模拟电子技术基础 第五版 总结、习题课
模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
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绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如:V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量〔含交、直流〕。
如:v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如:v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如:等。
二.信号〔1〕模型的转换〔2〕分类〔3〕频谱二.放大电路〔1〕模型〔2〕增益如何确定电路的输出电阻r o?三.频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯洁的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
表达的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素〔多子是空穴,少子是电子〕。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素〔多子是电子,少子是空穴〕。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);假设 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
康光华《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(模拟集成电路)【圣才出品】
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在电路中,当电源电压VCC 和 VEE 发生变化时, IREF 以及 VBE 也将发生变化,由于
Re的值一般为数千欧,使 IC2 的变化远小于 IREF 的变化,因此,电源电压波动对工作电流
IC2 的影响不大。同时,T0对T1有温度补偿作用,所以 IC1 的温度稳定性也较好。
- VEE
图6-2 微电流源
IIB (IBN IBP ) / 2
输入偏置电流的大小,在电路外接电阻确定之后,主要取决于运放差分输入级BJT的
性能,当它的β值太小时,将引起偏置电流增加。
3.输入失调电流
当输入电压为零时,流入放大器两个输入端的静态基极电流之差称为输入失调电流
IIO:
4.温度漂移
由于温度变化引起的输出电压产生的漂移,通常把温度升高一度输出漂移折合到输入
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第 6 章 模拟集成电路
6.1 复习笔记
一、集成电路中的直流偏置技术
所谓电流源是指电流恒定的电源。电流源电路直流电阻小,交流电阻大,具有温度补
偿作用。它除了可为电路提供稳定的直流偏置外,还可以作为放大电路的有源负载以获得
W4 W1
/ /
L4 L1
I REF
电流源的基准电流为
I REF I D0 Kn0 (VGS 0 VT 0 )2
(3)JFET 电流源
图 6-4 MOSFET 多路电流源
3 / 51
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台
如图 6-5(a)所示,如将 N 沟道结型场效应管的栅极直接与源极相连,则可得到简
射极耦合差分式放大电路对共模信号有相当强的抑制能力,但它的差模输入阻抗很低。 (2)带有源负载的射极耦合差分式放大电路
电子技术基础(模拟部分)第五版课件(全部)
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end
2.1 集成电路运算放大器
2.2 理想运算放大器
2.3 基本线性运放电路
2.4 同相输入和反相输入放大电 路的其他应用
§引 言
➢在半导体制造工艺的基础上,把整个电路中元器 件制作在一块硅基片上,构成特定功能的电子电路, 称为集成电路。简单来说,集成电路是把元器件和 连接导线全部制作在一小块硅片上而成的电路。
• 电容利用PN结结电容,一般不超过几十pF。需要大 电容时,通常在集成电路外部连接。不能制电感,级 与级之间用直接耦合;
• 二极管用三极管的发射结代。比如由NPN型三极管 短路其中一个PN结构成。
运算放大器外形图
2.1 集成电路运算放大器
1. 集成电路运算放大器的内部组成单元
集成运算放大器是一种高电压增益,高输入电阻和 低输出电阻的多级直接耦合放大电路。
(+60μV,+12V)
Avo=2×105
解:取a点(+60μV,+12V), b点(60μV,-12V),连接a、b两点得ab线 段,其斜率Avo=2×105, ∣vP-vN∣<60 μV时,电路工作在线性区; ∣vPvN∣>60 μV,则运放进入非线性区。 运放的电压传输特性如图所示。
(-60μV,-12V)
输入输出回路没有公共端
1.5 放大电路的主要性能指标
1. 输入电阻
Ri
vt it
1.5 放大电路的主要性能指标
2. 输出电阻
vt
R o
vs 0,RL
it
注意:输入、输出电阻为交流电阻
1.5 放大电路的主要性能指标
3. 增益
反映放大电路在输入信号控制下,将供电电源能量
模拟电子技术(第五版)基础习题答案
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第一章 常用半导体器件自 测 题一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素,可将其改型为P 型半导体。
( )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电。
( ) (3)PN 结在无光照、无外加电压时,结电流为零。
( )(4)处于放大状态的晶体管,集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ) (5)结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压,才能保证其R G S 大的特点。
( ) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的U G S 大于零,则其输入电阻会明显变小。
( )解:(1)√ (2)× (3)√ (4)× (5)√ (6)×二、选择正确答案填入空内。
(1)PN 结加正向电压时,空间电荷区将 。
A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 (2)设二极管的端电压为U ,则二极管的电流方程是 。
A. I S e U B. TU U I eS C. )1e (S -T U U I(3)稳压管的稳压区是其工作在 。
A. 正向导通B.反向截止C.反向击穿(4)当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 。
A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏(5)U G S =0V 时,能够工作在恒流区的场效应管有 。
A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C. 耗尽型MOS 管 解:(1)A (2)C (3)C (4)B (5)A C三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值,设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解:U O1≈1.3V,U O2=0,U O3≈-1.3V,U O4≈2V,U O5≈1.3V,U O6≈-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V,稳定电流的最小值I Z m i n=5mA。
求图T1.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
模拟电子技术基础第五版课后习题答案
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模拟电子技术基础第五版课后习题答案【篇一:模拟电子技术基础,课后习题答案】一章1.1 电路如题图1.1所示,已知ui?5sin?t?v?,二极管导通电压降ud?0.7v。
试画出ui和uo的波形,并标出幅值。
解:通过分析可知:(1) 当ui?3.7v时,uo?3.7v (2) 当?3.7v?ui?3.7v时,uo?ui (3) 当ui??3.7v时,uo??3.7v 总结分析,画出部分波形图如下所示:1.2 二极管电路如题图1.2所示。
(1)判断图中的二极管是导通还是截止?(2)分别用理想模型和横压降模型计算ao两端的电压uao。
解:对于(a)来说,二极管是导通的。
采用理想模型来说,uao??6v 采用恒压降模型来说,uao??6.7v对于(c)来说,二极管d1是导通的,二极管d2是截止的。
采用理想模型来说,uao?0 采用恒压降模型来说,uao??0.7v1.3 判断题图1.3电路中的二极管d是导通还是截止?用二极管的理想模型计算流过二极管的电流id??解:(b)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出:2515=1.5v 18?225?510u右=15?=1v140?10u左=?10?故此二极管截止,流过的电流值为id=0(c)先将二极管断开,由kvl定律,二极管左右两端电压可求出: 52=2.5v,u左=2.5?20?=0.5v 25?518?210u右=15?=1v140?10u左1=15?由于u右?u左?0.5v,故二极管导通。
运用戴维宁定理,电路可简化为id?0.51.6 测得放大电路中六只晶体管的电位如题图1.6所示,在图中标出三个电极,并说明它们是硅管还是锗管。
解: t1: 硅管,pnp,11.3v对应b, 12v对应e, 0v对应ct2: 硅管,npn,3.7v对应b, 3v对应e, 12v对应c t3: 硅管,npn,12.7v对应b, 12v对应e,15v对应c t4: 锗管,pnp,12v对应b, 12.2v对应e, 0v对应c t5: 锗管,pnp,14.8v对应b, 15v对应e,12v对应c t6: 锗管,npn,12v对应b, 11.8v对应e, 15v对应c模拟电子技术基础第二章2.2 当负载电阻rl?1k?时,电压放大电路输出电压比负载开路(rl??)时输出电压减少20%,求该放大电路的输出电阻ro。
模电第五版课后答案
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模电第五版课后答案第一章简介1.1 什么是模拟电子技术?模拟电子技术是研究模拟电子元器件、电路和系统的原理和设计方法的一门学科。
它主要研究电子元器件和电路在连续信号情况下的原理和应用。
1.2 为什么学习模拟电子技术?学习模拟电子技术有以下几个原因:•模拟电子技术在许多领域中都有广泛的应用,比如通信、医疗设备、汽车电子等。
•模拟电子技术是电子技术的基础,掌握了模拟电子技术可以更好地理解和应用其他领域的电子技术。
•对于电子工程师来说,模拟电子技术是必备的基本技能。
第二章模拟电子元器件2.1 电阻器电阻器是一种常见的电子元器件,其主要功能是阻碍电流流过。
常见的电阻器有稳态电阻器、变阻器等。
2.2 电容器电容器是一种存储电荷的元器件。
电容器的主要特性有容量、介质、工作电压等。
2.3 电感器电感器是一种储存电能的元器件。
它主要由线圈组成,具有自感和互感等特性。
第三章模拟电路基础3.1 基本电路元件模拟电路基础中的基本电路元件包括电阻、电容、电感。
3.2 电路定理小结电路定理是研究电路行为和性质的基本理论。
常见的电路定理有欧姆定律、基尔霍夫定律、戴维南定理等。
第四章放大电路基础知识4.1 放大电路的基本概念放大电路是指通过放大输入信号的幅度来获得输出信号的电路。
放大电路常用于信号放大、功率放大等应用。
4.2 放大电路的分类放大电路可以分为线性放大电路和非线性放大电路两大类。
第五章放大电路的分析与设计5.1 放大电路的基本分析方法放大电路的基本分析方法包括小信号模型、频率响应等。
5.2 放大电路的设计方法放大电路的设计方法主要包括增益的设计、频率响应的设计等。
以上是《模电第五版》中第一章至第五章的课后答案摘要。
希望对你的学习有所帮助!。
康华光《电子技术基础-模拟部分》(第5版)笔记和课后习题(含考研真题)..
