光耦参数解释及设计注意事项

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光耦参数详解范文

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光耦参数详解范文光耦是一种将输入和输出电路隔离的器件,它由发光二极管(LED)和光敏三极管(光电三极管)组成。

它具有高耐电压、高隔离电阻、低反向漏电流等特点,在电子电路设计中广泛应用于信号隔离、电气隔离和驱动电路等领域。

下面详细介绍光耦的参数。

1.电源电压(VCC):这是光耦器件正常工作的电压范围。

它通常在数据表中指定,并应与应用电路的电源电压匹配。

2.峰值发光二极管电流(IFP):这是发光二极管在正向工作时的最大电流。

过大的电流可能会导致发光二极管损坏或寿命缩短。

3.受控电流传输比(CTR):CTR表示输入电流与输出电流的比例。

它是光耦的一个重要参数,用以描述输入光功率和输出电流的关系。

CTR 通常以百分比表示,并在数据表中给出。

4.响应时间(tR,tF):响应时间是光敏三极管从接收到光信号到输出电流达到规定值的时间。

它分为上升时间(tR)和下降时间(tF),通常以微秒为单位,并在数据表中给出。

5.隔离电压(VISO):隔离电压是指光电耦的输入与输出之间的电气隔离能力。

它表示器件能在工作电流和工作温度下承受的最大电压。

VISO 通常以伏特为单位,并在数据表中给出。

6.开关速度:开关速度是指光耦器件从关断到导通或从导通到关断的时间。

它主要由发光二极管和光敏三极管的响应时间决定。

7.工作温度范围:光耦器件通常具有工作温度范围,超出这个范围可能会导致器件性能下降或损坏。

工作温度范围通常在数据表中给出。

8.输入至输出间隔电容:光耦器件的输入和输出之间存在间隔电容。

间隔电容是由于器件结构造成的电容效应,会影响器件的高频响应和噪声特性。

9.反向漏电流(IRR):反向漏电流是指光敏三极管在无光照射时的漏电流。

正常情况下,漏电流应尽可能小,以确保器件的正常工作。

10.输入阻抗(RI):输入阻抗指的是光耦器件的输入端对外部电路的等效阻抗。

在设计中,应将输入阻抗与输入电源电阻、输出电气负载阻抗匹配,以确保信号正确传输。

光耦参数解释及设计注意事项

光耦参数解释及设计注意事项

一:光耦参数解释1、正向工作电压f V (forward voltage ):f V 是指在给定的工作电流下,LED 本身的压降。

常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压,当然不同的LED ,测试条件和测试结果也会不一样。

2、正向电流f I :在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

3、反向工作电压r V (reverse voltage ):是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED 。

而一般光耦中,这个参数只有5V 左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要特别注意不要超过反向电压。

如,在使用交流脉冲驱动LED 时,需要增加保护电路。

4、反向电流r I :在被测管两端加规定反向工作电压r V 时,二极管中流过的电流。

5、反向击穿电压br V ::被测管通过的反向电流r I 为规定值时,在两极间所产生的电压降。

6、结电容j C :在规定偏压下,被测管两端的电容值。

7、电流传输比CTR(current transfer ratio ):指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。

光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数,是光耦的一个极为重要的参数,它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值,这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态,其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。

若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理,可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

8、集电极电流c I (collector current ):如上图,光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。

9、输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin 时(CTRmin 在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。

10、反向击穿电压ceo )(BR V :发光二极管开路,集电极电流c I 为规定值,集电极与发射集间的电压降。

光耦设计注意事项

光耦设计注意事项

光耦设计注意事项光耦合器件是一种将输入引脚和输出引脚通过光耦设计技术进行隔离的元件。

它由发光二极管(LED)和光敏二极管(光敏电阻)组成,可以将输入信号转化为光信号,并通过光电转换器件输出。

在光耦设计中,有一些注意事项需要特别关注,以确保光耦合器件的性能和可靠性。

本文将探讨一些光耦设计的注意事项。

首先,选择适当的光耦类型非常重要。

目前市场上有各种不同类型的光耦合器件可供选择,包括光电晶体管(OPTO),光电二极管(OPIC),光敏晶体管(OPT)等。

每种光耦类型都有其特定的用途和优缺点。

因此,在选择光耦类型时,需要根据具体应用需求来确定最合适的类型。

其次,要合理设计光耦的电路连接方式。

光耦可以采用串联连接或并联连接方式。

串联连接方式适用于需要实现电流放大和隔离的场景,而并联连接方式适用于需要实现电压放大和隔离的场景。

在确定连接方式时,需要考虑输入和输出电压、电流的匹配以及对电路性能和稳定性的影响。

另外,为了提高光耦的工作效果,需要注意光学和电学参数的匹配。

例如,光耦的输入电阻和输出负载阻抗之间的匹配是非常重要的。

如果输入电阻和输出负载阻抗之间存在不匹配,可能会导致信号损失和噪声增加。

因此,在设计光耦时,需要根据实际情况,选择合适的输入电阻和输出负载阻抗,以提高工作效果。

此外,为了增加光耦的可靠性和耐久性,应注意热管理。

由于光耦工作时会产生热量,如果热量不能有效散发,可能会导致器件的温度升高,从而影响器件的性能和寿命。

因此,在设计光耦时,需要提供适当的散热措施,如增加散热片、散热塑料等,以确保器件的稳定性和可靠性。

最后,在光耦的应用中,需要特别关注光耦的工作环境和工作条件。

例如,在高温、潮湿、震动等恶劣环境下,光耦的性能和可靠性可能会受到影响。

因此,在设计光耦时,需要考虑工作环境的特点,选择符合要求的光耦产品,或采取防护措施,以确保光耦在恶劣环境下的正常工作。

综上所述,光耦设计的注意事项包括选择适当的光耦类型、设计合理的电路连接方式、匹配光学和电学参数、进行热管理以及关注工作环境和工作条件。

光耦p280参数

光耦p280参数

光耦p280参数光耦P280参数光耦(Optocoupler)是一种将输入和输出电路隔离的电子元件,它通过光电转换的原理,将输入信号转化为光信号,再由光敏元件将光信号转化为输出信号。

