磁场的测定(霍尔效应法)
磁场的测定(霍尔效应法)汇总
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霍尔效应及其应用实验(FB510A 型霍尔效应组合实验仪)(亥姆霍兹线圈、螺线管线圈)实验讲义长春禹衡时代光电科技有限公司实验一 霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3.确定试样的导电类型。
【实验原理】1.霍尔效应:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力HE e •与洛仑兹力B v e ••相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有B v e E e H ••=• (1)其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
磁场的测定(霍尔效应法)汇总.doc
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磁场的测定(霍尔效应法)汇总.doc
磁场是一个物理现象,它的存在对于我们的生活以及科学研究都有着重要的意义。
我们可以利用霍尔效应来测定磁场的大小和方向,此方法已经被广泛地应用于诸多领域之中。
霍尔效应是一种基于电学现象的物理测量技术。
当一个导体通过磁场时,会在导体上出现一种名为霍尔电压的电势差。
这个现象被称为“霍尔效应”。
在一些物理实验室中,霍尔效应已经广泛应用于磁场测量之中。
霍尔效应可以用来测量磁场的强度和方向。
当一个导体由外面的磁场切割时,导体内部的电子受到了受力的作用,它们开始旋转,沿着导体形成了一个轨迹。
这个轨迹的方向和磁场的方向是相垂直的,因此也可以用来测定磁场方向。
在实验中,我们可以将一个金属片,如硅片或铜片,放在磁场中。
然后,我们可以通过电流来激发导体,让电子在金属内部形成一个类似于霍尔电路的回路。
当电流通过金属的时候,电子将会飞往金属的一个侧面,此时,产生了一个霍尔电势差。
这个电势差可以用来测量磁场的 intensity(大小)。
同时,我们还可以通过测量电势差来确定磁场矢量的方向。
这种技术已经广泛应用于测量各种各样的磁场,包括电气设备、电机、计算机硬盘等等。
通过应用霍尔效应法,我们可以精确地测量磁场的大小和方向,从而帮助人类更好地理解自然界的现象。
根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结
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根据霍尔效应测磁场的几种方法归纳总结霍尔效应是一种常用于测量磁场强度的物理现象。
通过研究霍尔效应,人们发展出了多种方法来测量磁场。
本文将对根据霍尔效应测磁场的几种方法进行归纳总结。
1. 霍尔元件法:霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时,磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小,可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
霍尔元件法:霍尔元件是一种基于霍尔效应原理的传感器。
当电流通过霍尔元件时,磁场会引起霍尔电压的产生。
通过测量霍尔电压的大小,可以确定磁场的强度。
霍尔元件法是一种简单而常用的测磁场方法。
2. 霍尔传感器法:与霍尔元件法相似,霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于,霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中,并测量其输出电压来确定磁场的强度。
霍尔传感器法:与霍尔元件法相似,霍尔传感器也是基于霍尔效应原理的传感器。
不同之处在于,霍尔传感器一般具有更高的灵敏度和更广的工作范围。
它可以通过将霍尔传感器放置在需要测量的磁场中,并测量其输出电压来确定磁场的强度。
3. 霍尔探针法:霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中,并测量输出电压,可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
霍尔探针法:霍尔探针是一种用于测量磁场强度的工具。
它通常由霍尔元件和测量电路组成。
通过将霍尔探针置于磁场中,并测量输出电压,可以得到磁场的强度值。
霍尔探针法在磁场测量和磁场分布研究中得到广泛应用。
4. 霍尔效应测试仪:霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
它通常具有较高的精度和稳定性。
通过将样品放置在霍尔效应测试仪中,仪器可以直接测量并显示磁场的强度值。
霍尔效应测试仪一般用于科研、工业生产等领域。
霍尔效应测试仪:霍尔效应测试仪是一种专门用于测量磁场强度的设备。
霍尔效应法测量磁场
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霍尔效应测磁场霍尔效应是导电材料中的电流与磁场相互作用而产生电动势的效应。
1879年美国霍普金斯大学研究生霍尔在研究金属导电机理时发现了这种电磁现象,故称霍尔效应。
后来曾有人利用霍尔效应制成测量磁场的磁传感器,但因金属的霍尔效应太弱而未能得到实际应用。
随着半导体材料和制造工艺的发展,人们又利用半导体材料制成霍尔元件,由于它的霍尔效应显著而得到实用和发展,现在广泛用于非电量的测量、电动控制、电磁测量和计算装置方面。
在电流体中的霍尔效应也是目前在研究中的“磁流体发电”的理论基础。
近年来,霍尔效应实验不断有新发现。
1980年原西德物理学家冯·克利青研究二维电子气系统的输运特性,在低温和强磁场下发现了量子霍尔效应,这是凝聚态物理领域最重要的发现之一。
目前对量子霍尔效应正在进行深入研究,并取得了重要应用,例如用于确定电阻的自然基准,可以极为精确地测量光谱精细结构常数等。
在磁场、磁路等磁现象的研究和应用中,霍尔效应及其元件是不可缺少的,利用它观测磁场直观、干扰小、灵敏度高、效果明显。
