电容与介质损耗角正切的测量(下)

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静电容量和介质损耗角正切的测量

静电容量和介质损耗角正切的测量

关于片状独石陶瓷电容器的 静电容量和介质损耗角正切的测量1.前言 (2)2.片状独石陶瓷电容器的特性 (2)2-1.温度特性 (2)2-2.电压特性 (3)2-3.频率特性 (5)2-4.总结 (6)3.LCR仪表和测试夹具 (6)3-1.LCR仪表 (6)3-2.测试夹具 (7)4.LCR仪表的测量原理 (7)4-1.测量原理 (8)4-2.测量电压 (8)4-3.静电容量的测量电路模式 (9)5.根据LCR仪表4284A的静电容量的测量方法 (10)5-1.接通LCR仪表的电源 (10)5-2.已安装测试夹具的状态 (10)5-3.测量器的设定 (10)5-4.校正 (14)5-5.测量 (15)6.根据LCR仪表4278A的静电容量的测量方法 (15)6-1.LCR仪表的电源接通 (15)6-2.已安装测试夹具的状态 (15)6-3.测量器的设定 (15)6-4.校正 (16)6-5.测量 (17)7.后记 (18)TD.No.C101.前言用LCR仪表测量高诱电率型(B特性,F特性)的片状独石陶瓷电容器时,有时不能获得与标称静电容量值一样的值。

其主要原因是,第一:片状独石陶瓷电容器的B、F特性的静电容量和介质损耗角正切,虽然随温度、电压(AC、DC)及频率而改变,但却无法按照规定的条件而测量。

第二:测量装置的设定不符合或测量装置的功能不能满足规定条件。

其解决方法是,第一:理解片状独石陶瓷电容器的特性,要规定温度、电压(AC、DC)、频率3种条件以后测量。

实际上,已经规定在国家标准JISC5101-1-1998的静电容量(4.7项)及介质损耗角正切(4.8项)上,其高诱电率型电容器的静电容量和介质损耗角正切的测量条件如表1所示。

此时的测量温度为20℃。

表1测量条件标称静电容量 测量频率 测量电压C≤10μF(10V以上) 1±0.1kHz 1.0±0.2VrmsC≤10μF(6.3V以下) 1±0.1kHz 0.5±0.1VrmsC>10μF 120±24Hz 0.5±0.1Vrms第二:要充分理解测量装置的功能,确认是否满足表1的测量条件以后请使用测量装置。

电容损耗角正切d值测量方法

电容损耗角正切d值测量方法

电容损耗角正切d值测量方法【原创实用版4篇】目录(篇1)一、引言二、电容损耗角正切值的定义和意义三、电容损耗角正切值的测量方法1.平衡电桥法2.不平衡电桥法3.相敏电路法4.低功率因数瓦特表法四、各类测量方法的优缺点五、测量电容损耗角正切值的意义和应用六、结论正文(篇1)一、引言电容损耗角正切值(tgδ)是衡量电容器性能的重要参数,它反映了电容器在交流电场下消耗能量的大小。

为了确保电容器的性能和使用寿命,正确测量电容损耗角正切值具有重要意义。

本文将介绍电容损耗角正切值的定义和意义,以及几种常用的测量方法。

二、电容损耗角正切值的定义和意义电容损耗角正切值是指有功功率与无功功率的比值,它反映了电容器在交流电场下消耗能量的大小。

电容器的损耗主要由介质损耗、电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。

在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小。

在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。

测量电容损耗角正切值有助于评估电容器的性能和使用寿命,对于保证电力系统的安全稳定运行具有重要意义。

三、电容损耗角正切值的测量方法1.平衡电桥法:平衡电桥法是一种常用的测量电容损耗角正切值的方法。

它通过调整电桥的电阻值,使电桥达到平衡状态,从而测量出电容损耗角正切值。

这种方法的优点是测量精度高,但操作较为复杂。

2.不平衡电桥法:不平衡电桥法是一种简化的测量方法,它不需要调整电桥的电阻值。

通过测量电桥的电流和电压,可以计算出电容损耗角正切值。

这种方法的优点是操作简便,但测量精度相对较低。

3.相敏电路法:相敏电路法是一种基于相敏电阻原理的测量方法。

它通过测量相敏电阻的电压和电流,计算出电容损耗角正切值。

这种方法的优点是测量精度高,但需要特殊的测量设备。

4.低功率因数瓦特表法:低功率因数瓦特表法是一种适用于大电容试品的测量方法。

它通过测量电容器的漏电流和电压,计算出电容损耗角正切值。

介质损耗角正切值的测量

介质损耗角正切值的测量

介质损耗角正切值的测量一.实验目的:学习使用QS1型西林电桥测量介质损耗正切值的方法。

二.实验项目:1.正接线测试2.反接线测试三.实验说明:绝缘介质中的介质损耗(P=ωC u2 tgδ)以介质损耗角δ的正切值(tgδ)来表征, 介质损耗角正切值等于介质有功电流和电容电流之比。

