第三章 晶体缺陷
第3章晶体缺陷
• An interstitial defect is formed when an extra atom is inserted into the crystal structure at a normally unoccupied position. • Interstitial atoms, although much smaller than the atoms located at the lattice points, are still larger than the interstitial sites that they occupy, consequently, the surrounding crystal region is compressed and distorted.
பைடு நூலகம்
• • • • • • • • • •
离开平衡位置的原子有三个去处: 离开平衡位置的原子有三个去处: (1)形成Schottky空位(vacancy) (1)形成 形成Schottky空位 vacancy) 空位( (2)形成Frankely缺陷 (2)形成 形成Frankely缺陷 (3)跑到其它空位上使空位消失或移位。 (3)跑到其它空位上使空位消失或移位 跑到其它空位上使空位消失或移位。 点缺陷的类型: 点缺陷的类型: (1)空位 间隙原子(异类)( )(interstital (2)间隙原子(异类)(interstital atom) 自间隙原子(同类) self(3)自间隙原子(同类) (self- interstital atom ) 外来杂质原子: (4)外来杂质原子: 置换原子( atom) (5)置换原子(substitutional atom) :
Crystal Defects
材料科学基础第三章晶体缺陷
够的能量而跳入空位,并占据这个平衡位置,这时在这个原 子的原来位置上,就形成一个空位。这一过程可以看作是空 位向邻近结点的迁移。
在运动过程中,当间隙原子与一个空位相遇时,它将落入
这个空位,而使两者都消失,这一过程称为复合,或湮没。
(a)原来位置;
(b)中间位置;
(c)迁移后位置
图 空位从位置A迁移到B
2 Ar a 3 N A 8.57 (3.294108 )3 6.0231023 x 1 2 Ar 2 92.91 7.1766103 106 7.1766103 7176 .6(个) 所以, 106 个Nb中有7176 .6个空位。
a NA
作业:
二.本章重点及难点 1、点缺陷的形成与平衡浓度 2、位错类型的判断及其特征、伯氏矢量的特征和物理意义 3、位错源、位错的增殖(F-R源、双交滑移机制等)和运动、 交割
4、关于位错的应力场可作为一般了解
5、晶界的特性(大、小角度晶界)、孪晶界、相界的类型
维纳斯“无臂” 之美更深入人心
处处留心皆学问
2.点缺陷的形成(本征缺陷的形成)
点缺陷形成最重要的环节是原子的振动 原子的热振动
(以一定的频率和振幅作振动)
原子被束缚在它的平衡位置上,但原子却在做着挣脱
束缚的努力
点缺陷形成的驱动力:温度、离子轰击、冷加工
在外界驱动力作用下,哪个原子能够挣脱束缚,脱离
平衡位置是不确定的,宏观上说这是一种几率分布
刃型位错的特点:
1).刃型位错有一个额外的半原子面。其实正、负之分只具 相对意义而无本质的区别。 2).刃型位错线可理解为晶体中已滑移区与未滑移区的边界 线。它不一定是直线,也可以是折线或曲线,但它必与滑移 方向相垂直,也垂直于滑移矢量。
Chapter 3-1 晶体缺陷-点缺陷、位错
杂质(异类)原子
定义: 任何纯金属中都或多或少会存在杂质, 即其它
元素, 这些原子称杂质(异类)原子
热缺陷: 热起伏促使原子脱离点阵位置而形成的点缺陷。 热缺陷的两种基本形式
弗伦克尔缺陷
肖特基缺陷
热缺陷示意图
弗兰克尔缺陷
肖特基缺陷
化合物离子晶体中的两种点缺陷
金属晶体:弗兰克尔缺陷比肖特基缺陷少得多 离子晶体:结构配位数低-弗兰克尔缺陷较常见
ρ理论
=
n理论 NA
V
M
=
4 6.022 1023
26.98
4.049 10-8 3
g
cm 3 = 2. 6997g
cm 3
空位数 cm3
ρ ρ theoretical
observed
NA
M 4.620 10 20 cm 3 Al
例5 MgO晶体的肖特基缺陷生成能为84KJ/mol,计算该晶体 1000K和1500K的缺陷浓度
平移对称性的示意图
平移对称性的破坏
②分类
点缺陷(零维缺陷)--原子尺度的偏离.
按
例:空位、间隙原子、杂质原子等
缺
陷 线缺陷(一维缺陷)--原子行列的偏离.
的
例:位错等
几 何
面缺陷(二维缺陷)--表面、界面处原子排列混乱.
