屏蔽计算
14 屏蔽计算
X
： 有屏蔽材料的照射率 X
照射量积累因子
0
：没有屏蔽材料的照射量率
B ：
d ：所加屏蔽材料的厚度的射线平均自路程个数
7/20
0降低到拟达到的水平 X 用k代表为把原有的照射量 X
所需要的减弱倍数.则：
X0 1 k d X B e
根据上式可计算出所需要屏蔽层的厚度d
2.5 E 20兆电子伏
β射线在各种材料中的射程
5/20
γ射线屏蔽
γ射线在物质中被吸收的特点，是服从于指数 减弱规律的。 γ射线屏蔽体厚度的计算方法，常用的有三种， 即减弱倍数法、减弱因子法和半值层厚度法。
6/20
1、减弱倍数法
若用照射量率来描述γ辐射场的强弱：
X B X 0 e d
12/20
[例]某医院放射性同位素室分装碘-13l样品， 瓶内放射性活度约2Ci(7.4×1010Bq)，操作者 在离样品1米处采用远距离操作。要使人所在 位置的照射量率小于2.5毫伦／时，问对样品 需加多厚的铅防护屏蔽套? 解：不加屏蔽套时1米处的照射量率为：
因此，所需的减弱倍数为：
K
11/20
各种放射性核素的γ射线穿过 密度为18.9克/厘米3的铀所 引起的宽束透射
3、半值层法
用半值层法求所需屏蔽材料的厚度，也是辐射 防护惯用的一种方法。这种方法所得结果的精 确程度不如上述二种方法的高。 半值层数目n与减弱倍数K的关系为：K＝2n。 查表知n从l到l0的K-n关系。知道了半值层数目 和半值层厚度，就可以用它的乘积求出所需屏 蔽的总厚度。
辐射防护方法
屏蔽系数计算
屏蔽系数计算斯莱脱规则：a．原子中的电子分若干个轨道组中：(1s)(2s,2p) (3s,3p)(3d) (4s,4p) (4d)(4f) (5s,5p),每个圆括号形成一个轨道组；b．一个轨道组外面的轨道上电子对内轨道组上的电子的屏蔽系数s= 0,即屏蔽作用发生在内层电子对外层电子或同层电子之间,外层电子对内层电子没有屏蔽作用.c．同一轨道组内电子间屏蔽系数s= 0.35,1s轨道上的2个电子之间的s= 0.30；d．被屏蔽电子为ns或np时,主量子数为(n-1) 的各电子对ns或np轨道组上电子的屏蔽常数s= 0.85,而小于(n -1) 的各电子,对其屏蔽常数s= 1.00.e．被屏蔽电子为nd或nf轨道组上的电子时,则位于它左边各轨道组上的电子对其屏蔽常数s= 1.00Sample Exercise：计算铁原子中①1s,② 2s或2p,③3s或3p,④3d,⑤ 4s上一个电子的屏蔽常数s值和有效核电荷数Zi.Solution：对于1s上一个电子：s= 1´0.30= 0.30,Z* = 26-0.30 = 25.7对于2s或2p上一个电子：s= 7´0.35+ 2´0.85= 4.15,Z* = 26-4.15 = 21.85对于3s或3p上一个电子：s= 7´0.35+ 8´0.85+ 2´1.00= 11.25,Z*= Z -s= 26 -11.25 = 14.75对于3d上一个电子：s= 5´0.35+ 18´1.00= 19.75,Z* = 26-19.75 = 6.25对于4s上一个电子：s= 1´0.35+ 14´0.85+ 10´1.00= 22.25,Z*= 26 -22.25 = 3.75然后代入E= -13.6Z/n2 (eV),可以计算出多电子原子中各能级的近似能量.。
电缆屏蔽计算公式
电缆屏蔽计算公式
电缆屏蔽计算公式是一种用于计算电缆屏蔽效果的方法。