用测量tgδ值来评价绝缘的好坏的方法是很有效的,因而被广泛采用,它能发现下述的一些绝缘缺陷:绝缘介质的整体受潮;绝缘介质中含有气体等杂质;浸渍物及油等的不均匀或脏污。

测量介质损耗正切值的方法较多,主要有平衡电桥法(QS1),不平衡电桥法及瓦特表法。

目前,我国多采用平衡电桥法,特别是工业现场广泛采用QS1型西林电桥。

这种电桥工作电压为10Kv,电桥面板如图2-1所示,其工作原理及操作方法简介如下:⑴.检流计调谐钮⑵.检流计调零钮⑶.C4电容箱(tgδ)⑷.R3电阻箱⑸.微调电阻ρ(R3桥臂)⑹.灵敏度调节钮⑺.检流计电源开关⑻.检流计标尺框⑼.+tgδ/-tgδ及接通Ⅰ/断开/接通Ⅱ切换钮⑽.检流计电源插座⑾.接地⑿.低压电容测量⒀.分流器选择钮⒁.桥体引出线图2-1 QS1西林电桥面板图1. 工作原理:原理接线图如图2-2所示,桥臂BC 接入标准电容C N (一般C N =50pf ),桥臂BD 由固定的无感电阻R 4和可调电容C 4并联组成,桥臂AD 接入可调电阻R 3,对角线AB 上接入检流计G ,剩下一个桥臂AC 就接被试品C X 。

高压试验电压加在CD 之间,测量时只要调节R 3和C 4就可使G 中的电流为零,此时电桥达到平衡。

由电桥平衡原理有: 图2-1 QS1西林电桥面板图 BD CBAD CA U U U U =即: BD CB AD CA Z Z Z Z = (式2-1)各桥臂阻抗分别为:将各桥臂阻抗代入式2-?,并使等式两边的实部和虚部分别相等,可得:34R R C C N X ⋅= 44R C tg ⋅⋅=ϖδ (式2-2)在电桥中,R 4的数值取为=10000/π=3184(Ω),电源频率ω=100π,因此: tg δ= C 4(μf ) (式2-3)即在C 4电容箱的刻度盘上完全可以将C 4的电容值直接刻度成tg δ值(实际上是刻度成tg δ(%)值),便于直读。

tanδ测量标准

tanδ测量标准

tanδ测量标准什么是[tanδ测量标准]?在电气工程领域,tanδ(Tangent Delta)是指介质损耗角正切的物理量,也是介质电阻和电容之间的关系。

因此,tanδ测量标准就是用来衡量并评估介质的损耗特性的一系列标准和规范。

为什么需要[tanδ测量标准]?在电力设备和电子器件中,介质损耗可以导致能量的损耗和转化效率的降低。

了解介质的损耗特性对于设计和制造高性能电器设备是至关重要的。

应用和遵循tanδ测量标准可以确保电器设备的质量和可靠性,并确保其在长期运行过程中的稳定性。

tanδ测量标准的主要内容1. 测试频率和电压在tanδ测量中,需要确定合适的测试频率和电压。

测试频率一般为50Hz或者60Hz,这是由电网的标准频率决定的。

测试电压则要根据被测介质的额定电压和使用环境来确定。

这些参数的选择应遵循国际电工委员会(IEC)和其他相关标准组织的规定。

2. 测试装置和仪器tanδ测量需要使用专门的测试装置和仪器,例如电桥和信号发生器等。

这些仪器需要符合国际标准,例如IEC 60815和IEC 60270等。

测试装置的精度和可靠性对于测量结果的准确性至关重要,因此在选择和使用测试装置时,需要参考相关的标准和规范。

3. 测量方法和数据处理tanδ测量的方法包括比例法和桥式法。

比例法是通过比较被测样品的损耗功率与参考样品的损耗功率来测量tanδ。

桥式法则是通过测量电桥的平衡状态来确定tanδ值。

在进行测量时,需要考虑环境温度和湿度等因素对测量结果的影响,并进行相应的修正和校准。

4. 测量结果的评估tanδ测量的结果需要进行评估和判定。

通常,tanδ值应与设备制造商或相关标准的规定进行比较,以确定样品是否符合要求。

根据测量结果,可以评估介质的质量和性能,并采取相应的措施,例如更换或维修。

5. 标准的更新和发展随着电力工程和电气设备的不断发展,tanδ测量标准也在不断更新和发展。

制定和修订tanδ测量标准是一个持续的过程,需要考虑新材料和新技术的引入。

物理实验技术中的电介质性能测量方法与技巧

物理实验技术中的电介质性能测量方法与技巧

物理实验技术中的电介质性能测量方法与技巧电介质是电子学和电力系统中不可或缺的一部分。

电介质的性能测量是衡量其质量和可靠性的重要手段。

本文将介绍电介质性能测量的一些常用方法与技巧。

一、介电常数的测量方法与技巧介电常数是电介质性能的重要参数之一。

可通过多种方法测量。

其中,频率法是最常用的方法之一。

该方法通过改变测试信号的频率,测量电介质对电磁场的响应,确定介电常数。

测量时应注意以下技巧:1.1 利用阻抗测量方法,在不同的频率下测量电容与电阻值。

根据电容与电阻值的变化规律,可得到电介质的介电常数。

1.2 注意测试环境的稳定性,控制温度和湿度的影响。

温度和湿度的变化会影响电介质的性能,因此应在相对恒定的环境中进行测量。

1.3 使用合适的测量装置,如网络分析仪或LCR仪。

这些仪器能够提供准确的频率和阻抗测量结果。

二、介质损耗角正切的测量方法与技巧介质损耗角正切是衡量电介质功率损耗的重要指标。

常用的测量方法有如下几种:2.1 电桥法是一种常见的测量方法。

通过比较正弦波电桥的平衡与不平衡情况,可得到介质的耗散功率和相位差。

在实验中应注意调节电桥平衡,保持稳定的测量信号。

2.2 利用微小信号测量法,测量介电损耗角正切。

通过施加微小幅度的正弦信号,测量被测介质的电流响应,进而得到介质的损耗角正切。

在实验过程中应关注信号的幅度和频率选择,以避免测量误差。

2.3 进行频率扫描测量。

通过改变信号频率,观察介质损耗角正切与频率的关系,以确定其频率响应特性。

三、电介质的击穿强度测量方法与技巧击穿强度是电介质耐电能力的重要指标。

以下是常用的测量方法和技巧:3.1 空气间隙法是一种常见的测量方法。

通过在两个金属电极之间形成空气间隙,施加逐渐增加的电压,测量电介质的击穿电压。

在实验中应避免电极和电介质的不均匀性,以确保测量的准确性。

3.2 液体浸入法也是一种常用的方法。

这种方法适用于液体介质的击穿强度测量。

实验时应注意液体介质的温度、纯度和浸润性对测量结果的影响。

电介质材料的介电常数及损耗角正切测试

电介质材料的介电常数及损耗角正切测试

电介质材料的介电常数及损耗角正切测试介电常数和损耗角正切是描述电介质材料特性的重要参数,在电子工程和材料科学领域具有重要的应用价值。

本文将介绍电介质材料的介电常数和损耗角正切的测试方法和意义。

一、什么是电介质材料的介电常数?电介质材料的介电常数是描述材料对电场的响应能力的物理量,它反映了电介质材料内部存在的电偶极矩的强弱程度。

电偶极矩是电介质材料中正负电荷之间的分离产生的电荷生成的电场,介电常数越大,表示电介质材料对电场的响应能力越强。

二、电介质材料的介电常数测试方法1. 平板电容法平板电容法是一种常用的测量电介质材料介电常数的方法。

这种方法主要通过在电介质材料上施加电压,然后测量材料上产生的电容值,从而计算出介电常数。

2. 微波共振法微波共振法是用于测量电介质材料的介电常数的另一种常用方法。

该方法利用微波的特性,在不同频率下测量材料的反射和透射系数,从而得到材料的介电常数。

三、电介质材料的损耗角正切损耗角正切是描述电介质材料中电能转化为热损耗的能力的物理量。

损耗角正切越大,表示材料对电能的损耗越大。

电介质材料的损耗角正切与介电常数密切相关,通常情况下,介电常数与损耗角正切成反比。

四、电介质材料的损耗角正切测试方法1. 谐振法谐振法是一种测量电介质材料损耗角正切的方法。

该方法通过在材料上施加一定频率和振幅的交流电压,然后测量电压和电流的相位差,通过计算相位差的正切值得到损耗角正切。

2. 微波漏耗法微波漏耗法是另一种测试电介质材料损耗角正切的方法。

该方法通过在微波频率下测量材料的功率损耗,在已知电场强度下计算损耗角正切。

五、电介质材料的介电常数和损耗角正切的意义电介质材料的介电常数和损耗角正切是评价材料电性能的重要指标,对电子器件和电力设备的设计和性能分析具有重要的意义。

介电常数的大小直接影响电容器的容量和电压的分配。

在电子器件中,合适的介电常数可以减小电容器体积,提高装置的性能和可靠性。

损耗角正切是评估材料对电能损耗的能力,它与电介质材料的内部结构和分子极性密切相关。

电容与介质损耗角正切的测量(下)分析课件

电容与介质损耗角正切的测量(下)分析课件
定。
电容的单位是法拉,国际单位制 中的基本单位。
电容的数值等于电容器两极板间 的电势差与流过电容器的电流之
比。
介质损耗角正切的基本概念
介质损耗角正切是衡量电介质材料在 交流电压作用下能量损耗的物理量, 用tanδ表示。
介质损耗角正切的大小与电介质材料 的性质、温度、湿度等因素有关。
介质损耗角正切反映了电介质在交流 电场中的能量损耗程度,其值越大, 表示电介质中的能量损耗越大。
电容与介质损耗角正切的关系
电容与介质损耗角正切之间存在一定的 关系,通过测量介质损耗角正切可以推
算出电容值,反之亦然。
在交流电压作用下,电容器中的电介质 会因为极化效应产生能量损耗,这种能 量损耗与电介质材料的性质、温度、湿 度等因素有关,可以通过介质损耗角正
切来衡量。
电容和介质损耗角正切之间的关系可以 用数学公式表示,对于不同的电容器和
电介质材料,其关系式有所不同。
02
电容与介质损耗角正切的测量方 法
电容的测量方法
01
02
03
直接法
通过测量电容器两端的电 压和电流,利用公式 C=Q/V计算电容值。
电桥法
利用电桥平衡原理,将待 测电容与标准电容进行比 较,从而确定待测电容的 容量。
谐振法
利用电路谐振时电感器和 电容器的电压或电流之间 的比例关系,计算电容值 。
超声波测量技术
利用超声波的传播特性进行测量,具有穿透性强、检测深度大等优 点,在无损检测、流体测量等领域有广泛应用前景。
磁测量技术
利用磁场的特性进行测量,具有非接触、无损、高精度等优点,在 磁场分布、磁性材料等领域有广泛应用前景。
未来研究方向与展望
交叉学科研究

电容esr与介质损耗角正切的计算公式

电容esr与介质损耗角正切的计算公式

电容esr与介质损耗角正切的计算公式
我们要探讨电容的ESR(等效串联电阻)与介质损耗角正切(tan δ)之间的关系,并给出相关的计算公式。

ESR和tan δ都是描述电容器性能的重要参数,它们都与电容器的内部损耗有关。

ESR(等效串联电阻)通常用于描述电容器在交流电路中的电阻性损耗。

tan δ(介质损耗角正切)是描述电容器介质损耗的一个参数,它是电容器损耗角的正切值。

ESR和tan δ之间的关系可以通过以下公式表示:
ESR = (tan δ) / (ω × C)
其中,ω是角频率(ω = 2πf,f是频率),C是电容值。

这个公式告诉我们,在给定的频率和电容值下,ESR与tan δ成正比。

也就是说,tan δ越大,ESR也越大,电容器的内部损耗也就越大。

需要注意的是,这个公式是在一些假设条件下得出的,例如电容器是理想的、没有电感效应等。

在实际应用中,电容器的ESR和tan δ可能会受到温度、电压、频率等多种因素的影响,因此在使用这个公式时需要注意其适用范围。

以上公式可以帮助我们理解ESR与tan δ之间的关系,并用于一些简单的计算。

但在实际应用中,我们可能需要更详细的电容器模型和更复杂的计算公式来准确描述电容器的性能。

介质损耗角正切值的测量ppt课件

介质损耗角正切值的测量ppt课件
4. 试品表面泄漏的影响 试品表面泄漏电阻总是与试品等值电阻Rx 并联,显然会影响所测得的tanδ值,这在试 品的Cx较小时尤需注意.
15
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• 7、将电压降至零,切断电源。记录数据,各旋钮 复零。
• 8、tanσ调至Ⅱ档,重复6、7。
12
影响tgδ测量结果的因素
1、温度的影响 • 一般绝缘的tgδ值均随温度的上升而增加。 • 一般来说,对各种被试品,不同温度下tgδ的值是
不可能通过通常的换算式获得准确的换算的,应 尽量争取在差不多的温度条件下测出tgδ值,并以 此来作相互比较。 • 通常都以20℃时的作为参考标准,为此,一般要 在10~30℃范围内测量。
❖ 通过测量tgδ值可以发现绝缘的分布性缺陷. ❖ 若 缺 陷 部 分 在 整 个 绝 缘 中 的 体 积 较 大 , 则 测 量 tg
容易发现绝缘的缺陷。
❖如果绝缘缺陷是集中性的(非贯穿性的),或缺陷 部分在整个绝缘中占很小的体积,则该方法不很有 效.
用于对套管、电力变压器、互感器和某些电容器的 测量.
介质损失角正切值tg的测量xi?ri?ci?cxrxrc?当电气设备绝缘整体性能下降如普遍受潮脏污或老化以及绝缘中有间隙发生局部放电时流过绝缘的有功电流分量当电气设备绝缘整体性能下降如普遍受潮脏污或老化以及绝缘中有间隙发生局部放电时流过绝缘的有功电流分量irx将增大tg也增大
基本原理
• 电介质在电场作用下产生能量。
3
试验方法
• 仪器:西林电桥或 介质损耗测量仪
• 西林电桥 • 电桥的四个臂: • CN—标准电容器 • ZX—被试品 • C4—可调电容 • R3— 可调电阻

电容的ESR以及损耗正切角

电容的ESR以及损耗正切角

漏电流
Leakage current
Time (minutes)
Fig. 1-6 Leakage current vs. Time
Measuring temperature and voltage affect the leakage current. The leakage current shows higher values as the temperature and voltage increase.
2 About the Life of an Aluminum electrolytic Capacitor 2-1 Estimation of life with minimal ripple current (negligible). Generally, the life of an aluminum electrolytic capacitor is closely related with its ambient temperature and the life will be approximately the same as the one obtained by Arrhenius' equation.
δ 图 1-5
Tanδ =RESR/ (1/ωC)= ωC RESR
RESR
其中:RESR=ESR(120 Hz)
ω=2πf
f=120Hz
Tanδ 随着测量频率的增加而变大,随测量温度的下降而增大。
1-3-3 等效串联电阻(ESR) 由铝箔氧化膜的介质电阻、电解液以及电解纸的复合电阻以及由于引 出线与铝箔的接触电阻共同构成了等效串联电阻。 等效串联电阻的值和温度有关系。温度下降,电解液电阻率上升,从 而导致等效串联电阻上升, 测试频率的上升,等效串联电阻下降并几乎达到一个常数值,该值主 要是由电解液和电解纸引起的与频率无关的复合电阻。

电容与介质损耗角正切的测量(下)

电容与介质损耗角正切的测量(下)
A,C两点对地电容: 与电源和指示器并联
AE、EC、AF、 FC间的杂散电容 对电容测量无影响, 对损耗角的影响可 以估计出来。
E,F分布电容采用 替代法可以减弱
B,D接地,不存在 对地分布电容
2.双T电桥用于高频测试且能获得高精度的原因:
(2).结构上可以作得很对称,可以抵消一些影响。
(3).仪器结构紧凑,连接导线短,接头采用 同轴型连接器等,使这种电桥不需要特殊 屏蔽措施。
Q表法
将高频信号源、指示部分、测量回路、电源部分 做到一起,就形成了Q表。
Q表的用途
Q表可以用来测量高频电感或谐振回路的Q值、电 感器的电感量及其分布电容量、电容器的电容量 及其损耗角、电工材料的高频介质损耗、高频回 路的有效并联电阻及串联电阻、传输线特性阻抗 等。 Q表虽然型号不少。但是它们除频率范围、测量 范围、测量精度等不完全一样外,基本使用方法 是相同的。
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第二章 电容与介质损耗角正切的测量
低频下 高频下
极低频下 超高频下
相对介电系数和介质损角正切的测量
电容器高频参数及频率特性的测量
高频下相对介电系数和介质损耗角 正切的测量
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高频下相对介电系数和介质损耗角正切的测量
电阻臂电 感、电容 频率增 高 桥臂间杂 散电容 影响严重
普通电 桥测试 误差加 大甚至 不能测 试
Q表法
(2)变Q值法的测量原理 刻度成倍率 UC
线路的品质因数Q定义为: Q=UC/E0 Q的倒数定义为线路的损耗因数tgδ : 回路电流 I0=E0/(R0+RL) Uc=I0/ωC =E0/ ωC(R0+RL) =E0/ tgδ =E0Q Q=UC/E0=kUC
tgδ=1/ Q=E0/UC

