半导体芯片制造中级复习题a.doc
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案2025年

2025年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、在半导体工艺中,使用多种类型的光刻胶,其中最常用于大规模集成电路生产的是()。
A. GRI-45B. GRI-25C. GRI-46D. GRI-422、MOS(金属-氧化物-半导体)制作技术中,晶体管结构所采用的材料中不包括()。
A. 金属B. 绝缘体C. 导电材料D. 电阻体3.在半导体制造工艺中,以下哪个步骤不属于典型的半导体制造流程?A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 清洗4.下列哪种材料是用于制作半导体器件的理想材料?A. 铜B. 锌C. 石墨D. 硅5、以下哪个半导体工艺技术能够实现更小的晶体管尺寸?A、传统CMOS工艺B、FinFET工艺C、GAAFET工艺D、平面晶体管工艺6、在半导体制造过程中,以下哪个步骤是为了提高硅片的纯度?A、扩散B、蚀刻C、清洗D、热处理7、半导体材料中最常用的材料是什么?()A. 硅(Si)B. 铜(Cu)C. 金(Au)D. 镁(Mg)8、在芯片制造过程中,光刻技术的主要作用是什么?()A. 去除不需要的材料B. 增加材料的功能性C. 将电路设计图案转移到硅片上D. 加热固化硅片结构9.在半导体制造工艺中,以下哪个步骤不属于典型的CMOS工艺流程?A. 氧化硅膜沉积B. 光刻C. 切割D. 离子注入 10.在半导体器件中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的主要组成部分包括:A. 沟道区B. 源极C. 栅极D. 上述全部二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪个物理现象通常用于提高晶体管开关速度?()A、短沟道效应B、量子隧道效应C、沟道极化D、多晶硅栅极2、在数字电路中,一种常见的数字缓冲器是 _ 。
()A、反馈触发器B、D触发器C、三态缓冲器D、差分放大器3.以下关于半导体材料的说法正确的是():A. SiC的禁带宽度比 Si 更宽B. GaN的发光效率比 Si 更高C. InGaAs 的电子迁移率比 Si 更快D. ZnSe可以用于制造红光 LED4.在半导体器件制造中,对于离子注入工艺,正确的工作原则包括():A. 离子注入可以形成三维空间中的杂质分布B. 注入离子可以改变晶格特性,增强材料强度C. 注入离子能量过高,可能导致晶体缺陷D. 离子注入温度应当尽可能高,以提高注入效率5.半导体芯片制造过程中,哪些步骤通常需要使用光刻技术?A. 芯片设计B. 光刻C. 薄膜沉积D. 金属化6.在半导体器件中,MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的主要组成部分包括:A. 沟道区B. 源极C. 次沟道区D. 栅极7、在半导体的制造过程中,以下哪个工艺步骤不用于清洗晶圆?A. 刻蚀B. 化学机械抛光C. 清洁去毛刺D.湿法沉积8、在半导体制造过程中,以下哪种类型的晶圆对齐是用来确保图案精确地转移到光罩上的?A. 接触式对准B. 深亚微米对准C. 缩放对准D. 光学对准9.在半导体行业中,晶体管通常分为两种类型:双极型晶体管(BJTs)和场效应晶体管(FETs)。
《半导体集成电路》考试题目及参考答案(DOC)

第一部分考试试题第0章绪论1.什么叫半导体集成电路?2.按照半导体集成电路的集成度来分,分为哪些类型,请同时写出它们对应的英文缩写?3.按照器件类型分,半导体集成电路分为哪几类?4.按电路功能或信号类型分,半导体集成电路分为哪几类?5.什么是特征尺寸?它对集成电路工艺有何影响?6.名词解释:集成度、wafer size、die size、摩尔定律?第1章集成电路的基本制造工艺1.四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用?2.在制作晶体管的时候,衬底材料电阻率的选取对器件有何影响?。
3.简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤?4.简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤?5.以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足?6.以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点?并请提出改进方法。
7. 请画出NPN晶体管的版图,并且标注各层掺杂区域类型。
8.请画出CMOS反相器的版图,并标注各层掺杂类型和输入输出端子。
第2章集成电路中的晶体管及其寄生效应1.简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略?。
2.什么是集成双极晶体管的无源寄生效应?3. 什么是MOS晶体管的有源寄生效应?4. 什么是MOS晶体管的闩锁效应,其对晶体管有什么影响?5. 消除“Latch-up”效应的方法?6.如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应?7. 如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应?第3章集成电路中的无源元件1.双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪些?2.集成电路中常用的电容有哪些。
3. 为什么基区薄层电阻需要修正。
4. 为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线。
5. 运用基区扩散电阻,设计一个方块电阻200欧,阻值为1K的电阻,已知耗散功率为20W/c㎡,该电阻上的压降为5V,设计此电阻。
第4章TTL电路1.名词解释电压传输特性开门/关门电平逻辑摆幅过渡区宽度输入短路电流输入漏电流静态功耗瞬态延迟时间瞬态存储时间瞬态上升时间瞬态下降时间瞬时导通时间2. 分析四管标准TTL与非门(稳态时)各管的工作状态?3. 在四管标准与非门中,那个管子会对瞬态特性影响最大,并分析原因以及带来那些困难。
半导体芯片制造中级工试题

1、单项选择题半导体分立器件、集成电路对外壳的主要要求之一是:良好的热性能。
外壳应有小的(),使芯片的热量有效地散逸出去,保证器件在正常结温下工作。
A.热阻B.阻抗C.结构参数2、填空题热分解化学气相淀积二氧化硅是利用()化合物,经过热分解反应,在基片表面淀积二氧化硅。
3、单项选择题反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合4、单项选择题器件的横向尺寸控制几乎全由()来实现。
B.扩散C.光刻5、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内()控制。
6、单项选择题pn结的击穿电压和反向漏电流既是晶体管的重要直流参数,也是评价()的重要标志。
A.扩散层质量B.设计C.光刻7、单项选择题溅射法是由()轰击靶材表面,使靶原子从靶表面飞溅出来淀积在衬底上形成薄膜。
B.中性粒子C.带能离子8、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属9、判断题没有经济收入或交纳党费有困难的党员,由本人提出申请,经党支部委员会同意,可以少交或免交。
10、填空题气中的一个小尘埃将影响整个芯片的()性、()率,并影响其电学性能和()性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
11、单项选择题常用胶粘剂有热固性树脂、热塑性树脂和橡胶型胶粘剂3大类。
半导体器件的粘封工艺一般选用()。
A.热塑性树脂B.热固性或橡胶型胶粘剂12、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
13、填空题芯片焊接质量通常进行镜检和()两项试验。
14、问答题什么叫晶体缺陷?15、问答题简述你所在工艺的工艺质量要求?你如何检查你的工艺质量?16、问答题简述在芯片制造中对金属电极材料有什么要求?17、单项选择题双极晶体管的高频参数是()。
半导体芯片制造工:半导体芯片制造中级工考试资料模拟考试卷.doc