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目 录第1章 绪 论1.1 复习笔记1.2 课后习题详解1.3 名校考研真题详解第2章 运算放大器2.1 复习笔记2.2 课后习题详解2.3 名校考研真题详解第3章 二极管及其基本电路3.1 复习笔记3.2 课后习题详解3.3 名校考研真题详解第4章 双极结型三极管及放大电路基础4.1 复习笔记4.2 课后习题详解4.3 名校考研真题详解第5章 场效应管放大电路5.1 复习笔记5.2 课后习题详解5.3 名校考研真题详解第6章 模拟集成电路6.1 复习笔记6.2 课后习题详解6.3 名校考研真题详解第7章 反馈放大电路7.1 复习笔记7.2 课后习题详解7.3 名校考研真题详解第8章 功率放大电路8.1 复习笔记8.2 课后习题详解8.3 名校考研真题详解第9章 信号处理与信号产生电路9.1 复习笔记9.2 课后习题详解9.3 名校考研真题详解第10章 直流稳压电源10.1 复习笔记10.2 课后习题详解10.3 名校考研真题详解第11章 电子电路的计算机辅助分析与设计第1章 绪 论1.1 复习笔记一、电子系统与信号电子系统指若干相互连接、相互作用的基本电路组成的具有特定功能的电路整体。
信号是信息的载体,按照时间和幅值的连续性及离散性可把信号分成4类:①时间连续、数值连续信号,即模拟信号;②时间离散、数值连续信号;③时间连续、数值离散信号;④时间离散、数值离散信号,即数字信号。
二、信号的频谱任意满足狄利克雷条件的周期函数都可展开成傅里叶级数(含有直流分量、基波、高次谐波),从这种周期函数中可以取出所需要的频率信号,过滤掉不需要的频率信号,也可以过滤掉某些频率信号,保留其它频率信号。
幅度频谱:各频率分量的振幅随频率变化的分布。
相位频谱:各频率分量的相位随频率变化的分布。
三、放大电路模型信号放大电路是最基本的模拟信号处理电路,所谓放大作用,其放大的对象是变化量,本质是实现信号的能量控制。
放大电路有以下4种类型:1.电压放大电路电路的电压增益为考虑信号源内阻的电压增益为2.电流放大电路电路的电流增益为考虑信号源内阻的电压增益为3.互阻放大电路电路的互阻增益为4.互导放大电路电路的互导增益为四、放大电路的主要性能指标1输入电阻:输入电压与输入电流的比值,即对输入为电压信号的放大电路,R i越大越好;对输入为电流信号的放大电路,R i越小越好。
童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题
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童诗白《模拟电子技术基础》(第5版)笔记和课后习题考研真题完整版>精研学习䋞>无偿试用20%资料
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第1章常用半导体器件
1.1复习笔记
1.2课后习题详解
1.3名校考研真题详解
第2章基本放大电路
2.1复习笔记
2.2课后习题详解
2.3名校考研真题详解
第3章多级放大电路
3.1复习笔记
3.2课后习题详解
3.3名校考研真题详解
第4章放大电路的频率响应
4.1复习笔记
4.2课后习题详解
4.3名校考研真题详解
第5章放大电路中的反馈
5.1复习笔记
5.2课后习题详解
5.3名校考研真题详解
第6章信号的运算和处理
6.1复习笔记
6.2课后习题详解
6.3名校考研真题详解
第7章波形的发生和信号的转换
7.1复习笔记
7.2课后习题详解
7.3名校考研真题详解
第8章功率放大电路
8.1复习笔记
8.2课后习题详解
8.3名校考研真题详解
第9章直流电源
9.1复习笔记
9.2课后习题详解
9.3名校考研真题详解第10章模拟电子电路读图10.1复习笔记
10.2课后习题详解10.3名校考研真题详解。
(完整word版)电子技术基础 模拟部分 第五版 复习思考题答案
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第二章运算放大器2.1 集成电路运算放大器2。
1。
1答;通常由输入级,中间级,输出级单元组成,输入级由差分式放大电路组成,可以提高整个电路的性能.中间级由一级或多级放大电路组成,主要是可以提高电压增益。
输出级电压增益为1,可以为负载提供一定的功率。
2.1.2答:集成运放的电压传输曲线由线性区和非线性区组成,线性区的直线的斜率即Vvo很大,直线几乎成垂直直线.非线性区由两条水平线组成,此时的Vo达到极值,等于V+或者V-。
理想情况下输出电压+Vom=V+,-Vom=V-。
2.1.3答:集成运算放大器的输入电阻r约为10^6欧姆,输出电阻r约为100欧姆,开环电压增益Avo约为10^6欧姆。
2.2 理想运算放大器2.2。
1答:将集成运放的参数理想化的条件是:1.输入电阻很高,接近无穷大。
2。
输出电阻很小,接近零.3.运放的开环电压增益很大。
2.2。
2答:近似电路的运放和理想运放的电路模型参考书P27。
2。
3 基本线性运放电路2.3。
1答:1.同相放大电路中,输出通过负反馈的作用,是使Vn自动的跟从Vp,使Vp≈Vn,或Vid=Vp-Vn≈0的现象称为虚短。
2。
由于同相和反相两输入端之间出现虚短现象,而运放的输入电阻的阻值又很高,因而流经两输入端之间Ip=In≈0,这种现象称为虚断。
