河北工业大学890半导体物理学07-12年真题
河北工业大学流体力学(I)2007—2012年考研真题试题
管 内 的 质 量 流 量 。 (14分 )
5,已 知平面流动的速度分布为如下,(1)求 流体的质点加速度 ;(2)试 判断该流场是否存在流函数Ψ 和势函数♀?并 说明理 由。(16分 ,每 小题 8分 )
(a)
2+2x-`2, v=-2V-2` 勿 =艿
(b) 勿=-`∫ , v=× 莎
用一个泵把水箱 A的 水泵入水池 B(如 图),管 道总长为 18m,直径 d=50mm,水 的密度为
第4题 图
第 6题 图
第 2页
N的 力,求 侧挡板 B所 受 的合力 。(16分 )
第 1页
4,利 用文氏管测量管内流速,假 设管内流动的流体为理想流体,流 体密度为ρ丬 ,85kg/m3,文 氏管进
口截面直径为 D丬 ⒛ mm, 喉部直径 d=50mm,利 用 U型 管测得喉部与进 口截面处的压差为
Δp=4⒛ mmH2O,求
ρ〓100O kg/m3。 若水流量为 35m3/h,水 头 Hl=1,2m,H2=7,3m,沿 程阻力系数取λ=0,凼 5,计
入下列局部阻力:锐 缘进 口 (ζ 1=0,5),开 度 75%的 蝶阀 (ζ 2=0,15),d/R=1的 直角弯头三个‘(ζ3 =0,25),锐 缘出口 (%=l,ω °若不计泵的内阻,求 所需泵的扬程为多少? (16分 )
2,如 图所示的矩形立方体,底 边长宽均为 0,5m,重 W=980N,从 一与水平面成θ=30° 夹角并涂有
润滑油的斜面匀速滑下,已 知物体下滑的速度为 V=0,75m内 ,当 油膜厚度为δ=0,12mm时 ,求 润 滑油的动力粘度u是 多少? (16分 )
256θ N
蕲
第 2题 图
第 3题 图
β,容器 内装有水 ,水 的密度ρ=1000kg/m3,容 器尺寸如 图所示 。在容器顶部通过一个活塞施加 乃ω
河北工业大学考研历年真题之材料科学基础2006--2012年考研真题
6.反应扩散 7。 淬硬性 8。 淬透性 : 9。 相起伏 10.非 均匀形核
二、选择题 (共 ⒛ 分,每题 2分 。答案一律写在答题纸上、否则无效。)
1.置 换固溶体中,溶 质原子的扩散是通过
~实 现。
A∶ 原子换位机制 B:丨司隙扩散机制 C∶ 空位机制 D∶ 传导机制
2,在 离子晶体中,负 离子多面体相互间
连接时,结 构最稳定。
A∶ 共用顶 B:共 用棱 C∶ 共用面 D∶ 不共用
3.bcc结 构的单晶体中,
面与I1131方 向垂直。
A∶ (112) B: (211) C∶ (121) D∶ (121)
4.在 具有包共晶转变的三元相图中,L+s相 区与四相平衡平面
接触 。
A∶ 线 B:面
C∶ 点 D∶ 体
接触 。
A∶ 线 B:面
C∶ 点 D∶ 体
5,用 热扩散方法在一定温度下对单晶 ⒏掺杂时,掺杂元素扩散的距离与扩散温度呈
A∶ 直线 B:指 数 C∶ 抛物线 D∶ 平衡
6,下 列因素中,对再结晶后晶粒大小没有影∶ 再结晶退火温度 D∶ 原始晶粒尺寸
关系。
⒎ 全 硼 ___鹅
河北工业大学 2012年 攻读硕 士学位研 究生入学考试试题
科目名称
材料科学基础 (D
科目代码 880
[B] 共2 页
适用专业
材料学、 材料物理化学、材料加工工程
注 :所有试题答案一律 写在 答题纸上 ,答 案 写在试卷 、草 稿纸上一律无效 。
一、解释下列名词 (共 ⒛ 分,每 题 2分 。答案一律写在答题纸上、否则无效。)
10.关 于金属玻璃的说法错误的是 ( )。
第 1页
A,虽 然是固态但仍保持了液态时的原子的排列 B,其 原子排列具有晶格结构和晶体缺陷 C。 其原子的杂乱排布与玻璃中的原子排布相似
河北工业大学《880材料科学基础（Ⅰ）》历年考研真题汇编
目 录2012年河北工业大学880材料科学基础（Ⅰ）（B 卷）考研真题2011年河北工业大学880材料科学基础（Ⅰ）（B 卷）考研真题2010年河北工业大学880材料科学基础（B卷）考研真题2009年河北工业大学880材料科学基础（A卷）考研真题2008年河北工业大学880材料科学基础（A卷）考研真题2007年河北工业大学435材料科学基础（A卷）考研真题2006年河北工业大学439材料科学基础（A卷）考研真题2012年河北工业大学880材料科学基础(I)(B卷)考研真题河北工业大学252年攻读硕士学位研究生入学考试试期[B]科目名称材料科学基础(I)科目代码800共：！页适用专业材料学、材料物理化学、材料加工工程注：所有试甄答案一律写在答JE纸上，答案写在试卷、草稿维上一律无敕"•、拼释下列名间《共2。
