半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量(精)
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
半导体器件--用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数
用晶体管特性图示仪测量晶体管的特性参数一、 引言晶体管在半导体器件中占有重要的地位，也是组成集成电路的基本元件。
晶体管的各种特性参数可以通过专用仪器--晶体管特性图示仪进行直接测量。
了解和测量实际的晶体管的各种性能参数不仅有助于掌握晶体管的工作机理，而且还可以分析造成各种器件失败的原因，晶体管特性图示仪是半导体工艺生产线上最常用的一种工艺质量检测工具。
本实验的目的是：了解晶体管特性图示仪的工作原理；学会正确使用晶体管特性图示仪；测量共发射极晶体管的输入特性、输出特性、反向击穿特性和饱和压降等直流特性。
二、晶体管特性图示仪的工作原理和基本结构晶体管的输出特性曲线如图1所示，这是一组曲线族，对于其中任一条曲线，相当于I b =常数（即基极电流I b 不变）。
曲线显示出集电极与发射极之间的电压V cc 增加时，集电极电流I c 的变化。
因此，为了显示一条特性曲线，可以采用如图2所示的方法，既固定基极电流I b 为：b be b bE V I R -= （1）图1共射晶体管输出特性曲线 图2共射晶体管接法在集电极到发射极的回路中，接入一个锯齿波电压发生器E c 和一个小的电阻R c ，晶体管发射极接地。
由于电阻R 很小，锯齿波电压实际上可以看成是加在晶体管的集电极和发射极之间。
晶体管的集电极电流从电阻R c上流过，电阻R c上的电压降就正比于I c。
如果把晶体管的c、e两点接到示波管的x偏转板上，把电阻R c两端接到示波管的y偏转板上，示波器便显示出晶体管的I c随V cc变化的曲线。
（为了保证测量的准确性，电阻R c应该很小）。
用这种方法只能显示出一条特性曲线，因为此时晶体管的基极电流I b是固定不变的。
如果要测量整个特性曲线族，则要求基极电流I b改变。
基极电流I b的改变采用阶梯变化，每一个阶梯维持的时间正好等于作用在集电极的锯齿波电压的周期，如图3所示。
阶梯电压每跳一级，电流I b便增加一级。
（每一级阶梯的增幅可根据不同的晶体管的做相应的调整）。
项目六 晶体管特性图示仪
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操作示范 （3）Y轴部分 1) 垂直位移及电流∕度倍率开关。调节扫描线在垂直 方向的位移。旋钮拉出时放大器的增益扩大10倍， 电流∕度各挡的IC标称值×0.1，同时指示灯亮。 2) Y轴增益。校正Y轴增益用。 3) Y轴选择（电流∕度）开关。具有22挡四种偏转作用 的开关。可以进行集电极电流、基极电压、基极电 流和外接的不同转换。 4)电流∕度×0.1倍率指示灯。灯亮仪器表示进入电流∕ 度×0.1倍工作状态。
1V╱度（实为UDS值） 0.2mA╱度（实为ID值）
重复 － 0.2V/级
基极源电压 0.1mA╱度（实为ID值）
重复 － 0.2V/级
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3DJ6F的输出特性曲线
操作示范
（3）同步脉冲发生器的主要作用，是产生同步脉冲，使扫描 发生器和阶梯发生器的信号严格保护同步。 （4）X轴电压放大器和Y轴电流放大器的主要作用，是把从被 测元件上取出的电压信号（或电流信号）进行放大，达到能 驱动显示屏发光之所需，然后送至示波管的相应偏转板上， 以在屏面上形成扫描曲线。 （5）示波器的主要作用，是在荧屏面上显示测试的曲线图象。 （6）电源和各种控制电路，电源是提供整机的能源供给，各 种控制电路是便于测试转换和调节。
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I C 8 80 I B 0.1
图1-6 电流放大特性曲线
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2、晶体管击穿电压的测试（采用3DG6） 3DG6晶体管击穿电压测试时仪器部件的位置如下表4所示： 表4 晶体管击穿电压测试各部件位置
XJ4810晶体管特性图示仪说明书(精)
XJ4810晶体管特性图示仪说明书晶体管测量仪器是以通用电子测量仪器为技术基础,以半导体器件为测量对象的电子仪器。
用它可以测试晶体三极管(NPN 型和 PNP 型的共发射极、共基极电路的输入特性、输出特性;测试各种反向饱和电流和击穿电压,还可以测量场效管、稳压管、二极管、单结晶体管、可控硅等器件的各种参数。
下面以 XJ4810型晶体特性图示仪为例介绍晶体管图示仪的使用方法。
图 A-23 XJ4810型半导体管特性图示仪7.1 XJ4810型晶体管特性图示仪面板功能介绍XJ4810型晶体管特性图示仪面板如图 A-23所示:1. 集电极电源极性按钮,极性可按面板指示选择。
2. 集电极峰值电压保险丝:1.5A 。
3. 峰值电压 %:峰值电压可在 0~10V 、 0~50V 、 0~100V 、 0~500V 之连续可调,面板上的标称值是近似值,参考用。
4. 功耗限制电阻:它是串联在被测管的集电极电路中,限制超过功耗,亦可作为被测半导体管集电极的负载电阻。
5. 峰值电压范围:分 0~10V/5A、 0~50V/1A、 0~100V/0.5A、 0~500V/0.1A四挡。
当由低挡改换高挡观察半导体管的特性时, 须先将峰值电压调到零值, 换挡后再按需要的电压逐渐增加,否则容易击穿被测晶体管。
AC 挡的设置专为二极管或其他元件的测试提供双向扫描,以便能同时显示器件正反向的特性曲线。
6. 电容平衡:由于集电极电流输出端对地存在各种杂散电容,都将形成电容性电流, 因而在电流取样电阻上产生电压降, 造成测量误差。
为了尽量减小电容性电流, 测试前应调节电容平衡,使容性电流减至最小。
