集成电路设计基础大作业

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集成电路作业共7页文档

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一、简答题1、列出三个及以上世界知名EDA公司的名称、主要芯片产品以及配套软件。

答:(1)Xilinx公司(FPGA的发明者)。

产品主要有:7系列All Programmable FPGA产品(Artix-7、Kintex-7等)、6系列FPGA (Vertex-6)、 XC9500/4000、Coolrunner(XPLA3)、Xilinx All Programmable SoC、CPLD等,其最大的Vertex—II Pro器件已达到800万门。

开发软件为Foundation和ISE。

欧洲多用Xilinx 公司产品,中国和亚太地区用ALTERA的人多,美国则是平分秋色。

全球PLD/FPGA产品60%以上是由Altera 和Xilinx提供的。

(2)Altera公司。

主要产品有:可编程系统级芯片 (SOPC) 、FPGA、CPLD(MAX3000/7000/9000/II等系列)、Cylone、APEX20K、ACEX、Stratix等。

配套软件:可编程逻辑技术与软件工具,其开发工具—MAX+PLUS II是较成功的PLD开发平台,最新又推出了Quartus II开发软件。

Altera公司提供较多形式的设计输入手段,绑定第三方VHDL综合工具,如:综合软件FPGA Express、Leonard Spectrum,仿真软件ModelSim。

(3)Latticee公司,是ISP(In—System Programmability)技术的发明者,ISP技术极大地促进了PLD 产品的发展。

与ALTERA和XILINX相比,其开发工具比Altera和Xilinx略逊一筹。

中小规模PLD比较有特色,大规模PLD、FPGA的竞争力还不够强,2019年推出可编程模拟器件,99年收购Vantis(原AMD子公司),成为第三大可编程逻辑器件供应商。

2019年12月收购Agere公司(原Lucent微电子部)的FPGA 部门。

专用集成电路设计大作业

专用集成电路设计大作业

实验一:(1)分频:将八分频更改为二分频和四分频在源程序中,将#0t_data_in=4'b0000;#3000t_data_in=4'b1000;,分别改为#0t_data_in=4'b0000;#3000t_data_in=4'b1100;和#0t_data_in=4'b0000;#3000t_data_in=4'b1110;即可得到四分频和二分频图像。

四分频二分频(2)反序:改变电路使彩灯变成逆时针旋转方式:源程序改动将源程序4'b0000:lamp=16'b0000_0000_0000_0001;4'b0001:lamp=16'b0000_0000_0000_0010;4'b0010:lamp=16'b0000_0000_0000_0100;4'b0011:lamp=16'b0000_0000_0000_1000;4'b0100:lamp=16'b0000_0000_0001_0000;4'b0101:lamp=16'b0000_0000_0010_0000;4'b0110:lamp=16'b0000_0000_0100_0000;4'b0111:lamp=16'b0000_0000_1000_0000;4'b1000:lamp=16'b0000_0001_0000_0000;4'b1001:lamp=16'b0000_0010_0000_0000;4'b1010:lamp=16'b0000_0100_0000_0000;4'b1011:lamp=16'b0000_1000_0000_0000;4'b1100:lamp=16'b0001_0000_0000_0000;4'b1101:lamp=16'b0010_0000_0000_0000;4'b1110:lamp=16'b0100_0000_0000_0000;4'b1111:lamp=16'b1000_0000_0000_0000;default:lamp=16'b0000_0000_0000_0000;首尾相对应语句依次调换位置,即可得到新的源程序,执行后可观测到新的亮灯顺序为反序。

集成电路设计作业三

集成电路设计作业三

模拟cmos 集成电路设计作业三1. 如图所示,根据Vout 处来计算输出阻抗。

在Vout 看向上面的几个mos 管可以发现,无论哪一支路,四个管子的电流都会受到影响。

那么可以得到)1||1||1||1(654311m m m m m out m v g g g g g R g A ⨯===3161m m g g221324R KTV out n = 还有A 已经求得,故可以根据Pout 反推回到Pin 进而求得输入噪声功率为)62(324213121m m m in n g g g KT V +=2. (a )已知电阻噪声R KT I n /42= 且mos 管的噪声γ224m n KTg I =其中的y 取为常数2/3 那么两式子联立324542m KTg R KT = 求得gm=4103-⨯ 又知道gm=D oxn I LWC μ2 其中计算Cox已知tox=50的时候 对应的Cox 然后tox 为90的时候可以得到 Cox=3.83fF那么 代入得到方程x ⨯⨯⨯⨯⨯⨯=⨯-----4121544105101083.310350103 其中x 为所求的尺寸,代入得到 x=1.34(b)根据题意,可以得到当Vb 最小时,对应的M2管子应该满足刚刚饱和的状态那么可以得到等式TH TH G S TH G S TH G S G S b V V V V V V V V V +-+-=-+=)()(21221利用饱和区电流公式得到4213410534.11083.310350---⨯=⨯⨯⨯⨯b V 4224105100103405.1--⨯=⨯⨯⨯b V此时的Vb=Vb1+Vb2+VTH=2.642V由管子的饱和状态得到不等式TH in out in b V V V V V +-≤- TH b out V V V -≥ 联立可以得到8.2862.1≤≤out V3. (a )假定输出端测试的电压Vx 与电流Ix 可以得到)1||(1scR V g V D x m out = 以及)(2x out m x V V g I -= 两者作比的形式可以得到)11(1112++=C sR Rg g Z D D m m画出草图(b )画出等效模型 利用KCL 可以得到 x m m V g sC g V 2121+=还有x x m m m D x I V g sC g g R V =+++2121 由此可以得到212111m m m D gsC g g R Z ++=画出草图 两个图都是 这个形状只 不过最大值 不同,(a ) 中的最大值 1/gm (b ) 中的最大值1/RD。

