新型微电子封装论文
对新型微电子封装技术发展的思考
随着表面安装技术的迅速发展，新的封装技术不断出现，微电子封装技术成了现代封装的热门话题。
本文叙述了微电子三级封装的概念，并对发展我国新型微电子封装技术提出了一些思考。
一、微电子三级封装谈到微电子封装，首先我们要叙述一下三级封装的概念。
一般说来，微电子封装分为三级。
所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后，将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来，并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动键合(TAB)和倒装芯片键合(FCB)连接起来，使之成为有实用功能的电子元器件或组件。
一级封装包括单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)两大类，也称芯片级封装。
二级封装就是将一级微电子封装产品连同无源元件一同安装到印制板或其它基板上，成为部件或整机，也称板级封装。
三级封装就是将二级封装的产品通过选层、互连插座或柔性电路板与母板连结起来，形成三维立体封装，构成完整的整机系统，也称系统级封装。
所谓微电子封装是个整体的概念，包括了从一极封装到三极封装的全部技术内容。
在国际上，微电子封装是一个很广泛的概念，包含组装和封装的多项内容。
微电子封装所包含的范围应包括单芯片封装(SCM)设计和制造、多芯片封装(MCM)设计和制造、芯片后封装工艺、各种封装基板设计和制造、芯片互连与组装、封装总体电性能、机械性能、热性能和可靠性设计、封装材料、封装工模夹具以及绿色封装等多项内容。
二、微电子封装技术的发展(一)焊球阵列封装(BGA)BGA主要有四种基本类型：PBGA、CBGA、CCGA和TBGA，一般都是在封装体的底部连接着作为I/O引出端的焊球阵列。
这些封装的焊球阵列典型的间距为1.0mm、1.27mm、1.5mm，焊球的铅锡组份常见的主要有63Sn/37Pb和90Pb/10Sn两种，焊球的直径由于目前没有这方面相应的标准而各个公司不尽相同。
从BGA的组装技术方面来看，BGA有着比QFP器件更优越的特点，其主要体现在BGA器件对于贴装精度的要求不太严格，理论上讲，在焊接回流过程中，即使焊球相对于焊盘的偏移量达50%之多，也会由于焊料的表面张力作用而使器件位置得以自动校正，这种情况经实验证明是相当明显的。
浅谈未来微电子封装技术发展趋势论文
浅谈未来微电子封装技术发展趋势论文浅谈未来微电子封装技术发展趋势论文1概述如今，全球正迎来电子信息时代，这一时代的重要特征是以电脑为核心，以各类集成电路，特别是大规模、超大规模集成电路的飞速发展为物质基础，并由此推动、变革着整个人类社会，极大地改变着人们的生活和工作方式，成为体现一个国家国力强弱的重要标志之一。
因为无论是电子计算机、现代信息产业、汽车电子及消费类电子产业，还是要求更高的航空、航天及军工产业等领域，都越来越要求电子产品具有高性能、多功能、高可靠、小型化、薄型化、轻型化、便携化以及将大众化普及所要求的低成本等特点。
满足这些要求的正式各类集成电路，特别是大规模、超大规模集成电路芯片。
要将这些不同引脚数的集成电路芯片，特别是引脚数高达数百乃至数千个I/O的集成电路芯片封装成各种用途的电子产品，并使其发挥应有的功能，就要采用各种不同的封装形式，如DIP、SOP、QFP、BGA、CSP、MCM 等。
可以看出，微电子封装技术一直在不断地发展着。
现在，集成电路产业中的微电子封装测试已与集成电路设计和集成电路制造一起成为密不可分又相对独立的三大产业。
而往往设计制造出的同一块集成电路芯片却采用各种不同的封装形式和结构。
今后的微电子封装又将如何发展呢？根据集成电路的发展及电子整机和系统所要求的高性能、多功能、高频、高速化、小型化、薄型化、轻型化、便携化及低成本等，必然要求微电子封装提出如下要求：(1)具有的I/O数更多；(2)具有更好的电性能和热性能；(3)更小、更轻、更薄，封装密度更高；(4)更便于安装、使用、返修；(5)可靠性更高；(6)性能价格比更高；2未来微电子技术发展趋势具体来说，在已有先进封装如QFP、BGA、CSP和MCM等基础上，微电子封装将会出现如下几种趋势：DCA（芯片直接安装技术）将成为未来微电子封装的主流形式DCA是基板上芯片直接安装技术，其互联方法有WB、TAB和FCB技术三种，DCA与互联方法结合，就构成板上芯片技术（COB）。
集成电路封装工艺(毕业学术论文设计)
集成电路封装工艺（毕业学术论文设计）摘要本文对集成电路封装工艺进行了研究和设计，旨在提出一种能够满足高性能、小尺寸和低功耗要求的封装工艺方案。
首先，对集成电路封装的发展历程进行了简要回顾，并分析了目前常见的几种封装工艺类型。
然后，针对目标封装工艺的要求，提出了一种新型封装工艺方案，并详细介绍了该方案的工艺流程和关键步骤。
最后，通过实验和性能评估，验证了该封装工艺方案的可行性和效果。
1. 引言集成电路是现代电子技术的核心，随着技术的进步，集成电路的封装工艺也在不断发展和改进。
封装工艺的优劣直接影响到集成电路的性能、尺寸和功耗等方面，因此，设计一种高性能、小尺寸和低功耗的封装工艺方案成为当前的研究热点。
本文旨在提出一种新型封装工艺方案，以满足目标集成电路的需求。
具体来说，本文的研究目标包括以下几个方面： - 提高集成电路的性能指标，如工作频率、时序特性等； - 减小集成电路的尺寸，提高空间利用率； - 降低集成电路的功耗，延长电池寿命。
2. 集成电路封装工艺的发展历程封装工艺是将集成电路芯片与引线、封装材料等相结合，形成成品电路的过程。
在集成电路的发展过程中，封装工艺经历了多个阶段的演进。