形
例:表面、晶界、堆积层错、镶嵌结构等
态 体缺陷(三维缺陷)--局部的三维空间偏离理想晶体的周期性
CV ,1000
n N
exp( ΔGS RT
)
exp(
84000 8.3145 1000
) 4.096 10-5
CV ,1500
n N
ρ
( 单位晶胞原子数n )( 55.847g / mol ) ( 2.866 108 cm )3 ( 6.02 1023 / mol )
《材料科学基础》 第03章 晶体缺陷
第三节 位错的基本概念
三、位错的运动
刃位错的攀移运动:刃型位错在垂直于滑移面方向上的运动。 刃位错发生攀移运动时相当于半原子面的伸长或缩短,通常把 半原子面缩短称为正攀移,反之为负攀移。 滑移时不涉及单个原子迁移,即扩散。刃型位错发生正攀 移将有原子多余,大部分是由于晶体中空位运动到位错线上的 结果,从而会造成空位的消失;而负攀移则需要外来原子,无 外来原子将在晶体中产生新的空位。空位的迁移速度随温度的 升高而加快,因此刃型位错的攀移一般发生在温度较高时;另 外,温度的变化将引起晶体的平衡空位浓度的变化,这种空位 的变化往往和刃位错的攀移相关。切应力对刃位错的攀移是无 效的,正应力的存在有助于攀移(压应力有助正攀移,拉应力 有助负攀移),但对攀移的总体作用甚小。
第一节 材料的实际晶体结构
二、晶体中的缺陷概论
晶体缺陷按范围分类:
1. 点缺陷 在三维空间各方向上尺寸都很小,在原 子尺寸大小的晶体缺陷。
2. 线缺陷 在三维空间的一个方向上的尺寸很大(晶 粒数量级),另外两个方向上的尺寸很小(原子尺 寸大小)的晶体缺陷。其具体形式就是晶体中的 位错Dislocation 。
说明:这是一个并不十分准确的定义方法。柏氏矢量的方向与位错线方向的定义有关,应该首 先定义位错线的方向,再依据位错线的方向来定柏氏回路的方向,再确定柏氏矢量的方 向。在专门的位错理论中还会纠正。
第三节 位错的基本概念
二、柏氏矢量
柏氏矢量与位错类型的关系:
刃型位错 柏氏矢量与位错线相互垂直。(依方向关系可 分正刃和负刃型位错) 螺型位错 柏氏矢量与位错线相互平行。(依方向关系可 分左螺和右螺型位错) 混合位错 柏氏矢量与位错线的夹角非0或90度。
过饱和空位 晶体中含点缺陷的数目明显超过平衡 值。如高温下停留平衡时晶体中存在一平衡空位, 快速冷却到一较低的温度,晶体中的空位来不及移 出晶体,就会造成晶体中的空位浓度超过这时的平 衡值。过饱和空位的存在是一非平衡状态,有恢复 到平衡态的热力学趋势,在动力学上要到达平衡态 还要一时间过程。
第三章-晶体结构缺陷
第三章晶体结构缺陷【例3-1】写出MgO形成肖特基缺陷的反应方程式。
【解】MgO形成肖特基缺陷时,表面的Mg2+和O2-离子迁到表面新位置上,在晶体内部留下空位,用方程式表示为:该方程式中的表面位置与新表面位置无本质区别,故可以从方程两边消掉,以零O(naught)代表无缺陷状态,则肖特基缺陷方程式可简化为:【例3-2】写出AgBr形成弗伦克尔缺陷的反应方程式。
【解】AgBr中半径小的Ag+离子进入晶格间隙,在其格点上留下空位,方程式为:【提示】一般规律:当晶体中剩余空隙比较小,如NaCl型结构,容易形成肖特基缺陷;当晶体中剩余空隙比较大时,如萤石CaF2型结构等,容易产生弗伦克尔缺陷。
【例3-3】写出NaF加入YF3中的缺陷反应方程式。
【解】首先以正离子为基准,Na+离子占据Y3+位置,该位置带有2个单位负电荷,同时,引入的1个F -离子位于基质晶体中F-离子的位置上。
按照位置关系,基质YF3中正负离子格点数之比为1/3,现在只引入了1个F-离子,所以还有2个F-离子位置空着。
反应方程式为:可以验证该方程式符合上述3个原则。
再以负离子为基准,假设引入3个F-离子位于基质中的F-离子位置上,与此同时,引入了3个Na+离子。
根据基质晶体中的位置关系,只能有1个Na+离子占据Y3+离子位置,其余2个Na+位于晶格间隙,方程式为:此方程亦满足上述3个原则。
当然,也可以写出其他形式的缺陷反应方程式,但上述2个方程所代表的缺陷是最可能出现的。