介质损耗正切角tanδ

介质损耗正切角tanδ

介质损耗正切角(Tan Delta)的概念与意义1. 引言介质损耗正切角(Tan Delta)是电气工程中一个重要的物理量,用以描述介质对电能的损耗程度。

它是介质中损耗功率与储存功率之比的正切值,也常被称为介质的损耗因数。

本文将详细介绍Tan Delta的概念、测量方法、应用领域以及意义。

2. Tan Delta的定义在电力系统中,传输线和电容器等元件中常常存在着电能的损耗。

当电能从一种形式转化为另一种形式时,会因为一些不可避免的效应而产生能量损耗。

这种损耗是由于电场在介质中的能量耗散引起的。

介质损耗正切角Tan Delta是介质的特性之一,用以描述介质中电能的损耗程度。

它是介质中损耗功率与储存功率之比的正切值,记作tanδ。

其中,损耗功率指的是在介质中转化为其他形式能量的功率,储存功率则是指在介质中储存的能量。

3. Tan Delta的测量方法Tan Delta的测量通常需要使用专门的仪器和设备。

下面介绍几种常用的测量方法。

3.1 可变电容器法可变电容器法是一种常用的测量Tan Delta的方法。

该方法使用一个可变电容器与被测样品电容器连接,在不同频率下通过改变可变电容器的电容值来测量Tan Delta。

通过测量电容值的变化和相应的相位差,可以计算出Tan Delta的值。

3.2 桥路法桥路法是另一种常用的测量Tan Delta的方法。

该方法使用交流桥路来测量电容器的电阻和电容值以及相应的相位差,通过这些测量结果可以计算出Tan Delta的值。

3.3 光学法光学法是一种非接触式的测量Tan Delta的方法。

该方法使用光学传感器来测量介质中的光学特性,并通过这些测量结果计算出Tan Delta的值。

4. Tan Delta的应用领域Tan Delta在电力系统和电气设备的设计、制造及维护过程中起着重要的作用。

以下是一些Tan Delta的应用领域:4.1 电容器选择和评估在电力系统中,电容器广泛应用于电力传输和电能储存等场景。

高电压技术:4.2 介质损耗角正切的测量

高电压技术:4.2 介质损耗角正切的测量

4.2.1 西林电桥测量法的基本原理
1.普通电桥原理
Rx
电桥平衡时: U AB 0

••

即:U CA U CB U AD U BD
U CA U CB
U U
AD BD
I1Z1 I1Z3
I2Z2 I2Z4
U
Z1Z4 Z2Z3
Z1 Z4 Z2 Z3
1 4 2 3
2
Cx
Z1 A
R3
• 答:
• 西林电桥是利用电桥平衡的原理,当流过电桥的电流相 等时,电流检流计指向零点,即没有电流通过电流检流 计,此时电桥相对桥臂上的阻抗乘积值相等,通过改变 R3和C4来确定电桥的平衡以最终计算出Cx和tanδ。
• 采用标准电容器是因为计算被试品的电容需要多个值来 确定,如果定下桥臂的电容值,在计算出tanδ的情况下 仅仅调节电阻值就可以最终确定被试品电容值的大小。
C4
Z1
1 Rx
1
jCx
Z2
1
jCN
Z3 R3
1
Z4
1 R4
jC4
当电桥平衡时,IG=0,应满足: Z X Z4 ZnZ3
整理得:
(1 R4 RX
2C4CX )
j(C4
RX
CX
R4
)
j Cn
R3
左边实部显然等于零,整理可得:
1
RX CX
R4C4
故有:
tan
1
RX CX
R4C4
2fR4C4
3. 试品电容量的影响
对于电容量较小的试品(例如套管、互感器 等),测量tanδ能有效地发现局部集中性缺陷和整 体分布性缺陷。但对电容量较大的试品(例如大 中型发电机、变压器、电力电缆、电力电容器等) 测量tanδ只能发现整体分布性缺陷

高电压技术介质损耗角正切值(tanδ)的测量实验报告

高电压技术介质损耗角正切值(tanδ)的测量实验报告

实验报告
实验项目:介质损耗角正切值(tanδ)的测量
备注:序号(一)、(二)、(三)为实验预习填写项
五、程序调试及实验总结
实验过程:
正接法:反接法:
实验总结:
通过这次实验,我收获了很多知识和技能。

我认识到了介质损耗角正切值(tanδ)的重要性,它可以反映电介质的绝缘状况和缺陷,对于电气设备的预防性试验和故障诊断有着重要的作用。

我学习了使用西林电桥测量tanδ的方法,包括正接法和反接法,它们各有优缺点,需要根据被试品和电桥的绝缘情况选择合适的接线方式。

通过这次实验,我不仅掌握了一种实用的测量技术,而且培养了我的动手能力和观察能力,增强了我的实验兴趣和创新意识。

我感受到了理论与实践相结合的重要性,也发现了自己在实验中存在的不足和问题,对一些概念和现象的理解不够深刻,对电桥的结构和工作原理的掌握不够熟练,对实验数据的分析和处理的能力不够强等。