在电缆传输中，电缆外部的干扰会对信号的传输质量产生不良影响，因此需要通过屏蔽来保护电缆，减少干扰的影响。
电缆的屏蔽效果可以通过屏蔽系数来描述，屏蔽系数越高，表示屏蔽效果越好。
屏蔽因子=(1+4πσ/ωε)^-1
其中，σ为屏蔽材料的导电率，ω为工作频率，ε为电缆绝缘材料的介电常数。
屏蔽因子越高，表示外屏蔽的效果越好。
电缆的内屏蔽采用铜丝编织、铜箔、铝箔等方式，其屏蔽效果可以通过衰减因子来描述。
根据电场理论，内屏蔽的衰减因子与屏蔽材料的传导率、电缆内径、屏蔽厚度等因素有关。
具体计算公式如下：
衰减因子=(1+4πσ/ωε)^-1
其中，σ为屏蔽材料的导电率，ω为工作频率，ε为电缆绝缘材料的介电常数。
衰减因子越高，表示内屏蔽的效果越好。
在实际应用中，电缆常常同时具有外屏蔽和内屏蔽，屏蔽效果由两者共同决定。
总屏蔽效果可以通过屏蔽系数来描述，屏蔽系数被定义为外屏蔽因子与内屏蔽因子的乘积。
具体计算公式如下：
屏蔽系数=外屏蔽因子×内屏蔽因子
屏蔽系数越高，表示总屏蔽的效果越好。
需要注意的是，以上公式是根据理论推导得出的近似公式，实际应用中还需要考虑电缆的具体结构、工作环境等因素，以及各种因素之间的相互影响。
因此，在实际应用中需要根据具体情况进行修正和调整，确保计
算结果的准确性。
此外，还需要结合实测数据进行验证，以保证计算结果的可靠性。
schelkunoff电磁屏蔽公式
Schelkunoff电磁屏蔽公式用于计算金属板的屏蔽效能（SE），其表达式为SE = A1 + A2 + A3。
Schelkunoff电磁屏蔽公式是基于传输线理论得出的，它适用于薄的、无限大的金属平面屏蔽板，且入射波为垂直入射的横电磁波的情况。
在这个公式中，SE表示屏蔽效能，单位是分贝（dB），而A1、A2和A3分别代表屏蔽材料的吸收损耗、反射损耗和多次反射损耗。
具体来说：
1. A1（吸收损耗）：是指电磁波通过屏蔽材料时，由于材料的导电性而产生的能量损耗。
2. A2（反射损耗）：是指电磁波在遇到屏蔽材料表面时，由于阻抗不匹配而产生的反射损耗。
3. A3（多次反射损耗）：是指在屏蔽材料内部，由于电磁波的多次反射和透射而产生的额外损耗。
屏蔽效能的计算
近场高频磁场，应采用高导电率金属，因频率较高时，磁 损将增加，高磁导率材料的屏蔽效果并不理想。
远场电磁屏蔽应采用高导电率金属并良好接地。
实践表明，低频磁场是在线监测中最难屏蔽的，主要因为，
为解决强磁场下，屏蔽材料的磁饱和问题，可采用双 层屏蔽。
H0
H1
H2
低导磁率 高饱和强度材料
高导磁率 低饱和强度材料
另一种较常用的复合屏蔽，是在高导磁材料表面涂覆 高导电材料。
这种屏蔽材料对高频和低频电磁干扰都有比较理想 的屏蔽效能。
硅钢 铜 镍
§ 6.1.3 孔缝屏蔽
屏蔽效能的计算，通常认为屏蔽体是一个完全封闭的金 属壳。但实际上任何屏蔽箱体都存在必要的穿孔和缝隙。
L
L1
CY1
CX
CY2
E
NE
L2
(a) 电源滤波器外观
(b) 等效电路
1. 插入损耗
金属板的综合屏蔽效能可表示为：
SE = A + R + B (dB)
（6-3）
A — 吸收损耗；R — 反射损耗； B — 多重反射修正因子。
1. 吸收系数 A
A 0.131t frr (dB)
（6-4）
t — 金属板厚度(mm)； f—辐射频率； r—金属板相对导磁率； r—金属板相对导电率。
为了避免走线引入附加电感，连接旁路和去耦电容器 的引线要尽量短直。
§ 6.2.3 电源滤波器