【例3-4】写出CaCl2加入KCl中的缺陷反应方程式。
【解】以正离子为基准,缺陷反应方程式为:以负离子为基准,则缺陷反应方程式为:这也是2个典型的缺陷反应方程式,与后边将要介绍的固溶体类型相对应。
【提示】通过上述2个实例,可以得出2条基本规律:(1)低价正离子占据高价正离子位置时,该位置带有负电荷。
为了保持电中性,会产生负离子空位或间隙正离子。
(2)高价正离子占据低价正离子位置时,该位置带有正电荷。
晶体结构缺陷
4)溶质原子:LM表达L溶质处于M位置,SX表达S溶质处 于X位置。 例:Ca取代了MgO晶格中旳Mg写作CaMg, Ca若填隙在MgO晶格中写作Cai。
5)自由电子及电子空穴:自由电子用符号e′表达。电子空 穴用符号h·表达。它们都不属于某一种特定旳原子全部, 也不固定在某个特定旳原子位置。
VO••
3OO
1 2
O2
例2:CaCl2溶解在KCl中:
产生K空位 ,合 理
CaCl2 KCl CaK• VK' 2ClCl
CaCl2 KCl CaK• Cli' ClCl
Cl-进入填隙位, 不合理
CaCl2 KCl Cai•• 2VK' 2ClCl
Ca进入填 隙位,不合
理
例3:MgO溶解到Al2O3晶格内形成有限置换型固溶体:
荷。为了保持电中性,会产生阴离子空位或间隙阳离子; 2、高价阳离子占据低价阳离子位置时,该位置带有正电
荷,为了保持电中性,会产生阳离子空位或间隙阴离子。
举例:
例1:TiO2在还原气氛下失去部分氧,生成TiO2-x旳反应能 够写为:
2TiO2
2TiT' i
VO••
3OO
1 2
O2
2Ti
4OO
2TiT' i
克罗格-明克符号系统
1、 缺陷符号旳表达措施 (以MX离子晶体为例) 1)空位:VM和VX分别表达M原子空位和X原子空位,V表达缺陷种类,
下标M、X表达原子空位所在位置。
VM〞=VM +2eˊ VX‥ = VX +2 h·
2)填隙原子:Mi和Xi分别表达M及X原子 处于晶格间隙位置 3)错放位置:MX表达M原子被错放在X位置上, 这种缺陷较少。
晶体缺陷-文档资料
平衡浓度 nN eCeAexkpEvT
11
3.1 点缺陷
实例
Cu晶体的空位形成能μv为0.9ev/atom,或1.44×10-19J/atom, 材料常数A取作1,玻尔兹曼常数k=1.38×10-23J/K,计算: 1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2) 500℃下的平衡空位浓度。
12
3.1 点缺陷
解:首先确定1m3体积内Cu原子的总数(已知Cu的摩尔质量Mcu= 63.54g/mol,500℃ 下Cu的密度ρCu=8.96×106(g/m3)
N N M 0 C C 6 u .u 0 1 2 6 2 .5 0 3 8 3 . 3 9 4 1 6 6 0 8 .4 1 9 2 / 0 m 8 3
(a)弗仑克尔缺陷的形成 (空位与间隙质点成对出现)
体积不变
8
3.1 点缺陷
肖特基缺陷
正常格点上的原子,热起伏过 程中获得能量离开平衡位置;
跳跃到晶体的表面,在原正常 格点上留下空位。
正负离子空位同时产生 体积增加
(b)单质中的肖特基缺陷的形成
9
一般规律:
3.1 点缺陷
在离子晶体中正负离子半径相差不大时,容易形成肖特 基缺陷,晶体中的缺陷以肖特基缺陷为主;
当正负离子半径相差很大时,容易产生弗仑克尔缺陷, 晶体中的缺陷以弗仑克尔缺陷为主。
10
3.1 点缺陷
3. 热缺陷浓度 热激发 晶体中质点由于获得较大热运动能量而脱离平衡位置的过程 激活能 热激发所需要的最小能量
晶体中大多数质点所具有的热运动能量都不足以克服周围质点的作用 力而脱离平衡位置,只是由于能量起伏,少数热运动能量大于激活能的质 点才能脱离平衡位置,形成热缺陷。
材料科学基础第三章 晶体缺陷
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化学与材料科学学院