集成电路设计与制造技术作业指导书

集成电路设计与制造技术作业指导书

集成电路设计与制造技术作业指导书第1章集成电路设计基础 (3)1.1 集成电路概述 (3)1.1.1 集成电路的定义与分类 (3)1.1.2 集成电路的发展历程 (3)1.2 集成电路设计流程 (4)1.2.1 设计需求分析 (4)1.2.2 设计方案制定 (4)1.2.3 电路设计与仿真 (4)1.2.4 布局与布线 (4)1.2.5 版图绘制与验证 (4)1.2.6 生产与测试 (4)1.3 设计规范与工艺限制 (4)1.3.1 设计规范 (4)1.3.2 工艺限制 (4)第2章基本晶体管与MOSFET理论 (5)2.1 双极型晶体管 (5)2.1.1 结构与工作原理 (5)2.1.2 基本特性 (5)2.1.3 基本应用 (5)2.2 MOSFET晶体管 (5)2.2.1 结构与工作原理 (5)2.2.2 基本特性 (5)2.2.3 基本应用 (5)2.3 晶体管的小信号模型 (5)2.3.1 BJT小信号模型 (6)2.3.2 MOSFET小信号模型 (6)2.3.3 小信号模型的应用 (6)第3章数字集成电路设计 (6)3.1 逻辑门设计 (6)3.1.1 基本逻辑门 (6)3.1.2 复合逻辑门 (6)3.1.3 传输门 (6)3.2 组合逻辑电路设计 (6)3.2.1 组合逻辑电路概述 (6)3.2.2 编码器与译码器 (6)3.2.3 多路选择器与多路分配器 (6)3.2.4 算术逻辑单元(ALU) (7)3.3 时序逻辑电路设计 (7)3.3.1 时序逻辑电路概述 (7)3.3.2 触发器 (7)3.3.3 计数器 (7)3.3.5 数字时钟管理电路 (7)第4章集成电路模拟设计 (7)4.1 放大器设计 (7)4.1.1 放大器原理 (7)4.1.2 放大器电路拓扑 (7)4.1.3 放大器设计方法 (8)4.1.4 放大器设计实例 (8)4.2 滤波器设计 (8)4.2.1 滤波器原理 (8)4.2.2 滤波器电路拓扑 (8)4.2.3 滤波器设计方法 (8)4.2.4 滤波器设计实例 (8)4.3 模拟集成电路设计实例 (8)4.3.1 集成运算放大器设计 (8)4.3.2 集成电压比较器设计 (8)4.3.3 集成模拟开关设计 (8)4.3.4 集成模拟信号处理电路设计 (8)第5章集成电路制造工艺 (9)5.1 制造工艺概述 (9)5.2 光刻工艺 (9)5.3 蚀刻工艺与清洗技术 (9)第6章硅衬底制备技术 (10)6.1 硅材料的制备 (10)6.1.1 硅的提取与净化 (10)6.1.2 高纯硅的制备 (10)6.2 外延生长技术 (10)6.2.1 外延生长原理 (10)6.2.2 外延生长设备与工艺 (10)6.2.3 外延生长硅衬底的应用 (10)6.3 硅片加工技术 (10)6.3.1 硅片切割技术 (10)6.3.2 硅片研磨与抛光技术 (10)6.3.3 硅片清洗与检验 (10)6.3.4 硅片加工技术的发展趋势 (11)第7章集成电路中的互连技术 (11)7.1 金属互连 (11)7.1.1 金属互连的基本原理 (11)7.1.2 金属互连的制备工艺 (11)7.1.3 金属互连的功能评价 (11)7.2 多层互连技术 (11)7.2.1 多层互连的原理与结构 (11)7.2.2 多层互连的制备工艺 (11)7.2.3 多层互连技术的挑战与发展 (11)7.3.1 铜互连技术 (12)7.3.2 低电阻率金属互连技术 (12)7.3.3 低电阻互连技术的发展趋势 (12)第8章集成电路封装与测试 (12)8.1 封装技术概述 (12)8.1.1 封装技术发展 (12)8.1.2 封装技术分类 (12)8.2 常见封装类型 (12)8.2.1 DIP封装 (12)8.2.2 QFP封装 (13)8.2.3 BGA封装 (13)8.3 集成电路测试方法 (13)8.3.1 功能测试 (13)8.3.2 参数测试 (13)8.3.3 可靠性测试 (13)8.3.4 系统级测试 (13)第9章集成电路可靠性分析 (13)9.1 失效机制 (13)9.2 热可靠性分析 (14)9.3 电可靠性分析 (14)第10章集成电路发展趋势与展望 (14)10.1 先进工艺技术 (14)10.2 封装技术的创新与发展 (14)10.3 集成电路设计方法学的进展 (15)10.4 未来集成电路的发展趋势与挑战 (15)第1章集成电路设计基础1.1 集成电路概述1.1.1 集成电路的定义与分类集成电路(Integrated Circuit,IC)是指在一个半导体衬底上,采用一定的工艺技术,将一个或多个电子电路的组成部分集成在一起,以实现电子器件和电路的功能。

射频集成电路设计作业1

射频集成电路设计作业1

0.2
10
0.1
20
50
0. 29 0. 21 -3 0
0. 3 0. 2
-4 0
0. 19 0. 31
2 of 2
0.39 0 . 0.11 4 0.1 -100 0. 41 -11 0. 09 0 0 . C 42 A P A CIT IV -1 0.0 E 20 8 REA CT AN CE
C O MP ON EN T
(jX /
0.
4
5.0
0.2
50
RESISTANCE COMPONENT (R/Zo), OR CONDUCTANCE COMPONENT (G/Yo) 0.2
0. 15 λ
2.
C Z2
R2 R1
l3=0.2λ
连接 50Ω 系统 ZA A
l2 =
Z3 ZB
Z1
L
B
l1=0.15λ
3.
对于右图所示的阻抗变换电路, (1) C 1 + C 2 2 - R 成立并说 试证明近似式 R p ≈ ---------------- C1 2 明其成立的条件。 定义 Q 2 = R 2 ω C 2 , Q = R p ω C p ,证明 2 C2 QQ 2 – Q 2 ----- = ---------------------2 C1 ( 1 + Q2 )
0.1
0.4
0.
6
0. 8
1. 0
0.
3
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0.
6
0.7
1.
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0.8
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0.9
1.0
射频集成电路设计作业 1
32 0. 18 0. 0 -5