【实验目的】1.霍尔效应原理及霍尔元件有关参数的含义和作用2.测绘霍尔元件的V H—Is,了解霍尔电势差V H与霍尔元件工作电流Is、磁感应强度B之间的关系。
3.学习利用霍尔效应测量磁感应强度B及磁场分布。
4.学习用“对称交换测量法”消除负效应产生的系统误差。
【实验原理】霍尔效应从本质上讲,是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力的作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷在不同侧的聚积,从而形成附加的横向电场。
如图13-1所示,磁场B位于Z的正向,与之垂直的半导体薄片上沿X正向通以电流Is(称为工作电流),假设载流子为电子(N型半导体材料),它沿着与电流Is相反的X负向运动。
由于洛仑兹力f L作用,电子即向图中虚线箭头所指的位于y轴负方向的B侧偏转,并使B侧形成电子积累,而相对的A侧形成正电荷积累。
霍尔法测磁场
![霍尔法测磁场](https://img.taocdn.com/s3/m/34918e55876fb84ae45c3b3567ec102de3bddf77.png)
霍尔法测磁场
霍尔法是一种测量磁场强度的方法,利用霍尔效应的原理。
霍尔效应是指当电流通过一块具有特定材料的导体时,垂直于电流和磁场方向的电压差产生。
这个电压差被称为霍尔电压,它与通过导体的电流和磁场强度成正比。
霍尔法测量磁场强度的步骤如下:
1. 准备霍尔元件:选择一块具有霍尔效应的材料,通常为霍尔片或霍尔传感器。
2. 连接电路:将霍尔元件连接到电路中,通常包括一个电流源以供电流通过霍尔元件,以及一个电压测量器来测量霍尔电压。
3. 设置磁场:将待测磁场放置在霍尔元件附近,确保磁场垂直于电流方向。
4. 测量电压:通过调节电流源使得电流通过霍尔元件,同时使用电压测量器测量霍尔电压。
5. 计算磁场强度:利用已知的电流值和比例关系,根据测量到的霍尔电压计算出磁场强度。
需要注意的是,为了准确测量磁场强度,霍尔元件应该被放置在磁场的均匀区域,并且不受其他电磁干扰。
另外,不同的霍尔元件对应不同的电路连接方式和计算公式,具体操作需要根据具体的霍尔元件和电路要求来确定。
霍尔效应法测量磁场
![霍尔效应法测量磁场](https://img.taocdn.com/s3/m/83cce2cdcf2f0066f5335a8102d276a2002960b5.png)
实验3.7 霍尔效应法测量磁场随着电子技术的不断发展,霍尔器件越来越得到广泛的应用。
霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且,随着实验电子技术的进展,利用该效应制成的霍尔器件,由于结构简单、频率响应宽(高达10GHz)、寿命长、可靠性高等优点,已广泛用于非电量电测、自动控制和信息处理等方面。
置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年在研究载流导体载磁场中受力性质时发现的一种电磁现象,后被称为霍尔效应。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.掌握测试霍尔元件的工作特性的方法。
3.学习用霍尔效应测量磁场的方法。
4.学习用“对称测量法”消除副效应的影响。
5.描绘霍尔元件试样的V H− I S和V H− I M曲线。
6.学习用霍尔元件测绘长直螺线管的轴向磁场分布,描绘B - X曲线。
【实验原理】1.霍尔效应法测量磁场原理霍尔效应从本质上讲是指运动的带电粒子在磁场中受洛伦兹力作用而引起偏转的现象。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固定材料中时,这种偏转就导致在垂直电流和磁场的方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场。
对于图3-20所示的半导体试样,若在X方向通以电流I S ,在Z方向加磁场B,则在Y方向即试样A、A' 方向电极两侧就开始聚积异号电荷而产生相应的附加电场—霍尔电场,电场的指向取决于试样的导电类型。
图3-20 霍尔效应法测量磁场原理显然,该电场阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受到的横向电场力eE H与洛伦兹力相等时,样品两侧电荷的积累就达到平衡,故有eE H (3-44)v eB其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电场方向上的平均漂移速度。
设试样的宽度为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则bd v ne I S = (3-45)由式(3-44)和式(3-45)可得dB I R d BI ne b E V S H S H H ===1(3-46) 即霍尔电压V H (A 、A ′电极之间的电压)与I S B 乘积成正比,与试样厚度d 成反比。
霍尔效应法测磁场实验报告
![霍尔效应法测磁场实验报告](https://img.taocdn.com/s3/m/84cd1053f011f18583d049649b6648d7c1c70889.png)
霍尔效应法测磁场实验报告一、实验目的1、了解霍尔效应的基本原理。
2、学习用霍尔效应法测量磁场的原理和方法。
3、掌握霍尔元件的特性和使用方法。
二、实验原理1、霍尔效应将一块半导体薄片置于磁场中(磁场方向垂直于薄片平面),当有电流通过时,在垂直于电流和磁场的方向上会产生一个横向电位差,这种现象称为霍尔效应。
这个横向电位差称为霍尔电压,用$U_H$ 表示。
霍尔电压的大小与电流$I$、磁感应强度$B$ 以及薄片的厚度$d$ 等因素有关,其关系式为:$U_H = K_H IB$其中,$K_H$ 称为霍尔系数,它与半导体材料的性质有关。
2、用霍尔效应法测磁场若已知霍尔元件的灵敏度$K_H$ ,通过测量霍尔电压$U_H$ 和电流$I$ ,就可以计算出磁感应强度$B$ :$B =\frac{U_H}{K_H I}$三、实验仪器霍尔效应实验仪、直流电源、毫安表、伏特表、特斯拉计等。
四、实验步骤1、仪器连接(1)将霍尔效应实验仪的各个部件按照说明书正确连接。
(2)将直流电源、毫安表、伏特表等仪器与实验仪连接好。