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二、点缺陷的产生 1. 平衡点缺陷及其浓度 虽然点缺陷的存在使晶体的内能增高,但 同时也使熵增加,从而使晶体的能量下降。因 此,点缺陷是晶体中热力学平衡的缺陷。 等温等容条件下,点缺陷使晶体的亥姆霍 A U T S 兹自由能变化为:
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三、点缺陷与材料行为 1. 点缺陷的运动 1)空位的运动
2)间隙原子的运动 3)空位片的形成
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第三章 晶体缺陷
CRYSTAL DEFECTS
点缺陷 位错的基本概念 位错的弹性性质 作用在位错线上的力 实际晶体结构中的位错 晶体中的界面
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一、点缺陷的类型
点缺陷的类型: (a) Schottky 空位; (b) Frenkel 缺陷; (c) 异类间隙原子; (d) 小置换原子; (e) 大置换原子
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第3章 晶体缺陷 笔记及课后习题详解 (已整理 袁圆 2014.8.6)
第3章晶体缺陷3.1 复习笔记一、点缺陷1.点缺陷的定义点缺陷是在结点上或邻近的微观区域内偏离晶体结构正常排列的一种缺陷。
2.点缺陷的特征尺寸范围约为一个或几个原子尺度,故称零维缺陷,包括空位、间隙原子、杂质或溶质原子。
3.点缺陷的形成晶体中,位于点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动,当某一原子具有足够大的振动能而使振幅增大到一定限度时,就可能克服周围原子对它的制约作用,跳离其原来的位置,使点阵中形成空结点,称为空位。
离开平衡位置的原子有三个去处:(1)迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置上,而使晶体内部留下空位,称为肖特基(Schottky)缺陷;(2)挤入点阵的间隙位置,而在晶体中同时形成数目相等的空位和间隙原子,则称为弗仑克尔(Frenkel)缺陷;(3)跑到其他空位中,使空位消失或使空位移位;(4)在一定条件下,晶体表面上的原子也可能跑到晶体内部的间隙位置形成间隙原子图3.1 晶体中的点缺陷(a)肖特基缺陷(b)弗伦克尔缺陷(c)间隙原子4.点缺陷的平衡浓度(1)点缺陷存在的影响①造成点阵畸变,使晶体的内能升高,降低了晶体的热力学稳定性;②由于增大了原子排列的混乱程度,并改变了其周围原子的振动频率,引起组态熵和振动熵的改变,使晶体熵值增大,增加了晶体的热力学稳定性。
晶体组态熵的增值:最小,即式中,Q f为空位形成能,单位为J/mol,R为气体常数,R=8.31J/(mol·K)。
(2)点缺陷浓度的几个特点对离子晶体而言,无论是Schottky缺陷还是Frenkel缺陷均是成对出现的事实;同时离子晶体的点缺陷形成能一般都相当大,故在平衡状态下存在的点缺陷浓度是极其微小的。
二、线缺陷1.位错的定义晶体中某一列或若干列原子有规律的错排。
2.线缺陷的特征在两个方向上尺寸很小,另外一个方向上延伸较长,也称一维缺陷。
3.位错(1)位错的分类①刃型位错:晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半排原子面。
材料科学基础第三章晶体缺陷
材料科学基础第三章晶体缺陷
本章要求掌握的主要内容
b. 由于存在着这两个互为矛盾的因素,晶体中的点缺陷在一定温度下有一定的平衡数目,这时点 缺陷的浓度就称为它们在该温度下的热力学平衡浓度。
c. 在一定温度下有一定的热力学平衡浓度,这是点缺 陷区别于其它类型晶体缺陷的重要特点。
图 空位-体系能量曲线
1.形成缺陷带来晶格应变,内能U增加,一个缺陷带来的内能
过饱和点缺陷(如淬火空位、辐照缺陷)还提高了 金属的屈服强度。