分，国龄分,答案一律与在答颛短上、否则无敏L取向因子史结构起伏3.位错 4.多边化 5.台金相6,反应扩散7.淬硬性&.淬透性：9.相起伏10.非均匀形核二，选择期(共205),每题2分。
苔案一律写在答题纸上、杏则无效.)1.置换固溶怀中.落质原子的扩散是通过_____芸观.*姐子明立机制B：间隙扩散机制C:短位初制D：枝野机制2.在拇子葛体中，负离子多碱相互间述搂时，结构最艳定.A:四日顶B;共用桂C：共用而D:不娓用3.bcc结构的单品体中，面方向姓直,A:(H2>&四)C:(121)D:(12().4.曷具智包共占牒映的三元相图中，L+0相匡与四相平衡平面是________按触，A:线B：面C:点D:体5.用熟扩散方法在一定sa度下对兑昂陶掺杂时.艇倾繁扩故的箱离与犷散渤喔.一一yA:宜嬉B：指数C:撷婀D；平衡&甲剑因素中，对再结品后品粒大小没有影响的是。
A变形孰B:试桦尺寸C:再菇配退水砌U:原始册粒尺可7.邳.旃龄分解为俩'个不错:[11#和:①爪A;&；1】讪C:叫□:^[011]&对CuN合金，下列表述中哪兮慈错误的：..A:只有族结构5温下发生岫遗C：结品时呈树枝状生核口；比E容易姚土低娜技机时出晚屈成暇两主要原因*A;晚生『鉴系滑移氏破原于气团钉扎何储口扩履位帝腭交滑移。
半导体物理学(刘恩科)第七版-完整课后题答案
第一章习题1．设晶格常数为a 的一维晶格，导带极小值附近能量E c (k)和价带极大值附近能量E V (k)分别为：E c =0220122021202236)(,)(3m k h m k h k E m k k h m k h V -=-+ 0m 。
试求：为电子惯性质量，nm a ak 314.0,1==π（1）禁带宽度;（2） 导带底电子有效质量; （3）价带顶电子有效质量;（4）价带顶电子跃迁到导带底时准动量的变化 解：（1）eV m k E k E E E k m dk E d k m kdk dE Ec k k m m m dk E d k k m k k m k V C g V V V c 64.012)0()43(0,060064338232430)(2320212102220202020222101202==-==<-===-==>=+===-+ 因此：取极大值处，所以又因为得价带：取极小值处，所以：在又因为：得：由导带：043222*83)2(1m dk E d mk k C nC===sN k k k p k p m dk E d mk k k k V nV/1095.7043)()()4(6)3(25104300222*11-===⨯=-=-=∆=-== 所以：准动量的定义：2. 晶格常数为0.25nm 的一维晶格，当外加102V/m ，107 V/m 的电场时，试分别计算电子自能带底运动到能带顶所需的时间。
解：根据：t k hqE f ∆∆== 得qEk t -∆=∆ sat sat 137192821911027.810106.1)0(1027.810106.1)0(----⨯=⨯⨯--=∆⨯=⨯⨯--=∆ππ补充题1分别计算Si （100），（110），（111）面每平方厘米内的原子个数，即原子面密度（提示：先画出各晶面内原子的位置和分布图）Si 在（100），（110）和（111）面上的原子分布如图1所示：（a ）(100)晶面 （b ）(110)晶面（c ）(111)晶面补充题2一维晶体的电子能带可写为)2cos 81cos 87()22ka ka ma k E +-= （， 式中a 为 晶格常数，试求（1）布里渊区边界； （2）能带宽度；（3）电子在波矢k 状态时的速度；（4）能带底部电子的有效质量*n m ；（5）能带顶部空穴的有效质量*p m解：（1）由0)(=dk k dE 得 an k π= （n=0，±1，±2…） 