集成电路设计基础 课后答案

集成电路设计基础 课后答案

班级:通信二班姓名:赵庆超学号:200712012977,版图设计中整体布局有哪些注意事项?答:1版图设计最基本满足版图设计准则,以提高电路的匹配性能,抗干扰性能和高频工作性能。

2 整体力求层次化设计,即按功能将版图划分为若干子单元,每个子单元又可能包含若干子单元,从最小的子单元进行设计,这些子单元又被调用完成较大单元的设计,这种方法大大减少了设计和修改的工作量,且结构严谨,层次清晰。

3 图形应尽量简洁,避免不必要的多边形,对连接在一起的同一层应尽量合并,这不仅可减小版图的数据存储量,而且版图一模了然。

4 在构思版图结构时,除要考虑版图所占的面积,输入和输出的合理分布,较小不必要的寄生效应外,还应力求版图与电路原理框图保持一致(必要时修改框图画法),并力求版图美观大方。

8,版图设计中元件布局布线方面有哪些注意事项?答:1 各不同布线层的性能各不相同,晶体管等效电阻应大大高于布线电阻。

高速电路,电荷的分配效应会引起很多问题。

2 随器件尺寸的减小,线宽和线间距也在减小,多层布线层之间的介质层也在变薄,这将大大增加布线电阻和分布电阻。

3 电源线和地线应尽可能的避免用扩散区和多晶硅布线,特别是通过较大电流的那部分电源线和地线。

因此集成电路的版图设计电源线和地线多采用梳状布线,避免交叉,或者用多层金属工艺,提高设计布线的灵活性。

4 禁止在一条铝布线的长信号霞平行走过另一条用多晶硅或者扩散区布线的长信号线。

因为长距离平行布线的两条信号线之间存在着较大的分布电容,一条信号线会在另一条信号线上产生较大的噪声,使电路不能正常工作。

、5 压点离开芯片内部图形的距离不应少于20um,以避免芯片键和时,因应力而造成电路损坏。

系统集成电路大作业

系统集成电路大作业

系统集成与应用实验设计报告16路模拟信号发生器班级:小组成员:指导教师:目录一、设计任务和要求分析 (2)二、整体方案设计选择 (2)三、理论计算 (6)四、电路设计及仿真 (7)五、实验总结 (11)六、附录 (12)一、设计任务与要求分析1.1设计任务用C8051F020单片机完成16路信号源的输出,并通过单片机内部A/D转换器进行输出信号源的反馈采样,最后通过异步串行接口(UART)将采样结果输出。

利用C8051单片机将波形量化数据放置于内部ROM,通过内部D/A产生信号以及I/O 端口控制多路模拟开关,同时生成16路信号源,注意信号源调理电路中采保部分的选值,并给出理论计算结果。

反馈回采部分采用单片机的12位高精度A/D 转换器,采样频率自定(要求给出理论计算值),并通过UART接口将采样值送出按9600bps的波特率发出(接收对象可以是计算机或其它)。

1.2 任务要求分析我们通过集体讨论与分析,确定了如下的设计流程:图1.系统流程图在进行具体的实验设计之后,我们进行了电路简化,放大滤波通过一个运算放大器来实现,不仅使电路得到了简化,而且也节省了资源。

二、整体方案设计选择2.1 单片机部分单片机选用C8051F020,是完全集成的混合信号系统级MUC芯片具有64个数字I/O引脚;具有12位100kps的8通道ADC,带PGA和多路模拟开关;具有2个12位DAC,具有可编程数据更新方式;64K可在系统编程的FLASH存储器;4352字节的片内RAM;可寻址64K字节地址空间的数据存储器接口:2个UART串行接口。

基于以上优良特性,故选用该单片机。

单片机具有上电复位、掉电复位、外部复位、软件强制复位等多种复位方式。

在应用中外部复位方式得到广泛应用。

外部/RST引脚提供使用外部电路使单片机强制复位的手段。

在外部/RST引脚加一个低电平有效信号,将使单片机复位,最好提供一个外部上拉,或对RST引脚去耦以防止噪声引起复位。

集成电路设计基础作业2011

集成电路设计基础作业2011

课程作业1(第一周)第一章集成电路设计概述基础习题1-1 按规模划分,集成电路的发展已经经历了哪几代?它的发展遵循了一条业界著名的定律,请说出是什么定律?1-2 什么是无生产线集成电路设计?列出无生产线集成电路设计的特点和环境。

1-3 多项目晶园(MPW, Multi-Project Wafer)技术的特点是什么?对发展集成电路设计有什么意义?1-4 集成电路设计需要哪4个方面的知识?要求:从以上题目中任选2题完成!!课程作业2(第二周)第二章集成电路材料、结构与理论习题2-1为什么硅(Si, Silicon)材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?2-2 砷化镓(GaAs, Galliumarsenide)和磷化铟(InP, Indiumphosphide)材料各有哪些特点?2-3 在怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触?在怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触?2-4说出多晶硅(Polysilicon)在CMOS工艺中的作用?2-5列出你知道的异质半导体材料系统。

2-6绝缘体上硅(SOI,Silicon ON Insulator)材料是怎样形成的,有什么特点?2-7肖特基接触和欧姆接触各有什么特点?2-8简述双极型晶体管(BJT, Bipolar Junction Transistor)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET,Metallic-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)的工作原理。

要求:从以上题目中任选4题完成!!课程作业3(第三周)第三章集成电路基本工艺习题3-1 写出晶体外延的意义,列出三种外延生长方法,并比较各自的优缺点。

3-2 写出掩模在IC制造过程中的作用,比较整版掩模和单片掩模的区别,列举三种掩模的制造方法。

3-3 写出光刻的作用,光刻有哪两种曝光方式?3-4 X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点?3-5说出半导体工艺中掺杂的作用,举出两种掺杂方法,并比较其优缺点。