例1:Cu晶体的空位形成能Ev为1.44×10-19J/atom, 材料常数A取为1,波尔兹曼常数为k=1.38×10-23J/K, 计算:
1)在500℃下,每立方米Cu中的空位数目; 2)500℃下的平衡空位浓度。 (已知Cu的摩尔质量63.54,500℃ Cu的密度为 8.96×106g/m3)
增加为u,所以内能增加
,故内能增加是线性的。
Unu
2.缺陷存在使体系的混乱度增加,引起熵值增加,缺陷存在使 体系排列方式增加,即熵值显著增加。和缺陷数量变化呈非线 性的。
C
n N
A exp( Ev / kT )
n 平衡空位数
N 阵点总数
Ev 每增加一个空位的能量 变化 K 玻尔兹曼常数
A 与振动熵有关的常数
晶体结构的特点是长程有序。结构基元或者构成物体的粒子(原子、离子或分子等)完全按照空间点阵 规则排列的晶体叫理想晶体。 在实际晶体中,粒子的排列不可能这样规则和完整,而是或多或少地存在着偏离理想结构的区域,出 现了不完整性。 把实际晶体中偏离理想点阵结构的区域称为晶体缺陷。 实际晶体中虽然有晶体缺陷存在,但偏离平衡位置很大的粒子数目是很少的,从总的来看,其结构仍 可以认为是接近完整的。
第三章 晶体缺陷
§3.1.3 缺陷化学反应表示法
⑴ 写缺陷反应方程式应遵循的原则 与一般的化学反应相类似,书写缺陷反应 方程式时,应该遵循下列基本原则: a. 位置关系 b. 质量平衡 c. 电中性
a.位置关系: 在化合物MaXb中,无论是否存在缺陷, 其正负离子位置数(即格点数)的之比始 终是一个常数a/b,即:M的格点数/X的格 点数a/b。如NaCl结构中,正负离子格点 数之比为1/1,Al2O3中则为2/3。
• 固溶体强度与硬度高于各组元,而塑性则较低。
• 5. 固溶体的研究方法
㈠ 理论密度的计算
• ㈡ 固溶体化学式的写法
• 例题:在ZrO2中加入CaO,生成固溶体,在1600℃, 该固溶体具有萤石结构,经XRD分析,当溶入0.15分 子CaO时,晶胞参数a=0.513nm,测得密度 D=5.447g/cm3,求计算密度,并判断固溶体的种类。
'' Ca
b. 弗仑克尔缺陷浓度的计算
AgBr晶体形成弗仑克尔缺陷的反应方程式为: AgAg Ag. 平衡常数K为:
' V i Ag
K
式中 [AgAg]1。
[ Ag ][V ] [ Ag Ag ]
. i ' Ag
. i
' Ag
G 又G=-RTlnK ,则 [ Ag ] [V ] exp( ) 2 RT
CaF2晶体形成肖特基缺陷反应方程式为:
O V 2V
'' Ca
. F
动态平衡
'' . 2 [VCa ][VF ] 4[VCa'' ]3 K [O] [O]
G=-RTlnK
. '' [ V ] 2 [ V 又[O]=1, F Ca ]
第三章晶体缺陷
材料表面的原子核内部的原子所处的环境不同,内部的任一原子处于其它原子的包围 中,周围的原子对它的作用力对称分布,因此它处于均匀的力场中,总和力为零,即处于 能量最低的状态;而表面原子却不同,与外界接触,表面原子处于不均匀的力场之中,所 以其能量大大升高,高出的能量称为表面自由能(或表面能)。
三. 点缺陷的运动
点缺陷(空位)的运动过程
晶体的点缺陷处于不断的运动状态,当空位周围原子的热振动动能超过激活能时,就 可能脱离原来的结点位置而跳跃到空位,正是靠这一机制,空位发生不断的迁移,同时伴 随原子的反向迁移。间隙原子也是在晶格的间隙中不断运动。空位和间隙原子的运动是晶 体内原子扩散的内部原因,原子(或分子)的扩散就是依靠点缺陷的运动而实现的。
第一节 点缺陷
一. 点缺陷的类型
空位:如果晶体中某结点上的原子空缺了,则称为空位。
脱位原子一般进入其他空位或者逐渐迁移至晶界或表面,这样的空位通常称为肖脱基 空位或肖脱基缺陷。偶尔,晶体中的原子有可能挤入结点的间隙,则形成另一种类型的点 缺陷---间隙原子,同时原来的结点位置也空缺了,产生另一个空位,通常把这一对点缺陷 (空位和间隙原子)称为弗兰克耳缺陷。
界100
100
(θ< )和大角度晶界(θ> )。一般多晶体各晶粒之间的晶界属于大角度晶界。