由于在现场，电源是许多设备公用的，同时公共电源通常也无屏蔽 措施。所以在线监测设备的电源线是引入传导干扰的主要来源。
电磁屏蔽技术
靠近辐射源
r = 30 m
磁场 r = 1 m
靠近辐射源
综合屏蔽效能 (0.5mm铝板)
150
250
平面波
0
0.1k 1k 10k 100k 1M 10M
高频时 电磁波种类 的影响很小
电场波 r = 0.5 m
磁场波 r = 0.5 m
电源线
缝隙
远场区孔洞的屏蔽效能
L
L
SE = 100 – 20lgL – 20lg f + 20lg（1 + 2.3lg(L/H)) = 0 dB 若 L / 2
H
孔洞在近场区的屏蔽效能
若ZC （7.9/Df）：（说明是电场源） SE = 48 + 20lg ZC – 20lg L f + 20lg ( 1 + 2.3lg (L/H) ) 若ZC （7.9/Df）：（说明是磁场源） SE = 20lg ( D/L) + 20lg (1 + 2.3lg (L/H) ) （注意：对于磁场源，屏效与频率无关！）
r 103
磁导率随场强的变化
磁通密度 B
磁场强度 H
饱和
起始磁导率
最大磁导率
= B / H
强磁场的屏蔽
高导磁率材料：饱和
低导磁率材料：屏效不够
低导磁率材料
高导磁率材料
加工的影响
20
40
60
80
100
10 100 1k 10k
跌落前
跌落后
良好电磁屏蔽的关键因素
屏蔽体 导电连续
没有穿过屏 蔽体的导体
屏蔽效能高的屏蔽体
不要忘记： 选择适当的屏蔽材料
你知道吗： 与屏蔽体接地与否无关
屏蔽常数的计算方法
屏蔽常数是指在电学、电磁学和信号处理等领域中，表示物体对电磁波的吸收、反射和透射的能力的一个量。
屏蔽常数的计算方法通常包括以下几种方法：
相对导体吸收率法：这种方法通过测量物体相对于空气的导体吸收率（SAR）来计算屏蔽常数。
公式为：
屏蔽常数= SAR / （2πfμ0μr）
其中，SAR是物体相对于空气的导体吸收率，f是电磁波的频率，μ0是真空中的磁导率。
傅里叶变换法：这种方法通过对电磁场在物体内部进行傅里叶变换，然后通过对变换后的电磁场进行分析来计算屏蔽常数。
时域有限差分法：这种方法通过对电磁场在物体周围进行时域有限差分来计算屏蔽常数。
屏蔽常数的计算方法还有其他的方法，但以上是常用的几种方法。
屏蔽常数的计算方法的选择取决于测量的电磁场的频率和物体的特性，应根据具体情况进行选择。
屏蔽计算资料
屏蔽计算资料: 一、X射线探伤机房4.4屏蔽设计的核实与评价4.4.1评价方法4.4.1.1屏蔽评价原则（1）根据国家标准规定，对源的设计、建造和运行中留有足够的安全裕量，以确保可靠的正常运行。
（2）在对四周墙体、天花板的屏蔽厚度计算时，对泄漏X射线的能量，按原初辐射能量计算；对散射X射线，四周墙体（包括防护门）按有用线束90°散射计算，对天花板取90°散射X射线计算。
（3）同一屏蔽体按泄漏辐射和散射辐射分别计算屏蔽厚度，若两者的厚度相差不到一个1/10值衰减层厚度时，则在其中较厚的一个厚度上再加一个半值层厚度。
4.4.1.2辐射屏蔽的计算方法（1）原初X射线屏蔽计算（主防护体的屏蔽厚度计算）按下式计算最大允许透射量B pp 2B=H×dW×T×U（1）式中：B p——屏蔽墙最大允许透射量，mSv·m*m·mA-1·min-1;H——周剂量约束值，mSv·wk-1;d——焦点至计算点的距离，m；W——周工作负荷，mA·min·wk-1；U——使用因子；T——居留因子。