在早期，集成电路的封装工艺主要采用插针式DIP（Dual In-line Package）封装，这种封装形式简单、容易实现，但存在尺寸大、布线难、散热困难等问题。
随着技术的进步，表面贴装封装（Surface Mount Technology，SMT）逐渐成为主流。
SMT封装工艺避免了插针式封装的缺点，大大提高了集成电路的密度和性能。
近年来，随着集成电路的尺寸不断缩小，新型封装工艺如无封装封装（Wafer Level Package，WLP）、芯片级封装（Chip Scale Package，CSP）、三维封装等逐渐崭露头角。
这些封装工艺以其小尺寸、高性能和低功耗的特点，成为了当前研究的热点。
3. 目标封装工艺方案设计根据上述研究目标，本文提出了一种基于芯片级封装和三维封装技术的新型封装工艺方案。
新型电子元件封装设计和优化研究
新型电子元件封装设计和优化研究随着电子产品的普及和人们对其性能要求的不断提升，新型电子元件封装的研发也日益受到重视。
电子元件封装是一项重要的技术，它直接关系到电子产品的性能和可靠性。
当前，许多新型电子元件的封装技术已经得到了广泛的应用，但是尚存在不少问题需要进一步研究和优化。
一、新型电子元件封装设计的意义新型电子元件封装设计是提高电子产品性能和可靠性的重要手段。
一方面，新型电子元件封装设计可以实现更高的电路密度和性能的提升。
随着半导体技术的不断发展，电子元件越来越小，电路的复杂度越来越高，而新型电子元件封装设计可以实现更小的体积和更高的密度，从而可以节省空间和降低设计成本。
另一方面，新型电子元件封装设计可以提高电子产品的可靠性。
电子元件在使用过程中容易受到外界环境的影响，如高温、潮湿等，而新型电子元件封装设计可以有效地保护电子元件，减少故障率和损坏。
因此，新型电子元件封装设计被认为是电子产品设计过程中不可或缺的一环。
二、封装类型的种类和适用范围在电子元件封装设计中，不同类型的封装可以根据其结构和用途分为多种，其中最常见的封装类型包括贴片式封装、插件式封装和表面贴装封装。
1.贴片式封装贴片式封装是将电子元件直接贴在电路板表面上的一种封装方式。
这种封装方式因其体积小、功耗低、可靠性高等优点，已经被广泛地应用于手机、MP3和数码相机等电子产品中。
贴片式封装有两种：表面贴装型和插装型，其中表面贴装型更为常见。
2.插件式封装插件式封装是将电子元件插入电路板的孔洞中，通过焊接连接的一种封装方式。
插件式封装具有耐高温、高电压的优点，可适用于高端工业设备和军事装备等领域。
3.表面贴装封装表面贴装封装是现代电子产品封装中最主流的一种封装方式。
其主要特点是体积小、功耗低、密度高、成本低、可靠性高等。
表面贴装封装主要适用于小型和高密度电子产品，如手机、笔记本电脑、数码相机等。
三、新型电子元件封装设计的优化方向在当前的电子产品市场中，新型电子元件封装设计主要需要优化的方向包括：1.性能优化在封装设计中，如何提高电子元件的性能是值得深入探讨的问题。
微电子器件的新型封装材料研究
微电子器件的新型封装材料研究随着科技的不断发展，微电子器件在我们日常生活中扮演着越来越重要的角色。
而作为微电子器件的关键组成部分之一，封装材料的研究也变得尤为重要。
本文将探讨微电子器件的新型封装材料研究的现状和前景。
一、封装材料的重要性微电子器件的封装材料在保护芯片、传递信号和散热方面起着至关重要的作用。
传统的封装材料如塑料和陶瓷，虽然在一定程度上满足了封装的需求，但随着微电子器件的不断发展，对封装材料的要求也越来越高。
二、新型封装材料的研究现状目前，研究人员正在积极探索新型封装材料，以满足微电子器件的需求。
其中，有几种材料备受关注。
1. 高导热材料微电子器件在运行过程中会产生大量的热量，而高导热材料可以有效地将热量传导出去，保持芯片的稳定运行。
石墨烯是一种具有优异导热性能的材料，被广泛研究用于微电子器件的封装材料。
2. 高强度材料微电子器件在使用过程中可能会受到外界的冲击和振动，因此需要具有高强度的封装材料来保护芯片。
碳纳米管是一种强度极高的材料，被认为是未来封装材料的潜在选择。
3. 低介电常数材料微电子器件在高频率工作时，会出现信号传输的衰减和相位失真的问题。
低介电常数材料可以减少信号的衰减和相位失真，提高微电子器件的性能。
有机硅材料是一种低介电常数材料，目前正在被广泛研究用于微电子器件的封装。
三、新型封装材料的前景新型封装材料的研究不仅可以提高微电子器件的性能，还可以降低能源消耗、减少环境污染。
因此，对新型封装材料的需求与日俱增。
1. 降低能源消耗新型封装材料的研究可以降低微电子器件的能耗，提高能源利用效率。
例如，高导热材料可以提高芯片的散热效果，减少能量的损耗。
2. 减少环境污染传统的封装材料中常含有对环境有害的物质，如铅和镉等。
而新型封装材料的研究可以选择更环保的材料，减少对环境的污染。
3. 提高微电子器件的性能新型封装材料的研究可以提高微电子器件的性能，如降低信号传输的衰减和相位失真、提高芯片的稳定性等。
微电子封装技术范文
微电子封装技术范文
一、简介
微电子封装技术是指用于将微电子元件和集成电路封装在一起，作为
一个完整的系统的技术。
它主要用于控制电子元件、模块的显示、操作、
维护、安装等。
该技术的实现，一般是通过把封装后的微电子元件或集成
电路组装成一个模块，并安装到一个安装面板上，使其与外部连接成为一
个完整的系统。
二、特点
1、电子性能好：微电子封装技术一般采用材料的灵活性，能够有效
地改善电子产品的性能，从而满足用户对性能要求。
2、可靠性高：由于微电子封装技术能够改善电子器件的可靠性，因
此可以使得产品的可靠性得到很大的提高。
3、易于操作：由于封装技术能够把电子元件或集成电路组装成完整
的模块，并且这些模块能够很容易地安装在一个安装面板上，使得电子设