实验发现:在每一个晶粒内原子排列的取向也不是完全一致,晶粒内又可分为位向差
只有几分到几度的若干小晶块,这些小晶块可称为亚晶粒,相邻亚晶粒之小角度晶界还是大角度晶界,这里的原子或多或少的偏离了平衡位置,所以相对 于晶体内部,晶界处于较高的能量状态,高出的那部分能量称为晶界能,或称晶界自由能。
一. 刃型位错
第二节 位错
刃型位错 刃型位错的滑移过程
晶体缺陷专业知识讲座
Cv
exp
Ef kT
ΔSf k
Aexp
Ef kT
其中 A exp Sf 称为熵因子。 k
3.2.4 空位形成能 (FORMATION ENERGY OF VACANCY)
由
Cv
Aexp
Ef kT
知Ef为
ln
Cv
1 T
曲线旳斜率
测出不同温度下旳空位浓度就可得到斜率Ef 西蒙斯-巴卢菲法
单位长度位错所引起旳应变能:
E=Gb2 G:切弹性模量,b:柏氏矢量旳模,:与几
何原因有关旳系数,取值为0.5~1。 位错消失自由能降低——位错附近优先腐蚀 (位错旳应变能提供了腐蚀旳部分驱动力) 位错引起旳局部点阵畸变引起传导电子旳额外 散射——位错引起电阻升高 位错是短路扩散旳主要通道——位错加速扩散
表面弛豫:表面旳原子或离子仍保持原晶胞旳 构造,但原子间距发生变化旳现象。(保存平行 表面旳原子排列二维对称性)。
晶体内部原子排列
发生弛豫,表面原子间距增大或减小
实例:锗{111} 清洁表面旳弛 豫(金刚石构 造)
实际表面总是粗糙旳,抛光后表面仍有明显起伏
金属抛光表面:氧化物层(0.01-0.1m)+贝尔比 层(非晶层, 5-100nm)+严重变形区(1-2m)+明 显变形区(5-10m)+微小变形区(20-50m),总 厚度可达100 m。
急冷法(非平衡措施)
试样加热到某温度T,急冷——空位来不及扩 散——高温下旳空位浓度冻结——用电阻在室 温下测量高温下旳空位浓度。
Ef与熔点Tm
Ef与熔点Tm之间有某种关系?
猜测
根可据 算测 出试 熔成点果处得Cv在到1旳0-经4量验级公。式:
Ef=9kTm k:波尔兹曼常数。
第三章 晶体结构缺陷
3.2 热缺陷的统计平衡
热缺陷是由于热振动引起的。在热 平衡条件下,热缺陷的多少仅和晶体所 处的温度有关。在给定的温度下,热缺 陷的数量可以用热力学中的自由能最小 原理来进行计算。
以 Schottky 缺陷为例
设构成完整单质晶体的原子数为N,在T K时形 成了 n 个孤立的空位。每个空位的形成能为 h。相应地,这个过程的自由能变化为 G, 热焓的变化为H,熵的变化为S,则可以得到
固溶体、机械混合物和化合物三之间是有本
质区别的。
固溶体在无机固体材料中所占的比例很大。
常常采用固溶原理来制造各种新型材料。
在 Al2O3 晶体中溶入 Cr2O3,由于 Cr3+ 能产生 受激辐射,使得原来没有激光性能的白宝石 (Al2O3) 变为了有激光性能的红宝石。 碳钢中的铁素体是 C 在 -Fe 中的填隙固溶体, 属体心立方结构。C 只是随机地填入其间的一 些八面体空隙。
d ln x! 注意 ln x dx
( N n)! d ln G N!n! kT h TS n dn
d ln(N n)! d ln N! d ln n! h TS kT dn dn d( N n)
n h TS kT ln 0 N n
如果 C 的填隙呈有序状态,所得到的结构就成为体 心四方结构。相应形成的是马氏体。马氏体的硬度、 强度比铁素体高,但塑性变差了。
固溶体的分类
按溶质原子在溶剂晶格中的位置分类
置换性固溶体、填隙型固溶体
按溶质原子在溶剂晶体中的溶解度分类
连续固溶体、有限固溶体
固溶度
固溶度指的是固溶体中溶质的最大含量。可以
本征缺陷 非本征缺陷
两种典型的热缺陷
第三章 晶体缺陷
A、B为刃位错,C、D为螺位错。
位错能够在金属的结晶、塑性变形和相变等过程中 形成,实际晶体中形成的是混合位错。
三.柏氏矢量
1柏氏矢量(Burgers vector)的确定
能量较高的位错倾向分解为多个能量较低的位错,使 系统自由能降低。
五
高温淬火、冷变形、高能粒子辐照后,晶体中产生过饱 和点缺陷,有利于攀移!
