模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案

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模电第四版(童诗白)答案

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(a)
(b)
(c) 图 P2.2
(d)
解:将电容开路、变压器线圈短路即为直流通路,图略。 图 P2.2 所示各电路的交流通路如解图 P2.2 所示;
9
(a)
(b)
(c) 解图 P2.2
(d)
2.3 分别判断图 P2.2(a)、 (b)所示两电路各属哪种放大电路,并写出 Q、Au、Ri 和Ro 的表 达式。 解: 图 (a):
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
, Ri
R1 //
rbe 1
, Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 U BEQ 分别求出 RL
0.7V
。利用图解法
和 RL 3k 时的静态工作点和最大不失真输出电压 U om (有效值) 。
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
, Ri
,I CQ
I BQ ,UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 , Ro R2 // R3
图(b): I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 , ICQ I BQ , R2 R3
6V ,最小稳定电流
I Z min 5mA ,最大稳定电流 I Z max 25mA 。
(1)分别计算 U I 为 10V 、15V 、35V 三种情况下输出电压 U O 的值; (2)若 U I
35V
时负载开路,则会出现什么现象? 为什么?

模拟电子技术基础第四版课后答案童诗白

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确�用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素�可将其改型为P型半导体。

(√)(2)因为N型半导体的多子是自由电子�所以它带负电。

(×)(3)P N结在无光照、无外加电压时�结电流为零。

(√)(4)处于放大状态的晶体管�集电极电流是多子漂移运动形成的。

(×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压�才能保证R大的特点。

(√)其G S(6)若耗尽型N沟道M O S管的G S U大于零�则其输入电阻会明显变小。

(×)二、选择正确答案填入空内。

(l)P N结加正向电压时�空间电荷区将A。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在C。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时�发射结电压和集电结电压应为B。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4)U G S=0V时�能够工作在恒流区的场效应管有A、C。

A.结型管B.增强型M O S管C.耗尽型M O S管三、写出图T l.3所示各电路的输出电压值�设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解�U O1=1.3V,U O2=0V,U O3=-1.3V,U O4=2V,U O5=1.3V,U O6=-2V。

模电第四版(童诗白)答案

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(a) 图 P2.4 解:空载时: I BQ
(b)
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 6V ;
最大不失真输出电压峰值约为 5.3V ,有效值约为 3.75V 。 带载时: I BQ
20 A, ICQ 2mA,UCEQ 3V

最大不失真输出电压峰值约为 2.3V ,有效值约为 1.63V 。如解图 P2.4 所示。
5
解图 Pl.13 1.14 已知场效应管的输出特性曲线如图 Pl.14 所示,画出它在恒流区的转移特性曲线。
图 Pl.14
(a) 解图 Pl.14
(b)
解:在场效应管的恒流区作横坐标的垂线(如解图 Pl.14 (a)所示),读出其与各条曲线交点的纵坐 标值及 uGS 值,建立 iD 所示。
f (uGS ) 坐标系,描点,连线,即可得到转移特性曲线,如解图 Pl.14 (b)
I BQ
R2 // R3 rbe (
VCC U BEQ R1 R2 (1 ) R3
, Ri
,I CQ
I BQ ,UCEQ VCC (1 ) I BQ Rc 。
Au
rbe // R1 , Ro R2 // R3
图(b): I BQ
R2 VCC U BEQ ) / R2 // R3 (1 ) R1 , ICQ I BQ , R2 R3
UCEQ VCC ICQ R4 I EQ R1 。
Au
R4
rbe
, Ri
R1 //
rbe 1
, Ro
R4 。
2.4 电路如图 P2.4 (a)所示,图(b)是晶体管的输出特性,静态时 U BEQ 分别求出 RL

模电(第四版)习题解答

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实用文档模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模电-童诗白(第四版)课后题全解

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模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

tttt1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

模拟电路(童诗白第四版)习题解答

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!模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编(童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院|目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60<第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √) 】(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保R大的特点。

( √ )证其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × )(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽《(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

模拟电子技术基础第四版课后答案-童诗白精编版

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模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证R大的特点。

( √)其GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

B 。

C.前者正偏、后者也正偏第1章 常用半导体器件自测题、判断下列说法是否正确,用灵”和V”表示判断结果填入空内。

(1) 在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为 P 型半导体。

(V )(2) 因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

(X )(3) PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

(V )(4) 处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

(X )(5) 结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其 R GS 大的特点。

(V )⑹若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零,则其输入电阻会明显变小。

(X )、选择正确答案填入空内(1) PN 结加正向电压时,空间电荷区将A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽 (2) 稳压管的稳压区是其工作在C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3) 当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏⑷U GS =OV 时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写岀图TI.3所示各电路的输岀电压值,设二极管导通电压U D =0.7V图 T1.3解:U OI = 1.3V, U O 2=0V, U O 3=-1.3V, U O 4=2V, U O 5=1.3V, U O 6= -2V四、已知稳压管的稳压值 U z =6V ,稳定电流的最小值l zmin = 5mA 。