2、调节仪器(1)调节直流电源的输出电压,使通过霍尔元件的电流达到预定值。
(2)调节特斯拉计,使其归零。
3、测量霍尔电压(1)在不同的磁场强度下,测量霍尔元件两端的电压。
(2)改变电流的方向,再次测量霍尔电压。
4、数据记录将测量得到的数据记录在表格中,包括电流、磁场强度、霍尔电压等。
五、实验数据及处理1、实验数据记录|电流(mA)|磁场强度(T)|霍尔电压(mV)(正电流)|霍尔电压(mV)(负电流)|||||||50|01|256|-258||50|02|512|-515||50|03|768|-771||100|01|512|-515||100|02|1024|-1028||100|03|1536|-1542|2、数据处理(1)计算每个测量点的平均霍尔电压:$U_{H平均} =\frac{U_{H正} + U_{H负}}{2}$(2)根据霍尔系数$K_H$ 和平均霍尔电压、电流计算磁场强度:$B =\frac{U_{H平均}}{K_H I}$3、绘制曲线以磁场强度为横坐标,霍尔电压为纵坐标,绘制霍尔电压与磁场强度的关系曲线。
霍尔效应法测磁场的实验报告
![霍尔效应法测磁场的实验报告](https://img.taocdn.com/s3/m/999ecfb382d049649b6648d7c1c708a1284a0a94.png)
霍尔效应法测磁场的实验报告一、实验目的本实验旨在通过霍尔效应法测量不同磁场强度下的霍尔电压,并计算出磁场的大小。
二、实验原理1. 霍尔效应当导体中有电流流过时,如果将另一个垂直于电流方向和导体面的磁场施加在导体上,则会产生一种称为霍尔效应的现象。
该效应表明,在垂直于电流方向和导体面的方向上,将会产生一个电势差,这个电势差就叫做霍尔电压。
2. 磁场大小计算公式根据霍尔效应原理,可以得到计算磁场大小的公式为:B = (VH/IR)×1/K其中,B表示磁场强度;VH表示测得的霍尔电压;I表示通过样品的电流;R表示样品材料的电阻率;K表示霍尔系数。
三、实验器材1. 万用表2. 稳压直流电源3. 磁铁4. 霍尔元件四、实验步骤及数据处理1. 将稳压直流电源接入到霍尔元件上,并设置合适的输出电压和输出电流。
2. 将磁铁放置在霍尔元件的两侧,使磁场垂直于霍尔元件的平面。
3. 测量不同磁场强度下的电压值,并记录数据。
4. 计算出每个电压值对应的磁场大小,并绘制磁场强度与电压之间的关系曲线。
5. 根据实验数据计算出样品材料的电阻率和霍尔系数,并进行比较分析。
五、实验结果分析通过实验测量得到了不同磁场强度下的霍尔电压,根据计算公式可以得到相应的磁场大小。
绘制出了磁场强度与电压之间的关系曲线,可以看出二者呈现线性关系。
通过计算得到样品材料的电阻率和霍尔系数,可以发现不同样品材料具有不同的电阻率和霍尔系数,这也说明了不同材料对于磁场强度的响应程度是不同的。
六、实验结论本次实验通过测量霍尔效应法测量了不同磁场强度下的霍尔电压,并计算出了相应的磁场大小。
通过数据处理得到了样品材料的电阻率和霍尔系数,并进行了比较分析。
实验结果表明,不同材料对于磁场强度的响应程度是不同的,这也为磁场探测提供了一定的参考依据。
霍尔效应测磁场实验报告
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实 验 报 告学生姓名: 学 号: 指导教师: 实验地点: 实验时间:一、实验室名称:霍尔效应实验室 二、 实验项目名称:霍尔效应法测磁场 三、实验学时: 四、实验原理:(一)霍耳效应现象将一块半导体(或金属)薄片放在磁感应强度为B 的磁场中,并让薄片平面与磁场方向(如Y 方向)垂直。
如在薄片的横向(X 方向)加一电流强度为H I 的电流,那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z 方向将产生一电动势H U 。
如图1所示,这种现象称为霍耳效应,H U 称为霍耳电压。
霍耳发现,霍耳电压H U 与电流强度H I 和磁感应强度B 成正比,与磁场方向薄片的厚度d 反比,即d BI RU H H =(1)式中,比例系数R 称为霍耳系数,对同一材料R 为一常数。
因成品霍耳元件(根据霍耳效应制成的器件)的d 也是一常数,故d R /常用另一常数K 来表示,有B KI U H H = (2)式中,K 称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。
如果霍耳元件的灵敏度K 知道(一般由实验室给出),再测出电流H I 和霍耳电压H U ,就可根据式HHKI U B =(3)算出磁感应强度B 。
图1 霍耳效应示意图 图2 霍耳效应解释(二)霍耳效应的解释现研究一个长度为l 、宽度为b 、厚度为d 的N 型半导体制成的霍耳元件。
当沿X 方向通以电流H I 后,载流子(对N 型半导体是电子)e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方向运动,在磁感应强度为B 的磁场中,电子将受到洛仑兹力的作用,其大小为evB f B =方向沿Z 方向。
在B f 的作用下,电荷将在元件沿Z 方向的两端面堆积形成电场H E (见图2),它会对载流子产生一静电力E f ,其大小为H E eE f =方向与洛仑兹力B f 相反,即它是阻止电荷继续堆积的。
当B f 和E f 达到静态平衡后,有E B f f =,即b eU eE evB H H /==,于是电荷堆积的两端面(Z 方向)的电势差为vbB U H = (4)通过的电流H I 可表示为nevbd I H -=式中n 是电子浓度,得nebd I v H-=(5)将式(5)代人式(4)可得nedBI U H H -= 可改写为B KI dBI RU H H H == 该式与式(1)和式(2)一致,neR 1-=就是霍耳系数。
用霍尔效应法测定磁场
![用霍尔效应法测定磁场](https://img.taocdn.com/s3/m/947ccaf9770bf78a6529545f.png)
注意 1.开机(或关机)前应将IS、IM旋钮逆时针旋到底。仪器接 通电源后,预热数分钟即可进行实验。 2.在调节IS、IM两旋钮时一定要注意切换“测量选择”,不可 过大。
实验思考
霍尔电压是怎么产生的?如何判断材料的导电 类型?
实验中为什么要采用对称测量法?
霍尔效应特性研究试验中,提供的磁感觉强度 大小和方向如何确定?