半导体芯片制造工:半导体芯片制造中级工考试资料模拟考试卷考试时间:120分钟 考试总分:100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,确保考试结果公正。
1、问答题衬底清洗过程包括哪几个步骤?本题答案:(1)擦洗表面的大块污物;(2)浸泡;(3)化学腐蚀; 本题解析:(1)擦洗表面的大块污物;(2)浸泡;(3)化学腐蚀;(4)水清洗;(5)干燥。
2、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?( )A 、高斯函数 B 、余误差函数 C 、指数函数 D 、线性函数 本题答案:B 本题解析:暂无解析 3、填空题工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、( )、( )、书写工整、( )。
本题答案:真实;完整;数据准确 本题解析:真实;完整;数据准确 4、单项选择题离子注入层的深度主要取决于离子注入的( )。
A.能量姓名:________________ 班级:________________ 学号:________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------B.剂量本题答案:A本题解析:暂无解析5、填空题白光照射二氧化硅时,不同的厚度有不同的()。
本题答案:干涉色本题解析:干涉色6、单项选择题从离子源引出的是:()A、原子束B、分子束C、中子束D、离子束本题答案:D本题解析:暂无解析7、单项选择题人们规定:()电压为安全电压.A.36伏以下B.50伏以下C.24伏以下本题答案:A本题解析:暂无解析8、问答题为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术?本题答案:半导体芯片制造,尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的本题解析:半导体芯片制造,尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展,要求获得细线条、高精度、大面积的图形,各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。
(完整版)半导体工艺复习题..

填空 20’简答20’判断10’综合50’第一单元1.必定温度,杂质在晶体中拥有最大均衡浓度,这一均衡浓度就称为何?固溶度2.按制备时有无使用坩埚分为两类,有坩埚分为?无坩埚分为?(P24)有坩埚:直拉法、磁控直拉法无坩埚:悬浮区熔法3.外延工艺按方法可分为哪些?(P37)气相外延、液相外延、固相外延和分子束外延4.Wafer 的中文含义是什么?当前常用的资料有哪两种?晶圆;硅和锗5.自混杂效应与互扩散效应(P47-48)左图:自混杂效应是指高温外延时,高混杂衬底的杂质反扩散进入气相界限层,又从界限层扩散掺入外延层的现象。
自混杂效应是气相外延的本征效应,不行能完好防止。
自混杂效应的影响:○1改变外延层和衬底杂质浓度及散布○2对p/n或n/p硅外延,改变pn 结地点右图:互(外)扩散效应:指高温外延时,衬底中的杂质与外延层中的杂质相互扩散,惹起衬底与外延层界面邻近的杂质浓度迟缓变化的现象。
不是本征效应,是杂质的固相扩散带来(低温减小、消逝)6.什么是外延层?为何在硅片上使用外延层?1)在某种状况下,需要硅片有特别纯的与衬底有同样晶体构造的硅表面,还要保持对杂质类型和浓度的控制,经过外延技术在硅表面堆积一个新的知足上述要求的晶体膜层,该膜层称为外延层。
2)在硅片上使用外延层的原由是外延层在优化pn 结的击穿电压的同时降低了集电极电阻,在适中的电流强度下提升了器件速度。
外延在 CMOS集成电路中变得重要起来,由于跟着器件尺寸不停减小它将闩锁效应降到最低。
外延层往常是没有玷辱的。
7.常用的半导体资料为何选择硅?1)硅的充裕度。
硅是地球上第二丰富的元素,占地壳成分的25%;经合理加工,硅能够提纯到半导体系造所需的足够高的纯度而耗费更低的成本。
2)更高的融化温度同意更宽的工艺容限。
硅1412 ℃>锗3)更宽的工作温度。
用硅制造的半导体件能够用于比锗937℃。
更宽的温度范围,增添了半导体的应用范围和靠谱性。
半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案

半导体工艺及芯片制造复习资料简答题与答案第一章、半导体产业介绍1 .什么叫集成电路?写出集成电路发展的五个时代及晶体管的数量?(15分)集成电路:将多个电子元件集成在一块衬底上,完成一定的电路或系统功能。
集成电路芯片/元件数 无集成1 小规模(SSI )2到50 中规模(MSI )50到5000 大规模(LSI )5000到10万 超大规模(VLSI ) 10万至U100万 甚大规模(ULSI ) 大于100万 产业周期1960年前 20世纪60年代前期 20世纪60年代到70年代前期 20世纪70年代前期到后期 20世纪70年代后期到80年代后期 20世纪90年代后期到现在2 .写出IC 制造的5个步骤?(15分)Wafer preparation (硅片准备)Wafer fabrication (硅片制造)Wafer test/sort (硅片测试和拣选)Assembly and packaging (装配和封装)Final test (终测)3 .写出半导体产业发展方向?什么是摩尔定律?(15分)发展方向:提高芯片性能一提升速度(关键尺寸降低,集成度提高,研发采用新材料),降低功耗。
提高芯片可靠性一严格控制污染。
降低成本——线宽降低、晶片直径增加。
摩尔定律指:IC 的集成度将每隔一年翻一番。
1975年被修改为:IC 的集成度将每隔一年半翻一番。
4 .什么是特征尺寸CD ? (10分)最小特征尺寸,称为关键尺寸(Critical Dimension, CD ) CD 常用于衡量工艺难易的标志。
5.什么是 More moore 定律和 More than Moore 定律?(10 分)“More Moore”指的是芯片特征尺寸的不断缩小。
从几何学角度指的是为了提高密度、性能和可靠性在晶圆水平和垂直方向上的特征尺寸的继续缩小。
与此关联的3D结构改善等非几何学工艺技术和新材料的运用来影响晶圆的电性能。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、半导体器件中,以下哪个材料是制作晶体管的最佳选择?A、硅(Si)B、锗(Ge)C、砷化镓(GaAs)D、碳化硅(SiC)2、在半导体工艺中,以下哪个步骤用于形成晶体管的有源区?A、光刻B、扩散C、蚀刻D、离子注入3、题干:在半导体制造过程中,下列哪种设备用于在硅片上形成绝缘层?A. 溶胶-凝胶法B. 气相沉积法C. 化学气相沉积法D. 离子注入法4、题干:下列哪种材料在制造芯片时用作硅片的基板?B. 蓝宝石C. 硅D. 玻璃5、题干:在半导体制造过程中,以下哪个步骤是用于形成晶体管的沟道区域?A. 源极/栅极/漏极扩散B. 化学气相沉积(CVD)C. 光刻D. 离子注入6、题干:以下哪个选项不是半导体器件性能退化的主要因素?A. 氧化B. 金属污染C. 温度D. 磁场7、以下哪种技术不属于半导体制造中的光刻技术?A. 具有曝光光源的接触式光刻B. 具有投影光源的接触式光刻C. 具有曝光光源的投影式光刻D. 具有投影光源的扫描式光刻8、在半导体制造过程中,以下哪种工艺是用来形成半导体器件中的掺杂层的?A. 离子注入B. 化学气相沉积D. 硅烷刻蚀9、在半导体制造过程中,下列哪一种工艺主要用于晶体管的掺杂?A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 光刻 10、以下哪一项不是半导体芯片制造过程中的关键环节?A. 材料制备B. 设备测试C. 晶圆加工D. 封装测试二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?()A. 光刻B. 沉积C. 刻蚀D. 化学气相沉积E. 离子注入2、以下哪些是影响芯片性能的关键因素?()A. 电路设计B. 材料选择C. 制造工艺D. 封装技术E. 电源电压3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?A. 光刻B. 溅射C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 硅片切割4、以下哪些是影响半导体器件性能的主要因素?A. 杂质浓度B. 静电放电C. 温度D. 电压E. 射线辐照5、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤?A. 光刻B. 化学气相沉积(CVD)C. 离子注入D. 硅片切割E. 激光打标6、在芯片设计过程中,以下哪些工具或方法有助于提高设计效率?A. 逻辑综合B. 硅基模拟C. 动态仿真D. FPGA原型E. 硅验证7、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤?()A. 光刻B. 刻蚀C. 化学气相沉积D. 离子注入E. 线宽控制8、以下哪些因素会影响芯片的性能?()A. 集成度B. 电压C. 温度D. 材料E. 制造工艺9、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?()A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 晶圆切割E. 热处理 10、以下哪些是影响半导体器件性能的关键参数?()A. 集电极电压B. 跨导C. 开关速度D. 噪声电压E. 耗散功率三、判断题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、半导体制造过程中,光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某世界500强集团)

