DRAM技术发展史年表

DRAM技术发展史年表

1959年，美国德州仪器（TI）公司Kilby在一块Ge衬底上做成两个以上的晶体管,标志着世界上第一块集成电路的诞生。

1960年，H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺。

1963年，F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术，今天，95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺。

1968年，IBM的R.H.Dennard发明了DRAM的核心记忆单位1T1C（1个晶体管搭配一个电容器）。这个结构成为所有计算机内最主要的读写元件，至今未曾改变。

1969年，英特尔推出了64位的SRAM芯片(双极静态随机存取存储器)，由于其成本缩减到了磁心存储器成本的l/10，因此获得了巨大的成功。

1970年，英特尔利用MOS工艺开发出1kb动态随机存取存储器(DRAM)—1103型存储器。硅片直径为50mm,芯片面积为8.5mm2，集成度为5000，采用的主要技术为三晶体管单元和刷新技术。相对于双极技术，MOS技术不仅能耗少而且集成度高，因此DRAM就成为了计算机存储指令和数据的主流技术。在整个20世纪70年代，DRAM一直是英特尔的核心产品和主要利润来源，为其之后的发展奠定了雄厚的资金基础。

1972年，4 kb DRAM问世。硅片直径为75mm,芯片面积为15.9mm2，集成度为11000，采用的主要技术为单晶体管单元、差分读出技术和地址多路选择技术。

1975年，16kb DRAM问世。硅片直径为75-100mm,芯片面积为16.2mm2，集成度为37000，采用的主要技术为二层多晶硅技术。

1978年，64kb DRAM问世，标志着超大规模集成电路（VLSI）时代的来临。硅片直径为100-125mm,芯片面积为26.6mm2，集成度为155000，采用的主要技术为循环位线、折叠数据线等技术。

1980年，256kb DRAM问世。硅片直径为125-150mm,芯片面积为34.8mm2，集成度为555000，采用的主要技术为三层多晶硅和冗余技术。

1984年，1Mb DRAM问世。硅片直径为150mm,芯片面积为51mm2，集成度为2250000，采用的主要技术为轻掺杂漏（LDD）结构技术。11月，英特尔高层宣

布不再开发新一代DRAM，基本上决定退出DRAM业务。从1985年开始，英特尔专注于对设计和工艺要求很高的微处理器业务。

1984年，第一块闪速存储器问世。闪存是在EPROM 和 EEPROM基础上发展起来的非易失性存储器,具有EPROM和 EEPROM各自的优点,单元面积仅比EPROM 大10 -15 %。集成度可以做到 EPROM相当水平。

1986年，日本存储器产品的世界市场占有率上升到 65 %,而美国则降低到30%,面对日本企业的低价倾销，英特尔和多家半导体公司联合推动政府制定了1986年的美日半导体贸易协定,这对后来的世界微电子产业的发展产生了很大

的影响。同年,德州仪器 (IT)起诉三星和8家日本芯片制造商侵犯DRAM设计专利权,当时因特尔也以类似的原因起诉了现代及其美国设计供应商。最后,三星和现代公司都为以前和将来的产品销售付了专利使用费。开发下一代芯片—4 M D RAM意味着将与日本和美国在半导体尖端技术领域上同场竞技,韩国只能自开发4 M DRAM设计,而此时的韩国企业也具有了一定的自主创新能力。

1986年，NEC利用NMOS工艺生产出4M DRAM,存取时间为95ns。同年，东芝利用CMOS工艺生产出4M DRAM，存取时间为80ns。硅片直径为150-200mm,芯片面积为91mm2，集成度为8000000，采用的主要技术为沟槽或叠层电容技术。

1986年，中国华晶电子集团公司研制成功第一块64kb DRAM，采用2.5微米工艺，集成度为150000.

1988年，16Mb DRAM问世。硅片直径为200mm（8英寸）,芯片面积为135mm2，集成度为30000000，采用的主要技术为化学气相沉积（CVD）技术。

1990年，美国Rambus公司研发出RDRAM。它不是典型的多支路控制信号存储器总线，相反，它依赖于发自8位独立控制总线的指令包。RDRAM采用了以标准存储总线多倍率运行的高速差分时钟。

1990年，清华大学微电子学研究生研制出1-1.5微米工艺1Mb 汉字ROM 1992年，韩国三星电子采用统一的经营结构，开发出世界第一个64M DRAM。硅片直径为200-250mm,芯片面积为135mm2，集成度为140000000，采用的主要技术为超净技术和低电压化技术。64Mb DRAM的工作电压大多为3.3V。

1992年，美国Rambus公司推出第一代Rambus DRAM产品规范。RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二

者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。

1992年12月，日本富士通公司宣布开发成功256M DRAM，当时大多数公司仍处在科研开发阶段。256M DRAM所需的关键工艺技术为：193纳米深紫外（准分子激光）光刻技术；2.5V器件技术；无机且能真空处理的全干抗蚀剂技术；

低介电常熟、易平面化的金属间绝缘物；0.1微米以下浅结技术；全干法加工、刻蚀和清洗等技术。

1995年，日本NEC公司宣布开发成功1G DRAM。其1G DRAM每个晶片含22

亿个晶体管及电容器，晶片尺寸仅9cm2(2.5*3.6cm),该新型晶片的设计特征是将晶体管与电容器重叠排列，从而使晶片面积大幅度缩减30%。其回路采用高难度显微技术制造，线宽为0.25微米。1G DRAM的成功研制使得日本在存储器竞赛

中再次超越了韩国。1Gb DRAM所需关键工艺技术为：X射线或深紫外光刻技术；直径为250-300mm的硅片；超浅结掺杂技术；1.0-1.5V器件技术以及碳化硅异

质结技术

1996年，美国Rambus公司宣布第二代Rambus DRAM产品规范。

1996年,三菱电机开发出1.6Gb/s传输速度的1Gb级SDRAM。他们将构成1Gb 的32个32M存储区块金星两部分控制信号分布，区块分布呈正方形，布线均一，有效地控制了信号传输时间的偏差，工作频率为200MHz。该1.6G DRAM采用同

步加速器(SR)X线光刻工艺，其设计尺寸为0.14微米，芯片尺寸为24.12*24.12mm。

1997年，日本富士通公司为了1GB DRAM的规模生产需要，开发了ArF准分子激光曝光技术，成功地形成了用于4Gb DRAM的0.13微米尺寸图形。ArF准分子激光(波长193nm)因比原工线光学光刻(波长365nm)的波长短，所以必须同时开发新的光刻材料。该公司开发了环氧树脂类的单层胶(2MAdHA-MLMA)和超高分辨率技术。新的光刻胶在0.7微米厚度下透射率为70%以上，可以4.7m/cm2的高感光来实现0.15微米的图形。并通过移相掩模技术实现了最小线宽为0.24微米的图形。可符合4Gb DRAM 0.13微米的尺寸要求。该器件的存储单元尺寸为

0.59x0.34微米，即0.20um2。

1997年，日本NEC采用多值技术开发了4Gb DRAM。采用这一技术，从纯计算角度来看，预计可缩小芯片面积50%，可提高成品率，可大大降低芯片成本。