用霍尔效应法测定磁场
实验目的
了解产生霍尔效应的机理 掌握用霍尔元件测量磁场的基本方法
实验仪器
HL-1型螺线管磁场测定组合仪
实验原理 实验内容
实验思考
实验原理
1. 霍尔效应:在磁场中,载流导体或半导体上 出现横向电势差的现象
1879年美国物理 学家霍尔发现
2.霍尔电压:霍尔效应中产生的电势差 上图中导体上下两端面出现电势差
B
VH fL f
m
B
电荷受电力 Fe qEH
fe Fe
I
v
b
当qEH qB 时
电势差为
VH EH b
E E d
Bb
4.霍尔系数 霍尔电阻 由电流强度的定义有
I nqdb
I nqdb
IB VH Bb nqd
n 单位体积中的粒子数
B
B
VH
fL f
实验思考 答案
然后求
、 、 和
的
代数平均值
V1 V2 V3 V4 VH 4
实验内容与步骤
霍尔输出特性测量
测绘元件的UH—IS曲线
测绘元件的UH—IM曲线 测出螺线管轴线的磁感觉强度的分布UH—x 曲线。
霍尔效应实验仪
IS是给霍尔片加电流的换向开关,IM是励磁电流的换向开关。
实验十二用霍尔效应测磁场
![实验十二用霍尔效应测磁场](https://img.taocdn.com/s3/m/b270133159fb770bf78a6529647d27284b733702.png)
实验十二 用霍尔效应测磁场实验目的 1.了解霍尔效应的基本原理。
.了解霍尔效应的基本原理。
2.学习用霍尔效应测量磁场。
.学习用霍尔效应测量磁场。
实验仪器HL —4霍尔效应仪,稳流电源,稳压电源,安培表,毫安表,功率函数发生器,特斯拉计,数字万用表,电阻箱等。
功率函数发生器,特斯拉计,数字万用表,电阻箱等。
实验原理1.霍尔效应.霍尔效应若将通有电流的导体置于磁场B 之中,磁场B (沿z 轴)垂直于电流I H (沿x 轴)的方向,如图4-14-1所示,则在导体中垂直于B 和I H 的方向上出现一个横向电位差U H ,这个现象称为霍尔效应。
效应。
这一效应对金属来说并不显著,但对半导体非常显著。
霍尔效应可以测定载流子浓度及载流子迁移率等重要参数,以及判断材料的导电类型,是研究半导体材料的重要手段。
还可以用霍尔效应测量直流或交流电路中的电流强度和功率以及把直流电流转成交流电流并对它进行调制、放大。
用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
大。
用霍尔效应制作的传感器广泛用于磁场、位置、位移、转速的测量。
霍尔电势差是这样产生的:当电流I H 通过霍尔元件(假设为P 型)时,空穴有一定的漂移速度v ,垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力,垂直磁场对运动电荷产生一个洛沦兹力)(B v F ´=q B (4-14-1)式中q 为电子电荷。
洛沦兹力使电荷产生横向的偏转,洛沦兹力使电荷产生横向的偏转,由于样品有边界,由于样品有边界,所以有些偏转的载流子将在边界积累起来,产生一个横向电场E ,直到电场对载流子的作用力F E =q E 与磁场作用的洛沦兹力相抵消为止,即作用的洛沦兹力相抵消为止,即E B v q q =´)( (4-14-2)这时电荷在样品中流动时将不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
这时电荷在样品中流动时将不再偏转,霍尔电势差就是由这个电场建立起来的。
如果是N 型样品,则横向电场与前者相反,所以N 型样品和P 型样品的霍尔电势差有不同的符号,据此可以判断霍尔元件的导电类型。
霍尔效应测磁场实验报告
![霍尔效应测磁场实验报告](https://img.taocdn.com/s3/m/ccad3482ad51f01dc381f122.png)
实验报告学生姓名:学号:指导教师:实验地点:实验时间:一、实验室名称:霍尔效应实验室实验项目名称:霍尔效应法测磁场三、实验学时:四、实验原理:(一)霍耳效应现象将一块半导体(或金属)薄片放在磁感应强度为B的磁场中,并让薄片平面与磁场方向(如P方向)垂直。
如在薄片的横向( P方向)加一电流强度为|H的电流,那么在与磁场方向和电流方向垂直的Z方向将产生一电动势U H。
如图1所示,这种现象称为霍耳效应,U H称为霍耳电压。
霍耳发现,霍耳电压U H与电流强度I H和磁感应强度 B成正比,与磁场方向薄片的厚度d反比,即U H二只楽(1)H d式中,比例系数 R称为霍耳系数,对同一材料 R为一常数。
因成品霍耳元件(根据霍耳效应制成的器件)的d也是一常数,故R/d常用另一常数K来表示,有U H = KI H B (2)式中,K称为霍耳元件的灵敏度,它是一个重要参数,表示该元件在单位磁感应强度和单位电流作用下霍耳电压的大小。
如果霍耳元件的灵敏度K知道(一般由实验室给出),再测出电流I H和霍耳电压U H,就可根据式(3)图1霍耳效应示意图图2霍耳效应解释(二)霍耳效应的解释现研究一个长度为I 、宽度为b 、厚度为d 的N 型半导体制成的霍耳元件。
当沿 P 方向通以电流I H 后,载流子(对 N 型半导体是电子)e 将以平均速度v 沿与电流方向相反的方 向运动,在磁感应强度为 B 的磁场中,电子将受到洛仑兹力的作用,其大小为f B 二 evB方向沿Z 方向。
在f B 的作用下,电荷将在元件沿 Z 方向的两端面堆积形成电场 E H (见图2),它会对载流子产生一静电力f E ,其大小为方向与洛仑兹力 f B 相反,即它是阻止电荷继续堆积的。
当f B 和f E 达到静态平衡后,有f B 二f E ,即evB 二eE H 二e5 / b ,于是电荷堆积的两端面(U H 二 vbB (4)该式与式(1)和式(2)一致,五、实验目的:研究通电螺线管内部磁场强度六、 实验内容:(一) 测量通电螺线管轴线上的磁场强度的分布情况,并与理论值相比较; (二) 研究通电螺线管内部磁场强度与励磁电流的关系。
霍尔效应测磁场.