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、下列关于半导体材料的描述,错误的是:A、半导体材料在室温下的导电性介于导体和绝缘体之间。
B、常见的半导体材料有硅、锗等。
C、半导体材料的导电性可以通过掺杂来调节。
D、半导体材料在高温下的导电性会降低。
2、在半导体芯片制造过程中,以下哪个步骤是为了提高芯片的集成度?A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积3、以下哪种类型的晶体管是现代半导体器件中应用最为广泛的?A、双极型晶体管(BJT)B、金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)C、隧道晶体管(Tunnel FET)D、光晶体管(Phototransistor)4、在半导体制造过程中,用于去除硅片表面杂质的工艺是?A、光刻(Photolithography)B、蚀刻(Etching)C、离子注入(Ion Implantation)D、化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition)5、在半导体制造过程中,以下哪种设备用于在硅片表面形成绝缘层?A. 离子注入机B. 化学气相沉积(CVD)设备C. 离子束刻蚀机D. 线宽测量仪6、在芯片设计过程中,以下哪个术语描述了晶体管中电子流动的方向?A. 电流B. 电压C. 漏极D. 源极7、以下哪个选项不属于半导体制造过程中的关键步骤?()A. 光刻B. 化学气相沉积C. 蚀刻D. 钎焊8、以下哪种类型的晶体管在数字电路中应用最为广泛?()A. 双极型晶体管B. 场效应晶体管C. 双栅场效应晶体管D. 双极型与场效应晶体管的混合结构9、以下哪个选项不属于半导体制造过程中常见的物理气相沉积(PVD)技术?A. 真空蒸发B. 离子束刻蚀C. 化学气相沉积D. 热丝蒸发 10、在半导体制造过程中,以下哪种工艺是为了提高晶圆的表面平整度?A. 光刻B. 化学机械抛光(CMP)C. 离子注入D. 硅片切割二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪些是半导体制造过程中常见的工艺步骤?()A、光刻B、蚀刻C、化学气相沉积D、离子注入E、封装2、以下关于芯片设计的描述,正确的是?()A、芯片设计主要包括逻辑设计、物理设计和验证设计B、逻辑设计关注电路的功能实现,物理设计关注电路的布局和布线C、验证设计确保设计的正确性,通常通过仿真和测试来完成D、芯片设计过程中,设计者需要考虑功耗、性能和面积等因素E、以上都是3、以下哪些是半导体制造过程中的关键工艺步骤?()A. 光刻B. 化学气相沉积(CVD)C. 离子注入D. 线宽测量E. 晶圆切割4、以下关于半导体材料的描述中,正确的是?()A. 半导体材料的导电性介于导体和绝缘体之间。
半导体制造技术考试答案(考试必看

1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。
2、问答题什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化?3、问答题说明SiO2的结构和性质,并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中(Back-End-Of-Line,BEOL)采用铜(Cu)互连和低介电常数(low-k)材料的必要性。
5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解释其含义。
6、问答题说明影响氧化速率的因素。
7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
9、问答题什么是溅射产额,其影响因素有哪些?简述这些因素对溅射产额产生的影响。
10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
12、问答题什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?13、问答题简述BOE(或BHF)刻蚀SiO2的原理。
14、问答题简述在热氧化过程中杂质再分布的四种可能情况。
15、问答题下图为直流等离子放电的I-V曲线,请分别写出a-g 各段的名称。
可用作半导体制造工艺中离子轰击的是其中哪一段?试解释其工作原理。
16、问答题简述电子束光刻的光栅扫描方法和矢量扫描方法有何区别。
17、问答题典型的光刻工艺主要有哪几步?简述各步骤的作用。
18、问答题简述RTP设备的工作原理,相对于传统高温炉管它有什么优势?19、问答题简述RTP在集成电路制造中的常见应用。
20、问答题简述几种典型真空泵的工作原理。
21、问答题影响外延薄膜的生长速度的因素有哪些?22、问答题下图是硅烷反应淀积多晶硅的过程,写出发生反应的方程式,并简述其中1~5各步的含义。
半导体芯片制造工:半导体制造技术考试答案.doc

半导体芯片制造工:半导体制造技术考试答案考试时间:120分钟 考试总分:100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,确保考试结果公正。
1、问答题热退火用于消除离子注入造成的损伤,温度要低于杂质热扩散的温度,然而,杂质纵向分布仍会出现高斯展宽与拖尾现象,解释其原因。
本题答案: 2、问答题什么是扩散效应?什么是自掺杂效应?这两个效应使得衬底/外延界面杂质分布有怎样的变化? 本题答案: 3、问答题说明SiO2的结构和性质,并简述结晶型SiO2和无定形SiO2的区别。
本题答案: 4、问答题从寄生电阻和电容、电迁移两方面说明后道工艺中(Back-End-Of-Line ,BEOL )采用铜(Cu )互连和低介电常数(low-k )材料的必要性。
本题答案: 5、问答题写出菲克第一定律和第二定律的表达式,并解释其含义。
本题答案: 6、问答题说明影响氧化速率的因素。
本题答案:姓名:________________ 班级:________________ 学号:________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------7、问答题CVD淀积过程中两个主要的限制步骤是什么?它们分别在什么情况下会支配整个淀积速率?本题答案:8、问答题假设进行一次受固溶度限制的预淀积扩散,从掺杂玻璃源引入的杂质总剂量为Qcm-2。
本题答案:9、问答题什么是溅射产额,其影响因素有哪些?简述这些因素对溅射产额产生的影响。
本题答案:10、问答题以P2O2为例说明SiO2的掩蔽过程。
本题答案:11、问答题简述杂质在SiO2的存在形式及如何调节SiO2的物理性质。
本题答案:12、问答题什么是离子注入的横向效应?同等能量注入时,As和B哪种横向效应更大?为什么?本题答案:13、问答题简述BOE(或BHF)刻蚀SiO2的原理。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某大型国企)

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某大型国企)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、下列哪种材料最适合用于制造半导体器件?A. 铜B. 硅C. 金D. 银答案:B解析:在这些选项中,硅是最常用的半导体材料。
铜、金和银都是良好的导体,而非半导体,因此不适合用来制造半导体器件。
2、在P型半导体中,多数载流子是什么?A. 自由电子B. 空穴C. 质子D. 中子答案:B解析: P型半导体是通过向纯半导体(如硅)中掺入三价元素(如硼)来形成的。
这种掺杂会创造出额外的空穴,这些空穴成为多数载流子。
自由电子则成为少数载流子。
质子和中子不是半导体中的载流子。
3、在半导体工艺中,以下哪种材料常用于制造N型半导体?A. 硼(B)B. 磷(P)C. 镓(Ga)D. 硅(Si)但未经掺杂答案:B解析:N型半导体是指在半导体材料中掺入少量五价元素(如磷P)后形成的半导体。
这些五价元素替代了半导体中的某些四价元素(如硅Si或锗Ge中的原子),从而产生了多余的自由电子,使得半导体导电性增强,并呈现出带负电的特性,即N型半导体。
硼(B)是三价元素,常用于制造P型半导体;镓(Ga)和硅(Si)本身并不直接决定半导体的类型,而是需要通过掺杂其他元素来改变其导电性。
4、在CMOS(互补金属氧化物半导体)技术中,以下哪个组件通常用于实现逻辑非(NOT)门的功能?A. NMOS晶体管B. PMOS晶体管C. NMOS和PMOS晶体管组合D. 电阻和电容组合答案:C解析:在CMOS技术中,逻辑非(NOT)门通常由一对互补的MOS晶体管(即NMOS 和PMOS晶体管)组合而成。
这种配置利用了NMOS晶体管在逻辑高(接近电源电压)时导通、PMOS晶体管在逻辑低(接近地电位)时导通的特性。
当输入为高电平时,NMOS 晶体管导通,将输出拉至低电平;当输入为低电平时,PMOS晶体管导通,将输出拉至高电平。
这样,就实现了逻辑非的功能。
半导体或芯片岗位招聘笔试题及解答(某大型央企)

招聘半导体或芯片岗位笔试题及解答(某大型央企)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、半导体行业中,以下哪种材料通常用作硅晶圆的衬底材料?A. 氧化铝B. 硅C. 硅碳D. 氧化硅2、在芯片制造过程中,以下哪种工艺属于光刻工艺的范畴?A. 刻蚀B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 光刻3、以下哪个选项不属于半导体制造过程中使用的蚀刻技术?A. 化学蚀刻B. 物理蚀刻C. 光刻D. 激光蚀刻4、在半导体器件中,以下哪种现象与二极管正向导通有关?A. 内部电流增大B. 内部电流减小C. 内部电势降低D. 内部电势升高5、以下哪种元素是半导体材料的主要成分?A. 钙(Ca)B. 铝(Al)C. 硅(Si)D. 钾(K)6、在半导体器件中,用于控制电流通断的器件称为:A. 电阻B. 晶体管C. 电容D. 电感7、题干:在半导体制造过程中,用于去除硅片表面的杂质和氧化物层的工艺称为:A. 离子注入B. 化学气相沉积C. 化学机械抛光D. 硅片清洗8、题干:在芯片设计中,以下哪项技术用于提高晶体管的工作速度?A. 多晶硅技术B. 封装技术C. 纳米技术D. 缓存技术9、题干:在半导体制造过程中,用于将硅晶圆表面氧化形成绝缘层的工艺是:A. 光刻B. 离子注入C. 化学气相沉积D. 硅片切割二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪些选项是半导体制造过程中常用的化学气体?()A、氮气(N2)B、氢气(H2)C、氯气(Cl2)D、氧气(O2)E、氟化氢(HF)2、以下哪些技术是用于提高半导体芯片集成度的关键?()A、CMOS技术B、FinFET技术C、3D集成电路技术D、量子点技术E、微机电系统(MEMS)3、以下哪些是半导体制造过程中常见的缺陷类型?()A、表面划痕B、孔洞缺陷C、金属化层缺陷D、硅片位错E、氧化层缺陷4、在芯片设计中,以下哪些是常用的数字设计技术?()A、组合逻辑设计B、时序逻辑设计C、模拟电路设计D、数字信号处理E、VLSI设计5、以下哪些技术或工艺与半导体制造密切相关?()A. 光刻技术B. 化学气相沉积(CVD)C. 离子注入D. 热氧化E. 机械加工6、在半导体器件设计中,以下哪些因素会影响器件的功耗?()A. 工作电压B. 静态功耗C. 动态功耗D. 工作频率E. 材料特性7、以下哪些属于半导体制造工艺流程的关键步骤?()A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、热处理8、以下哪些因素会影响半导体器件的性能?()A、半导体材料的纯度B、器件的结构设计C、温度D、电场强度E、工作频率9、以下哪些选项是半导体制造过程中常见的材料?A. 高纯度硅B. 硅酸盐C. 金D. 光刻胶三、判断题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、集成电路的制造过程中,光刻步骤是直接在硅晶圆上进行的,无需任何掩模。
半导体芯片制造高级工测试题

1、填空题二氧化硅的制备方法很多,其中最常用的是高温()、()淀积、PECVD淀积。
2、填空题离子注入杂质浓度分布中最重要的二个射程参数是()和()。
3、单项选择题双极晶体管的高频参数是()。
A.hFEVcesB.BVceC.ftfm4、单项选择题反应离子腐蚀是()。
A.化学刻蚀机理B.物理刻蚀机理C.物理的溅射刻蚀和化学的反应刻蚀相结合5、填空题外延层的迁移率低的因素有原材料纯度();反应室漏气;外延层的晶体();系统沾污等;载气纯度不够;外延层晶体缺陷多;生长工艺条件不适宜。
6、单项选择题金属封装主要采用金属和玻璃密封工艺,金属作封装底盘、管帽和引线,()做绝缘和密封。
A.塑料B.玻璃C.金属7、填空题钎焊包括合金烧结、共晶焊;聚合物焊又可分为()、()等。
8、填空题钎焊密封工艺主要工艺条件有钎焊气氛控制、温度控制和密封腔体内()控制。
9、单项选择题非接触式厚膜电路丝网印刷时,丝网与基片之间有一定的距离,称为间隙,通常为()。
A.小于0.1mmB.0.5~2.0mmC.大于2.0mm10、填空题杂质原子在半导体中的扩散机理比较复杂,但主要可分为()扩散和()扩散两种。
11、单项选择题恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为()分布。
A.高斯B.余误差C.指数12、单项选择题金属封装主要用于混合集成电路封装,外壳零件一般有底盘、管帽、引线和玻璃绝缘子组成。
底盘、管帽和引线的材料常常是()。
A.合金A-42B.4J29可伐C.4J34可伐13、填空题禁带宽度的大小决定着()的难易,一般半导体材料的禁带宽度越宽,所制作的半导体器件中的载流子就越不易受到外界因素,如高温和辐射等的干扰而产生变化。
14、单项选择题超声热压焊的主要应用对象是超小型镀金外壳与镀金管帽的焊接,焊接处依靠()封接,因而外壳零件的平整度和镀金层厚度是实现可靠性封接的关键因素。
A.管帽变形B.镀金层的变形C.底座变形15、问答题有哪几种常用的化学气相淀积薄膜的方法?16、单项选择题外壳设计包括()设计、热性能设计和结构设计三部分,而可靠性设计也包含在这三部分中间。
半导体芯片制造工:半导体制造技术知识点模拟考试卷.doc

半导体芯片制造工:半导体制造技术知识点模拟考试卷考试时间:120分钟 考试总分:100分题号 一 二 三 四 五 总分 分数遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,确保考试结果公正。
1、问答题下图为硅外延生长速度对H2中SiCL4摩尔分量的函数曲线,试分析曲线走势,并给出其变化的原因。
本题答案:SiCL4浓度较小,SiCL4被氢还原析出硅原子的速度本题解析:SiCL4浓度较小,SiCL4被氢还原析出硅原子的速度远小于被释放出来的硅原子在衬底上生成单晶硅速度,化学反应速度控制外延层的生长速率;增加SiCL4浓度,化学反应速率加快,生长速度提高。
浓度大到一定程度,化学反应释放硅原子速度大于硅原子在衬底表面的排列生长速度,此时生长速姓名:________________ 班级:________________ 学号:________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线----------------------率受硅原子在衬底表面排列生长的速度控制。
进一步增大SiCL4浓度(Y=0.1)生长速率减小;当Y=0.27时,逆向反应发生硅被腐蚀;反向腐蚀越严重,生长速率下降,当Y0.28时,只存在腐蚀反应。
2、问答题采用无定形掩膜的情况下进行注入,若掩蔽膜/衬底界面的杂质浓度减少至峰值浓度的1/10000,掩蔽膜的厚度应为多少?用注入杂质分布的射程和标准偏差写出表达式。
本题答案:无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示:本题解析:无定形靶内的纵向浓度分布可用高斯函数表示:其中,Rp为投影射程,Rp为投影射程的标准偏差,为剂量。
以上为浓度与深度的函数变化关系。
由于离子注入过程的统计特性,离子也有穿透掩蔽膜边缘的横向散射,因此分布应考虑为二维的,既有横向也有纵向的标准偏差。
(完整版)半导体芯片制造中级复习题A

半导体芯片制造中级工复习题一判断题:1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
( √)2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。
同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。
(√)3.点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。
(√)4.位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。
(√)5.抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。
(×)6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
( √)7.离子源是产生离子的装置。
(√)8.半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. (×)9.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。
(√)10.设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。
(×)11.干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
(√)12.光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。
(×)13.在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。
(√)14.金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。
(√)15.表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜,使器件的表面与周围气氛隔离。
(√)二选择题1.下列材料属于N型半导体是AC 。
A 硅中掺有元素杂质磷(P)、砷(As) B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)C 砷化镓掺有元素杂质硅(Si)、碲(Te) D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2.属于绝缘体的正确答案是 B 。
给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料

给工作人士用的--集成电路制造中级工程师考试资料半导体芯片制造中级工程师职业鉴定目录半导体芯片制造中级工程师职业鉴定 (1)基础知识 (4)1.第一代半导体材料:硅、锗; (4)2.导体、绝缘体、半导体 (4)3.半导体材料特征 (4)4.N型半导体 (5)5.P型半导体 (5)6.单晶、多晶 (5)7.半导体晶体结构 (5)8.常用半导体材料的晶体生长方向 (5)9.电导率和电阻率 (6)10.迁移率 (6)11.方块电阻 (6)12.晶体缺陷 (6)13.弹性形变 (7)14.范性形变 (7)15.位错 (7)16.层错 (7)17.半导体材料表征参数 (7)18.单晶材料制备方法 (8)19.化合物半导体制备方法 (8)20.砷化镓单晶材料的应用 (8)21.InP单晶的主要应用 (8)22.常用清洗剂的配方 (8)23.衬底清洗过程 (8)24.石英器具清洗过程 (9)25.抛光片检测项目 (9)26.抛光片质量要求 (9)27.砷化镓抛光片的清洗 (9)28.InP抛光片的清洗 (9)29.外延片优点及用途 (10)30.外延片检测项目 (10)31.外延生长 (10)32.同质外延 (10)33.异质外延 (10)34.外延生长种类 (10)35.化学气相外延概述 (11)36.硅化学气相外延概述 (11)37.硅外延生长工艺 (11)38.原位气相腐蚀抛光 (11)39.硅外延片质量要求 (11)40.硅外延反应源 (12)35.影响外延生长速度因素 (12)36.影响反应速度因素 (12)37.硅外延片应用 (12)38.离子概念 (13)39.离子注入概念 (13)40.离子注入优点 (13)41.离子注入能量损失机构 (13)42.沟道效应 (13)43.沟道离子、非沟道离子、准沟道离子 (14)44.离子注入机主要组成部分及相应作用 (14)45.离子注入的能量和能量单位 (14)47.半导体芯片制造厂对厂房洁净度的要求(见教材31页)。
半导体芯片制造工半导体芯片制造中级工考试卷模拟考试题.docx

《半导体芯片制造中级工》考试时间:120分钟 考试总分:100分遵守考场纪律,维护知识尊严,杜绝违纪行为,确保考试结果公正。
1、下列材料属于N 型半导体是()。
( )A.硅中掺有元素杂质磷(P )、砷(As )B.硅中掺有元素杂质硼、铝(Al )C.砷化镓掺有元素杂质硅(Si )、碲(TE )D.砷化镓中掺元素杂质锌、镉、镁2、属于绝缘体的正确答案是()。
( )A.金属、石墨、人体、大地B.橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C.硅、锗、砷化镓、磷化铟D.各种酸、碱、盐的水溶液3、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫():( )A.逻辑设计B.物理设计C.电路设计D.系统设计4、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用()( ) A.盐酸 B.硫酸 C.硝酸 D.氢氟酸姓名:________________ 班级:________________ 学号:________________--------------------密----------------------------------封 ----------------------------------------------线-------------------------5、下列晶体管结构中,在晶体管输出电流很大时常使用的是:()()A.单基极条图形B.双基极条图形C.基极和集电极引线孔都是马蹄形结构D.梳状结构6、位错的形成原因是()。
()A.位错就是由弹性形变造成的B.位错就是由重力造成的C.位错就是由范性形变造成的D.以上答案都不对7、硅外延生长工艺包括()。
()A.衬底制备B.原位HCl腐蚀C.生长温度,生长压力,生长速度D.尾气的处理8、硅外延片的应用包括()。
()A.二极管和三极管B.电力电子器件C.大规模集成电路D.超大规模集成电路9、离子注入层的深度主要取决于离子注入的()。
()A.能量B.剂量10、离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的()。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)

招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、在半导体制造过程中,以下哪个步骤属于光刻工艺?A. 清洗B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 刻蚀2、以下哪种半导体器件属于场效应晶体管(FET)?A. 双极型晶体管(BJT)B. 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)C. 晶体管-晶体管逻辑(TTL)D. 二极管3、在半导体制造过程中,以下哪项工艺是用于制造晶体管的?A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热处理4、在半导体芯片制造中,以下哪种缺陷检测方法主要用于检测晶体管中的漏电流问题?A. X射线检测B. 电子显微镜检测C. 荧光检测D. 原子力显微镜检测5、在半导体制造过程中,以下哪种工艺用于去除硅片表面的杂质和缺陷?A. 光刻B. 化学气相沉积(CVD)C. 离子注入D. 化学机械抛光(CMP)6、在芯片设计中,以下哪种设计方法可以提高芯片的集成度和性能?A. 逻辑门级设计B. 结构级设计C. 电路级设计D. 体系级设计7、以下哪项不是半导体制造过程中的关键工艺步骤?A. 光刻B. 化学气相沉积C. 离子注入D. 热压焊接8、以下哪种材料不是常用的半导体绝缘材料?A. 氧化硅B. 氮化硅C. 氮化铝D. 硅9、在半导体制造过程中,以下哪种设备主要用于去除晶圆表面的杂质和缺陷?A. 化学机械抛光机(CMP)B. 刻蚀机C. 离子注入机D. 硅片清洗机 10、以下哪种半导体器件在工作时会产生电流,而电流的大小与输入电压成正比?A. 变容二极管B. 线性稳压器C. 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)D. 二极管二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1、以下哪些是半导体制造过程中常见的步骤?()A、光刻B、蚀刻C、离子注入D、化学气相沉积E、封装2、以下关于芯片设计的相关术语,正确的是?()A、CPU是中央处理单元的缩写B、GPU是图形处理单元的缩写C、FPGA是现场可编程门阵列的缩写D、ASIC是专用集成电路的缩写E、CPU的主频表示其每秒可以执行的指令数3、以下哪些技术是现代半导体制造中常用的光刻技术?()A. 克雷顿光刻技术B. 紫外光刻技术C. 电子束光刻技术D. 纳米压印光刻技术4、在半导体制造过程中,以下哪些工艺步骤属于化学气相沉积(CVD)技术?()A. 氧化硅的沉积B. 氮化硅的沉积C. 多晶硅的制备D. 氧化物的蚀刻5、以下哪些是半导体制造过程中常用的清洗技术?()A. 水洗B. 氨水清洗C. 酸洗D. 离子液体清洗E. 氩气清洗6、下列哪些因素会影响半导体器件的可靠性?()A. 材料质量B. 制造工艺C. 环境因素D. 使用条件E. 封装设计7、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术?()A. 光刻机B. 干法刻蚀C. 湿法刻蚀D. 电子束光刻E. 分子束外延8、以下哪些是影响芯片性能的关键因素?()A. 电路设计B. 材料选择C. 制程工艺D. 温度控制E. 电源电压9、以下哪些是半导体制造过程中常用的光刻技术?()A. 光刻胶B. 光刻机C. 电子束光刻D. 紫外线光刻E. 激光直接成像 10、在芯片设计过程中,以下哪些是常见的电路设计语言?()A. VHDLB. VerilogC. C++D. SystemCE. SPICE三、判断题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1、在半导体制造过程中,光刻是直接在硅片上形成电路图案的关键步骤。
半导体或芯片岗位招聘笔试题与参考答案(某世界500强集团)2024年

2024年招聘半导体或芯片岗位笔试题与参考答案(某世界500强集团)(答案在后面)一、单项选择题(本大题有10小题,每小题2分,共20分)1.在半导体行业中,哪种材料因其出色的导电性和热导性而被广泛用于制造芯片?A. 铜B. 银C. 铝D. 石墨2.半导体器件的主要类型包括哪些?A. 电阻、电容和晶体管B. 二极管、晶体管和集成电路C. 电感、电阻和电容D. 以上都是3.半导体芯片的制造过程中,哪一步骤是将硅晶圆切割成单独的芯片?A. 氧化B.光刻C. 薄膜沉积D. 切割4.半导体器件的性能主要受到哪两个因素的影响?A. 温度和电压B. 电流和电压C. 电流和温度D. 电压和频率5.半导体芯片的制造过程中,哪一步骤是关键?A. 设计电路图B. 制备硅晶圆C. 将硅晶圆切割成芯片D. 芯片封装与测试6.在半导体行业中,哪种技术用于在硅晶圆上形成电路图案?A. 光刻B. 薄膜沉积C. 掺杂D. 化学气相沉积(CVD)7、在半导体制造工艺中,下列哪项是化学气相沉积(CVD)的主要用途?A. 硅片切割B. 半导体材料的清洗C. 制造金属层间互连线路结构的一部分D. 集成电路测试分析8、在集成电路设计中,哪个术语描述的是将电路图转换为可以在硅片上制造的物理布局的过程?A. 芯片设计B. 布局布线(Layout Routing)C. 模拟仿真分析D. 制造工艺流程设计9、半导体器件中,用于控制电流的进出和放大信号的部件是什么?A. 电容器B. 电感器C. 二极管D. 晶体管 10、以下哪种技术不是集成电路制造中常用的工艺技术?A. 薄膜技术B. 刻蚀技术C. 焊接技术D. 沉积技术二、多项选择题(本大题有10小题,每小题4分,共40分)1.在半导体制造工艺中,下列哪些步骤是必要的?A. 薄膜沉积B. 光刻C. 热处理D. 切割与研磨2.关于集成电路设计,以下哪些说法是正确的?A. 集成电路设计主要依赖于物理学的原理。
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半导体芯片制造中级工复习题-判断题:1.单晶是原子或离子沿着三个不同的方向按一定的周期有规则的排列,并沿一致的晶体学取向所堆垛起来的远程有序的晶体。
(A/)2.迁移率是反映半导体中载流子导电能力的重要参数。
掺杂半导体的电导率一方面取决于掺杂的浓度,另一方面取决于迁移率的大小。
同样的掺杂浓度,载流子的迁移率越大,材料的电导率就越高。
(“)3.点缺陷,如空位、间隙原子、反位缺陷、替位缺陷,和由它们构成的复合体。
(丿)4.位错就是由范性形变造成的,它可以使晶体内的一原子或离子脱离规则的周期排列而位移一段距离,位移区与非位移区交界处必有原子的错位,这样产生线缺陷称为位错。
(J)5.抛光片的电学参数包括电阻率,载流子浓度,迁移率,直径、厚度、主参考面等。
(X)6.液相外延的原理是饱和溶液随着温度的降低产生过饱和结晶。
(J )7・离子源是产生离子的装置。
(“)8.半导体芯片制造工艺对水质的要求一般. (x )9.光致抗蚀剂在曝光前对某些溶剂是可溶的,曝光后硬化成不可溶解的物质,这一类抗蚀剂称为负性光致抗蚀剂,由此组成的光刻胶称为负性胶。
(“)10・设备、试剂、气瓶等所有物品不需经严格清洁处理,可直接进入净化区。
(x ) 11・干法腐蚀清洁、干净、无脱胶现象、图形精度和分辨率高。
(“)12・光刻工艺要求掩膜版图形黑白区域之间的反差要低。
(x )13.在半导体集成电路中,各元器件都是制作在同一晶片内。
因此要使它们起着预定的作用而不互相影响,就必须使它们在电性能上相互绝缘。
(J)14・金属剥离工艺是以具有一定图形的光致抗蚀剂膜为掩膜,带胶蒸发或溅射所需的金属,然后在去除光致抗蚀剂膜的同时,把胶膜上的金属一起去除干净。
(“)15.表面钝化工艺是在半导体芯片表面复盖一层保护膜,使器件的表面与周围气氛隔离。
(“)二选择题1.下列材料属于N型半导体是AC 。
A硅中掺有元素杂质磷(P)、碑(As) B.硅中掺有元素杂质硼(B)、铝(Al)C神化铢掺有元素杂质硅(Si)、确(Te) D.神化铢中掺元素杂质锌、镉、镁2.属于绝缘体的正确答案是一 B 。
B 位错就是由重力造成的 D 以上答案都不对 B 原位HC1腐蚀 D 尾气的处理 B 电力电子器件;D 超大规模集成电路 B 剂量A 金属、石墨、人体、大地B 橡胶、塑料、玻璃、云母、陶瓷C 硅、错、碑化铢、磷化钮D 各种酸、碱、盐的水溶液 (A ) 10、说明构成每个单元所需的基本门和基本单元的集成电路设计过程叫: A 、逻辑设计B 、物理设计C 、电路设计D 、系统设计 (D ) 11、腐蚀二氧化硅的水溶液一般是用 A 、盐酸 B 、硫酸C 、硝酸D 、氢氟酸 (D ) 12、下列晶体管结构屮,在晶体管输出电流很大时常使用的是: A 、单基极条图形 氏 双基极条图形C 、基极和集电极引线孔都是马蹄形结构D 、梳状结构3. 位错的形成原因是一 C 。
A 位错就是由弹性形变造成的C 位错就是由范性形变造成的4. 硅外延生长工艺包括ABCD 。
A 衬底制备C 生长温度,生长压力,生长速度5. 硅外延片的应用包括ABCD 。
A 二极管和三极管C 大规模集成电路6. 离子注入层的深度主要取决于离子注入的_A_o A 能量7. 离子注入层的杂质浓度主要取决于离子注入的_ o A 能量B 剂量 (D ) 16、从离子源引出的是:A 、原子束B 、分子束C 、屮子束D 、离子束(B ) 17、恒定表面源扩散的杂质分布在数学上称为什么分布?A 、高斯函数B 、余误差函数C 、指数函数D 、线性函数(A ) 18、在温度相同的情况下,制备相同厚度的氧化层,分别用干氧,湿氧和水 汽氧化,哪个需要的时间最长?A 、干氧B 、湿氧C 、水汽氧化D 、不能确定哪个使用的时间长(D ) 19、下列说法错误的是:A 、 扩散是微观离子的一种热运动方式,运动结果使浓度分布趋于均匀B 、 间隙式杂质从一个间隙到相邻位置的运动为间隙式扩散C 、 以间隙形式存在于硅屮的杂质,主要是那些半径较小的杂质原子8.I号液是过氧化氢清洗液.A碱性B酸性C中性9.二氧化硅在扩散时能对杂质起掩蔽作用进行—扩散。
A预B再C.选择10.介质隔离是以绝缘性能良好的电介质作为“隔离墙"来实现电路中各元器件间彼此电绝缘的一种隔离方法。
常用的电介质是一C层。