集成电路设计基础作业解答(8~12)

集成电路设计基础作业解答(8~12)

1、 求N +硅NMOS 晶体管的阈值电压和体因子K 。

设t OX =0.1um , N A =3×1018/cm 3。

多晶硅栅掺杂浓度N D =1020/cm 3。

氧化层和硅界面处单位面积的正离子电荷为1010cm -3 解答:(1)P 型衬底体因子OXA S C N q K ε2=,其中C q cm F cm N S A 1914318106.1/10854.89.11/103--⨯=⨯⨯=⨯=,,εmT C OXOXOX μεε1.09.30⨯==。

计算可得V K 13.29=(2)V T 有三部分组成:a 、平带电压V FB ;由两部分组成OXOXbulk poly FB C Q V -=-φ。

其中bulk poly -φ为栅多晶硅和体硅的功函数差;)ln(DA bulk poly N N q kT米势=多晶硅费米势-硅体费=-φ Q ox 为界面电荷;b 、降落在栅氧上的电压OXA OX n A OX C QC Q Q V ≈+=;其中F S A S S A F A qN qN Q φεφεφ42)2(≈=c 、半导体表面势)ln(2iA F F F n N q kT=是衬底费米势,其中φφφ。

所以得到F OXA OX OX bulk poly F OX FB thC QC Q V V V φφφ22+--=++=- 带入相应数值得到当没有衬底偏置效应时(V SB =0)阈值电压为V th =28.9V 阈值电压的通式为:)22(),(00F SB F th th SB th V K V V V V φφ-++=评注:这个的数字很不正常,一般电路中MOS 器件的阈值电压只有0.7~0.8V 左右。

体效应系数只有0.3左右。

产生这些偏差的原因是衬底浓度太高(3e1018)。

一般的衬底浓度只有1015~1016量级7.1 已知一自举反相器如图题7.1所示,其负载管的W/L =2,设其他参数委V T =0.7,V DD =5V ,k ’=1×10-5A/V 2, 忽略衬底偏置效应。

重理工 集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全

重理工 集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全

重理工集成电路设计原理思考题、作业、提问答案大全1-1思考题典型PN结隔离工艺与分立器件NPN管制造工艺有什么不同(增加了哪些主1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺与分立器件结隔离工艺与分立器件NPNNPN管制造工艺有什么不同管制造工艺有什么不同()要工序要工序)?增加工序的的目的是什么?答:分立器件NPN管制造工艺:外延→一氧→一次光刻→B掺杂→二氧→二次光刻→P掺杂→三氧→三次光刻→金属化→四次光刻。

典型PN结隔离工艺:氧化→埋层光刻→埋层扩散→外延→二氧→隔离光刻→隔离扩散、推进(氧化)→基区光刻→基区扩散、再分布(氧化)→发射区光刻→发射区扩散、氧化→引线孔光刻→淀积金属→反刻金属→淀积钝化层→光刻压焊点→合金化及后工序。

增加的主要工序:埋层的光刻及扩散、隔离墙的光刻及扩散。

目的:埋层:1、减小串联电阻;2、减小寄生PNP晶体管的影响。

隔离墙:将N型外延层隔离成若干个“岛”,并且岛与岛间形成两个背靠背的反偏二极管,从而实现PN结隔离。

管的电极是如何引出的?集电极引出有什么特殊要求?1-1-2.NPN1-1-2.NPN管的电极是如何引出的?集电极引出有什么特殊要求?答:集成电路中的各个电极均从上表面引出。

要求:形成欧姆接触电极:金属与参杂浓度较低的外延层相接触易形成整流接触(金半接触势垒二极管)。

因此,外延层电极引出处应增加浓扩散。

典型PN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩1-1-3.1-1-3.典型典型PNPN结隔离工艺中隔离扩散为什么放在基区扩散之前而不放在基区扩散或发射区扩散之后?答:由于隔离扩散深度较深,基区扩散深度相对较浅。

放在基区扩散之前,以防后工序对隔离扩散区产生影响。

1-1作业典型PN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的?1-1-1.1-1-1.典型典型PNPN结隔离工艺中器件之间是如何实现隔离的?答:在N型外延层中进行隔离扩散,并且扩穿外延层,与P型衬底连通,从而将N型外延层划分为若干个“岛”;同时,将隔离区接最低电位,使岛与岛之间形成两个背靠背的反偏二极管,从而岛与岛互不干涉、互不影响。

集成电路设计基础作业题解答~

集成电路设计基础作业题解答~

第五次作业4.14、改正图题4.14所示TTL 电路的错误。

如下图所示:解答:(a)、B A B A Y ••=•=0,A,B与非输出接基极,Q 的发射极接地。

从逻辑上把Q 管看作单管严禁门便可得到B A Y •=。

逻辑没有错误!若按照题干中所示接法,当TTL 与非门输出高电平时,晶体管Q 的发射结要承受高压,必然产生巨大的电流。

为了不出现这种情况,可以在基极加一电阻或者在发射极加一二极管。

但发射极加二极管后会抬高输出的低电平电压。

所以只能在基极加一大电阻,实现分压作用。

此外一种方法是采用题4.15(a )图中的A 输入单元结构。

(b)、要实现由,我们可以使用线与+得到和B A B A 。

但题干中的线与功能不合理。

若其中一个为高电平且此外一个为低电平时,高电平输出降会往低电平输出灌电流,从而容易引起逻辑电平混乱。

为了消除这一效应,可以在各自的输出加一个二极管。

(c)、电阻不应当接地,应当接高电平 (d)、电阻不应当接VCC ,而应当接低电平4.15、试分析图题4.15(a ),(b)所示电路的逻辑功能。

解答:图(a )中,单元1实现了A 的电平输入,B 是A 的对称单元。

功能单元2实现了A 和B 输入的或逻辑功能单元4充当了Q8管的泄放网络,同时抬高了Q3,Q4管的输入逻辑电平,此外该单元还将或的结果传递给了Q8管 功能单元3中的Q8管实现了非逻辑,Q6和Q7复合管加强了输出级的驱动能力。

综上所述,4.15(a )电路实现功能为B A Y +=,即或非的功能图(b)中,Q1,Q2管仍然实现传递输入的功能,Q3,Q4管实现或非的功能 Q6管和Q5管以及R5,R7共同组成的泄放网络实现了电压的传递Q9管实现了非功能,Q7,Q8管仍然是用来驱动负载的。

Q9管和Q7,Q8轮流导通综上所述,4.15(b )实现的功能为B A B A Y +=+=第六次作业:5.1已知一ECL 电路如图题5.1所示,其Vcc=0V ,V EE =-4.5V ,V BEF =0.8V ,V BB =-1.2V ,逻辑摆幅V L =0.8V 且对称于参考电压,各管的I E,MAX =5mA ,并假设输入和输出的逻辑电平V i ,V o 互相匹配,且忽略基极电流的影响。

电子技术相关 《数字集成电路基础》作业答案

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《数字集成电路基础》作业答案第一次作业1、查询典型的TTL与CMOS系列标准电路各自的VIH、VIL、VOH和VOL,注明资料出处。

2、简述摩尔定律的内涵,如何引领国际半导体工艺的发展。

第二次作业1、说明CMOS电路的Latch Up效应;请画出示意图并简要说明其产生原因;并简述消除“Latch-up”效应的方法。

答:在单阱工艺的MOS器件中(P阱为例),由于NMOS管源与衬底组成PN结,而PMOS 管的源与衬底也构成一个PN结,两个PN结串联组成PNPN结构,即两个寄生三极管(NPN 和PNP),一旦有因素使得寄生三极管有一个微弱导通,两者的正反馈使得电流积聚增加,产生自锁现象。

影响:产生自锁后,如果电源能提供足够大的电流,则由于电流过大,电路将被烧毁。

消除“Latch-up”效应的方法:版图设计时:为减小寄生电阻Rs和Rw,版图设计时采用双阱工艺、多增加电源和地接触孔数目,加粗电源线和地线,对接触进行合理规划布局,减小有害的电位梯度;工艺设计时:降低寄生三极管的电流放大倍数:以N阱CMOS为例,为降低两晶体管的放大倍数,有效提高抗自锁的能力,注意扩散浓度的控制。

为减小寄生PNP管的寄生电阻Rs,可在高浓度硅上外延低浓度硅作为衬底,抑制自锁效应。

工艺上采用深阱扩散增加基区宽度可以有效降低寄生NPN管的放大倍数;具体应用时:使用时尽量避免各种串扰的引入,注意输出电流不易过大。

2、什么是器件的亚阈值特性,对器件有什么影响?答:器件的亚阈值特性是指在分析MOSFET时,当Vgs<Vth时MOS器件仍然有一个弱的反型层存在,漏源电流Id并非是无限小,而是与Vgs呈现指数关系,这种效应称作亚阈值效应。

影响:亚阈值导电会导致较大的功率损耗,在大型电路中,如内存中,其信息能量损耗可能使存储信息改变,使电路不能正常工作。

3、什么叫做亚阈值导电效应?并简单画出logI D-V GS特性曲线。

答:GS在分析MOSFET时,我们一直假设:当V GS下降到低于V TH时器件会突然关断。

集成电路基础知识单选题100道及答案解析

集成电路基础知识单选题100道及答案解析

集成电路基础知识单选题100道及答案解析1. 集成电路的英文缩写是()A. ICB. CPUC. PCBD. ROM答案:A解析:集成电路的英文是Integrated Circuit,缩写为IC。

2. 以下不属于集成电路制造工艺的是()A. 光刻B. 蚀刻C. 焊接D. 扩散答案:C解析:焊接通常不是集成电路制造的核心工艺,光刻、蚀刻和扩散是常见的制造工艺。

3. 集成电路中,负责存储数据的基本单元是()A. 晶体管B. 电容器C. 电阻器D. 触发器答案:D解析:触发器是集成电路中用于存储数据的基本单元。

4. 以下哪种材料常用于集成电路的制造()A. 玻璃B. 塑料C. 硅D. 铝答案:C解析:硅是集成电路制造中最常用的半导体材料。

5. 集成电路的发展遵循()定律A. 摩尔B. 牛顿C. 爱因斯坦D. 法拉第答案:A解析:集成电路的发展遵循摩尔定律。

6. 集成电路封装的主要作用不包括()A. 保护芯片B. 散热C. 提高性能D. 便于连接答案:C解析:封装主要是保护、散热和便于连接,一般不能直接提高芯片的性能。

7. 在数字集成电路中,逻辑门是由()组成的A. 二极管B. 三极管C. 场效应管D. 晶闸管答案:C解析:场效应管常用于数字集成电路中构成逻辑门。

8. 以下哪种集成电路属于模拟集成电路()A. 微处理器B. 计数器C. 放大器D. 编码器答案:C解析:放大器属于模拟集成电路,其他选项通常属于数字集成电路。

9. 集成电路的集成度是指()A. 芯片面积B. 晶体管数量C. 工作频率D. 功耗答案:B解析:集成度通常指芯片上晶体管的数量。

10. 集成电路设计中,常用的硬件描述语言有()A. C 语言B. Java 语言C. VerilogD. Python 语言答案:C解析:Verilog 是集成电路设计中常用的硬件描述语言。

11. 以下关于集成电路测试的说法错误的是()A. 可以检测芯片的功能是否正常B. 可以提高芯片的可靠性C. 测试只在生产完成后进行D. 有助于筛选出不合格的芯片答案:C解析:集成电路测试在生产过程的多个阶段都可能进行,不只是在生产完成后。