在电子设备中,光耦广泛应用于隔离和传输信号的场合,其中光耦P280是一种常见的光耦型号。

本文将从光耦P280的参数入手,介绍其特点、应用以及注意事项。

光耦P280的参数是指该光耦器件在工作时所具备的一些关键性能指标,这些参数对于光耦的选择和应用具有重要意义。

下面将逐一介绍光耦P280的几个主要参数。

1. 推荐工作电流(IF):光耦P280的推荐工作电流是指在正常工作条件下,光耦器件所需的电流大小。

它与光耦的灵敏度、响应速度以及功耗等因素密切相关。

在实际应用中,应根据具体要求选择合适的工作电流。

2. 额定工作电压(VCE):光耦P280的额定工作电压是指在正常工作条件下,光耦器件可以承受的最大电压。

超过额定工作电压可能导致光耦器件损坏,因此在使用过程中应注意不要超过额定工作电压。

3. 隔离电压(VISO):光耦P280的隔离电压是指光耦器件输入和输出之间的电气隔离程度。

它决定了光耦器件在隔离信号时所能承受的最大电压。

在选择光耦器件时,应根据实际应用场景确定所需的隔离电压。

4. 峰值透过电流(IFP):光耦P280的峰值透过电流是指在短时间内光耦器件所能通过的最大电流。

超过峰值透过电流可能导致光耦器件损坏,因此在设计和使用过程中应避免超过该值。

5. 响应时间(tr,tf):光耦P280的响应时间是指光耦器件从输入信号变化到输出信号变化的时间。

它与光耦的内部结构以及工作状态有关,一般情况下,响应时间越短,光耦器件的响应速度越快。

光耦P280作为一种常见的光耦型号,具有以下特点和应用场景:1. 高隔离性能:光耦P280采用了先进的隔离技术,具有较高的隔离电压和隔离效果。

它可以有效地隔离输入和输出信号,保证电路的安全性和稳定性。

光耦参数详解

光耦参数详解

光耦参数详解光耦(Optocoupler),也被称为光电隔离器或光电耦合器,是一种常用的电气隔离元件。

它由发光二极管(LED)、光敏晶体管(光敏三极管)和光电耦合器件组成。

光耦器件可将输入电信号转换为光信号,再将光信号转换为输出电信号,实现输入与输出之间的电气隔离。

在实际应用中,光耦器件的参数非常重要,在选型和设计过程中需要充分了解光耦参数的含义与特性。

本文将对光耦参数进行详解。

一、LED电流(IF)LED电流是指通过发光二极管的电流。

较大的LED电流可以提高器件的输出响应速度和增大耦合光功率。

通常,我们应选择适当的LED电流,确保LED工作在额定电流范围内,以提供合适的光照强度。

二、输出电压(VCEsat)输出电压指的是光敏晶体管或光敏三极管的饱和电压。

当输入光强度与电流满足一定条件时,光敏晶体管或光敏三极管的输出电压将保持在较低的水平。

输出电压越小,表示光耦器件的开关速度越快。

三、耐压(BVCEO)耐压是指光敏晶体管或光敏三极管的耐受反向电压。

它是光耦器件能够工作的最大反向电压。

在选择光耦器件时,应确保其耐压大于实际工作电压,以保证其正常、稳定的工作。

四、光电流传输比(CTR)光电流传输比是衡量光耦器件性能的重要指标。

它定义了光信号与输入电信号之间的转换效率。

光电流传输比越大,表示器件对输入光信号的转换效率越高。

五、工作温度范围(Topr)工作温度范围是指光耦器件能够正常工作的环境温度范围。

在实际应用中,应确保光耦器件的使用环境温度在工作温度范围内。

光耦参数的选择与应用需求密切相关。

在选型时,我们应根据具体使用情况,合理选择合适的光耦器件,并对参数进行综合考虑。

同时,由于光耦器件的参数与性能之间存在一定关系,对于不同的应用场景,也需要灵活调整参数,以满足特定的电路要求。

需要注意的是,在设计电路时,也需要充分考虑光耦器件周围的光电磁环境,合理布局电路板,以减少光耦器件与外界的电磁干扰,确保其正常工作。

光耦的参数

光耦的参数

光耦的参数一、光耦的概述光耦是一种将电信号转换为光信号或者将光信号转换为电信号的器件。

它由发光二极管(LED)和光敏晶体管(OPTO)组成,通过LED发出的光束照射到OPTO上,产生电流,从而实现电-光或者光-电转换。

二、常见的光耦参数1. 公共模式抑制比(CMRR)公共模式抑制比是指在输入信号中同时存在共模干扰和差模信号时,输出信号中差模信号与共模干扰之比。

CMRR越大,说明设备对共模噪声的抑制能力越强。

2. 隔离电压隔离电压是指在输入端和输出端之间所能承受的最大电压。

通常情况下,隔离电压越高,说明设备隔离效果越好。

3. 带宽带宽是指一个设备能够传输的最高频率范围。

通常情况下,带宽越大,说明设备传输速度越快。

4. 响应时间响应时间是指从输入信号变化到输出信号变化所需要的时间。

响应时间越短,说明设备响应速度越快。

5. 耐压耐压是指设备在工作过程中所能承受的最大电压。

通常情况下,耐压越高,说明设备的安全性能越好。

三、光耦参数的影响因素1. 温度温度对光耦的影响比较大。

当温度升高时,光耦的灵敏度会下降,同时输出信号也会有所变化。

2. 光源功率光源功率对光耦的影响也比较大。