3.输入电压Vi通过R1作用于运放的反相端,R2跨接在运放的输出端和反相端之间,同相端接地。
由虚短的概念可知,Vn≈Vp=0,因而反相输入端的电位接近于地电位,称为虚地。
虚短和虚地概念的不同:虚短是由于负反馈的作用而使Vp≈Vn,但是这两个值不一定趋向于零,而虚地Vp,Vn接近是零.2.3.2答:由于净输入电压Vid=Vi—Vf=Vp—Vm,由于是正相端输入,所以Vo为正值,Vo等于R1和R2的电压之和,所以有了负反馈电阻后,Vn增大了,Vp不变,所以Vid变小了,Vo变小了,电压增益Av=Vo/Vi变小了。
由上述电路的负反馈作用,可知Vp≈Vn,也即虚短。
模拟电子技术第五版基础习题与解答
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模拟电子技术第五版基础习题与解答在电子技术的领域中,模拟电子技术一直占据着重要的地位。
它是电子信息工程、通信工程、自动化等专业的基础课程之一。
《模拟电子技术第五版》作为一本经典教材,其中的基础习题对于学生理解和掌握这门课程的知识具有至关重要的作用。
首先,让我们来看看一些关于半导体基础知识的习题。
半导体器件是模拟电子技术的基石,理解其工作原理和特性是学好这门课程的关键。
例如,有这样一道习题:“解释为什么在纯净的半导体中掺入少量杂质可以显著改变其导电性能?”对于这道题,我们需要明白,纯净的半导体中载流子浓度很低,而掺入杂质后会形成施主能级或受主能级,从而增加了载流子的浓度,使得导电性能得到改善。
再比如,“比较 N型半导体和 P 型半导体在导电机制上的差异。
”这道题要求我们清楚 N型半导体中主要是电子导电,P 型半导体中主要是空穴导电,并且要能够详细阐述其形成原因和导电过程。
在二极管这一章节,也有不少具有代表性的习题。
“分析二极管在正向偏置和反向偏置时的电流特性,并解释其原因。
”在解答这道题时,我们要知道在正向偏置时,二极管的 PN 结变薄,电阻减小,电流容易通过;而在反向偏置时,PN 结变厚,电阻增大,只有极小的反向饱和电流。
还有“利用二极管的单向导电性,设计一个简单的整流电路,并计算其输出电压和电流。
”这样的题目则需要我们将理论知识应用到实际电路设计中,通过计算来确定电路的性能参数。
三极管是模拟电子技术中的核心器件,相关的习题更是复杂多样。
“阐述三极管的放大作用原理,以及如何判断三极管的工作状态。
”这道题要求我们深入理解三极管的结构和工作原理,知道三极管通过控制基极电流来实现对集电极电流的放大作用。
判断工作状态时,需要根据基极电流、集电极电流和发射极电流之间的关系,以及各极之间的电压来确定。
又如“设计一个共射极放大电路,计算其电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。
”这就需要我们综合运用三极管的放大原理、电路分析方法以及相关的计算公式来完成。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)
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模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书,希望大家都能在这个学期继续坚持下去,有时间一定要看看。
希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。
有一句话叫:“把时间浪费在不该花的地方,是一件最愚蠢的事。
”今天为大家分享的是模电总结资料之一:模拟电子基础(第五版),本书共分三册,共36章、120多页,是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。
在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述,对所学知识进行了梳理,同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍,并给出了实验原理与应用方法。
一、基本概念电路的构成过程是:(1)产生信号的电源:由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。
(2)信号的基本特性:由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。
(3)信息形式:用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。
电路所能实现的全部物理过程,以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。
例如,电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。
电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。
有:时间步长、频率)时钟钟、电压基准;时间继电器式电路板(SOSD)等。
(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理,以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。
1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。
