中心组合设计方法CCD介绍 ppt课件

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CCD工作原理解析PPT课件

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c

hc Eg

1.24 [m]
Eg (eV )
2-3
当 c 时,光子没有足够的能量将电子由价
带激发到导带。这时光子只是穿过这个材料。对 于本征(intrinsic)硅有:
Eg 1.12eV
c 1.11m
这是CCD的长波限制
电荷的产生原理动画
光电导效应
电荷的存储(以MOS电容为例)
CCD概述
• 电荷耦合器件CCD(Charge Coupled Devices)
CCD(Charge Coupled Devices,电荷耦合器件)图像传感器 主要有两种基本类型,表面沟道CCD(简称为SCCD)器件;体 沟道或埋沟道器件(简称为BCCD)。

荷 耦
线阵CCD



C
面阵CCD
C
D
CMOS-CCD 图像传感器的应用
PC摄像头 保安监视
机顶盒
医疗仪器图8-82 CMOS器件的应用情况 玩具
手机
数码相机
可视电话 生物特征识别
汽车 条码识别 PDA
CCD工作原理简示图
y1
R:G:B=139:0:225 y2 R:G:B=225:0:0 y3 R:G:B=0:0:225 y4
电子
电荷的生成
如果一个入射光子的能量(Eph)大于或等 于这种材料导带与价带之间的能隙(Eg),就 可以把一个电子激发到导带而成为自由电子。 用公式表示如下:
E ph E g
2-1
E ph

h

hc

2-2
其中h为普朗克常数,为频率,为波长,c是光速。
电荷的生成
光电效应中有一个临界波长(c ),定义为:

CCD基本原理与成像系统中的新技术 ppt课件

CCD基本原理与成像系统中的新技术 ppt课件
按一定的方式将一维线型CCD的光敏单元及移 位寄存器排列成二维阵列,即可以构成二维面 阵CCD。
根据转移方式不同,面阵CCD通常有帧转移、 全帧转移、行间转移等转移方式。
LUSTER LightVision
C技C术D基本原理与成像系统中的新
帧转移面阵CCD的特点是结构简单,光敏单元的尺寸较小,模传递函数MTF 较高,但光敏面积占总面积的比例小。转移速度较快。
CCD的突出特点是以电荷作为信号,而 其他大多数器件是以电流或者电压为信 号。
CCD的基本功能是信号电荷的产生、存 储、传输和检测
LUSTER LightVision
C统C中D的基新本技原术理与成像系
CCD单元部分,就是一个由金属-氧化物-半导 体组成的电容器,简称MOS结构。
CCD单元与线阵列结构的示意图 a) CCD单元 b) CCD线阵列
η=Q1/Q0 ε表示残留于原势阱中的电量与原电量之比,故
ε=1-η
LUSTER LightVision
C技C术D基本原理与成像系统中的新
暗电流是大多数成像器件所共有的特性,是判断一个摄像器件好 坏的重要标准。
产生暗电流的主要原因是: 1.耗尽的硅衬底中电子自价带至导带的本征跃迁 2.少数载流子在中性体内的扩散 3.Si-SiO2界面引起的暗电流
LUSTER LightVision
C技C术D基本原理与成像系统中的新
CCD的光谱响应是指CCD对于不同波长光线的响应能力。现在固 件摄象器件中的感光元件都是用半导体硅材料来作的,所以灵敏范围为 0.4~1.15μm左右,但光谱特性曲线不象单个硅光电二极管那么锐利, 峰值波长为0.65~0.9μm左右。
LUSTER LightVision
C技C术D基本原理与成像系统中的新