备的操作变得非常简单方便，而且能够减少维护和检修的工作量。
4、减少占地面积：由于所有的电子元件可以放在一个封装模块上，
因此减少了电子设备的占地面积，从而能够减少电子设备的安装空间。
三、流程
1、封装结构设计：在这一步中，先根据电路的功能需求，确定封装
的结构形状，包括封装件的结构、位置和定位方式等。
2、封装制造：根据设计的封装结构，使用压力铸造机、电子焊接机、注塑机等机械。
微电子封装技术综述论文资料
微电子封装技术综述论文摘要：我国正处在微电子工业蓬勃发展的时代，对微电子系统封装材料及封装技术的研究也方兴未艾。
本文主要介绍了微电子封装技术的发展过程和趋势，同时介绍了不同种类的封装技术，也做了对微电子封装技术发展前景的展望和构想。
关键字：微电子封装封装技术发展趋势展望一封装技术的发展过程近四十年中，封装技术日新月异，先后经历了3次重大技术发展。
IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式TH 和表面安装式SM，或按引线在封装上的具体排列分为成列四边引出或面阵排列。
微电子封装的发展历程可分为3个阶段：第1阶段，上世纪70年代以插装型封装为主。
70年代末期发展起来的双列直插封装技术DIP，可应用于模塑料，模压陶瓷和层压陶瓷封装技术中，可以用于IO数从8~64的器件。
这类封装所使用的印刷线路板PWB成本很高，与DIP相比，面阵列封装，如针栅阵列PGA，可以增加TH类封装的引线数，同时显著减小PWB的面积。
PGA系列可以应用于层压的塑料和陶瓷两类技术，其引线可超过1000。
值得注意的是DIP和PGA等TH封装由于引线节距的限制无法实现高密度封装。
第2阶段，上世纪80年代早期引入了表面安装焊接技术，SM封装，比较成熟的类型有模塑封装的小外形，SO和PLCC型封装，模压陶瓷中的CERQUAD层压陶瓷中的无引线式载体LLCC和有引线片式载体LDCC，PLCC，CERQUAD，LLCC和LDCC都是四周排列类封装。
其引线排列在封装的所有四边，由于保持所有引线共面性难度的限制PLCC的最大等效引脚数为124。
为满足更多引出端数和更高密度的需求，出现了一种新的封装系列，即封装四边都带翼型引线的四边引线扁平封装QFP 与DIP，相比QFP的封装尺寸大大减小且QFP具有操作方便，可靠性高，适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸小，寄生参数减小适合高频应用。
Intel公司的CPU，如Intel80386就采用的PQFP。
微电子封装的关键技术及应用前景论文
微电子封装的关键技术及应用前景论文近年来，各种各样的电子产品已经在工业、农业、国防和日常生活中得到了广泛的應用。
伴随着电子科学技术的蓬勃发展，使得微电子工业发展迅猛，这很大程度上是得益于微电子封装技术的高速发展。
这样必然要求微电子封装要更好、更轻、更薄、封装密度更高，更好的电性能和热性能，更高的可靠性，更高的性能价格比，因此采用什么样的封装关键技术就显得尤为重要。
1.微电子封装的概述1.1微电子封装的概念微电子封装是指利用膜技术及微细加工技术，将芯片及其他要素在框架或基板上布置、粘贴固定及连接，引出连线端子并通过可塑性绝缘介质灌封固定，构成整体立体结构的工艺。
在更广的意义上讲，是指将封装体与基板连接固定，装配成完整的系统或电子设备，并确定整个系统综合性能的工程【1】。
1.2微电子封装的目的微电子封装的目的在于保护芯片不受或少受外界环境的影响，并为之提供一个良好的工作条件，以使电路具有稳定、正常的功能。
1.3微电子封装的技术领域微电子封装技术涵盖的技术面积广，属于复杂的系统工程。
它涉及物理、化学、化工、材料、机械、电气与自动化等各门学科，也使用金属、陶瓷、玻璃、高分子等各种各样的材料，因此微电子封装是一门跨学科知识整合的科学，整合了产品的电气特性、热传导特性、可靠性、材料与工艺技术的应用以及成本价格等因素。
2微电子封装领域中的关键技术目前，在微电子封装领域中，所能够采用的工艺技术有多种。
主要包括了栅阵列封装（BGA）、倒装芯片技术（FC）、芯片规模封装（CSP）、系统级封装（SIP）、三维（3D）封装等（以下用简称代替）【2】。
下面对这些微电子封装关键技术进行一一介绍，具体如下：2.1栅阵列封装BGA是目前微电子封装的主流技术，应用范围大多以主板芯片组和CPU等大规模集成电路封装为主。
BGA的特点在于引线长度比较短，但是引线与引线之间的间距比较大，可有效避免精细间距器件中经常会遇到的翘曲和共面度问题。
微电子器件封装技术的优化与创新
微电子器件封装技术的优化与创新微电子器件是现代电子技术的基础，它的封装技术也是电子制造业中不可或缺的一部分。
随着科技的发展和创新，微电子器件封装技术也在不断地进行优化和创新，以满足日益增长的市场需求。
本文将探讨微电子器件封装技术的优化与创新，以及未来的发展趋势。
一、微电子器件封装技术的发展历程微电子器件封装技术最初出现在20世纪50年代。
当时的封装方式主要是使用外框、连接线、引脚等元器件进行封装。
后来，随着集成电路技术的不断发展，微电子器件的封装技术也在不断地进行更新换代。
目前，微电子器件的封装方式主要分为裸芯片封装和模块化封装两种。
其中，裸芯片封装是指将芯片直接固定在印刷电路板上，并进行导线连接，免去其他部件的使用；而模块化封装则是将芯片、电源、传感器等元器件放置在一起，形成一个整体模块。
二、微电子器件封装技术的优化与创新1. 封装材料的多元化在传统的微电子器件封装技术中，使用的封装材料主要是塑料和陶瓷。
但随着人们对封装材料性能的要求不断提高，越来越多的新型封装材料也被引入使用。
例如，金属基板、硅胶、环氧树脂等材料的应用，可以提高封装材料的耐热性、耐腐蚀性以及抗震动性能，进一步提高了微电子器件的可靠性和性能稳定性。
2. 封装工艺的精细化封装工艺的精细化是微电子器件封装技术创新的另一个方向。
目前，很多公司都在研究和使用微纳米技术，将封装工艺做的更加细致化。
例如，采用微纳米技术可以实现微纳米级别的电子线路制作和微型结构制造，使得微电子器件封装更加精细化。
3. 三维封装技术三维封装技术是指将芯片垂直堆叠，以达到空间利用效率的最大化。
与传统封装技术相比，三维封装技术具有更小的体积、更高的集成度和更快的传输速度等优点。
这种技术的应用已经广泛进入到手机、电脑、平板等产品中，有望成为未来微电子器件封装技术的发展趋势。
三、未来的发展趋势1. 大规模集成未来的微电子器件封装技术将实现更高的功率密度、更多的信号处理功能、更快的运算速度和更低的功耗水平。
微电子封装技术论文范文（2）
微电子封装技术论文范文(2)微电子封装技术论文范文篇二埋置型叠层微系统封装技术摘要：包含微机电系统(MEMs)混合元器件的埋置型叠层封装，此封装工艺为目前用于微电子封装的挠曲基板上芯片(c0F)工艺的衍生物。
cOF是一种高性能、多芯片封装工艺技术，在此封装中把芯片包入模塑塑料基板中，通过在元器件上形成的薄膜结构构成互连。
研究的激光融除工艺能够使所选择的cOF叠层区域有效融除，而对封装的MBMs器件影响最小。
对用于标准的c0F工艺的融除程序进行分析和特征描述，以便设计一种新的对裸露的MEMs器件热损坏的潜在性最小的程序。
cOF/MEMs封装技术非常适合于诸如微光学及无线射频器件等很多微系统封装的应用。
关键词：挠曲基板上芯片;微电子机械系统：微系统封装1、引言微电子机械系统(MEMS)从航空体系到家用电器提供了非常有潜在性的广阔的应用范围，与功能等效的宏观级系统相比，在微米级构建电子机械系统的能力形成了在尺寸、重量和功耗方面极度地缩小。
保持MEMS微型化的潜在性的关键之一就是高级封装技术。
如果微系统封装不好或不能有效地与微电子集成化，那么MEMS的很多优点就会丧失。
采用功能上和物理上集成MEMS与微电子学的方法有效地封装微系统是一种具有挑战性的任务。
由于MEMS和传统的微电子工艺处理存在差异，在相同的工艺中装配MEMS和微电子是复杂的。
例如，大多数MEMS器件需要移除淀积层以便释放或形成机械结构，通常用于移除淀积材料的这些工艺对互补金属氧化物半导体(CMOS)或别的微电子工艺来说是具有破坏性的。
很多MEMS工艺也采用高温退火以便降低结构层中的残余材料应力。
典型状况下退火温度大约为1000℃，这在CMOS器件中导致不受欢迎的残余物扩散，并可熔化低温导体诸如通常用于微电子处理中的铝。
缓和这些MEMS微电子集成及封装问题的一种选择方案就是使用封装叠层理念。
叠层或埋置芯片工艺已成功地应用于微电子封装。
在基板中埋置芯片考虑当高性能的内芯片互连提供等同于单片集成的电连接时，保护微电子芯片免受MEMS环境影响。
微电子封装资料范文
微电子封装资料范文
一、微电子封装技术介绍
微电子封装是一种将微电子器件封装在外壳中，以便将它们固定在芯片上并形成一个完整系统的技术。
它的优势在于能将不同的电子器件，如电阻、电容器、变压器、集成电路、芯片、计算机接口、LED等集中在一起，并对其进行统一的封装，使整个系统更加紧凑、集成、模块化。
此外，微电子封装也可以使用特殊的冷焊技术、激光焊技术、熔喷技术等，来满足不同的应用需求。
另外，还可以使用传统的焊点技术，将器件固定在基板上，以确保其牢固可靠的结构。
二、微电子封装的优缺点
①优点：
1、微电子封装能够将不同的电子器件集成成一个模块，使其紧凑、集成，便于系统安装和使用；
2、使用特殊的焊技术以及冷焊技术等，可以确保器件牢固可靠的结构，以及质量的稳定性和可靠性；
3、微电子封装可以防止器件热老化，减少器件老化的可能性，从而提高器件的使用寿命；
4、微电子封装技术可以提高产品的尺寸，这样可以节省空间，提高形式效率，并降低成本。
②缺点：。
先进封装技术在微电子中的应用
先进封装技术在微电子中的应用在当今科技飞速发展的时代，微电子领域的创新不断推动着电子设备的性能提升和功能扩展。
其中，先进封装技术作为微电子产业的关键环节，发挥着至关重要的作用。
它不仅为芯片提供了保护和连接，还对提高芯片的性能、降低成本、实现更高的集成度等方面产生了深远的影响。
先进封装技术是什么呢？简单来说，它是将多个芯片或芯片与其他组件（如无源器件、传感器等）封装在一起，形成一个功能更强大、性能更优越的电子模块。
这就好比把一群各具专长的“小伙伴”紧密地聚集在一起，共同为实现一个大目标而努力。
先进封装技术的种类繁多，其中包括倒装芯片封装（Flip Chip Packaging）、晶圆级封装（Wafer Level Packaging）、系统级封装（System in Package，SiP）、三维封装（3D Packaging）等。
每种技术都有其独特的特点和优势。
倒装芯片封装技术是一种将芯片的有源面朝下，通过凸点与基板直接连接的封装方式。
这种技术大大缩短了芯片与基板之间的信号传输路径，从而提高了信号传输速度和频率，降低了寄生电感和电容，显著提升了芯片的性能。
想象一下，信息在芯片和基板之间能够以更快的速度“奔跑”，这对于处理大量数据的电子设备来说，无疑是一个巨大的优势。
晶圆级封装则是在晶圆阶段就完成封装工序，将芯片制造和封装过程整合在一起，减少了封装后的芯片尺寸，降低了成本。
它就像是在生产线上一次性完成了多个工序，提高了生产效率，同时也让芯片变得更加小巧玲珑。
系统级封装技术将多个不同功能的芯片和无源器件集成在一个封装体内，实现了系统级的集成。
这意味着一个小小的封装体里，可能包含了处理器、存储器、传感器等多种元件，它们协同工作，就像一个迷你的“电子系统”。
这种高度集成的方式极大地减小了电子产品的体积，提高了系统的性能和可靠性。
三维封装技术则是通过在垂直方向上堆叠芯片来实现更高的集成度。
就像建造高楼大厦一样，在有限的平面面积上，向空间要“容量”。
微型芯片封装技术的研究与应用
微型芯片封装技术的研究与应用随着科技的飞速发展，计算机技术得到了巨大的进步，越来越多的小型化产品得以面世，其中之一就是微型芯片。
微型芯片作为一种新兴的元器件，被广泛应用于电子产品中，如手机、平板电脑、电视机等等。
而这些微型芯片的成功应用，离不开微型芯片封装技术的不断研究与进步。
本文将从封装技术相关的几个方面来探讨微型芯片封装技术的研究与应用。
一、微型芯片封装技术的意义微型芯片的封装是指将芯片与外部世界相隔离，并将其与其他元件组成一个模块。
而芯片的封装技术不仅能够增强芯片的可靠性和稳定性，还可以大幅度缩小芯片的尺寸和重量，使得这种封装技术被广泛应用于电子产品中。
对于微型芯片而言，封装技术尤为重要。
因为它可以有效地减小芯片的体积和重量，缩至微米级，从而使得芯片更便于携带和使用。
此外，芯片的封装技术还可以对芯片的电气特性和热散发能力进行优化和调整，从而深度解决了一些电路问题。
因此，微型芯片的封装技术对电子产品性能的提高和工业经济的发展起着至关重要的作用。
二、微型芯片封装技术的类别目前，微型芯片封装技术主要包括以下几类：1. DIP封装技术DIP（Dual In-line Package），双列直插式封装技术，通常应用于固态集成电路等大型的集成电路。
2. SMD封装技术SMD （Surface Mount Device），表面贴装技术，是将封装芯片直接焊接在PCB板上，以实现快速、简便和高效的生产。
3. COB封装技术COB （Chip On Board），芯片直接贴片技术，将芯片直接贴在电路板的金属导线上，并进行迭层式封装，在小型化产品中广泛应用。
4. LGA封装技术LGA （Land Grid Array），焊盘式行/列对排结构封装技术，兼具SMD和DIP技术优点，具有更高的芯片接触度和可靠性，是目前比较常用的封装技术之一。
三、微型芯片封装技术研究的现状从当前微型芯片封装技术的研究情况来看，多数的研究都处于基础阶段，大多是对新材料、新工艺、新技术的研究与应用，目的是提高芯片的性能和可靠性，完善封装的工艺流程。
探讨新型微电子封装技术
探讨新型微电子封装技术随着科技的进步，微电子封装技术也在不断发展。
传统的封装技术已经无法满足微电子器件的需求，因此，新型的微电子封装技术逐渐被广泛探讨和应用。
一种新型微电子封装技术是三维封装技术。
传统的微电子封装技术通常是二维的，元器件的封装和排列都是在同一平面上进行的。
而三维封装技术将元器件封装和排列拓展到了垂直维度，使得设备能够在更小的体积内集成更多的元器件。
三维封装技术可以通过垂直堆叠芯片、采用堆叠封装等方式实现，大大提高了设备的集成度和性能。
另一种新型微电子封装技术是系统级封装技术（SiP）。
传统的封装技术通常是将单一芯片封装成为一个独立的器件，而系统级封装技术则是将多个芯片和其他元器件集成在一个封装中。
系统级封装技术可以通过在封装内部增加硅互连、电能供应网络和信号传输通道等方式，实现不同芯片之间的通信和互联，并大大缩小系统的体积和尺寸。
此外，新型微电子封装技术还包括无线封装技术、高速封装技术等。
无线封装技术通过无线通信技术实现元器件之间的通信和互联，避免了传统封装中复杂的布线工作。
高速封装技术则是通过优化封装的接口设计和信号传输路径，提高元器件之间的信号传输速率和带宽。
新型微电子封装技术的出现，不仅方便了微电子器件的设计和制造，还能够提供更高的性能和功能。
例如，三维封装技术能够大大提高集成度，使得设备在更小的体积内实现更多的功能。
系统级封装技术能够集成多个芯片和其他元器件，使得系统的体积和尺寸大幅减小。
无线封装技术和高速封装技术能够提高设备的通信速率和带宽，满足高速传输的需求。
然而，新型微电子封装技术也面临一些挑战。
首先，新技术的研发和应用需要大量的研究和投入，成本较高。
其次，不同的封装技术对材料和工艺的要求不同，需要进行针对性的研究和开发。
最后，新技术的推广和应用还需要与传统的制造流程和工艺进行衔接和兼容。
综上所述，新型微电子封装技术的探讨和应用为微电子器件的设计和制造带来了许多机会和挑战。
微电子封装技术综述论文
微电子封装技术综述论文摘要：我国正处在微电子工业蓬勃发展的时代，对微电子系统封装材料及封装技术的研究也方兴未艾。
本文主要介绍了微电子封装技术的发展过程和趋势，同时介绍了不同种类的封装技术，也做了对微电子封装技术发展前景的展望和构想。
关键字：微电子封装封装技术发展趋势展望一封装技术的发展过程近四十年中，封装技术日新月异，先后经历了3次重大技术发展。
IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式TH 和表面安装式SM，或按引线在封装上的具体排列分为成列四边引出或面阵排列。
微电子封装的发展历程可分为3个阶段：第1阶段，上世纪70年代以插装型封装为主。
70年代末期发展起来的双列直插封装技术DIP，可应用于模塑料，模压陶瓷和层压陶瓷封装技术中，可以用于IO数从8~64的器件。
这类封装所使用的印刷线路板PWB成本很高，与DIP相比，面阵列封装，如针栅阵列PGA，可以增加TH类封装的引线数，同时显著减小PWB的面积。
PGA系列可以应用于层压的塑料和陶瓷两类技术，其引线可超过1000。
值得注意的是DIP和PGA等TH封装由于引线节距的限制无法实现高密度封装。
第2阶段，上世纪80年代早期引入了表面安装焊接技术，SM封装，比较成熟的类型有模塑封装的小外形，SO和PLCC型封装，模压陶瓷中的CERQUAD层压陶瓷中的无引线式载体LLCC和有引线片式载体LDCC，PLCC，CERQUAD，LLCC和LDCC都是四周排列类封装。
其引线排列在封装的所有四边，由于保持所有引线共面性难度的限制PLCC的最大等效引脚数为124。
为满足更多引出端数和更高密度的需求，出现了一种新的封装系列，即封装四边都带翼型引线的四边引线扁平封装QFP 与DIP，相比QFP的封装尺寸大大减小且QFP具有操作方便，可靠性高，适合用SMT表面安装技术在PCB上安装布线，封装外形尺寸小，寄生参数减小适合高频应用。
Intel公司的CPU，如Intel80386就采用的PQFP。
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下面是店铺整理的电子封装技术论文，希望你能从中得到感悟!电子封装技术论文篇一论微电子封装技术的发展趋势【摘要】本文论述了微电子封装技术的发展历程，发展现状和发展趋势，主要介绍了几种重要的微电子封装技术，包括：BGA 封装技术、CSP封装技术、SIP封装技术、3D封装技术、MCM封装技术等。
【关键词】微电子技术;封装;发展趋势一、微电子封装的发展历程IC封装的引线和安装类型有很多种，按封装安装到电路板上的方式可分为通孔插入式(TH)和表面安装式(SM)，或按引线在封装上的具体排列分为成列、四边引出或面阵排列。
微电子封装的发展历程可分为三个阶段：第一阶段：上世纪70 年代以插装型封装为主，70 年代末期发展起来的双列直插封装技术(DIP)。
第二阶段：上世纪80 年代早期引入了表面安装(SM)封装。
比较成熟的类型有模塑封装的小外形(SO)和PLCC 型封装、模压陶瓷中的Cerquad、层压陶瓷中的无引线式载体(LLCC)和有引线片式载体(LDCC)。
PLCC，Cerquad，LLCC和LDCC都是四周排列类封装，其引线排列在封装的所有四边。
第三阶段：上世纪90 年代，随着集成技术的进步、设备的改进和深亚微米技术的使用，LSI，vLSI，uLSI相继出现，对集成电路封装要求更加严格，i/o引脚数急剧增加，功耗也随之增大，因此，集成电路封装从四边引线型向平面阵列型发展，出现了球栅阵列封装(BGA)，并很快成为主流产品。
二、新型微电子封装技术(一)焊球阵列封装(BGA)阵列封装(BGA)是世界上九十年代初发展起来的一种新型封装。
BGA封装的i/o端子以圆形或柱状焊点按阵列形式分布在封装下面，BGA技术的优点是：i/o引脚数虽然增加了，但引脚间距并没有减小反而增加了，从而提高了组装成品率;虽然它的功耗增加，但BGA能用可控塌陷芯片法焊接，从而可以改善它的电热性能;厚度和重量都较以前的封装技术有所减少;寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高;组装可用共面焊接，可靠性高。
微电子封装技术论文(14篇)
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篇7：工作主持词征文绝句汉语拼音小结庆典致辞了主要自我鉴定应急预案说明书了提纲责任书！教育诗词细则任职自荐书的体积奖学金辞职信演讲稿：庆典致辞广告词；陶渊明造句！标语工作打算！部编版协议，检讨书急转弯复习考试。
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长风破浪会有时积极发展国内微电子封装业论文
长风破浪会有时积极发展国内微电子封装业论文长风破浪会有时积极发展国内微电子封装业论文微电子器泮是由芯片和封装通过封装工艺组合而成，因此，封装是微电子器件的两1-基本组成部分之一，封装为芯片提供信号和电源的互连，提供散热通路和机械、环境猓护。
随着微电子技术的发展，微电子器件的高频性能、热性能、可靠性和成本等越来越受封装性能的制约。
因此，封装对于器件相当于人的皮肤、手脚对于本，是人体的基本组成部分，而不是过去人们所说的衣服对于人的作用，因为衣服对于人来说主要是环境保护(冷热风雨)和装饰。
这点更可从MPU(微处理器)和ASIC(专用集成电路)的发展中看出，对于MPU几乎是一代新产品需要一种新封装。
早期的MPU如8086,引出端数为40,可以用DIP(双列直插式封装到386时，引线数为80,就需要用PGA(针栅阵列)。
当发展到586时，引线数为377，又要闬于便携式计算机，则只能用BGA(焊球阵列)了。
由此可知，封装业必须和管芯制造业(圆片制造业)同步发展。
我国应积极地发展微电子封装业圆片加工是成批进行，而封装则需对管芯逐个地加工。
如一个6英寸、月投10000片，成品率为94%的圆片加工厂，若其管芯面积平均为3mm-’，则将年产管芯6亿个左右。
这样，一^圆片加工厂就需年产2亿彳、管芯的封装厂3仑，或年封1C3亿个的封装厂2个予以支撑。
因此，若国内要建10条左右<则需要新增像目前三菱一四通那样的封装厂12万片的圆片厂，封装产量将增加一倍以上。
另外，一个圆片制造厂(cp8英寸，特怔尺寸矣0.25(0^1)的投资需10多亿美元，它所需要的支撑技术和设备要求高。
而一个封装厂的投资一般为5000万到1亿美元，投资额比圆片制造厂小得多，建设快，投资回收快。
而封装中的多数工序如粘片、引线键合等都是逐个进行的，所需劳动力和场地多。
无论NEC、三菱或摩托罗拉在中国投资的集成电路厂都是从封装厂开始的。
台湾和东南亚地区发展微电子产业也都是以封装厂开始积累资金的。
微电子封装论文
微电子封装工艺的发展摘要：本文介绍微电子封装技术的发展过程和趋势，同时介绍了各个时期不同种类的封装技术，也做了对现在国内对于微电子封装技术不足的分析和对发展前景的展望和构想。
关键字：为电子封装发展趋势优点一、封装技术的发展从80年代中后期，开始电子产品正朝着便携式、小型化、网络化和多媒体化方向发展，这种市场需求对电路组装技术提出了相应的要求，单位体积信息的提高(高密度)和单位时间处理速度的提高(高速化)成为促进微电子封装技术发展的重要因素。
1.1 片式元件：小型化、高性能片式元件是应用最早、产量最大的表面组装元件。
它主要有以厚薄膜工艺制造的片式电阻器和以多层厚膜共烧工艺制造的片式独石电容器，这是开发和应用最早和最广泛的片式元件。
随着工业和消费类电子产品市场对电子设备小型化、高性能、高可靠性、安全性和电磁兼容性的需求，对电子电路性能不断地提出新的要求，片式元件进一步向小型化、多层化、大容量化、耐高压、集成化和高性能化方向发展。
在铝电解电容和钽电解电容片式化后，现在高Q值、耐高温、低失真的高性能MLCC已投放市场；介质厚度为10um的电容器已商品化，层数高达100层之多；出现了片式多层压敏和热敏电阻，片式多层电感器，片式多层扼流线圈，片式多层变压器和各种片式多层复合元件；在小型化方面，规格尺寸从3216→2125→1608→1005发展，目前最新出现的是0603(长0.6mm，宽0.3mm)，体积缩小为原来的0.88%。
集成化是片式元件未来的另一个发展趋势，它能减少组装焊点数目和提高组装密度，集成化的元件可使Si效率(芯片面积/基板面积)达到80%以上，并能有效地提高电路性能。
由于不在电路板上安装大量的分立元件，从而可极大地解决焊点失效引起的问题。
1.2 芯片封装技术：追随IC的发展而发展数十年来，芯片封装技术一直追随着IC的发展而发展，一代IC就有相应一代的封装技术相配合，而SMT的发展，更加促进芯片封装技术不断达到新的水平。
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微电子封装技术的最新进展08电科①班姓名：马松学号：08206050103摘要：介绍了微电子封装中丝焊倒装焊和无铅焊料技术的最新进展分析了用于先进和复杂应用场合的堆叠芯片丝焊低k超细间距器件丝焊以及铜丝焊技术关键词互连工艺焊接丝焊倒装焊无铅焊料0 引言集成电路产业已成为国民经济发展的关键,而集成电路设计、制造和封装侧试是集成电路产业发展的三大产业之柱。
这已是各级领导和业界的共识。
微电子封装不但直接影响着集成电路本身的电性能、机械性能、光性能和热性能，在很大程度上决定着电子整机系统的小型化、多功能化、可靠性和成本，微电子封装越来越受到人们的普遍重视。
微电子行业进入纳米时代后互连的重要性大大增加无引线圆片级和面阵列封装(如球栅阵列(BGA) 封装) 发展迅速微电子行业产品更小更快更轻更便宜的要求还将使其更多地使用先进IC封装现在全世界对环境保护都非常重视减少污染会给人类一个优质的生活环境电子产品的研究和生产也不例外在这种情况下人们越来越重视开展无铅产品的研制和生产。
1微电子三级封装谈到微电子封装 ,首先我们要叙述一下三级封装的概念。
一般说来 ,微电子封装分为三级 ,如图所示。
所谓一级封装就是在半导体圆片裂片以后 ,将一个或多个集成电路芯片用适宜的封装形式封装起来 ,并使芯片的焊区与封装的外引脚用引线键合(WB)、载带自动键合(TAB) 和倒装芯片键合(FCB)连接起来 ,使之成为有实用功能的电子元器件或组件。
一级封装包括单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)两大类。
应该说 ,一级封装包含了从圆片裂片到电路测试的整个工艺过程 ,即我们常说的后道封装 ,还要包含单芯片组件(SCM)和多芯片组件(MCM)的设计和制作 ,以及各种封装材料如引线键合丝、引线框架、装片胶和环氧模塑料等内容。
这一级也称芯片级封装。
二级封装就是将一级微电子封装产品连同无源元件一同安装到印制板或其它基板上 ,成为部件或整机。
这一级所采用的安装技术包括通孔安装技术(THT)、表面安装技术(SMT)和芯片直接安装技术(DCA)。
二级封装还应该包括双层、多层印制板、柔性电路板和各种基板的材料、设计和制作技术。
这一级也称板级封装。
三级封装就是将二级封装的产品通过选层、互连插座或柔性电路板与母板连结起来 ,形成三维立体封装 ,构成完整的整机系统 ,这一级封装应包括连接器、迭层组装和柔性电路板等相关材料、设计和组装技术。
这一级也称系统级封装。
所谓微电子封装是个整体的概念 ,包括了从一极封装到三极封装的全部技术内容。
在国际上 ,微电子封装是一个很广泛的概念 ,包含组装和封装的多项内容。
微电子封装所包含的范围应包括单芯片封装(SCM)设计和制造、多芯片封装(MCM)设计和制造、芯片后封装工艺、各种封装基板设计和制造、芯片互连与组装、封装总体电性能、机械性能、热性能和可靠性设计、封装材料、封装工模夹具以及绿色封装等多项内容。
有人说 ,微电子封装就是封装外壳又有人说微电子封装不过是无源元件 ,不可能是有源还有人说 ,微电子封装不过是个包封体 ,可有可无 ,等等。
这些看法都是片面的 ,不正确的。
我们应该把现有的认识纳人国际微电子封装的轨道 ,这样既有利于我国微电子封装界与国外的技术交流 ,也有利于我国微电子封装自身的发展.2丝焊2.1 堆叠芯片球栅阵列封装中的丝焊用于堆叠芯片的丝焊机通常都要定制设计劈刀(毛细管) 要有非常小的尖端直径焊盘间距小于50 m 堆叠芯片或者3D封装能减少焊脚降低总的封装成本通过功能集成便于SiP封装(system-in-chip) 的设计堆叠芯片BGA现在已有几种类型在工业上得到应用例如一个存储器用SRAM和Flash芯片堆叠可以减少总焊脚数量的28% 其他的一些有源器件无源元件敏感器等也可以堆叠在一个系统里这种形式的封装在移动电话或PDA中显得更加重要图1所示是堆叠芯片互连的几种形式目前丝焊(WB) /丝焊(WB) 丝焊(WB) /倒装焊(FC) 倒装焊(FC) /丝焊(WB) 等几种不同的互连形式现在已经开始在移动电子设备中工业化事实上，堆叠芯片封装标准的最大封装高度是1 mm 1.2 1.4 mm或1.7 mm。
