角是相位差C.幅角是相位D.模是平均值29、叠加原理是分析(C )的一个重要原理。
A.简单电路B.复杂电路C.线性电路D、非线性电路30、与参考点有关的物理量是(C )。
A.电流 B.电压 C.电位 D.电动势31、当R、L、C串联电路呈感性时,总电压与电流间的相位差φ应该是(A ).A.φ>0 B.φ<0 C.φ=032、有两个电容器,C1为200V、20μF,C2为250V、2μF,串联后接入400V直流电路中,可能出现的情况是( A )。
A.C1和C2都被击穿B.C1损坏C.C1和C2都正常工作D.C2损坏33、在纯电感电路中,电压与电流间的数值关系是( B )。
A.i=u/LB.I=U L/ωLC.I=U L/LD.I=U m/ωL34、当只考虑复杂电路中某一条支路电流电压的情况,采用(D )比较方便。
A.支路电流法B.回路电流法C.叠加定理D.戴维南定理35、一般地说,谐波的出现将使电路的功率因数( C )。
A.增大B.不变C.降低D.以上都不对36、在RLC并联电路中,当电源电压大小不变而频率从电路的谐振频率逐渐减小到零时,电路中的电流值将(B )。
A.从某一最大值渐变到零B.由某一最小值渐变到无穷大C.保持某一定值不变37、若某电源开路电压为120V,短路电流为2A,则负载从该电源获得的最大功率是(B)。
A.240W B.60W C.600W D.100W38、在某一电路中,需接入一只16μF、耐压800V的电容器,现只有16μF、耐压450V的电容器数只,为达到上述要求则需要( C )。
A.2 只16μF的电容器串联后接入电路B.2 只16μF的电容器并联后接入电路C.4只16μF的电容器先两两并联,再两两串联后接入电路D.无法达到上述要求,不能使用16μF、耐压450V的电容器39、若电路中某元件两端的电压u=36sin(314t-180º)V,电流i=4sin(314t+180º)A,则该元件是( A )。
A.电阻B.电感C.电容D.无法判断40、把一个30Ω的电阻和80uF的电容器串联后,接到正弦交流电源上,电容器的容抗为40Ω,则该电路的功率因数为( A )A.0.6B.0.75C.0.8D.141、工程上所称的220V或380V交流电压是指它的( D )A.最大值B.瞬时值C.平均值D.有效值42、功率因数的符号是( D )。