CCD技术资料PPT教案

CCD技术资料PPT教案

7.4 X 7.4mm 14.
XG-H035M/C 640 X 480 7.4um 4.746 X 3.552mm 4.746 X 3.552mm
7.2mm
XG-035M/C 640 X 480 7.4um 4.746 X 3.552mm 4.746 X 3.552mm 9
XG-S035M/C 640 X 480 7.4um 4.746 X 3.552mm 4.746 X 3.552mm
10.6mm
CV-H100M/C 1000 X 1000 7.4um 7.4 X 7.4mm
7.4 X 7.4mm 640 X 480 7.4um 4.746 X 3.552mm 4.746 X 3.552mm 9
7.2mm
CV-035M/C 640 X 480 7.4um 4.746 X 3.552mm 4.746 X 3.552mm 9.
CV系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列--CCD型号
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
CVX系列CCD各种型号对应的相关参数
cvcvccdccdcvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcv系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxxccdccdcvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数cvcvxx系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数xgxg系列系列ccdccd型号面型相机型号面型相机新产品xg2100mh2100mxgxg系列系列ccdccd型号线型相机型号线型相机xgxg系列系列ccdccd型号型号3d3d相机相机xrxrht15mht40mht15mht40mxgxg系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数xgxg系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数xgxg系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的相关参数xgxg系列系列ccdccd各种型号对应的相关参数各种型号对应的

第4章CCD工作原理解析PPT课件

第4章CCD工作原理解析PPT课件

电荷的测量
20m
输出漏极 (OD) 输出管栅极 输出源极 (OS)
SW R RD OD
输出节点 复位漏极 (RD)
R(复位 栅极)
串行寄存器电极
相加阱 (SW)(相当于量筒)
复位 FET
输出节点 相加阱
输出 FET
OS
串行寄存器最后的几个电极(读出寄存器) 衬底
典型 CCD 片内放大器的显微照片和片内放大器的线路图.
氧化物
金属
P型半导体
Vg<0
栅电极
EFm VG<0
EC
EFp
P-Si
Ev 积累层
栅极电压Vg<0,电
SiO2
场排斥电子吸引空穴, 使表面电子能量增大,
表面处能带向上弯曲,
越接近表面空穴浓度越
大,形成空穴积累层。
氧化物
金属
P型半导体
EC
Vg>0
栅电极
VG>0 EFm W
EFp
P-Si
Ev
耗尽层
氧化物
半导体表面与衬底的电压,常称为表面势,(用VG 表示)外加电压越大,对应有越大的表面电势,能带弯
曲的越厉害,相应的能量越低,储存电子的能力越大,
通常称其为势阱。注入电子形成电荷包
VG=2V
VG=6伏
VG=12伏
0
5
10 15 P-Si
P-Si
P-Si

VG 空势阱
填满1/3势阱
全满势阱
电荷的存储
❖ 当金属电极上加正电压时, 由于电场作用,电极下P型 硅区里空穴被排斥入地成耗 尽区。对电子而言,是一势 能很低的区域,称“势阱”。 有光线入射到硅片上时,光 子作用下产生电子—空穴对, 空穴被电场作用排斥出耗尽 区,而电子被附近势阱(俘 获),此时势阱内吸的光子 数与光强度成正比。

第六章电荷耦合器件CCD讲解ppt课件

第六章电荷耦合器件CCD讲解ppt课件

Vg 1 Vg 2 Vg 3 Vg 4
2V 10V 2V 2V
2V 10V 10V 2V
2V 2V 10V 2V
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
•基于势阱的有无和深度 都取决于栅极的电位, 通过不断地改变各栅极 上的电位值,使栅极下 势阱底抬高或降低,实 现其中电荷包有规则、 可控制地传输,直到输 出端。
Vg 1 Vg 2 Vg 3 Vg 4
2V 10V 2V 2V
2V 10V 10V 2V
2V 2V 10V 2V
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
6.5 电荷耦合器件的特征参数
Vg
①在金属层上施加正电压, 表面势Vs为正。
②空穴耗尽层
③ Vs随耗尽区的形成而升高,耗尽区深度随着 栅极电压的升高而不断变宽。这种状态就是多 数载流子的耗尽状态。在耗尽区,空穴的浓度 几乎为零。
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
➢转移效率 ➢电荷存储能力 ➢暗电流 ➢噪声
经营者提供商品或者服务有欺诈行为 的,应 当按照 消费者 的要求 增加赔 偿其受 到的损 失,增 加赔偿 的金额 为消费 者购买 商品的 价款或 接受服 务的费 用
转移效率
• η=Qn+1/Qn Qn+1转移到下一个势阱中的电荷数,Qn原 势阱中的电荷数