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图14—1 半导体中的霍尔效应(a )N 型半导体 (b )P 型半导体实验十四 用霍尔效应法测磁场分布测量磁场有许多方法,如霍尔效应法、感应法、冲击法和核磁共振法等。
选用什么方法取决于被测磁场的类型和强弱。
本实验主要介绍霍尔效应法。
它具有测量原理和方法简单、探头体积小、测量敏捷,并能直接连续读数等优点。
利用霍尔效应还可制成测量磁场的特斯拉计(又称高斯计),可测量半导体材料参数等。
[实验目的]1. 了解利用霍尔效应法测量磁场的原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2. 学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测试霍尔器件的S H I V -和M H I V -曲线。
3. 测试螺线管内部的B —X (水平磁场分布)曲线。
[实验原理]1.霍尔效应将通有电流的半导体薄片置于匀强磁场中,如图14—1所示。
如果电流I 沿X 方向,磁场B 沿Z 方向,则在y 方向上的两截面(M ,N )间就会有电位差出现,这种现象是霍尔在1879年发现的,故称霍尔效应。
横向电位差V H 称为霍尔电压。
该半导体薄片称为霍尔元件。
霍尔效应是运动载流子(电子或空穴)在磁场中受到洛仑兹力的作用而产生的。
2.霍尔电压V H 与外磁场B 的关系(特斯拉计原理)若霍尔元件为宽l ,厚h 的N 型半导体,如图14—1(a )所示。
设电子的电荷为e ,速度为v ,它在磁场中受到的洛仑兹力F m = – e v ×B ,并指向M 面,造成电子流发生偏转,而有部分电子聚积于M 面上,使M ,N 之间建立了电场E ,该电场又对电子具有反方向的静电力F e =e E ,随着电子向M 侧继续积累,该电场也逐渐增强。
直到F e = – F m ,达到平衡,在M ,N 间形成稳定的霍尔电场E H 。
于是在霍尔片M ,N 间产生一稳定的电位差V H ,此即为霍尔电压。
这时:– e E H = F e = – F m = e v ×B E H = –v ×B当三者互相垂直时,霍尔电场为 E H = v B 并指向y 轴负向。
霍尔法测磁场实验报告
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一、实验目的1. 理解霍尔效应的基本原理和测量磁场的应用。
2. 掌握霍尔元件的结构和工作原理。
3. 学会用霍尔元件测量磁场的强度和分布。
4. 了解实验过程中的注意事项和数据处理方法。
二、实验原理霍尔效应是指当电流垂直通过一个置于磁场中的导体或半导体时,会在垂直于电流和磁场的方向上产生电压差。
这个电压差称为霍尔电压,其大小与电流、磁感应强度和导体(或半导体)的厚度有关。
霍尔电压的计算公式为:\[ U_H = B \cdot I \cdot d \cdot K_H \]其中:- \( U_H \) 为霍尔电压;- \( B \) 为磁感应强度;- \( I \) 为通过导体的电流;- \( d \) 为导体厚度;- \( K_H \) 为霍尔系数,与导体的材料有关。
通过测量霍尔电压,我们可以计算出磁感应强度,从而实现对磁场的测量。
三、实验仪器与设备1. 霍尔效应实验仪2. 直流稳流电源3. 毫伏电压表4. 霍尔元件5. 磁场发生器6. 磁场探测线圈7. 导线四、实验步骤1. 按照实验仪器的说明,连接好电路,确保霍尔元件处于磁场中。
2. 调节直流稳流电源,使通过霍尔元件的电流保持恒定。
3. 打开磁场发生器,产生待测磁场。
4. 读取毫伏电压表的读数,记录霍尔电压。
5. 改变磁场的方向,重复步骤4,记录霍尔电压。
6. 改变磁场的强度,重复步骤4和5,记录霍尔电压。
7. 利用公式 \( B = \frac{U_H}{I \cdot d \cdot K_H} \) 计算磁感应强度。
五、实验结果与分析1. 通过实验,我们得到了不同磁场强度下的霍尔电压数据。
2. 根据霍尔电压和电流、霍尔系数等参数,计算出了相应的磁感应强度。
3. 通过对比实验数据,我们发现霍尔电压与磁感应强度之间存在良好的线性关系。
六、实验讨论1. 实验过程中,霍尔元件的安装位置和角度对实验结果有较大影响。
因此,在实验过程中要确保霍尔元件正确放置。
霍尔效应测磁场实验报告(共7篇)
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篇一:霍尔元件测磁场实验报告用霍尔元件测磁场前言:霍耳效应是德国物理学家霍耳(a.h.hall 1855—1938)于1879年在他的导师罗兰指导下发现的。
由于这种效应对一般的材料来讲很不明显,因而长期未得到实际应用。
六十年代以来,随着半导体工艺和材料的发展,这一效应才在科学实验和工程技术中得到了广泛应用。
利用半导体材料制成的霍耳元件,特别是测量元件,广泛应用于工业自动化和电子技术等方面。
由于霍耳元件的面积可以做得很小,所以可用它测量某点或缝隙中的磁场。
此外,还可以利用这一效应来测量半导体中的载流子浓度及判别半导体的类型等。
近年来霍耳效应得到了重要发展,冯﹒克利青在极强磁场和极低温度下观察到了量子霍耳效应,它的应用大大提高了有关基本常数测量的准确性。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍耳器件,会有更广阔的应用前景。
了解这一富有实用性的实验,对今后的工作将大有益处。
教学目的:1. 了解霍尔效应产生的机理,掌握测试霍尔器件的工作特性。
2. 掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。