7. 辅助电容平衡:是针对集电极变压器次级绕组对地电容的不对称,而再次进行电容平衡调节。
8. 电源开关及辉度调节:旋钮拉出,接通仪器电源,旋转旋钮可以改变示波管光点亮度。
9. 电源指示:接通电源时灯亮。
10. 聚焦旋钮:调节旋钮可使光迹最清晰。
晶体管图示仪的使用
实验一晶体管图示仪的使用一、实验目的熟练掌握晶体管特性图示仪的使用方法，学会用晶体管特性图示仪测量半导体器件的静态参数。
在不损坏器件的情况下，测量半导体器件的极限参数。
二、晶体管特性图示仪测量半导体器件的工作原理1．概述YB4810型晶体管特性图示仪是一种用阴极射线示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测试仪器，尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压、饱和压降等。
2．主要技术指标（1） Y轴偏转系数集电极电流范围为10μA/div~0.5A/div，分15档，误差不超过±5%；二极管反向漏电流0.2μA/div~5μA/div，分5档，2μA/div、5μA/div误差不超过±5%，1μA/div误差不超过±7%，0.5μA/div误差不超过±10%，0.2μA/div误差不超过±20%；外接输入为0.1V/div误差不超过±5%。
（2） X轴偏转系数集电极电压范围为0.1V/div~50V/div，分9档，误差不超过±5%；基极电压范围为0.1V/div~5V/div，分6档，误差不超过±5%；外接输入为0.05V/div误差不超过±7%。
（3）阶梯信号阶梯电流范围为0.1μA/级~50mA/级，分18档；1μA/级~50mA/级，误差不超过±5%，0.1μA/级误差不超过±7%；阶梯电压范围为0.05V/级~1V/级，分5档，误差不超过±5%；串联电阻10Ω、10KΩ、0.1MΩ，分3档，误差不超过±10%；每簇级数4~10级连续可调。
2．4集电极扫描电源、高压二极管测试电源其峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其中最大输出不低于下表：（4）其它校正信号为0.5Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率），1Vp-p误差不超过±2%（频率为市电频率）；示波管15SJ110Y14内（UK=1.5Kv，UA4=+1.5kV）；电源电压为（220±10%）V；电源频率为（50±5%）Hz；视在功率在非测试状态约50W；满功率测试状态约80W。
电子测量与仪器教学第7章晶体管特性图示仪使用详解ppt
（2）交流参数测量仪器 主要测试半导体分立器件的频率参数、开关参数、极 间电容、噪声系数及交流网络参数等交流参数。
（3）极限参数测量仪器
主要测试半导体分立器件能安全使用的最大范围，如 大功率晶体管在直流和脉冲状态下的安全工作区。
RF 作用：将要测量的电流 IC 转换为电压，将其送至
示波器 Y 轴系统以使显示曲线的 Y 轴表示集电极电
流的变化。
（3）示波器 包括：X 放大器、Y 放大器及示波管。 作用：显示晶体管特性曲线。
（4）开关用附属电路 作用：准确测试晶体管特性曲线及适应测试不同的晶 体管的需要。 ① 极性开关 基极阶梯信号源和集电极扫描电压正、负极性选择开 关。 ② X 轴、Y 轴选择开关 把不同信号接至 X 放大器或 Y 放大器。通过不同的 组合，显示不同的晶体管特性曲线。
显示相应的特性曲线。
（2）晶体管输出特性曲线 IC = f（UCE） 及测试原理框图如图所示。根据 定义，可在输出特性曲线上求出 值。
（3）晶体管输入特性曲线 IB = f（UBE）及测试原理
框图如图所示。
a．被测管的集电极接全波整流扫描电压。
b．用阶梯信号提供基极电流。
c．采样电阻 RB 两端得到的电压加至示波器的 Y 轴。 d． UBE 加至示波器的 X轴。
组成：基极阶梯波信号源、集电极扫描电压发生器、 工作于 X-Y 方式的示波器、测试转换开关及一些附属 电路。
（1）基极阶梯信号源 作用：产生阶梯电流或阶梯电压。
（2）集电极扫描电压发生器 作用：供给所需的集电极扫描电压。
RC 作用：用于限制被测晶体管的最大工作电流，
YB4811晶体管特性图示仪使用说明书(精)
附录五 YB4811晶体管特性图示仪使用说明书一、概述YB4811型半导体管图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测量其静态参数的测量仪器。
尤其能在不损坏器件的情况下，测量其极限参数，如击穿电压。
饱和压降等。
因此该仪器广泛地应用与半导体器件有关的各个领域。
二、主要技术指标1.Y轴偏转系数集电极电流范围（IC）；10uA/div----0.5uA/div分15档，误差不超过+3%。
二极管反向漏电流（IR）0.2uA/div----5uA/div分5档2uA/div-------5uA/div，误差不超过+3%.1uA/div误差不超过+5%0.2uA/div---0.5uA/div，误差不超过+10%外接输入；0.1V/div，误差不超过+3%2.X轴偏转系数集电极电压范围（Vce)：0.05V/div---500V/div分13档，误差不超过+3%基极电压范围（Vbe); 0.V/div-----5V/div，分6档，误差不超过+3%外接输入：0.05V/div，误差不超过+3%3.信号阶梯电流范围（Ib;）;0.2uA/级-------100mA/级分18档1uA/级-------100mA/级，误差不超过+5%0.2uA/级-------100uA/级，误差不超过+7%阶梯电压范围（Vb);0.1/级-------2V/级分5档，误差不超过+3%串联电阻：0Ω，10Ω。
10KΩ。
100KΩ分3档，误差不超过+10%每簇级数；1----10级连续可调4.极扫描电源。