ccd简介PPT20101124

ccd简介PPT20101124

四个像点构成一个像素:红蓝各一个像点,剩下 为绿色(人对绿色较敏感) 备注:也有4色CCD,即将其中一个绿色换位翡翠 绿色(Sony公司)
彩色CCD工作原理
说明: 1.方案1的三基色的色域小于自然色域(在计算机图形处理 中,色域是颜色的某个完全的子集),再完美的恢复算法 恢复后也会彩色失真. 2.上述方案2处理彩色图像时,其清晰度只有单色CCD的 1/4,为弥补损失,在CCD输出后,可通过一些算法与恢复 方法来恢复每个像素的RGB信号.各个公司算法差别不一 (偏黄/偏红/颜色错误等),且不可能恢复到原始图像 信息
CCD组成
CCD阵列: 通过光刻方式成行*列的矩阵 状,每个单元称作像素单元
像素: 图像的最小视觉显示单位 像素单元: 由一个光感区、电荷存储区、 电荷转移区、益漏沟槽、电极等 组成
CCD组成
CCD开口率: CCD感光区面向光线入射处的面积, 一般只有50%左右 感光面积越大,光感二极管采集的光 线越多,成像质量越好. 改善方式: A.加微透镜(Sony公司) B.SupperCCD(改变CCD阵列的排 列方式,增大开口率) C.其它增加感光面积、提高光线利用 率的方式,采用更好的图像处理算法 的CCD
全转(行帧转移型)详细过程
垂直移位寄存器
1.产生电荷:场信号的正扫描期,感光二极 管将光强转换为电子并在感光区积累 2.转移电荷: a.场消隐期,所有电荷转移到垂直移 位寄存器中,伴随消隐的进行,所有电 荷被转移到下方遮光区的寄存器中 b. 水平消影期间(行扫描的逆扫描 期),电荷被转移至最下端的寄存器, 寄存器按时序将不同像素的电荷水平输 出,此时电荷被转换成视频信号,一副 图像输出
CCD是于1969年由美国贝尔实验室(Bell Labs)的维 拉·博伊尔(Willard S. Boyle)和乔治·史密斯 (George E. Smith)所发明的。

《CCD基础知识》PPT课件

《CCD基础知识》PPT课件

然后,光敏区开始进行第二帧的光积分,而暂存区则利用这个时间,将电荷包一 次一行地转移给CCD移位寄存器,变为串行信号输出。当CCD移位寄存器将其 中的电荷包输出完了以后,暂存区里的电荷包再向下移动一行给CCD移位寄存器。 当暂存区中的电荷包全部转移完毕后,再进行第二帧转移。
整理ppt
32
CCD的应用
三相CCD的时钟波形刚好互相错开T/3周期,因此时钟电压波形每变化T/3周期,电荷
包就要转移过一个极板,每变化一个周期整理,p即pt 转移过三个极板。
22
输出装置:在靠近最右电极的一侧扩散一个N区作为收集区,它与衬底
之间形成一个PN结。电源E通过R加在该结的两端,使它处于反偏状态。
该收集区收集最后一个电极cn下的电子,在电阻R上就有电流流过,并 转换成电压的变化,输出一个脉冲。注意输出是串行的。
整理ppt
29
CCD以电荷作为信号,所以电荷信号的转移效率就成为 其最重要的性能之一。把一次转移之后,到达下一个势阱中 的电荷与原来势阱中的电荷之比称为电荷转移效率(CTE)
好的CCD具有极高的电荷转移效率,一般可达0.999995[3],所 以电荷在多次转移过程中的损失可以忽略不计。
整理ppt
30
从而电荷包就要沿着表面从电势能高的地方向电势能低的地 方流动。
整理ppt
21
对于多电极,如图在二氧化硅表面排
列多个金属电极a1、b1、c1;﹍an、 bn、cn等,每三个电极如a1、b1、c1 组成一个传输单元,在三个电极上分
别加上三相脉冲电压Ua、Ub、Uc, 它们的波形如图。
金属电极上所加正电压越大.金属 电极下的电场越强,多数载流子空 穴被排斥的耗尽层越厚,对少数载 流子电子则势阱越深