进一步分析an k π)12(+= ，E （k ）有极大值，214221422142822/1083.7342232212414111/1059.92422124142110/1078.6)1043.5(224141100cm atom a a a cm atom a a a cm atom a a ⨯==⨯+⨯+⨯⨯==⨯⨯+⨯+⨯=⨯==⨯+-）：（）：（）：（222)mak E MAX =（ ank π2=时，E （k ）有极小值所以布里渊区边界为an k π)12(+=(2)能带宽度为222)()ma k E k E MIN MAX =-（ (3）电子在波矢k 状态的速度)2sin 41(sin 1ka ka ma dk dE v -== （4）电子的有效质量)2cos 21(cos 222*ka ka mdkEd m n-== 能带底部 an k π2=所以m m n 2*= (5)能带顶部 an k π)12(+=， 且**n p m m -=，所以能带顶部空穴的有效质量32*mm p =半导体物理第2章习题1. 实际半导体与理想半导体间的主要区别是什么？答：（1）理想半导体：假设晶格原子严格按周期性排列并静止在格点位置上，实际半导体中原子不是静止的，而是在其平衡位置附近振动。
《(最新)[哈尔滨工业大学]研究生入学真题汇总-半导体物理真题》
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哈尔滨工业大学一九九九年研究生考试试题考试科目：半导体物理学报考专业：微电子与固体电子学（半导体材料）一、说明下列概念或名词的物理意义（２０分）１、有效质量２、载流子散时３、状态密度４、陷阱中心５、光电导６、空穴７、直接复合与间接复合８、少子寿命９、热载流子１０、受主杂质与施主杂质二、简述１、用能带论定性地说明导体，半导体和绝缘体的导电性（１０分）２、什么是良好的欧姆接触，实现欧姆接触的基本方法（１０分）３、耿氏振荡的机理（２０）三、已知在ＭＯＳ电容的ＳiO2层中存在着Ｎa正离子和介面固定电荷，请设计一种实验方法测定两种电荷的面密度（库仑／厘米）（２０分）四、有一面积很大的半导体薄片，厚度为w，以稳定光源均匀照射两面，设光只在表面层内产生电子空穴对，在小注入条件下，ΔP(0)= P1 ; ΔP(W)= P2。
问：1．片内非平衡载流子分布仅与时间有关，还是仅与空间位置有关？或与两者都有关？（4分）2．试确定片内非平衡载流子的分布？（16分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级6、布里渊区2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、欧姆接触4、表面势9、平带电压5、表面反型层10、表面复合速度二、分别化出硅、锗和砷化镓的能带结构、并指出各自的特点（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以p型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）一、解释下列名词或概念：（20分）1、准费米能级6、施主与受主杂质2、小注入条件7、本征半导体3、简并半导体8、光电导4、表面势9、深能级杂质5、表面反型层10、表面复合速度二、画出n型半导体MIS结构理想C-V特性曲线，如果绝缘层存在正电荷或者绝缘层-半导体存在界面态将分别对曲线有和影响？（20分）三、简述半导体中可能的光吸收过程（20分）四、画出p-n结能带图（零偏、正偏和反偏情况），并简述p-n结势垒区形成的物理过程（20分）五、在一维情况下，以n型非均匀掺杂半导体为例，推出爱因斯坦关系式（20分）哈尔滨工业大学第 1 页共 2 页二○○二年硕士研究生考试试题考试科目:半导体物理报考专业:微电子学与固体电子学考试科目代码：[ ]考生注意：答案务必写在答题纸上，并标明题号。
河北工业大学《880材料科学基础(Ⅰ)》历年考研真题专业课考试试题
2007年河北工业大学435材料科学基础 （A卷）考研真题
2006年河北工业大学439材料科学基础 （A卷）考研真题