高压二极管测试电源峰值电压与峰值电流容量如下表所示，其最大输出不低于下表，各档级电压连续可调功耗限制电阻0--0.5MΩ分11档，误差不超过+10%档级容量10V档0------10V5A50V档0------50V 2.5A500V档0------500V0.5A3KV档0-----3000V2mA5.尺寸型式；便携式外形尺寸；415mm×240mm×320mm重量;17Kg电源电压;220.V+10%电源频率：50HZ+5%视在功率：非测试状态约50VA最大功率约100VA三、注意事项1.避免过冷和过热，不可将仪器长期暴露在日光下，或者说靠近热源的地方，如火炉2.在寒冷天气时放在室外使用，仪器工作温度应在0----40度3.热与寒冷环境交替，不可将仪器从炎热环境中突然转到寒冷的环境或相反进行，这将导致仪器内部形成凝结，从而损坏仪器.4.免温度，水分和尘土.如果将本仪器放在湿度或尘土多的地方，可能导致\仪器操作出现故障，最佳使用相对湿度范围是35%-----90%5.可将物体放置在本图仪器上，注意不要堵塞仪器通风孔6.不可遭受强烈的雷击7.不可用电源导线拖拉仪器8.将电烙铁放在本仪器框架及其表面上9.避免长期倒置存放和运输.10.仪器使用前应检查工作电源电压，并保证所用的保险丝为指定型号，为防止由于过电流引起的电路损坏，请使用正确的保险丝（电源保险丝为1.5A）。
半导体管特性图示仪操作指导书
半导体管特性图示仪操作指导书
1、目的:
规范操作员正确操作，减少事故发生率，确保产品符合要求。
2、范围：
使用于半导体管特性图示仪的操作。
3、操作方法：
3.1确保半导体管图示仪输入电压为220V/AC,开机需预热3分钟后方可进入工作状态;
3.2面板控制键名称说明：
3.3
3.4在面板上选择与被测器件相对应的扫描电压范围，水平电压/档位，选择相对应的测试座，被测器件的脚位插入端口时要正确；
3.5测试时先将阶梯信号及扫描电压调至最小然后由小到大，这样以免对被测器件造成冲击；
3.6对被测器件提供扫描电压与集电极电流，由流过的取样电阻转换成电压值来量度，阶梯信号源提供被测器件基极阶梯信号。
被测器件施加阶梯信号、扫描信号后获得特性曲线并完成输出特性的测量；
3.7测试完成后，将扫描电压调至最小再取下被测器件。
4、注意事项：
4.1非专业人员严禁擅自操作及更改参数；
4.2禁止仪器C、E间的直接短路；
4.3关机后必须大于30秒钟后再开机；
4.4选择高压状态时必须先按入安全罩后再按入测试键，测试完毕后应先将扫描电压回调至零后才
能取下被测器件。
5、设备点检：
设备操作人员于正常工作日每天使用前，按《设备点检记录表》中各项要求进行点检。
6、相关记录表格：
《设备点检记录表》。
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数
用晶体管特性图示仪测试晶体管主要参数一．实验目的掌握晶体管特性图示仪测试晶体管的特性和参数的方法。
二．实验设备（1）XJ4810晶体管特性图示仪（2）QT 2晶体管图示仪（3）3DG6A 3DJ7B 3DG4三．实验原理1．双极型晶体（以3DG4NPN 管为例）输入特性和输出特性的测试原理（1）输入特性曲线和输入电阻i R ，在共射晶体管电路中，输出交流短路时，输入电压和输入电流之比为i R ，即＝常数CE V B BEi I V R ∂∂= （1.1）它是共射晶体管输入特性曲线斜率的倒数。
例如需测3DG 4在V CE ＝10时某一作点Q 的R 值，晶体管接法如图1.1所示。
各旋扭位置为峰值电压%80% 峰值电压范围0～10V 功耗电阻50Ω X 轴作用基极电压1V/度 Y 轴作用 阶梯选择μ20A/极 级/簇10 串联电阻10K 集电极极性 正（+）把X 轴集电极电压置于1V/度，调峰值电压为10V ，然后X 轴作用扳回基极电压0.1V/度，即得CE V ＝10V 时的输入特性曲线。
这样可测得图1.2：V CE V B BEi I V R 10=∆∆= （1.2）根据测得的值计算出i R 的值图1.1晶体管接法 图1.2输入特性曲线 （2）输出特性曲线、转移特性曲线和β、FE h在共射电路中，输出交流短路时，输出电流和输入电流增量之比为共射晶体管交流电流放大系数β。
在共射电路中，输出端短路时，输出电流和输入电流之比为共射晶体管直流电流放大系数FE h 。
晶体管接法如图1.1所示。
旋扭位置如下：峰值电压范围10V 峰值电压%80% 功耗电阻250Ω X 轴集电极电压1V/度 Y 轴集电极电流2mA/度 阶梯选择μ20A/度 集电极极性 正（+）得到图1.3所示共射晶体管输出特性曲线，由输出特性曲线上读出V V CE 5=时第2、4、6三根曲线对应的C I ，B I 计算出交流放大系数BC I I ∆∆=β （1.3） FE h >β主要是因为基区表面复合等原因导致小电流β较小造成的，β、FE h 也可用共射晶体管的转移特性（图1.4）进行测量只要将上述的X 轴作用开关拨到“基极电流或基极源电压”即得到共射晶体管的转移特性。
实验二场效应晶体管(FET)特性参数测量
实验二、场效应晶体管（FET）特性参数测量一、实验设备（1）半导体管特性图示仪(XJ4810A 型)，（2）BJT 晶体管（S9014、S8050、S8550），（3）二极管（1N4001）二、实验目的1、熟悉BJT 晶体管特性参数测试原理；2、掌握使用半导体管特性图示仪测量BJT 晶体管特性参数的方法；3、学会利用手册的特性参数计算BJT 晶体管的混合π型EM1 模型参数的方法。
三、MOS 晶体管特性参数的测量原理1、实验仪器实验仪器为场效应管参数测试仪(BJ2922B)，与测量双极晶体管直流参数相似，但由于所检测的场效应管是电压控制器件，测量中须将输入的基极电流改换为基极电压，这可将基极阶梯选择选用电压档（伏/级）；也可选用电流档（毫安/级），但选用电流档必须在测试台的B-E 间外接一个电阻，将输入电流转换成输入电压。
测量时将场效应管的管脚与双极管脚一一对应，即 G（栅极） B（基极）； S（源极） E（发射极）； D（漏极） C（集电极）。
值得注意的是，测量MOS管时，若没有外接电阻，必须避免阶梯选择直接采用电流档，以防止损坏管子。
另外，由于场效应管输入阻抗很高，在栅极上感应出来的电荷很难通过输入电阻泄漏掉，电荷积累会造成电位升高。
尤其在极间电容较小的情况下，常常在测试中造成MOS管感应击穿，使管子损坏或指标下降。
因而在检测MOS管时，应尽量避免栅极悬空，且源极接地要良好，交流电源插头也最好采用三眼插头，并将地线（E接线柱）与机壳相通。
存放时，要将管子三个电极引线短接。
2、参数定义（1）、输出特性曲线与转移特性曲线输出特性曲线（IDS－VDS）即漏极特性曲线，它与双极管的输出特性曲线相似，如图2-1所示。
在曲线中，工作区可分为三部分： I 是可调电阻区（或称非饱和区）；Ⅱ是饱和区；Ⅲ是击穿区。
转移特性曲线为IDS－VDS之间的关系曲线，它反映了场效应管栅极的控制能力。
由于结型场效应晶体管都属于耗尽型，且栅源之间相当于一个二极管，所以当栅压正偏（VGS＞0）并大于 0.5V时，转移特性曲线开始弯曲，如图2-2中正向区域虚线所示。
QT-2A型半导体管特性图示仪操作规程
三、使用说明
1.总体结构介绍（图一）
设 计 标准化 会 签 审 核
示波管
显示控制
集电极电源
测试座
偏转放大器
阶梯信号
2.面板控制键功能和说明（图二）
33
17 2 3 4 5 6 7 8 9 10
11 12 13 14 15 16
1
22
18
20 21
19 27
24 25
26
23 28 2931 35 45
47
48
46
32 30
34 36
37
38 39 42 43
44
41
40
四、测试应用举例
1.将需要测试的三极管插入测试座（三极管的引脚定义应与测试座上的E、B、C相对应），如图三。
测试二极管时，要将二极管按照极性插入高压测试座，再将高压测试座插入+、-测试端，如图四。
2. 打开QT-2A型半导体管特性图示仪的电源总开关（图二7），按入电源接通，电源接通发光管亮指示仪器通电工作。
3. 对示波管辉度、聚焦（图二2、3）进行调节，使光点聚成一清晰圆点。
4. 参照“表三”的项目设置检测参数
5. 查看对应元器件的半导体管特性曲线是否符合要求。
测试三极管、场效应管的连接方式测试二极管的连接方式
图三图四
五、技术支持及联系方式
上海新建仪器设备有限公司
联系电话：传真：
售后服务热线：传真：。
晶体管特性图示仪的使用
实验8 晶体管特性图示仪的使用8．1实验目的1）熟悉XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置；2）熟悉XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置的操作方法；3）掌握在正式测试前对仪器的检查、校验。
4）会使用XJ4810/NW4822测试二极管的正、反向特性，包括稳压二极管的稳压特性；5）会使用XJ4810/NW4822测试三极管的输入特性、输出特性及主要参数（不包括频率参数）；6）学会使用XJ4810/NW4822测试场效应晶体管、双基极二极管的特性曲线及主要参数。
8．2实验设备1）XJ4810/NW4822型图示仪一台。
2）2AP9、2CP10、2CW、3DG6、3AK20、3DD15、3DJ6、BT33各一只；晶体管亦可用新型号1N4001、9013、9012等。
3）稳压电源一台，测试BT33用。
8．3实验步骤实验前预习XJ4810/NW4822型图示仪的面板装置图（见附图10.1、附图10.2及附图11）及各控制装置的作用介绍（见附录10-1、附录10-2及附录11）；熟悉XJ4810/NW4822型面板装置及操作方法。
8.3.1 使用前的检查接通电源，预热5-10分钟后，进行下列调整：（1）调节“辉度”旋钮使亮度适中；（2）调节“峰值电压%”旋钮，逆时针旋到底，使集电极扫描电压为零伏，此时可揿下“峰值电压范围”的10V键。
调节“聚焦”和“辅助聚焦”，使光点清晰。
（3）放大器增益检查XJ4810型将光点聚焦好后，调节两个“移位”旋钮，将光点移至屏幕的左下方（即标尺刻度的左下角），按下“校准”旋钮，光点应在屏幕有（实线）刻度的范围内从左下角跳向右上角。
否则应用小螺丝马调整X或Y的增益微调。
NW4822型将光点聚焦好后，调节两个“移位”旋钮，将光点移至屏幕的左上方（即标尺刻度的左上角），按下“校准”旋钮，光点应在屏幕有（实线）刻度的范围内从左上角跳向右下角。
此时Y轴部分的“电流/度”及X轴部分的“电压/度”两个开关位置可置于任何位置。
晶体管特性图示仪使用详解
② “峰值电压 %”调节旋钮。 作用：使集电极电源在确定的峰值电压范围内连续变 化。 ③ “+、-”极性按键开关。 作用：按下时集电极电源极性为负，弹出时为正。
36
• ④ “电容平衡”与“辅助电容平衡”旋钮。 • 作用：使在高电流灵敏度测量时容性电流最小，
减小测量误差 • ⑤ “功耗限制电阻 ”选择开关。 • 作用：改变串联在被测管集电极回路中的电阻以
50
5．使用注意事项 （1）测试前应预设一些关键开关和旋钮的位置。 （2）“峰值电压范围”、“峰值电压%”、阶梯信号 “电压电流/级”及“功耗限制电阻”这几个开关甚 用。 （3）测试大功率器件（因通常测试时不能满足其散 热条件）及测试器件极限参数时，多采用“单簇”阶 梯。
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6．XJ 4810 型半导体管特性图示仪的应用 （1）同时显示二极管的正反向特性曲线 由于其集电 极扫描电压有双向扫描功能，可使二极管的正反向特 性曲线同时显示在荧光屏上。
• ⑤ “极性”开关 选择阶梯信号的极性。
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⑥ “重复-关”开关 开关弹出时，阶梯信号重复出 现，正常测试时多置于该位置；开关按下时，阶梯信 号处于待触发状态。 ⑦ “单簇”按钮 与“重复-关”开关配合使用。当 阶梯信号处于待散发状态时，按下该钮，对应指示灯 亮，阶梯信号出现一次，然后又回到待触发状态。多 用于观察被测管的极限特性，可防止被测管受损。
注意：此时 IB 和 UBE 均为阶梯波，但 IB 每级高度基本相同，而 UBE