模拟电子电路由输入输出端组成。
A.输入端的输出信号包括:频率和电压;谐波分量和电源谐波分量。
B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件,主要是对信号进行采样和运算的部件。
C.时间继电器式电路板,也称为功率继电器。
D.控制输出的一种电路,包括:时间基准和电流基准。
2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。
电流在经过电感后,在通过电感的电流场作用下转换为数字信号,其特性曲线称为数字信号。
电感在数字信号中起着很重要的作用。
电子技术基础第五版习题册参考答案
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电子技术基础第五版习题册参考答案电子技术基础是一门涉及广泛且实用性强的学科,其第五版习题册对于学习者巩固知识、提升能力具有重要意义。
以下是为您提供的参考答案,希望能对您的学习有所帮助。
一、直流电路部分1、电路的基本概念和定律习题 1:计算通过电阻 R =5Ω 的电流,已知电阻两端的电压为10V。
解:根据欧姆定律 I = U/R,可得 I = 10V /5Ω = 2A。
习题 2:已知电源电动势 E = 12V,内阻 r =1Ω,外接电阻 R =5Ω,求电路中的电流和电源的端电压。
解:电路中的总电阻 R总= R + r =5Ω +1Ω =6Ω,电流 I = E / R总= 12V /6Ω = 2A。
电源的端电压 U = IR =2A × 5Ω = 10V。
2、电阻的串联、并联和混联习题 3:三个电阻 R1 =2Ω,R2 =3Ω,R3 =6Ω 串联,求总电阻。
解:总电阻 R = R1 + R2 + R3 =2Ω +3Ω +6Ω =11Ω。
习题 4:两个电阻 R1 =4Ω,R2 =12Ω 并联,求总电阻。
解:总电阻 1/R = 1/R1 + 1/R2 ,即 1/R =1/4Ω +1/12Ω ,解得 R =3Ω 。
3、基尔霍夫定律习题 5:在如图所示的电路中,已知 I1 = 2A,I2 =-1A,I3 =3A,求 I4 。
解:根据基尔霍夫电流定律,在节点处电流的代数和为零,所以 I1 + I2 + I3 + I4 = 0 ,即 2A 1A + 3A + I4 = 0 ,解得 I4 =-4A 。
习题 6:在如图所示的电路中,已知 U1 = 10V,U2 =-5V,U3= 3V,求 U4 。
解:根据基尔霍夫电压定律,在回路中电压的代数和为零,所以U1 U2 U3 + U4 = 0 ,即 10V (-5V) 3V + U4 = 0 ,解得 U4 =-12V 。
二、交流电路部分1、正弦交流电的基本概念习题 7:已知正弦交流电压 u = 10sin(314t + 30°) V,求其最大值、有效值、角频率、频率和初相位。
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第4章双极结型三极管及放大电路基础4.1BJT 4.1.1测得某放大电路中BJT 的三个电极A 、B 、C 的对地电位分别为V A =-9V ,V B =-6V ,V C =-6.2V ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ,并说明此BJT 是NPN 管还是PNP 管。
解:因为,所以电极A 为集电极c ,又集电极电压最小,因此,该BJT 为PNP管。
PNP中,由可知,电极B 为发射极e ,电极C 为基极b 。
4.1.2某放大电路中BJT 三个电极A 、B 、C 的电流如图4-1所示,用万用表直流电流挡测得I A =-2mA ,I B =-0.04mA ,I C =+2.04mA ,试分析A 、B 、C 中哪个是基极b 、发射极e 、集电极c ,并说明此管是NPN 还是PNP 管,它的_β=?图4-1解:因为A B C I I I +=,且B I 最小,所以A 为集电极c ,B 为基极b ,C 为发射极e 。
又根据电流方向,发射极流出管子且为正值,因此,该BJT 为NPN 管。
其中,250004c b I mA I .mAβ-===。
4.1.3某BJT 的极限参数I CM =100mA ,P CM =150mW ,V (BR )CEO =30V ,若它的工作电压V CE =10V ,则工作电流I C 不得超过多大?若工作电流,I C =1mA ,则工作电压的极限值应为多少?解:(1)由1501001510CM C CM C CE P mW I I mA,I mA V V ≤=≤==且,得15C I mA ≤。
因此,工作电流I C 不得超过15mA 。
(2)由()150301501CM CE CE BR CEO CP mW V V V ,V V I mA≤=≤==且,得30CE V V ≤。
因此,工作电压的极限值为30V 。
4.2基本共射极放大电路4.2.1试分析图4-2所示各电路对正弦交流信号有无放大作用,并简述理由(设各电容的容抗可忽略)。
模电习题答案(第五版)
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电子技术基础模拟部分 第五版
第九章作业题解答
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电子技术基础模拟部分 第五版