中心组合设计方法CCD介绍课件ppt

中心组合设计方法CCD介绍课件ppt
• 目標值 • 最大值 • 最小值
• 目的: 如何設定因子之水準(區間), 使反應變數
達到最佳值.
2021/3/10
2
RSM之基本原理
• 真正的函數關係 Y = f(x1, x2) + e 反應曲面(Response Surface) = f(x1, x2)
• 若因子之區間縮小, 則 f(x1, x2) 可用多項式來趨近. 如: Y = b0+b1x1+b2x2+…+bkxk+e (first order) Y = b0+bixi+biix2i+ bijxixj+e (second order)
• Face-centered Central Composite Design (FCCD)
– 除了 a = 1以外, 其餘 與 CCDs同
– 當部份因子之水準數 只有三個, 或為離散性 質時
– 可旋轉性 (Rotatability) 較差, 應儘量避免使用
2021/3/10
33
二階 Model 之 RSM 設計(3/4)
Chapter 11
Part I :反應曲面技術
(Response Surface Methodology)
2021/3/10
1
Why/When to Use RSM?
• 已知此反應變數(Response Variable)受數個因子 之影響.
– 必須經由實驗設計所證實.
• 吾人想知道此反應變數之最佳值
2021/3/10
49
混合設計之目的
• 前所提及的反應曲面技術設計, 每一因子水準 之選擇皆與其他因子無關 (Independent); 然而, 實際的系統中, 常會因為某一因子水準之選擇, 而使得另一因子的水準必須固定在某一數值上 (Dependent). 此時, 吾人便必須使用混合設計 (Mixture Designs) 才能將此種現象呈現出來.

中心复合设计CCD

中心复合设计CCD

中心复合设计CCD一、描述这个功能可以灵活地选择复制,走样的预测和小数块,并选择的轴或中心点产生了广泛的中心复合设计。

二、用法ccd(basis, generators, blocks = "Block", n0 = 4, alpha = "orthogonal", wbreps = 1, bbreps = 1, randomize = TRUE, inscribed = FALSE, coding)三、参数四、详细信息中央复合设计的CCD响应面勘探中使用的流行的设计。

他们被堵塞的设计组成的至少一种的多维数据集的块(两水平因子或部分因子,附加中心点),和至少一个星状块(点沿每个轴的位置-α+α-),加上中心点。

一切都被假定为规模的编码的多维数据集的设计部分,其中为每个变量的值-1和1,中心点0。

使用的编码参数,如果需要的话,编码可以提供。

基础参数确定一个基本的设计,用来创建立方体块。

例如,basis = ~A+B+C会生成一个基本的8次试验的设计。

如果你需要额外的变量,可使用generators,例如,generators = c(D~-A*B, E~B*C)加在上面定义关系会产生一个5因素设计I = ABD = BCE = ACDE 。

如果你想立方体点分为零碎块,给块参数公式。

例如,basis =A+B+C+D+Egenerators =F~-A*C*D, 和blocks =Day ~c(A*B*C,C*D*E)。

阻挡变量将被命名为“Day”,将其分为4块8和32运行的基本设计(半部分6因素)运行每一个的基础上,结合标志的A * B * C 和C * D * E 。

请注意,这一天将混淆与发电机组,及其相互作用,以及所有这些别名:Day = ABC = CDE = ABDE = -BDF = -ADCF = -BCEF = -AEF。

对于每个模块,我们将添加N0(N0 [1 ])的中心点。

中心复合设计CCD

中心复合设计CCD

中心复合设计CCD一、描述这个功能可以灵活地选择复制,走样的预测和小数块,并选择的轴或中心点产生了广泛的中心复合设计。

二、用法ccd(basis, generators, blocks = "Block", n0 = 4, alpha = "orthogonal", wbreps = 1, bbreps = 1, randomize = TRUE, inscribed = FALSE, coding)三、参数四、详细信息中央复合设计的CCD响应面勘探中使用的流行的设计。