由于输入特性的非线性而每级高度不同。集电极扫描电压的变化反映在荧 光屏上为亮点在各级水平方向的往返移动。
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（4）场效晶体管漏极特性曲线 ID = f（UDS）及 测
试原理框图如图所示。
半导体管图示仪操作说明
第 三调:电 压范围 50V
用测 试表笔 C.E(C为 正,E为 负)与极 管C.E脚 相对应, 调节峰值 电压旋纽 至合适曲 线读出电 压.(合适 曲线为发 生击穿现 象时的电 压值)
6.Vbeo(B E结击穿 电压)的 测试.(BE 结的击穿 电压都用 5V测)
第 一 调:IC(Y 轴)电流 20mA
第 二 调:Vce(X 轴)电压 0.2V
第 三 调:IB(阶 梯信号) 20uA
第 四调:电 压范围 (Vc集电 极峰值电 压范围) 10V
将被 测三极管 按相应脚 位插至测 试治具 上,调节 峰值电压 旋纽至合 适曲线读 值.(合适 曲线为放 大倍数的 曲线与X 轴相交 处)
贴片 二极 管的 测试
1.首先查 找规格 书,看极 性
有丝 印部分为 ห้องสมุดไป่ตู้极,面 积较少, 另一边为 正极
2.VF(正 向电压) 的测试 (例 0700174 VF≤1V IF=10mA
第 一 调:IC(Y 轴)电流 2mA
第 二 调:Vce(X 轴)电压 0.2或0.5
第 三调:电 压范围 10V
这样的算 法是在“ 极/簇” 档调到最 大的时候 才可以数 格子.
hfe表示 的是交流 放大倍 数,工程 上常用β 表示。β =△IC/△ Ib，用 -β表示 直流放大 倍数,--β =IC/Ib, 不过工程 上这两者 的误差值 也就10% 完全满足 要求所 信号档位 ”的含义 就是相邻 两条曲线 之间“基 极电流” 的差值。 例如“阶 梯信号档 位”打到 10uA档就 表示一簇 曲线中相 邻两条曲 线之间的 Ib值相差 10uA , 当“极/ 簇”档位 打到最大 (10)时, 一簇输出 曲线有10 条,最上 面一
电子测量与常用仪器的使用第6章晶体管特性图示仪的使用
面板布置图上有四个部分，各个部分的作用如 下：
1 电源及示波管显示部分 2 集电极电源部分 3 X轴、Y轴偏转放大部分 4 阶梯信号部分
2. XJ4810型晶体管特性图示仪的器件测试台
6.2.2．XJ4810型晶体管特性图示仪的使用方法 1. 测量前的准备工作 2. 测量晶体二极管的操作步骤 1 二极管正向特性的测量 2 二极管反向特性的测量 3.测量晶体三极管的操作步骤
（2）测量三极管输出特性曲线时的接法
（3）测量三极管的输入特性曲线时的接法
6.2晶体管特性图示仪的操作方法
XJ4810型晶体管测试仪是目前应用较多 的图示仪，其外形照片如图6.6所示。
6.2.1 XJ4810型晶体管特性图示仪的面板布置 图和器件测试台
1. XJ4810型晶体管特性图示仪的面板布置图
第6章 晶体管特性图示仪的使 用
1. 晶体管特性图示仪的组成和面板
2. 晶体管特性图示仪的操作方法
6.1 晶体管特性图示仪的组成和面板
6.1.1晶体管特性图示仪的组成 1. 同步脉冲发生器 2 集电极扫描电压发生器
3 基极阶梯信号发生器 4 测试转换开关 5 示波器 3．测量各种晶体管器件时的电路接法 （1）测量二极管正反向特性曲线的接法
4 测试完器件以后，先关闭电源，再使晶体管特性图 示仪的各个旋钮复位，以防下次使用时因疏忽而损 坏被测器件。应将“峰值电压范围”置于（0～ 10V ）档，“峰值电压%”调至0位，阶梯信号中 “重复-关” 按键处于按下（关）的状态，“功耗 限制电阻”置于最大位置。
3 三极管输出特性的测量 4 三极管输入特性的测量
4. 使用晶体管特性图示仪的注意事项
1 正确选择“电压-电流／级”、“集电极功耗电阻 ”、“峰值电压%”三个旋钮的位置。
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量(精)
半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及 XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理(一半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢?最早是利用图 4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试 , 而后描出曲线, 逐点测试法不仅既费时又费力 , 而而且所得数据不能全面反映被测管的特性, 在实际中 , 广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图 4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图 4-2(a 中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压 UCS 代替逐点法中的可调电压 EC ,用图 4-2(b 所示的和扫描电压 UCS 的周期想对应的阶梯电流 iB 来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压 EB , 将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上 , 这样一来 , 荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图 4-3 所示的 NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时 , 图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图 4-4 所示 . T是被测晶体管 , 基极接的是阶梯波信号源 , 由它产生基极阶梯电流 ib 集电极扫描电压 UCS 直接加到示波器 (图示仪中相当于示波器的部分 , 以下同的 X 轴输入端 ,, 经 X 轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流 ic 经取样电阻 R 得到与 ic 成正比的电压 ,UR=ic,R加到示波器的 Y 轴输入端 , 经 Y 轴放大器放大加到垂直偏转板上 . 子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比 , 所以荧光屏光点水平方向移动距离代表 ic 的大小 , 也就是说 , 荧光屏平面被模拟成了 uce-ic 平面 .图 4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图 4-5 所示当 t=0 时 , iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零 , 设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
晶体管特性图示仪检验方法(精)
晶体管特性图示仪晶体管特性图示仪技术条件JY 6-85 代替JY 6-78本标准适用于J2461 J2461-1型晶体管特性图示仪1 基本性能、参数1.1 本仪器与J2458型教学示波器、J2459型学生示波器配合使用，能在示波器荧光屏上直接显示小功率晶体三级管的伏安特性曲线族和二极管的伏安特性曲线，并通过座标刻度读晶体管的一些基本参数。
1.2 工作环境条件工作温度：0～+40℃相对湿度：不大于90%（40℃）1.3 使用电源：220V±10%，50Hz1.4 消耗功率：20V A1.5 连续工作时间：8小时1.6 外形尺寸：J2461型：约250X155X110（mm3）J2461-1型：约280X145X200（mm3）1.7 质量：J2461型：3kgJ2461-1型：4kg2 技术要求2.1 扫描电压2.1.1 电压极性正、负2.1.2 电压峰值J2461型0～50V 连续可调。
J2461-1型0～200V连续可调。
2.1.3 电流峰值200MA。
2.1.4 扫描频率100Hz2.1.5 功耗限止电阻0～100KΩJ2461型，共11挡误差±10%，J2461-1型，共17挡误差按1、2、5进制误差±10%。
2.2 阶梯信号2.2.1 阶梯极性正、负2.2.2 阶梯电流0～5MA/级，按1、2、5进制误差10%，J2461型共11挡，J2461-1型共13挡。
2.2.3 阶梯电压J2461-1型，0～1V/级按1、2、5进制误差±10%，共8档。
2.2.4 每族级数J2461-1型，7级；J2461-1型7级、10级2挡。
2.2.5 每秒级数J2461型100级；J2461-1型200级2.2.6 阶梯零点连续可调2．3 Y轴显示2．3．1 集电极电流J2461型：0.05mA/级～20mA/级按、1、2、5进制共9挡，误差±10%J2461-1型：0.01mA/级～50mA/级按、1、2、5进制共12挡，误差±10%2.3.2 基级电流J2461-1型,每级1格。
元器件任务2仪器的使用
2.1.1 晶体管特性图示仪的测试原理 1. 晶体管特性曲线的产生过程
晶体管特性曲线是指晶体管相关极电压与电流或电流与电
流之间的关系曲线，对于晶体晶体管，输出特性曲线是指在IB 固定的条件下，集电极电流IC随集电极和发射极电压UCE变化而 变化的关系曲线。对应于不同的IB都有一条与之对应的输出特
性曲线，从而形成一簇特性曲线。
1
任务2.1晶体管特性图示仪的使用
2.1.1 晶体管特性图示仪的测试原理
图 2-1 NPN型晶体管输出特性曲线及逐点测量法示意图
先固定基极电流IB，改变EC值，可测得一组UCE和IC值；再 改变基极电流IB，重复上述过程，可测得多组数值。适当选
取坐标，即可得到晶体管输出特性曲线，如图2-1 b所示。
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任务2.1晶体管特性图示仪的使用
2.1. 3 常用半导体特性曲线的测试 1. 二极管特性曲线的测试
二极管特性曲线的测试原理框图如图2-6所示。
图2-6 二极管特性曲线的测试原理框图
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任务2.1晶体管特性图示仪的使用
2.1. 3 常用半导体特性曲线的测试 测试二极管时只需观察流过二极管的电流与二极管两端
2
任务2.1晶体管特性图示仪的使用
2.1.1 晶体管特性图示仪的测试原理 2. 动态法测量原理
动态法测量原理图如图2-2所示。
图2-2 动态法测量原理图
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任务2.1晶体管特性图示仪的使用
2.1.1 晶体管特性图示仪的测试原理
阶梯信号发生器提供测试所需的各种基极阶梯电压或电
流IB，阶梯高度可以调节，用于形成多条曲线簇。 集电极扫描电压发生器对于每一个IB，产生不同的集电极
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XJ4810 型半导体管特性图示仪 说明书
XJ4810型半导体管特性图示仪概述XJ4810型半导体管特性图示仪是一种用示波管显示半导体器件的各种特性曲线，并可测定其静态参数的测试仪器。
可以测试的器件有：晶体二极管、稳压管、晶体三极管和场效应管的静态特性和反向击穿特性。
可以测试的参数有h fe,g m，Iceo等。
前面板单元划分参见图2.5.1。
图2.5.1 图示仪前面板前面板的主要分区为：示波管控制区、偏转放大区、集电极电源、阶梯信号、测试台。
两簇测试的时候，侧面的二簇移位旋钮可以水平移动第二簇的位置。
1. 阶梯信号区42AJ18极性选用：决定于被测半导体的需要，比如采用基极电流信号的时候，NPN为正，PNP为负。
40W2级/簇：用来调节阶梯信号的级数在0到10的范围，连续可调整。