位错特点 a.位错导致晶格畸变,产生内应力。 对于刃型位错: 原子较密区域原子受到压应力。 原子较疏区域原子受到拉应力。
Hebei university of engineering
b.刃型位错容易吸纳异类原子。 原子较密区域吸纳小直径的异类原子。 原子较疏区域吸纳大直径的异类原子。
Hebei university of engineering
c.位错具有易动性。 在外力作用下,位错能产生移动。 刃型位错移动的方向与切应力的方向相同。 螺型位错移动的方向与切应力的方向垂直。
完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体 滑移的对应强度,从而促进了位错理论的产生和发 展。
⑴刃型位错(edge dislocation)的产生
完整晶体滑移的理论剪切强度要远高于实际晶体 滑移的对应强度,从而促进了位错理论的产生和发 展。
⑵刃型位错图示
刃型位错线:多余半原子面与滑移面的交线。
实际上是已滑移区和未滑移区在滑移 面上的交线或分界线。
1点缺陷(point defect):特征是三维空间的各个方向上尺寸 都很小,尺寸范围约为一个或几个原子尺度,又称零维缺陷, 包括空位、间隙原子、杂质和溶质原子。
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另外,可通过改变外部条件形成点缺陷,包括高温淬 火、冷变形加工、高能粒子辐照等,这时的点缺陷浓
度超过了平衡浓度,称为过饱和的点缺陷
(supersaturated point defects) 。
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点缺陷的存在
造成点阵畸变,系统内能升高,降低晶体的热力学稳定性 增大原子排列的混乱程度,并改变周围原子的振动频率, 系统组态熵和振动熵升高,增加晶体的热力学稳定性
在一定温度下具有一定的平衡浓度
2. 点缺陷的平衡浓度
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点缺陷的平衡浓度
恒温下,系统的自由能
F U TS
其中U为内能,S为总熵值(包括组态熵Sc和振动熵Sf),T为绝对温度
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3.2 线缺陷 Linear defects
晶体中的位错dislocations
当晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移时, 滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错。
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位错 Dislocations
线缺陷就是各种类型的位错。它 是指晶体中的原子发生了有规律的 错排现象。 其特点是原子发生错排的范围只 在一维方向上很大,是一个直径为 3~5个原子间距,长数百个原子间 距以上的管状原子畸变区。 位错是一种极为重要的晶体缺陷, 对金属强度、塑性变形、扩散和相 变等有显著影响。 位错包括两种基本类型:刃型位 错和 螺型位错
空位
空位产生后,其周围原子相互间的作用力失去平衡,因而它们朝 空位方向稍有移动,形成一个涉及几个原子间距范围的弹性畸变 9 区,即晶格畸变。
Classifications of vacancies
离开平衡位置的原子: 迁移到晶体表面或内表面的正常结点位置,使晶体内部留 下空位。 肖脱基(Schottky)缺陷
1
第三章 晶体缺陷
Crystal Defects or Imperfections
2
实际金属材料几乎都是多晶体,即由许多彼此方位 不同、外形不规则的小晶体(单晶体)组成,这些 小晶体称为晶粒 grains。
纯铁组织
晶 粒 示 意 图
3
单晶体和多晶体的区别
单晶体:是指在整个晶体内部原子都按照周期性的规则排列。
单晶体
4
多晶体:是指在晶体内每个局部区域里原子按周期性的规则排 列,但不同局部区域之间原子的排列方向并不相同,因此多晶 体也可看成由许多取向不同的小单晶体(晶粒)组成。
铅锭宏观组织
沿晶断口
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变形金属晶粒尺寸约1~100m,铸造金属可达几个mm。
Turbine blade
Conventional casting
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一般,晶体中间隙原子的形成能比空位的形成能大3-4倍,间隙原 子的量与空位相比可以忽略。
例如,
Cu的空位形成能为1.7*10-19J,间隙原子的形成能为4.8*10-19J, 在1273K时,空位的平衡浓度C~10-4,间隙原子的C’~10-14, C/C’ ~ 1010。所以间隙原子可忽略不计。 1eV~100 kJ/mol
挤入间隙位置,在晶体中形成数目相等的空位和间隙原子。 弗兰克尔(Frenkel)缺陷 还可以跑到其他空位中,使空位消失或者空位移位。
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B. 间隙原子 interstitial atoms
挤进晶格间隙中的原子, 可以是基体金属原子,也 可以是外来原子。
间隙原子 间隙原子同样会使周围点阵产生弹性畸变,而且畸 变程度要比空位引起的畸变大的多,因此,形成能 大,在晶体中的浓度很低。
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点缺陷的运动产生的影响: 晶体中的原子正是由于空位和间隙原子不断的产生和复合,才不 停地由一处向另一处作无规则的布朗运动,这就是晶体中原子的 自扩散。它是固态相变、表面化学热处理、蠕变、烧结的基础。
晶体性能的变化:体积、光学、磁性、导电性等改变。 如体积膨胀、密度降低等