他们被堵塞的设计组成的至少一种的多维数据集的块(两水平因子或部分因子,附加中心点),和至少一个星状块(点沿每个轴的位置-α+α-),加上中心点。

一切都被假定为规模的编码的多维数据集的设计部分,其中为每个变量的值-1和1,中心点0。

使用的编码参数,如果需要的话,编码可以提供。

基础参数确定一个基本的设计,用来创建立方体块。

例如,basis = ~A+B+C会生成一个基本的8次试验的设计。

如果你需要额外的变量,可使用generators,例如,generators = c(D~-A*B, E~B*C)加在上面定义关系会产生一个5因素设计I = ABD = BCE = ACDE 。

如果你想立方体点分为零碎块,给块参数公式。

例如,basis =A+B+C+D+Egenerators =F~-A*C*D, 和blocks =Day ~c(A*B*C,C*D*E)。

阻挡变量将被命名为“Day”,将其分为4块8和32运行的基本设计(半部分6因素)运行每一个的基础上,结合标志的A * B * C 和C * D * E 。

请注意,这一天将混淆与发电机组,及其相互作用,以及所有这些别名:Day = ABC = CDE = ABDE = -BDF = -ADCF = -BCEF = -AEF。

对于每个模块,我们将添加N0(N0 [1 ])的中心点。

最新第二章有关数学基础-CCD和彩色原理教学讲义ppt课件

最新第二章有关数学基础-CCD和彩色原理教学讲义ppt课件

完全饱和
不完全饱和
亮度:人眼感受到的颜色光的强度
– 同一种色块,在不同强度的白光照射下, 反射的光波波长一样(色调相同),但 人眼感觉到的颜色不同。
– 某一颜色的光,量度很弱,趋于黑色, 反之,趋于白色。
• 颜色相加与相减
– 相加:发光物体发出某些波长的光波, 这些波长的光波叠加在一起。
– 相减:白光照在某种颜色的物体上。部分 波长的光波被吸收,剩下波长的光 波进入人的眼睛。
数位机。
Frame-Transfer 全传 CCD