当光源功率过低时,会导致输出信号弱化甚至消失;而当光源功率过高时,则会导致输出信号失真。

3. 工作电流工作电流对光耦的影响也比较明显。

当工作电流过低时,会导致输出信号弱化甚至消失;而当工作电流过高时,则会导致输出信号失真。

4. 入射角度入射角度也会影响光耦的性能。

通常情况下,入射角度越小,则输出信号越强;而入射角度越大,则输出信号越弱。

四、如何选择合适的光耦参数1. 根据需求确定参数范围首先需要根据实际需求,确定所需要的光耦参数范围。

比如,如果需要传输高速信号,则需要选择带宽较大的光耦;如果需要保证设备的安全性能,则需要选择隔离电压和耐压较高的光耦。

2. 选择合适的品牌和型号在确定所需参数范围后,可以根据品牌和型号进行筛选。

通常情况下,知名品牌和口碑好的型号更为可靠。

p3554 光耦参数

p3554 光耦参数

光耦参数1. 引言光耦(Optocoupler)是一种能够将电气信号转换为光信号并传输的器件。

它由发光二极管(LED)和光敏晶体管(Phototransistor)组成,通过光的反射或透射来实现输入和输出之间的电气隔离。

在很多应用中,光耦能够提供安全、稳定和快速的电气隔离,因此在电子领域得到广泛应用。

本文将介绍光耦的参数及其意义,并对各个参数进行详细解释。

2. 光耦参数2.1 输入端参数2.1.1 输入电流(IF)输入电流是指流经发光二极管的电流,通常以毫安(mA)为单位。

输入电流决定了发光二极管产生的光强度,较大的输入电流会导致更亮的发光效果。

2.1.2 输入功率(Pd)输入功率是指输入端所需的功率,通常以瓦特(W)为单位。

输入功率与输入电流之间存在以下关系:Pd = IF * Vf其中Vf为发光二极管的正向工作电压。

2.2 输出端参数2.2.1 输出电流传输比(CTR)输出电流传输比是指输出电流与输入电流之间的比值,通常以百分比表示。

CTR是光耦的重要参数之一,它表示了光耦的转换效率。

较高的CTR意味着更高的输出电流,因此在设计中需要选择合适的CTR以满足应用需求。

2.2.2 最大输出电压(VCEO)最大输出电压是指光敏晶体管能够承受的最大输出端电压。

超过最大输出电压可能会导致器件损坏,因此在设计中需要确保输出端电压不超过VCEO。

2.2.3 最大耐受功率(Pc)最大耐受功率是指光敏晶体管能够承受的最大功率。

超过最大耐受功率可能会导致器件损坏,因此在设计中需要确保输入和输出功率不超过Pc。

2.3 响应时间响应时间是指光耦从接收到输入信号到产生相应输出信号所需的时间。

响应时间包括上升时间和下降时间两部分。

2.3.1 上升时间(tr)上升时间是指光敏晶体管从低电平到高电平的转换时间。

较小的上升时间意味着光敏晶体管能够更快地响应输入信号。

2.3.2 下降时间(tf)下降时间是指光敏晶体管从高电平到低电平的转换时间。

光耦参数详解范文

光耦参数详解范文

光耦参数详解范文光耦是一种将输入信号和输出信号以光线的形式进行隔离的电子器件。

它由一个光气室和一个光敏元件组成,通过控制输入信号使光源发出或屏蔽光线,从而控制输出信号的产生。

光耦的参数是评价其性能和适用范围的重要指标,下面对光耦的一些主要参数进行详细解释。

1.隔离电压:光耦的隔离电压是指在光气室中光线没有透过时,输入端和输出端之间可以承受的最大电压。

隔离电压越大,说明光耦具有更好的隔离效果,可以抵御更高的电压干扰。

2.电传导电流:电传导电流是指在光源未发光时,由于电耦合产生的输入端到输出端的电流。

电传导电流越小,表示光耦的隔离效果越好,输入信号不会通过电耦合效应影响输出信号。

3.触发电流:触发电流是指在光源发光时,输入端需要提供的最小电流值来触发光敏元件。

触发电流越大,说明光敏元件对光的敏感性越低,需要更大的驱动电流才能正常工作。

4.输出电流:输出电流是指光耦的输出端可以提供的最大电流值。

输出电流越大,表示光耦可以驱动更大负载的电路。

5.饱和电压降:光耦的饱和电压降是指在输出电流达到最大值时,输入端和输出端之间的电压降。

饱和电压降越小,表示光耦在负载较大时能够提供更稳定的电压输出。

6.堵塞电流:堵塞电流是指在光源未发光时,输出端到输入端存在的电流。

堵塞电流越小,表示光耦的隔离效果越好,基本可以忽略漏电流。

7.响应时间:响应时间是指光耦在输入信号变化后,输出信号达到稳定状态所需要的时间。

响应时间越短,表示光耦的响应速度越快,适用于高频率的信号传输。

8.工作温度范围:工作温度范围是指光耦能够正常工作的温度范围。

光耦应在规定的温度范围内工作,超出该范围可能会导致光耦的性能下降或损坏。

以上是一些光耦的主要参数,不同类型的光耦会有一些特殊的参数。

在选择光耦时,需要根据具体的应用需求选择合适的参数,以获得最佳的性能和可靠性。

总结起来,光耦的参数对于保障信号隔离的效果、增强电路稳定性和提高性能都起到非常重要的作用,因此在设计和选择光耦时,需要充分考虑这些参数的特点和限制。

光耦参数详解(一)

光耦参数详解(一)