求图TI.4所示电路中U oi 和U °2各为多少伏(a)(b)图 T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1 = 6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O 2=5V 。

五、电路如 图 T1.5 所示,V cc =15V , =100,U BE =0.7V 。

试问:(1)R b =50k 时,Uo=? ⑵若T 临界饱和,贝U R b =? 解:⑴ I B =VBB—U B E =26,R bI C = : I B = 2.6mA , U O =V CC -I C R C =2V 。

模电-童诗白(第四版)课后题全解

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模电-童诗白(第四版)课后题全解模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、UO1≈1.3V UO2=0 UO3≈-1.3V UO4≈2V UO5≈2.3V UO6≈-2V 四、UO1=6V UO2=5V五、根据PCM=200mW可得:UCE=40V时IC=5mA,UCE=30V时IC≈6.67mA,UCE=20V时IC=10mA,UCE=10V时IC=20mA,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、IB?VBB?UBE?26μARbIC?? IB?2.6mAUCE?VCC?ICRC?2VUO=UCE=2V。

2、临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以IC?IB?Rb?VCC?UCES?2.86mARcIC??28.6μAVBB?UBE?45.4k?IB七、T1:恒流区;T2:夹断区;T3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成端电压为1.3V时管子会因电流过大而烧坏。

1.3ui和uo的波形如图所示。

ui/V10Ot指数关系,当uo/V10Ot - 1 -1.4ui和uo的波形如图所示。

ui/V53O-3tuO/V3.7O-3.7t1.5uo的波形如图所示。

uI1/V30.3OtuI2/V30.3OtuO/V3.71Ot1.6ID=(V-UD)/R=2.6mA,rD≈UT/ID=10Ω,Id=Ui/rD≈1mA。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。

1.8 IZM=PZM/UZ=25mA,R=UZ/IDZ=0.24~1.2kΩ。

1.9 (1)当UI=10V时,若UO=UZ=6V,则稳压管的电流为4mA,小于其最小稳定电流,所以稳压管未击穿。

模拟电子技术基础第四版童诗白课后答案第一章

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第1章 常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ ) (2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS R 大的特点。

( √ ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS U 大于零,则其输入电阻会明显变小。

( × ) 二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄 B.基本不变 C.变宽 (2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏 (4) U GS =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3 所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D =0.7V 。

图T1.3解:U O1=1.3V , U O2=0V , U O3=-1.3V , U O4=2V , U O5=1.3V , U O6=-2V 。

四、已知稳压管的稳压值U Z =6V ,稳定电流的最小值I Zmin =5mA 。

求图Tl.4 所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,?=100,U BE =0.7V 。

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电路童诗白第四版习题配套答案

模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( ×)R大的特(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其GS点。

( √)U大于零,则其输入电阻会明显变小。

( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。

图T1.3解:U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图T1.4解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图T1.5所示,V CC =15V ,β=100,U BE =0.7V 。

模电-童诗白(第四版)课后题全解

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模拟电子技术(第四版)童诗白课后习题答案第一章 半导体基础知识自测题一、(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、U O1≈1.3V U O2=0 U O3≈-1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈-2V 四、U O1=6V U O2=5V五、根据P CM =200mW 可得:U CE =40V 时I C =5mA ,U CE =30V 时I C ≈6.67mA ,U CE =20V 时I C =10mA ,U CE =10V 时I C =20mA ,将改点连接成曲线,即为临界过损耗线。

图略。

六、1、V2V mA6.2 μA26V C C CC CE B C bBEBB B =-====-=R I U I I R U I βU O =U CE =2V 。

2、临界饱和时U CES =U BE =0.7V ,所以Ω≈-====-=k 4.45V μA6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I β七、T 1:恒流区;T 2:夹断区;T 3:可变电阻区。

习题1.1(1)A C (2)A (3)C (4)A 1.2不能。

因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系,当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。

tt1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D =(V -U D )/R =2.6mA ,r D ≈U T /I D =10Ω,I d =U i /r D ≈1mA 。

1.7 (1)两只稳压管串联时可得1.4V 、6.7V 、8.7V 和14V 等四种稳压值。

(2)两只稳压管并联时可得0.7V 和6V 等两种稳压值。

1.8 I ZM =P ZM /U Z =25mA ,R =U Z /I DZ =0.24~1.2k Ω。

《模拟电子技术基础》习题答案_第四版(童诗白、华成英)高等教育出版社

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1第1章习题及答案1.1.在图题1.1所示的各电路图中E =5V ,t u i ωsin 10=V ,二极管的正向压降可忽略不计,试分别画出输出电压o u 的波形。

uu ouu o图题1.1解:(a )图:当i u > E 时,o u = E ,当i u < E 时,i o u u =。

(b )图:当i u < E 时,o i u u =;当i u > E 时,E u o =。

(c )图:当i u < E 时,E u o =;当i u > E 时,i o u u =。

(d )图:当i u > E 时,i o u u =;当i u < E 时,E u o =。

画出o u 波形如图所示。

2Vu i /u o /u o /u o /u o /1.2.有两个稳压管D Z1和D Z2,其稳定电压分别为 5.5V和8.5V,正向压降都是0.5V 。

如果要得到0.5V ,3V,6V ,9V和14V几种稳定电压,问这两个稳压管(还有限流电阻)应如何连接?画出各个电路。

解:各电路图如图所示。

(a)0.5V ;(b)3V ;(c)6V ;(d)9V ;(e)14V 。

uu(a)(b)u u u(c) (d) (e)1.3.在如图题1.3所示的发光二极管的应用电路中若输入电压为1.0V 试问发光二极管是否发光,为什么?3图题1.3解:若输入电压U I =1.0V ,发光二极管不发光,因为发光二极管正向工作电压为2~2.5V 。

1.4.光电二极管在电路中使用时,是正向连接还是反向连接?解:光电二极管在电路中使用时,是反向连接,因为光电二极管工作在反偏状态,它的反向电流随光照强度的增加而上升,用于实现光电转换功能。

1.5.某二极管的管壳标有电路符号,如图所示,已知该二极管是好的,万用表的欧姆档示意图如图题1.5所示,(1)在测二极管的正向电阻时,两根表笔如何连接?(2)在测二极管的反向电阻时,两根表笔又如何连接?(3)两次测量中哪一次指针偏转角度大?偏转角度大的一次的阻值小还是阻值大?图题1.5解:(1)在测二极管的正向电阻时,黑表笔接正极,红表笔接负极。

模拟电子技术基础习题解答-童诗白

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模拟电子技术基础(第四版)习题解答-童诗白(总137页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确,用“×”和“√”表示判断结果填入空内。

(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。

( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。

( × )(3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。

( √ )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。

( × )(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R大的特点。

( √ )GSU大于零,则其输入电阻会明显变小。

(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS( × )二、选择正确答案填入空内。

(l) PN 结加正向电压时,空间电荷区将 A 。

A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。

A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 B 。

A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。

A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=。

图解:U O1=, U O2=0V, U O3=, U O4=2V, U O5=, UO6=-2V。

四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Zmin=5mA。

求图所示电路中U O1和U O2各为多少伏。

(a) (b)图34解:左图中稳压管工作在击穿状态,故U O1=6V 。

右图中稳压管没有击穿,故U O2=5V 。

五、电路如图所示,V CC =15V ,=100,U BE =。

(完整版)模拟电子技术基础第四版(童诗白)课后答案【精华版】

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模拟电子技术基础第1章 常用半导体器件1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体,加入( C )元素可形成P 型半导体。

A.五价 B.四价 C.三价 (2)当温度升高时,二极管的反向饱和电流将(A) 。

A.增大 B.不变 C.减小(3)工作在放大区的某三极管,如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时,I C 从l mA 变为2mA ,那么它的β约为( C ) 。

A.83B.91C.100(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大;B.不变;C.减小 1.2电路如图P1.2 所示,已知10sin i u t ω=(V ),试画出i u 与o u 的波形。

设二极管导通电压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2解:i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。

1.3电路如图P1.3所示,已知t u i ωsin 5=(V ),二极管导通电压U D =0.7V 。

试画出i u 与o u 的波形图,并标出幅值。

图P1.3 解图P1.31.4电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈,电容C 对交流信号可视为短路;u 为正弦波,有效值为10mV 。

试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少?解:二极管的直流电流()/ 2.6D D I V U R mA =-=其动态电阻:/10D T D r U I ≈=Ω 图P1.4故动态电流的有效值:/1di D I U r mA =≈1.5现有两只稳压管,稳压值分别是6V 和8V ,正向导通电压为0.7V 。

试问: (1)若将它们串联相接,则可得到几种稳压值?各为多少? (2)若将它们并联相接,则又可得到几种稳压值?各为多少?解:(1)串联相接可得4种:1.4V ;14V ;6.7V ;8.7V 。

(2)并联相接可得2种:0.7V ;6V 。

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第3章 多级放大电路自测题一、现有基本放大电路:A.共射电路B.共集电路C.共基电路D.共源电路E.共漏电路根据要求选择合适电路组成两级放大电路。

(1)要求输入电阻为1kΩ至2kΩ,电压放大倍数大于3000 ,第一级应采用( A ),第二级应采用( A )。

(2)要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300 ,第一级应采用( D ),第二级应采用( A )。

(3)要求输入电阻为100kΩ~200kΩ,电压放大倍数数值大于100 , 第一级应采用( B ),第二级应采用( A )。

(4)要求电压放大倍数的数值大于10 ,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用( D ),第二级应采用( B )。

(5)设信号源为内阻很大的电压源,要求将输入电流转换成输出电压,且1000oui iU A I =>,输出电阻R o <100 ,第一级应采用采用( C ),第二级应( B )。

二、选择合适答案填入空内。

(1)直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( C 、D )。

A .电阻阻值有误差B .晶体管参数的分散性C .晶体管参数受温度影响D .电源电压不稳(2)集成放大电路采用直接耦合方式的原因是( C )。

A .便于设计B .放大交流信号C .不易制作大容量电容(3)选用差动放大电路的原因是( A )。

A .克服温漂B .提高输入电阻C .稳定放大倍数(4)差动放大电路的差模信号是两个输入端信号的( A ),共模信号是两个输入端信号的( C )。

A.差B.和C.平均值(5)用恒流源取代长尾式差动放大电路中的发射极电阻,将使单端电路的( B )。

A .差模放大倍数数值增大B .抑制共模信号能力增强C .差模输入电阻增大(6)互补输出级采用共集形式是为了使( C )。

A.放大倍数的数值大B.最大不失真输出电压大C.带负载能力强三、电路如图T3·3所示,所有晶体管均为硅管,β均为200,'200bb r =Ω,静态时0.7BEQ U V ≈。

试求:(1)静态时T l 管和T 2管的发射极电流。

(2)若静态时0O u >,则应如何调节R c2的值才能使0O u =? 若静态0O u =V ,则R c2 =?,电压放大倍数为多少? 解:(1)T 3管的集电极电流333()/0.3C Z BEQ E I U U R mA =-=静态时T l 管和T 2管的发射极电流120.15E E I I mA ==(2)若静态时0O u >,则应减小R c2。

当0I u = 时0O u =, T 4管的集电极电流44/0.6CQ EE c I V R mA ==。

R c2的电流及其阻值分别为:242420.147c CQ R C B C I I I I I mA β=-=-=,电压放大倍数求解过程如下:'2226(1)35be bb EQ mVr r k I β=++≈Ω 图T3·3习题3.1判断图P3.1所示各两级放大电路中T 1和T 2管分别组成哪种基本接法的放大电路。

设图中所有电容对于交流信号均可视为短路。

(a) (b)(c) (d)(e) (f)图P3.1解:(a)共射,共基 (b)共射,共射 (c)共射,共射(d)共集,共基 (e)共源,共集 (f)共基,共集3.2 设图P3.2所示各电路的静态工作点均合适,分别画出它们的交流等效电路,并写出u A 、i R 和o R 的表达式。

(a) (b)(c) (d)图P3.2解:(1)图示各电路的交流等效电路如解图P3.2所示。

(2)各电路的u A 、i R 和o R 的表达式分别为:(a):[]{}122232311223//(1)(1)(1)be u be be R r R R A R r r R ββββ+++=-⋅+++;11i be R R r =+; 2232//1be o r R R R β+=+ (b):123224112322(1)(////)()(1)(////)be u be be be R R r RA r R R r r βββ+=+⋅-++111232//[(1)(////)]i be be R R r R R r β=++; 4o R R =(c):1222231122{//[(1)]}[](1)be d u be be dR r r R A r R r r ββββ++=-⋅-+++11i be R R r =+; 3o R R =(d):2846722[(//////)]()u m be be R A g R R R r r β=-⋅-123//i R R R R =+; 8o R R =(a)(b)(c)(d)解图P3.23.3基本放大电路如图P3.3(a)、(b)所示,图(a)虚线框内为电路Ⅰ,图(b)虚线框内为电路Ⅱ。