架构介于 IL 和 FF 之间的产品,分成两个部分。上半部是
感光区,下半部是暂时存储区。整体来说 Frame-Transfer CCD
非常的类似 Full-Frame CCD,它的特点在于直接规划了一个大
型暂存区。一旦FT CCD 运作,它可以迅速将电荷转移到下方的
1.2 颜色空间
• 彩色空间:
色度图(国际亮度委员会International Committee on Illumination, CIE)表明定义颜色至少需要3个参数。用3 元组(x, y, z)表达一个颜色和在3维空间定义一个点相似, 称为彩色空间。
• 常见颜色空间:
RGB: 显示器信号 HSI:人眼识别 CMY:彩色印刷 YUV (YCbCr) :电视信号
第二章有关数学基础-CCD和 彩色原理
Interface of Digital Imaging
• CCD原理
电荷耦合器件(Charge Coupled Device,即CCD),一种集 光电转换、电荷存贮、电荷转移为一体的传感器件,最早由贝尔 实验室发明。构成CCD的基本单元是MOS电容。
• CCD结构:
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DOE Class_90a
10
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
11
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
12
中心组合设计方法CCD介绍
• 實驗所得之回歸模式(Regression Model)為 y = 78.97 + 1.00x1 + 0.50x2
• 需進一步之實驗以求取最佳點.
&Six
DOE Class_90a
13
中心组合设计方法CCD介绍
• 2k + nc center point 或 CCD 或 其他 • First-order Model 顯著, 且Curvature不顯著; 否
則已在最佳點附近.
• 取係數之絕對值最大者; 選定其Step Size xi. • 其他因子之Step Size =>
&Six
DOE Class_90a
8
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
9
中心组合设计方法CCD介绍
• 實驗所得之回歸模式(Regression Model)為
y = 40.44 + 0.775x1 + 0.325x2 • x1與x2之係數(0.775 and 0.325)相對於係數之
standard error = sqrt(MSE/d.f.e) = 0.10大的多; 故 兩係數均顯著.
• 下次實驗之移動方向:
– 以移動係數最大之因子一個單位 (以Coded Variable 為基礎), 故選擇 x1 = 1, 則x2 = (0.325/0.775) x1 = 0.42
&Six
&Six
DOE Class_90a
3
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
4
中心组合设计方法CCD介绍
• 目的: 為能快速達到最佳反應變數值之鄰近區 域.
• 假設: 在遠離最佳反應變數值的地方, 一般而言, 使用 First-order Model 已經足夠.
• Steepest Ascent 是一種沿著最陡峭的路徑(亦即 反應變數增加最快之方向), 循序往上爬升的方 法.
• 目的: 如何設定因子之水準(區間), 使反應變數
達到最佳值.
&Six
DOE Class_90a
2
中心组合设计方法CCD介绍
• 真正的函數關係 Y = f(x1, x2) + e 反應曲面(Response Surface) = f(x1, x2)
• 若因子之區間縮小, 則 f(x1, x2) 可用多項式來趨近. 如: Y = b0+b1x1+b2x2+…+bkxk+e (first order) Y = b0+bixi+biix2i+ bijxixj+e (second order)
&Six
DOE Class_90a
23
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
24
中心组合设计方法CCD介绍
• 23
– 無法估算 Pure Error
- 4 d.f. 之 Lack-of-fit
– 缺點 : Model是否合適無法得知
• 23-1 + 4 center point
xi / bi = xk / bk
• 將xi換算成Natural Variable; 回到第一步驟.
&Six
DOE Class_90a
14
中心组合设计方法CCD介绍
• 當非常接近最佳點時, First-order Model 便不再適用; 此時應用 Second-order Model 或更高階之Model來趨近真實反 應曲面的曲線(曲面)情形.
&Six
DOE Class_90a
22
中心组合设计方法CCD介绍
• 考慮因素: 直交 (Othogonal) • 2k + nc center point • 2k-p + nc center point, 但必須為解析度III以上,
Why?
• Simplex Design
– k 個因子, 使用 k+1 次(頂點)實驗
• Coded Variable (X1;X2) = (-1 ~ 1; -1 ~ 1) • Natural Variable ( 1; 2) = (30 ~ 40; 150 ~ 160)
&Six
DOE Class_90a
7
中心组合设计方法CCD介绍
• 重複中心點 – Error 之估算 – First-order Model 是否合適 ( Fit? )
中心组合设计方法CCD介 绍
Part I :反應曲面技術
(Response Surface Methodology)
中心组合设计方法CCD介绍
• 已知此反應變數(Response Variable)受數個因子 之影響.
– 必須經由實驗設計所證實.
• 吾人想知道此反應變數之最佳值
• 目標值 • 最大值 • 最小值
&Six
DOE Class_90a
15
中心组合设计方法CCD介绍
• “534.DX5”
&Six
DOE Class_90a
16
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
17
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
18
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
19
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
20
中心组合设计方法CCD介 绍
Part II: 反應曲面技術
- 設計之選擇 - Optimization - EVOP
中心组合设计方法CCD介绍
• 在試驗區間內, 提供合理的資料點分布 • 允許 Model 適合度之分析 (Lack of Fit) • 允許區隔化 (Blocking) • 允許高階 Model 被循序漸近式的建立起來 • 提供自然誤差 (Pure Error) 之估計 • 較少的實驗次數 • 較少的因子水準數 • 估計 Model 參數之計算過程應儘量簡單
• 若用以求極小值, 則稱為 Steepest Descen90a
5
中心组合设计方法CCD介绍
&Six
DOE Class_90a
6
中心组合设计方法CCD介绍
• “525.DX5”
• 因子: 1: 反應時間 (35 min.) 2: 反應溫度 (155 oF)
反應變數 Y: 平均產出水準 (40%)
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