3. 学习用霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布。
教学重难点: 1. 霍尔效应2. 霍尔片载流子类型判定。
实验原理如右图所示,把一长方形半导体薄片放入磁场中,其平面与磁场垂直,薄片的四个侧面分别引出两对电极(m、n和p、s),径电极m、n 通以直流电流ih,则在p、s极所在侧面产生电势差,这一现象称为霍尔效应。
这电势差叫做霍尔电势差,这样的小薄片就是霍尔片。
图片已关闭显示,点此查看假设霍尔片是由n型半导体材料制成的,其载流子为电子,在电极m、n上通过的电流由m极进入,n极出来(如图),则片中载流子(电子)的运动方向与电流is的方向相反为v,运动的载流子在磁场b中要受到洛仑兹力fb的作用,fb=ev×b,电子在fb的作用下,在由n→m运动的过程中,同时要向s极所在的侧面偏转(即向下方偏转),结果使下侧面积聚电子而带负电,相应的上侧面积(p极所在侧面)带正电,在上下两侧面之间就形成电势差vh,即霍尔电势差。
霍尔效应法测量磁场
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5.将将Is和Im调到最小,断开三个闸刀开关,关闭电源拆线收拾仪器。
数据处理及误差计算(报告):8.007.006.005.004.003.002.001.000.001.002.003.004.005.006.007.001.81.61.41.210.80.60.40.20.1000.2000.3000.4000.5000.600原始实验数据粘贴处实验结果分析:1、当霍尔电压保持恒定,改变励磁电流时,测量得到的霍尔电压随励磁电流的增加而增加,通过作图发现二者之间也满足线性关系。
2、2、当励磁电流保持恒定,改变霍尔电流时,测量得到的霍尔电压随霍尔电流的增加而增加,通过作图发现二者之间满足线性关系。
问题讨论:1、霍耳元件为什么要用半导体材料,而且要求做得很薄?霍尔电压是如何产生的?答:半导体材料的迁移率高,电阻率适中,是制造霍耳器件较理想的材料。
2、工作电流和磁场为什么要换向?实际操作时如何实现?答:为了把产生霍耳效应的时候所伴随的副效应的影响从测量的结果中消除。
实际操作时通过切换实验仪三组双刀开关改变电流和磁场的方向。
3、回答SI、MI、HU、U分别表示什么含义?SI、MI的作用分别是什么?答:SI表示样品工作电流;MI表示励磁电流;HU表示存在磁场时的霍耳电压;U表示在零磁场下的霍耳电压。
SI的作用是改变电流大小和方向,MI的作用是改变磁场的大小及方向。
4、霍耳效应有哪些应用?答:在现代汽车上广泛应用的霍尔器件有:在分电器上作信号传感器、ABS系统中的速度传感器、汽车速度表和里程表、液体物理量检测器、各种用电负载的电流检测及工作状态诊断、发动机转速及曲轴角度传感器。
5、如何精确测量霍耳电压?本实验采用什么方法消除各种附加电压?答:设法消除产生霍尔效应时伴随的多种副效应。
本实验采用电流和磁场换向的所谓对称测量法。
6、磁场不恰好与霍耳片的法线一致,对测量结果有何影响?答:磁场不与霍尔片垂直,只有其法向分量能起作用,即霍尔片产生的霍尔电压会减小。
磁场的测定(霍尔效应法)总结
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磁场的测定(霍尔效应法)总结————————————————————————————————作者:————————————————————————————————日期:2霍尔效应及其应用实验(FB510A 型霍尔效应组合实验仪)(亥姆霍兹线圈、螺线管线圈)实验讲义长春禹衡时代光电科技有限公司4实验一 霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3.确定试样的导电类型。
【实验原理】1.霍尔效应:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力HE e•5与洛仑兹力B v e ••相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有B v e E e H ••=• (1) 其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
霍尔效应法测磁场实验报告
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竭诚为您提供优质文档/双击可除霍尔效应法测磁场实验报告篇一:物理实验报告3_利用霍尔效应测磁场实验名称:利用霍耳效应测磁场实验目的:a.了解产生霍耳效应的物理过程;b.学习用霍尔器件测量长直螺线管的轴向磁场分布;c.学习用“对称测量法”消除负效应的影响,测量试样的Vh?Is和Vh?Im曲线;d.确定试样的导电类型、载流子浓度以及迁移率。
实验仪器:Th-h型霍尔效应实验组合仪等。
实验原理和方法:1.用霍尔器件测量磁场的工作原理如下图所示,一块切成矩形的半导体薄片长为l、宽为b、厚为d,置于磁场中。
磁场b垂直于薄片平面。
若沿着薄片长的方向有电流I通过,则在侧面A和b间产生电位差Vh?VA?Vb。
此电位差称为霍尔电压。
半导体片中的电子都处于一定的能带之中,但能参与导电的只是导带中的电子和价带中的空穴,它们被称为载流子。
对于n型半导体片来说,多数载流子为电子;在p型半导体中,多数载流子被称为空穴。
再研究半导体的特性时,有事可以忽略少数载流子的影响。
霍尔效应是由运动电荷在磁场中收到洛仑兹力的作用而产生的。
以n型半导体构成的霍尔元件为例,多数载流子为电子,设电子的运动速度为v,则它在磁场中收到的磁场力即洛仑兹力为Fm??ev?bF的方向垂直于v和b构成的平面,并遵守右手螺旋法则,上式表明洛仑兹力F的方向与电荷的正负有关。