光耦参数详解(一)光耦参数详解1. 什么是光耦参数?•光耦参数是指光电耦合器的一些关键性能指标和参数,用于评估光电耦合器的性能和适用范围。

2. 常见的光耦参数及其意义•输入光功率:指输入光信号的功率水平,通常以光功率单位dBm 表示。

光功率越高,光电耦合器的灵敏度越好,可以实现更高的传输距离。

•频率响应:用于描述光电耦合器对输入光信号频率变化的响应能力。

频率响应越宽,光电耦合器的传输带宽越大,可以传输更高频率的信号。

•隔离电压:指输入端和输出端之间的电压隔离能力。

隔离电压越高,光电耦合器的隔离效果越好,可以有效防止信号干扰和电路短路。

•响应时间:用于描述光电耦合器对输入光信号变化的响应速度。

响应时间越短,光电耦合器的快速开关能力越强,适用于高速信号传输和快速开关电路。

•工作温度范围:指光电耦合器能够正常工作的温度范围。

工作温度范围越宽,光电耦合器的适用场景越广。

3. 如何选择合适的光耦参数?•根据实际应用需求,选择合适的光功率、频率响应、隔离电压、响应时间和工作温度范围等参数。

•如果需要传输高频率信号,需要选择具有宽频率响应的光电耦合器。

•如果要求输入输出电路隔离效果好,需要选择隔离电压较高的光电耦合器。

•如果需要进行快速开关或传输高速信号,需要选择响应时间较短的光电耦合器。

4. 光耦参数的实际应用•光电耦合器广泛应用于工业控制、通信设备、医疗设备等领域。

•在工业控制领域,光电耦合器可以实现输入信号和输出信号的隔离,保护下位机免受高压开关电路的干扰。

•在通信设备中,光电耦合器用于光纤通信系统中的信号隔离和信号调理。

•在医疗设备中,光电耦合器可以实现生物信号的隔离和测量,用于医学监护和诊断设备。

5. 总结•光耦参数是评估光电耦合器性能的关键指标。

•不同的光耦参数适用于不同的应用场景和需求。

•合理选择光耦参数能够提高系统的性能和稳定性。

以上是关于光耦参数的详细解释,希望对读者有所帮助。

当选择光耦参数时,需要根据实际应用需求来进行合理的选择,以确保系统性能和稳定性的提高。

at350光耦参数

at350光耦参数

at350光耦参数(原创版)目录1.光耦的作用和原理2.at350 光耦的参数介绍3.光耦电路的设计和应用4.at350 光耦的使用注意事项正文一、光耦的作用和原理光耦,全称光电耦合器,是一种利用光敏半导体材料实现光电转换的器件。

它具有隔离、放大、开关等功能,广泛应用于各种电子设备中。

光耦的工作原理是利用光敏二极管(LED)和光电三极管(TLP)之间的光耦合效应,实现电信号和光信号的相互转换。

二、at350 光耦的参数介绍at350 是一款常见的光耦型号,它的参数如下:1.输入电压(Vcc):48V2.输出电压(Vo):5V3.输出电流(Io):50mA4.传输速率(RT):1Mbps5.输入光强(Iin):4μA6.输出光强(Iout):15μA7.光敏二极管(LED)正向电压:1.8V8.光敏三极管(TLP)集电极电流:50mA三、光耦电路的设计和应用光耦电路的设计主要根据其工作原理和参数进行,常见的应用场景有:1.电平转换:利用光耦将高电压信号转换为低电压信号,以保护后级电路免受过高电压的损害。

2.信号隔离:光耦可以实现输入和输出信号的电气隔离,以消除噪声和干扰,提高系统稳定性。

3.开关控制:利用光耦的可控特性实现开关控制功能,例如通过改变输入电压信号的亮度来控制输出信号的开关。

四、at350 光耦的使用注意事项在使用 at350 光耦时,需要注意以下几点:1.工作电压:at350 光耦的工作电压为 48V,输出电压为 5V,应确保输入电压稳定,避免损坏光耦。