2012年河北工业大学880材料科学基础（Ⅰ）（B卷）考研真题
2011年河Байду номын сангаас工业大学880材料科学基础（Ⅰ）（B卷）考研真题
2010年河北工业大学880材料科学基础（B卷）考研真题
2009年河北工业大学880材料科学基础（A卷）考研真题
2008年河北工业大学880材料科学基础（A卷）考研真题
2007年河北工业大学435材料科学基础（A卷）考研真题
2006年河北工业大学439材料科学基础（A卷）考研真题
目 录
2012年河北工业大学880材料科学基础 （Ⅰ）（B卷）考研真题
2011年河北工业大学880材料科学基础 （Ⅰ）（B卷）考研真题
2010年河北工业大学880材料科学基础 （B卷）考研真题
2009年河北工业大学880材料科学基础 （A卷）考研真题
2008年河北工业大学880材料科学基础 （A卷）考研真题
2012年河北工业大学890半导体物理学考研试题
为 0,陇 ⒍V的 某种施主杂质,若 ⒏样品费米能级在导带底之下 0,ω ⒛V,
计算这种施主杂质能级被电子占据的概率;(10分 )(提 示:室温下 kOTHl,陇 ⒍V) 五、分析题 Ω0分 )CF9T有 试题答案一律写在答题纸上,答案写在试卷、草稿纸上一律无效) 将一个半导体 Gc晶 片切成 A不口 B两 个样品,A样 品掺入浓度为 1,5× 10%m书 的施主杂质磷和浓度为 1.0×
[Al卷
共
sg0
2
页
度,分 别用费米分布 函数和玻耳兹曼分布函数计算该能级被电子占据的概率。(10分 ) 三、计算题 Ω0分 )(所 有试题答案一律写在答题纸上,答案写在试卷、草稿纸上一 律无效) 半导体中均匀的掺入浓度为 质全部电离,求
:
1 10气 卩 的受主杂质硼 ,室 温条件下杂
能级;(10分 )
第 2页
口 叫 ~。
3、
施主杂质和受主杂质具有相互抵消的作用 ,通 常将这种抵消作用称作~。 半导体能带中电子的能量状态遵守~分
有些杂质既可以成为
施主 ,叉 可 以成为受主 ,通 常将这种杂质称作___杂 质 。
4、
布规律 ,其 分布函数表达式为
。
5、
半导体中载流子浓度分布不均匀时,载 流子将做____运 动,这 种运动产生的电流叫贮 运动,这 种运动产生的电流称为~电
nOpˉ
(选 :随 温度变化、或不随温度变化 ),如 果掺杂浓度
变化,但 满足非简并,则 nOp0~(选 :随 掺杂浓度变化、或不随掺杂浓度变化) 半导体 ⒏ 中的载流子主耍受到两种机制的散射,它 们分别是 ・ 概率的温度关系为___,后 者的散谢 概率的温度关系为___。
河北工业大学考研历年真题之水力学2007--2012年考研真题
科目名称
水力学
科目代码 gG4 共 3 页
适用专业、领域
市政工程
注:所有试题答案一律写在答题纸上,答案写在试卷、草稿纸上一律无效 。
一、判断题 (共 ⒛ 分,每题 1分 。答案一律写在答题纸上,否 则无效。)
饣
丛 雨 ˉ
J
喃 姓
亻
厶诜
娆 J
燕
d 丛
碥
J
‘rs J‘ 8 ‘n
第 3页
的表现
(
)
7,应 用总流动量方程时,所选取的进水和出水过水断面必须是渐变流断面 ( )
8,层流与紊流的判别依据是雷诺数 ()
9.紊流中靠近边界一定厚度范围内的水流表现为层流 ( )
10,谢才公式不适用 于明渠和管道阻力平方区的水流 ( )
11.实
际体
的 `总
水头线是沿程下
降的直线或
曲线
(
)
12,在长管的水力计算中可忽略局部水头损失 ( )
圆柱面长 1,Oln,圆 心 0位于水面以下 卜2。 鲡 处。求作用于圆柱面上的静水总压 力。(本题 10分 )
2、 沿直立墙壁而 设的弯管见右图 4,弯头转角为 ⒇0,起 始断 面 1-1与 终止断面 2— 2间 的轴线长度 ⒈3,14m,两 断面中心的高 差 拉 =2,Oln,已 知管径 d=0.狮 ,断 面 1-1中 心处的动水压强 n=117,6″ 勿 ,两 断面间的水头损失 肋@〓 0,1米 。试求管内通 过流量 g〓 Q.06昭 3/s时 ,水流对弯头的作用力。(本题 ‘ 分)
三、作图题 (共 ⒛ 分。答案一律写在答题纸上,否则无效。)
1、 绘出图 1曲 面 AB的 水平分力压强分布图和垂直分力的压力体图,并标出方向。(本题 1O分 )