自由电子在磁场作用下发生定向便宜,薄片两侧面分别出现了正负电荷的积聚,以两个侧面有了电位差。
同时,由于两侧面之间的电位差的存在,由此而产生静电场,若其电场强度为ex,则电子又受到一个静电力作用,其大小为Fe?eex电子所受的静电力与洛仑兹力相反。
当两个力的大小相等时,达到一种平衡即霍尔电势不再变化,电子也不再偏转,此时,ex?bV两个侧面的电位差Vh?exb由I?nevbd及以上两式得Vh?[1/(ned)]Ib其中:n为单位体积内的电子数;e为电子电量;d为薄片厚度。
令霍尔器件灵敏度系数则Vh?IsVh?KhIb若常数Kh已知,并测定了霍尔电动势Vh和电流I就可由上式求出磁感应强度b的大小。
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霍尔效应及其应用实验(FB510A型霍尔效应组合实验仪)(亥姆霍兹线圈、螺线管线圈)实验讲义长春禹衡时代光电科技有限公司实验一 霍尔效应及其应用置于磁场中的载流体,如果电流方向与磁场垂直,则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场,这个现象是霍普金斯大学研究生霍尔于1879年发现的,后被称为霍尔效应。
如今霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段,而且利用该效应制成的霍尔器件已广泛用于非电量的电测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天,作为敏感元件之一的霍尔器件,将有更广泛的应用前景。
掌握这一富有实用性的实验,对日后的工作将有益处。
【实验目的】1.了解霍尔效应实验原理以及有关霍尔器件对材料要求的知识。
2.学习用“对称测量法”消除副效应的影响,测量试样的S H I ~V 和M H I ~V 曲线。
3.确定试样的导电类型。
【实验原理】1.霍尔效应:霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
当带电粒子(电子或空穴)被约束在固体材料中,这种偏转就导致在垂直电流和磁场方向上产生正负电荷的聚积,从而形成附加的横向电场,即霍尔电场H E 。
如图1所示的半导体试样,若在X 方向通以电流S I ,在Z 方向加磁场B ,则在Y 方向即试样A A '- 电极两侧就开始聚集异号电荷而产生相应的附加电场。
电场的指向取决于试样的导电类型。
对图1(a )所示的N 型试样,霍尔电场逆Y 方向,(b )的P 型试样则沿Y 方向。
即有)(P 0)Y (E )(N 0)Y (E H H 型型⇒>⇒<显然,霍尔电场H E 是阻止载流子继续向侧面偏移,当载流子所受的横向电场力HE e ∙与洛仑兹力B v e ∙∙相等,样品两侧电荷的积累就达到动态平衡,故有B v e E e H ∙∙=∙ (1) 其中H E 为霍尔电场,v 是载流子在电流方向上的平均漂移速度。
设试样的宽为b ,厚度为d ,载流子浓度为n ,则d b ve n I S ∙∙∙∙= (2) 由(1)、(2)两式可得:d B I R d B Ie n 1b E V S H S H H ∙∙=∙∙∙=∙= (3)即霍尔电压H V (A 、A '/电极之间的电压)与B I S ∙乘积成正比与试样厚度d 成反比。
比例系数en 1R H ∙=称为霍尔系数,它是反映材料霍尔效应强弱的重要参数。
只要测出H V (伏)以及知道S I (安)、B (高斯)和d (厘米)可按下式计算H R (厘米3/库仑):7S H H 10BI dV R ⨯∙∙=(4)上式中的710是由于磁感应强度B 用电磁单位(mT )而其它各量均采用CGS 实用单位而引入。
2.霍尔系数H R 与其它参数间的关系: 根据H R 可进一步确定以下参数:(1)由H R 的符号(或霍尔电压的正负)判断样品的导电类型。
判别的方法是按图1所示的S I 和B 的方向,若测得的,0V V A 'A H <=即点A 点电位高于点'A 的电位,则H R 为负,样品属N 型;反之则为P 型。
(2)由H R 求载流子浓度n 。
即eR 1n H ∙=。
应该指出,这个关系式是假定所有载流子都具有相同的漂移速度得到的,严格一点,如果考虑载流子的速度统计分布,需引入83π的修正因子(可参阅黄昆、谢希德著《半导体物理学》)。
3.霍尔效应与材料性能的关系:根据上述可知,要得到大的霍尔电压,关键是要选择霍尔系数大(即迁移率高、电阻率ρ亦较高)的材料。
因ρ∙μ=|R |H ,就金属导体而言,μ和ρ均很低,而不良导体ρ虽高,但μ极小,因而上述两种材料的霍尔系数都很小,不能用来制造霍尔器件。
半导体μ高,ρ适中,是制造霍尔元件较理想的材料,由于电子的迁移率比空穴迁移率大,所于霍尔元件多采用N 型材料,其次霍尔电压的大小与材料的厚度成反比,因此薄膜型的霍尔元件的输出电压较片状要高得多。
就霍尔器件而言,其厚度是一定的,所以实用上采用de n 1K H ∙∙=来表示器件的灵敏度,H K 称为霍尔灵敏度,单位为T )mV/(mA ∙。
4.实验方法:(1)霍尔电压H V 的测量方法:值得注意的是,在产生霍尔效应的同时,因伴随着各种副效应,以致实验测得的A 、A '两极间的电压并不等于真实的霍尔电压H V 值,而是包含着各种副效应所引起的附加电压,因此必须设法消除。
根据副效应产生的机理可知,采用电流和磁场换向的对称测量法,基本上能把副效应的影响从测量结果中消除。
即在规定了电流和磁场正、反方向后,分别测量由下列四组不同方向的S I 和B 组合的A 'A V ('A 、A 两点的电位差)即:S I ,B ++ 1A 'A V V =S I ,B +- 2A 'A V V = S I ,B -- 3A 'A V V = S I ,B -+ 4A 'A V V =然后求1V 、2V 、3V 和4V 的代数平均值:4V V V V V 4321H -+-= (6)采用上述的测量方法,虽然还不能完全消除所有的副效应,但由于其引入的误差不大,可以忽略不计。