第五章作业题解答
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模电总结复习资料_模拟电子技术基础(第五版)
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绪论一.符号约定•大写字母、大写下标表示直流量。
如:V CE、I C等。
•小写字母、大写下标表示总量(含交、直流)。
如:v CE、i B等。
•小写字母、小写下标表示纯交流量。
如:v ce、i b等。
•上方有圆点的大写字母、小写下标表示相量。
如:等。
二.信号(1)模型的转换(2)分类(3)频谱二.放大电路(1)模型(2)增益如何确定电路的输出电阻r o?三.频率响应以及带宽第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素(多子是空穴,少子是电子)。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素(多子是电子,少子是空穴)。
6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度,少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度,一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V,锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通,反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通,反向截止。
*二极管伏安特性----同PN结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V,锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V,锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开,分析二极管两端电位的高低:若 V阳 >V阴( 正偏 ),二极管导通(短路);若 V阳 <V阴( 反偏 ),二极管截止(开路)。
电子技术基础模拟部分(第五版)康华光总复习课件
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vi 2
5 4
vi1
2vi 2
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二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压:vo的表达式。
令 vi1= vi2 = vi4 =0,
R1 40kΩ
R6
vi1
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
vi4
R4 20kΩ
vo''
(1
R6 ) R1 // R2
R4 // R5 R3 R4 // R5
(2)同相输入加法运算电路
RP R11 // R12 // R RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
)( RP R11
ui1
RP R12
ui2 )
当 RP = RN时,
uo
Rf R1
ui1
Rf R2
ui2
3、减法运算电路
RP R2 // R3 RN R1 // Rf
uo
(1
Rf R1
二、习题
习题2.4.6 加减运算电路如图所示,求输出电压vo的表达式。
解: 利用“虚短”、“虚断” 和叠加
R1 40kΩ
R6
vi1
原理 令 vi3= vi4 =0, 可看作是求和电路
vi2 vi3
R2 25kΩ R3 10kΩ
–
vn
+
vp
R4 20kΩ
vi4
R5
30kΩ
vo
vo'
R6 R1
vi1
R6 R2
iE
–
静态分析: 直流通路
IBQ
VCC Rb
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UO1≈( 1.3V )
UO2=( 0 )
UO3≈( -1.3UO5≈(
), 1.3V
UO6≈(
) -2V
稳压二极管
在正向特性区和反 向截止区稳压管特性曲线 与普通二极管的特性曲线 基本一样。 在反向击穿区,稳压 管特性曲线更加陡直。 即UBR几乎为定值(作为UZ);或当∆UZ有微小 变化时, ∆IZ有很大变化。利用此特性稳压管工作在 反向击穿区时起稳压作用。
∵ UO ´ <UZ
Uo´
∴稳压管不工作,UO=3.33V
【例】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI20V时输出UO的值。 解:假设稳压管不工作 UI为20V时 UO ´ = UI · RL/(RL+R)=6.7V UO ´ >UZ
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R=18mA IL=UZ/RL=12mA IDZ = IR- IL =6mA ∵ IZmin < IDZ < IZmax ∴ UO=6V
(1)为保证空载时 稳压管能够安全工 作,R2应选多大?