《初识集成电路》 作业设计方案

《初识集成电路》 作业设计方案

《初识集成电路》作业设计方案一、作业目标1、让学生了解集成电路的基本概念和发展历程。

2、帮助学生掌握集成电路的组成结构和工作原理。

3、培养学生对集成电路在现代科技中应用的认识和理解。

4、提高学生的观察、分析和解决问题的能力。

二、作业内容1、知识回顾(1)让学生回顾电学基础知识,如电阻、电容、电感等基本元件的特性和作用。

(2)复习半导体材料的特性,如硅、锗等在电子学中的应用。

2、集成电路概念讲解(1)通过文字和简单的图示,向学生介绍集成电路的定义,即把一定数量的常用电子元件,如电阻、电容、晶体管等,以及这些元件之间的连线,通过半导体工艺集成在一起的具有特定功能的电路。

(2)让学生了解集成电路的分类,如数字集成电路、模拟集成电路等,并举例说明其应用领域。

3、集成电路的发展历程(1)布置学生查阅资料,了解集成电路的发展历史,从早期的小规模集成电路到现在的超大规模集成电路。

(2)要求学生整理出集成电路发展过程中的关键技术突破和重要人物贡献。

4、集成电路的组成结构(1)通过示意图和简单的说明,向学生展示集成电路的内部结构,包括芯片、封装、引脚等部分。

(2)介绍集成电路中常见的元件,如晶体管、二极管、电阻、电容等在芯片中的布局和连接方式。

5、集成电路的工作原理(1)以简单的逻辑门电路(如与门、或门、非门)为例,讲解集成电路的基本工作原理。

(2)让学生通过实验或模拟软件,观察输入和输出信号的变化,理解逻辑运算的过程。

6、集成电路的应用(1)组织学生讨论集成电路在日常生活中的应用,如手机、电脑、汽车等。

(2)让学生分析某个具体产品中集成电路所起的作用,如智能手机中的处理器芯片。

三、作业形式1、书面作业(1)布置一些与集成电路基础知识相关的简答题和填空题,如“集成电路的主要组成部分有哪些?”“简述数字集成电路和模拟集成电路的区别。

”(2)要求学生撰写一篇关于集成电路发展历程的短文,介绍自己对集成电路发展的认识和感受。

集成电路设计基础 课后答案

集成电路设计基础 课后答案

1、答:确定系统规范;系统框架设计;源代码设计;FPGA综合和硬件验证;ASIC逻辑综合;综合后仿真;版图设计;版图后仿真;提交版图数据、制版流片和芯片测试。

其中所涉及的问题有对系统划分为若干子模块并设计控制器以控制协调各子模块的工作。

将行为级或寄存器级描述转换成相应门级网表等。

√9、答:单进程状态机之寄存器的VHDL程序:library ieee;use ieee.std-logic-1164.all; √entity controller is √port (ready: in std-logic;clk: in std-logic;read-write: in std-logic;we,oe: out std-logic);end controller; √architecture state-machine of controller istype state-type is (idle,decision,read,write);signal present-state,next-state :state-type;beginprocess1;process(clk)beginif(clk'event and clk='1')then present_state<=next_state;end if;end process; √process2:process(present_state,ready,read_write)begincase present_state iswhen idle=>we<='0';oe<='0';if(ready='1')then next_state<=decision;end if; √when decision=>we<='0';oe<='0';if(read_write='1')then next_state<=read;else next_state<=write;end if; √when read=>we<='0';oe<='1';if(ready='1')then next_state<=idle;else next_state<=read;end if; √when write=>we<='1';oe<='0';if(ready='1')then next_state<=idle;else next_state<=write;end if; √end case;end process;end state_machine;√对于这个状态机来说其双进程的VHDL程序如下:library ieee;use ieee.std-logic-1164.all;entity controller isport (ready: in std-logic;clk: in std-logic;read-write: in std-logic;we,oe: out std-logic);end controller;architecture state-machine of controller istype state-type is (idle,decision,read,write);signal present-state,next-state :state-type;begin--process1:process(present_state,ready,read_write)begincase present_state iswhen idle=>we<='0';oe<='0';if(ready='1')then next_state<=decision;end if;when decision=>we<='0';oe<='0';if(read_write='1')then next_state<=read;else next_state<=write;end if;when read=>we<='0';oe<='1';if(ready='1')then next_state<=idle;else next_state<=read;end if;when write=>we<='1';oe<='0';if(ready='1')then next_state<=idle;else next_state<=write;end if;end case;end process;--process2;process(clk)beginif(clk'event and clk='1')then present_state<=next_state;end if;end process;end state_machine; √12、答:逻辑综合有以下几个步骤:RTL描述,此过程要对电路进行描述并进行必要的功能验证;翻译,此过程是对中间资源进行一些简单的分配;逻辑优化,此进程用于去除冗余逻辑,以产生优化的内部结果;工艺映射和优化,此过程使用工艺库中所提供的单元代替前面的中间描述;工艺库,此过程利用工艺库中的单元进行设计;设计约束条件,此过程从时序、序、面积、功耗和工作环境等因素考虑各约束条件;最优化的门级描述,此过程是反复修改RTL代码或设计约束条件,以便得到预想的设计效果。

集成电路基础知识试题

集成电路基础知识试题

集成电路基础知识试题### 集成电路基础知识试题#### 一、选择题(每题2分,共20分)1. 集成电路的英文缩写是:A. ICB. CPUC. RAMD. ROM2. 下列哪个不是集成电路的基本元件?A. 晶体管B. 电阻C. 电容D. 硬盘3. 集成电路的制造工艺中,光刻是用于:A. 形成电路图案B. 清洗硅片C. 检测电路D. 封装电路4. CMOS技术中,CMOS代表:A. 互补金属氧化物半导体B. 计算机操作与制造系统C. 复杂多输出系统D. 连续多输入系统5. 以下哪个是集成电路设计中的后端流程?A. 逻辑综合B. 电路仿真C. 布局与布线D. 原理图绘制#### 二、填空题(每空2分,共20分)6. 集成电路按照制造材料可以分为______和______两大类。