由电路Ⅰ、Ⅱ组成的多级放大电路如图(c)、(d)、(e)所示,它们均正常工作。

试说明图(c)、(d)、(e)所示电路中(1)哪些电路的输入电阻较大;(2)哪些电路的输出电阻较小;(3)哪个电路的电压放大倍数最大。

(a) (b)(c) (d)(e)图P3.3解:(1)图(d)、(e)所示电路的输入电阻比较大;(2)图(c)、(e)所示电路的输出电阻比较小;(3)图(e)所示电路的电压放大倍数最大。

3.4电路如图P3.l (a) (b)所示,晶体管的β均为150 , be r 均为2k ,Q 点合适。

求解u A 、i R 和o R 。

解:在图(a)所示电路中∵2121111be u be r A r ββ⋅+=-≈-;2322225u be R A r β==;∴12225u u u A A A =⋅≈-121//// 1.35i be R R R r k =≈Ω; 33o R R k ==Ω。

在图(b)所示电路中∵11211(//)136be u be R r A r β⋅=-≈-;242275u be R A r β=-=-∴1210200u u u A A A =⋅≈5231(//)//2i be R R R R r k =+≈Ω; 41o R R k ==Ω3.5电路如图P3.l (c)、(e)所示,晶体管的β均为200 , be r 均为3k Ω。

场效应管的g m 为15mS ; Q 点合适。

求解u A 、i R 和o R 。

解:在图(c)所示电路中13211(//)125be u be R r A r β⋅=-≈-;2422133.3u be R A r β=-=-1216666.7u u u A A A =⋅≈;11//3i be R R r k =≈Ω; 42o R R k ==Ω在图(e)所示电路中1230u u u A A A =⋅≈-; 110M i R R ==Ω; 24//251be o r R R R β+=≈Ω+3.6图P3.6所示电路参数理想对称,晶体管的β均为100,'100bb r =Ω,0.7BEQ U V ≈。

试求R w 的滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 以及动态参数A d 和R i 。

图P3.6 图P3.7解:R w 滑动端在中点时T 1管和T 2管的发射极静态电流EQ I 分析如下:∵22WBEQ EQ EQ e EE R U I I R V +⋅+= ∴0.51722EE BEQEQ We V U I mA R R -=≈+动态参数A d 和R i 分析如下:3.7电路如图P3.7所示,T 1和T 2两管的β均为140,be r 均为4kΩ。

试问:若输入直流信号mV u I 201=,mV u I 102=,则电路的共模输入电压?=Ic u 差模输入电压?=Id u 输出动态电压?=∆o u解:电路的共模输入电压IC u 、差模输入电压Id u 、差模放大倍数d A 和动态电压O u ∆ 分别为:12152I I IC u u u mV +==; 1210Id I I u u u mV =-= 1752cd beR A r β=-≈-; 1.75O d Id u A u V∆==-3.8 电路如图P3.8所示,T l 和T 2的低频跨导g m 均为10mS 。

试求解差模放大倍数和输入电阻。

图P3.8 图P3.9解:差模放大倍数和输入电阻分别为:200d m d A g R =-=-; i R =∞。

3.9试写出图P3.9 所示电路A d 和R i 的近似表达式。

设T l 和T 2的电流放大系数分别为β1和β2,b-e 间动态电阻分别为1be r 和2be r 。

解:A d 和R i 的近似表达式分别为12112(//)2(1)Lc d be be R R A r r βββ≈-++; 1122[(1)]i be be R r r β=++ 3.10电路如图P3.10 所示,T l ~T 5的电流放大系数分别为β1~β5 , b-e 间动态电阻分别为r be1~r be5,写出A u 、R i 和R o 的表达式。

图P3.10 图P3.11解:A u 、R i 和R o 的表达式分析如下:∴123O u u u u I u A A A A u ∆==⋅⋅∆; 12i be be R r r =+; 5675//1be o r R R R β+=+ 3.11 电路如图P3.11 所示。

已知电压放大倍数为-100 ,输入电压u I 为正弦波,T 2和T 3管的饱和压降U CES =1V 。

试问:(1)在不失真的情况下,输入电压最大有效值U imax 为多少伏?(2)若U i = 10mV (有效值),则U o =?若此时R 3开路,则U o =?若R 3短路,则U o =?解:(1)最大不失真输出电压有效值为:7.78om U V =≈ 故在不失真的情况下,输入电压最大有效值: max 77.8omi uU U mV A =≈ (2)U i = 10mV ,则U o =1V (有效值)。

若R 3开路,则T l 和T 3组成复合管,等效13βββ=, T 3可能饱和,使得11O U V =-(直流);若R 3短路,则11.3O U V =(直流)。

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