(2)当R2按上面原则选定后,负载电阻 允许的变化范围是多少?
总结习题课 - 8
解:稳压管中的最大电流为 :
I Z max
PZM 40 mA UZ
IZ ≤ IDZ≤IZmax IZ ≤ IR1 - IR2 ≤ IZmax
(1) 为保证空载时稳压管能够安全稳定工作,
总结习题课 - 15
解:(1)基准电压UR=UZ+UBE=5V,
输出电压的可调范围:
R1 R2 R3 R1 R2 R3 UO U Z ~ U Z R2 R3 R3 7.5 ~ 15V
(2)调整管发射极最大电流 :
IEmax=UBE / R0≈140mA
(3)调整管的最大管压降和最大功耗分别为:
R1 R2 R3 R1 R2 R3 U Z U O U Z R2 R3 R3
总结习题课 - 19
一、总结
第1章 常用电子元器件
1、半导体的独有特性; 2、半导体的导电特性; 3、P、N型半导体的载流子数量特点; 4、 PN的单向导电性等。 5、掌握二极管、三极管的结构、特性,会 进行状态判断;场效应管的控制关系。 6. 了解二极管、三极管的主要参数。
18
稳压管的稳压条件 必须工作在反向击穿状态,稳定电压为UZ;
流过稳压管的电流在IZ和IZM之间 。
注意!
稳压管正向工作和反向截止时与 普通二极管的特性完全相同。
稳压管的应用—典型应用电路—并联型稳压电路
RL为负载电阻, R 限流电阻。 当UI变化时,由于 稳压管和R的共同 作用,使输出UO不 变。
U Im in UZ UZ UZ IDZ IZ R1 R 2 RL min
总结习题课 - 11
UI UZ UZ UZ IZ IZ max R1 R 2 RL
当Ui最小,RL最小时,IDZ最小,但要≥IZ 。
U Im in UZ UZ UZ IDZ IZ R1 R 2 RL min
例3 电路如图所示,已知稳压管的稳定电压 UZ=6V, 晶体管的UBE=0.7V,R1=R2=R3=300Ω,UI=24V。 判断出现下列现象时,分别因为电路产生什么故障 (即哪个元件开路或短路)。
1)UO≈24V;
2)UO≈23.3V; 3)UO≈12V且不可调; 4)UO≈6V且不可调; 5)UO可调范围变为6~12V。
双 极 型 晶 体 管
发射区 基区 e 发射极 发射结 b 基极
集电区
0.7V
0.7V
-3V
如果要求电路双向限幅电路如何组成?