A多晶硅B氮化硅C二氧化硅11.光刻工艺是利用感光胶感光后抗腐蚀的特性在半导体晶片表面的掩膜层上的工艺AA刻制图形 B.绘制图形C制作图形12.将预先制好的掩膜直接和涂有光致抗蚀剂的晶片表面接触,再用紫外光照射来进行曝光的方法,称为A曝光。
A接触B接近式C投影13.按蒸发源加热方法的不同,真空蒸发工艺可分为:A蒸发、_ 蒸发、离子束蒸发等。
A电阻加热B电子束C蒸气原子14.单相3线插座接线有严格规定 ___ A_A “左零” “右火”B “左火”“右零”15.人们规定:______ 电压为安全电压二A 36伏以下B 50伏以下C 24伏以下三填空题:1、在扩散之前在硅表面先沉积一层杂质,在整个过程中这层杂质作为扩散的杂质源,不再有新的杂质补充,这种扩散方式称为:恒定表面源扩散2、对标准单元设计EDA系统而言,标准单元库应包含以下内容:逻辑单元符号库、和功能单元库、拓扑单元库、版图单元库。
3、在一个晶圆上分布着许多块集成电路,在封装时将各块集成电路切开时的切口叫划片槽4、大容量可编程逻辑器件分为复杂可编程逻辑器件和现场可编程门阵______ O5、全定制、半定制版图设计中用到的单元库包含符号图、抽象图、线路ffl 和版图O6、半导体材料有两种载流子参加导电,具有两种导电类型。
一种是电子,另一种是_空穴。
7、半导体材料可根据其性能、晶体结构、结晶程度、化学组成分类。
比较通用的则是根据其化学组成可分为元素半导体、化合物半导体、固溶半导体三大类。
8、半导体材料的主要晶体结构有金刚石一型、闪锌矿型、纤锌矿型。
9、抛光片的质量检测项目包括:几何参数,直径、厘度、主参考面、副参考面、平整度、弯曲度等;电学参数,电阻率,载流子浓度,迁移率等;晶体质量,晶向,位错密度。
10、外延生长方法比较多,其中主要的有化学气相外延、液相外延、金属有机化学气相外延、分子束外延、原子束外延、固相外延等。
11、离子注入是借其动能强行进入靶材料中的一个非平衡物理过程。
12、半导体中的离子注入掺杂是把掺杂剂离子加速到的需要的能量,直接注入到半导体晶片中,并经适当温度的退火处理。
13、空气中的一个小尘埃将影响整个芯片的完整性、成品率,并影响其电学性能和可靠性,所以半导体芯片制造工艺需在超净厂房内进行。
14、在白光照射二氧化硅时,不同的厚度有不同的干涉色。
15、在半导体工艺中,硫酸常用于去除光刻胶和配制洗液等。
16、化学清洗中是利用硝酸的强酸性和强氧化性将吸附在硅片表面的杂质除去。
17、用肉眼或显微镜可观察二氧化硅的以下质量:颜色是否均匀、结构是否致密;表面无斑点、无白雾、不发花;表面无裂纹、无针孔。
18、腐蚀V形槽一般采用各向异性的湿法化学腐蚀方法.19、光刻工艺一般都要经过涂胶、竝、曝光、显曇、坚膜、腐蚀、去胶等步骤。
20、工艺人员完成工艺操作后要认真、及时填写工艺记录,做到记录内容详细、真实、完整、书写工整、数据准确。
四综合题1.衬底清洗过程包括哪几个步骤?有什么作用?答:(1)擦洗表面的大块污物;(2 )浸泡;(3 )化学腐蚀;(4 )水清洗;(5 )干燥。
作用:(略)2.什么是离子?答:原子(原子团)、分子(分子团)失去或获得电子后所形成的带电粒子称为离子3.操作人员的质量职责是什么? 答:操作人员的质量职责是:(1)按规定接受培训考核,以达到所要求的技能、能力和知识;(2)严格按工艺规范和工艺文件进行操作,对工艺质量负责;(3)按规定填写质量记录,对其准确性、完整性负责;(4)做好所使用的仪器、设备、工具的日常维护保养工作;(6)对违章作业造成的质量事故负直接责任。
4.为什么说洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术?答:半导体芯片制造,尤其是随着高度集成复杂电路和微波器件的发展,要求获得细线条、高精度、大面积的图形,各种形式的污染都将严重影响半导体芯片成品率和可靠性。
生产中的污染,除了由于化学试剂不纯、气体纯化不良、去离子质量不佳引入之外,环境中的尘埃、杂质及有害气体、工作人员、设备、工具、日用杂品等引入的尘埃、毛发、皮屑、油脂、手汗、烟雾等都是重要汚染来源。
例如,PN结表面污染上尘埃、皮屑、油脂等将引起反向漏电或表面沟道,手汗引起的N,离子沾污会使MOS 器件阈值电压飘移,甚至导致晶体管电流放大系数不稳定,空气中尘埃的沾污将引起器件性能下降,以致失效;光刻涂胶后尘埃的沾污将使二氧化硅层形成针孔或小岛;大颗粒尘埃附着在光刻胶表面,会使掩膜版与芯片间距不一致,使光刻图形模糊;高温扩散过程中,附着在硅片上的尘埃将引起局部掺杂和快速扩散,使结特性变坏。
所以洁净技术是半导体芯片制造过程中的一项重要技术。
5、对于大尺寸的MOS管版图设计,适合采用什么样的版图结构?简述原因。
答:(1)S管的版图一般采用并联晶体管结构。
采用并联晶体管结构后,可共用源区和漏区,使得在同样宽长比的情况下,漏区和源区的面积被减小,并因此使得器件源极和漏极的PN结电容被减小,对提高电路的动态性能很有好处。
(2)寸器件在版图设计时还采用折叠的方式减小一维方向上的尺寸。
因为器件的尺寸大,即叉指的个数较多,如果采用简单并列的方式,将由于叉指到信号引入点的距离不同引起信号强度的差异。
同时,由于在一维方向上的工艺离散性,也将导致最左端的叉指和最右端的叉指所对应的并联器件在参数和结构上产生失配。
6、集成电路封装有哪些作用?答:(1)机械支撑和机械保护作用。
(2)传输信号和分配电源的作用。
(3)热耗散的作用。
(4)环境保护的作用。
7、什么叫光刻?光刻工艺质量的基本要求是什么?答:光刻是一种图形复印和化学腐蚀相结合的精密表面加工技术。
对光刻工艺质量的基本要求是:刻蚀的图形完整、尺寸准确、边缘整齐、线条陡直;图片内无小岛、不染色、腐蚀干净;图形套合十分准确;介质膜或金属膜上无针孔;硅片表面清洁、不发花、无残留的被腐蚀物质。
8、叙述乩还原SiCl4外延的原理,写出化学方程式。
答:在气相外延生长过程中,首先是反应剂输运到衬底表面;接着是它在衬底便面发生反应释放出硅原子,硅原子按衬底晶向成核,长大成为单晶层。
化学方程式如下:9、答: 集成电容主要有哪几种结构?%1金属-绝缘体-金属(MIM)结构;%1多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构;%1金属叉指结构;%1PN结电容;%1MOS电容。