电磁场与电磁波名词解释复习

安培环路定律

1）真空中的安培环路定律

在真空的磁场中，沿任意回路取B的线积分，其值等于真空的磁导率乘以穿过该回路所限定面积上的电流的代数和。即

2）一般形式的安培环路定律

在任意磁场中，磁场强度H沿任一闭合路径的线积分等于穿过该回路所包围面积的自由电流（不包括磁化电流）的代数和。即

B(返回顶端)

边值问题

1）静电场的边值问题

静电场边值问题就是在给定第一类、第二类或第三类边界条件下，求电位函数的泊松方程

()或拉普拉斯方程()定解的问题。

2）恒定电场的边值问题

在恒定电场中，电位函数也满足拉普拉斯方程。很多恒定电场的问题，都可归结为在一定条件下求拉普拉斯方程()的解答，称之为恒定电场的边值问题。

3）恒定磁场的边值问题

（1）磁矢位的边值问题

磁矢位在媒质分界面上满足的衔接条件和它所满足的微分方程以及场域上给定的边界条件一起构成了描述恒定磁场的边值问题。

对于平行平面磁场，分界面上的衔接条件是

磁矢位A所满足的微分方程

（2）磁位的边值问题

在均匀媒质中，磁位也满足拉普拉斯方程。磁位拉普拉斯方程和磁位在媒质分界面上满足的衔接条件以及场域上边界条件一起构成了用磁位描述恒定磁场的边值问题。

磁位满足的拉普拉斯方程

两种不同媒质分界面上的衔接条件

边界条件

1．静电场边界条件

在场域的边界面S上给定边界条件的方式有：

第一类边界条件(狄里赫利条件，Dirichlet)

已知边界上导体的电位

第二类边界条件（聂以曼条件 Neumann)

已知边界上电位的法向导数(即电荷面密度或电力线)

第三类边界条件

已知边界上电位及电位法向导数的线性组合

静电场分界面上的衔接条件

和称为静电场中分界面上的衔接条件。前者表明，分界面两侧的电通量密度的法线分量不连续，其不连续量就等于分界面上的自由电荷面密度；后者表明分界面两侧电场强度的切线分量连续。

电位函数表示的分界面上的衔接条件

和，前者表明，在电介质分界面上，电位是连续的；后者表明，一般情况下,电位的导数是不连续的。

2 恒定电场分界面上的衔接条件

和称为恒定电场中分界面上的衔接条件。前者表明，电场强度在分界面上的切线分量是连续的；后者表明电流密度在分界面上的法线分量是连续的。

电位函数表示的分界面上的衔接条件

3 恒定磁场分界面上的衔接条件

和称为恒定磁场分界面上的衔接条件。前者表明，磁感应强度在分界面上的法线分量是连续的；后者表明磁场强度在分界面上的切线分量不连续。

毕奥－萨伐尔定律

毕奥－萨伐尔定律给出了一段电流元I d l与它所激发的磁感强度d B之间的大小关系：

考虑到电流元I d l、位矢r和磁场d B三者的方向，电流元的磁场可写成矢量形式：

电流元I d l、位矢r和磁场d B三个矢量的方向之间服从右手螺旋法则，由此可确定电流元磁场dB的方向。

标量磁位在传导电流为零的区域内，假设，则式中称为标量磁位。

部分电容在（n+1）个导体构成的静电独立系统中，以0号导体为参考点，则该导体与其它各导体间的电压和电荷的关系可表示为

写成矩阵形式，有，其中，系数矩阵C称为部分电容。C10，C20，···，C k0，···，C n0称为自有部分电容；C12，C23，···，C kn，···称为互有部分电容。

部分电导在（n+1）个电极组成的多电极系统中，任意两个电极之间的电流和电压关系可表示为

写成矩阵形式，有，其中，系数矩阵G称为部分电导。G10，G 20，···，G k0，···，G n0称为自有部分电导；G 12，G 23，···，G kn，···称为互有部分电导。

波阻抗波阻抗是入射波或反射波的电场强度和磁场强度的比值，它与媒质的物理参数有关，如在自由空间中传播的电磁波的波阻抗，为：

波节（点）电场（磁场）的零值点。

波腹（点）电场（磁场）的最大值点。

波长电磁波在一个周期内行进的距离称为波长。

波导波导是用来引导电磁波在有限空间中传播，使波不至于扩散到漫无边际的空间中去的结构的总称。

C(返回顶端)

传导电流在导电媒质（如导体、电解液）中，电荷的运动形成的电流称为传导电流。

传播常数正弦稳态电磁波中，电场强度E和磁场强度H所满足的复数形式波动方程为：

。式中，

称为波传播常数。

驰豫过程驰豫过程就是自由电荷在导体中的按指数规律随时间衰减的过程。

磁偶极子磁偶极子是指一个面积dS很小的任意形状的平面载流回路。

磁偶极矩定义m = IS为磁偶极矩。其单位为A·m2（安·米2）。

磁化强度媒质中每单位体积内所有分子磁矩的矢量和，即，其单位为A/m（安/米）

磁化在外磁场作用下，磁偶极子发生旋转，转矩为T=m×B，旋转方向使磁偶极矩方向与外磁场方向一致，对外呈现磁性，称为磁化现象。

磁导率对于各向同性的线性媒质，其磁感应强度和磁场强度的关系为：，其中的称为媒质的磁导率。在SI中，其单位是H/m（亨/米）。

磁场能量磁场中储存的能量称为磁场能量。在SI中，其单位为J（焦）。对于n个回路组成的系统，磁场能量表达式为：。

磁场力载流导体或运动电荷在磁场中所受的力称为磁场力或电磁力。

磁场强度令，则H称为磁场强度。在SI中，它的单位是A/m（安/米）。

磁感应强度磁感强度B（简称B矢量）是表述磁场中各点磁场强弱和方向的物理量，又称磁通密度。其表达式为

，在SI中，其单位是T（特斯拉）。

磁通在磁场中,穿过任一面积S的B的通量，称为磁通。

在SI中，其单位是Wb（韦〔伯〕）

磁屏蔽主要利用高磁导率材料具有低磁阻的特性，将其制成有一定厚度的外壳，起到磁分路作用，使壳内设备少受磁干扰，达到磁屏蔽。

磁通连续原理磁感应线是闭合的，既无始端又无终端。因此也没有供B线发出或终止的源或沟。这样，对于任意闭合面，都有：。该式表示的磁场性质称为磁通连续性原理的积分形式。而

利用高斯散度定理有：，从而可得，此式则是磁通连续性原理的微分形式。

磁准静态场时变电磁场中，当位移电流密度远小于传导电流密度（即可忽略）时，称为磁准静态场，记作MQS。

D(返回顶端)