我希望在今后的学习中,我能够不断地充实自己的理论知识,加强自己的实验技能,提高自己的科学素养,为成为一名优秀的电气工程师打下坚实的基础。

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X=ωL-1/ωC=0
k=1/E0
倍率
Q表法
(3)变Q值法测量电容和损耗角的原理
a.小电容测试 b.大电容测试
c.对损耗大的电容或介质材料测试
Q表法
a.小电容测试
一般采用替代法,不接入和接入样品分别两次测量读取测量值C1、Q1,C2、Q2
不接入样品,选用适当线圈L,调节ω到规定频率, 调节调谐电容使回路发生谐振,记下C1,Q1。
1.谐振法的基本原理
替代法测电容:
不接试样,调电容使电路 发生谐振,电容读数为C1,
测tgδ 由于具体方法和线路不同分为五种: 1.变电阻法
1
1 LC1
2.变电导法
3.变频法 4.变电纳法(失谐法) 5.变Q值法(谐振升高法)
接试样,调电容使电路发 生谐振,电容读数为C2,
2
1 L C2 C x
被测试样接入aa’端时,利用替代法两次测量, 利用两次平衡方程实部和虚部相等可以推导
一、双T电桥
aa’端作为测量端,有:
Cxaa C30 C31
2C 2 RC3 1 tg x Cx Rx C1C2
C3 C31 C30 C2 C20 C21
C20、C30——不接试样时,电桥平衡时的C2、C3; C21、C31——接试样时,电桥重新平衡时的C2、C3。
Q表法
将高频信号源、指示部分、测量回路、电源部分 做到一起,就形成了Q表。
Q表的用途
Q表可以用来测量高频电感或谐振回路的Q值、电 感器的电感量及其分布电容量、电容器的电容量 及其损耗角、电工材料的高频介质损耗、高频回 路的有效并联电阻及串联电阻、传输线特性阻抗 等。 Q表虽然型号不少。但是它们除频率范围、测量 范围、测量精度等不完全一样外,基本使用方法 是相同的。
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第二章 电容与介质损耗角正切的测量
低频下 高频下
极低频下 超高频下
相对介电系数和介质损角正切的测量
电容器高频参数及频率特性的测量
高频下相对介电系数和介质损耗角 正切的测量
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高频下相对介电系数和介质损耗角正切的测量
电阻臂电 感、电容 频率增 高 桥臂间杂 散电容 影响严重
普通电 桥测试 误差加 大甚至 不能测 试
A,C两点对地电容: 与电源和指示器并联
AE、EC、AF、 FC间的杂散电容 对电容测量无影响, 对损耗角的影响可 以估计出来。
E,F分布电容采用 替代法可以减弱
B,D接地,不存在 对地分布电容
2.双T电桥用于高频测试且能获得高精度的原因:
(2).结构上可以作得很对称,可以抵消一些影响。
(3).仪器结构紧凑,连接导线短,接头采用 同轴型连接器等,使这种电桥不需要特殊 屏蔽措施。
令“C1 CN ”代替“C1”
tg x
C1 (Q1 Q2 ) Q1Q2 (C1 C2 )
Q表法
c.对损耗大的电容或介质材料测试
因为损耗大,谐振曲线比较平坦,因此很难确定谐振 的发生,难以准确地确定回路谐振时的调谐电容值。
基本思想:
借助于一小损耗的附加电容器CN与被测电容串联组成一 电路,将该电路并在调谐电容两端,从而使回路谐振曲 线变尖锐,谐振峰值变明显,然后再求出附加电容器CN, QN通过计算得到试样Cx和tgδ x
适用的频率范围可达到250MHz
二、谐振法
1.谐振法的基本原理
2.四种常见的谐振法: 变电阻法、变电导法、变Q值法、变电纳法(或 失谐法)
1.谐振法的基本原理
串联谐振电路
1 Z ( j ) R jX R j ( L ) C
等效电抗:
1 X ( ) L C 1 某一频率 0 使得 0 L , 0C
③电容耦合 通过电容C0耦合到串联谐振回路; 为保证松耦合的要求,使1/(ωC0)>> ωL,从而限制了电容耦合在 很高频率下应用。 用于100MHz以下频率
常用的松耦合方式
④互感耦合(磁耦合) 通过电感线圈之间的互感将高频信号耦 合到串联谐振回路中; 通过调整将 L’和L之间的距离,就可调节 耦合强弱,从而达到适度的松耦合。 应用的最高频率可达1000MHz
C1 1
2L
Q1
1 1 C1 ( RL R0 ) C1RL
接入样品,保持ω不变,减小调谐电容C 使回路恢复谐振,记下C2,Q2。
C2 Cx 1
Q2 1
2L
C2 Cx ( RL Rs )