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A Frenkel defect, Frenkel pair, or Frenkel disorder is a type of point defect in a crystal lattice. The defect forms when an atom or ion leaves its place in the lattice, creating a vacancy, and becomes an interstitial by lodging in a nearby location not usually occupied by an atom. Frenkel defects occur due to thermal vibrations, and it is theorized that there will be no defects in a crystal at 0 K. The phenomenon is named after the Soviet physicist Yakov Frenkel (also known as Jacov Frenkel, 1894-1952), who discovered it in 1926. From 1921 till the end of his life, Frenkel worked at the Physico-Technical Institute. Beginning in 1922, Frenkel published a book virtually every year. He was the author of the first theoretical course in the Soviet Union. Many students learned physics from these books, in the Soviet Union and abroad. For his distinguished scientific service, he was elected a corresponding member of the USSR Academy of Sciences in 1929.
1st
理想金属 BCC FCC HCP
规则排列
实际金属材料中,由于原子(分子或离 子)的热运动、晶体的形成条件、加工 过程、杂质等因素的影响,使得实际晶 体中原子的排列不再规则、完整,存在 各种偏离理想结构的情况
晶体缺陷 defects or imperfections
晶体缺陷对晶体的性能、扩散、相变等有重要的影响
n' E 'v E 'v S'f C' exp A ' exp exp N' k kT kT
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Example 1
Please calculate the equilibrium number of vacancies per cubic meter for copper (Cu)at 1000oC. The energy for vacancy formation( Ev) is 0.9 eV/atom; the atomic weight( MCu) and density( )(at 1000oC) for copper are 63.5 g/mol and 8.4 g/cm3, respectively. n E
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3.1 点缺陷 Point defects
指空间三维尺寸都很小的缺陷。
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1. Formations of point defects A. 空位 vacancies
晶体中点阵结点上的原子以其平衡位置为中心作热振动,当 振动能足够大时,将克服周围原子的制约,跳离原来的位置, 使得点阵中形成空结点,称为空位vacancies 晶格中某些缺排 原子的空结点
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Dislocations in Titanium alloy TEM 51450 x
Individual dislocations (revealed by careful etching) that comprise a subboundary in germanium Dislocation loops produced by vacancy precipitation in germanium. Thin-foil electron micrograph. 60,000×.
则空位在T温度时的空位平衡浓度C为:
S f n C exp k N
Ev Ev exp k T A exp k T
其中, k为波尔兹曼常数(1.38x10-23 J/K或8.62x10-5 eV/K)
类似地,间隙原子平衡浓度C’ :
线缺陷(Linear defects):在一个方向上的缺陷扩展很大,其它两个
方向上尺寸很小,也称为一维缺陷。主要为位错dislocations。
面缺陷(Planar defects):在两个方向上的缺陷扩展很大,其它一个
方向上尺寸很小,也称为二维缺陷。包括晶界grain boundaries、相界phase boundaries、孪晶界twin boundaries、堆垛层错stacking faults等。
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位错(Dislocation)理论的发展
起源:塑性变形(plastic deformation) — 滑移(slip) — 滑移线
最初模型:“刚性相对滑动模型”
计算临界切应力 m = G/30 (G — 切变模量) 纯Fe的切变模量约为:100GPa
纯Fe的理论临界切应力:约3000MPa
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3. 点缺陷的运动
必然性:在一定温度下,点缺陷数目(浓度)一定,并处 于不断的运动过程中,是一个动态平衡。 迁移:晶格上的原子由于热运动,跳入空位中,形成另一 个空位,原来空位消失。这一过程可以看作空位迁移。同样, 间隙原子可从一个位置移动到另一个位置,形成间隙原子迁 移。 复合:间隙原子落入空位,使两者都消失。由于要求一定 温度下的点缺陷平衡浓度保持一定,因此,又会产生新的间 隙原子、空位。