【实验仪器】510FB A 型霍尔效应组合实验仪由测试仪(通用仪器)1台、测试架1台组成。
下图为该产品实体图。
图2 510FB A 型霍尔效应组合实验仪【实验内容】1.掌握仪器性能,测量亥姆霍兹线圈磁场:(1)开机或关机前,应该将测试仪的“S I 调节”和“M I 调节”旋钮逆时针旋到底。
(2)按【附录】中的说明,连接测试仪与测试架之间各组对应连接线。
把励磁电流连接到亥姆霍兹线圈M I 输入端,松开“实验功能转换”按钮开关,使仪器测量功能转换到亥姆霍兹线圈磁场测量,相应的指示灯亮。
霍尔传感器在线圈的中心位置应是:水平移动指示尺及上下移动指示尺位置均指在“0”处。
注意:① 霍尔传感器各电极引线与对应的电流换向开关(本实验仪器采用按钮开关控制的继电器)的连线已由制造厂家连接好,实验时不必自己连接。
② 霍尔片性脆易碎,电极甚细易断,严防撞击或用手去摸,否则容易损坏! 霍尔片放置在亥姆霍兹线圈中间,在需要调节霍尔片位置时,亦需要小心谨慎。
③ 二维(或一维)移动尺在调节时应缓慢,不能用力过度,否则容易损坏其传动机构。
(3)接通电源,预热数分钟,这时候,电流表显示“000.”,电压表显示为“00.0”。
按钮开关释放时,继电器的常闭触点接通,相当于双刀双掷开关向上合,发光二极管指示出导通线路。
(4)先调节S I :从0逐步增大到mA 4,电流表所示的值即随“S I 调节”旋钮顺时针转动而增大,此时电压表所示读数为“不等势”电压值,它随S I 增大而增大,S I 换向,0H V 极性改号(此乃“不等势”电压值,可通过“对称测量法”予以消除)。
510FB 型霍尔效应实验仪H V 测试毫伏表设计有调零旋钮,通过它可把0H V 值消除。
2.测绘S H I V -曲线:顺时针转动“M I 调节” 旋钮,使mA 500I M =固定不变,再调节S I ,从mA 5.0到mA 4,每次改变mA 5.0,将对应的实验数据H V 值记录到表格1中。
(注意,测量每一组数据时,都要将M I 和S I 改变极性,从而每组都有4个H V 值)。
3.测绘M H I V -曲线:调节mA 3I S =固定不变,然后调节M I , mA 500~mA 100I M =每次增加mA 100,将对应的实验数据H V 值记录到表格2中。
极性改变同上。
4..确定样品导电类型:将实验仪三组双刀开关(扭子开关及继电器)均掷向上方,即S I 沿X 方向,B 沿Z 方向,毫伏表测量电压为A A V '。
取A 500.0I ,mA 2I M S ==,测量A A V '大小及极性,由此判断样品导电类型。
5.求样品的H R 值:6.测单边水平方向磁场分布)A 500.0I ,mA 2I (M S ==:【数据与结果】1.数据记录参考表。
表2 测绘I ~V 实验曲线数据记录表 mA 00.3I = 2.用毫米方格纸画绘S H I ~V 曲线和M H I ~V 曲线。
3.确定样品的导电类型(P 型或N 型)。
4.自拟表格,测单边水平方向磁场分布(测试条件)A 500.0I ,mA 3I (M S ==),测量点不得少于八点(不等步长),以线圈中心连线中点为相对零点位置,作X ~V H 图,另外半边在作图时可按对称原理补足。
【思考题】1、霍尔电压是怎样形成的?它的极性与磁场和电流方向(或载流子浓度)有什么关系?2、如何观察不等位效应?如何消除它?3、测量过程中哪些量要保持不变?为什么?4、换向开关的作用原理是什么?测量霍尔电压时为什么要接换向开关?5、S I 可否用交流电源(不考虑表头情怳)?为什么?实验二 利用霍尔效应测量螺线管磁场用霍尔传感器测量通电螺线管内励磁电流与输出霍尔电压之间关系,证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比;用通电长直通电螺线管轴线上磁感应强度的理论计算值作为标准值来校准或测定霍尔传感器的灵敏度,熟悉霍尔传感器的特性和应用;用该霍尔传感器测量通电螺线管内的磁感应强度与螺线管轴线位置刻度之间的关系,作磁感应强度与位置刻线的关系图,学会用霍尔元件测量磁感应强度的方法.【实验目的】1、了解霍尔效应现象,掌握其测量磁场的原理。
2、学会用霍尔效应测量长直通电螺线管轴向磁场分布的方法。
【实验原理】长直通电螺线管中心点磁感应强度理论值根据电磁学毕奥-萨伐尔)Savat Biot (-定律,通电长直螺线管轴线上中心点的磁感应强度为:: 22M DL I N B +∙∙μ=中心 (1)螺线管轴线上两个端面上的磁感应强度为:22MDL I N 21B 21B +∙∙μ∙==中心端面 (2)式中,μ为磁介质的磁导率,真空中的磁导率()A /m T 10470∙⨯π=μ-,N 为螺线管的总匝数,M I 为螺线管的励磁电流,L 为螺线管的长度,D 为螺线管的平均直径。
【实验内容】1、把实验仪与测试架正确连接。
把励磁电流接到螺线管M I 输入端。
按下“实验项目转换”按钮,使测量功能指向螺线管磁场测量。
相应的指示灯亮。
2、把测量探头调节到螺线管轴线中心,即刻度尺读数指示为cm 0.13处,调节恒流源2,使mA 00.4I S =,不按()S H V /V (即测H V ,依次调节励磁电流为,mA 1000~0I M ±=每次改变mA 100±,测量霍尔电压,并证明霍尔电势差与螺线管内磁感应强度成正比。
3、放置测量探头于螺线管轴线中心,即cm 0.13刻度处,固定励磁电流mA 1000,调节霍尔工作电流为:,mA 00.4~0I S ±=每次改变mA 50.0±,测量对应的霍尔电压H V ,证明霍尔电势差与霍尔电流成正比。