C1 C2 C x
1
2L
可得, Cx C1 C2
与调谐电容并联的电导 代替回路中串联的电阻
其测量方法与变电阻法完全相同
1.接入试样,打开开关,调C使电路谐振。
2.取出试样,闭合开关,调C使电路谐振,此时电容为C2, 同时调节R使回路电流仍为I0’,此时电阻为R。
谐振法——Q表法
变Q值法(谐振升高法或Q表法)
(1)变Q值法的电路原理
高频信号源:产生一定频率信号,且连续可调 指示部分:谐振电压伏特计和回路电流安培计 测量回路:标准电感和可变电容组成谐振回路, 电源部分:采用松耦合加入测试回路
Cx C1 C2
2、谐振法——变电阻法
基本特点:
谐振回路中串联一可变的标准电阻。
3.改变C 使谐振。 2.接入 试样。
步骤:
1.接入试样,闭合开关,调C使电路谐振。
谐振发生时,电流表的读数最大。
谐振电流: I 0
E RL Rs
1.闭合开关, 可变电阻 短路。
E—闭合回路中通过电感耦合的感应电势 RL —回路中总的线路电阻,可近似认为是电感线圈的电阻 Rs —闭合等效负载损耗电阻
1 串联谐振角频率 0 LC
X ( 0 ) 0 此时为串联谐振。
串联谐振频率 f 0
1 2 LC
串联谐振电路
串联谐振时,电路的特殊现象:
1. X ( ) 0, Z ( j ) R
阻抗的模最小 电流值最大,且与电压同相。
S S U U O I Z ( j ) R
定义谐振电路的品质因数为:
电磁场总能量 Q 2 谐振一周期电路的能量损耗
谐振时,电磁场总能量不变,应等于电场(或磁场)能量的最大值:
1 1 2 2 CU C 0 m LI 0 m 2 2 1 2 LI 0 m U LO U CO L 0 L 1 2 Q 2 2 f 0 2 US US T0 RI 0 R R 0CR
若: 0 L
有效值都将远大于激励电压的有效值
串联谐振电路
串联谐振时,电路的特殊现象: 3.
谐振时,电感电压与电容电压等值异号,即电感电容吸 收等值异号的无功功率,使电路吸收的无功功率为0; 电场能量和磁场能量都在不断变化,但此增彼减,互相补 偿,这部分能量在电场和磁场之间振荡,全电路电磁场能 量总和不变; 激励供给电路的能量全转化为电阻发热。 为了维持振荡,激励必须不断供给能量补偿电阻的发 热消耗,与电路中总的电磁场能量相比每振荡一次电 路消耗的能量越少,电路的品质越好。
根据等效电路推算:
作业!
Q表法
②可借助损耗很小的辅助标准电容, 采用并联替代法测试
先将辅助标准电容与调谐电容并联,选用适当线圈L,调节ω到规定 频率,调节调谐电容使回路发生谐振,记下C1,Q1。 再将样品与与调谐电容并联,保持ω不变,减小调谐电容C使回路 恢复谐振,记下C2,Q2。 并联替代法
Cx C1 C2
所以:
一、双T电桥
因此,可以根据上式,在Z2(或Z2’) 上并联被测电容,用替代法两次测 量可以确定被测电容容值和损耗角 正切值。 Z2或Z2’并联 被测电容
一、双T电桥
Z1’为电容C1 Z1,Z3为电容C Z3’为无感电阻R
Z2为辅助线圈 和标准可调电 容C2
Z2’为辅助线圈 和标准可调电 容C3
常用的松耦合方式
L’ L0
②低电感耦合 将 L’和L0分别代替低电阻耦合的R、R0, L0要求做到0.1nH一下; L’不能接地,电感线圈L’必须加以屏蔽,这将导致屏与地的分布 电容跨接在耦合电感L0上,需要事先考虑其影响,并加以修正。
低电感耦合的Q表,使用频率可达300MHz
常用的松耦合方式
特殊电桥
双T电桥
集中参数谐振 (一般高频)
谐振法 分布参数谐振 (特高频)
一、双T电桥
1.原理
2.能用于高频测量的原因
一、双T电桥
1.双T电桥的原理
两个并联的T型网络 四端网络
T T
I0’
I0
平衡条件:I0+I0’=0 即C,D等电位, 因此电路可等效如图:
一、双T电桥
回路总电流
并联支路电压 I0 同样可得:
Q表法
(2)变Q值法的测量原理 刻度成倍率 UC
线路的品质因数Q定义为: Q=UC/E0 Q的倒数定义为线路的损耗因数tgδ : 回路电流 I0=E0/(R0+RL) Uc=I0/ωC =E0/ ωC(R0+RL) =E0/ tgδ =E0Q Q=UC/E0=kUC
tgδ=1/ Q=E0/UC
串联谐振时有:
Q表法
a.小电容测试
Rs’由如图等值变换计算确定
实部相等: 因ω很高,RS又较大,所以有: 根据虚部相等:
Q表法
b.大电容测试
当被测电容较大时,利用调谐电容的并联替代法无法测量。
①串联替代法测试
串接如电 感端
②可借助损耗很小的辅助标准电容采用并联替代法测试
Q表法
①串联替代法测试
选用适当线圈L接入A、B端,调节ω到规定频率, 调节调谐电容使回路发生谐振,记下C1,Q1。 将被测电容Cx与L串联后接入A、B端,保持ω不变, 调节调谐电容C使回路恢复谐振,记下C2,Q2。
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