计算出B p后，取负对数（-logB p），得出相应1/10值(TVT)层厚度个数N TVT，查相应能量的X射线在混凝土和铅的1/10值层厚度，可计算原初X射线屏蔽厚度。
《放射物理与防护》（2）散射X射线屏蔽计算（副防护体屏蔽厚度计算）散射X 射线的透射量B s 按下式计算： B s =H ·(d 1d 2)2/(αWAT) （2）式中 ：B s ——屏蔽墙最大允许透射量，mSv ·mA -1·min -1; H ——周剂量约束值，mSv ·wk -1;d 1——电子靶到散射表面的最近距离，m ； d 2——散射点至计算点的距离，m ； α——反散射因子， 90°散射角可取0.07%； A ——散射表面面积，m 2;W 、T 、H 的含义与公式（1）相同。
外照射屏蔽计算方法
1/2 0.3011/10 1/10 3.321/2
常用γ射线的△1/2， △1/10 （cm）
核素
铅 △1/2 △1/10
钢铁 △1/2 △1/10
混凝土 △1/2 △1/10
屏蔽方式
• 固定式：防护墙（迷路）、防护门、观察窗
• 移动式：包装容器、手套箱、防护屏 铅砖、铅围裙、眼镜等
窄束γ射线在物质中的减弱规律
• 窄束的概念（narrow beam）： 不包含散射成分的射线束
•单能γ射线在物质中的减弱规律
I I0ed
I，I0：设置屏蔽前后的剂量率（强度） d：屏蔽层厚度（cm）
5.50 105 mR / h
减弱倍数为
K=X0/X=(5.05×105 )/0.25=2.02×106
查表：Co-60平均能量为1.25MeV, 需要混凝土的厚度约为145cm
例题3
欲将放射性活度为3.7×1014Bq的60Co辐射源置于 一个铅容器中，要求容器表面的当量剂量率小于 2×10-3Svh-1，容器表面1m处的当量剂量率应小 于10-4Svh-1。设容器表面到源的距离为25cm，求 铅容器的屏蔽层厚度。
Co-60 1.2 4 2.0 6.7 6.1 20.3
Cs-137 0.7 2.2 1.5 5.0 4.9 16.3
Ra-226 1.3 4.4 2.1 7.1 7.0 23.3
点源的屏蔽计算
• 直接用公式计算
I I0 Be d
•利用减弱倍数法计算 K I0 ed IB
•利用半减弱厚度计算
（1）时间防护(Time) 累积剂量与受照时间成正比 措施：充分准备，减少受照时间
屏蔽效应计算公式
屏蔽效应计算公式在学习物理学的过程中，咱们常常会碰到屏蔽效应这个概念，而与之紧密相关的就是屏蔽效应计算公式啦。
先来说说啥是屏蔽效应。
想象一下，原子核周围的电子就像是一群调皮的孩子在玩耍。
内层电子会对外层电子产生一种“保护”作用，让外层电子感受到的原子核正电荷有所减少，这就好像内层电子给外层电子撑起了一把“保护伞”，这就是屏蔽效应。
那屏蔽效应的计算公式到底是啥样呢？其实它有好几种形式，但咱今儿主要说一种常见的——斯莱特（Slater）规则。
斯莱特规则的计算步骤是这样的：首先，咱们要把电子按轨道分组，比如 1s 组、2s2p 组、3s3p 组等等。
然后，对于要计算屏蔽常数的那个电子，其他电子对它的屏蔽作用就有不同的贡献啦。
比如说，处于同一组的电子，每个电子的屏蔽贡献是 0.35；而对于相邻内层组的电子，每个电子的屏蔽贡献是 0.85；再往内层的电子，每个电子的屏蔽贡献就是 1.00 啦。
举个例子来算算，比如咱们要算氧原子中某个电子受到的屏蔽作用。
氧原子的电子组态是 1s² 2s² 2p⁴。
假设要算 2p 电子的屏蔽常数，那 1s 组的两个电子每个贡献1.00，2s 组的两个电子每个贡献0.85。
算下来，屏蔽常数就出来啦。
还记得我之前教过的一个学生小明嘛，这孩子一开始对屏蔽效应计算公式那是一头雾水。
有一次上课，我讲完这个公式，让大家做几道练习题试试。
结果小明愁眉苦脸地跟我说：“老师，这公式我怎么看都像一团乱麻，根本理不清。
”我就耐心地跟他说：“别着急，咱们一步一步来。
”我带着他把刚才讲的例子又仔细过了一遍，让他自己动手算。
慢慢地，小明好像有点开窍了，眼睛也亮了起来。
后来，他在课后花了不少时间练习，终于把这个公式给拿下了。
在实际应用中，屏蔽效应计算公式用处可大啦。
它能帮助我们更好地理解原子的结构和性质，预测元素的化学行为等等。
总之，屏蔽效应计算公式虽然看起来有点复杂，但只要咱们耐心琢磨，多练习，就一定能掌握它，让它成为我们探索物理世界的有力工具。
完整屏蔽体屏蔽效能的计算
E3 (L）
Etotal E 2(0)
1 1 21 23e
2 2 L
E1 γ H1
2
T12 ρ21
1
T23
ρ
23
E3
γ
3Leabharlann H32E1(0)T 12 1 21 23e 2 2 L
Z1 0
Z2 L
Z3 x
图 屏蔽的平面波模型
Etotal沿+x方向传播距离L后形成
pH
e
2 L2
(1 q2e
2 2 L2 1
)
e
3 L3
(1 q3e
2 3 L3 1
)
e
1 ( L2 L3 )
式中：
Z i 1 Z i Z i 1 Z i Z i 1 Z i Z i 1 Z i
E3 (L）
E1 γ
2
T12 ρ21
1
T23
ρ
23
E3
γ
3
E21 (0) E2 (0)e 2 L 23 e 2 L 21 H1 E2 (0) 23 21e
2 2 L
H3
2
Z1 0
图
Z2 L
Z3 x
E22 (0) E21(0) 23 21e2 2 L
一
单层屏蔽体
1. 电磁波在屏蔽体x＝0界面处的传播公式 2.单层屏蔽体的有效传输系数
3. 电场和磁场的有效传输系数
4. 单层屏蔽体的屏蔽效能
二 多层平板屏蔽体的屏蔽效能
三. 屏蔽效能的计算
1 吸收损耗 2 反射损耗 3 多次反射损耗 四 平面波模型推广到非理想屏蔽结构
辐射防护(屏蔽计算)
第二节 X、 γ射线的外照射防护
（一）、窄束X或γ射线的减弱规律
（1）窄束（narrow beam）： 不包含散射成分的射线束
（2）窄束单能γ射线在物质中的减弱规律
N N0 e d
μ—线衰减系数，cm-1。
22
• 所谓窄束射线是指不包括散射成份的射线 束，通过吸收片后的γ光子，仅由未经相互 作用或称为未经碰撞的光子所组成。“窄 束”一词是实验上通过准直器得到细小的 束而取名。这里所说的“窄束”并不是指 几何学上的细小，而是指物理意义上的 “窄束”，即使射线束有一定宽度，只要 其中没有散射光子，就可称之为“窄束”。
第6章 外照射的防护
1
第一节 外照射防护的一般方法 第二节 X、γ射线的外照射防护 第三节 带电粒子外照射的防护
第四节 中子外照射的防护
2
第一节 外照射防护的一般方法
第一节 外照射防护的一般方法
一、 外照射防护的基本原则
二、 外照射防护的基本方法
三、 屏蔽材料的选择原则
四、 确定屏蔽厚度所需用的参数和资料
3
第一节 外照射防护的一般方法
一、外照射防护的基本原则
内外照射的特点
照射方式
内照射
辐射源类型
多见开放源
危害方式
电离、化 学毒性
常见致电离 粒子 α、β
照射 特点 持续
外照射
多见封闭源
电离
高能β、质子、 间断 、X、n
基本原则：
尽量减少或避免射线从外部对人体的照射，使 之所受照射不超过国家规定的剂量限值。
T＝ 1/4 T＝ 1/16
第二节 X、 γ射线的外照射防护
第二节 X、 γ射线的外照射防护
一、X、γ 辐射源及辐射场 二、X、γ 射线在物质中的减弱规律 三、X、γ 射线的屏蔽计算
14 屏蔽计算
A 1.5 103 3.3 x0 2 49.5mSv / 小时 2 R 100
9/20
要求降到25μSv /时，即 注意到铯-137的γ射线能量为0.662兆电子伏，这样可 以在表5-3和表5-5中查到所需的屏蔽层厚度为：混凝 土65.5匣米，或铅7.08厘米。
49.5 K 2 103 倍。再 0.025
6/20
1、减弱倍数法
若用照射量率来描述γ辐射场的强弱：
X B X 0 e d
X
： 有屏蔽材料的照射率 X
照射量积累因子
0
：没有屏蔽材料的照射量率
B ：
d ：所加屏蔽材料的厚度的射线平均自路程个数
7/20
0降低到拟达到的水平 X 用k代表为把原有的照射量 X
[例]一个210Po-Be中子源，210Po的放射性活度为2Ci （7.4×1010Bq），为了使离源50厘米处剂量当量率 降至0.025mSV/时以下，须用多厚的石蜡屏蔽？ 解：查表知，中子源强为： A＝2×2.5×106＝5×106中子／秒 容许剂量当量率为：H=0.025mSv/时＝6.94×10-9Sv/ 秒。查表，中子平均能量En＝4.3兆电子伏，用插入 法求得单位中子通量产生的剂量当量为：
19/20
不加屏蔽时，R＝50厘米处中子通量率为：
1 1 2 0 5 10 167 中子 秒 厘米 4 (50) 2
6
查得半值层d＝6.68厘米，取B＝l，则：
K 2
x 6.68
167 9.8 17
20/20
由此得出x＝20厘米。
(1.265- 0.09541n E )
电路法计算屏蔽效能
电路法计算屏蔽效能一般来说，有三种方法可以用来计算屏蔽体屏蔽效能：1．传输线方法2．电路方法3．波导法传输线方法是以平面电磁波通过一个薄片或者无限延伸的薄片的传播方程和传输线方程之间的差异为基础。
最初，这种方法适用于外壳的尺寸比波长大得多，屏蔽壳和源之间的距离相对很大的情况下。
后来，有人将此法应用到源和屏蔽壳距离很近或者波长比屏蔽壳的尺寸大的情况，但是这种情况下的结果不太可靠，经常出现过估计。
尤其是当考虑低频区域内的金属薄屏蔽壳的屏蔽效果时，由于此时屏蔽壳的尺寸比波长要小，源的距离比较大。
电路方法同理论解的结果很吻合，无论是在稳态还是暂态激励的情况下。
电路方法的一个重要方面就是它考虑屏蔽外壳的整体几何尺寸。
例如：在低频情况下，用电路方法表明一个屏蔽壳对平面波的屏蔽效能不仅是壳壁材料和壁厚度的函数，也是屏蔽壳整体尺寸的函数。
另一方面，同电路方法和其他方法相比较，传输线方法仅仅考虑屏蔽壳的材料和壁厚度，这通常会导致平面波的屏蔽效能计算偏大。
电路方法有低频和高频近似公式。
对于典型的薄壁型屏蔽外壳置于低频交流磁场比如elf频带或者更高频带，使用低频近似公式是比较合理的。
1．低频屏蔽问题的定性分析通常，有必要考虑任意类型的电磁波施加在屏蔽壳的情况，但是，为了简化处理，仅仅考虑平面波作为入射波。
当屏蔽壳的结构尺寸远远小于波长的时候，入射波基本是散射的。
电场的高阻抗作用和磁场的低阻抗作用将分别对待，。
在屏蔽壳表面上的电场和磁场分布将根据散射理论或者简单的准静态场原理来处理。
一旦外部场的分布求得，内部场的解就能计算出来。
如图一，静电场施加在一个盒子上，外部场认为是均匀的。
盒子表面感应的电荷和电场线如图所示：每一根场线均起止于一个感应电荷。
由于在盒子的内部没有未中和的电荷，因此电场不能透入到盒子内部。
让电场随时间而变化，将会有能量耦合进屏蔽层内部。
电荷将会重新分布，造成电流在盒子的上边缘和下边沿之间流动。
电流流动引起盒子上下部分之间的电压降。
屏蔽计算资料知识讲解
屏蔽计算资料: 一、X射线探伤机房4.4屏蔽设计的核实与评价4.4.1评价方法4.4.1.1屏蔽评价原则（1）根据国家标准规定，对源的设计、建造和运行中留有足够的安全裕量，以确保可靠的正常运行。
（2）在对四周墙体、天花板的屏蔽厚度计算时，对泄漏X射线的能量，按原初辐射能量计算；对散射X射线，四周墙体（包括防护门）按有用线束90°散射计算，对天花板取90°散射X射线计算。
（3）同一屏蔽体按泄漏辐射和散射辐射分别计算屏蔽厚度，若两者的厚度相差不到一个1/10值衰减层厚度时，则在其中较厚的一个厚度上再加一个半值层厚度。
4.4.1.2辐射屏蔽的计算方法（1）原初X射线屏蔽计算（主防护体的屏蔽厚度计算）按下式计算最大允许透射量B pp 2B=H×dW×T×U（1）式中：B p——屏蔽墙最大允许透射量，mSv·m*m·mA-1·min-1;H——周剂量约束值，mSv·wk-1;d——焦点至计算点的距离，m；W——周工作负荷，mA·min·wk-1；U——使用因子；T——居留因子。
计算出B p后，取负对数（-logB p），得出相应1/10值(TVT)层厚度个数N TVT，查相应能量的X射线在混凝土和铅的1/10值层厚度，可计算原初X射线屏蔽厚度。
《放射物理与防护》（2）散射X射线屏蔽计算（副防护体屏蔽厚度计算）散射X 射线的透射量B s 按下式计算： B s =H ·(d 1d 2)2/(αWAT) （2） 式中 ：B s ——屏蔽墙最大允许透射量，mSv ·mA -1·min -1; H ——周剂量约束值，mSv ·wk -1;d 1——电子靶到散射表面的最近距离，m ； d 2——散射点至计算点的距离，m ； α——反散射因子， 90°散射角可取0.07%； A ——散射表面面积，m 2;W 、T 、H 的含义与公式（1）相同。
斯莱特规则计算屏蔽常数
斯莱特规则计算屏蔽常数屏蔽常数是物理学中一个重要的概念，它在斯莱特规则中起着关键的作用。
斯莱特规则是用来预测电子在原子中的排布顺序的规则，通过屏蔽常数的计算，我们可以确定原子中电子的能级分布和电子云的形状。
屏蔽常数是指原子内部电子对外部电子的屏蔽效应的程度。
在原子中，电子云的电荷会对原子核上的电子产生排斥力，这种排斥力会减小外部电子受到的原子核吸引力，从而降低外部电子的能量。
屏蔽常数正是用来描述这种屏蔽效应的程度。
屏蔽常数的计算是基于原子的电子排布原理。
根据泡利不相容原理，每个原子的能级填充顺序是按照能量从低到高、自旋相反的原则进行的。
斯莱特规则则是在泡利不相容原理的基础上考虑了电子云对外部电子的屏蔽效应。
斯莱特规则的核心思想是将原子内部的电子分为两部分：核心电子和价电子。
核心电子是指原子内部的那些能级比价电子能级低的电子，它们对于原子中的外部电子几乎没有屏蔽效应。
价电子是指原子外层能级的电子，它们对于原子中的外部电子有很强的屏蔽效应。
根据斯莱特规则，我们可以将原子的屏蔽常数分为两部分：核屏蔽常数和电子屏蔽常数。
核屏蔽常数是核心电子对外部电子的屏蔽效应，它的计算方法是将核心电子的个数乘以一个特定的常数。
电子屏蔽常数则是价电子对外部电子的屏蔽效应，它的计算方法是将价电子的个数乘以一个特定的常数。
在实际应用中，我们可以根据原子的电子结构来计算屏蔽常数。
首先，确定原子的核心电子和价电子的数量。
然后，根据斯莱特规则中给出的常数，将核心电子和价电子的数量分别乘以对应的常数，最后将两部分的结果相加，即可得到屏蔽常数。
屏蔽常数的计算对于理解原子的电子结构和化学性质具有重要意义。
通过屏蔽常数的计算，我们可以预测原子中电子的排布顺序，从而推断出原子的化学性质。
同时，屏蔽常数也可以帮助我们理解原子的电子云结构，从而更好地解释原子的物理性质。
屏蔽常数是斯莱特规则中的一个重要概念，它描述了原子内部电子对外部电子的屏蔽效应。
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1.单向覆盖系数的计算
编织密度单向覆盖系数金属丝直径每锭根数
编织节距锭子总数屏蔽层直径线芯直径K%Kf d n L m D D 0830.58910.1561716.00 5.60 5.30 3.1按编织角计算
金属丝重量
根数金属丝直径交叉系数编织角1/2锭数材料密度W Cu n d k SIN θa r 19.68120.10 1.020.6988.89
金属丝重量
根数金属丝直径交叉系数编织角1/2锭数材料密度W CCAM n d k SIN θa r 4.5340.13 1.020.698 3.63金属丝重量线芯直径金属丝直径交叉系数
材料密度W Cu D 0d k r 7.87 2.790.10 1.028.89金属丝重量线芯直径金属丝直径交叉系数
材料密度W CCAM D 0d k r 4.67 3.080.13 1.02 3.63
4.金属丝根数的计算
n=[3.14(D0+2d)*Kf*sin θ］／ad
金属丝根数线芯直径金属丝直径单向覆盖率
编织角1/2锭数n D 0d Kf 45.00a 4 2.550.100.550.718 5.扁型线芯金属丝根数的计算
n=[3.14(D0+2d)*Kf*sin θ］／ad 金属丝根数相当线芯直径金属丝直径单向覆盖率
编织角1/2锭数线芯周长绝缘外径
n Dx d Kf 45.00
a c d04 2.550.100.55
0.7188.02 1.56
二.SYV同轴电缆参数计算（GB/T14864-1993）
1.单向覆盖系数的计算
编织密度填充系数股宽度金属丝直径拼股数
编织节距锭子总数平均直径
K%Kt W dw N L n D 890.66120.960.12
816.816.00 5.12
2.编织密度
K=(2Kf+Kf 2)*100%
单向覆盖系数Kf 0.59 Kf=(mnd/2L)[1+(L/3.14D)2)1/2 W=3.14*d 2*a*n*k*r/2sin θ
3.2按单向覆盖系数计算
W=（D 0+2d）d*Kf*k*r*3.14*3.14/2
单向覆盖系数Kf 0.59一.RVVP屏蔽软电缆参数的计算（JB8734-1998)
Kf=(mnd/2L)[1+(L/3.14D)2)1/2 2.编织密度
K=(2Kf+Kf 2)*100%
3.金属丝重量的计算
平均周长
C 正切值θ正弦值17.59
0.77
44.02
0.69
纵包铝箔外径平均周长D3C θ4.8816.08
0.76
43.74
编织角编织角。