2.光强控制:输入光强应控制在合理范围内,过强或过弱的光强都可能影响光耦的工作性能。

3.负载能力:光耦的输出电流为 50mA,使用时应注意负载能力,避免超过最大输出电流导致光耦损坏。

光耦全参数解释及设计注意事项

光耦全参数解释及设计注意事项

光耦全参数解释及设计注意事项光耦合器(Optocoupler)是将光电二极管和晶体管紧密结合并密封在一个封装中的一种电子元器件。

它通过光耦技术将输入信号和输出端电路进行电隔离,实现信号隔离和传输,避免了信号传输过程中的干扰,同时还能具备电隔离的安全性能。

光耦合器的参数解释:1.输入光功率(PCE):光耦合器输出端的光功率,以瓦特(W)为单位。

这个参数决定了光耦合器的灵敏度和信号传输质量,光功率越高,信号传输衰减越小。

2. 输出光通量(PCTR):光耦合器输入端产生的光通量,以流明(lm)为单位。

这个参数衡量了光电二极管的发光能力,对于需要传输长距离、低功耗的应用来说,输出光通量应该尽量大。

3.峰值波长(λp):光电二极管和光敏三极管的最佳光收集范围。

光电二极管的输入光源应该尽量接近该波长才能获得最佳的输出效果。

4.隔离电压(VISO):输入端和输出端之间的电压隔离能力,以伏特(V)为单位。

隔离电压越高,信号传输过程中受到的电压干扰越小,电源与负载之间的互连更加安全可靠。

5.工作温度范围(TC):光耦合器能够正常工作的温度范围。

在选择光耦合器时,应根据实际应用环境的温度要求来选择合适的工作温度范围,以确保稳定可靠的工作性能。

设计注意事项:1.光源选择:应根据光耦合器的峰值波长要求,选择适合的发光二极管(LED)作为输入光源。

要注意光源的发光强度和工作电流,以确保输出光功率符合要求。

2.光耦合器与负载之间的电路设计:在光耦合器的输出端与负载之间,应根据负载的特性设计合适的功率放大电路或电阻衰减电路,来改变信号的驱动能力和阻抗匹配。

这样可以提高信号传输的质量和稳定性。

3.信号传输线路的设计:应注意尽量缩短信号传输路径,减少线路中的串扰、电磁干扰和功率损耗。

使用合适的屏蔽线缆可以有效地抑制干扰。

4.光耦合器的引脚连接:在布线时,应确保输入端和输出端的引脚连接正确,且不会出现引脚交叉连接或短路的情况。

这样可以避免不正确的信号传输和元器件损坏。

从三个方面解析光耦参数

从三个方面解析光耦参数

从三个方面解析光耦参数光耦参数是指衡量光耦器件性能的各项指标和参数,包括光耦系数、响应时间、频带宽度、传输速率等。

通过解析光耦参数,我们可以了解光耦器件在光电转换、光电隔离等方面的性能。

第一方面,光耦系数。

光耦系数是指输入光功率与输出电流的比值。

它决定了光耦器件的灵敏度和增益。

光耦系数越高,表示输入光功率转换为电流的效率越高,对于输入光功率较小的情况下,输出电流可以保持较高的稳定性。

光耦系数的计算可以通过将光电二极管的电流与输入光功率之比来得到。

在实际应用中,光耦器件的光耦系数通常通过器件手册中给出的典型数值来确定。

第二方面,响应时间。

光耦器件的响应时间是指从光输入到电输出之间的时间延迟。

它反映了光耦器件的转换速度和相应的灵敏度。

响应时间较低的光耦器件可以更快地将光信号转换为电信号,并实现快速的光电隔离。

响应时间的计算可以通过将光电隔离器件的信号传输延迟与光输入信号的频率之比来得到。

在实际应用中,响应时间的要求通常根据具体应用的需求来确定,例如在高速通信领域中,需要具备快速响应时间的光耦器件。

第三方面,频带宽度和传输速率。

频带宽度是指光耦器件能够传输的频率范围。

高频带宽度意味着光耦器件可以传输更高的频率信号,从而实现更高的传输速率。

传输速率是指光耦器件能够传输的最大数据速率。

传输速率的提高可以通过增加光耦系数和改善响应时间来实现。

对于高速通信和数据传输应用,需要具备宽频带宽度和较大的传输速率的光耦器件。

频带宽度和传输速率的计算可以通过器件手册中给出的典型数值和相关公式来确定。

综上所述,通过对光耦参数的解析,我们可以从光耦系数、响应时间、频带宽度和传输速率等方面了解光耦器件的性能。

这些参数能够帮助我们选择和评估光耦器件,确保其能够满足应用需求,并提供良好的光电转换和光电隔离效果。

il4218光耦参数

il4218光耦参数

il4218光耦参数摘要:1.光耦概述2.光耦参数介绍3.光耦应用领域4.光耦的选型与使用注意事项正文:一、光耦概述光耦(Optocoupler)是一种光电隔离器件,它通过光电效应实现输入端与输出端的信号传输。

光耦主要由发光二极管(LED)和光敏三极管(Phototriode)组成,广泛应用于电气隔离、信号传输、电源保护等领域。

二、光耦参数介绍1.发光二极管(LED)参数:(1)光谱响应:光耦的发光二极管具有特定的光谱响应,影响光耦的传输效率。

(2)正向电压:正常工作状态下,发光二极管的正向电压应在规定范围内。

(3)电流:发光二极管的额定电流和最大允许电流,应在使用时注意。

2.光敏三极管(Phototriode)参数:(1)光敏度:光敏三极管对光的敏感程度,影响光耦的灵敏度。

(2)响应时间:光敏三极管从光照变化到输出信号变化的时间。

(3)截止电压:光敏三极管在无光照条件下,需要施加的电压使其截止。

三、光耦应用领域1.电气隔离:光耦广泛应用于电气隔离领域,如电源模块、通信模块等,实现输入输出信号的隔离。

2.信号传输:光耦在传感器、仪表等领域,用于传输微弱信号,提高系统稳定性。

3.保护电路:光耦可用于保护电路,如电机驱动、电源等,防止输入输出端的电压、电流冲击。

四、光耦的选型与使用注意事项1.选型时,根据实际应用场景和性能要求,选择合适的光耦型号。

2.使用时,注意发光二极管和光敏三极管的电压、电流参数,避免过载。

3.光耦在使用过程中,应保持良好的散热,以保证其稳定工作。

4.光耦在高速应用场景下,需要注意其响应时间,以满足系统要求。

总之,光耦作为一种重要的光电隔离器件,在电子电路设计中具有广泛的应用。

at350光耦参数

at350光耦参数

at350光耦参数摘要:一、光耦概述二、AT350光耦的参数特性1.基本参数2.光学特性3.电学特性4.环境特性三、AT350光耦的应用领域四、AT350光耦的选型与使用注意事项五、总结正文:一、光耦概述光耦,又称光电隔离器,是一种用于实现电信号与光信号之间相互转换的器件。

它具有抗干扰能力强、传输速率快、灵敏度高、体积小等优点,在现代电子设备中得到了广泛的应用。

二、AT350光耦的参数特性1.基本参数AT350光耦是一款高性能的光耦,其主要参数包括:- 光速:光耦的光速在2.5Gbps以上;- 工作电压:光耦的工作电压为3.3V-5V;- 输出电流:光耦的输出电流大于50mA;- 隔离电压:光耦的隔离电压大于3000V。

2.光学特性AT350光耦的光学特性包括:- 发光二极管(LED)波长:460nm;- 接收光敏管(Phototransistor)灵敏度:大于0.5A/W;- 光学传输距离:5mm。

3.电学特性AT350光耦的电学特性包括:- 输入电流:小于10mA;- 输出电流:大于50mA;- 输入电压:3.3V-5V;- 输出电压:3.3V-5V。

4.环境特性AT350光耦的环境特性包括:- 工作温度范围:-40℃~+85℃;- 存储温度范围:-55℃~+100℃。

三、AT350光耦的应用领域AT350光耦广泛应用于通信、计算机、家电、汽车电子等领域,如:- 数据传输:用于隔离数字信号、模拟信号的传输;- 电源隔离:用于开关电源、线性电源等电路的隔离;- 信号隔离:用于各种传感器、仪表的信号隔离与传输。

四、AT350光耦的选型与使用注意事项1.选型:根据实际应用场景和性能要求,选择合适的光耦型号。

如:工作电压、传输速率、隔离电压等参数;2.使用注意事项:- 确保光耦的工作电压与实际使用电压相匹配;- 注意光耦的传输距离,避免信号衰减;- 安装时,确保发光二极管与接收光敏管的光轴对准;- 避免光耦长时间暴露在高温、潮湿环境中,以免影响性能。

817c光耦参数

817c光耦参数

817c光耦参数摘要:1.光耦简介2.光耦参数概述3.常见光耦参数详解4.光耦选型与应用建议正文:光耦(Optocoupler)是一种光电隔离器件,广泛应用于电子设备间的信号传输、电源隔离和电平转换等场景。