7. 集成电路的最小特征尺寸通常用______来表示。

8. 集成电路的功耗主要由______和______组成。

9. 在数字集成电路中,最基本的逻辑门是______、______、非门和或门。

10. 集成电路的封装类型包括DIP、BGA、______等。

#### 三、简答题(每题15分,共30分)11. 简述集成电路的发展历程及其对未来电子技术的影响。

集成电路自20世纪50年代诞生以来,经历了从小规模集成电路(SSI)到超大规模集成电路(VLSI)的快速发展。

这一过程不仅极大地推动了电子技术的革新,也为现代信息技术、通信技术、计算机技术等领域的发展奠定了基础。

集成电路的高集成度、低功耗、低成本等特点,使其成为现代电子设备不可或缺的核心组件。

未来,随着新材料、新工艺的不断涌现,集成电路将继续向着更高性能、更小尺寸的方向发展,为人类社会带来更多的便利和创新。

12. 解释什么是互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,并简述其优缺点。

互补金属氧化物半导体(CMOS)技术是一种广泛应用于现代集成电路制造的工艺技术。

它利用了P型和N型MOSFET的互补特性,实现了低功耗、高集成度的电路设计。

中国科学院大学-超大规模集成电路基础第二次作业答案

中国科学院大学-超大规模集成电路基础第二次作业答案

1·NMOS的饱和电流更高
因为饱和电流的大小与载流子有关系,P管为空穴导电,N管为电子导电,电子的迁移率大于空穴。

同样的电场下,N管电流大于P管,因此要增大P管的宽长比使之对称,这样才能使得二者上升时间和下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充放电时间相等。

2(1)静态CMOS反相器的工作原理
当Vi为高电平时(如V DD),PMOS管截止、NMOS管导通,输出节点与地之间电压V o 为0;
当Vi为低电平时(如0),PMOS管导通、NMOS管截止,输出节点与地之间电压V o为高电平(V DD);
即:当V I为低电平时V o为高电平;V I为高电平时V o为低电平,电路实现了非逻辑运算,是非门——反相器。

原理图如下:
上面是P沟道增强型,下面是N沟道增强型
(2)静态CMOS反相器的优点
a)输出高电平和低电平分别为VDD和GND
b)逻辑电平与器件的相对尺寸无关(无比逻辑),所以晶体管可采用最小尺寸
c)稳态时输出和VDD或GND之间总存在一条具有有限电阻的通路
d)CMOS反相器输入电阻极高,稳态输入电流几乎为零
e)CMOS在稳态情况下电源线和地线没有直接通路,没有电流存在(忽略漏电流),因
此该门不消耗任何静态功率。

专用集成电路设计大作业

专用集成电路设计大作业

专用集成电路设计大作业首先,在进行专用集成电路设计时,需要明确设计的目标和需求。

这包括电路的功能、性能和功耗等方面的要求。

例如,如果设计目标是实现一个高速数据处理芯片,那么需要考虑芯片的时钟频率、数据吞吐量和功耗等因素。

接下来,进行电路设计。

根据设计目标,选择合适的电路结构和器件。

例如,在高速数据处理芯片设计中,可以采用流水线结构来实现数据并行处理,选择高速器件来满足高速时钟要求。

然后,进行电路布局。

布局是将电路元件按照一定规则进行合理摆放,以实现最佳性能和最小面积。

在布局过程中,需要考虑电路元件之间的信号传输和功耗等因素,避免引起互相干扰和耗散。

接着,进行电路布线。

布线是将电路元件之间的信号线进行连接,以实现电路功能的传输。

布线过程中需要考虑信号传输的延迟、功耗等因素。

同时,合理规划信号线的走向和长度,减少信号传输的互相干扰。

最后,进行电路验证。

电路验证是为了确保设计的电路能够满足预期的功能和性能要求。

通过模拟仿真和数字电路仿真等方法,验证电路的逻辑正确性和性能是否满足要求。

同时,还可以进行物理验证,包括电气测试和功能验证等。

在进行专用集成电路设计时,需要充分考虑电路的可靠性和可制造性。

通过合理的设计和验证,尽量避免电路故障和不稳定性。

同时,还需要考虑电路的可制造性,包括工艺限制和成本因素等。

总之,专用集成电路设计是一个综合性的工程,需要综合考虑电路功能、性能、功耗、布局、布线和验证等方面的因素。

只有通过合理的设计和验证,才能满足特定应用领域的需求。

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集成电路测试技术现状及发展综述
摘要:集成电路在现代电子整机中的应用比重已超过25%,测试是分析集成电路缺陷的最好工具,通过测试可以提高集成电路的成品率。

通过分析我国集成电路产业现状,论述我国集成电路的设计验证测试、晶圆测试、芯片测试、封装测试等关键测试环节的技术水平,提出进一步发展我国集成电路测试产业的相关建议。

关键词:集成电路;设计验证;晶圆测试;芯片测试;封装测试;发展策略
Abstract :IC proportion in modern electronic machine in more than 25% , the test is the best tool to analyze integrated circuit defects by testing can improve the yield of integrated circuits by analyzing the status on China's integrated circuit industry , discusses the integration of our country ! design verification testing , wafer testing, chip testing , packaging and testing , and other key aspects of the circuit test skills, make recommendations for further development of China's IC testing industry.
前言:集成电路的开发、生产是当今世界的尖端高科技产业,他在现代电子整机中的应用比重已超过25%,是现代信息产业和信息社会的基础,已成为改造和拉动传统产业迈向数字时代的强大引擎和雄厚基石。

集成电路测试的能力和水平是保证集成电路性能、质量的关键手段之一,也是集成电路测试产业的重要标志,因此受到很多国家的高度重视[1]。

1 集成电路测试的分类
1.1 验证性测试
在大生产之前就要进行验证性测试,以确保电路设计的正确性,并对电路所有的功能都要进行测试,同时在测试过程中,还要模拟多个环境反复测试,依次列出电路参数的规范。

1.2 生产性测试
在产品设计完成后,投入生产运行,批量产品出来以后在常温的环境下进行生产性测试,目的是判定产品是否合格,通常情况下,为了节约测试成本,不会覆盖所有的电路功能和数据类型,只需做通过/ 不通过的判别即可。