比如一簇三极管输出特性曲线的分杈数。
40W1调零：将阶梯信号调整到和面板“零电压”键一样的调整电位器。
40K1阶梯信号选择开关：22档，二作用开关。
基极电流0.2uA/级～50mA/级共17档。
基极源电压0.05V/级～1V/级。
42AJ1A开关：重复、关。
重复使阶梯信号重复出现，做正常的测试。
关使阶梯信号处于待触发状态。
40K3单簇按开关：单簇的按动，其作用是出现触发一次信号。
可以用瞬间测量来看器件的一些极限特性。
2. 集电极电源区50AJ1峰值电压范围：可以在4档调。
开始测试应该采用低电压档0～10v,然后渐渐上加。
51AJ1极性：集电极电压极性，一般NPN型为正。
与测试目的和要求有关系。
50B1峰值电压%：连续调整峰值电压，属于50AJ1各个档的细调。
开始应该条到0，慢慢增大。
50K1功耗限制电阻：串联在集电极电路上的电阻值，开始要选大的，保护被测试晶体管。
然后渐渐放小。
50W2电容平衡电阻：平衡容性电流，提高测试质量。
50W1辅助电容平衡：对内部线圈绕组的对地电容的不对称性进行平衡。
3. Y轴、X轴作用选择Y轴20K1电流/度开关：22档，四种作用开关，分别是集电极电流Ic、二极管漏电流IR、基极电流或源电压（面板用台阶表示）、外接信号。
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半导体管特性图示仪的使用和晶体管参数测量一、实验目的1、了解半导体特性图示仪的基本原理2、学习使用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和参数。
二、预习要求1、阅读本实验的实验原理,了解半导体图示仪的工作原理以及 XJ4810 型半导体管图示仪的各旋钮作用。
2、复习晶体二极管、三极管主要参数的定义。
三、实验原理(一半导体特性图示仪的基本工作原理任何一个半导体器件,使用前均应了解其性能,对于晶体三极管,只要知道其输入、输出特性曲线,就不难由曲线求出它的一系列参数,如输入、输出电阻、电流放大倍、漏电流、饱和电压、反向击穿电压等。
但如何得到这两组曲线呢?最早是利用图 4-1 的伏安法对晶体管进行逐点测试 , 而后描出曲线, 逐点测试法不仅既费时又费力 , 而而且所得数据不能全面反映被测管的特性, 在实际中 , 广泛采用半导体特性图示仪测量的晶体管输入、输出特性曲线。
图 4-1 逐点法测试共射特性曲线的原理线路用半导体特性图示仪测量晶体管的特性曲线和各种直流参量的基本原理是用图 4-2(a 中幅度随时间周期性连续变化的扫描电压 UCS 代替逐点法中的可调电压 EC ,用图 4-2(b 所示的和扫描电压 UCS 的周期想对应的阶梯电流 iB 来代替逐点法中可以逐点改变基极电流的可变电压 EB , 将晶体管的特性曲线直接显示在示波管的荧光屏上 , 这样一来 , 荧光屏上光点位置的坐标便代替了逐点法中电压表和电流表的读数。
1、共射输出特性曲线的显示原理当显示如图 4-3 所示的 NPN 型晶体管共发射极输出特性曲线时 , 图示仪内部和被测晶体管之间的连接方式如图 4-4 所示 . T是被测晶体管 , 基极接的是阶梯波信号源 , 由它产生基极阶梯电流 ib 集电极扫描电压 UCS 直接加到示波器 (图示仪中相当于示波器的部分 , 以下同的 X 轴输入端 ,, 经 X 轴放大器放大到示波管水平偏转板上集电极电流 ic 经取样电阻 R 得到与 ic 成正比的电压 ,UR=ic,R加到示波器的 Y 轴输入端 , 经 Y 轴放大器放大加到垂直偏转板上 . 子束的偏转角与偏转板上所加电压的大小成正比 , 所以荧光屏光点水平方向移动距离代表 ic 的大小 , 也就是说 , 荧光屏平面被模拟成了 uce-ic 平面 .图 4-4 输出特性曲线显示电路输出特性曲线的显示过程如图 4-5 所示当 t=0 时 , iB =0 ic=0 UCE =0 两对偏转板上的电压均为零 , 设此时荧光屏上光点的位置为坐标原点。
在 0-t1, 这段时间内 , 集电极扫描电压 UCS 处于第一个正弦半波周期。
图 4-5 晶体管输出特性曲线的显示过程UCE 开始由零逐渐增大到最大值 , 然后再由最大值逐渐减少到零 ,它在水平方向上影响电子束 ,由于这段时间内 iB =IBO =0, ic =ICEO ,其大小决定于被测晶体管本身的特性, 且随 UCE 而变 ,它在垂直方向上使电子束发生相应的偏转。
因为 UCE 在水平方向上和 ic 在垂直方向上对电子束的作用是同时存在的,二者作用的结果 ,使光点从坐标原点出发 , 沿着向右上方伸展的一条曲线逐渐移到最大, 再由最大沿原路逐渐回到坐标原点 , 这条曲线(光点移动的轨迹就是 iB =IBO =0 所对应的那条输出特性曲线。
在正弦半波的第一个周期刚刚结束 , 第二个周期刚开始的 t1 时 , ib 值从零跳变到 IB1。
在 t1-t2这段时间内 , 集电极扫描电压处于正弦半波的第二个周期 ,它在水平方向上对电流束的影响与 0-t1的一样 ,由于 t1-t2这段时间内 iB = IB1值恒定不变 , 所以 ic 的大小仅取决于管子本身的特性和 U CE 的变化 , 并在垂直方向上使电子束发生相应的偏转 , UCE 和 ic 对电子束作用的结果 ,使得荧光屏上的光点从坐标原点出发 , 沿着向右上方伸展的另一条曲线逐渐移到最大, 在由最大沿原路逐渐移回到坐标原点。
这条曲线就是 ib=IB1所对应的输出特性曲线。
在第二个周期的正弦半波扫描电压刚刚结束 , 第三个周期刚开始的 t2时刻 , ib 值从 IB1跳变到 IB2。
在 t2-t3这段时间内 ,由扫描电压的第三个正弦半波进行扫描 , 且 ib=IB2, 光点移动的轨迹ib=IB2所对应的那条输出特性曲线。
就这样 , ib 每取一个值 ,就有一个周期的正弦半波进行扫描 , 光点移动的轨迹就是一条新的特性曲线,基极电流有几个取值 (包括 ib=0 , 光点就要依次扫过几条曲线,例如图 4-5 中 , 光点要依次扫过七条曲线。
当最后一条曲线扫完后 , 光点回到原点 , ib 值的跳变完成一个周期又跳回到 ib=IB0=0 的状态 , 以后便重复上述过程 , 光点开始第二次依次扫过 iB=0,iB=IB1,iB=IB2所对应的输出特性曲线。
以上的讨论可以看到 , 在基极阶梯电流的每一个周期内 , 光点要依次扫过每条输出特性曲线一个往返。
当基极阶梯电流的频率足够高 (周期足够短 , 即单位时间内光点扫过的每条曲线得次数足够多时 , 借助于示波管的余辉时间和人眼的视觉暂留 , 我们就能看到输出特性曲线, 完整、清晰而稳定地显示在荧光屏上。
需要说明的是 :图 4-5 中每条曲线分成两条来画 , 只是为了表明光点的移动方向, 实际上它们是重合在一起的。
另外 ib=IB0=0 的一条输出特性曲线离横轴较远 , 这是夸大了的情况 ,实际上由于 ICEO 很小 , 此曲线基本上和横轴叠合 ,对硅管更是如此。
2、共射输入特性曲线的显示原理当显示如图 4-6 所示的 NPN 型晶体管的共发射极输入特性曲线时 ,图示仪内部和被测晶体管之间的接线方式如图 4-7 所示。
图 4-7 输入特性曲线显示电路从图 4-7 中可以看到 , 此时 Y 轴 (垂直偏转板加的是反映基极阶梯电流 iB 大小的信号电压 iBR0, X 轴 (水平偏转版加的是与 iB 相对应的不均匀的变化电压 UBE, 荧光屏平面就被模拟成 UBE -iB 平面。
当集电极扫描电压和基极阶梯电流有如图 4-2 所示的对应关心时 , 图 4-7 电路的工作过程 (即输入特性曲线的显示过程将如图 4-8 所示。
在 0-t1-t2这段时间内 , 集电极扫描电压 uCS 处在第一个正弦半波周期 , 随之变化的集电极电压 UCE 按正弦半波规律将从零逐渐增大到最大值 , 再由最大值逐渐减小到零 , 此时iB=IBO=0,uBE也为零 , 而对偏转板上的信号电压均为零 ,电子束打到荧光屏上的 0 点 , 设此点为坐标点。
当光点由E ’ 返回到 E 点的 t12时刻 , UCE=0, iB 值的调变完成一个周期 , 立刻从 IB5跳回到 IB0=0 与 iB 相对应的 UBE 值的跳变也必然完成一个周期 , 在 iB 变化的同时跳回到零。
IB 和 UBE 对电子束的合作用,使得光点从最高的 E 点跳回到坐标原点 0。
再 t12以后的时间里 , 0-t12的情况完全相同 , 。
就这样 , 在基极阶梯电流的频率足够高 , 即单位时间内扫过上述路径的次数足够多时 , 借助于示波管的余晖时间和人烟的视觉暂留 , 光点扫过的整个路径便清楚而稳定的显示在荧光屏上 , 这就是我们所要得到的晶体管共发射极输入特性曲线。
其中 , 左面的一条是对应着UCE=0 的输入特性曲线, 而各水平亮线右短的光迹 , 也就是连接A ’ 、B ’ 、C ’ 、D ’…… 诸点所得到的曲线为 UCE=UCEM所对应的输入特性曲线。
但在共射极输入特性曲线中, UCE ≥ 1V 以后 , 曲线不再随 UCE 的增大而向右移 , 说明UCE ≥ 1V 后的各曲线基本上是重合在一起的。
(二 XJ4810 型半导体管图示仪各开关旋钮的作用JT-1 型晶体管图示仪各旋钮、开关的作用蚕茧本书附录五 , 这里介绍XJ4810 的使用 ], 图示仪前面板上的开关和旋钮较多 ,但按其功能可以分为以下七部分 :示波管控制电路 , 集电极扫描电压, X 轴作用、 Y 轴作用, 先是部分 ,基极阶梯信号盒测试台。
1、示波管控制电路⑴电源开关与辉度调整旋钮。
拉该旋钮电源接通 ,电流指示灯 , 推该旋钮为关 , 该旋钮拉出后为辉度调整 ,使用时使辉度适中。
⑵聚焦:Θ为主聚焦旋钮, 0 为辅助聚焦旋钮, 四勇士调节主聚焦和辅助聚焦使光点截面最小。
2、 Y 轴作用 :Y 轴作用是使集电极电流 ic 或基极阶梯电流 ib 通过各自取样电阻得到的电压及 Y 轴放大器放大, 加到垂直偏板使电子束垂直偏转。
(1 电流 /度开关:它是具有 22 档四种偏转作用的开关。
a. 集电极电流Ic :10μA/div-0.5μA/div共 15 档 ,测量晶体管输出特性曲线时 Y 轴作用为 Ic, Ic=mA/度 ×度b. 二极管漏电流IR:0.2μA/div-5μA/div共 5 档用来测量二极管的漏电流。
c. 极电流或基极源电压 :阶梯电流通过取样电阻得的基极电流的偏转量。
用于阶梯波校正和晶体管输入特性曲线的测量。
(2 垂直位移与倍率:调节该旋钮可使光点 , 扫描线或曲线上下位移 , 拉出该旋钮是电流 /度 ×0.1 倍率开关。
3、 X 轴作用 :X 轴作用是集电极电压VCE 或基极电压 VBE 经 X 轴放大器放大到水平偏转板使电子束水平运动。
(1电压 /度开关:它是具有 17 档 , 四种偏转作用的开关。
a 、集电极电压 :0.05V /度 -50 V/度共 10 档 ,测量晶体管输出特性曲线时该开关置于。
CE VCE Vb 、基极电压 :0.05V /度 -1V /度共 5 档 ,测量晶体管输入特性曲线时该开关置于。
BE VBE Vc 、基极电流或基极源电压 :阶梯电流通过取样电阻得到的基极电流的偏转量,测量晶体管的电流放大倍数 fe 时 , 该开关置于该档。
hd 、 X 轴位移 :调节该旋钮时光点 , 扫描线或曲线左右移动。
4、显示部分(1 显示开关:使曲线在Ⅰ、Ⅱ象限内相互转换 , 简化 NPN 管转测 PNP 管时的操作。
(2放大器输入端接地⊥ :表示输入为零的基准点。
(3 校准 :用以校准 X 、 Y 轴放大器增益 , 按下此开关光点垂直向上 , 水平向右偏转 10 度 , 即当光点位于左下角原点时 , 按下此开关光点跳到右上角。
5、集电极扫描电压 :(1极性选择开关:用以转换集电极扫描电压的极性, 按下为负极性扫描电压, 适于测量 PNP 管,放开正极性扫描电压,等于测量 NPN 管。
(2 集电极峰值电压范围 :分 10V 、 50V 、 100V 、 500V 四档 ,它是集电极峰值电压的调节范围 , 当由低档转换为高档时 , 需将峰值电压调到“ 0” , 否则易击穿晶体管, AC 档是专为测量二极管的正、反向特性设置的,它提供双向扫描电压,能方便的将二极管的正、反向特性显示在示波器上。