2.2低k超细间距器件的丝焊为了保证电路在信号传播延迟方面具有良好的性能并减小寄生耦合效应(如串扰) 封装设计时必须减小互连绝缘子的介电常数减小大集成互连中的阻容延迟可采用低k介质取代SiO2 (降低电容) 并用Cu取代Al导体(降低电阻低k材料可改善微电子器件的电性能但也会给IC的机械牢固性带来问题多孔低k材料在集成工艺中的材料性能会下降这些材料有低弹性模量低断裂韧度且与盖层和衬底的粘接性很差有报道说由于多孔低k材料的弱机械强度和差粘合强度热机械应力会导致焊盘分层因此对于这些问题也都还需进一步研究制造具有更细间距更高电路集成的微电子器件也是微电子行业的一个趋势但这会给超细间距器件丝焊带来许多新挑战为了解决低k超细间距器件丝焊的焊球隆起可尝试优化劈刀(毛细管) 内部轮廓来改善可焊性与标准设计相比该技术带有更小的倒角更大的内部削面和更大倒角圆角的劈刀(毛细管) 能增加焊接界面中金属间化合物的百分比从而减少焊接过的器件老化后金属焊盘剥皮和焊球隆起失效2.3 铜丝焊金丝焊是目前使用最广泛的一种互连方法但近年来对铜丝焊也进行了大量的研究因为铜丝焊具有更低的产品价值更高的电导率(能提供好的器件性能) 以及更高的弹性和热导率电镀可防止金属铜丝氧化增加焊接强度由于铜丝直径仅25 µm 阻止氧化的金属层厚度为0.1µ m 因此铜丝焊要在惰性(氮) 气体中进行。
3 倒装焊现在已经开发了许多低成本倒装焊组装工艺。
人们可根据器件的特性和用途选择不同的倒装焊工艺。
如采用无铅焊料、金、聚合物等作为凸点材料。
基板材料可以是玻璃、陶瓷、FR-4、柔性材料等。
焊料合金可用来提供电互连。
3.1凸点的形成方法(1) 可控塌陷芯片连接C4工艺这种方式下的凸点应使用纯焊料(95%Pb/5%Sn)。
在再流过程中，可通过控制焊料的流量，限制暴露在芯片和基板上的浸润金属焊料数量来控制焊料的流动（芯片到基板空隙的塌陷)。
在C4工艺中， Cr附着层、Cr/Cu混合层(可阻止多次再流）、Cu可焊层、闪Au层和95%Pb/5%S焊料层可通过挡板蒸发到半导体圆片上。
由于Pb的蒸发气压比Sn高，所以Pb先沉积这样就会形成焊料凸点。
蒸发后，将圆片置于H2气氛下进行会350℃温度再流，以使得PbSn层均匀。
但应注意：再流会形成几乎球形的焊料凸点。
(2) 采用电镀制备焊料凸点设计时可采用PbSn焊料电镀作凸点材料，而用二元无铅焊料凸点可以防止Pb 污染。
(3) 金凸点近来，也有人用传统的金丝球焊技术开发了Au凸点技术。
Au凸点有如下优点：◇无须掩模，省去了专门的工具成本；◇凸点下不需要金属化（UBM）；◇可以实现细间距互连；◇芯片上的凸点可实现较高平面度；◇若使用导电胶互连，则具有可修复性。
3.2采用粘合剂的倒装焊采用带有粘合剂的Au凸点倒装焊是一种无焊料和低温倒装片安装方法。
在不需要高温也不允许焊料合金再流的场合，采用带有粘合剂的Au凸点的倒装焊是一个好办法。
这种倒装焊方法没有α辐射和铅，但要求具有细或超细间距的金凸点，玻璃上的倒装片(液晶显示)也可使用这种方法。
采用非传导粘合剂(NCA)倒装焊工艺比较简单，只有两个工序：其一是NCA放置，其二是IC放置和焊接。
4 无铅焊由于越来越多的微电子产品的环保要求，对无铅焊料的研究现已成为微电子封装行业的迫切任务。
对环境的关注和法规的限制推动了微电子器件制造中使用无铅焊料或用粘合剂取代锡-铅焊料等技术。
在微电子器件设计中，焊点的可靠性是关键问题。
由于温度会改变焊点中的热-机械应力从而造成可靠性问题，在无铅焊料取代传统锡-铅焊料之前，需要对无铅焊点作大量可靠性测试。
因此，全世界都在进行研究无铅焊料，一些研究人员对比了无铅焊点质量与标准锡-铅焊点的质量，并在无铅和锡-铅焊点对比分析中应用了失效分析技术，如机械强度测试，目检， X-射线照相，金相术，显微术和显微照相术等。
多年来，凸点式SMT表面组装大多采用高Pb锡 (90%以上的Pb) 或共晶焊料(37%Pb/63%Sn)这种方法的Pb含量很高。
为此，我国也有一些单位对无铅焊料进行了研究，并用于制作园片级封装的焊料凸点。
它们用Sn3.5Ag 作为焊料凸点材料，制备的方法则采用电镀。
用此种SnAg来制造高质量的倒装焊焊球，可得到40~50 m的间距，这比用标准的丝网印刷得到的标准150 m小得多。
最有希望替代锡-铅焊料的材料之一是SnAgCu，对SnAgCu焊点的电、机械特性和可靠性研究表明：由不同助焊剂系统组成的四种以Sn-Ag-Cu合金为基的焊料，通过选择合适的助焊剂化学组成和再流焊曲线优化，可以减小或消除助焊剂溅出。
通过用SnAgCu焊料把PBGA封装组装到FR-4 PCB上来测试分析其可靠性，经5700次热循环后，没有发现串级链电阻环失效，其焊点特性寿命超过了7200次热循环。
这显示了用很宽工艺窗口能制造出牢固焊点。
SnCu是另一种最有希望的低成本无铅选择，特别是对于铁焊、浸焊、波峰焊。
通过熔融旋转技术处理，上述四种无铅焊料合金Sn-0.5Cu Sn-3.5Ag Sn-5Sb和Sn-9Zn均可很快凝固。
目前，用开发出的SnAg电淀积来改善倒装焊技术，可得到40-50 m间距。
5 结束语在先进和复杂应用中(如堆叠芯片) 应使用丝焊低k超细间距器件丝焊和铜丝焊等技术微电子封装必须与时俱进才能发展。
国际微电子封装的历史证明了这一点。
我国微电子封装如何与时俱进当务之急是研究我国微电子封装的发展战略 ,制订发展规划。
二是优化我国微电子封装的科研生产体系。
三是积极倡导和大力发展属于我国自主知识产权的原创技术。
否则 ,我们将越跟踪越落后。
在这一点上 ,我们可以很好地借鉴韩国和台湾的经验.参考文献：【1】田民波.电子封装工程【2】田民波，林金堵，祝大同.高密度封装基板【3】黄卓，杨俊，张力平.无铅焊接工艺及失效分析。