1.3 老化测试
即使通过生产性测试合格的产品在实际应用中有些也会出现失效的情况,这时就需要进行老化测试即通过一个长时间的连续或周期性的测试使不耐用的器件失效,从而确保老化测试后器件的可靠性。

1.4 成品测试
通常情况下,企业采购来的器件在集成到系统之前,往往还要进行成品检测,按测试对象的不同可以分为中测和成测。

中测是圆片制造的最后一道工艺,成测则是对封装好的电路进行测试[2]。

2 集成电路测试的流程
2.1 产品文件
应包含产品的详细线路、简单的功能介绍、中测和成测、老化测试的测试回路,测试项目、测试参数的规范等等。

2.2 测试仪
包括模拟测试仪和数字测试仪,主要是用来测试各类参数。

2.3 测试夹具
即安装测试回路的线路板,分中测夹具和成测夹具。

2.4 测试程序
测试工程师在熟悉产品文件、测试仪、测试回路及做好测试夹具后再进行编制和调试的程序。

2.5 中测台或分选机
中测台是用来控制每一个芯片的步距,而分选机则是用来控制成品电路的上下料,它们都是集成电路自动测试必不可少的一部分。

2.6 测试数据分析
对芯片进行测试后,一般要求生成不良品的具体数据报告,便于工程师对数据进行分析,从而提出针对性的改进方案,达到降低产品成本,提高生产效率的目的[3]。

3 我国集成电路测试技术能力现状
我国集成电路测试技术和系统的研发始于20世纪70 年代初。

经过30 多年的发展,我国集成电路测试产业从无到有、从小到大,由硬件开发、软件开发到系统集成,由仿制到独立自主开发,目前已形成了一个由专业研究所、测试集团公司为主,遍布于重点院校、中央和地方科研机构的广大测试群体。

我国拥有50MHz 测试验证系统平台、100MHz通用测试系统平台、集成电路验证测试服务平台,已比较全面地满足数字IC 测试、模拟IC 测试、数模混合信号测试、可靠性测试、成品自动分选、芯片探针测试的需求。

集成电路测试作为设计、制造和封装的有力补充,推动了产业的迅速发展[1]。

然而,与迅速发展的设计业相比,我国测试业的发展相对滞后,不仅落后于发达国家,也跟不上我国集成电路产业发展的需要,在一定程度上制约了我国集成电路产业的发展,目前能够独立承担专业测试服务的公司不多,不能满足众多34 设计公司的验证分析和产业化测试需求,已日益成为我国集成电路产业发展
的一个瓶颈。

虽然许多外资企业在国内设有测试机构,但大多不提供对外测试服务,即使提供,也很少为小批量的高端产品提供测试开发、验证及生产测试。

对于高端集成电路产品,主要还是送到国外去测试,国内的测试能力远远满足不了市场的需求。

4 集成电路测试的发展策略
由于集成电路在我国研究发展起步较晚,现行测试方法还不够全面,测试水平也不够高,相应的检测效果不尽如人意,无法完全满足时下对集成电路测试技术的要求[7]。

因此,有必要进一步完善测试技术,提高其检测效果,下面针对性地提出几点推进我国集成电路测试产业发展的建议。

4.1 发展低成本测试技术
就目前形式而言,国内IC 产品主要以低档、民用消费类产品为主,如MP3 IC、音视频处理IC、数模混合IC 和电源管理IC 等,其芯片售价并不高,太高的测试费用是很难承担的,所以低成本的测试技术是众多企业急需的。

这决定了测试系统的选择应以经济实惠、技术指标合适的机型为主[4]。

4.2研发高端测试技术
目前,现有的测试设备还不能测试像锁相环等模拟/ 混合信号器件,所有的制造商都很难找到一种满意的自动测试设备来测试系统芯片。

近几年半导体工艺发展迅速,系统芯片( SoC)逐渐成为集成电路设计的主流趋势,以此同时相应的系统芯片测试技术也孕育而生,集成电路高端测试技术的研究必须走在IC 设计技术的前面[5]。

4.3改进运行机制及业务模式
集成电路测试具有投入大、技术复杂、对技术人员要求高等特点。

有必要在运行机制和业务模式上进行积极有益的探索,合理、充分利用企业和各类社会
资源,通过适当的市场化运作,最终实现良性循环和可持续发展。

4.4政府加强社会公共检测平台建设
集成电路产业是国家的支柱产业之一,政府在对产业引导、培育、扶持的过程中起着极其重要的作用。

政府通过加强对公共测试服务平台的建设,开展各种测试、失效分析、可靠性评估、测试程序的研发、测试技术研究交流、测试系统研发以及测试人员的技术培训等项目,提供更优质、更高端的服务[7]。

5 展望
如今我国已经是世界上第二大集成电路生产国家,但是相应的测试技术却达不到生产的要求,其原因主要还是缺乏高水平的集成电路测试装备的设计能力,因此这方面的人才培养要有长远考虑,另外集成电路企业必须强化对现有测试技术的消化、吸收和创新,同时政府要建立为集成电路设计中小企业服务的政府检测平台,发挥其导向性的作用。

参考文献:
[1] 俞建峰, 陈翔, 杨雪瑛. 我国集成电路测试技术现状及发展策略.中国测试, 2009, (3):1-5.
[2] 陈达波. 谈集成电路测试技术的现状及对策.技术与市场,2014, (8). DOI:10.3969/j.issn.1006-8554.2014.08.245.
[3] 程家瑜,王革,龚钟明,等.未来10 年我国可能实现产业跨越式发展的重大核心技术.中国科技论坛,2004(2) :9 - 12.
[4] 朱莉,林其伟.超大规模集成电路测试技术.中国测试技术,2006,32(6):117 - 120.
[5] 谈向萍,俞云强.浅谈集成电路的测试技术.无锡职业技术学院学
报,2006,5(2) :67 - 70.
[6] 时万春.集成电路测试技术的新进展.电子测量与仪器学报,2007.
[7] 古建,田延军等.集成电路测试技术与应用.中国惯性技术学报,2002,10 :60 - 64.。

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