光耦器件具有体积小、传输速率快、抗干扰能力强、可靠性高等特点。

在实际应用中,了解光耦的参数至关重要,有助于正确选型和优化系统性能。

一、光耦简介光耦主要由两部分组成:光电发射器和光电接收器。

当输入端(光电发射器)的输入电流发生变化时,通过光电效应,输出端(光电接收器)的电流也发生相应变化,实现输入输出信号的隔离传输。

二、光耦参数概述1.光耦电压:是指光耦能正常工作的电压范围。

在选型时,应根据实际应用场景选择合适的光耦电压。

2.光耦电流:是指光耦传输的最大电流。

通常情况下,光耦的电流与传输距离成正比。

在选型时,应根据实际传输需求选择合适的光耦电流。

3.光耦速度:是指光耦传输信号的速率。

光耦速度越高,传输延迟时间越短,但同时价格也越高。

在选型时,应根据实际应用场景和性能要求选择合适的光耦速度。

4.光耦隔离电阻:是指光耦输入端与输出端之间的电阻。

隔离电阻越小,光耦的抗干扰能力越强。

在选型时,应根据实际应用场景选择合适的隔离电阻。

5.光耦灵敏度:是指光耦输出电流与输入电流之间的比例关系。

光耦灵敏度越高,传输效率越高。

在选型时,应根据实际应用场景选择合适的光耦灵敏度。

三、常见光耦参数详解1.封装类型:光耦的封装类型包括DIP、SMD等多种形式。

不同封装类型的光耦在尺寸、引脚数量、抗干扰能力等方面有所不同。

在选型时,应根据实际应用场景选择合适的封装类型。

2.光敏元件材料:光耦的光敏元件材料主要有硅、锗等。

不同材料的光耦在灵敏度、响应速度、工作电压等方面有所不同。

在选型时,应根据实际应用场景选择合适的光敏元件材料。

3.发光二极管(LED)类型:发光二极管的类型包括红外、可见光等。

不同类型的发光二极管在光谱、亮度、传输距离等方面有所不同。

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦的一些常用参数和使用技巧

光耦常用参数正向电流IF:在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

反向电流IR:在被测管两端加规定反向工作电压VR时,二极管中流过的电流.反向击穿电压VBR::被测管通过的反向电流IR为规定值时,在两极间所产生的电压降。

结电容CJ:在规定偏压下,被测管两端的电容值。

反向击穿电压V(BR)CEO:发光二极管开路,集电极电流IC为规定值,集电极与发射集间的电压降.输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF和集电极电流IC为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin时(CTRmin在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。

反向截止电流ICEO:发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流.电流传输比CTR:输出管的工作电压为规定值时,输出电流和发光二极管正向电流之比为电流传输比CTR。

脉冲上升时间tr、下降时间tf:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输出脉冲前沿幅度的10%到90%,所需时间为脉冲上升时间tr.从输出脉冲后沿幅度的90%到10%,所需时间为脉冲下降时间tf.传输延迟时间tPHL、tPLH:光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流IFP的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPHL。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1。

5V时所需时间为传输延迟时间tPLH。

入出间隔离电容CIO:光耦合器件输入端和输出端之间的电容值.入出间隔离电阻RIO:半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

入出间隔离电压VIO:光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值。

-—----—---——-———————--—--—-—--———---————-——-————-—---—--—-—--———-———--—-———--—-——----——-常用的器件。

光耦参数详解

光耦参数详解

光耦参数详解
光耦是一种用于电气隔离的器件,其由光电耦合器和光电转换器组成。

光电耦合器包含一个发光二极管和一个光敏三极管,通过发光二极管产生光信号并通过光敏三极管接收光信号,从而实现电信号与光信号的转换。

在应用中,光耦可以实现电路的隔离,提高电路的稳定性和可靠性。

光耦参数主要包括输入参数和输出参数。

输入参数包括输入光电流、输入光功率和输入电流。

输入光电流是指输入到光电耦合器的光信号所产生的电流,通常以毫安(mA)为单位。

输入光功率是指光耦合器所接收到的光信号的强度,通常以瓦(W)为单位。

输入电流是指光电耦合器所需要的电流,它取决于发光二极管的工作特性。

输出参数包括输出光功率、输出电流和输出电压。

输出光功率是指光敏三极管产生的光信号的强度,通常以瓦(W)为单位。

输出电流是指光敏三极管所产生的电流,通常以毫安(mA)为单位。

输出电压是指光敏三极管所产生的电压,通常以伏特(V)为单位。

此外,光耦还有一些其他的参数,如耦合系数、响应时间和传输带宽。

耦合系数是指输入光功率和输出光功率之间的比例关系,它反映了光耦合器的效率。

响应时间是指光电耦合器从接收到输入光信号到产生输出电流的时间,通常以纳秒(ns)为单位。

传输带宽是指光耦合器能够传输的最高频率信号的范围,通常以赫兹(Hz)为单位。

总之,光耦的参数能够描述其输入输出特性、工作特性和性能指标,对于选择和设计电路具有重要的参考价值。

光耦主要参数和高速光耦如何选型

光耦主要参数和高速光耦如何选型

光耦主要参数和高速光耦如何选型光耦是一种将电气信号转换为光信号或将光信号转换为电气信号的器件。

它由光电二极管和光敏三极管(或光控双极晶体管)组成,具有隔离电解、放大、调制和调制功能。

在实际应用中,选择适合的光耦是至关重要的,以下将讨论光耦的主要参数以及如何选型高速光耦。

光耦的主要参数如下:1.光耦电流传输比(CTR):CTR是光耦输出电流与输入电流的比值,通常以百分比表示。

CTR越高,输入光功率相同,输出电流就越大。

选取适当的CTR可以确保信号传输的准确性和稳定性。

2.光耦响应时间:光耦响应时间是光信号从输入端到输出端需要的时间。

高速信号传输需要快速的响应时间,因此在选择高速光耦时要确保响应时间能满足实际应用需求。

3.隔离电压:隔离电压是光耦能够承受的最大电压。

对于需要高电压隔离的应用,需要选择具有足够高隔离电压的光耦。

4.工作温度范围:光耦的工作温度范围取决于其元件材料和封装方式。

在选择光耦时,要确保其工作温度范围能够适应实际应用环境。

5.耐压能力:耐压能力指的是光耦能够承受的最大电压。

在选择光耦时要根据所需的电压范围来确定光耦的耐压能力。

6.封装类型:光耦的封装类型也是选择的一个重要因素。

常见的封装类型包括DIP(双列直插封装)、SMD(表面贴装封装)和COB(芯片封装)等。

选择适合的封装类型可以简化产品的安装和布局。

对于高速光耦的选型,除了上述主要参数外,还需要考虑以下几个因素:1.带宽:高速光耦的带宽是指其能够传输的最高频率。

通常以MHz或GHz为单位。

在选择高速光耦时,要根据实际应用需求确定所需的带宽范围。

2.上升时间:上升时间是指光信号从0%到90%上升的时间。

它是评估光耦响应速度的重要指标。

较低的上升时间可以实现更快的信号传输。

3.构造和材料:高速光耦通常采用功率放大器来提高高速信号的响应速度。

不同的构造和材料可以对高速光耦的性能产生影响。

因此,在选型时要仔细考虑构造和材料的选择。

从三个方面解析光耦参数

从三个方面解析光耦参数

从三个方面解析光耦参数光耦,也称为光耦合器或光电耦合器,是一种用于隔离和传输电信号的光电转换器件。

它由光源、光电转换器件(如光敏电阻或光电晶体管)、传输介质和驱动电路组成。

光源发出的光线被光电转换器件接收后,产生相应的电信号,完成光和电的相互转换。

光耦器件的参数直接关系到其转换效率和传输性能。

下面将从三个方面解析光耦参数。

一、光电转换特性1. 波长特性:光耦器件在接收光信号时,对输入光的波长有一定的敏感范围。

一般来说,光耦器的输入光波长范围在850nm、1300nm和1550nm这三个常用波长之一2.光电转换增益:光电转换增益是光耦输出电流与输入光功率之比,代表了光电转换的效率。

该增益通常以A/W(安培/瓦特)为单位。

增益值越大,表示光电转换效率越高。

3.暗电流:光耦器件在没有光照射时输出的电流称为暗电流。

暗电流是光耦器件的一个重要参数,它代表了在无光照射情况下光耦器件内部电流产生的源头,如果暗电流过大,就会对输出信号的准确性产生影响。

4.响应时间:光耦器件的响应时间指的是光信号从输入到输出所需要的时间,一般以微秒(μs)为单位。

响应时间越短,表示光耦器件的响应速度越快,能够更准确地传输信号。

二、光源特性1.光源波长:光耦器件的性能会受到光互振衰减的影响,而光互振衰减与光源与光接收器之间的波长一致性有关。

因此,光源的波长需要与光耦器件的波长匹配,才能获得较好的性能。

2.光源强度:光源强度表示光的亮度,通常以瓦特/立方厘米为单位。

光源强度越大,表示光源发出的光线越强烈,能够提供更高的信号传输效率。

3.光源稳定性:光源的稳定性是指在长时间运行中,光源输出的光强度是否能够保持在一个稳定的范围内。

光源稳定性的好坏直接影响到光耦器件的传输性能以及系统的可靠性。

三、电路特性1.工作电压:光耦器件的工作电压范围是指器件所能够承受的最大和最小工作电压。

如果工作电压超出了这个范围,光耦器件可能无法正常工作。

2.绝缘电压:绝缘电压是指光耦器件所能够承受的最大绝缘电压。

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一:光耦参数解释
1、正向工作电压f V (forward voltage ):f V 是指在给定的工作电流下,LED 本身的压降。

常见的小功率LED 通常以f I =10mA 来测试正向工作电压,当然不同的LED ,测试条件和测试结果也会不一样。

2、正向电流f I :在被测管两端加一定的正向电压时二极管中流过的电流。

3、反向工作电压r V (reverse voltage ):是指原边发光二极管所能承受的最大反向电压,超过此反向电压,可能会损坏LED 。

而一般光耦中,这个参数只有5V 左右,在存在反压或振荡的条件下使用时,要特别注意不要超过反向电压。

如,在使用交流脉冲驱动LED 时,需要增加保护电路。

4、反向电流r I :在被测管两端加规定反向工作电压r V 时,二极管中流过的电流。

5、反向击穿电压br V ::被测管通过的反向电流r I 为规定值时,在两极间所产生的电压降。

6、结电容j C :在规定偏压下,被测管两端的电容值。

7、电流传输比CTR(current transfer ratio ):指在直流工作条件下,光耦的输出电流与输入电流之间的比值。

光耦的CTR 类似于三极管的电流放大倍数,是光耦的一个极为重要的参数,它取决于光耦的输入电流和输出电流值及电耦的电源电压值,这几个参数共同决定了光耦工作在放大状态还是开关状态,其计算方法与三极管工作状态计算方法类似。

若输入电流、输出电流、电流传输比设计搭配不合理,可能导致电路不能工作在预想的工作状态。

8、集电极电流c I (collector current ):如上图,光敏三极管集电极所流过的电流,通常表示其最大值。

9、输出饱和压降VCE(sat):发光二极管工作电流IF 和集电极电流IC 为规定值时,并保持IC/IF≤CTRmin 时(CTRmin 在被测管技术条件中规定)集电极与发射极之间的电压降。

10、反向击穿电压ceo )(BR V :发光二极管开路,集电极电流c I 为规定值,集电极与发射集间的电压降。

11、反向截止电流ceo I :发光二极管开路,集电极至发射极间的电压为规定值时,流过集电极的电流为反向截止电流。

12、C-E 饱和电压ce V (C-E saturation voltage ):光敏三极管的集电极-发射极饱和压降。

13、入出间隔离电容io C :光耦合器件输入端和输出端之间的电容值。

14、入出间隔离电阻io R :半导体光耦合器输入端和输出端之间的绝缘电阻值。

15、入出间隔离电压io V :光耦合器输入端和输出端之间绝缘耐压值
16、传输延迟时间PHL T 、PLH T :光耦合器在规定工作条件下,发光二极管输入规定电流FP I 的脉冲波,输出端管则输出相应的脉冲波,从输入脉冲前沿幅度的50%到输出脉冲电平下降到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PHL T 。

从输入脉冲后沿幅度的50%到输出脉冲电平上升到1.5V 时所需时间为传输延迟时间PLH T 。

17、上升时间Tr (Rise Time)& 下降时间f T (Fall Time),其定义与典型测试方法如下图所示,它们反映了工作在开关状态的光耦,其开关速度情况。

二:使用光耦隔离需要考虑以下几个问题
①光耦直接用于隔离传输模拟量时,要考虑光耦的非线性问题;
②光耦隔离传输数字量时,要考虑光耦的响应速度问题;
③如果输出有功率要求的话,还得考虑光耦的功率接口设计问题。

1 光电耦合器非线性的克服
光电耦合器的输入端是发光二极管,因此,它的输入特性可用发光二极管的伏安特性来表示,如图1b所示;输出端是光敏三极管,因此光敏三极管的伏安特性就是它的输出特性,如图1c所示。

由图可见,光电耦合器存在着非线性工作区域,直接用来传输模拟量时精度较差。

图1 光电耦合器结构及输入、输出特性
解决方法之一,利用2个具有相同非线性传输特性的光电耦合器,T1和T2,以及2个射极跟随器A1和A2组成,如图2所示。

如果T1和T2是同型号同批次的光电耦合器,可以认为他们的非线性传输特性是完全一致的,即K1(I1)=K2(I1),则放大器的电压增益G=Uo/U1=I3R3/I2R2=(R3/R2)[K1(I1)/K2(I1)]=R3/R2。

由此可见,利用T1和T2电流传输特性的对称性,利用反馈原理,可以很好的补偿他们原来的非线性。

图2 光电耦合线性电路
另一种模拟量传输的解决方法,就是采用VFC(电压频率转换)方式,如图3所示。

现场
变送器输出模拟量信号(假设电压信号),电压频率转换器将变送器送来的电压信号转换成脉冲序列,通过光耦隔离后送出。

在主机侧,通过一个频率电压转换电路将脉冲序列还原成模拟信号。

此时,相当于光耦隔离的是数字量,可以消除光耦非线性的影响。

这是一种有效、简单易行的模拟量传输方式。

图3 VFC方式传送信号
当然,也可以选择线性光耦进行设计,如精密线性光耦TIL300,高速线性光耦6N135/6N136。

线性光耦一般价格比普通光耦高,但是使用方便,设计简单;随着器件价格的下降,使用线性光耦将是趋势。

2 提高光电耦合器的传输速度
当采用光耦隔离数字信号进行控制系统设计时,光电耦合器的传输特性,即传输速度,往往成为系统最大数据传输速率的决定因素。

在许多总线式结构的工业测控系统中,为了防止各模块之间的相互干扰,同时不降低通讯波特率,我们不得不采用高速光耦来实现模块之间的相互隔离。

常用的高速光耦有6N135/6N136,6N137/6N138。

但是,高速光耦价格比较高,导致设计成本提高。

这里介绍两种方法来提高普通光耦的开关速度。

由于光耦自身存在的分布电容,对传输速度造成影响,光敏三极管部存在着分布电容Cbe 和Cce,如图4所示。

由于光耦的电流传输比较低,其集电极负载电阻不能太小,否则输出电压的摆幅就受到了限制。

但是,负载电阻又不宜过大,负载电阻RL越大,由于分布电容的存在,光电耦合器的频率特性就越差,传输延时也越长。

图4 光敏三极管部分布电容
用2只光电耦合器T1,T2接成互补推挽式电路,可以提高光耦的开关速度,如图5所示。

当脉冲上升为“1”电平时,T1截止,T2导通。

相反,当脉冲为“0”电平时,T1导通,T2截止。

这种互补推挽式电路的频率特性大大优于单个光电耦合器的频率特性。

图5 2只光电耦合器构成的推挽式电路
此外,在光敏三极管的光敏基极上增加正反馈电路,这样可以大大提高光电耦合器的开关速度。

如图6所示电路,通过增加一个晶体管,四个电阻和一个电容,实验证明,这个电路可以将光耦的最大数据传输速率提高10倍左右。

图6 通过增加光敏基极正反馈来提高光耦的开关速度
3 光耦的功率接口设计
微机测控系统中,经常要用到功率接口电路,以便于驱动各种类型的负载,如直流伺服电机、步进电机、各种电磁阀等。

这种接口电路一般具有带负载能力强、输出电流大、工作电压高的特点。

工程实践表明,提高功率接口的抗干扰能力,是保证工业自动化装置正常运行的关键。

就抗干扰设计而言,很多场合下,我们既能采用光电耦合器隔离驱动,也能采用继电器隔离驱动。

一般情况下,对于那些响应速度要求不很高的启停操作,我们采用继电器隔离来设计功率接口;对于响应时间要求很快的控制系统,我们采用光电耦合器进行功率接口电路
设计。

这是因为继电器的响应延迟时间需几十ms,而光电耦合器的延迟时间通常都在10us 之,同时采用新型、集成度高、使用方便的光电耦合器进行功率驱动接口电路设计,可以达到简化电路设计,降低散热的目的。

图7是采用光电耦合器隔离驱动直流负载的典型电路。

因为普通光电耦合器的电流传输比CRT非常小,所以一般要用三极管对输出电流进行放大,也可以直接采用达林顿型光电耦合器(见图8)来代替普通光耦T1。

例如东芝公司的4N30。

对于输出功率要求更高的场合,可以选用达林顿晶体管来替代普通三极管,例如ULN2800高压大电流达林顿晶体管阵列系列产品,它的输出电流和输出电压分别达到500mA和50V。

图7 光电隔离,加三极管放大驱动
图8 达林顿型光电耦合器
对于交流负载,可以采用光电可控硅驱动器进行隔离驱动设计,例如TLP541G,4N39。

光电可控硅驱动器,特点是耐压高,驱动电流不大,当交流负载电流较小时,可以直接用它来驱动,如图9所示。

当负载电流较大时,可以外接功率双向可控硅,如图10所示。

其中,R1为限流电阻,用于限制光电可控硅的电流;R2为耦合电阻,其上的分压用于触发功率双向可控硅。

图9 小功率交流负载
图10 大功率交流负载
当需要对输出功率进行控制时,可以采用光电双向可控硅驱动器,例如MOC3010。

图11为交流可控驱动电路,来自微机的控制信号经过光电双向可控硅驱动器T1隔离,控制双向可控硅T2的导通,实现交流负载的功率控制。

图11 交流可控电路
图12为交流电源输出直流可控电路。

来自微机的控制信号经过光电双向可控硅驱动器隔离,控制可控硅桥式整流电路导通,实现交流一直流的功率控制。

此电路已经应用在我们实验室研制的新型电机控制设备中,效果良好。

图12 交-直流可控
4 结束语
本文从光电耦合器的基本结构、性能特点出发,针对实际应用中可能遇到的非线性、响应速度、功率接口设计三个方面,提出了相应的几种电路设计方案,并介绍了各种不同类型的光电耦合器及其应用实例。

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