【例1】电路如图所示,二极管的导通电压UD约为 0.7V。试分别计算开关断开和闭合时输出电压的数值。
分 析
当开关闭合时,二极管外加反向电压, 因而( 截止 ),故输出电压为:
UO V 2 12 V
【例2】写出图所示各电路的输出电压值,设二极管 导通电压UD =0.7V。
,
R1 R2 R3 (U Z U BE2 ) R3
。
P570~571 电路如图所示,稳压管的稳定电压UZ= 4.3V,
晶体管的UBE=0.7V,R1=R2=R3=300Ω, 试估算 (。 1)输出电压的可调范围; R0=5Ω (2)调整管发射极允许的最大电流; (3)若UI=25V,波动范围为±10%,则调 整管的最大功耗为多少。
UI UZ U Z IZ IZ max R1 R2
总结习题课 - 9
UI UZ U Z IZ IZ max R1 R2
当Ui最小,R2最小时, IDZ最小,但要≥IZ 。 反之。
UZ 6 R2 177 () U Im in UZ 20 8 IZ 5 R1 0.36 UZ 6 R2 600 () U Im ax UZ 24 6 IZ max 40 R1 0.36 R2电阻的取值范围:177≤R2≤600
总结习题课 - 2
例4 电路如图所示,试问:
(1)调整管、基准电压电路、取样电路、比较放大 电路、保护电路分别由哪些元件组成; (2)简要说明过流保护电路的工作原理:
(3)输出电压调节范围的表达式。
总结习题课 - 3
总结习题课 - 4
解 :( 1) 调整管:T1 , T2组成的复合管。 基准电压电路:R3 , Dz 。 取样电路:R4 , RP, R5 。 比较放大电路:T3 , R1。
总结习题课 - 1
已知UZ=6V,
UBE=0.7V, R1=R2=R3=300Ω, UI=24V 1)UO≈24V; >>>>>>>>(1)T1的c、e 短路; 2)UO≈23.3V; >>>>>>>>(2)Rc 短路; 3)UO≈12V且不可调; >>>>>>(3)R2 短路; 4)UO≈6V且不可调; >>>>>>(4)T2的b、c 短路; >>>>>(5)R1 短路。 5)UO可调范围变为6~12V。
UZ 6 RL 251() U Im in UZ UZ 20 6 6 IZ 5 R1 R2 0.36 0.6
总结习题课 - 12
UI UZ UZ UZ IZ IZ max R1 R 2 RL
当Ui最大,RL最小时,IDZ最大,但要≤IZmax 。
P566 填空:调整管为
T1 ,
采样电路由 R1、R2、R3 组成,
基准电压电路由 R、DZ 组成,
比较放大电路由 T2、Rc 组成,
保护电路由 R0 、T3 组成; 输出电压最小值的表达式为 最大值的表达式为
总结习题课 - 14
R1 R2 R3 (U Z U BE2 ) R2 R3
i
导通压降:
二极管导通 反向电压 反 向 截 止 正 向 截 止 正 向 导 通
u
二极管的工作区
二极管的应用
1、如图所示,已知电路以 及电路的输入信号波形, 0 要求画出电路的输出信号 波形(设UD=0)(D整流) + ui -
ui
t
D RL
+ uo - 0
uo
t
2、画出二极管电 路的输出波形(设 UD=0.7V) (二极管限幅)
解题思路
①假设稳压管不工作(开路),求出其两端电压,是 否满足稳压条件; ②假设稳压管工作(稳压),看其是否满足稳压条件。
【例】已知稳压管的UZ=6V, 最小电流IZmin=5mA, 最大电流IZmax=25mA。 (1)计算UI为10V时输出UO的值。 解:假设稳压管不工作
UI为10V时
UO ´ = UI · RL/(RL+R)=3.33V
总结习题课 - 5
过流保护电路:T1,T2,R2,LED。
(2)由图可知, 过流保护电 路为限流型。
ULED=UBE1+UBE2+IOR2 ,正常工作时,ULED<UON (UON 为发光二极管的开启电压),LED截止,不发光。IO 增大到一定值后,ULED>UON ,LED导通,对调整管的 基极分流,从而限制了调整管的发射极电流,LED发 光指示电路已过流保护。
UCEmax=UImax-UOmin=20V
PTmax≈IEmax UCEmax≈2.8W
总结习题课 - 16
10.15 直流稳压电源如图所示。
(1)说明电路的整流电路、滤波电路、调整管、 基准电压电路、比较放大电路、采样电路等部分各 由哪些元件组成。 (2)标出集成运放的同相输入端和反相输入端。
【例】已知UZ=6V, IZmin=5mA, IZmax=25mA。 (1)计算UI为35V时输出UO的值。 (2)若UI为35V时负载开路,则会出现什么现象?
解:UI为35V时,同理
可求出: UO =6 V UO ´ >UZ
(2)UI为35V时负载开路
假设稳压管工作
IR=(UI-UZ)/R =29mA IDZ = IR- IL =29mA ∵ IDZ > IZmax ∴稳压管将因功耗过大而损坏
总结习题课 - 6
R5 可得 (3)由 UZ UBE3 UO R 4 RP R 5 R 4 R5 R 4 RP R 5 (UZ UBE3) UO (UZ UBE3) R5 R5
总结习题课 - 7
10.12 习题解答
10.12 电路如图P10.12所示,已知稳压管的稳定电压 为 6V , 最 小 稳 定 电 流 为 5mA , 允 许 耗 散 功 率 为 240mW;输入电压为20~24V,R1=360Ω。试问: